JP2011243781A - 量子カスケードレーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板と、基板上に設けられ、発光層17及び注入層18からなる単位積層体16が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。また、単位積層体16は、そのサブバンド準位構造において、第1発光上準位Lup1と、第2発光上準位Lup2と、複数の発光下準位Llowとを有し、第1、第2上準位の一方は第1井戸層での基底準位に起因する準位であり、他方は第1井戸層を除く井戸層での励起準位に起因する準位である。また、第1上準位と第2上準位とのエネルギー間隔は、LOフォノンのエネルギーよりも小さく設定され、第2上準位と高エネルギー準位Lhとのエネルギー間隔は、LOフォノンのエネルギーよりも大きく設定される。
【選択図】 図2
Description
10meV≦ΔE43≦25meV
を満たす範囲内で設定されることが好ましい。これにより、第1、第2上準位から複数の下準位への発光遷移によって得られる発光スペクトルなどのレーザ素子特性を好適に設定することができる。
50meV≦ΔE54
を満たす範囲内で設定されることが好ましい。これにより、前段の注入層内の準位から第1、第2発光上準位へと注入される電子のうちで、発光上準位よりも高エネルギーの準位への電子の漏れ出しを抑制することができる。
10meV≦ΔE2≦25meV
を満たす範囲内で設定されることが好ましい。
10meV≦ΔE43≦25meV
を満たす範囲内で設定されることが好ましい。これにより、第1、第2上準位から複数の下準位への発光遷移によって得られる発光スペクトルなどのレーザ素子特性を好適に設定することができる。
N4/N3=exp(−ΔE43/kT)
によって与えられる。
10meV≦ΔE2≦25meV
を満たす範囲内で設定されることが好ましい。また、複数の発光下準位Llowの個数については、3個以上とすることが好ましい。
50meV≦ΔE54
を満たす範囲内で設定されることが好ましい。これにより、前段の注入層18a内の準位Lrから第1、第2発光上準位Lup1、Lup2へと注入される電子のうちで、発光上準位よりも高エネルギーの準位への電子の漏れ出しを抑制することができる。このように、第1、第2発光上準位から高エネルギー準位が充分に離れている準位構造は、超格子構造を利用した活性層での上位ミニバンドとは決定的に異なるものである。
Jth=J0exp(T/T0)
によって定義される。また、図11において、最高動作温度は400K以上であり、閾値及び特性温度からの推定では、470K程度まで発振すると考えられる。
Claims (6)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、量子井戸発光層及び注入層からなる単位積層体が多段に積層されることで前記量子井戸発光層と前記注入層とが交互に積層されたカスケード構造が形成された活性層とを備え、
前記単位積層体は、そのサブバンド準位構造において、第1発光上準位と、前記第1発光上準位よりも高いエネルギーを有する第2発光上準位と、それぞれ前記第1発光上準位よりも低いエネルギーを有する複数の発光下準位とを有し、
前記量子井戸発光層における前記第1発光上準位及び前記第2発光上準位から前記複数の発光下準位への電子のサブバンド間遷移によって光が生成され、前記サブバンド間遷移を経た電子は、前記注入層内の準位を介して後段の単位積層体の量子井戸発光層へと注入されるとともに、
前記量子井戸発光層はn個(nは2以上の整数)の井戸層を含み、前記第1発光上準位及び前記第2発光上準位の一方は、最も前段の注入層側の第1井戸層における基底準位に起因する準位であり、他方は、前記第1井戸層を除く井戸層における励起準位に起因する準位であり、
前記第1発光上準位と前記第2発光上準位とのエネルギー間隔ΔE43は、縦光学フォノンのエネルギーよりも小さく設定されるとともに、前記第2発光上準位に対して高エネルギー側で隣接する高エネルギー準位について、前記第2発光上準位と前記高エネルギー準位とのエネルギー間隔ΔE54は、縦光学フォノンのエネルギーよりも大きく設定されることを特徴とする量子カスケードレーザ。 - 前記第1発光上準位と前記第2発光上準位とのエネルギー間隔ΔE43は、条件
10meV≦ΔE43≦25meV
を満たす範囲内で設定されることを特徴とする請求項1記載の量子カスケードレーザ。 - 前記第2発光上準位と前記高エネルギー準位とのエネルギー間隔ΔE54は、条件
50meV≦ΔE54
を満たす範囲内で設定されることを特徴とする請求項1または2記載の量子カスケードレーザ。 - 前記複数の発光下準位の隣接する準位同士のエネルギー間隔ΔE2は、縦光学フォノンのエネルギーよりも小さく設定されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の量子カスケードレーザ。
- 前段の注入層内の準位から前記量子井戸発光層への電子は、前記第2発光上準位へと注入されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の量子カスケードレーザ。
- 前記第1発光上準位及び前記第2発光上準位は、いずれも、前記活性層内で前記量子井戸発光層の前記第1井戸層以外での電子の存在確率が30%以上であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載の量子カスケードレーザ。
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