JP2011203087A - Contact probe - Google Patents

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Koji Ishikawa
浩嗣 石川
Shunsuke Sasaki
俊輔 佐々木
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NHK Spring Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a contact probe enabling certain conduction between it and a contact object.SOLUTION: This conductive contact probe 2 is elastically deformable, and includes a carbon nanotube group CT1 consisting of a plurality of carbon nanotubes projecting from at least one end of the longitudinal direction of the contact probe 2. When each carbon nanotube comes into contact with the contact object, certain conduction regardless of the hardness of an oxide film and stable conduction against repeating use is achieved.

Description

本発明は、半導体集積回路や液晶パネルなどの検査対象の導通状態検査または動作特性検査に用いられるコンタクトプローブに関するものである。   The present invention relates to a contact probe used for a conduction state inspection or an operation characteristic inspection of an inspection target such as a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal panel.

従来、半導体集積回路や液晶パネルなどの検査対象の導通状態検査や動作特性検査を行う際には、検査対象と検査用信号を出力する信号処理装置との間の電気的な接続を図るために、コンタクトプローブを複数収容するプローブユニットが用いられる。プローブユニットにおいては、近年の半導体集積回路や液晶パネルの高集積化、微細化の進展に伴い、コンタクトプローブ間のピッチを狭小化することにより、高集積化、微細化された検査対象にも適用可能な技術が進歩してきている。   Conventionally, when conducting a conduction state inspection or an operation characteristic inspection of an inspection target such as a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal panel, an electrical connection is made between the inspection target and a signal processing device that outputs an inspection signal. A probe unit that accommodates a plurality of contact probes is used. The probe unit can be applied to highly integrated and miniaturized inspection objects by narrowing the pitch between contact probes with the progress of high integration and miniaturization of semiconductor integrated circuits and liquid crystal panels in recent years. Possible technologies are progressing.

上述したコンタクトプローブとして、プローブ電気特性の維持・安定化のため、下部プランジャと上部シリンダとが予め接触した状態とし、プローブの長手方向に弾性変形可能なコイルばねの弾性変形によって下部プランジャが上部シリンダ内部壁面を摺動するようにして、安定した検査を行なうことが可能なコンタクトプローブが開示されている(例えば、特許文献1参照)。   As the contact probe described above, the lower plunger and the upper cylinder are in contact with each other in advance to maintain and stabilize the probe electrical characteristics, and the lower plunger is moved to the upper cylinder by the elastic deformation of the coil spring that can be elastically deformed in the longitudinal direction of the probe. A contact probe capable of performing a stable inspection by sliding an inner wall surface is disclosed (for example, see Patent Document 1).

また、このコンタクトプローブは、検査対象の電極と接触した際に、電極表面に存在する汚れや不導体被膜(以下、「酸化皮膜」という)を突き破り、この酸化皮膜内部に接触することによって検査対象と信号処理装置とを電気的に接続する。   In addition, when this contact probe comes into contact with the electrode to be inspected, the contact probe breaks through dirt and a non-conductive film (hereinafter referred to as “oxide film”) present on the electrode surface, and comes into contact with the inside of this oxide film to be inspected. Are electrically connected to the signal processing device.

特開2010−25844号公報JP 2010-25844 A

しかしながら、特許文献1が開示する従来のコンタクトプローブでは、先端部が電極と接触する場合、電極表面の酸化皮膜を突き破ることができず、接触対象との間で導通不良を生じるおそれがあった。また、従来のコンタクトプローブは、繰り返し使用する場合において、酸化皮膜が先端部に付着することによって、接触対象との間で導通不良を生じるおそれがあった。   However, in the conventional contact probe disclosed in Patent Document 1, when the tip portion contacts the electrode, the oxide film on the electrode surface cannot be broken through, and there is a possibility that poor conduction with the contact target may occur. Further, when the conventional contact probe is used repeatedly, there is a possibility that poor conduction with the contact target may occur due to the oxide film adhering to the tip.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、接触対象との間で確実な導通を得ることができるコンタクトプローブを提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of the above, Comprising: It aims at providing the contact probe which can acquire reliable conduction | electrical_connection between contact objects.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、弾性変形可能な導電性の本体部と、前記本体部の長手方向の少なくとも一方の端部からそれぞれ突出する複数のカーボンナノチューブと、を備えたことを特徴とする。   In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention includes an elastically deformable conductive main body, and a plurality of carbon nanotubes protruding from at least one end in the longitudinal direction of the main body. , Provided.

また、本発明にかかるコンタクトプローブは、上記の発明において、前記端部は、前記長手方向と垂直な平面部を有し、前記カーボンナノチューブは、前記平面部から突出していることを特徴とする。   The contact probe according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the end portion has a flat portion perpendicular to the longitudinal direction, and the carbon nanotube protrudes from the flat portion.

また、本発明にかかるコンタクトプローブは、上記の発明において、前記端部は、前記平面部を底面とする凹状形状をなすことを特徴とする。   The contact probe according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the end portion has a concave shape with the flat surface as a bottom surface.

また、本発明にかかるコンタクトプローブは、上記の発明において、前記カーボンナノチューブは、前記長手方向に平行な方向に延びることを特徴とする。   In the contact probe according to the present invention as set forth in the invention described above, the carbon nanotube extends in a direction parallel to the longitudinal direction.

また、本発明にかかるコンタクトプローブは、上記の発明において、前記カーボンナノチューブは、前記端部の表面に垂直な方向に延びることを特徴とする。   In the contact probe according to the present invention as set forth in the invention described above, the carbon nanotube extends in a direction perpendicular to the surface of the end portion.

また、本発明にかかるコンタクトプローブは、上記の発明において、隣り合う前記カーボンナノチューブは、間隔を有することを特徴とする。   The contact probe according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the adjacent carbon nanotubes have a gap.

また、本発明にかかるコンタクトプローブは、上記の発明において、前記カーボンナノチューブを前記本体部に固定する固定部材を設けたことを特徴とする。   The contact probe according to the present invention is characterized in that in the above invention, a fixing member for fixing the carbon nanotube to the main body is provided.

本発明にかかるコンタクトプローブは、プローブの先端部に、カーボンナノチューブを複数設けて接触対象の電極と接触するようにしたので、確実な導通を得ることができるという効果を奏する。   The contact probe according to the present invention has an effect that reliable conduction can be obtained because a plurality of carbon nanotubes are provided at the tip of the probe so as to be in contact with the electrode to be contacted.

図1は、本発明の実施の形態にかかるプローブユニットの構成を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a probe unit according to an embodiment of the present invention. 図2は、本発明の実施の形態にかかるプローブユニットの要部の構成を示す部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing a configuration of a main part of the probe unit according to the embodiment of the present invention. 図3は、本発明の実施の形態にかかるプローブユニットの矢視A方向の上面図である。FIG. 3 is a top view of the probe unit according to the embodiment of the present invention in the arrow A direction. 図4は、本発明の実施の形態にかかるプローブユニットのB−B線断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the probe unit according to the embodiment of the present invention taken along line BB. 図5は、半導体集積回路の検査時におけるプローブユニットの要部の構成を示す部分断面図である。FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing the configuration of the main part of the probe unit at the time of inspection of the semiconductor integrated circuit. 図6は、本発明の実施の形態の変形例1であるプローブ先端部を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a probe tip which is a first modification of the embodiment of the present invention. 図7は、本発明の実施の形態の変形例2であるプローブ先端部を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a probe tip which is a second modification of the embodiment of the present invention. 図8は、本発明の実施の形態の変形例3であるプローブ先端部を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a probe tip which is a third modification of the embodiment of the present invention. 図9は、本発明の実施の形態の変形例4であるプローブ先端部を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a probe tip which is a fourth modification of the embodiment of the present invention. 図10は、本発明の実施の形態の変形例5であるプローブ先端部を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a probe tip which is a fifth modification of the embodiment of the present invention.

以下、本発明を実施するための形態を図面と共に詳細に説明する。なお、以下の実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、以下の説明において参照する各図は、本発明の内容を理解でき得る程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるに過ぎず、従って、本発明は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係のみに限定されるものではない。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited by the following embodiment. In addition, the drawings referred to in the following description only schematically show the shape, size, and positional relationship to the extent that the contents of the present invention can be understood. Therefore, the present invention is illustrated in the respective drawings. It is not limited only to the shape, size, and positional relationship.

図1は、本発明の実施の形態にかかるプローブユニットの構成を示す斜視図である。図1に示すプローブユニット1は、検査対象物である半導体集積回路100の電気特性検査を行う際に使用する装置であって、半導体集積回路100と半導体集積回路100へ検査用信号を出力する回路基板200との間を電気的に接続する装置である。   FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a probe unit according to an embodiment of the present invention. A probe unit 1 shown in FIG. 1 is a device used when performing an electrical characteristic test on a semiconductor integrated circuit 100 that is an object to be tested, and a circuit that outputs a test signal to the semiconductor integrated circuit 100 and the semiconductor integrated circuit 100. This is an apparatus for electrically connecting the substrate 200.

プローブユニット1は、長手方向の両端で互いに異なる二つの被接触体である半導体集積回路100および回路基板200に接触する導電性のコンタクトプローブ2(以下、単に「プローブ2」という)と、複数のプローブ2を所定のパターンにしたがって収容して保持するプローブホルダ3と、プローブホルダ3の周囲に設けられ、検査の際に複数のプローブ2と接触する半導体集積回路100の位置ずれが生じるのを抑制するホルダ部材4と、を有する。   The probe unit 1 includes a conductive contact probe 2 (hereinafter simply referred to as “probe 2”) that contacts two different objects to be contacted at both ends in the longitudinal direction, and a semiconductor substrate 100 and a circuit board 200. The probe holder 3 that accommodates and holds the probe 2 according to a predetermined pattern, and the semiconductor integrated circuit 100 that is provided around the probe holder 3 and contacts the plurality of probes 2 during inspection are prevented from being displaced. And a holder member 4 to be used.

図2は、プローブホルダ3に収容されるプローブ2の詳細な構成を示す図である。図2に示す本体部としてのプローブ2は、導電性材料を用いて形成され、半導体集積回路100の検査を行なうときにその半導体集積回路100の接続用電極に接触する第1プランジャ21と、検査回路を備えた回路基板200の電極に接触する第2プランジャ22と、第1プランジャ21と第2プランジャ22との間に設けられて二つの第1プランジャ21および第2プランジャ22を伸縮自在に連結するバネ部材23とを備える。プローブ2を構成する第1プランジャ21および第2プランジャ22、ならびにバネ部材23は同一の軸線を有している。プローブ2は、半導体集積回路100をコンタクトさせた際に、バネ部材23が軸線方向に伸縮することによって半導体集積回路100の接続用電極への衝撃を和らげるとともに、半導体集積回路100および回路基板200に荷重を加える。   FIG. 2 is a diagram showing a detailed configuration of the probe 2 accommodated in the probe holder 3. A probe 2 as a main body portion shown in FIG. 2 is formed using a conductive material, and when a test of the semiconductor integrated circuit 100 is performed, a first plunger 21 that contacts a connection electrode of the semiconductor integrated circuit 100, and a test A second plunger 22 that contacts an electrode of a circuit board 200 having a circuit, and is provided between the first plunger 21 and the second plunger 22 so that the two first plungers 21 and the second plunger 22 can be extended and contracted. And a spring member 23. The first plunger 21 and the second plunger 22 and the spring member 23 constituting the probe 2 have the same axis. When the probe 2 is brought into contact with the semiconductor integrated circuit 100, the spring member 23 expands and contracts in the axial direction, so that the impact on the connection electrode of the semiconductor integrated circuit 100 is reduced, and the semiconductor integrated circuit 100 and the circuit board 200 are reduced. Apply load.

第1プランジャ21は、半導体集積回路100の接続用電極に接触する先端部21aと、先端部21aの径と比して大きい径を有するフランジ部21bと、フランジ部21bを介して先端部21aと反対側に延び、フランジ部21bと比して径が小さく、バネ部材23の端部が圧入されるボス部21cと、ボス部21cを介してフランジ部21bと反対側に延び、ボス部21cと比して若干径が小さい基端部21dとを有する。   The first plunger 21 includes a front end portion 21a that contacts the connection electrode of the semiconductor integrated circuit 100, a flange portion 21b having a diameter larger than the diameter of the front end portion 21a, and a front end portion 21a via the flange portion 21b. A boss portion 21c that extends to the opposite side and has a smaller diameter than the flange portion 21b and into which the end of the spring member 23 is press-fitted, and extends to the opposite side of the flange portion 21b via the boss portion 21c. It has a base end portion 21d having a slightly smaller diameter.

先端部21aは、先端に向けて先細な先端形状をなすとともに、先端部分が第1プランジャ21の長手方向に対して垂直な平面形状をなす平面部21eを有する。また、平面部21eは、第1プランジャ21の長手方向に対して平行に延びる複数のカーボンナノチューブの束であるカーボンナノチューブ群CT1を有する。   The tip portion 21 a has a flat tip portion 21 e that has a tapered tip shape toward the tip, and the tip portion has a planar shape perpendicular to the longitudinal direction of the first plunger 21. The planar portion 21e has a carbon nanotube group CT1 that is a bundle of a plurality of carbon nanotubes extending in parallel to the longitudinal direction of the first plunger 21.

ここで、図3は、図2に示すプローブ2の矢視A方向の上面図である。また、図4は、図3に示す第1プランジャ21のB−B線断面図である。図3,4に示すように、第1プランジャ21の先端部21aは、プローブ2の長手方向に垂直な平面形状をなす平面部21eと、平面部21eに設けられ、円形の開口部を有する凹部21fと、凹部21fの底面からプローブ2の長手方向に延びる略円筒状のカーボンナノチューブCが間隔を有して複数配設されるブラシ状のカーボンナノチューブ群CT1とを有する。なお、凹部21fは、プローブ2の長手方向に垂直な底面を有する。   Here, FIG. 3 is a top view of the probe 2 shown in FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view of the first plunger 21 shown in FIG. As shown in FIGS. 3 and 4, the distal end portion 21 a of the first plunger 21 has a planar portion 21 e having a planar shape perpendicular to the longitudinal direction of the probe 2, and a concave portion provided on the planar portion 21 e and having a circular opening. 21f, and a brush-like carbon nanotube group CT1 in which a plurality of substantially cylindrical carbon nanotubes C extending in the longitudinal direction of the probe 2 from the bottom surface of the concave portion 21f are arranged at intervals. The recess 21 f has a bottom surface perpendicular to the longitudinal direction of the probe 2.

カーボンナノチューブCは、グラファイトシートが丸まった円筒形状をなす。カーボンナノチューブCは、この円筒状の直径が0.7〜50nm(ナノメートル)程度であって、高電流密度耐性、高熱伝導特性を有し、高い機械的強度と弾性力とを併せもつ。なお、カーボンナノチューブCの形成は、ここに書く特開2007−287375号公報が開示するような公知の技術を用いる。   The carbon nanotube C has a cylindrical shape in which a graphite sheet is rounded. The carbon nanotube C has a cylindrical diameter of about 0.7 to 50 nm (nanometers), has high current density resistance and high thermal conductivity, and has both high mechanical strength and elastic force. The carbon nanotubes C are formed by using a known technique as disclosed in JP 2007-287375 A described here.

第2プランジャ22は、図2に示すように、回路基板200上に形成された電極に当接する先鋭端を有する先端部22aと、先端部22aの径と比して大きい径のフランジ部22bと、フランジ部22bの先端部22aと対向して設けられ、フランジ部22bと比して径が小さく、バネ部材23の端部が圧入されるボス部22cと、ボス部22cのフランジ部22bと対向して設けられ、ボス部22cと比して若干径が小さい基端部22dとを有する。この第2プランジャ22は、バネ部材23の伸縮作用によって軸線方向に移動が可能であり、バネ部材23の弾性力によって回路基板200方向に付勢され、回路基板200の電極と接触する。   As shown in FIG. 2, the second plunger 22 includes a tip 22a having a sharp end that abuts against an electrode formed on the circuit board 200, and a flange 22b having a diameter larger than the diameter of the tip 22a. The boss portion 22c is provided opposite to the front end portion 22a of the flange portion 22b, has a smaller diameter than the flange portion 22b, and is pressed into the end portion of the spring member 23, and is opposed to the flange portion 22b of the boss portion 22c. And a base end portion 22d having a slightly smaller diameter than the boss portion 22c. The second plunger 22 can move in the axial direction by the expansion and contraction action of the spring member 23, is urged toward the circuit board 200 by the elastic force of the spring member 23, and comes into contact with the electrode of the circuit board 200.

バネ部材23は、第1プランジャ21側が密着巻き部23aである一方、第2プランジャ22側が粗巻き部23bである。密着巻き部23aの端部は、ボス部21dに圧入されて、フランジ部21cに当接している。一方、粗巻き部23bの端部は、ボス部22cに圧入され、フランジ部22bに当接している。   The spring member 23 has a tightly wound portion 23a on the first plunger 21 side, and a coarsely wound portion 23b on the second plunger 22 side. The end portion of the tightly wound portion 23a is press-fitted into the boss portion 21d and is in contact with the flange portion 21c. On the other hand, the end of the rough winding portion 23b is press-fitted into the boss portion 22c and is in contact with the flange portion 22b.

プローブホルダ3は、樹脂、マシナブルセラミック、シリコンなどの絶縁性材料を用いて形成され、図2の上面側に位置する第1部材31と下面側に位置する第2部材32とが積層されて成る。第1部材31および第2部材32には、複数のプローブ2を収容するためのホルダ孔33および34がそれぞれ同数ずつ形成され、プローブ2を収容するホルダ孔33および34は、互いの軸線が一致するように形成されている。ホルダ孔33および34の形成位置は、半導体集積回路100の配線パターンに応じて定められる。   The probe holder 3 is formed using an insulating material such as resin, machinable ceramic, silicon, etc., and a first member 31 located on the upper surface side and a second member 32 located on the lower surface side in FIG. 2 are laminated. Become. The first member 31 and the second member 32 are formed with the same number of holder holes 33 and 34 for accommodating a plurality of probes 2, respectively, and the holder holes 33 and 34 for accommodating the probes 2 have the same axis. It is formed to do. The formation positions of the holder holes 33 and 34 are determined according to the wiring pattern of the semiconductor integrated circuit 100.

ホルダ孔33および34は、ともに貫通方向に沿って径が異なる段付き孔形状をなしている。すなわち、ホルダ孔33は、プローブホルダ3の上端面に開口を有する小径部33aと、この小径部33aよりも径が大きい大径部33bとからなる。他方、ホルダ孔34は、プローブホルダ3の下端面に開口を有する小径部34aと、この小径部34aよりも径が大きい大径部34bとからなる。これらのホルダ孔33および34の形状は、収容するプローブ2の構成に応じて定められる。第1プランジャ21のフランジ部21cは、ホルダ孔33の小径部33aと大径部33bとの境界壁面に当接することにより、プローブ2のプローブホルダ3からの抜止機能を有する。また、第2プランジャ22のフランジ部22bは、ホルダ孔34の小径部34aと大径部34bとの境界壁面に当接することにより、プローブ2のプローブホルダ3からの抜止機能を有する。   Both holder holes 33 and 34 have stepped hole shapes with different diameters along the penetration direction. That is, the holder hole 33 includes a small diameter portion 33a having an opening on the upper end surface of the probe holder 3, and a large diameter portion 33b having a diameter larger than the small diameter portion 33a. On the other hand, the holder hole 34 includes a small-diameter portion 34a having an opening at the lower end surface of the probe holder 3, and a large-diameter portion 34b having a larger diameter than the small-diameter portion 34a. The shapes of the holder holes 33 and 34 are determined according to the configuration of the probe 2 to be accommodated. The flange portion 21 c of the first plunger 21 has a function of preventing the probe 2 from being removed from the probe holder 3 by contacting the boundary wall surface between the small diameter portion 33 a and the large diameter portion 33 b of the holder hole 33. Further, the flange portion 22b of the second plunger 22 has a function of preventing the probe 2 from being removed from the probe holder 3 by contacting the boundary wall surface between the small diameter portion 34a and the large diameter portion 34b of the holder hole 34.

図5は、プローブホルダ3を用いた半導体集積回路100の検査時の状態を示す図である。半導体集積回路100の検査時には、半導体集積回路100からの接触荷重により、バネ部材23は長手方向に沿って圧縮された状態となる。バネ部材23が圧縮されると、密着巻き部23aが第2プランジャ22の基端部22dと接触する。これにより確実な電気導通が得られる。この際には、第2プランジャ22の基端部22dが密着巻き部23aの下方まで進入しているため、第2プランジャ22の軸線が大きくぶれることはない。   FIG. 5 is a diagram illustrating a state at the time of inspection of the semiconductor integrated circuit 100 using the probe holder 3. When the semiconductor integrated circuit 100 is inspected, the spring member 23 is compressed along the longitudinal direction due to the contact load from the semiconductor integrated circuit 100. When the spring member 23 is compressed, the tightly wound portion 23 a comes into contact with the proximal end portion 22 d of the second plunger 22. Thereby, reliable electrical conduction is obtained. At this time, since the base end portion 22d of the second plunger 22 has entered the lower part of the tightly wound portion 23a, the axis of the second plunger 22 is not greatly shaken.

また、カーボンナノチューブ群CT1の各先端が、接続用電極101の表面に当接して、接続用電極101の表面に形成された酸化皮膜を突き破り、カーボンナノチューブを接続用電極101と直接接触させることができる。   Further, each tip of the carbon nanotube group CT1 abuts on the surface of the connection electrode 101, breaks through the oxide film formed on the surface of the connection electrode 101, and the carbon nanotube can be brought into direct contact with the connection electrode 101. it can.

検査時に回路基板200から半導体集積回路100に供給される検査用信号は、回路基板200の電極201からプローブ2の第1プランジャ21、密着巻き部23a、第2プランジャ22を経由して半導体集積回路100の接続用電極101へ到達する。このように、プローブ2では、第1プランジャ21と第2プランジャ22が密着巻き部23aを介して導通するため、電気信号の導通経路を最小にすることができる。したがって、検査時に粗巻き部23bに信号が流れるのを防止し、インダクタンスの低減および安定化を図ることができる。   A test signal supplied from the circuit board 200 to the semiconductor integrated circuit 100 at the time of inspection is transmitted from the electrode 201 of the circuit board 200 to the semiconductor integrated circuit via the first plunger 21, the tightly wound portion 23 a, and the second plunger 22 of the probe 2. 100 connection electrodes 101 are reached. Thus, in the probe 2, since the first plunger 21 and the second plunger 22 are conducted through the tightly wound portion 23a, the conduction path of the electric signal can be minimized. Therefore, it is possible to prevent a signal from flowing through the rough winding portion 23b during inspection, and to reduce and stabilize the inductance.

上述した実施の形態によって、高い強度を有するカーボンナノチューブが接続用電極表面の酸化皮膜を突き破ることができるため、回路基板と半導体集積回路との間に電気信号を確実に流し、検査の精度を維持することができる。また、カーボンナノチューブが有する弾性力によって、硬度の高い酸化皮膜であっても削り取って接続用電極と接触させることができる。さらに、カーボンナノチューブの表面は、プローブの先端部が金属の場合と比して接続用電極の材質が付着し難いため、プローブの寿命低下を防止することが可能となる。   According to the above-described embodiment, since carbon nanotubes having high strength can break through the oxide film on the surface of the connection electrode, an electrical signal is reliably passed between the circuit board and the semiconductor integrated circuit, and the inspection accuracy is maintained. can do. Further, even the oxide film having high hardness can be scraped off and brought into contact with the connection electrode by the elastic force of the carbon nanotube. Furthermore, since the material of the connection electrode is less likely to adhere to the surface of the carbon nanotube as compared with the case where the tip of the probe is made of metal, it is possible to prevent a decrease in the lifetime of the probe.

図6は、本実施の形態の変形例1である先端部を示す断面図である。図6に示す変形例1では、凹部21fと各カーボンナノチューブCとの接触部分に、固定部材21gを設けている。固定部材21gとしては、金属、樹脂等が挙げられる。凹部21fと各カーボンナノチューブCとの間に固定部材を設けることによって、凹部21fからカーボンナノチューブCが離脱することを一段と確実に防止できる。   FIG. 6 is a cross-sectional view showing a tip portion that is Modification 1 of the present embodiment. In the modification 1 shown in FIG. 6, the fixing member 21g is provided in the contact part of the recessed part 21f and each carbon nanotube C. As shown in FIG. Examples of the fixing member 21g include metals and resins. By providing a fixing member between the recess 21f and each carbon nanotube C, it is possible to more reliably prevent the carbon nanotube C from being detached from the recess 21f.

図7は、本実施の形態の変形例2である先端部21hを示す断面図である。図7に示す変形例2では、図4,6に示す凹部21fを設けずに、平面部21eに対してカーボンナノチューブCを配設してカーボンナノチューブ群CT2が形成されている。   FIG. 7 is a cross-sectional view showing a distal end portion 21h that is a second modification of the present embodiment. In the modified example 2 shown in FIG. 7, the carbon nanotube group CT2 is formed by disposing the carbon nanotubes C on the plane part 21e without providing the recesses 21f shown in FIGS.

また、図8は、本実施の形態の変形例3である先端部21iを示す断面図である。図8に示す変形例3では、図7に示す先端部21hと同様、平面部21eにカーボンナノチューブCを設けるとともに、平面部21e全体にカーボンナノチューブCを配設したカーボンナノチューブ群CT3が形成されている。   Moreover, FIG. 8 is sectional drawing which shows the front-end | tip part 21i which is the modification 3 of this Embodiment. In Modification 3 shown in FIG. 8, similarly to the tip 21h shown in FIG. 7, a carbon nanotube group CT3 is formed in which the carbon nanotube C is provided on the flat part 21e and the carbon nanotube C is provided on the entire flat part 21e. Yes.

図7,8に示す先端部21f,21hは、平面部21eにカーボンナノチューブCを配設するため、カーボンナノチューブ群CT2,CT3を形成させる面積の自由度を高めることができる。   The tip portions 21f and 21h shown in FIGS. 7 and 8 can increase the degree of freedom of the area in which the carbon nanotube groups CT2 and CT3 are formed because the carbon nanotubes C are disposed on the flat portion 21e.

図9は、本実施の形態の変形例4である先端部21jを示す断面図である。図9に示す変形例4では、上述した平面部21eを有さない先端部21jに対して、先端部21jの先端側の表面に、プローブ2の長手方向に平行な方向に延びるカーボンナノチューブCを配設したカーボンナノチューブ群CT4が形成されている。   FIG. 9 is a cross-sectional view showing a tip portion 21j that is a fourth modification of the present embodiment. In the modification 4 shown in FIG. 9, the carbon nanotube C extending in the direction parallel to the longitudinal direction of the probe 2 is formed on the surface on the distal end side of the distal end portion 21j with respect to the distal end portion 21j not having the flat surface portion 21e. Arranged carbon nanotube groups CT4 are formed.

図10は、本実施の形態の変形例5である先端部21kを示す断面図である。図10に示す変形例5では、図9に示す先端部21jと同様、上述した平面部21eを有さない先端部21kに対して、先端部21kの先端側の表面に、この表面と垂直な方向に延びるカーボンナノチューブCを配設したカーボンナノチューブ群CT5が形成されている。変形例5に係る先端部21kを有するプローブは、特に、接触用電極がプローブの長手方向と異なる方向に存在する場合に有効である。   FIG. 10 is a cross-sectional view showing a tip portion 21k that is a fifth modification of the present embodiment. In the modified example 5 shown in FIG. 10, as with the tip part 21 j shown in FIG. 9, the tip part 21 k not having the above-described flat part 21 e is perpendicular to the surface on the tip side of the tip part 21 k. A carbon nanotube group CT5 in which carbon nanotubes C extending in the direction are arranged is formed. The probe having the tip 21k according to the modification 5 is particularly effective when the contact electrode exists in a direction different from the longitudinal direction of the probe.

なお、本実施の形態で用いられるカーボンナノチューブは、単層であってもよく、多層であっても良い。カーボンナノチューブ群は、隣り合うカーボンナノチューブが間隔を有するものとして説明したが、各カーボンナノチューブが接触していてもよい。   Note that the carbon nanotubes used in the present embodiment may be single-walled or multi-walled. The carbon nanotube group has been described on the assumption that adjacent carbon nanotubes have an interval, but the carbon nanotubes may be in contact with each other.

また、カーボンナノチューブ(カーボンナノチューブ群)は、第2プランジャ22の先端部22aに配設してもよく、先端部21a,22aの両方に配設してもよい。   Further, the carbon nanotubes (carbon nanotube group) may be disposed at the distal end portion 22a of the second plunger 22, or may be disposed at both the distal end portions 21a and 22a.

以上のように、本発明にかかるコンタクトプローブは、電極と接続し、電気信号を導通させることに有用であり、特に、半田等、表面に酸化皮膜を形成する電極を使用する場合に適している。   As described above, the contact probe according to the present invention is useful for connecting to an electrode and conducting an electrical signal, and is particularly suitable when an electrode that forms an oxide film on the surface, such as solder, is used. .

1 プローブユニット
2 コンタクトプローブ(プローブ)
3 プローブホルダ
21 第1プランジャ
21a,22a 先端部
21b,22b フランジ部
21c,22c ボス部
21d,22d 基端部
22 第2プランジャ
23 バネ部材
23a 密着巻き部
23b 粗巻き部
31 第1部材
32 第2部材
33,34 ホルダ孔
33a,34a 小径部
33b,34b 大径部
100 半導体集積回路
101 接続用電極
200 回路基板
201 電極
C カーボンナノチューブ
CT1〜CT5 カーボンナノチューブ群
1 Probe unit 2 Contact probe (probe)
3 Probe Holder 21 First Plunger 21a, 22a Tip 21b, 22b Flange 21c, 22c Boss 21d, 22d Base 22 Member 33, 34 Holder hole 33a, 34a Small diameter part 33b, 34b Large diameter part 100 Semiconductor integrated circuit 101 Connection electrode 200 Circuit board 201 Electrode C Carbon nanotube CT1-CT5 Carbon nanotube group

Claims (7)

弾性変形可能な導電性の本体部と、
前記本体部の長手方向の少なくとも一方の端部からそれぞれ突出する複数のカーボンナノチューブと、
を備えたことを特徴とするコンタクトプローブ。
A conductive main body capable of elastic deformation;
A plurality of carbon nanotubes protruding from at least one end in the longitudinal direction of the main body, and
A contact probe comprising:
前記端部は、前記長手方向と垂直な平面部を有し、
前記カーボンナノチューブは、前記平面部から突出していることを特徴とする請求項1に記載のコンタクトプローブ。
The end portion has a plane portion perpendicular to the longitudinal direction,
The contact probe according to claim 1, wherein the carbon nanotube protrudes from the planar portion.
前記端部は、前記平面部を底面とする凹状形状をなすことを特徴とする請求項2に記載のコンタクトプローブ。   The contact probe according to claim 2, wherein the end portion has a concave shape having the flat surface as a bottom surface. 前記カーボンナノチューブは、前記長手方向に平行な方向に延びることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のコンタクトプローブ。   The contact probe according to claim 1, wherein the carbon nanotube extends in a direction parallel to the longitudinal direction. 前記カーボンナノチューブは、前記端部の表面に垂直な方向に延びることを特徴とする請求項1に記載のコンタクトプローブ。   The contact probe according to claim 1, wherein the carbon nanotube extends in a direction perpendicular to a surface of the end portion. 隣り合う前記カーボンナノチューブは、間隔を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載のコンタクトプローブ。   The contact probe according to claim 1, wherein the adjacent carbon nanotubes have an interval. 前記カーボンナノチューブを前記本体部に固定する固定部材を設けたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載のコンタクトプローブ。   The contact probe according to claim 1, further comprising a fixing member that fixes the carbon nanotube to the main body.
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