JP2011222846A - Inspection method by dicing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明はダイシング装置による検査方法に係り、特に透明・半透明のウェーハをブレードによってウェーハをダイス状に切断するダイシング装置の検査方法に関する。 The present invention relates to an inspection method using a dicing apparatus, and more particularly, to an inspection method for a dicing apparatus that cuts a transparent / semi-transparent wafer into dice using a blade.
ダイシング装置は、外周部に砥粒が固着されたブレードによってウェーハを、ストリートに沿って切削し、ダイス状に切断することによりウェーハからチップを得る装置である。このダイシング装置では、ブレードの磨耗によって、ウェーハのストリートにチッピングが生じたり、ブレードの熱変形によって、ブレードで切削された溝(カーフ)の位置がストリートの中心からずれたりする。このためダイシング装置では、あらかじめ設定されたタイミングでブレードのカーフチェックを実施している。すなわち、ブレードで切削された溝に照明光を照射して、この溝をカメラで撮像し、その画像信号を画像処理又は画像を目視検査して、溝の位置、幅、チッピングの有無等をチェックしている。このようなカーフチェックのタイミングは、1枚のチップの間隔をもって所定本数のストリートを切削した後、その最後のストリートに加工された溝についてカーフチェックを実施するのが一般的である。 The dicing apparatus is an apparatus that obtains chips from a wafer by cutting the wafer along a street with a blade having abrasive grains fixed to the outer peripheral portion and cutting the wafer into dice. In this dicing apparatus, chipping occurs on the street of the wafer due to wear of the blade, and the position of the groove (kerf) cut by the blade shifts from the center of the street due to thermal deformation of the blade. For this reason, the dicing device performs a kerf check of the blade at a preset timing. In other words, the groove cut with the blade is irradiated with illumination light, the groove is imaged with a camera, the image signal is subjected to image processing or visual inspection, and the groove position, width, presence of chipping, etc. are checked. is doing. In general, the kerf check is performed by cutting a predetermined number of streets at intervals of one chip and then performing a kerf check on the groove processed in the last street.
特許文献1には、ツインスピンドルダイサのステップカット方式におけるカーフチェック方法が開示されている。このカーフチェック方法によれば、未切削のストリートを第1のブレードによって所定深さ切削するとともに、未切削のストリートを第2のブレードによって所定深さ切削し、その切削された2本の溝を検査して、第1のブレードと第2のブレードのカーフチェックを実施している。 Patent Document 1 discloses a kerf check method in a step-cut method of a twin spindle dicer. According to this kerf check method, an uncut street is cut to a predetermined depth by the first blade, and the uncut street is cut to a predetermined depth by the second blade, and the two grooves thus cut are cut. A kerf check of the first blade and the second blade is performed by inspection.
特許文献1のカーフチェック方法によれば、第2のブレードのカーフチェックを実施するに際し、未切削のストリートを切削してカーフチェックを実施するので、第1のブレードで切削した溝と第2のブレードで切削した溝とが重なることがなく、正確なカーフチェックを行うことができるという利点がある。 According to the kerf check method of Patent Document 1, when performing the kerf check of the second blade, the uncut street is cut and the kerf check is performed. Therefore, the groove cut by the first blade and the second blade There is an advantage that an accurate kerf check can be performed without overlapping the groove cut by the blade.
ところで最近では、シリコンカーバイトを主材料とする透明・半透明のウェーハが生産されており、このような透明・半透明のウェーハにおいても、同様のカーフチェックが実施されている。 Recently, transparent and semi-transparent wafers mainly made of silicon carbide have been produced, and similar kerf checks have been performed on such transparent and semi-transparent wafers.
ウェーハのカーフチェックにおいて、不透明のウェーハでは、カメラで撮像されて画像処理された溝全体が、例えば黒色で鮮明に表示されるため、溝形状の視認性がよくカーフチェックを正確に行うことができる。 In the wafer kerf check, in the case of an opaque wafer, the entire groove imaged and processed by the camera is displayed clearly, for example, in black, so that the groove shape is highly visible and the kerf check can be performed accurately. .
しかしながら、前述した透明・半透明のウェーハにおいては、溝の黒色が不鮮明であり、溝と思われる部分であっても、溝以外の箇所(チップ、切削前のストリート)の色(白色)と略同色に表示されるため、カーフチェックを正確に行うことが難しいという問題があった。この問題は、透明・半透明のウェーハに入射した照明光が、ウェーハの内部で反射することにより発生するものと考えられる。 However, in the above-mentioned transparent / semi-transparent wafer, the black color of the groove is unclear, and even the part that seems to be a groove is almost the same as the color (white) of the part other than the groove (chip, street before cutting). Since they are displayed in the same color, there is a problem that it is difficult to accurately perform the kerf check. This problem is considered to occur when illumination light incident on a transparent / translucent wafer is reflected inside the wafer.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、透明・半透明なウェーハの内部で発生する照明光の内部反射を利用して、カーフチェック等の多種の検査を実施することができるダイシング装置による検査方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and various inspections such as a kerf check can be performed using internal reflection of illumination light generated inside a transparent / translucent wafer. It aims at providing the inspection method by a dicing apparatus.
本発明のダイシング装置による検査方法は、前記目的を達成するために、透明・半透明のウェーハに所定の間隔をもって備えられた複数本のストリートを、ブレードによって切削することにより、切断用の溝を前記ウェーハに加工するダイシング装置による検査方法において、前記ブレードによって加工された前記溝の上面から照明光を該溝に照射、又前記溝の側面上方から斜めに照明光を該溝に照射し、前記溝に隣接した隣接溝、又は前記ウェーハの表面からウェーハの内部に入射した照明光が、ウェーハの内部で反射して前記隣接溝及び前記溝から外部に放射された光をカメラで撮像し、前記カメラで撮像された画像に基づいて前記ウェーハを検査することを特徴としている。 In order to achieve the above object, the inspection method using the dicing apparatus of the present invention cuts a plurality of streets provided on a transparent / semi-transparent wafer at a predetermined interval with a blade, thereby forming a cutting groove. In the inspection method using the dicing apparatus that processes the wafer, the groove is irradiated with illumination light from the upper surface of the groove processed by the blade, and the groove is irradiated with illumination light obliquely from above the side surface of the groove, Illumination light incident on the inside of the wafer from the adjacent groove adjacent to the groove or from the surface of the wafer is reflected inside the wafer and the light emitted to the outside from the adjacent groove and the groove is imaged with a camera, The wafer is inspected based on an image picked up by a camera.
本発明は、検査対象部位であるカーフチェック用の溝以外からウェーハに入射した照明光が、カーフチェック用の溝からカメラ側に戻ってくる特性を利用した検査方法の発明である。本発明によれば、従来実施することができなかったウェーハ内部のパターン構造の欠陥、内部欠陥(亀裂・空孔などの界面)の認識、加工状態(ブレード先端状態、ブレート中心位置:カーフチェック)の認識、及び位置決めを、内部反射光で映し出されている溝及び隣接溝の画像に基づいて検査することができる。よって、本発明は、透明・半透明なウェーハの内部で発生する照明光の内部反射を利用して、多種の検査を実施することができる。 The present invention is an invention of an inspection method using a characteristic that illumination light incident on a wafer from other than a kerf check groove, which is an inspection target part, returns from the kerf check groove to the camera side. According to the present invention, defects in the pattern structure inside the wafer, recognition of internal defects (interfaces such as cracks and vacancies), and processing state (blade tip state, blate center position: kerf check) that could not be carried out conventionally Recognition and positioning can be inspected based on images of grooves and adjacent grooves projected by internally reflected light. Therefore, according to the present invention, various inspections can be performed by utilizing the internal reflection of the illumination light generated inside the transparent / translucent wafer.
ところで、発明者は、透明・半透明のウェーハに対するカーフチェック改善策を鋭意検討した結果、次の知見を得た。すなわち、透明・半透明のウェーハにカーフチェック用の照明光を照射すると、その照明光はカーフチェック用の溝の他、その溝に隣接した直近の溝(以下、隣接溝という)にも照射される。そして、隣接溝に照射された照明光の一部は、ウェーハが透明・半透明であるがゆえに、隣接溝からウェーハの内部に入射する。そして、ウェーハの内部で内面反射して、その反射光の一部がカーフチェック用の溝から外方に出射する。その出射した光と、カーフチェック用の溝から反射した光とが干渉し、この干渉光をカメラが撮像する。この結果、画像処理後の画像には、カーフチェック用の溝が鮮明な黒色として表示されず、白色を含んだ色に表示される。つまり、隣接溝からウェーハの内部に入射して内部反射し、内部反射した光のうちカーフチェック用の溝から外方に出射する光が、カーフチェック不良を引き起こす原因であることを実験によって突き止めた。実際に、溝であっても略白色に表示される部分は、隣接溝に近い部分であり、隣接溝に沿って表示された。また、溝のうち隣接溝から離れた部分は黒色に表示された。 By the way, the inventor earnestly obtained the following knowledge as a result of earnestly examining a kerf check improvement measure for transparent and translucent wafers. That is, when illumination light for kerf check is irradiated onto a transparent / semi-transparent wafer, the illumination light is also irradiated to the groove adjacent to the groove (hereinafter referred to as the adjacent groove) in addition to the groove for kerf check. The A part of the illumination light irradiated to the adjacent groove enters the wafer from the adjacent groove because the wafer is transparent / translucent. Then, internal reflection is performed inside the wafer, and part of the reflected light is emitted outward from the kerf check groove. The emitted light and the light reflected from the groove for kerf check interfere with each other, and the camera captures the interference light. As a result, in the image after image processing, the kerf check groove is not displayed as clear black, but is displayed in a color including white. In other words, it was experimentally determined that the light incident on the inside of the wafer from the adjacent groove and internally reflected, and the light emitted outward from the kerf check groove out of the internally reflected light was the cause of the kerf check failure. . Actually, even if it is a groove | channel, the part displayed substantially white is a part near an adjacent groove | channel, and was displayed along the adjacent groove | channel. Moreover, the part away from the adjacent groove | channel among the grooves was displayed black.
本発明は、前記溝の領域以外から前記ウェーハに入射する前記照明光を遮蔽した場合の画像と、遮蔽しない場合の画像との差分をとることにより、前記溝を抽出してカーフチェックを行うことが好ましい。 The present invention performs kerf check by extracting the groove by taking a difference between an image when the illumination light incident on the wafer is shielded from a region other than the groove region and an image when the illumination light is not shielded. Is preferred.
これにより、本発明によれば、透明・半透明なウェーハであってもカーフチェック用の前記溝を抽出することができるので、カーフチェックを正確に実施することができる。 Thereby, according to the present invention, since the groove for kerf check can be extracted even for a transparent / semi-transparent wafer, kerf check can be performed accurately.
本発明は、前記画像の輝度を、内部欠陥無しの画像の輝度と比較することにより前記ウェーハの内部欠陥を検出することが好ましい。 In the present invention, it is preferable to detect the internal defect of the wafer by comparing the luminance of the image with the luminance of the image having no internal defect.
ウェーハに内部欠陥(亀裂・空孔などの界面)がある場合、カーフチェック用の溝以外の入射光は、ウェーハの内部で反射してもカーフチェック用の溝からカメラ側に戻らない。すなわち、内部欠陥の発生している溝の周辺では、溝の内部が黒く変色するため、内部欠陥無しの画像と比較して輝度が小さい。本発明では、この輝度の変化(変色)を検出することにより、ウェーハの内部欠陥を検査できる。 When the wafer has internal defects (interfaces such as cracks and vacancies), incident light other than the kerf check groove does not return to the camera side from the kerf check groove even if it is reflected inside the wafer. That is, in the vicinity of the groove where the internal defect is generated, the inside of the groove is changed to black, so that the brightness is lower than that of the image without the internal defect. In the present invention, the internal defect of the wafer can be inspected by detecting this change in brightness (discoloration).
従来の検査技術では、被検査部位の外観を画像処理で認識するだけであったが、本発明では、内部反射光を利用することにより、ウェーハ内部の状態を検査することができる。 In the conventional inspection technique, only the appearance of the part to be inspected is recognized by image processing, but in the present invention, the internal state of the wafer can be inspected by using the internally reflected light.
本発明は、前記ウェーハの内部反射により前記溝の壁面に映し出される前記ウェーハの内部パターン画像に基づいてウェーハのチップを検査することが好ましい。 In the present invention, it is preferable to inspect chips of the wafer based on an internal pattern image of the wafer projected on the wall surface of the groove by internal reflection of the wafer.
これにより、本発明はウェーハのダイシング加工中にチップの健全性を検査することができる。 Thereby, this invention can test | inspect the soundness of a chip | tip during the dicing process of a wafer.
従来の検査技術では、被検査部位の外観を画像処理で認識するだけであったが、本発明では、内部反射光を利用することにより、チップの状態を検査することができる。 In the conventional inspection technique, only the appearance of the part to be inspected is recognized by image processing, but in the present invention, the state of the chip can be inspected by using the internally reflected light.
本発明は、前記ウェーハの内部反射により前記溝の壁面に映し出される前記ブレードの研削痕画像に基づいてブレードの刃先状態を検査することが好ましい。 In the present invention, it is preferable to inspect the blade edge state of the blade based on a grinding mark image of the blade reflected on the wall surface of the groove by internal reflection of the wafer.
本発明は、内部反射によって溝壁面に映し出されるブレードの研削痕の画像、すなわち、内部反射により改善されるコントラスト差がはっきりとした画像を利用してフレードの刃先状態を評価する。よって、本発明は、ウェーハのダイシング加工中にブレードの健全性を検査することができる。 The present invention evaluates the blade edge state of the flade using an image of a blade grinding mark projected on the groove wall surface by internal reflection, that is, an image with a clear contrast difference improved by internal reflection. Therefore, this invention can test | inspect the soundness of a blade during the dicing process of a wafer.
本発明は、前記溝の画像の輝度の変化に基づいて溝の切削終端位置を測定することが好ましい。 In the present invention, it is preferable to measure the cutting end position of the groove based on a change in luminance of the image of the groove.
本発明は、溝の変色を利用した切削制御に関する発明であり、溝(隣接溝)の輝度状態を認識することで、切削終端位置の測定が可能となる。 The present invention relates to cutting control using the discoloration of the groove, and the cutting end position can be measured by recognizing the luminance state of the groove (adjacent groove).
本発明のダイシング装置による検査方法によれば、透明・半透明なウェーハの内部で発生する照明光の内部反射を利用したので、多種の検査を実施することができる。 According to the inspection method using the dicing apparatus of the present invention, since the internal reflection of the illumination light generated inside the transparent / semi-transparent wafer is used, various inspections can be performed.
以下、添付図面に従って本発明に係るダイシング装置による検査方法の好ましい実施の形態について詳説する。 Hereinafter, preferred embodiments of an inspection method using a dicing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1は、本発明が適用されるツインスピンドルダイサ10の主要構成を示した平面図であり、図2は、図1に示したツインスピンドルダイサ10の側面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a main configuration of a
これらの図に示すツインスピンドルダイサ10は、ウェーハWを保持するウェーハテーブル12と、ウェーハテーブル12に保持されたウェーハWを切削する一対の切削ユニット14A、14Bと、ウェーハWを撮像する一対の撮像ユニット16A、16Bと、ツインスピンドルダイサ10を構成する駆動系、及び制御系を統括制御する制御装置18とから構成される。
The
ウェーハテーブル12は、図1の如く円盤状に構成されており、ウェーハWの裏面を真空吸着して保持する。ウェーハテーブル12は、図示しない送り機構に駆動されることによって、図1中X軸方向に沿って往復移動される。また、ウェーハテーブル12は、図示しない回転駆動機構に駆動されることによって、中心軸(θ軸)回りに回転される。 The wafer table 12 has a disk shape as shown in FIG. 1 and holds the back surface of the wafer W by vacuum suction. The wafer table 12 is reciprocated along the X-axis direction in FIG. 1 by being driven by a feed mechanism (not shown). Further, the wafer table 12 is rotated around a central axis (θ axis) by being driven by a rotation driving mechanism (not shown).
なお、ウェーハWは、ウェーハフレーム(不図示)にマウントされた状態でウェーハテーブル12に保持される。すなわち、ウェーハWは、ウェーハフレームに貼られたウェーハシートに貼り付けられた状態でウェーハテーブル12に保持される。 The wafer W is held on the wafer table 12 while being mounted on a wafer frame (not shown). That is, the wafer W is held on the wafer table 12 in a state of being attached to a wafer sheet attached to the wafer frame.
切削ユニット14A、14Bは、それぞれウェーハWを切削するブレード20A、20Bを備えている。各ブレード20A、20Bは、それぞれモータ22A、22Bのスピンドル22a、22bに連結されている。この切削ユニット14A、14Bは、スピンドル移動機構に駆動されることによって、図1中Y軸方向及び図2中Z軸方向に個別に移動される。
The
前記スピンドル移動機構は、図2に示すように一対のYキャリッジ24A、24Bを備えている。一対のYキャリッジ24A、24Bは、ともにY軸方向に沿って配設されたガイドレール26、26にスライド自在に支持されている。そして、図示しないスライド駆動手段(たとえばリニアモータなど)に駆動されることによって、図1、2中Y軸方向に沿って個別にスライドされる。
As shown in FIG. 2, the spindle moving mechanism includes a pair of
Yキャリッジ24A、24Bには、それぞれ図示しないリニアガイドと駆動手段とからなるZ軸方向移動機構28A、28Bが設置されている。Z軸方向移動機構28A、28Bは、Zキャリッジ30A、30Bを図2中Z軸方向に沿って駆動する。Zキャリッジ30A、30Bの先端部には、モータブラケット32A、32Bが取り付けられ、モータブラケット32A、32Bにモータ22A、22Bが取り付けられている。
On the
また、前記スピンドル移動機構は、以上のように構成され、このスピンドル移動機構に駆動されることによって、切削ユニット14A、14Bは、Y軸方向及びZ軸方向にそれぞれ移動される。すなわち、切削ユニット14A、14Bは、Yキャリッジ24A、24Bをガイドレール26、26に沿ってスライドさせることによりY軸方向に沿って移動され、Z軸方向移動機構28A、28BのZキャリッジ30A、30Bの移動によってZ軸方向に沿って移動(上下動)される。
The spindle moving mechanism is configured as described above, and the cutting
このように移動する切削ユニット14A、14Bは、Y軸方向に沿って移動することによって切削ピッチが可変され、Z軸方向に沿って移動することにより切削切込み量が可変される。
The cutting
撮像ユニット16A、16Bは、ITVカメラ34A、34Bを備えている。ITVカメラ34A、34Bは、図1に示すように、カメラホルダ36A、36Bに保持され、カメラホルダ36A、36Bはモータブラケット32A、32Bに固定されている。ITVカメラ34A、34Bは、ウェーハテーブル12に保持されたウェーハWの上面を撮像し、その画像データを画像処理装置(画像処理手段)38に出力する。
The
画像処理装置38は、得られた画像データを画像処理してブレード20A、20Bで切削された溝のカーフチェック、ウェーハW内部の欠陥(亀裂・空孔などの界面)検査、ウェーハW内部のパターン構造の欠陥検査、溝の加工状態(ブレード先端状態、ブレート中心位置)の検査を実施する。この検査内容については後述する。
The
なお、画像処理装置38によるカーフチェックにおいては、ブレード20A、20Bで切削された溝の位置、幅、チッピングの有無等が計測される。また、画像処理装置38からモニタ40に画像信号を出力することにより、モニタ40の画面にウェーハWが表示される。
In the kerf check by the
図3は、ITVカメラ34A、34Bの構成を示した概略構造図である。
FIG. 3 is a schematic structural diagram showing the configuration of the
ITVカメラ34A、34Bは、鉛直方向に2枚のハーフミラー42、44を備えている。また、ハーフミラー42、44の鉛直方向の上方にはライト46が配置され、ライト46からの照明光がハーフミラー42、44を介してウェーハWに照射される。照明光の照明角度は、溝の上面(真上)からでもよく、又は溝の側面上方から斜めの角度であってもよい。
The
ハーフミラー42の側方には、低倍率の光学系(L)を備えた撮像素子48が配置され、ハーフミラー44の側方には、高倍率の光学系(H)を備えた撮像素子50が配置されている。すなわち、ITVカメラ34A、34Bによれば、ライト46からの照明光を、ハーフミラー42、44を介してウェーハWに照射し、ウェーハWからの反射光を、ハーフミラー44、42を介して低倍率の撮像素子48によって撮像する。同様に、ウェーハWからの反射光を、ハーフミラー44を介して高倍率の撮像素子50によって撮像する。なお、図3の符号52は、ブレード20A(20B)によって切削されたカーフチェック用の溝である。この溝52は、V字状カットであるが、溝の角度及び形状はこれに限定されるものではない。
An
図1、図2に示した制御装置18は、ウェーハテーブル12と切削ユニット14A、14Bの駆動系を制御する。この制御装置18は、あらかじめ設定された切削パターンに従ってウェーハテーブル12と切削ユニット14A、14Bとを制御し、ウェーハテーブル12に保持されたウェーハWをストリートに沿って切削し図3の溝52をウェーハWに加工する。また、あらかじめデータ上で設定されたタイミング、又はオペレータからの指示に応じてカーフチェック等の前述した検査を実施する。すなわち、制御装置18は、ITVカメラ34A、34B及び画像処理装置38をカーフチェック等の検査時に制御する。
The
次に、前記の如く構成されたツインスピンドルダイサ10による検査方法について説明する。実施の形態の検査方法は、ウェーハWとして透明・半透明のウェーハを対象としている。
Next, an inspection method using the
まず、ダイシング装置によるカーフチェック方法について説明する。 First, a kerf check method using a dicing apparatus will be described.
この検査方法は、図4に示すようにカーフチェック用の溝52の領域以外からウェーハWに入射する照明光を、シャッタ54によって遮蔽した場合の画像と、図5の如くシャッタ54で遮蔽しない場合の画像との差分をとることにより、溝52を抽出してカーフチェックを行う方法である。
In this inspection method, as shown in FIG. 4, the illumination light incident on the wafer W from other than the region of the
図6(A)に示す画像は、前記二つの画像の差分をとった画像である。シャッタ54によって遮蔽しない場合の画像は、図6(B)の画像のように、隣接溝52Aから入射して内部反射した光が、カーフチェック用の溝52からカメラ34A(34B)側に戻るため、隣接溝52A側の色が白色となり、その反対側の色が黒色となっている。また、シャッタ54によって遮蔽した場合の画像は、図6(C)の画像のように、内部反射が起こらないためカーフチェック用の溝52が黒色となっている。制御装置18は、これらの二つの画像の差分をとり、これを図6(D)に示す画像の如く正規化し、この画像を二値化処理して図6(E)で示す画像を得る。この画像は、中央に白色の筋が入った黒色となるので、制御装置18は、この画像の白色ラインをカーフチェック用の溝52として抽出する。
The image shown in FIG. 6A is an image obtained by taking the difference between the two images. In the case where the image is not shielded by the
したがって、このカーフチェック検査方法によれば、ウェーハWの内部反射光を利用して透明・半透明なウェーハWのカーフチェックを正確に実施することができる。 Therefore, according to this kerf check inspection method, the kerf check of the transparent / semi-transparent wafer W can be accurately performed using the internally reflected light of the wafer W.
次に、ダイシング装置によるウェーハWの内部欠陥検査方法について説明する。 Next, an internal defect inspection method for the wafer W using a dicing apparatus will be described.
この検査方法は、溝の画像の輝度を、内部欠陥無しの画像の輝度と比較することによってウェーハの内部欠陥(亀裂・空孔などの界面)を検出する方法である。 This inspection method is a method for detecting internal defects (interfaces such as cracks and vacancies) of a wafer by comparing the brightness of an image of a groove with the brightness of an image having no internal defects.
図7に示すウェーハWの断面図の如く、ウェーハWに内部欠陥56がある場合、カーフチェック用の溝52以外からウェーハWに入射した光は、ウェーハWの内部で反射しても、内部欠陥56によって遮断されるので、カーフチェック用の溝52からカメラ側に戻らない。すなわち、内部欠陥56の発生している溝52の周辺では、図8(A)、(B)、(C)で示す画像の如く溝52の内部が黒く変色するため、内部欠陥無しの画像と比較して輝度が小さい。この検査方法では、この輝度の変化(変色)を検出したので、ウェーハWの内部欠陥56を検査することができる。
As shown in the cross-sectional view of the wafer W in FIG. 7, when the wafer W has an
したがって、この内部欠陥検査方法によれば、ウェーハWの内部反射光を利用してウェーハWの内部状態を検査することができる。 Therefore, according to this internal defect inspection method, the internal state of the wafer W can be inspected using the internally reflected light of the wafer W.
次に、ダイシング装置によるウェーハWのチップ検査方法について説明する。 Next, a chip inspection method for the wafer W by the dicing apparatus will be described.
この検査方法は、図9の如くウェーハWの内部反射により溝52の壁面53に映し出される、図10(A)、(B)、(C)に示したウェーハWの内部パターン画像55に基づいてウェーハWのチップTを検査する方法である。これにより、ウェーハWのダイシング加工中にチップTの健全性を検査することができる。
This inspection method is based on the
したがって、このチップ検査方法によれば、ウェーハWの内部反射光を利用してチップTの状態を検査することができる。 Therefore, according to this chip inspection method, the state of the chip T can be inspected using the internally reflected light of the wafer W.
次に、ダイシング装置によるブレード20A(20B)の刃先状態を検査する方法について説明する。
Next, a method for inspecting the blade edge state of the
この検査方法は、ウェーハWの内部反射により溝52の壁面に映し出されるブレード20A(20B)の研削痕画像に基づいてブレード20A(20B)の刃先状態を検査する方法である。
This inspection method is a method for inspecting the blade tip state of the
すなわち、図11(A)に示すように、ウェーハWの内部反射によって溝52の壁面に映し出されるブレード20A(20B)の研削痕の画像、つまり、図11(B)の抽出画像に示すように、内部反射により改善されるコントラストの差がはっきりとした画像を利用してフレード20A(20B)の刃先状態を評価する。
That is, as shown in FIG. 11A, as shown in the image of the grinding mark of the
したがって、この検査方法によれば、ウェーハWの内部反射光を利用してブレード20A(20B)の健全性を検査することができる。
Therefore, according to this inspection method, the soundness of the
次に、ダイシング装置による溝の切削終端位置を検査する方法について説明する。 Next, a method for inspecting the cutting end position of the groove by the dicing apparatus will be described.
この検査方法は、溝の画像の輝度の変化に基づいて溝の切削終端位置を測定し、検査する方法である。 This inspection method is a method in which the cutting end position of the groove is measured and inspected based on the change in luminance of the groove image.
図12に示す画像の如く、カーフチェック用の溝52は、隣接溝52Bから入射した光の内部反射によって隣接溝52B側の溝壁が白くなっている。また、隣接溝52A、52Bは、ウェーハWのエッジEに近づくに従い、エッジE側の溝壁が黒くなっている。この現象原因は、照明光がエッジEからウェーハWに入射しないことにある。換言すれば、隣接溝52Aにおいては、隣接溝52Bの切削終端部を超えた位置から黒くなる。隣接溝52Bにおいても同様である。すなわち、隣接溝52Aの黒色発生位置を検出することにより、隣接溝52Bの切削終端位置を測定し、検査することができる。
As shown in the image of FIG. 12, the groove wall for the kerf check has a white groove wall on the
この検査方法は、溝の変色を利用した切削制御に関する発明であり、溝(隣接溝)の輝度状態を認識することで、切削終端位置の測定が可能となる。 This inspection method is an invention related to cutting control using the discoloration of the groove, and the cutting end position can be measured by recognizing the luminance state of the groove (adjacent groove).
10…ツインスピンドルダイサ、12…ウェーハテーブル、14A、14B…切削ユニット、16A、16B…撮像ユニット、18…制御装置、20A、20B…ブレード、22A、22B…モータ、22a、22b…スピンドル、24A、24B…Yキャリッジ、26…ガイドレール、28A、28B…Z軸方向移動機構、30A、30B…Zキャリッジ、32A、32B…モータブラケット、34A、34B…ITVカメラ、36A、36B…カメラホルダ、38…画像処理装置、40…モニタ、42、44…ハーフミラー、46…ライト、48、50…撮像素子、52…カーフチェック用の溝、52A…隣接溝、54…シャッタ、56…内部欠陥
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記ブレードによって加工された前記溝の上面から照明光を該溝に照射、又前記溝の側面上方から斜めに照明光を該溝に照射し、
前記溝に隣接した隣接溝、又は前記ウェーハの表面からウェーハの内部に入射した照明光が、ウェーハの内部で反射して前記隣接溝及び前記溝から外部に放射された光をカメラで撮像し、
前記カメラで撮像された画像に基づいて前記ウェーハを検査することを特徴とするダイシング装置による検査方法。 In an inspection method by a dicing apparatus that cuts a plurality of streets provided on a transparent / translucent wafer at a predetermined interval with a blade to process a cutting groove into the wafer,
Irradiate the illumination light from the upper surface of the groove processed by the blade, and irradiate the illumination light obliquely from above the side surface of the groove,
Illumination light incident on the inside of the wafer from the adjacent groove adjacent to the groove or from the surface of the wafer is reflected inside the wafer, and the light emitted outside from the adjacent groove and the groove is imaged with a camera.
An inspection method using a dicing apparatus, wherein the wafer is inspected based on an image captured by the camera.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102814872A (en) * | 2011-06-07 | 2012-12-12 | 株式会社迪思科 | Processing device |
KR20170098181A (en) * | 2016-02-19 | 2017-08-29 | 에이에스엠 테크놀러지 싱가포르 피티이 엘티디 | Apparatus and method for cutting a wafer that is substantially covered by an opaque material |
JP2023079156A (en) * | 2021-11-26 | 2023-06-07 | 青島理工大学 | Multi-energy-field nano lubricant micro-scale bone grinding machining measuring system |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5538002A (en) * | 1978-09-08 | 1980-03-17 | Hitachi Ltd | Dicing line monitoring device |
JPH0936093A (en) * | 1995-07-20 | 1997-02-07 | Fujitsu Ltd | Etching point detection of semiconductor wafer and detection device |
JP2000252240A (en) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutter |
JP2004241626A (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Kulicke & Soffa Ltd | Dicing apparatus and dicing method |
-
2010
- 2010-04-13 JP JP2010092061A patent/JP5505790B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5538002A (en) * | 1978-09-08 | 1980-03-17 | Hitachi Ltd | Dicing line monitoring device |
JPH0936093A (en) * | 1995-07-20 | 1997-02-07 | Fujitsu Ltd | Etching point detection of semiconductor wafer and detection device |
JP2000252240A (en) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutter |
JP2004241626A (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Kulicke & Soffa Ltd | Dicing apparatus and dicing method |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102814872A (en) * | 2011-06-07 | 2012-12-12 | 株式会社迪思科 | Processing device |
JP2012250338A (en) * | 2011-06-07 | 2012-12-20 | Disco Corp | Machining device |
CN102814872B (en) * | 2011-06-07 | 2015-11-11 | 株式会社迪思科 | Processing unit (plant) |
KR20170098181A (en) * | 2016-02-19 | 2017-08-29 | 에이에스엠 테크놀러지 싱가포르 피티이 엘티디 | Apparatus and method for cutting a wafer that is substantially covered by an opaque material |
KR101963110B1 (en) | 2016-02-19 | 2019-03-29 | 에이에스엠 테크놀러지 싱가포르 피티이 엘티디 | Apparatus and method for cutting a wafer that is substantially covered by an opaque material |
JP2023079156A (en) * | 2021-11-26 | 2023-06-07 | 青島理工大学 | Multi-energy-field nano lubricant micro-scale bone grinding machining measuring system |
JP7349185B2 (en) | 2021-11-26 | 2023-09-22 | 青島理工大学 | Multi-energy field nano-lubricant microscale bone grinding measurement system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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