JP2011205110A

JP2011205110A - Device and method for treating substrate

Info

Publication number: JP2011205110A
Application number: JP2011104385A
Authority: JP
Inventors: Tadao Okamoto; 伊雄岡本; Tetsuya Tanaka; 哲哉田中
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2011-05-09
Filing date: 2011-05-09
Publication date: 2011-10-13
Anticipated expiration: 2021-05-30
Also published as: JP5199419B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device and method for treating a substrate capable of removing unwanted matter on the substrate well.SOLUTION: A nearly-conical shield plate 12 is arranged above a vacuum chuck 11. On the undersurface 121 of the shield plate 12, openings 122a, 122b, 122c for discharging an etchant, pure water and nitrogen gas, respectively, are formed. The etchant, the pure water and the nitrogen gas are discharged in directions inclined to come close to a wafer W as heading toward the outside of the radius of rotation of the wafer W, and are supplied to an etchant supply position Pe, a pure water supply position Pd and a nitrogen gas supply position Pn on a surface of the wafer W, respectively.

Description

この発明は、基板から不要物を除去するための装置および方法に関する。各種基板には
、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル
用ガラス基板などが含まれる。 The present invention relates to an apparatus and method for removing unwanted materials from a substrate. The various substrates include a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a PDP (glass substrate for a plasma display panel), and the like.

半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の
表面、裏面および端面の全域に銅薄膜などの金属薄膜を形成した後、この金属薄膜の不要
部分をエッチング除去する処理が行われる場合がある。たとえば、配線形成のための銅薄
膜はウエハの表面のデバイス形成領域に形成されていればよく、ウエハの表面の周縁部（
たとえば、ウエハの周縁から幅３mm程度の部分）、裏面および端面に形成された銅薄膜は
不要となるから、この不要な銅薄膜を除去する処理が行われる。 In the manufacturing process of a semiconductor device, after forming a metal thin film such as a copper thin film on the entire surface of the front surface, back surface and end surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”), unnecessary portions of the metal thin film are removed by etching. Processing may be performed. For example, the copper thin film for forming the wiring may be formed in the device formation region on the surface of the wafer, and the peripheral portion (
For example, since the copper thin film formed on the back surface and the end surface is unnecessary, a process of removing the unnecessary copper thin film is performed.

また、ウエハの表面に金属薄膜が選択的に形成された場合であっても、ウエハの表面の
金属薄膜を形成した領域以外の領域やウエハの端面および裏面に付着した金属イオンを除
去する処理が行われる場合がある。
たとえば、ウエハの表面の周縁部に形成されている金属薄膜または金属イオンを除去す
る装置は、ウエハをほぼ水平に保持した状態で回転するスピンチャックと、このスピンチ
ャックに保持されているウエハの表面の周縁部に向けてエッチング液を吐出するエッジリ
ンスノズルと、スピンチャックに保持されたウエハの表面のほぼ中心に純水を供給するた
めの純水ノズルとを備えている。 In addition, even when a metal thin film is selectively formed on the surface of the wafer, there is a process for removing metal ions adhering to the region other than the region on the wafer surface where the metal thin film is formed, and to the end surface and back surface of the wafer. It may be done.
For example, an apparatus for removing a metal thin film or metal ions formed on the peripheral edge of a wafer surface includes a spin chuck that rotates while the wafer is held almost horizontally, and a wafer surface held by the spin chuck. An edge rinse nozzle that discharges an etching solution toward the peripheral edge of the wafer, and a pure water nozzle that supplies pure water to substantially the center of the surface of the wafer held by the spin chuck.

金属薄膜を除去する際には、スピンチャックによってウエハが回転され、その回転して
いるウエハの表面の周縁部に向けてエッジリンスノズルからエッチング液が吐出される。
エッジリンスノズルからエッチング液が吐出されている間、純水ノズルからウエハの表面
の中心に向けて純水が供給される。
これにより、ウエハの表面の中央部の領域（デバイス形成領域）は純水に覆われた状態
となり、エッジリンスノズルからウエハの表面に供給されたエッチング液は、ウエハの表
面の中央部から周縁に向けて流れる純水により押し流される。したがって、ウエハの表面
中央部のデバイス形成領域に向けてエッチング液のミストが飛散しても、そのエッチング
液のミストは、デバイス形成領域上に形成された金属薄膜に直に付着するおそれがない。
ゆえに、デバイス形成領域の金属薄膜がエッチング液による腐食を受けるおそれがない。 When removing the metal thin film, the wafer is rotated by the spin chuck, and an etching solution is discharged from the edge rinse nozzle toward the peripheral portion of the surface of the rotating wafer.
While the etching solution is being discharged from the edge rinse nozzle, pure water is supplied from the pure water nozzle toward the center of the wafer surface.
As a result, the central area (device formation area) of the wafer surface is covered with pure water, and the etching solution supplied from the edge rinse nozzle to the wafer surface moves from the central area of the wafer surface to the periphery. It is swept away by pure water flowing toward it. Therefore, even if the mist of the etching solution scatters toward the device formation region at the center of the surface of the wafer, the mist of the etching solution is not likely to be directly attached to the metal thin film formed on the device formation region.
Therefore, there is no possibility that the metal thin film in the device forming region is corroded by the etching solution.

ところが、最近になって、デバイス形成領域を覆っている純水が、デバイス形成領域に
作り込まれているデバイスにダメージを与えるおそれがあることが判ってきた。
そこで、この発明の目的は、基板上の不要物を良好に除去することができる基板処理装
置および基板処理方法を提供することである。 However, recently, it has been found that pure water covering the device formation region may cause damage to the device built in the device formation region.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can satisfactorily remove unnecessary materials on a substrate.

前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、複数の吐出手段（１２２）を備え
、前記吐出手段を基板（Ｗ）の周縁部に沿って相対的に移動させつつ、基板上の不要物を
除去する基板処理装置であって、前記複数の吐出手段は、基板の中心から周縁に向けて延
びる直線上に並べて配置されており、前記複数の吐出手段のうち、相対的に外側に配置さ
れた吐出手段（１２２ａ）は、基板に対して不要物を除去するための薬液を吐出し、相対
的に内側に配置された吐出手段（１２２ｂ）は、基板に対してリンス液を吐出する、基板
処理装置である。 The invention according to claim 1 for achieving the above object includes a plurality of ejection means (122), and the ejection means is moved on the substrate (W) while being relatively moved along the peripheral edge of the substrate (W). In the substrate processing apparatus for removing unnecessary substances, the plurality of ejection units are arranged side by side on a straight line extending from the center of the substrate toward the peripheral edge, and are relatively outside of the plurality of ejection units. The arranged discharge means (122a) discharges chemicals for removing unnecessary substances from the substrate, and the discharge means (122b) arranged relatively inside discharges rinse liquid to the substrate. The substrate processing apparatus.

また、請求項２に記載の発明は、複数の吐出手段（１２２）を備え、前記吐出手段を基
板（Ｗ）の周縁部に沿って相対的に移動させつつ、基板上の不要物を除去する基板処理装
置であって、前記複数の吐出手段は、基板の周辺から内側に向かう方向に沿って並べて配
置されており、前記複数の吐出手段のうち、相対的に外側に配置された吐出手段（１２２
ａ）は、基板に対して不要物を除去するための薬液を吐出し、相対的に内側に配置された
吐出手段（１２２ｂ）は、基板に対してリンス液を吐出する、基板処理装置である。 The invention described in claim 2 is provided with a plurality of discharge means (122), and removes unnecessary materials on the substrate while relatively moving the discharge means along the peripheral edge of the substrate (W). In the substrate processing apparatus, the plurality of ejection units are arranged side by side in a direction from the periphery of the substrate toward the inside, and among the plurality of ejection units, ejection units (relatively disposed outside) 122
a) is a substrate processing apparatus that discharges chemicals for removing unnecessary substances to the substrate, and the discharge means (122b) disposed relatively inside discharges the rinse liquid to the substrate. .

これらの構成によれば、薬液が基板の中央部に向けて流れることを防止しつつ、基板上
における薬液供給位置よりも外側の領域にむらなく薬液を供給することができ、基板上の
不要物を良好に除去することができる。
請求項３記載の発明は、基板の表面において、リンス液が供給される領域は、薬液が供
給される領域よりも広い、請求項１または２に記載の基板処理装置である。 According to these configurations, the chemical solution can be supplied uniformly to the region outside the chemical solution supply position on the substrate while preventing the chemical solution from flowing toward the central portion of the substrate, and an unnecessary object on the substrate. Can be removed satisfactorily.
A third aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, wherein the region to which the rinsing liquid is supplied is wider than the region to which the chemical liquid is supplied on the surface of the substrate.

請求項４記載の発明は、相対的に外側に配置された吐出手段から吐出される薬液は、相
対的に内側に配置された吐出手段から吐出されて基板の表面を流れるリンス液の領域内に
供給される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
これらの構成によれば、リンス液の流れにより、リンス液の供給位置よりも外側の位置
に供給された薬液が押し流されるので、薬液が基板の中央部に向けて流れることを一層防
止できる。 According to the fourth aspect of the present invention, the chemical liquid discharged from the discharge means disposed on the relatively outer side is discharged from the discharge means disposed on the relatively inner side in the region of the rinse liquid flowing on the surface of the substrate. It is a substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-3 supplied.
According to these configurations, since the chemical liquid supplied to the position outside the rinse liquid supply position is pushed away by the flow of the rinse liquid, it is possible to further prevent the chemical liquid from flowing toward the central portion of the substrate.

請求項５に記載のように、前記リンス液が純水であってもよい。
請求項６に記載の発明は、前記複数の吐出手段を、基板の中心から離れる方向に傾斜さ
せて指向させた、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板上に供給された薬液および純水が基板の中央部に向けて流れる
ことを良好に防止できる。 As described in claim 5, the rinse liquid may be pure water.
A sixth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects, wherein the plurality of ejection units are directed to be inclined in a direction away from the center of the substrate.
According to this configuration, it is possible to satisfactorily prevent the chemical solution and pure water supplied on the substrate from flowing toward the central portion of the substrate.

請求項７に記載の発明は、前記複数の吐出手段において、相対的に内側に配置された吐
出手段は、相対的に外側に配置された吐出手段よりも早いタイミングで流体を吐出するよ
うに制御される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、リンス液の流れにより、リンス液の供給位置よりも外側の位置に供
給された薬液が押し流されるので、薬液が基板の中央部に向けて流れることを一層防止で
きる。 According to a seventh aspect of the present invention, in the plurality of discharge means, the discharge means arranged relatively inside is controlled to discharge fluid at a timing earlier than the discharge means arranged relatively outside. It is a substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-6.
According to this configuration, since the chemical liquid supplied to the position outside the rinse liquid supply position is pushed away by the flow of the rinse liquid, it is possible to further prevent the chemical liquid from flowing toward the central portion of the substrate.

請求項８に記載のように、前記基板処理装置は、前記複数の吐出手段から基板に供給さ
れた流体の飛散を防止する遮断板（２３）を備え、前記複数の吐出手段が前記遮断板に設
けられていてもよい。
また、請求項９に記載のように、前記基板処理装置は、基板上面に近接した位置と基板
上面から離れた位置との間で相対的に移動する遮断板（２３）を備えていてもよい。 According to an eighth aspect of the present invention, the substrate processing apparatus includes a blocking plate (23) that prevents scattering of the fluid supplied to the substrate from the plurality of discharging units, and the plurality of discharging units are disposed on the blocking plate. It may be provided.
According to a ninth aspect of the present invention, the substrate processing apparatus may include a blocking plate (23) that moves relatively between a position close to the substrate upper surface and a position away from the substrate upper surface. .

請求項１０に記載の発明は、前記遮断板と基板との間に不活性ガスを吐出する、請求項
９に記載の基板処理装置である。
請求項１１に記載の発明は、基板の表面において、リンス液が供給される領域よりも内
側に不活性ガスを供給する吐出手段（１２２ｃ）を備えている、請求項１〜１０のいずれ
か一項に記載の基板処理装置である。 A tenth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the ninth aspect, wherein an inert gas is discharged between the blocking plate and the substrate.
Invention of Claim 11 is provided with the discharge means (122c) which supplies an inactive gas inside the area | region where the rinse liquid is supplied in the surface of a board | substrate, Any one of Claims 1-10 The substrate processing apparatus according to the item.

これらの構成によれば、薬液のミストが発生しても、そのミストを不活性ガスによって
基板の外方へと吹き飛ばすことができる。よって、基板の中央部が薬液のミストによる腐
食を受けるおそれがない。さらに、基板の中央部にリンス液が供給されないので、その中
央部がリンス液によるダメージを受けるおそれがない。
請求項１２に記載の発明は、基板の周辺から内側に向かう方向に並べて配置された複数
の吐出手段（１２２）を基板の周縁部に沿って相対的に移動させつつ、前記複数の吐出手
段（１２２ａ）から基板の周縁部にそれぞれ異なる流体を供給して、基板上の不要物を除
去するにあたり、相対的に内側に配置された吐出手段（１２２ｂ）から基板に供給された
リンス液の領域内に、相対的に外側に配置された吐出手段から不要物を除去するための薬
液を供給して、当該薬液を基板の中心から離れる方向に押し流す、基板処理方法である。 According to these configurations, even when a mist of a chemical solution is generated, the mist can be blown out of the substrate by the inert gas. Therefore, there is no possibility that the central portion of the substrate is corroded by chemical mist. Further, since the rinsing liquid is not supplied to the central portion of the substrate, the central portion is not likely to be damaged by the rinsing liquid.
According to the twelfth aspect of the present invention, the plurality of ejection units (122) arranged side by side in the direction from the periphery of the substrate toward the inside are relatively moved along the peripheral edge of the substrate. 122a) to supply different fluids to the peripheral edge of the substrate to remove unnecessary substances on the substrate, in the region of the rinse liquid supplied to the substrate from the discharge means (122b) disposed relatively inside And a substrate processing method in which a chemical solution for removing unnecessary substances is supplied from the discharge means disposed on the relatively outer side, and the chemical solution is forced away from the center of the substrate.

この方法によれば、請求項２に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができ
る。
請求項１３に記載のように、前記リンス液が純水であってもよい。
請求項１４に記載の発明は、前記複数の吐出手段において、相対的に内側に配置された
吐出手段は、相対的に外側に配置された吐出手段よりも早いタイミングで流体を吐出する
ように制御される、請求項１２または１３に記載の基板処理方法である。 According to this method, an effect similar to the effect described in relation to claim 2 can be achieved.
As described in claim 13, the rinse liquid may be pure water.
According to a fourteenth aspect of the present invention, in the plurality of discharge means, the discharge means arranged relatively inside is controlled to discharge fluid at a timing earlier than the discharge means arranged relatively outside. The substrate processing method according to claim 12 or 13, wherein the substrate processing method is performed.

この方法によれば、請求項７に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができ
る。
請求項１５に記載の発明は、基板の表面において、リンス液が供給される領域よりも内
側に不活性ガスを供給する、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の基板処理方法であ
る。 According to this method, an effect similar to the effect described in relation to claim 7 can be achieved.
The invention according to claim 15 is the substrate processing method according to any one of claims 12 to 14, wherein the inert gas is supplied to the inside of the surface of the substrate inside the region to which the rinse liquid is supplied. .

この方法によれば、請求項１１に関連して述べた効果と同様な効果を達成することがで
きる。 According to this method, an effect similar to the effect described in relation to claim 11 can be achieved.

この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。1 is a diagram schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図１に示す遮断板の下面の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the lower surface of the shielding board shown in FIG. 図１の基板処理装置における処理について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process in the substrate processing apparatus of FIG. この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the substrate processing apparatus which concerns on other embodiment of this invention. 図４の基板処理装置における処理について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process in the substrate processing apparatus of FIG.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態（第１の実施形態）に係る基板処理装置の構成を図解的
に示す図である。この基板処理装置は、ほぼ円形の基板であるウエハＷの表面および端面
に金属薄膜（たとえば、銅薄膜）が形成された後、そのウエハＷの表面の周縁部および端
面に形成されている不要な金属薄膜を除去するための装置である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus according to one embodiment (first embodiment) of the present invention. In this substrate processing apparatus, a metal thin film (for example, a copper thin film) is formed on the surface and end face of a wafer W, which is a substantially circular substrate, and then unnecessary on the peripheral edge and end face of the surface of the wafer W. An apparatus for removing a metal thin film.

この基板処理装置には、バキュームチャック１１が備えられている。バキュームチャッ
ク１１は、ほぼ鉛直に配置されたチャック軸１１１と、このチャック軸１１１の上端にほ
ぼ水平に固定された円板状の吸着ベース１１２とを含む。チャック軸１１１は、たとえば
、円筒状に形成されることによって吸気路１１３を内部に有しており、この吸気路１１３
の上端は、吸着ベース１１２の内部に形成された吸着路を介して、吸着ベース１１２の上
面に形成された吸着口に連通されている。また、チャック軸１１１には、モータなどを含
む回転駆動機構１１４から回転力が入力されるようになっている。 The substrate processing apparatus is provided with a vacuum chuck 11. The vacuum chuck 11 includes a chuck shaft 111 disposed substantially vertically and a disk-shaped suction base 112 fixed substantially horizontally to the upper end of the chuck shaft 111. For example, the chuck shaft 111 is formed in a cylindrical shape and has an intake passage 113 therein.
The upper end of is communicated with a suction port formed on the upper surface of the suction base 112 through a suction path formed in the suction base 112. The chuck shaft 111 receives a rotational force from a rotational drive mechanism 114 including a motor.

これにより、バキュームチャック１１は、吸着ベース１１２上にウエハＷが表面（デバ
イス形成面）を上方に向けて載置された状態で、吸気路１１３の内部を排気することによ
り、ウエハＷの裏面（非デバイス形成面）を真空吸着してほぼ水平に保持することができ
る。そして、この状態で、回転駆動機構１１４からチャック軸１１１に回転力を入力する
ことにより、吸着ベース１１２で吸着保持したウエハＷを、そのほぼ中心を通る鉛直軸線
（チャック軸１１１の中心軸線）Ｏまわりに回転させることができる。 Thus, the vacuum chuck 11 evacuates the inside of the intake passage 113 in a state where the wafer W is placed on the suction base 112 with the front surface (device forming surface) facing upward, whereby the back surface ( The non-device forming surface) can be vacuum-adsorbed and held almost horizontal. In this state, a rotational force is input from the rotational drive mechanism 114 to the chuck shaft 111, whereby the wafer W sucked and held by the suction base 112 is perpendicular to the center (the center axis of the chuck shaft 111) O. Can be rotated around.

バキュームチャック１１の上方には、ほぼ円錐形状の遮断板１２と、この遮断板１２の
傾斜面を洗浄するための純水を吐出する遮断板洗浄ノズル１３とが配置されている。
遮断板１２は、バキュームチャック１１に対向する下面１２１がウエハＷとほぼ同じ径
の円形平面になっており、この下面１２１がバキュームチャック１１に保持されたウエハ
Ｗの上面とほぼ平行をなして対向するように設けられている。また、遮断板１２は、昇降
可能に設けられており、バキュームチャック１１に対するウエハＷの搬入出時には上方に
大きく退避され、ウエハＷに対する処理時にはウエハＷに近接した位置まで下降される。 Above the vacuum chuck 11, a substantially conical blocking plate 12 and a blocking plate cleaning nozzle 13 for discharging pure water for cleaning the inclined surface of the blocking plate 12 are arranged.
The blocking plate 12 has a lower surface 121 facing the vacuum chuck 11 that is a circular plane having substantially the same diameter as the wafer W, and the lower surface 121 is opposed to the upper surface of the wafer W held by the vacuum chuck 11. It is provided to do. Further, the blocking plate 12 is provided so as to be able to move up and down, and is largely retracted upward when the wafer W is loaded into and unloaded from the vacuum chuck 11, and is lowered to a position close to the wafer W when processing the wafer W.

遮断板１２の下面１２１には、図２に示すように、その下面１２１の中心ＣＥを中心と
する３重の同心円周Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３とその中心ＣＥから半径方向に放射状に延びる複数
本の直線との各交点に、たとえば円形の小さな開口１２２が形成されている。同心円周Ｃ
１，Ｃ２，Ｃ３は、下面１２１の周縁部に設定されていて、下面１２１の中央部には、開
口１２２は形成されていない。 As shown in FIG. 2, the lower surface 121 of the shielding plate 12 has a triple concentric circumference C1, C2, C3 centered on the center CE of the lower surface 121 and a plurality of radially extending radially from the center CE. For example, a small circular opening 122 is formed at each intersection with the straight line. Concentric circumference C
1, C 2, and C 3 are set at the peripheral edge of the lower surface 121, and the opening 122 is not formed in the central portion of the lower surface 121.

遮断板１２の内部には、ウエハＷに供給すべきエッチング液、純水および窒素ガスがそ
れぞれ流通するエッチング液供給路１２３、純水供給路１２４および窒素ガス供給路１２
５が形成されている。
エッチング液供給路１２３は、遮断板１２の下面１２１の半径方向外方に向かうにつれ
て下方に傾斜した傾斜部１２３ａを有しており、この傾斜部１２３ａの先端で、同心円周
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３のうちで最も径の大きな円周Ｃ１上に配置された開口１２２ａに連通し
ている。傾斜部１２３ａの傾斜角度は、開口１２２ａから傾斜部１２３ａと平行に延ばし
た直線が、ウエハＷの表面の中央部のデバイス形成領域を取り囲むウエハ周縁領域（たと
えば、ウエハＷの周縁から幅３mm程度の部分）上であって、ウエハＷの回転軸線Ｏを中心
とする円周上に設定されたエッチング液供給位置Ｐｅで、バキュームチャック１１に保持
されたウエハＷの表面に交差するような角度に設定されている。これにより、エッチング
液供給路１２３を流通するエッチング液は、開口１２２ａからエッチング液供給路１２３
の傾斜部１２３ａの傾斜方向（ウエハＷの回転半径外方に向かうにつれてウエハＷに近づ
くように傾斜した方向）に吐出されて、ウエハＷの表面のエッチング液供給位置Ｐｅに供
給される。 Inside the blocking plate 12, an etchant supply path 123, a pure water supply path 124, and a nitrogen gas supply path 12 through which an etchant, pure water, and nitrogen gas to be supplied to the wafer W respectively flow.
5 is formed.
The etchant supply path 123 has an inclined portion 123a that is inclined downward as it goes outward in the radial direction of the lower surface 121 of the blocking plate 12. At the tip of the inclined portion 123a, the concentric circumferences C1, C2, and C3 It communicates with the opening 122a disposed on the circumference C1 having the largest diameter. The inclination angle of the inclined portion 123a is such that a straight line extending in parallel with the inclined portion 123a from the opening 122a surrounds the device forming region at the center of the surface of the wafer W (for example, about 3 mm wide from the periphery of the wafer W). And an angle that intersects the surface of the wafer W held by the vacuum chuck 11 at the etching solution supply position Pe set on the circumference centering on the rotation axis O of the wafer W. Has been. As a result, the etchant flowing through the etchant supply path 123 passes through the opening 122a.
Are discharged in the direction of inclination of the inclined portion 123a (the direction inclined so as to approach the wafer W toward the outer radius of rotation of the wafer W) and supplied to the etching solution supply position Pe on the surface of the wafer W.

純水供給路１２４は、エッチング液供給路１２３の傾斜部１２３ａとほぼ平行に傾斜し
た傾斜部１２４ａを有しており、この傾斜部１２４ａの先端で、円周Ｃ１の次に大きな径
の円周Ｃ２上に配置された開口１２２ｂに連通している。これにより、純水供給路１２４
を流通する純水は、開口１２２ｂからエッチング液の吐出方向と平行な方向に吐出されて
、上記ウエハ周縁領域上であって、ウエハＷの表面のエッチング液供給位置Ｐｅよりもウ
エハＷの回転軸線Ｏに近い純水供給位置Ｐｄに供給される。純水供給位置Ｐｄは、ウエハ
Ｗの回転軸線Ｏを中心とする円周上に設定されている。 The pure water supply path 124 has an inclined part 124a inclined substantially parallel to the inclined part 123a of the etching solution supply path 123. At the tip of the inclined part 124a, the circumference having the next largest diameter after the circumference C1. It communicates with the opening 122b disposed on C2. Accordingly, the pure water supply path 124
Is discharged in a direction parallel to the discharge direction of the etchant from the opening 122b, and on the wafer peripheral region, the rotation axis of the wafer W is higher than the etchant supply position Pe on the surface of the wafer W. It is supplied to a pure water supply position Pd close to O. The pure water supply position Pd is set on a circumference around the rotation axis O of the wafer W.

また、窒素ガス供給路１２５は、エッチング液供給路１２３の傾斜部１２３ａとほぼ平
行に傾斜した傾斜部１２５ａを有しており、この傾斜部１２５ａの先端で、最も径の小さ
な円周Ｃ３上に配置された開口１２２ｃに連通している。これにより、窒素ガス供給路１
２５を流通する純水は、開口１２２ｃからエッチング液の吐出方向と平行な方向に吐出さ
れて、ウエハＷの表面の純水供給位置ＰｄよりもウエハＷの回転軸線Ｏに近い窒素ガス供
給位置Ｐｎに供給される。窒素ガス供給位置Ｐｎは、ウエハＷの回転軸線Ｏを中心とする
円周上に設定されている。 Further, the nitrogen gas supply path 125 has an inclined part 125a inclined substantially parallel to the inclined part 123a of the etching solution supply path 123, and the tip of the inclined part 125a is placed on the circumference C3 having the smallest diameter. It communicates with the arranged opening 122c. Thereby, the nitrogen gas supply path 1
The pure water flowing through 25 is discharged from the opening 122c in a direction parallel to the discharge direction of the etching liquid, and the nitrogen gas supply position Pn closer to the rotation axis O of the wafer W than the pure water supply position Pd on the surface of the wafer W. To be supplied. The nitrogen gas supply position Pn is set on a circumference around the rotation axis O of the wafer W.

図３は、この基板処理装置における処理について説明するための図解図である。処理対
象のウエハＷは、図示しない搬送ロボットによって搬入されてきて、バキュームチャック
１１に受け渡される。このとき、遮断板１２（図１参照）は、ウエハＷの搬入を阻害しな
いように上方に大きく退避している。バキュームチャック１１にウエハＷが保持されると
、遮断板１２がウエハＷの表面に近づけられ、バキュームチャック１１（すなわち、ウエ
ハＷ）が予め定める回転速度で回転され始める。 FIG. 3 is an illustrative view for explaining processing in the substrate processing apparatus. The wafer W to be processed is loaded by a transfer robot (not shown) and delivered to the vacuum chuck 11. At this time, the blocking plate 12 (see FIG. 1) is largely retracted upward so as not to hinder the loading of the wafer W. When the wafer W is held on the vacuum chuck 11, the blocking plate 12 is brought close to the surface of the wafer W, and the vacuum chuck 11 (that is, the wafer W) starts to rotate at a predetermined rotation speed.

その後、図３(a)に示すように、開口１２２ｃから窒素ガスの吐出が開始され、ウエハ
Ｗの表面の窒素ガス供給位置Ｐｎに斜め上方から窒素ガスが供給される。また、窒素ガス
の吐出が開始された後、つづいて、図３(b)に示すように、開口１２２ｂから純水の吐出
が開始され、ウエハＷの表面の純水供給位置Ｐｄに斜め上方から純水が供給される。さら
に、純水の吐出が開始された後、図３(c)に示すように、開口１２２ａからエッチング液
の吐出が開始され、ウエハＷの表面のエッチング液供給位置Ｐｅに斜め上方からエッチン
グ液が供給される。 Thereafter, as shown in FIG. 3A, the discharge of nitrogen gas is started from the opening 122c, and nitrogen gas is supplied to the nitrogen gas supply position Pn on the surface of the wafer W obliquely from above. Further, after the discharge of the nitrogen gas is started, subsequently, as shown in FIG. 3B, the discharge of pure water is started from the opening 122b, and the pure water supply position Pd on the surface of the wafer W is inclined obliquely from above. Pure water is supplied. Further, after the discharge of pure water is started, as shown in FIG. 3C, the discharge of the etching liquid is started from the opening 122a, and the etching liquid is obliquely applied to the etching liquid supply position Pe on the surface of the wafer W from the upper side. Supplied.

ウエハＷの表面への窒素ガス、純水およびエッチング液の供給が予め定める時間にわた
って続けられると、図３(d)に示すように、まず、開口１２２ａからのエッチング液の吐
出が停止される。つづいて、図３(e)に示すように、開口１２２ｂからの純水の吐出が停
止され、その後、図３(f)に示すように、開口１２２ｃからの窒素ガスの吐出が停止され
る。これでウエハＷの周縁部および端面から不要な金属薄膜を除去するための処理は終了
であり、この処理後のウエハＷは、遮断板１２が上方に退避した後、図示しない搬送ロボ
ットによって、ウエハＷの裏面から不要な金属イオンを除去するための装置に向けて搬出
される。 When the supply of nitrogen gas, pure water, and etching solution to the surface of the wafer W is continued for a predetermined time, the discharge of the etching solution from the opening 122a is first stopped as shown in FIG. Subsequently, as shown in FIG. 3E, the discharge of pure water from the opening 122b is stopped, and thereafter, the discharge of nitrogen gas from the opening 122c is stopped as shown in FIG. 3F. This completes the process for removing the unnecessary metal thin film from the peripheral edge and the end face of the wafer W, and the wafer W after this process is moved by the transfer robot (not shown) after the shielding plate 12 is retreated upward. It is carried out from the back surface of W toward an apparatus for removing unnecessary metal ions.

以上のように、この実施形態に係る基板処理装置では、ウエハＷの表面の周縁部および
端面から金属薄膜を除去するためのエッチング液が、回転しているウエハＷの表面のエッ
チング液供給位置Ｐｅに、そのエッチング液供給位置Ｐｅよりも上方であって、ウエハＷ
の回転半径方向内方に配置された開口１２２ａから供給される。これにより、エッチング
液供給位置Ｐｅに供給されたエッチング液がウエハＷの中央部に向けて流れることを防止
しつつ、エッチング液供給位置ＰｅよりもウエハＷの回転半径方向外方の領域（ウエハＷ
の表面の金属薄膜を除去すべき領域）ＥＡにむらなくエッチング液を供給することができ
、この領域ＥＡおよび端面に形成されている金属薄膜を良好に除去することができる。 As described above, in the substrate processing apparatus according to this embodiment, the etching solution for removing the metal thin film from the peripheral edge and the end surface of the surface of the wafer W is the etching solution supply position Pe on the surface of the rotating wafer W. Further, the wafer W is above the etching solution supply position Pe.
From the opening 122a disposed inward in the rotational radius direction. Thus, the etching solution supplied to the etching solution supply position Pe is prevented from flowing toward the central portion of the wafer W, and the region outside the rotational radius direction of the wafer W (the wafer W) from the etching solution supply position Pe.
The region where the metal thin film on the surface of the surface is to be removed) The etching liquid can be supplied uniformly to the EA, and the metal thin film formed on the region EA and the end face can be satisfactorily removed.

また、窒素ガス、純水およびエッチング液の供給（吐出）開始および停止が上述のよう
な順序で行われることにより、エッチング液供給位置Ｐｅにエッチング液が供給されてい
る間、エッチング液供給位置ＰｅよりもウエハＷの回転半径方向内方に設定された純水供
給位置Ｐｄおよび窒素ガス供給位置Ｐｎにそれぞれ純水および窒素ガスが供給されている
。純水供給位置Ｐｄに供給された純水は、純水供給位置ＰｄからウエハＷの周縁に向けて
流れ、この純水の流れにより、純水供給位置ＰｄよりもウエハＷの回転半径方向外方のエ
ッチング液供給位置Ｐｅに供給されたエッチング液は押し流されるので、エッチング液が
ウエハＷの中央部に向けて流れることを一層防止できる。さらに、エッチング液がエッチ
ング液供給位置Ｐｅに入射する際にエッチング液のミストが発生しても、そのエッチング
液のミストは窒素ガスによってウエハＷの外方へと吹き飛ばされるので、ウエハＷの中央
部（デバイス形成領域）の薄膜がエッチング液のミストによる腐食を受けるおそれがない
。 In addition, by starting and stopping the supply (discharge) of nitrogen gas, pure water, and etchant in the order described above, the etchant supply position Pe is supplied while the etchant is supplied to the etchant supply position Pe. Further, pure water and nitrogen gas are respectively supplied to the pure water supply position Pd and the nitrogen gas supply position Pn set inward in the rotational radius direction of the wafer W. The deionized water supplied to the deionized water supply position Pd flows from the deionized water supply position Pd toward the periphery of the wafer W, and the pure water flow causes the wafer W to move outward in the rotational radius direction from the deionized water supply position Pd. Since the etching solution supplied to the etching solution supply position Pe is pushed away, it is possible to further prevent the etching solution from flowing toward the center of the wafer W. Further, even if the mist of the etching solution is generated when the etching solution enters the etching solution supply position Pe, the mist of the etching solution is blown out of the wafer W by the nitrogen gas. There is no possibility that the thin film in the (device formation region) is corroded by the mist of the etchant.

さらにまた、ウエハＷの中央部のデバイス形成領域に純水が供給されないので、デバイ
ス形成領域に作り込まれているデバイスが純水によるダメージを受けるおそれがない。
図４は、この発明の他の実施形態（第２の実施形態）に係る基板処理装置の構成を図解
的に示す図である。この実施形態に係る基板処理装置は、上述の実施形態に係る基板処理
装置においてウエハＷの表面の周縁部および端面に形成されている不要な金属薄膜が除去
された後、そのウエハＷの裏面から不要な金属イオン（金属汚染）または金属薄膜を除去
するためのものである。 Furthermore, since pure water is not supplied to the device formation region at the center of the wafer W, there is no possibility that the device built in the device formation region is damaged by the pure water.
FIG. 4 is a diagram schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment (second embodiment) of the present invention. In the substrate processing apparatus according to this embodiment, the unnecessary metal thin film formed on the peripheral edge and the end surface of the front surface of the wafer W is removed from the back surface of the wafer W in the substrate processing apparatus according to the above-described embodiment. It is for removing unnecessary metal ions (metal contamination) or metal thin films.

この基板処理装置には、スピンチャック２１が備えられている。スピンチャック２１は
、ほぼ鉛直に配置されたチャック軸２１１と、このチャック軸２１１の上端にほぼ水平に
固定されたスピンベース２１２と、スピンベース２１２上に立設された複数本のチャック
ピン２１３とを有している。
スピンベース２１２は、たとえば、平面視において放射状に延びた複数本（たとえば、
６本）のアームを有しており、各アームの先端にチャックピン２１３が立設されている。
たとえば、一本おきのアーム（たとえば、全部で３本のアーム）の先端には、ウエハＷの
裏面の周縁部を受ける水平面と、ウエハＷの端面に対向してウエハＷの移動を規制する鉛
直面とを有する固定チャックピン２１３が固定されている。そして、残余の一本おきのア
ーム（たとえば、全部で３本のアーム）の先端には、鉛直軸まわりに回転（自転）可能な
可動チャックピン２１３が取り付けられている。この可動チャックピン２１３は、ウエハ
Ｗの裏面の周縁部を受ける水平面と、この水平面から立ち上がり、ウエハＷの端面に当接
して、対向する固定チャックピン２１３と協働してウエハＷを挟持する第１鉛直面と、同
じく当該水平面から立ち上がり、第１鉛直面よりもウエハＷの半径方向外方に後退してウ
エハＷの端面を規制可能な第２鉛直面とを有している。したがって、可動チャックピン２
１３を、鉛直軸まわりに回転させることにより、第１鉛直面または第２鉛直面をウエハＷ
の端面に対向させることができ、これにより、ウエハＷを挟持したり、ウエハＷの挟持を
弛めたりすることができる。 This substrate processing apparatus is provided with a spin chuck 21. The spin chuck 21 includes a chuck shaft 211 arranged substantially vertically, a spin base 212 fixed substantially horizontally to the upper end of the chuck shaft 211, and a plurality of chuck pins 213 erected on the spin base 212. have.
The spin base 212 has, for example, a plurality of spin bases (for example,
6), and a chuck pin 213 is erected at the tip of each arm.
For example, at the tip of every other arm (for example, a total of three arms), there is a horizontal plane that receives the peripheral edge of the back surface of the wafer W, and a vertical that restricts the movement of the wafer W so as to face the end surface of the wafer W. A fixed chuck pin 213 having a surface is fixed. A movable chuck pin 213 that can rotate (rotate) about the vertical axis is attached to the tip of every other remaining arm (for example, a total of three arms). This movable chuck pin 213 rises from the horizontal plane that receives the peripheral edge of the back surface of the wafer W, abuts against the end surface of the wafer W, and holds the wafer W in cooperation with the opposed fixed chuck pins 213. There is also a first vertical surface, and a second vertical surface that rises from the horizontal plane and that can recede outward in the radial direction of the wafer W from the first vertical surface and can regulate the end surface of the wafer W. Therefore, the movable chuck pin 2
13 is rotated around the vertical axis so that the first vertical surface or the second vertical surface is moved to the wafer W.
Thus, the wafer W can be clamped or the wafer W can be clamped.

また、チャック軸２１１には、たとえばモータなどの駆動源を含む回転駆動機構２１４
が結合されている。これにより、複数本のチャックピン２１３でウエハＷを狭持した状態
で、回転駆動機構２１４によってチャック軸２１１を回転させることにより、ウエハＷを
水平面内で回転させることができる。
さらに、チャック軸２１１は、円筒状に形成されており、その内部には、裏面リンス配
管２２が非回転状態に挿通されている。裏面リンス配管２２の先端は、チャック軸２１１
の先端で開口していて、これにより、チャック軸２１１の先端に、チャックピン２１３で
挟持されたウエハＷの裏面中央にエッチング液を供給するための裏面リンスノズル２２１
が形成されている。 Further, the chuck shaft 211 includes a rotational drive mechanism 214 including a drive source such as a motor.
Are combined. Accordingly, the wafer W can be rotated in a horizontal plane by rotating the chuck shaft 211 by the rotation driving mechanism 214 in a state where the wafer W is held by the plurality of chuck pins 213.
Further, the chuck shaft 211 is formed in a cylindrical shape, and the back surface rinsing pipe 22 is inserted into the chuck shaft 211 in a non-rotating state. The tip of the back surface rinsing pipe 22 has a chuck shaft 211.
Thus, a back surface rinsing nozzle 221 for supplying an etching solution to the center of the back surface of the wafer W held by the chuck pins 213 at the front end of the chuck shaft 211.
Is formed.

スピンチャック２１の上方には、ほぼ円錐形状の遮断板２３と、この遮断板２３の傾斜
面を洗浄するための純水を吐出する遮断板洗浄ノズル２４とが配置されている。遮断板２
３は、図１に示す遮断板１２から、エッチング液を供給するための開口１２２ａおよびエ
ッチング液供給路１２３を省略した構成であり、その下面２３１がスピンチャック２１に
保持されたウエハＷの上面とほぼ平行をなして対向するように設けられている。 Above the spin chuck 21, a substantially conical blocking plate 23 and a blocking plate cleaning nozzle 24 for discharging pure water for cleaning the inclined surface of the blocking plate 23 are arranged. Barrier plate 2
3 is a configuration in which the opening 122a for supplying the etchant and the etchant supply path 123 are omitted from the blocking plate 12 shown in FIG. 1, and the lower surface 231 of the shield W is held on the spin chuck 21. They are provided so as to face each other substantially in parallel.

なお、図４および後述する図５において、遮断板２３と図１に示す遮断板１２とで共通
する部分には、図１の場合と同一の参照符号を付して示している。また、その同一の参照
符号を付した部分についての説明は省略する。
図５は、この第２の実施形態に係る基板処理装置における処理について説明するための
図解図である。処理対象のウエハＷは、上述の図１に示す基板処理装置において表面の周
縁部および端面に形成された金属薄膜を除去するための処理を受けた後、その図１に示す
基板処理装置から搬入されてきて、スピンチャック２１に表面を上方に向けた状態で受け
渡される。このとき、遮断板２３（図４参照）は、ウエハＷの搬入を阻害しないように上
方に大きく退避している。スピンチャック２１にウエハＷが保持されると、遮断板２３が
ウエハＷの表面に近づけられ、スピンチャック２１（すなわち、ウエハＷ）が予め定める
回転速度で回転され始める。 In FIG. 4 and FIG. 5 to be described later, portions common to the blocking plate 23 and the blocking plate 12 shown in FIG. Further, the description of the parts denoted by the same reference numerals is omitted.
FIG. 5 is an illustrative view for explaining processing in the substrate processing apparatus according to the second embodiment. The wafer W to be processed is subjected to a process for removing the metal thin film formed on the peripheral edge portion and the end face of the surface in the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 and then carried from the substrate processing apparatus shown in FIG. Then, it is delivered to the spin chuck 21 with the surface facing upward. At this time, the blocking plate 23 (see FIG. 4) is largely retracted upward so as not to hinder the loading of the wafer W. When the wafer W is held on the spin chuck 21, the blocking plate 23 is brought close to the surface of the wafer W, and the spin chuck 21 (that is, the wafer W) starts to rotate at a predetermined rotation speed.

その後、図５(a)に示すように、開口１２２ｃから窒素ガスの吐出が開始され、ウエハ
Ｗの表面の窒素ガス供給位置Ｐｎに斜め上方から窒素ガスが供給される。また、窒素ガス
の吐出が開始された後、つづいて、図５(b)に示すように、開口１２２ｂから純水の吐出
が開始され、ウエハＷの表面の純水供給位置Ｐｄに斜め上方から純水が供給される。さら
に、純水の吐出が開始された後、図５(c)に示すように、裏面リンスノズル２２１からエ
ッチング液の吐出が開始され、ウエハＷの裏面中央にエッチング液が供給される。 Thereafter, as shown in FIG. 5A, discharge of nitrogen gas is started from the opening 122c, and nitrogen gas is supplied to the nitrogen gas supply position Pn on the surface of the wafer W obliquely from above. In addition, after the start of the discharge of the nitrogen gas, as shown in FIG. 5B, the discharge of pure water is started from the opening 122b, and the pure water supply position Pd on the surface of the wafer W is started obliquely from above. Pure water is supplied. Further, after the discharge of pure water is started, the discharge of the etching solution is started from the back surface rinsing nozzle 221 as shown in FIG. 5C, and the etching solution is supplied to the center of the back surface of the wafer W.

ウエハＷの表面への窒素ガス、純水およびエッチング液の供給が予め定める時間にわた
って続けられると、図５(d)に示すように、まず、裏面リンスノズル２２１からのエッチ
ング液の吐出が停止される。つづいて、図５(e)に示すように、開口１２２ｂからの純水
の吐出が停止され、その後、図５(f)に示すように、開口１２２ｃからの窒素ガスの吐出
が停止される。これでウエハＷの裏面から金属イオンまたは金属薄膜を除去するための処
理は終了であり、その後は、ウエハＷの裏面に純水が供給されて、ウエハＷの裏面に付着
したエッチング液が洗い流される。ウエハＷの裏面を水洗するための純水は、裏面リンス
ノズル２２１にエッチング液または純水を切り替えて供給できるように構成して、裏面リ
ンスノズル２２１からウエハＷの裏面に供給するようにしてもよいし、裏面リンスノズル
２２１とは別に設けられたノズルからウエハＷの裏面に供給するようにしてもよい。この
水洗処理後のウエハＷは、遮断板２３が上方に退避した後、図示しない搬送ロボットによ
って搬出される。 When the supply of nitrogen gas, pure water and etching liquid to the surface of the wafer W is continued for a predetermined time, first, as shown in FIG. 5D, the discharge of the etching liquid from the back surface rinsing nozzle 221 is stopped. The Next, as shown in FIG. 5 (e), the discharge of pure water from the opening 122b is stopped, and thereafter, the discharge of nitrogen gas from the opening 122c is stopped as shown in FIG. 5 (f). This completes the process for removing metal ions or metal thin films from the back surface of the wafer W. After that, pure water is supplied to the back surface of the wafer W, and the etching solution adhering to the back surface of the wafer W is washed away. . The pure water for washing the back surface of the wafer W is configured so that the etching liquid or pure water can be switched and supplied to the back surface rinsing nozzle 221, and supplied from the back surface rinsing nozzle 221 to the back surface of the wafer W. Alternatively, a nozzle provided separately from the back surface rinsing nozzle 221 may be supplied to the back surface of the wafer W. After the washing process, the wafer W is unloaded by a transfer robot (not shown) after the shielding plate 23 is retracted upward.

以上のように、この第２の実施形態に係る基板処理装置では、ウエハＷの裏面に付着し
ている金属イオンまたは金属薄膜を除去するためのエッチング液が、回転しているウエハ
Ｗの裏面中央に供給される。これにより、ウエハＷの裏面全域にまんべんなくエッチング
液を供給することができ、このエッチング液により、ウエハＷの裏面から金属イオンまた
は金属薄膜を良好に除去することができる。 As described above, in the substrate processing apparatus according to the second embodiment, the etching liquid for removing the metal ions or the metal thin film adhering to the back surface of the wafer W is the center of the back surface of the rotating wafer W. To be supplied. Thereby, the etching solution can be supplied evenly over the entire back surface of the wafer W, and the metal ions or the metal thin film can be satisfactorily removed from the back surface of the wafer W by this etching solution.

また、窒素ガス、純水およびエッチング液の供給（吐出）開始および停止が上述のよう
な順序で行われることにより、ウエハＷの裏面にエッチング液が供給されている間、ウエ
ハＷの表面の純水供給位置Ｐｄおよび窒素ガス供給位置Ｐｎにそれぞれ純水および窒素ガ
スが供給されている。純水供給位置Ｐｄに供給された純水は、ウエハＷの表面を純水供給
位置ＰｄからウエハＷの周縁へ向かって流れて、ウエハＷの周縁から流下するので、裏面
リンスノズル２２１からウエハＷの裏面に供給されたエッチング液がウエハＷの表面に回
り込むおそれがない。 Further, the supply (discharge) of nitrogen gas, pure water and etching liquid is started and stopped in the order described above, so that the surface of the wafer W is pure while the etching liquid is supplied to the back surface of the wafer W. Pure water and nitrogen gas are supplied to the water supply position Pd and the nitrogen gas supply position Pn, respectively. The pure water supplied to the pure water supply position Pd flows from the pure water supply position Pd toward the peripheral edge of the wafer W and flows down from the peripheral edge of the wafer W. Therefore, the pure water supplied to the pure water supply position Pd flows from the back rinse nozzle 221 to the wafer W. There is no possibility that the etching solution supplied to the back surface of the wafer will wrap around the surface of the wafer W.

さらに、スピンチャック２１のチャックピン２１３がウエハＷの裏面を伝って側方に飛
散するエッチング液を横切ることによってエッチング液のミストが発生しても、そのエッ
チング液のミストは窒素ガスによってウエハＷの外方へと吹き飛ばされるので、ウエハＷ
の中央部（デバイス形成領域）の薄膜がエッチング液のミストによる腐食を受けるおそれ
がない。 Further, even if the mist of the etching solution is generated by the chuck pins 213 of the spin chuck 21 crossing the etching solution that is scattered laterally along the back surface of the wafer W, the mist of the etching solution is absorbed by the nitrogen gas by the nitrogen gas. Wafer W is blown away
There is no possibility that the thin film in the central portion (device forming region) of the substrate is corroded by the mist of the etching solution.

さらにまた、ウエハＷの中央部のデバイス形成領域に純水が供給されないので、デバイ
ス形成領域に作り込まれているデバイスが純水によるダメージを受けるおそれがない。
以上、この発明の２つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で
実施することもできる。たとえば、上述の第１の実施形態では、遮断板１２の下面１２１
に円形の小さな開口１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃが形成され、これらの開口１２２ａ，
１２２ｂ，１２２ｃからそれぞれエッチング液、純水および窒素ガスが吐出されるとした
が、遮断板１２の下面１２１に、その下面１２１の中心ＣＥを中心とする３つの同心円環
状の開口が形成され、この３つの環状開口からそれぞれエッチング液、純水および窒素ガ
スが吐出されてもよい。また、これと同様な変形を上述の第２の実施形態に施してもよい
。 Furthermore, since pure water is not supplied to the device formation region at the center of the wafer W, there is no possibility that the device built in the device formation region is damaged by the pure water.
As mentioned above, although two embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form. For example, in the above-described first embodiment, the lower surface 121 of the blocking plate 12.
A small circular opening 122a, 122b, 122c is formed in the opening 122a,
The etching solution, pure water, and nitrogen gas are discharged from 122b and 122c, respectively. However, three concentric annular openings centering on the center CE of the lower surface 121 are formed on the lower surface 121 of the blocking plate 12. Etching solution, pure water, and nitrogen gas may be discharged from the three annular openings, respectively. Further, a modification similar to this may be applied to the second embodiment described above.

また、上述の第１の実施形態では、開口１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃはそれぞれ複数
個形成されているが、開口１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃはそれぞれ、少なくとも１つ形
成されていればよい。たとえば、開口１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃがそれぞれ１つずつ
だけ形成される場合には、下面１２１の中心ＣＥを通る下面１２１上の直線に沿うように
、開口１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃが形成されるのが好ましい（図２の二点鎖線で囲う
開口群Ａ）。これによると、窒素ガス供給位置Ｐｎ、エッチング液供給位置Ｐｅ、および
純水供給位置ＰｄはウエハＷの回転中心を通る直線に沿って設けられる。 In the first embodiment described above, a plurality of openings 122a, 122b, 122c are formed, but at least one of the openings 122a, 122b, 122c may be formed. For example, when only one opening 122a, 122b, and 122c is formed, the openings 122a, 122b, and 122c are formed along a straight line on the lower surface 121 that passes through the center CE of the lower surface 121. Preferred (opening group A surrounded by a two-dot chain line in FIG. 2). According to this, the nitrogen gas supply position Pn, the etchant supply position Pe, and the pure water supply position Pd are provided along a straight line passing through the rotation center of the wafer W.

あるいは、エッチング液が吐出される開口１２２ａが１つだけ形成され、純水および窒
素ガスが吐出される開口１２２ｂおよび１２２ｃが複数個形成されるようにしてもよい。
この場合、複数の開口１２２ｂおよび１２２ｃは、中心ＣＥから見て１つの開口１２２ａ
を覆うように設けられるのが好ましい。これによれば、ウエハの回転中心から見て、エッ
チング液供給位置Ｐｅは、純水供給位置Ｐｄおよび窒素ガス供給位置Ｐｎで覆われること
となる（図２の二点鎖線で囲う開口群Ｂ）。 Alternatively, only one opening 122a from which the etching solution is discharged may be formed, and a plurality of openings 122b and 122c from which pure water and nitrogen gas are discharged may be formed.
In this case, the plurality of openings 122b and 122c includes one opening 122a when viewed from the center CE.
It is preferable to be provided so as to cover. According to this, as viewed from the rotation center of the wafer, the etching solution supply position Pe is covered with the pure water supply position Pd and the nitrogen gas supply position Pn (opening group B surrounded by a two-dot chain line in FIG. 2). .

さらにまた、遮断板１２の中心付近に開口が形成され、この開口から窒素ガスが供給さ
れるようにしてもよい。
さらには、遮断板１２，２３の開口１２２ｃからウエハＷの表面に窒素ガスが供給され
るとしたが、窒素ガス以外の不活性ガス（たとえば、ヘリウムガスまたはアルゴンガス）
がウエハＷの表面に供給されてもよい。 Furthermore, an opening may be formed near the center of the shielding plate 12, and nitrogen gas may be supplied from this opening.
Furthermore, although nitrogen gas is supplied to the surface of the wafer W from the opening 122c of the blocking plates 12 and 23, an inert gas other than nitrogen gas (for example, helium gas or argon gas)
May be supplied to the surface of the wafer W.

さらには、基板の一例として半導体ウエハを取り上げたが、この発明は、液晶表示装置
用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板など
の他の種類の基板に対して処理を施すための装置にも適用することができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。 Furthermore, although a semiconductor wafer has been taken up as an example of the substrate, the present invention processes other types of substrates such as glass substrates for liquid crystal display devices, glass substrates for plasma display panels, and glass substrates for photomasks. It can also be applied to an apparatus for applying.
In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

１２遮断板
１２２開口（吐出手段）
１２２ａ開口（吐出手段）
１２２ｂ開口（吐出手段）
１２２ｃ開口（吐出手段）
２３遮断板
Ｗウエハ 12 Blocking plate 122 Opening (Discharging means)
122a opening (discharge means)
122b Opening (discharge means)
122c Opening (Discharging means)
23 Barrier plate W Wafer

Claims

複数の吐出手段を備え、前記吐出手段を基板の周縁部に沿って相対的に移動させつつ、
基板上の不要物を除去する基板処理装置であって、
前記複数の吐出手段は、基板の中心から周縁に向けて延びる直線上に並べて配置されて
おり、
前記複数の吐出手段のうち、相対的に外側に配置された吐出手段は、基板に対して不要
物を除去するための薬液を吐出し、相対的に内側に配置された吐出手段は、基板に対して
リンス液を吐出する、基板処理装置。 A plurality of discharge means, and relatively moving the discharge means along the peripheral edge of the substrate,
A substrate processing apparatus for removing unnecessary materials on a substrate,
The plurality of discharge means are arranged side by side on a straight line extending from the center of the substrate toward the periphery,
Among the plurality of discharge means, the discharge means disposed on the outer side discharges a chemical solution for removing unnecessary substances from the substrate, and the discharge means disposed on the relatively inner side discharges the substrate. A substrate processing apparatus for discharging a rinsing liquid.

複数の吐出手段を備え、前記吐出手段を基板の周縁部に沿って相対的に移動させつつ、
基板上の不要物を除去する基板処理装置であって、
前記複数の吐出手段は、基板の周辺から内側に向かう方向に沿って並べて配置されてお
り、
前記複数の吐出手段のうち、相対的に外側に配置された吐出手段は、基板に対して不要
物を除去するための薬液を吐出し、相対的に内側に配置された吐出手段は、基板に対して
リンス液を吐出する、基板処理装置。 A plurality of discharge means, and relatively moving the discharge means along the peripheral edge of the substrate,
A substrate processing apparatus for removing unnecessary materials on a substrate,
The plurality of ejection means are arranged side by side along the direction from the periphery of the substrate toward the inside,
Among the plurality of discharge means, the discharge means disposed on the outer side discharges a chemical solution for removing unnecessary substances from the substrate, and the discharge means disposed on the relatively inner side discharges the substrate. A substrate processing apparatus for discharging a rinsing liquid.

基板の表面において、リンス液が供給される領域は、薬液が供給される領域よりも広い
、請求項１または２に記載の基板処理装置。 3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein an area to which the rinsing liquid is supplied is wider than an area to which the chemical liquid is supplied on the surface of the substrate.

相対的に外側に配置された吐出手段から吐出される薬液は、相対的に内側に配置された
吐出手段から吐出されて基板の表面を流れるリンス液の領域内に供給される、請求項１〜
３のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The chemical solution discharged from the discharge means disposed relatively outside is supplied into the region of the rinse liquid discharged from the discharge means disposed relatively inside and flowing on the surface of the substrate.
4. The substrate processing apparatus according to claim 3.

前記リンス液が純水である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the rinse liquid is pure water.

前記複数の吐出手段を、基板の中心から離れる方向に傾斜させて指向させた、請求項１
〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。 2. The plurality of discharge means are directed to be inclined in a direction away from the center of the substrate.
The substrate processing apparatus as described in any one of -5.

前記複数の吐出手段において、相対的に内側に配置された吐出手段は、相対的に外側に
配置された吐出手段よりも早いタイミングで流体を吐出するように制御される、請求項１
〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。 2. The plurality of discharge means, wherein the discharge means disposed on the relatively inner side is controlled to discharge the fluid at a timing earlier than the discharge means disposed on the relatively outer side.
The substrate processing apparatus as described in any one of -6.

前記複数の吐出手段から基板に供給された流体の飛散を防止する遮断板を備え、
前記複数の吐出手段が前記遮断板に設けられている、請求項１〜７のいずれか一項に記
載の基板処理装置。 A blocking plate for preventing scattering of fluid supplied to the substrate from the plurality of ejection means,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the plurality of discharge units are provided on the blocking plate.

基板上面に近接した位置と基板上面から離れた位置との間で相対的に移動する遮断板を
備えている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a blocking plate that relatively moves between a position close to the substrate upper surface and a position away from the substrate upper surface.

前記遮断板と基板との間に不活性ガスを吐出する、請求項９に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein an inert gas is discharged between the shielding plate and the substrate.

基板の表面において、リンス液が供給される領域よりも内側に不活性ガスを供給する吐
出手段を備えている、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a discharge unit that supplies an inert gas to an inner side of a surface of the substrate that is supplied with a rinse liquid.

基板の周辺から内側に向かう方向に並べて配置された複数の吐出手段を基板の周縁部に
沿って相対的に移動させつつ、前記複数の吐出手段から基板の周縁部にそれぞれ異なる流
体を供給して、基板上の不要物を除去するにあたり、
相対的に内側に配置された吐出手段から基板に供給されたリンス液の領域内に、相対的
に外側に配置された吐出手段から不要物を除去するための薬液を供給して、当該薬液を基
板の中心から離れる方向に押し流す、基板処理方法。 Supplying different fluids from the plurality of ejection means to the peripheral edge of the substrate while relatively moving the plurality of ejection means arranged side by side in the direction from the periphery to the inside of the substrate along the peripheral edge of the substrate. In removing unnecessary materials on the substrate,
A chemical solution for removing unnecessary substances is supplied from the discharge means arranged relatively outside to the region of the rinse liquid supplied to the substrate from the discharge means arranged relatively inside. A substrate processing method for flushing away from the center of the substrate.

前記リンス液が純水である、請求項１２に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 12, wherein the rinse liquid is pure water.

前記複数の吐出手段において、相対的に内側に配置された吐出手段は、相対的に外側に
配置された吐出手段よりも早いタイミングで流体を吐出するように制御される、請求項１
２または１３に記載の基板処理方法。 2. The plurality of discharge means, wherein the discharge means disposed on the relatively inner side is controlled to discharge the fluid at a timing earlier than the discharge means disposed on the relatively outer side.
14. The substrate processing method according to 2 or 13.

基板の表面において、リンス液が供給される領域よりも内側に不活性ガスを供給する、
請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。 In the surface of the substrate, an inert gas is supplied to the inside of the region where the rinsing liquid is supplied.
The substrate processing method as described in any one of Claims 12-14.