JP2011205061A - レーザ装置、レーザシステムおよび極端紫外光生成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レーザ装置は、回折格子と、出力されるレーザ光が前記回折格子に入射し、かつ前記レーザ光それぞれの前記回折格子による異なる次数の回折光の少なくとも1つが所定の方向に進行するように配置される複数の半導体レーザと、を備えてもよい。
【選択図】図4
Description
まず、本開示の実施の形態1によるレーザ装置としてのマスターオシレータシステムおよびそれを備えるドライバレーザとならびにEUV光生成装置を、図面を参照に詳細に説明する。図1は、本実施の形態によるマスターオシレータシステムおよび再生増幅器の概略構成を模式的に示す。
つぎに、本開示の実施の形態2によるマスターオシレータシステムを、以下図面を参照に詳細に説明する。なお、本実施の形態によるマスターオシレータシステムを含むドライバレーザおよびEUV光生成装置は、上述の実施の形態1によるドライバレーザおよびEUV光生成装置と同様の構成を備える。
また、上述の実施の形態2のように、合波器12に透過型の回折格子を用いる場合、回折面を形成する溝の形状を制御することで、合波効率の高い合波器12を実現することが可能である。図7に具体的な実施例として、複数の矩形型の溝12aが形成された透過型回折格子である合波用グレーティング12B−1を合波器12として用いる場合を示す。溝12aではないメサ状の部分を通過した光Laと溝12aの部分を通過した光Lbとの位相差がπとなるように溝12aの深さを制御する。これによって、所望の+m次回折光および−m次回折光の光をそれぞれ強く出現させることが可能となる。その結果、合波効率の高い合波器12を実現することが可能となる。ここで、合波効率とは、各々の半導体レーザから出力されたレーザ光の光強度に対する合波後の各々の半導体レーザ光の光強度の比率である。
つぎに、本開示の実施の形態3によるマスターオシレータシステムを以下詳細に説明する。なお、本実施の形態によるマルチラインマスターオシレータシステムを含むドライバレーザおよびEUV光生成装置は、上述の実施の形態1によるレーザ装置およびEUV光生成装置と同様の構成を備える。
また、上述の実施の形態3のように、合波器12に反射型の回折格子を用いる場合、図11に示す合波用グレーティング12C−1のように、この合波用グレーティング12C−1の回折面12sを、使用する波長の光に対する反射率が高い金属等の高反射膜12bでコーティングしてもよい。この高反射膜12bの材料には、例えば金(Au)やアルミニウム(Al)など、または、これらの金属の合金などを用いることができる。また、高反射膜12bは、上述の金属または合金よりなる多層膜または異なる材料の誘電体からなる多層膜とすることも可能である。なお、図11は、本実施の形態3の変形例による合波用グレーティングの回折面に形成された溝に垂直な面における断面図である。
つぎに、本開示の実施の形態4によるマスターオシレータシステムを以下詳細に説明する。なお、本実施の形態によるマスターオシレータシステムを含むドライバレーザおよびEUV光生成装置は、上述の実施の形態1によるドライバレーザおよびEUV光生成装置と同様の構成を備える。
つぎに、本開示の実施の形態5によるマスターオシレータシステムを以下詳細に説明する。なお、本実施の形態によるマスターオシレータシステムを含むドライバレーザおよびEUV光生成装置は、上述の実施の形態1によるドライバレーザおよびEUV光生成装置と同様の構成を備える。
つぎに、本開示の実施の形態6によるマスターオシレータシステムを以下詳細に説明する。なお、本実施の形態によるドライバレーザおよびEUV光生成装置は、上述の実施の形態1によるドライバレーザおよびEUV光生成装置と同様の構成を備える。
つぎに、本開示の実施の形態7によるマスターオシレータシステムを以下詳細に説明する。なお、本実施の形態によるマスターオシレータシステムを含むドライバレーザおよびEUV光生成装置は、上述の実施の形態1によるドライバレーザおよびEUV光生成装置と同様の構成を備える。
つぎに、本開示の実施の形態8によるマスターオシレータシステムを以下詳細に説明する。なお、本実施の形態によるマスターオシレータシステムを含むドライバレーザおよびEUV光生成装置は、上述の実施の形態1によるドライバレーザおよびEUV光生成装置と同様の構成を備える。
つぎに、本開示の実施の形態9によるマスターオシレータシステムを以下詳細に説明する。なお、本実施の形態によるマスターオシレータシステムを含むドライバレーザおよびEUV光生成装置は、上述の実施の形態1によるドライバレーザおよびEUV光生成装置と同様の構成を備える。
つぎに、本開示の実施の形態10によるマスターオシレータシステムを以下詳細に説明する。なお、本実施の形態によるマスターオシレータシステムを含むドライバレーザおよびEUV光生成装置は、上述の実施の形態1によるドライバレーザおよびEUV光生成装置と同様の構成を備える。
つぎに、本開示の実施の形態11によるマスターオシレータシステムを以下詳細に説明する。なお、本実施の形態によるマスターオシレータシステムを含むドライバレーザおよびEUV光生成装置は、上述の実施の形態1によるドライバレーザおよびEUV光生成装置と同様の構成を備える。
つぎに、本開示の実施の形態12によるマスターオシレータシステムを以下詳細に説明する。なお、本実施の形態によるマスターオシレータシステムを含むドライバレーザおよびEUV光生成装置は、上述の実施の形態1によるドライバレーザおよびEUV光生成装置と同様の構成を備える。
つぎに、本開示の実施の形態13によるマスターオシレータシステムを以下詳細に説明する。なお、本実施の形態によるマスターオシレータシステムを含むドライバレーザおよびEUV光生成装置は、上述の実施の形態1によるドライバレーザおよびEUV光生成装置と同様の構成を備える。
つぎに、本開示の実施の形態14によるマスターオシレータシステムを以下詳細に説明する。なお、本実施の形態によるマスターオシレータシステムを含むドライバレーザおよびEUV光生成装置は、上述の実施の形態1によるドライバレーザおよびEUV光生成装置と同様の構成を備える。
つぎに、本開示の実施の形態15によるマスターオシレータシステムを以下詳細に説明する。なお、本実施の形態15によるマスターオシレータシステムを含むドライバレーザおよびEUV光生成装置は、上述の実施の形態によるドライバレーザおよびEUV光生成装置のいずれを適用してもよい。以下では、例として、実施の形態1によるドライバレーザおよびEUV光生成装置を適用した場合を例に挙げる。
また、複数の半導体レーザ11−1〜11−nの全てを、1つの増幅波長帯域に対応する波長で発振させてもよい。たとえば図31に示すように、半導体レーザ11−1〜11−3の全てを、増幅波長帯域S2に対応する波長で発振させてもよい。これにより、たとえば図32に示すように、増幅ゲインの大きい増幅波長帯域S2を選択的に用いて効率的にパルスレーザ光を増幅することが可能となる。
また、上述した各実施の形態において、複数の半導体レーザ11−1〜11−nは、それぞれ同じタイミングでパルスレーザ光L1−1〜L1−nを出力してもよい。また、各半導体レーザ11−1〜11−nが出力するパルスレーザ光L1−1〜L1−nの光強度は、等しくなくともよい。たとえば、対応する増幅波長帯域S1〜S7の増幅ゲインに応じて、各半導体レーザ11−1〜11−nに入力する電流パルスの強度を適宜変更してもよい。以下では、たとえば図33に示すように、増幅波長帯域S2〜S4に半導体レーザ11−1〜11−3の発振波長を合わせた場合を例に挙げる。
また、上述した各実施の形態において、複数の半導体レーザ11−1〜11−nは、それぞれ異なるタイミングでパルスレーザ光L1−1〜L1−nを出力してもよい。たとえば図36(a)〜(c)に示すように、各半導体レーザ11−1〜11−3に与える発振トリガS31〜S33のタイミングを時間TDずつずれたタイミングt11〜T13としてもよい。この場合、図36(d)〜(f)に示すように、各半導体レーザ11−1〜11−3に電流パルスS41〜S43が入力されるタイミングも時間TDずつずれているため、図36(g)〜(i)に示すように、各半導体レーザ11−1〜11−3がパルスレーザ光L1−1〜L1−3を出力するタイミングも時間TDずつずれたタイミングt21〜t23となる。この結果、図36(j)に示すように、合波および増幅後のパルスレーザ光は、時間TDずつずれている増幅後のパルスレーザ光L21〜L23を重畳したパルスレーザ光となる。
2 ドライバレーザ
10、10A、10B、10B−1、10C、10D、10E、10F、10G、10H、10I、10J、10K、10L、10M、10N マスターオシレータシステム
11−1〜11−n 半導体レーザ
12 合波器
12A、12B、12B−1、12C、12C−1 合波用グレーティング
12D、12G 凹面型合波用グレーティング
12E、12F DOE
12a 溝
12s 回折面
13 コリメータレンズ
14 集光レンズ
15 光ファイバ
16、17 凹面ミラー
20 再生増幅器
21 偏光ビームスプリッタ
22、27 EOポッケルスセル
23 λ/4板
24、28 共振器ミラー
25 レーザ増幅部
25a、30a、MAa、PAa CO2ガス増幅媒体
26 偏光ビームスプリッタ
30 増幅器
40 EUVチャンバ
41 ウィンドウ
42 EUV集光ミラー
42a 貫通孔
43 EUV露光装置とのインターフェイス
44 隔壁
D ターゲット物質
L 入射光
L1、L1−1〜L1−n レーザ光
L2 合波レーザ光
L2−1、L2−2、L2−3、L2−4 増幅レーザ光
L3 EUV光
M1、M2、M3、M4 高反射ミラー
M5 軸外放物面ミラー
MA メインアンプ
P1 プラズマ生成サイト
P2 中間集光点
PA プレアンプ
R1、R2 リレー光学系
Claims (44)
- 回折格子と、
出力されるレーザ光が前記回折格子に入射し、かつ前記レーザ光それぞれの前記回折格子による異なる次数の回折光の少なくとも1つが所定の方向に進行するように配置される複数の半導体レーザと、
を備えるレーザ装置。 - 前記回折格子は反射型の回折格子である、請求項1記載のレーザ装置。
- 前記回折格子は透過型の回折格子である、請求項1記載のレーザ装置。
- 前記回折格子には溝が形成されており、
前記溝は、該溝に入射したレーザ光の回折光と該溝以外の部分に入射した光の回折光との位相差がπとなる深さに形成されている、
請求項1記載のレーザ装置。 - 前記所定の方向は、前記回折格子において前記回折光が出射する面に対して垂直である、請求項1記載のレーザ装置。
- 前記所定の方向は、前記回折格子において前記回折光が出射する面に対して傾斜している、請求項1記載のレーザ装置。
- 前記複数の半導体レーザは量子カスケードレーザである、請求項1記載のレーザ装置。
- 前記回折格子は、該回折格子に広がり角をもって入射するレーザ光の回折光をコリメート化する、請求項1記載のレーザ装置。
- 前記回折格子は、該回折格子に入射するレーザ光の回折光を集束させる、請求項1記載のレーザ装置。
- 前記回折格子の下流側の前記所定の方向であって前記回折光の実質的に集束位置に、その入力端が配置される光ファイバをさらに備える
請求項9記載のレーザ装置。 - 少なくとも1つの光学素子と、
前記少なくとも1つの光学素子の実質的に焦点位置に配置される回折格子と、
出力されるレーザ光が前記少なくとも1つの光学素子に入射し、かつ前記少なくとも1つの光学素子から出射する前記レーザ光が前記回折格子に入射し、かつ前記レーザ光それぞれの前記回折格子による異なる次数の回折光の少なくとも1つが所定の方向に進行するように配置される複数の半導体レーザと、
を備えるレーザ装置。 - 前記回折格子は反射型の回折格子である、請求項11記載のレーザ装置。
- 前記回折格子は透過型の回折格子である、請求項11記載のレーザ装置。
- 前記少なくとも1つの光学素子はコリメータレンズである、請求項11記載のレーザ装置。
- 前記少なくとも1つの光学素子は凹面ミラーである、請求項11記載のレーザ装置。
- 前記回折格子には溝が形成されており、
前記溝は、該溝に入射したレーザ光の回折光と該溝以外の部分に入射した光の回折光との位相差がπとなる深さに形成されている、
請求項11記載のレーザ装置。 - 前記所定の方向は、前記回折格子において前記回折光が出射する面に対して垂直である、請求項11記載のレーザ装置。
- 前記所定の方向は、前記回折格子において前記回折光が出射する面に対して傾斜している、請求項11記載のレーザ装置。
- 前記複数の半導体レーザは量子カスケードレーザである、請求項11記載のレーザ装置。
- 前記回折格子は、該回折格子に広がり角をもって入射するレーザ光の回折光をコリメート化する、請求項11記載のレーザ装置。
- 前記回折格子は、該回折格子に入射するレーザ光の回折光を集束させる、請求項11記載のレーザ装置。
- 前記回折格子の下流側の前記所定の方向であって前記回折光の実質的に集束位置に、その入力端が配置される光ファイバをさらに備える
請求項21記載のレーザ装置。 - 前記回折格子の下流側の前記所定の方向に配置される集光光学系と、
前記集光光学系の実質的に焦点位置にその入力端が配置される光ファイバと、
をさらに備える請求項11記載のレーザ装置。 - 少なくとも1つの光学素子と、
前記少なくとも1つの光学素子の実質的に焦点位置に配置される回折格子と、
複数の半導体レーザと、
前記複数の半導体レーザそれぞれの出力端に接続され、出力されるレーザ光が前記少なくとも1つの光学素子に入射し、かつ前記少なくとも1つの光学素子から出射する前記レーザ光が前記回折格子に入射し、かつ前記レーザ光それぞれの前記回折格子による異なる次数の回折光の少なくとも1つが所定の方向に進行するように配置される光ファイバと、
を備えるレーザ装置。 - 前記回折格子は反射型の回折格子である、請求項24記載のレーザ装置。
- 前記回折格子は透過型の回折格子である、請求項24記載のレーザ装置。
- 前記少なくとも1つの光学素子はコリメータレンズである、請求項24記載のレーザ装置。
- 前記少なくとも1つの光学素子は凹面ミラーである、請求項24記載のレーザ装置。
- 前記回折格子には溝が形成されており、
前記溝は、該溝に入射したレーザ光の回折光と該溝以外の部分に入射した光の回折光との位相差がπとなる深さに形成されている、
請求項24記載のレーザ装置。 - 前記所定の方向は、前記回折格子において前記回折光が出射する面に対して垂直である、請求項24記載のレーザ装置。
- 前記所定の方向は、前記回折格子において前記回折光が出射する面に対して傾斜している、請求項24記載のレーザ装置。
- 前記複数の半導体レーザは量子カスケードレーザである、請求項24記載のレーザ装置。
- 前記回折格子は、該回折格子に広がり角をもって入射するレーザ光の回折光をコリメート化する、請求項24記載のレーザ装置。
- 前記回折格子は、該回折格子に入射するレーザ光の回折光を集束させる、請求項24記載のレーザ装置。
- 前記回折格子の下流側の前記所定の方向であって前記回折光の実質的に集束位置に、その入力端が配置される光ファイバをさらに備える
請求項34記載のレーザ装置。 - 前記回折格子の下流側の前記所定の方向に配置される集光光学系と、
前記集光光学系の実質的に焦点位置にその入力端が配置される光ファイバと、
をさらに備える請求項24記載のレーザ装置。 - 請求項1〜36いずれか一項記載のレーザ装置と、
前記レーザ装置の下流側に配置され、前記レーザ装置から出力されるレーザ光を増幅する少なくとも1つの増幅器と、
を備えるレーザシステム。 - 前記少なくとも1つの増幅器は複数の増幅器を含み、
前記複数の増幅器の少なくとも1つは再生増幅器である、
請求項37記載のレーザシステム。 - 請求項37記載のレーザシステムと、
前記レーザシステムから出力されるレーザ光を内部に導入するための入射口を有するチャンバと、
前記レーザ光をチャンバ内の所定の領域に集光させる集光光学系と、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の前記所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給システムと、
前記チャンバ内に配置され、前記所定の領域で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されて放射される所定の波長の光を集光する集光ミラーと、
を備える極端紫外光生成装置。 - 請求項38記載のレーザシステムと、
前記レーザシステムから出力されるレーザ光を内部に導入するための入射口を有するチャンバと、
前記レーザ光をチャンバ内の所定の領域に集光させる集光光学系と、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の前記所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給システムと、
前記チャンバ内に配置され、前記所定の領域で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されて放射される所定の波長の光を集光する集光ミラーと、
を備える極端紫外光生成装置。 - 前記複数の半導体レーザの発振するレーザ光の波長が、前記増幅器の複数の増幅波長帯域の少なくとも1つと対応する、
請求項37記載のレーザシステム。 - 前記複数の半導体レーザの少なくとも1つは、前記複数の半導体レーザの他の半導体レーザとは異なる波長のレーザ光を発振する、
請求項41記載のレーザシステム。 - 前記複数の半導体レーザの少なくとも1つは、前記複数の半導体レーザの他の半導体レーザとは異なる強度でレーザ光を出力する、
請求項41記載のレーザシステム。 - 前記複数の半導体レーザの少なくとも1つは、前記複数の半導体レーザの他の半導体レーザとは異なるタイミングでレーザ光をパルス発振する、
請求項41記載のレーザシステム。
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---|---|---|---|
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EP11710044A EP2542936A1 (en) | 2010-03-04 | 2011-03-02 | Laser device, laser system, and extreme ultraviolet light generation apparatus |
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---|---|
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016059893A1 (ja) * | 2014-10-15 | 2016-04-21 | 株式会社アマダホールディングス | 半導体レーザ発振器 |
JP6223650B1 (ja) * | 2017-02-13 | 2017-11-01 | 三菱電機株式会社 | レーザ発振装置 |
WO2018173109A1 (ja) * | 2017-03-21 | 2018-09-27 | 三菱電機株式会社 | レーザ発振器及びレーザ加工装置 |
WO2019163335A1 (ja) * | 2018-02-26 | 2019-08-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光共振器及びレーザ加工機 |
US10727648B2 (en) | 2018-05-31 | 2020-07-28 | Nichia Corporation | Light source device |
US11031750B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-06-08 | Nichia Corporation | Light source device |
JP7098090B1 (ja) * | 2022-01-28 | 2022-07-08 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置およびレーザ加工機 |
JP7323774B2 (ja) | 2019-06-10 | 2023-08-09 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置および外部共振器型レーザモジュール |
JP7412662B1 (ja) | 2023-07-12 | 2024-01-12 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置およびレーザ加工装置 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5765730B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2015-08-19 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
DE102010050947B4 (de) * | 2010-11-10 | 2017-07-13 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Verfahren und Anordnung zur Stabilisierung des Quellortes der Erzeugung extrem ultravioletter (EUV-)Strahlung auf Basis eines Entladungsplasmas |
JP6054028B2 (ja) | 2011-02-09 | 2016-12-27 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置および極端紫外光生成システム |
US8604452B2 (en) * | 2011-03-17 | 2013-12-10 | Cymer, Llc | Drive laser delivery systems for EUV light source |
BR112016030522B1 (pt) * | 2014-07-03 | 2019-11-05 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp | aparelho de processamento a laser |
CN104319619B (zh) * | 2014-11-20 | 2017-06-16 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种基于衍射光栅的激光光束脉冲时序合成装置 |
US9525269B2 (en) * | 2014-11-22 | 2016-12-20 | TeraDiode, Inc. | Wavelength beam combining laser systems utilizing etalons |
WO2016144290A1 (en) * | 2015-03-06 | 2016-09-15 | Intel Corporation | Acousto-optics deflector and mirror for laser beam steering |
US9904068B1 (en) * | 2017-01-09 | 2018-02-27 | Asml Netherlands B.V. | Reducing an optical power of a reflected light beam |
US10048199B1 (en) * | 2017-03-20 | 2018-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Metrology system for an extreme ultraviolet light source |
CN107589549B (zh) * | 2017-10-19 | 2023-10-27 | 四川思创激光科技有限公司 | 一种光纤激光合成器 |
WO2019144063A1 (en) * | 2018-01-20 | 2019-07-25 | Ntt Docomo, Inc. | Light source for projection display |
WO2021044730A1 (ja) * | 2019-09-06 | 2021-03-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レーザ発振装置 |
US20210305763A1 (en) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | David Stucker | Composite fiber laser assembly |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0110201A2 (en) * | 1982-11-25 | 1984-06-13 | Központi Elelmiszeripari Kutato Intezet | Apparatus for providing radiation of controlled spectral composition |
JP2003115631A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ装置 |
US20050168819A1 (en) * | 2002-04-01 | 2005-08-04 | Santur Corporation | Laser and laser signal combiner |
WO2005085947A1 (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Nikon Corporation | レーザ光源装置、このレーザ光源装置を用いた露光装置及びマスク検査装置 |
JP2006091285A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光装置 |
JP2006267457A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Hoya Corp | 照明光学系 |
WO2006116477A2 (en) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Massachusetts Institute Of Technology | Multi-wavelength beam combiner |
US20070098324A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | Minebea Co., Ltd | Optical multiplexer and projection type display device incorporating same |
US20070229939A1 (en) * | 2005-01-26 | 2007-10-04 | Aculight Corporation | Method and apparatus for spectral-beam combining of fiber-amplified laser beams using high-efficiency dielectric diffractive gratings |
JP2010021518A (ja) * | 2008-06-12 | 2010-01-28 | Komatsu Ltd | スラブ型レーザ装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5432607A (en) * | 1993-02-22 | 1995-07-11 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for inspecting patterned thin films using diffracted beam ellipsometry |
US6900916B2 (en) * | 1999-03-04 | 2005-05-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Color laser display apparatus having fluorescent screen scanned with modulated ultraviolet laser light |
GB0031463D0 (en) * | 2000-12-21 | 2001-02-07 | Univ Southampton | Fibre laser |
US6755074B2 (en) * | 2001-02-27 | 2004-06-29 | Isco, Inc. | Liquid chromatographic method and system |
US7372056B2 (en) * | 2005-06-29 | 2008-05-13 | Cymer, Inc. | LPP EUV plasma source material target delivery system |
JP5196459B2 (ja) * | 2001-07-31 | 2013-05-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 広帯域波長可変レーザ光発生装置 |
US6995841B2 (en) * | 2001-08-28 | 2006-02-07 | Rice University | Pulsed-multiline excitation for color-blind fluorescence detection |
US6903379B2 (en) * | 2001-11-16 | 2005-06-07 | Gelcore Llc | GaN based LED lighting extraction efficiency using digital diffractive phase grating |
JP3898042B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2007-03-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置および光増幅装置 |
US6983090B2 (en) * | 2002-03-21 | 2006-01-03 | Jds Uniphase Inc. | High resolution tunable optical filter |
US7162113B2 (en) * | 2002-10-08 | 2007-01-09 | Infinera Corporation | Deployment of electro-optic amplitude varying elements (AVEs) and electro-optic multi-functional elements (MFEs) in photonic integrated circuits (PICs) |
JP2007523369A (ja) * | 2004-02-04 | 2007-08-16 | マイクロビジョン,インク. | 走査ビームヘッドアップ表示装置および関連システム、および方法 |
US7087914B2 (en) * | 2004-03-17 | 2006-08-08 | Cymer, Inc | High repetition rate laser produced plasma EUV light source |
US7386019B2 (en) * | 2005-05-23 | 2008-06-10 | Time-Bandwidth Products Ag | Light pulse generating apparatus and method |
US7440174B2 (en) * | 2006-02-24 | 2008-10-21 | Northrop Grumman Corporation | Coherent fiber diffractive optical element beam combiner |
JP5086664B2 (ja) * | 2007-03-02 | 2012-11-28 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
ITFI20070260A1 (it) * | 2007-11-21 | 2009-05-22 | Light 4 Tech Firenze S R L | Dispositivo per illuminare un oggetto con una sorgente di luce multispettrale e rivelare lo spettro della luce emessa. |
US7756169B2 (en) * | 2008-01-23 | 2010-07-13 | Northrop Grumman Systems Corporation | Diffractive method for control of piston error in coherent phased arrays |
US20090273840A1 (en) * | 2008-05-02 | 2009-11-05 | Mclaughlin Sheldon | Wavelength dispersing device |
JP2009289993A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子及び半導体光集積素子 |
US8536551B2 (en) * | 2008-06-12 | 2013-09-17 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultra violet light source apparatus |
JP2010048289A (ja) | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Akagi:Kk | 配管支持具用ボルト伴回り・脱落防止補助具及びそれを用いた配管支持具 |
JP5536401B2 (ja) * | 2008-10-16 | 2014-07-02 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置および極端紫外光光源装置 |
JP5455661B2 (ja) * | 2009-01-29 | 2014-03-26 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
US8304752B2 (en) * | 2009-04-10 | 2012-11-06 | Cymer, Inc. | EUV light producing system and method utilizing an alignment laser |
JP5048822B2 (ja) | 2010-10-04 | 2012-10-17 | 大和製衡株式会社 | 計量装置の異常検出方法及び計量装置 |
-
2011
- 2011-01-07 JP JP2011002471A patent/JP5701618B2/ja active Active
- 2011-03-02 WO PCT/JP2011/055440 patent/WO2011108761A1/en active Application Filing
- 2011-03-02 EP EP11710044A patent/EP2542936A1/en not_active Withdrawn
- 2011-03-02 US US13/121,340 patent/US20120012762A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0110201A2 (en) * | 1982-11-25 | 1984-06-13 | Központi Elelmiszeripari Kutato Intezet | Apparatus for providing radiation of controlled spectral composition |
JP2003115631A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ装置 |
US20050168819A1 (en) * | 2002-04-01 | 2005-08-04 | Santur Corporation | Laser and laser signal combiner |
WO2005085947A1 (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Nikon Corporation | レーザ光源装置、このレーザ光源装置を用いた露光装置及びマスク検査装置 |
JP2006091285A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光装置 |
US20070229939A1 (en) * | 2005-01-26 | 2007-10-04 | Aculight Corporation | Method and apparatus for spectral-beam combining of fiber-amplified laser beams using high-efficiency dielectric diffractive gratings |
JP2006267457A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Hoya Corp | 照明光学系 |
WO2006116477A2 (en) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Massachusetts Institute Of Technology | Multi-wavelength beam combiner |
US20070098324A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | Minebea Co., Ltd | Optical multiplexer and projection type display device incorporating same |
JP2010021518A (ja) * | 2008-06-12 | 2010-01-28 | Komatsu Ltd | スラブ型レーザ装置 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016059893A1 (ja) * | 2014-10-15 | 2016-04-21 | 株式会社アマダホールディングス | 半導体レーザ発振器 |
US10840670B2 (en) | 2017-02-13 | 2020-11-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser oscillator |
JP6223650B1 (ja) * | 2017-02-13 | 2017-11-01 | 三菱電機株式会社 | レーザ発振装置 |
WO2018146819A1 (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-16 | 三菱電機株式会社 | レーザ発振装置 |
WO2018173109A1 (ja) * | 2017-03-21 | 2018-09-27 | 三菱電機株式会社 | レーザ発振器及びレーザ加工装置 |
JPWO2018173109A1 (ja) * | 2017-03-21 | 2019-03-28 | 三菱電機株式会社 | レーザ発振器及びレーザ加工装置 |
JPWO2019163335A1 (ja) * | 2018-02-26 | 2021-03-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光共振器及びレーザ加工機 |
WO2019163335A1 (ja) * | 2018-02-26 | 2019-08-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光共振器及びレーザ加工機 |
US11031750B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-06-08 | Nichia Corporation | Light source device |
US11664641B2 (en) | 2018-03-28 | 2023-05-30 | Nichia Corporation | Light source device |
US10727648B2 (en) | 2018-05-31 | 2020-07-28 | Nichia Corporation | Light source device |
US10998698B2 (en) | 2018-05-31 | 2021-05-04 | Nichia Corporation | Light source device |
JP7323774B2 (ja) | 2019-06-10 | 2023-08-09 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置および外部共振器型レーザモジュール |
JP7098090B1 (ja) * | 2022-01-28 | 2022-07-08 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置およびレーザ加工機 |
WO2023144995A1 (ja) * | 2022-01-28 | 2023-08-03 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置およびレーザ加工機 |
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