JP2011239547A - 基準回路モジュール、三相インバータ回路、整流回路、pam回路、一石型pam回路、ハーフブリッジ/インターリーブ回路、および空気調和装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基準回路モジュール12が、直列に接続された上アームスイッチ部14Ua、14Va、14Wa、および下アームスイッチ部14Ub、14Vb、14Wbと、上アームスイッチ部と下アームスイッチ部との間に設けられた入力または出力のための端子15U、15V、15Wとを備えたアーム13U、13V、13Wを備え、上アームスイッチ部および下アームスイッチ部のそれぞれはスイッチング素子Q1〜6またはダイオードD1〜6を備え、スイッチング素子またはダイオードはワイドギャップ半導体からなることを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
このとき、整流回路部において、電圧降下が大きく、それに伴いダイオードの定常損失が増大し、コンバータ部分の効率を低下させる要因となっていた。
また、整流回路部やインバータ回路部におけるダイオードの定常損失の増大により温度上昇が発生するにも関わらず、シリコンを用いたダイオードの使用温度限界は150度程度と低いため、温度上昇が発生しないような運転を行ったり、温度上昇を防止するためにダイオードに放熱部品を取り付けたりする必要があった。また、放熱部品を取り付ける場合においても、放熱部品を含むインバータ制御装置が大きくなったり、放熱部品の冷却のために放熱部品を風路に位置するような構成にする必要が発生するなど、空気調和装置の大きさや空気調和装置内の部品配置に制約が生ずる問題もあった。
また、基準回路モジュールにおいて実装する部品を選択することにより、インバータ回路、整流回路、コンバータ回路等を実現できるため、ひとつのインバータ制御装置をひとつの共通化したモジュールで構成することができる。
図1は、本発明の実施の形態1に係るモータ制御部の回路ブロック図である。
モータ制御部は、モータ1に接続しており、交流電源2に接続して交流を直流に変換する整流回路3、整流回路3と母線4aおよび4bで接続して直流から三相交流に変換し、モータ1の入力端子(U相、V相、W相)に接続してモータ1を駆動するインバータ回路5を備える。
また、整流回路3とインバータ回路5との間には、リアクトル6、ダイオード7、および母線4aと4bとの間に配置されたスイッチング素子8からなる高力率コンバータ回路9を備えることで、電源力率改善を行っている。
また、高力率コンバータ回路9とインバータ回路5との間であって、母線4aと4bとの間にコンデンサ10を設けることで、高力率コンバータ部9からの電圧を平滑化している。
また、制御部11が、インバータ回路5を構成するスイッチング素子(図示せず)に回線11aを介して接続するとともに、高力率コンバータ回路9を構成するスイッチング素子8に回線11bを介して接続し、スイッチング素子のスイッチング制御を行っている。
インバータ回路5は、基板上に基準回路モジュール12が搭載されるとともに、インバータ回路用に基板上で配線されたものである。
基準回路モジュール12は、U相アーム13U、V相アーム13V、およびW相アーム13Wを有し、U相アーム13Uは、点線で囲まれた上アームスイッチ部14Ua、および点線で囲まれた下アームスイッチ部14Ubを有する。また、U相アーム13Uと同様に、V相アーム13VおよびW相アーム13Wも、それぞれ、上アームスイッチ部14Va、14Wa、および下アームスイッチ部14Vb、14Wbを有する(点線、および符号による図示せず)。
ダイオードD1〜6には、半導体と金属を接合させてダイオード作用を行うショットキーバリアダイオードが使用され、スイッチング素子Q1〜6およびダイオードD1〜6には、ワイドギャップ半導体であるSiCにより構成されている。
なお、スイッチング素子Q1〜6およびダイオードD1〜6には、SiCではなく、ワイドギャップ半導体の一つであるGaNを用いても良い。
このようなインバータ回路は、インバータ駆動のために各スイッチング素子Q1〜6がオンからオフに切り替わるときに非常に大きな逆回復電流が流れる。また、各スイッチング素子Q1〜6には、20A以上の大きな電流が定常的に流れている。
しかし、このスイッチング素子Q1〜6およびダイオードD1〜6にはワイドギャップ半導体であるSiCが用いられているため、逆回復電流に関しては逆回復電流が従来のシリコンに比べて非常に少なく、逆回復時間が非常に短い。例えば、定格逆耐圧600Vおよび定格順電流6AのSiCショットキーバリアダイオードでは逆回復電荷は20nc程度であり、通常のシリコンPN接合ダイオードの逆回復電荷150〜1500ncに比べて著しく小さい。
これにより、スイッチング損失を大幅に小さくすることができ、また発熱を抑えることができるため、放熱部品が不要であるか小さな放熱部品の取り付けで十分となり、スイッチング素子Q1〜6とダイオードD1〜6とをモジュール化した基準回路モジュール12を構成することができる。また、モジュールの放熱も少ないため、基準回路モジュール12、およびインバータ回路5部分の小型化も図ることができる。
図3は、本発明の実施の形態2に係るインバータ回路である。この実施の形態2に係るインバータ回路は、実施の形態1に係る基準回路モジュール12を2つ使用してインバータ回路を構成するものであり、実施の形態1と同じ構成については実施の形態1と同じ符号を用いるとともに、それらの構成、作用、効果等の説明を省略する。
(新たなU相アーム)
まず、第1の基準回路モジュール12−1のU相出力端子15UとV相出力端子15Vとを接続して新たなU相出力端子15U−2としてモータ1のU相入力端子に接続する。また、制御部11(図示せず)は、第1の基準回路モジュール12−1におけるスイッチング素子Q1とQ2とを一纏めにして新たなU相アームの上アーム側とし、スイッチング素子Q4とQ5とを一纏めにして新たなU相アームの下アーム側として、それぞれのスイッチング素子をON・OFFする。これにより、図3に点線で図示したように、第1の基準回路モジュール12−1のU相アーム13UとV相アーム13Vとが、新たなU相アームとなる。
また、第1の基準回路モジュール12−1のW相出力端子15Wと第2の基準回路モジュール12−2のU相出力端子15Uとを接続して新たなV相出力端子15V−2としてモータ1のV相入力端子に接続する。また、制御部11(図示せず)は、第1の基準回路モジュール12−1におけるスイッチング素子Q3と第2の基準回路モジュール12−2におけるスイッチング素子Q1とを一纏めにして新たなV相アームの上アーム側とし、第1の基準回路モジュール12−1におけるスイッチング素子Q6と第2の基準回路モジュール12−2におけるスイッチング素子Q4とを一纏めにして新たなV相アームの下アーム側として、それぞれのスイッチング素子をON・OFFする。これにより、図3に点線で図示したように、第2の基準回路モジュール12−1のW相アーム13Wと第2の基準回路モジュール12−2のU相アーム13Uとが、新たなV相アームとなる。
また、第2の基準回路モジュール12−2のV相出力端子15VとW相出力端子15Wとを接続して新たなW相出力端子15W−2としてモータ1のW相入力端子に接続する。また、制御部11(図示せず)は、第2の基準回路モジュール12−2におけるスイッチング素子Q2とQ3とを一纏めにして新たなW相アームの上アーム側とし、スイッチング素子Q5とQ6とを一纏めにして新たなW相アームの下アーム側として、それぞれのスイッチング素子をON・OFFする。これにより、図3に点線で図示したように、第2の基準回路モジュール12−2のV相アーム13VとW相アーム13Wとが、新たなW相アームとなる。
また、実施の形態1では1つの基準回路モジュール12でインバータ回路5を構成していたところ、この実施の形態2では基準回路モジュール12を2つ使用しているため、実施の形態1に記載のインバータ回路よりも大容量の電力を扱うことができる。
また、基準回路モジュール12の構成は変えずに、同じ2つの基準回路モジュール12−1、12−2を並べて、基板上で一部の配線を変更するだけで大容量に対応したインバータ回路を実現することができ、使用する回路、つまり基準回路モジュールを共通化することで構成を簡素化することができる。
また、実施の形態1でも述べたように、スイッチング素子Q1〜6、ダイオードD1〜6にワイドギャップ半導体を用いているため、スイッチング損失が少なく、放熱量も少ないので、基準回路モジュールを2つ用いてインバータ制御装置を動作させても発熱量が少なく、大きな放熱部品を使用することなく、大容量電力に対応することができる。
図4は、本発明の実施の形態3に係るインバータ回路である。この実施の形態3に係るインバータ回路は、実施の形態1に係る基準回路モジュール12を3つ使用してインバータ回路を構成するものであり、実施の形態1と同じ構成については実施の形態1と同じ符号を用いるとともに、それらの構成、作用、効果等の説明を省略する。
(新たなU相アーム)
まず、第1の基準回路モジュール12−1のU相出力端子15UとV相出力端子15VとW相出力端子15Wとを接続して新たなU相出力端子15U−3としてモータ1のU相入力端子に接続する。また、制御部11(図示せず)は、第1の基準回路モジュール12−1におけるスイッチング素子Q1とQ2とQ3とを一纏めにして新たなU相アームの上アーム側とし、スイッチング素子Q4とQ5とQ6とを一纏めにして新たなU相アームの下アーム側として、それぞれのスイッチング素子をON・OFFする。これにより、第1の基準回路モジュール12−1全体が新たなU相アームとなる。
また、第2の基準回路モジュール12−2のU相出力端子15UとV相出力端子15VとW相出力端子15Wとを接続して新たなV相出力端子15V−3としてモータ1のV相入力端子に接続する。また、制御部11(図示せず)は、第2の基準回路モジュール12−2におけるスイッチング素子Q1とQ2とQ3とを一纏めにして新たなV相アームの上アーム側とし、スイッチング素子Q4とQ5とQ6とを一纏めにして新たなV相アームの下アーム側として、それぞれのスイッチング素子をON・OFFする。これにより、第2の基準回路モジュール12−3全体が新たなV相アームとなる。
また、第3の基準回路モジュール12−3のU相出力端子15UとV相出力端子15VとW相出力端子15Wとを接続して新たなW相出力端子15W−3としてモータ1のW相入力端子に接続する。また、制御部11(図示せず)は、第3の基準回路モジュール12−3におけるスイッチング素子Q1とQ2とQ3とを一纏めにして新たなW相アームの上アーム側とし、スイッチング素子Q4とQ5とQ6とを一纏めにして新たなW相アームの下アーム側として、それぞれのスイッチング素子をON・OFFする。これにより、第3の基準回路モジュール12−3全体が新たなW相アームとなる。
また、実施の形態2では、2つの基準回路モジュール12でインバータ回路5を構成していたところ、この実施の形態3では基準回路モジュール12を3つ使用しているため、実施の形態2に記載のインバータ回路よりもさらに大容量の電力を扱うことができる。
また、基準回路モジュール12の構成は変えずに、同じ3つの基準回路モジュール12−1、12−2、12−3を並べて一部の配線を変更するだけで大容量に対応したインバータ回路を実現することができ、使用する回路を共通化することで構成を簡素化することができる。
また、実施の形態1でも述べたように、スイッチング素子Q1〜6、ダイオードD1〜6にワイドギャップ半導体を用いられているため、スイッチング損失が少なく、放熱量も少ないので、基準回路モジュールを3つ用いてインバータ制御装置を動作させても発熱量が少なく、放熱部品を使用することなく、大容量電力に対応することができる。
実施の形態1〜3では、基準回路モジュール12を用いて構成した容量の異なる三相インバータ回路について説明した。この実施の形態4では、図1に記載した基準回路モジュール12を利用して整流回路3を構成する場合について説明する。
図5は、本発明の実施の形態4に係る整流回路3である。この実施の形態4に係る整流回路は、実施の形態1に係る基準回路モジュール12を利用するものであり、実施の形態1と同じ構成については実施の形態1と同じ符号を用いるとともに、それらの構成、作用、効果等の説明を省略する。
また、U相アーム13U、V相アーム13V、W相アーム13Wにおける上アームスイッチ部と下アームスイッチ部との間の端子は、交流電源2に接続する。
また、基板上において、U相アーム13U、V相アーム13V、W相アーム13Wの端部16Ua、16Va、16Waを図1における母線4aに接続し、下アームスイッチ部14Ub、14Vb、14Wb側の端部16Ub、16Vb、16Wbを母線4bに接続する。これにより、U相アーム13U、V相アーム13V、W相アーム13Wが並列に接続することになる。
また、実施の形態1と同様、ダイオードD1〜6にワイドギャップ半導体を用いるため、発熱が少なく、モジュールの放熱も少ないため、整流回路部分も小型化することができる。
実施の形態4では、基準回路モジュール12を利用して構成した整流回路3について説明した。この実施の形態5では、図1に記載した基準回路モジュール12を利用して簡易PAMコンバータを構成する場合について説明する。
図6は、本発明の実施の形態5に係る簡易PAMコンバータである。この実施の形態5に係る簡易PAMコンバータは、実施の形態1に係る基準回路モジュール12を利用するものであり、実施の形態1と同じ構成については実施の形態1と同じ符号を用いるとともに、それらの構成、作用、効果等の説明を省略する。
具体的には、図1に記載の基準回路モジュール12を構成するU相アーム13U、およびV相アーム13Vの上アームスイッチ部14Ua、14Va、および下アームスイッチ部14Ub、14Vbのそれぞれにおいて、スイッチング素子Q1、2、4、5を未実装にし、ダイオードD1、2、4、5のみ実装している。
また、U相アーム13U、およびV相アーム13Vにおける上アームスイッチ部と下アームスイッチ部との間の端子は、交流電源2に接続する。
また、基板上において、U相アーム13U、V相アーム13Vの端部16Ua、16Vaを図1における母線4aに接続し、下アームスイッチ部14Ub、14Vb側の端部16Ub、16Vbを母線4bに接続する。これにより、U相アーム13U、V相アーム13Vが並列に接続することになる。
これにより、並列に接続したU相アーム13UおよびV相アーム13Vの出力側に、スイッチング素子Q6およびダイオードD6が接続されることになり、このスイッチング素子Q6を制御部11からPAM制御を行う。
また、実施の形態1や4と同様、ダイオードD1、2、4〜6、スイッチング素子Q6にワイドギャップ半導体を用いるため、発熱が少なく、基準回路モジュール12全体の放熱も少ないため、簡易PAMコンバータ部分も小型化することができる。
実施の形態5では、基準回路モジュール12を利用して構成した簡易PAMコンバータについて説明した。この実施の形態6は、図1に記載した基準回路モジュール12を利用して一石型PAM回路を構成する場合について説明する。
図7は、本発明の実施の形態6に係る一石型PAM回路である。この実施の形態6に係る一石型PAM回路は、実施の形態1に係る基準回路モジュール12を利用するものであり、実施の形態1と同じ構成については実施の形態1と同じ符号を用いるとともに、それらの構成、作用、効果等の説明を省略する。
具体的には、図1に記載の基準回路モジュール12を構成するU相アーム13U、およびV相アーム13Vの上アームスイッチ部14Ua、14Va、および下アームスイッチ部14Ub、14Vbのそれぞれにおいて、スイッチング素子Q1、2、4、5を備えず、ダイオードD1、2、4、5のみ実装している。
また、U相アーム13U、およびV相アーム13Vから延びるU相出力端子15U、およびV相出力端子15Vは、交流電源2に接続する。
また、基板上において、U相アーム13U、V相アーム13Vの端部16Ua、16Vaを図1における母線4aに接続し、下アームスイッチ部14Ub、14Vb側の端部16Ub、16Vbを母線4bに接続する。これにより、U相アーム13U、V相アーム13Vが並列に接続することになる。
また、基板上において、W相出力端子15Wを、リアクトル18を介してU相アーム13U、およびV相アーム13Vの上アーム側の接続部分に接続する。これにより、ダイオードD3は母線4aに位置することになる。
また、V相アームの下アーム側端部とW相アームの下アーム側端部との間に抵抗を配置している。これにより、並列に接続したU相アームおよびV相アームの出力側に、母線4a側ではリアクトル18およびダイオードD3、母線4b側では抵抗17を介してスイッチング素子Q6と接続する構成となる。また、このスイッチング素子Q6を制御部11から制御する。
これにより、並列に接続したU相アーム13UおよびV相アーム13Vの出力側に、リアクトル18、ダイオードD3が接続され、母線4aと4bとの間にスイッチング素子Q6が位置することになる。
また、実施の形態1や4、5と同様、ダイオードD1〜5、スイッチング素子Q6にワイドギャップ半導体を用いるため、発熱が少なく、モジュールの放熱も少ないため、一石型PAM回路も小型化することができる。
実施の形態5,6では、基準回路モジュール12を利用して、スイッチング素子およびダイオードの実装/未実装と基板上の配線を変更することで、容易に構成した簡易PAMコンバータと一石型PAM回路について説明した。この実施の形態7では、図1に記載した基準回路モジュール12を利用して、ハーフブリッジ/インターリーブ回路を構成する場合について説明する。
図8は、本発明の実施の形態7に係るハーフブリッジ/インターリーブ回路である。この実施の形態7に係るハーフブリッジ/インターリーブ回路は、実施の形態1に係る基準回路モジュール12を利用するものであり、実施の形態1と同じ構成については実施の形態1と同じ符号を用いるとともに、それらの構成、作用、効果等の説明を省略する。
具体的には、図1に記載の基準回路モジュール12を構成するU相アーム13U、およびV相アーム13Vの上アームスイッチ部14Ua、14Vaのそれぞれにおいて、ダイオードD1、2を実装するとともに、スイッチング素子Q1、2を未実装にする。
また、下アームスイッチ部14Ub、14Vbのそれぞれにおいては、スイッチング素子Q4、5とダイオードD4、5を実装する。
また、基板上において、U相アーム13UとV相アーム13Vの上アーム側を母線4aに接続し、下アーム側ではスイッチング素子Q4、5、ダイオードD4、5が並列接続して母線4bに接続する。
なお、W相アームは使用せず、スイッチング素子もダイオードも実装せず、基板上では母線4a、4bに接続しない。
また、実施の形態1や4〜6と同様、ダイオードD1、2、4、5、スイッチング素子Q4、5にワイドギャップ半導体を用いるため、発熱が少なく、モジュールの放熱も少ないため、ハーフブリッジ/インターリーブ回路部分も小型化することができる。
このようにすれば、実施の形態2〜7に係るインバータ回路、整流回路、簡易PAM回路、一石型PAM回路、ハーフブリッジ/インターリーブ回路のいずれも実現することができる。
図9に記載の基準回路モジュールにおいては、U相アーム13UとV相アーム13Vの上アームスイッチ部側端部16Uaおよび16Vaが接続している。また、W相アーム13Wの下アームスイッチ側の端部16Wbが基準モジュール12内で接続して、スイッチング素子Q6とダイオードD6が並列接続している。
このような接続を基準回路モジュール12内で行っておくことで、基板上での配線数を減らすとともに簡素化することができる。
2 交流電源
3 整流回路
4a、4b 母線
5 インバータ回路
6 リアクトル
7 ダイオード
8 スイッチング素子
9 高力率コンバータ回路
10 平滑コンデンサ
12、12−1、12−2、12−3 基準回路モジュール
13U U相アーム、13V V相アーム、13W W相アーム
14Ua、14Va、14Wa 上アームスイッチ部
14Ub、14Vb、14Wb 下アームスイッチ部
Q1〜6 スイッチング素子
D1〜6 ダイオード
15U、15U−2、15U−3 U相出力端子
15V、15V−2、15V−3 V相出力端子
15W、15W−2、15W−3 W相出力端子
16Ua、16Ub U相アームの端部
16Va、16Vb V相アームの端部
16Wa、16Wb W相アームの端部
Claims (10)
- 直列に接続された上アームスイッチ部および下アームスイッチ部と、前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間に設けられた入力または出力のための端子と、を備えたアームを3つ備え、
前記上アームスイッチ部および前記下アームスイッチ部のそれぞれは、スイッチング素子またはダイオードを備え、
前記スイッチング素子または前記ダイオードはワイドギャップ半導体からなることを特徴とする
基準回路モジュール。 - 請求項1に記載の基準回路モジュールを有し、
3つの前記アームは並列に接続され、
前記上アームスイッチ部および前記下アームスイッチ部のそれぞれは、ダイオードとスイッチング素子とからなり、
3つの前記アームのそれぞれは、
前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間から出力するU相出力端子を備えたU相アーム、
前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間から出力するV相出力端子を備えたV相アーム、
前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間から出力するW相出力端子を備えたW相アームとした
ことを特徴とする三相インバータ回路。 - 請求項2に記載の2つの三相インバータ回路を、第1の三相インバータ回路、第2の三相インバータ回路とし、
前記第1の三相インバータ回路の前記U相アームと前記V相アームとを並列に接続して新たなU相アームとするとともに、前記U相出力端子と前記V相出力端子とを接続して新たなU相出力端子とし、
前記第1の三相インバータ回路の前記W相アームと前記第2の三相インバータ回路の前記U相アームとを並列に接続して新たなV相アームとするとともに、前記第1の三相インバータ回路の前記W相出力端子と前記第2の三相インバータ回路の前記U相出力端子と接続して新たなV相出力端子とし、
前記第2の三相インバータ回路の前記V相アームと前記W相アームとを並列に接続して新たなW相アームとするとともに、前記V相出力端子と前記W相出力端子とを接続して新たなW相出力端子とした
ことを特徴とする三相インバータ回路。 - 請求項2に記載の3つの三相インバータ回路を、第1の三相インバータ回路、第2の三相インバータ回路、第3の三相インバータ回路とし、
前記第1の三相インバータ回路において、前記U相アームと前記V相アームと前記W相アームとを並列に接続して新たなU相アームとするとともに、前記U相出力端子と前記V相出力端子と前記W相出力端子とを接続して新たなU相出力端子とし、
前記第2の三相インバータ回路において、前記U相アームと前記V相アームと前記W相アームとを並列に接続して新たなV相アームとするとともに、前記U相出力端子と前記V相出力端子と前記W相出力端子とを接続して新たなV相出力端子とし、
前記第3の三相インバータ回路において、前記U相アームと前記V相アームと前記W相アームとを並列に接続して新たなW相アームとするとともに、前記U相出力端子と前記V相出力端子と前記W相出力端子とを接続して新たなW相出力端子とした
ことを特徴とする三相インバータ回路。 - 交流電源を直流電源に変換する整流回路、
前記整流回路で生成された前記直流電源を三相交流電源に変換するインバータ回路、
前記三相交流電源により駆動される圧縮機のモータ
を備え、
前記インバータ回路は、請求項2から4のいずれか1項に記載の三相インバータ回路であり、
前記三相インバータ回路のU相出力端子が前記モータのU相入力端子に接続し、
前記三相インバータ回路のV相出力端子が前記モータのV相入力端子に接続し、
前記三相インバータ回路のW相出力端子が前記モータのW相入力端子に接続する
ことを特徴とする空気調和装置。 - 請求項1に記載の基準回路モジュールを有し、
3つの前記アームは並列に接続され、
前記上アームスイッチ部および前記下アームスイッチ部のそれぞれは、ダイオードからなり、
前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間の端子は、交流電源に接続する入力端子である
ことを特徴とする整流回路。 - 請求項1に記載の基準回路モジュールを有し、
3つの前記アームのうち2つのアームにおいて、
2つの前記アームが並列に接続され、
前記上アームスイッチ部および前記下アームスイッチ部のそれぞれは、ダイオードからなり、
前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間の端子は、交流電源に接続する入力端子であり、
3つの前記アームのうちの残り1つのアームにおいて、
下アームスイッチ部のみが並列に接続されたスイッチング素子とダイオードとを備え、
前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間の端子は、2つの前記アームの下アームスイッチ部側端部と接続して前記下アームスイッチ部が2つの前記アームと並列に接続する
ことを特徴とするPAM回路。 - 請求項1に記載の基準回路モジュールを有し、
3つの前記アームのうち2つのアームにおいて、
2つの前記アームが並列に接続され、
前記上アームスイッチ部および前記下アームスイッチ部のそれぞれは、ダイオードからなり、
前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間の端子は、交流電源に接続する入力端子であり、
3つの前記アームのうちの残り1つのアームにおいて、
前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間の端子は、2つの前記アームの上アームスイッチ部側端部とリアクトルを介して接続し、
上アームスイッチ部はダイオードからなるとともにインバータ回路に接続する母線に接続し、
下アームスイッチ部はスイッチング素子からなるとともに、2つの前記アームの下アームスイッチ部側端部と接続する
ことを特徴とする一石型PAM回路。 - 請求項1に記載の基準回路モジュールを有し、
3つの前記アームのうち2つのアームにおいて、
前記上アームスイッチ部はダイオードからなり、
前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間の端子は、交流電源に接続する入力端子であって、上アームスイッチ部のダイオードが並列接続し、上アームスイッチ部側の端部はインバータ回路に母線を介して接続し、
前記下アームスイッチ部はスイッチング素子とダイオードを備えるとともに並列接続して、インバータ回路に母線を介して接続する
ことを特徴とするハーフブリッジ/インターリーブ回路。 - 請求項6に記載の整流回路、請求項7に記載のPAM回路、請求項8に記載の一石型PAM回路、または請求項9に記載のハーフブリッジ/インターリーブ回路のいずれか1つの回路が交流電源に接続し、
前記回路には直流電源を三相交流電源に変換するインバータ回路が接続し、
前記インバータ回路には前記三相交流電源により駆動される圧縮機のモータが接続する
ことを特徴とする空気調和装置。
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