JP2011228572A5 - - Google Patents

Description

上記目的を達成するために、本発明の第１実施例のテラヘルツ電磁波発生装置は、金属板と、該金属板上に配置され、光が照射された際に自由電子が生じる比誘電率εｒ１の光伝導層が表面に形成された絶縁性の第１基板と、前記金属板上に前記第１基板の横に隣接して密着するよう配置された比誘電率εｒ２の絶縁性の第２基板と、該第２基板の表面に形成された導電性のダイポールアンテナのエレメントと、該ダイポールアンテナの給電点から引き出され、前記第２基板の表面から前記第１基板における前記光伝導層上にわたって形成された第１ラインおよび第２ラインと、前記光伝導層上に形成されている前記第１ラインと前記第２ラインの端部が所定の間隔で対向している対向部と、該対向部にパルス状の光を照射する光源と、前記第１ラインと前記第２ラインとの間に電源を印加するバイアス電源とを備え、比誘電率εｒ１＞比誘電率εｒ２とされていることを最も主要な特徴としている。
また、本発明の第２実施例のテラヘルツ電磁波発生装置は、光が照射された際に自由電子が生じる光伝導層が一面に形成され、他面に金属層が形成された比誘電率εｒ１の絶縁性の第１基板と、前記金属層上に配置された比誘電率εｒ２の絶縁性の第２基板と、該第２基板の表面に形成された導電性のダイポールアンテナのエレメントと、該ダイポールアンテナの給電点から引き出され、前記第２の基板、前記金属層、前記第１の基板および前記光伝導層を貫通して、前記光伝導層上に形成された第１ラインおよび第２ラインと、前記光伝導層上に形成されている前記第２ラインに形成された切欠部と、該切欠部にパルス状の光を照射する光源と、前記第１ラインの端部と、前記第２ラインの端部との間に印加されたバイアス電源とを備え、比誘電率εｒ１＞比誘電率εｒ２とされていることを最も主要な特徴としている。

本発明によれば、パルス状の光が照射される光伝導層上に形成されている対向部あるいは切欠部が、第２基板上に形成されているダイポールアンテナの給電部として作用するようになり、対向部あるいは切欠部から給電されたダイポールアンテナからテラヘルツ電磁波が放射されるようになる。この場合、対向部あるいは切欠部が形成されている光伝導層は比誘電率が高くされるが、ダイポールアンテナのエレメントが形成されている第２基板の比誘電率を低くすることができる。これにより、放射利得等のアンテナ性能を向上することができるテラヘルツ電磁波発生装置とすることができる。

Claims (5)

1. 金属板と、
   該金属板上に配置され、光が照射された際に自由電子が生じる比誘電率εｒ１の光伝導層が表面に形成された絶縁性の第１基板と、
   前記金属板上に前記第１基板の横に隣接して密着するよう配置された比誘電率εｒ２の絶縁性の第２基板と、
   該第２基板の表面に形成された導電性のダイポールアンテナのエレメントと、
   該ダイポールアンテナの給電点から引き出され、前記第２基板の表面から前記第１基板における前記光伝導層上にわたって形成された第１ラインおよび第２ラインと、
   前記光伝導層上に形成されている前記第１ラインと前記第２ラインの端部が所定の間隔で対向している対向部と、
   該対向部にパルス状の光を照射する光源と、
   前記第１ラインと前記第２ラインとの間に電源を印加するバイアス電源とを備え、
   比誘電率εｒ１＞比誘電率εｒ２とされていることを特徴とするテラヘルツ電磁波発生装置。
2. 光が照射された際に自由電子が生じる光伝導層が一面に形成され、他面に金属層が形成された比誘電率εｒ１の絶縁性の第１基板と、
   前記金属層上に配置された比誘電率εｒ２の絶縁性の第２基板と、
   該第２基板の表面に形成された導電性のダイポールアンテナのエレメントと、
   該ダイポールアンテナの給電点から引き出され、前記第２の基板、前記金属層、前記第１の基板および前記光伝導層を貫通して、前記光伝導層上に形成された第１ラインおよび第２ラインと、
   前記光伝導層上に形成されている前記第２ラインに形成された切欠部と、
   該切欠部にパルス状の光を照射する光源と、
   前記第１ラインの端部と、前記第２ラインの端部との間に印加されたバイアス電源とを備え、
   比誘電率εｒ１＞比誘電率εｒ２とされていることを特徴とするテラヘルツ電磁波発生装置。
3. 前記ダイポールアンテナのエレメントが形成されている前記第２基板の表面に、前記ダイポールアンテナから発生されたテラヘルツ電磁波を収束するレンズが設けられていることを特徴とする請求項１または２記載のテラヘルツ電磁波発生装置。
4. 前記第２基板の表面に複数のダイポールアンテナのエレメントが配列されて形成され、各ダイポールアンテナの給電点が前記第１ラインおよび前記第２ラインに並列に接続されていることを特徴とする請求項１または２記載のテラヘルツ電磁波発生装置。
5. 前記第１基板における比誘電率εｒ１と前記第２基板における比誘電率εｒ２との比であるεｒ１／εｒ２が、約４以上とされていることを特徴とする請求項１または２記載のテラヘルツ電磁波発生装置。