JP2011192137A

JP2011192137A - Memory card control system, memory card control device and memory card control method

Info

Publication number: JP2011192137A
Application number: JP2010059034A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Yamada; 昌宏山田; Takeshi Otsuka; 健大塚
Original assignee: Panasonic Corp
Current assignee: Panasonic Corp
Priority date: 2010-03-16
Filing date: 2010-03-16
Publication date: 2011-09-29

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem in which it is difficult to extract an appropriate access performance according to a semiconductor memory card. <P>SOLUTION: The memory card control device 100 includes an error correction information generator 108 which generates error correction information on data in recording of the data, and records the data together with the error correction information; an error corrector 104 which acquires, in the event of an error on acquired data, error correction information necessary for the error correction, and corrects the error; and a status information reader 106 which determines whether to operate the error correction information generator 108 and the error corrector 104 based on information about a flash memory 112 or the like in a memory card 110 and information about error correction executable in the memory card 110. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、記録媒体であるメモリカードへのアクセスを制御するメモリカード制御システムに関するものであり、特に、メモリカードの種類、メモリカード内でのエラー訂正の有無に応じて、メモリカードへのアクセス時にエラー訂正を行うかを決定するメモリカード制御システムに関するものである。 The present invention relates to a memory card control system that controls access to a memory card that is a recording medium, and in particular, accesses to a memory card depending on the type of memory card and the presence or absence of error correction in the memory card. The present invention relates to a memory card control system that determines whether error correction is sometimes performed.

現在、ＳＤカード等のフラッシュメモリが内蔵されたカード型の記録媒体であるメモリカードは、超小型、超薄型であり、その取り扱い易さから、ディジタルスチルカメラ等のディジタル機器に広く利用されている。 Currently, memory cards, which are card-type recording media with built-in flash memory such as SD cards, are ultra-small and ultra-thin, and are widely used in digital devices such as digital still cameras because of their ease of handling. Yes.

メモリカードに内蔵されているフラッシュメモリは、一定サイズの多数の物理ブロックから成り、物理ブロックの単位でデータを消去できるメモリである。昨今の大容量化の要請に対応すべく、フラッシュメモリは１セルで２ビット以上のデータが蓄積できる多値フラッシュメモリが商品化されている。 The flash memory built in the memory card is a memory that includes a large number of physical blocks of a certain size and can erase data in units of physical blocks. In order to respond to the recent demand for larger capacity, flash memory has been commercialized as multi-value flash memory that can store data of 2 bits or more in one cell.

多値のフラッシュメモリでは、閾値電圧Ｖｔｈに複数の状態を設けてフラッシュメモリの電子の蓄積量を制御する多値記録を行い、大容量化を実現している。 In a multi-value flash memory, a plurality of states are provided for the threshold voltage Vth to perform multi-value recording for controlling the amount of electrons stored in the flash memory, thereby realizing a large capacity.

しかしながら、フラッシュメモリは、多値化に伴い、書き込みや読み出し時にエラーが発生する割合が大きくなり、エラー訂正への対応が求められている。 However, with flash memory, the rate at which errors occur at the time of writing and reading increases as flash memory becomes multi-level, and it is required to deal with error correction.

フラッシュメモリのエラー訂正に関する技術として、特許文献１に開示の技術がある。特許文献１では、転送データをホスト機器から受信するインタフェース部と、転送データに基づいて第１のコードデータを生成するコードデータ生成部と、転送データと第１のコードデータとを格納する不揮発性半導体メモリと、不揮発性半導体メモリとの間で、転送データと第１のコードデータとの送受信を行うメモリ制御部と、不揮発性半導体メモリから読み出された転送データと当該転送データに対応する第１のコードデータとに基づいて、転送データに含まれるエラービットを訂正することが可能なエラー訂正部とを具備し、インタフェース部は、エラービットを含む転送データをホスト機器に送信するメモリカードが開示されている。 As a technique related to error correction of a flash memory, there is a technique disclosed in Patent Document 1. In Patent Literature 1, an interface unit that receives transfer data from a host device, a code data generation unit that generates first code data based on the transfer data, and a nonvolatile memory that stores the transfer data and the first code data A memory control unit that transmits and receives transfer data and first code data between the semiconductor memory and the nonvolatile semiconductor memory, transfer data read from the nonvolatile semiconductor memory, and a first data corresponding to the transfer data And an error correction unit capable of correcting an error bit included in the transfer data based on the code data of one, and the interface unit is a memory card that transmits the transfer data including the error bit to the host device. It is disclosed.

このようなエラー訂正回路が搭載されたメモリカードにおいて、メモリカードは、エラービットを含む転送データを送信することにより、ホスト機器は、エラービットを含む転送データを用いて、より高度なエラー訂正処理を実現できる。 In a memory card equipped with such an error correction circuit, the memory card transmits transfer data including error bits, so that the host device can perform more advanced error correction processing using the transfer data including error bits. Can be realized.

特開２００６−１５５４０８号公報JP 2006-155408 A

しかしながら、上記従来の技術では、フラッシュメモリの種類やエラー訂正機能の有無が区別できないため、書き込みや読み出し時にエラーの発生する割合が低く、エラー訂正を行う必要の無い２値のフラッシュメモリや、エラー訂正機能を有するメモリカードに対してもエラー訂正を行うことになり、エラービットを含む転送データが転送されるため、転送レートが低下し、メモリカードの性能を十分に引き出すことができないという課題がある。 However, in the above conventional technique, the type of flash memory and the presence or absence of an error correction function cannot be distinguished, so the rate of occurrence of errors during writing and reading is low, and binary flash memory that does not require error correction or error The error correction is performed even for the memory card having the correction function, and the transfer data including the error bit is transferred, so that the transfer rate is lowered and the performance of the memory card cannot be sufficiently obtained. is there.

上記課題を解決するために、メモリカード制御システムは、半導体メモリカードと、前記半導体メモリカードへのアクセスを制御するメモリカード制御装置とからなるメモリカード制御システムであって、前記半導体メモリカードは、少なくとも一つの不揮発メモリと、前記不揮発メモリに関する情報と、当該半導体メモリカード内で実施可能なエラー訂正に関する情報とを保持するステータス情報保持部と、前記メモリカード制御装置からのアクセス要求に対して、前記不揮発性メモリ又は前記ステータス情報保持部へのアクセスを制御する制御部と、を備え、前記メモリカード制御装置は、前記半導体メモリカードへのアクセスを制御するインターフェイス部と、前記インターフェイス部を介してデータを記録する際に、前記データに関するエラー訂正情報を生成し、前記データを前記エラー訂正情報とともに記録するエラー訂正情報生成部と、前記インターフェイス部を介して取得したデータに対してエラーが発生した場合に、エラー訂正に必要なエラー訂正情報を、前記インターフェイス部を介して取得し、前記データを訂正するエラー訂正部と、前記インターフェイス部を介して取得した前記不揮発性メモリに関する情報と前記エラー訂正に関する情報とを基に、前記エラー訂正情報生成部及び前記エラー訂正部を動作させるかを決定するエラー訂正決定部と、を備える。 In order to solve the above problems, a memory card control system is a memory card control system including a semiconductor memory card and a memory card control device that controls access to the semiconductor memory card, and the semiconductor memory card includes: At least one nonvolatile memory, information on the nonvolatile memory, a status information holding unit that holds information on error correction that can be performed in the semiconductor memory card, and an access request from the memory card control device, A control unit that controls access to the nonvolatile memory or the status information holding unit, and the memory card control device includes an interface unit that controls access to the semiconductor memory card, and the interface unit. When recording data, Error correction information generation unit that records the data together with the error correction information and an error necessary for error correction when an error occurs in the data acquired through the interface unit. Based on the error correction unit that acquires correction information through the interface unit and corrects the data, the information about the nonvolatile memory and the information about error correction acquired through the interface unit, the error An error correction determination unit that determines whether to operate the correction information generation unit and the error correction unit.

上記の構成によって、メモリカード制御システムは、メモリカード内の不揮発メモリの種類や、メモリカード内でのエラー訂正の有無に応じて、メモリカードへのアクセスを制御することにより、メモリカードに応じたアクセス性能を引き出すことができる。 With the above configuration, the memory card control system controls access to the memory card according to the type of non-volatile memory in the memory card and the presence or absence of error correction in the memory card. Access performance can be extracted.

実施の形態におけるメモリカード制御システムの構成を示すブロック図The block diagram which shows the structure of the memory card control system in embodiment 実施の形態におけるメモリカードとの接続を示すブロック図The block diagram which shows the connection with the memory card in the embodiment 実施の形態におけるメモリカードへのアクセスの詳細を示す図The figure which shows the detail of access to the memory card in embodiment 実施の形態における２値のメモリカードの構成を示すブロック図The block diagram which shows the structure of the binary memory card in embodiment 実施の形態におけるエラー訂正機能を有する多値のメモリカードの構成を示すブロック図1 is a block diagram showing a configuration of a multi-value memory card having an error correction function in an embodiment 実施の形態におけるエラー訂正機能を有さない多値のメモリカードの構成を示すブロック図1 is a block diagram showing the configuration of a multi-value memory card that does not have an error correction function in an embodiment 実施の形態におけるメモリカードのステータス情報の読み出しを示すフローチャートFlowchart showing reading of status information of memory card in the embodiment 実施の形態におけるメモリカードへのデータライトを示すフローチャートFlowchart showing data write to the memory card in the embodiment 実施の形態におけるメモリカードからのデータリードを示すフローチャートFlowchart showing data read from the memory card in the embodiment

以下、実施の形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.

図１は本実施の形態におけるメモリカード制御システム１の構成を示すブロック図である。メモリカード制御システム１は、メモリカード制御装置１００とメモリカード１１０とを含む。 FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a memory card control system 1 in the present embodiment. The memory card control system 1 includes a memory card control device 100 and a memory card 110.

図１において、メモリカード制御装置１００は、外部インターフェイス手段１０１と、コマンド解析手段１０２と、メモリカード制御手段１０３とを含む。 In FIG. 1, the memory card control device 100 includes an external interface unit 101, a command analysis unit 102, and a memory card control unit 103.

外部インターフェイス手段１０１は、ホスト機器とのコマンドの送受信やデータ転送を行う。 The external interface unit 101 performs transmission / reception of commands and data transfer with the host device.

コマンド解析手段１０２は、ホスト機器より外部インターフェイス手段１０１を介して発行されたコマンドの解析を行う。例えば解析の結果がメモリカードからのデータリードであった場合はメモリカード制御手段１０３にリード動作を命令する。 The command analysis unit 102 analyzes a command issued from the host device via the external interface unit 101. For example, if the result of analysis is data read from a memory card, the memory card control means 103 is instructed to perform a read operation.

メモリカード制御手段１０３は、エラー訂正手段１０４と、データリード手段１０５と、メモリカードステータス情報リード手段１０６と、データライト手段１０７と、エラー訂正情報生成手段１０８と、メモリカードインターフェイス手段１０９とから構成される。 The memory card control unit 103 includes an error correction unit 104, a data read unit 105, a memory card status information read unit 106, a data write unit 107, an error correction information generation unit 108, and a memory card interface unit 109. Is done.

エラー訂正手段１０４は、リードエラー発生時にメモリカード１１０に記録されているエラー訂正情報を、データリード手段１０５を介して読み出し、リードエラーの発生したユーザデータの訂正を行う。なお、エラー訂正手段１０４は接続されるメモリカード１１０の内部構成によって機能をＯＮ／ＯＦＦする事が可能である。 The error correction unit 104 reads the error correction information recorded in the memory card 110 when a read error occurs through the data read unit 105, and corrects user data in which the read error has occurred. The error correction means 104 can be turned on / off depending on the internal configuration of the connected memory card 110.

データリード手段１０５はメモリカードインターフェイス手段１０９を介してメモリカード１１０から読み出したユーザデータを、外部インターフェイス手段１０１を介してホスト機器へ転送する。また、データリード手段１０５は、リードエラー発生時はエラー訂正手段１０４からの命令によりメモリカードインターフェイス手段１０９を介してメモリカード１１０からエラー訂正情報を読み出す。 The data read unit 105 transfers user data read from the memory card 110 via the memory card interface unit 109 to the host device via the external interface unit 101. In addition, when a read error occurs, the data read unit 105 reads error correction information from the memory card 110 via the memory card interface unit 109 according to a command from the error correction unit 104.

ステータス情報リード手段１０６は、メモリカードインターフェイス手段１０９を介してメモリカード１１０のメモリカードステータス情報１１６の読み出しとメモリカードステータス情報１１６の解析を行い、メモリカード制御手段１０３のエラー訂正機能のＯＮ／ＯＦＦを判断する。 The status information reading means 106 reads out the memory card status information 116 of the memory card 110 and analyzes the memory card status information 116 via the memory card interface means 109, and turns on / off the error correction function of the memory card control means 103. Judging.

データライト手段１０７はホスト機器から外部インターフェイス手段１０１を介して転送されたライトデータを、メモリカードインターフェイス手段１０９を介してメモリカード１１０へ書き込む。また、エラー訂正情報生成手段１０８によって生成されたエラー訂正情報をライトデータ同様、メモリカードインターフェイス手段１０９を介してメモリカード１１０へ書き込む。 The data write means 107 writes the write data transferred from the host device via the external interface means 101 to the memory card 110 via the memory card interface means 109. In addition, the error correction information generated by the error correction information generation means 108 is written to the memory card 110 via the memory card interface means 109 as with the write data.

エラー訂正情報生成手段１０８はホスト機器から転送されるライトデータからエラー訂正情報を生成する。ライトデータＮバイトに対してＭバイトのエラー訂正情報が生成され、メモリカード１１０に書き込まれるデータ量はＮ＋Ｍバイトとなる。このため、ホスト機器から書き込み可能なデータ量はメモリカード１１０の容量よりも少なくなる。なお、エラー訂正情報生成手段１０８はエラー訂正手段１０４と同様、接続されるメモリカード１１０の内部構成によって機能をＯＮ／ＯＦＦする事が可能である。 The error correction information generation means 108 generates error correction information from the write data transferred from the host device. M bytes of error correction information are generated for N bytes of write data, and the amount of data written to the memory card 110 is N + M bytes. For this reason, the amount of data writable from the host device is smaller than the capacity of the memory card 110. Note that the error correction information generation unit 108 can turn on / off the function depending on the internal configuration of the memory card 110 to be connected, like the error correction unit 104.

メモリカードインターフェイス手段１０９はメモリカード１１０のインターフェイスプロトコルを用いてデータの読み書きを行う。 The memory card interface unit 109 reads and writes data using the interface protocol of the memory card 110.

メモリカード１１０は、メモリコントローラ１１１と、少なくとも１つのフラッシュメモリと、メモリカードステータス情報１１６と、から構成される。なお、本実施の形態では４枚のフラッシュメモリ１１２から１１５を内蔵している。 The memory card 110 includes a memory controller 111, at least one flash memory, and memory card status information 116. In this embodiment, four flash memories 112 to 115 are incorporated.

メモリコントローラ１１１はメモリカードインターフェイス手段１０９が発行するコマンドの解析を行い、データの読み出しの場合はフラッシュメモリ１１２から１１５よりデータを読み出し、メモリカードインターフェイス手段１０９へ転送する。データの書き込みの場合は転送されたライトデータをフラッシュメモリ１１２から１１５へ書き込む。また、ステータス情報の読み出しの場合は、メモリカードステータス情報１１６よりステータス情報を読み出し、メモリカードインターフェイス手段１０９へ転送する。 The memory controller 111 analyzes a command issued by the memory card interface unit 109. In the case of reading data, the memory controller 111 reads data from the flash memories 112 to 115 and transfers it to the memory card interface unit 109. In the case of data writing, the transferred write data is written to the flash memories 112 to 115. In the case of reading the status information, the status information is read from the memory card status information 116 and transferred to the memory card interface means 109.

フラッシュメモリ１１２から１１５はデータライト手段１０７によって書き込まれたデータを記録する。 The flash memories 112 to 115 record the data written by the data write means 107.

メモリカードステータス情報１１６はメモリカード１１０の容量や内蔵されているフラッシュメモリ１１２から１１５のメモリタイプ（２値／多値）、エラー訂正手段の有無などを格納し、メモリカードインターフェイス手段１０９から発行される専用コマンドにて読み出される。 The memory card status information 116 stores the capacity of the memory card 110, the memory type (binary / multi-value) of the built-in flash memories 112 to 115, the presence / absence of error correction means, etc., and is issued from the memory card interface means 109. Read with a dedicated command.

次にメモリカードインターフェイス手段１０９とメモリカード１１０との接続について図２を用いて説明する。 Next, the connection between the memory card interface unit 109 and the memory card 110 will be described with reference to FIG.

メモリカードインターフェイス手段１０９とメモリカード１１０は「コマンド」、「クロック」、「データ」、「レスポンス」の信号線によって接続され、図２における矢印は信号の向きを示している。なお、「コマンド」、「データ」、「レスポンス」は全てメモリカードインターフェイス手段１０９が出力する「クロック」に同期した転送であり、メモリカード１１０はメモリカードインターフェイス手段１０９から出力される「コマンド」に応じた動作を行う。また、メモリカード１１０は受信した「コマンド」がレスポンスを必要とするコマンドである場合は、受信可能なコマンドに対してのみレスポンスを返す。すなわち、メモリカードインターフェイス手段１０９はメモリカード１１０からのレスポンスの有無によって、発行したコマンドの対応の可否を知る事が可能である。 The memory card interface means 109 and the memory card 110 are connected by signal lines of “command”, “clock”, “data”, and “response”, and the arrows in FIG. 2 indicate the directions of signals. The “command”, “data”, and “response” are all transferred in synchronization with the “clock” output from the memory card interface unit 109, and the memory card 110 is transferred to the “command” output from the memory card interface unit 109. Perform the corresponding action. If the received “command” is a command that requires a response, the memory card 110 returns a response only to the receivable command. That is, the memory card interface unit 109 can know whether the issued command can be handled based on the presence / absence of a response from the memory card 110.

「データ」はある一定のサイズ単位（以下Ｎバイト）で転送が行われ、転送するデータの先頭にデータの開始を示すスタートフラグが付随し、受信側はスタートフラグを検出してデータの受信を開始する。また、Ｎバイト毎に転送の状態を示すステータスフラグが付随し、ステータスフラグを解析することにより転送が正常に完了した事を検知する事が可能である。 "Data" is transferred in a certain size unit (hereinafter referred to as N bytes), and a start flag indicating the start of the data is attached to the head of the data to be transferred. The receiving side detects the start flag and receives the data. Start. Further, a status flag indicating the transfer state is attached every N bytes, and it is possible to detect that the transfer has been normally completed by analyzing the status flag.

図３にインターフェイスプロトコルの詳細を示す。図３（ａ）はメモリカード１１０のメモリカードステータス情報１１６を読み出す場合を示す。まず、メモリカードインターフェイス手段１０９から「コマンド」信号線に「ステータスリードコマンド」がメモリカード１１０に対して発行される。メモリカード１１０が「ステータスリードコマンド」に対応している場合、メモリカードステータス情報１１６より読み出したステータス情報を「データ」信号線に出力する。転送されるデータは前述したスタートフラグを先頭に付随し、続いてメモリカードステータス情報１１６を含むＮバイトのデータが転送され、最後にステータスフラグが転送される。メモリカード制御手段１０３はステータスフラグにエラーがある場合には再度メモリカードステータス情報の読み込み、あるいはエラー処理等を行う。また、メモリカード１１０は「ステータスリードコマンド」に対応する場合、コマンド受信時のエラーの有無などを「レスポンス」信号線に出力し、対応しない場合は「データ」と「レスポンス」の各信号線に対して何も出力しない。 FIG. 3 shows details of the interface protocol. FIG. 3A shows a case where the memory card status information 116 of the memory card 110 is read. First, a “status read command” is issued from the memory card interface means 109 to the “command” signal line to the memory card 110. When the memory card 110 supports the “status read command”, the status information read from the memory card status information 116 is output to the “data” signal line. The data to be transferred is accompanied by the start flag described above, followed by N bytes of data including the memory card status information 116, and finally the status flag. When there is an error in the status flag, the memory card control means 103 reads the memory card status information again or performs error processing. Further, the memory card 110 outputs the presence / absence of an error at the time of command reception to the “response” signal line when corresponding to the “status read command”, and to the “data” and “response” signal lines when not corresponding. In contrast, nothing is output.

図３（ｂ）にはメモリカード１１０よりデータを読み出す場合に使用する「データリードコマンド」について示す。なお、ここでは４＊Ｎバイト分のデータを読み出す場合について示す。まず、メモリカードインターフェイス手段１０９から「コマンド」信号線に「データリードコマンド」と読み出し開始のアドレスがメモリカード１１０に対して発行される。メモリカード１１０は内蔵するフラッシュメモリ１１２から１１５よりデータを読み出し、Ｎバイト毎にスタートフラグとステータスフラグを付随し、リードの終了を意味する「ストップコマンド」を受信するまでフラッシュメモリ１１２から１１５からの読み出しとメモリカードインターフェイス手段１０９へのデータの転送を継続する。 FIG. 3B shows a “data read command” used when reading data from the memory card 110. Here, a case where data of 4 * N bytes is read is shown. First, the memory card interface unit 109 issues a “data read command” and a read start address to the “command” signal line to the memory card 110. The memory card 110 reads data from the built-in flash memories 112 to 115, and is accompanied by a start flag and a status flag every N bytes, and from the flash memories 112 to 115 until a “stop command” indicating the end of reading is received. Reading and data transfer to the memory card interface means 109 are continued.

図３（ｃ）にはメモリカード１１０にデータを書き込む場合に使用する「データライトコマンド」について示す。なお、ここでは４＊Ｎバイト分のデータを書き込む場合について示す。まず、メモリカードインターフェイス手段１０９から「コマンド」信号線に「データライトコマンド」と書き込み開始のアドレスがメモリカード１１０に対して発行される。メモリカードインターフェイス手段１０９はメモリカード１１０よりレスポンスを受信すると、Ｎバイト毎に書き込むデータの先頭にスタートフラグを付随して転送する。メモリカード１１０は受信したＮバイトをフラッシュメモリ１１２から１１５に書き込むためビジーを返す。書き込みが完了した後にメモリカード１１０はステータスフラグをメモリカードインターフェイス手段１０９へ返して書き込みエラーの有無を通知する。メモリカードインターフェイス手段１０９はステータスフラグを解析し、書き込みエラーが無い場合は先に転送したデータに続くＮバイトを同様に転送する。メモリカードインターフェイス手段１０９は書き込みエラーがある場合はデータの再送あるいはエラー処理を行う。メモリカードインターフェイス手段１０９は最後のデータを転送後にライトの終了を意味する「ストップコマンド」を送信し、最後のデータ転送に対するステータスフラグにエラーが無ければ動作完了となる。 FIG. 3C shows a “data write command” used when writing data to the memory card 110. Here, a case where data of 4 * N bytes is written is shown. First, the memory card interface unit 109 issues a “data write command” and a write start address to the “command” signal line to the memory card 110. When the memory card interface unit 109 receives a response from the memory card 110, the memory card interface unit 109 transfers a start flag to the head of data to be written every N bytes. The memory card 110 returns busy to write the received N bytes to the flash memories 112 to 115. After the writing is completed, the memory card 110 returns a status flag to the memory card interface means 109 to notify the presence or absence of a writing error. The memory card interface unit 109 analyzes the status flag, and when there is no write error, similarly transfers the N bytes following the previously transferred data. If there is a write error, the memory card interface means 109 performs data retransmission or error processing. The memory card interface means 109 transmits a “stop command” indicating the end of writing after the last data is transferred, and the operation is completed if there is no error in the status flag for the last data transfer.

次にメモリカード制御手段１０３に接続されるメモリカードの種類について図４から図６を用いて説明する。 Next, the types of memory cards connected to the memory card control means 103 will be described with reference to FIGS.

図４において、メモリカード４００は、メモリコントローラ４０１と、４枚のフラッシュメモリ４０２から４０５と、メモリカードステータス情報４０６と、から構成される。メモリコントローラ４０１の機能は前述したメモリコントローラ１１１と基本機能は同一であるため、説明を省略する。内蔵されているフラッシュメモリ４０２から４０５は２値タイプであり、２値タイプは一般的に多値タイプよりも書き換え可能回数が多く、データ保持特性も良いため高品質とされている。メモリカードステータス情報４０６に格納される情報として、メモリカード４００の容量（フラッシュメモリ４０２から４０５の合計容量）、メモリタイプ（２値）及びエラー訂正手段（なし）が格納される。 In FIG. 4, the memory card 400 includes a memory controller 401, four flash memories 402 to 405, and memory card status information 406. Since the basic function of the memory controller 401 is the same as that of the memory controller 111 described above, description thereof is omitted. The built-in flash memories 402 to 405 are binary types, and the binary type generally has a higher number of rewritable times than the multi-value type, and has high data retention characteristics, and is therefore of high quality. As information stored in the memory card status information 406, the capacity of the memory card 400 (the total capacity of the flash memories 402 to 405), the memory type (binary), and error correction means (none) are stored.

図５において、メモリカード５００は、メモリコントローラ５０１と、４枚のフラッシュメモリ５０４から５０７と、メモリカードステータス情報５０８と、から構成される。更に、メモリコントローラ５０１はエラー訂正情報生成手段５０２とエラー訂正手段５０３から構成され、エラー訂正情報生成手段５０２はメモリカードコントローラ５０１が受信したコマンドがライトの場合にメモリカードインターフェイス手段１０９を介して転送されたライトデータからエラー訂正情報を生成する。生成されたエラー訂正情報は転送されたライトデータと同様、フラッシュメモリ５０４から５０７に書き込まれる。 In FIG. 5, the memory card 500 includes a memory controller 501, four flash memories 504 to 507, and memory card status information 508. Further, the memory controller 501 includes an error correction information generation unit 502 and an error correction unit 503. The error correction information generation unit 502 transfers the command via the memory card interface unit 109 when the command received by the memory card controller 501 is a write. Error correction information is generated from the written data. The generated error correction information is written in the flash memories 504 to 507 in the same manner as the transferred write data.

エラー訂正手段５０３はメモリカードコントローラ５０１が受信したコマンドがリードの場合において、フラッシュメモリ５０４から５０７から読み出したリードデータで読み出しエラーした場合、フラッシュメモリ５０４から５０７に記録されているエラーの発生したリードデータに対応するエラー訂正情報を読み出し、エラー訂正処理を実行する。エラー訂正処理により復元されたデータは読み出しエラーが発生しなかった場合と同様、メモリカードインターフェイス手段１０９へ転送される。エラー訂正処理により復元できなかった場合はメモリカードインターフェイス手段１０９へ読み出しエラーを通知する。 When the command received by the memory card controller 501 is a read, the error correction unit 503 reads a read error from the read data read from the flash memories 504 to 507, and the read in which the error recorded in the flash memories 504 to 507 occurs. Error correction information corresponding to the data is read and error correction processing is executed. The data restored by the error correction process is transferred to the memory card interface means 109 as in the case where no read error has occurred. When the error cannot be restored by the error correction process, the memory card interface means 109 is notified of the read error.

内蔵されているフラッシュメモリ５０４から５０７は、書き換え可能回数およびデータ保持特性では２値タイプに劣るが、安価で大容量化が可能な多値タイプである。なお、前述したメモリコントローラ５０１のエラー訂正情報生成手段５０２とエラー訂正手段５０３は、２値タイプに比べて劣る品質の改善を目的としている。また、フラッシュメモリ５０４から５０７にはライトデータの他にエラー訂正情報が書き込まれるため、ホスト機器から転送可能なライトデータのサイズは内蔵するフラッシュメモリ５０４から５０７の合計容量よりも少なくなる。例えばメモリカード５００におけるフラッシュメモリ１枚の容量が１ＧＢである場合、合計容量は４ＧＢであるがライトデータ６４ＫＢ毎に１６ＫＢのエラー訂正情報を生成する場合、ホスト機器から転送可能なライトデータの最大サイズは３．２ＧＢとなる。よってメモリカードステータス情報５０８に格納される情報として、メモリカード５００の容量（Ｔ×（Ｗ／（Ｗ＋Ｅ）））（ここで、Ｔ：フラッシュメモリ５０４から５０７の合計容量、Ｗ：エラー訂正情報を生成するために必要なライトデータのサイズ、Ｅ：エラー訂正情報のデータサイズ）、メモリタイプ（多値タイプ）、及びエラー訂正手段（あり）が格納される。 Built-in flash memories 504 to 507 are inferior to the binary type in the number of rewritable times and data retention characteristics, but are multi-valued types that are inexpensive and can be increased in capacity. The error correction information generation unit 502 and the error correction unit 503 of the memory controller 501 described above are intended to improve quality that is inferior to that of the binary type. Since error correction information is written in addition to the write data in the flash memories 504 to 507, the size of the write data that can be transferred from the host device is smaller than the total capacity of the built-in flash memories 504 to 507. For example, if the capacity of one flash memory in the memory card 500 is 1 GB, the total capacity is 4 GB, but when 16 KB error correction information is generated for every 64 KB of write data, the maximum size of write data that can be transferred from the host device Is 3.2 GB. Therefore, as the information stored in the memory card status information 508, the capacity of the memory card 500 (T × (W / (W + E))) (where T: the total capacity of the flash memories 504 to 507, W: error correction information) Write data size required for generation, E: data size of error correction information), memory type (multi-value type), and error correction means (present) are stored.

図６において、メモリカード６００はメモリコントローラ６０１と、４枚のフラッシュメモリ６０２から６０５と、メモリカードステータス情報６０６と、から構成される。メモリコントローラ６０１の機能は前述したメモリコントローラ１１１と基本機能は同一であるため、説明を省略する。内蔵されているフラッシュメモリ６０２から６０５は、フラッシュメモリ５０４から５０７と同じ多値タイプであるため説明を省略する。フラッシュメモリ６０２から６０５はメモリカード５００に内蔵されるものと同じ多値タイプであるが、エラー訂正情報の書き込みが無いため合計容量を全てライトデータに割り当てることができる。よってメモリカードステータス情報６０６に格納される情報として、メモリカード６００の容量（フラッシュメモリ６０２から６０５の合計容量）、メモリタイプ（多値タイプ）及びエラー訂正手段（なし）が格納される。 In FIG. 6, the memory card 600 includes a memory controller 601, four flash memories 602 to 605, and memory card status information 606. Since the basic function of the memory controller 601 is the same as that of the memory controller 111 described above, description thereof is omitted. Since the built-in flash memories 602 to 605 are the same multi-value type as the flash memories 504 to 507, the description thereof is omitted. The flash memories 602 to 605 are the same multi-value type as that incorporated in the memory card 500, but since there is no writing of error correction information, the total capacity can be allotted to the write data. Therefore, as the information stored in the memory card status information 606, the capacity of the memory card 600 (the total capacity of the flash memories 602 to 605), the memory type (multi-value type), and error correction means (none) are stored.

前述した３種類のメモリカードを品質の高い順番に左から並べると、メモリカード４００、メモリカード５００、メモリカード６００の順となる。 When the above-described three types of memory cards are arranged from the left in order of high quality, the memory card 400, the memory card 500, and the memory card 600 are arranged in this order.

また、同一容量におけるコストの安い順番に左から並べると、メモリカード６００、メモリカード５００、メモリカード４００の順となる。 In addition, when arranged from the left in ascending order of cost in the same capacity, the memory card 600, the memory card 500, and the memory card 400 are arranged in this order.

すなわち、記録メディアに品質が要求される場合はメモリカード４００、大容量・低コストが要求される場合はメモリカード６００、容量と品質のバランスが要求される場合にはメモリカード５００、などユーザの要求に応じたメモリカードが選択される。 That is, when the quality of the recording medium is required, the memory card 400, when the large capacity and low cost are required, the memory card 600, when the balance between the capacity and the quality is required, the memory card 500, etc. A memory card according to the request is selected.

次にメモリカード制御システム１の動作について、図７から図９のフローチャートを用いて説明する。 Next, the operation of the memory card control system 1 will be described using the flowcharts of FIGS.

メモリカードステータス情報１１６の読み出しの詳細動作について図７を用いて説明する。メモリカードステータス情報１１６の読み出し開始（Ｓ７００）は、メモリカード制御装置１００とメモリカード１１０の電源投入時や、メモリカード制御装置１００がメモリカード１１０に対して最初にリードまたはライトする直前や、メモリカード制御装置にメモリカード１１０が接続された時等に行う。 A detailed operation of reading the memory card status information 116 will be described with reference to FIG. The memory card status information 116 starts to be read (S700) when the memory card control device 100 and the memory card 110 are powered on, immediately before the memory card control device 100 reads or writes the memory card 110 for the first time, This is performed when the memory card 110 is connected to the card controller.

上記のいずれかに該当した場合、メモリカードインターフェイス手段１０９よりメモリカードステータス情報読み出しコマンドがメモリカード１１０に対して発行される（Ｓ７０１）。メモリカードインターフェイス手段１０９は、メモリカード１１０からのレスポンスの有無のチェックを行い（Ｓ７０２）、レスポンスがある場合（Ｓ７０２のＹｅｓ）は、読み出したメモリカードステータス情報１１６をステータス情報リード手段１０６に転送する。ステータス情報リード手段１０６は、転送されたメモリカードステータス情報１１６の解析を行う（Ｓ７０３）。 If any of the above is true, a memory card status information read command is issued from the memory card interface means 109 to the memory card 110 (S701). The memory card interface unit 109 checks whether or not there is a response from the memory card 110 (S702). If there is a response (Yes in S702), the read memory card status information 116 is transferred to the status information reading unit 106. . The status information reading means 106 analyzes the transferred memory card status information 116 (S703).

ステータス情報リード手段１０６は、メモリカードステータス情報１１６における内蔵メモリタイプのチェックを行い（Ｓ７０４）、２値タイプである場合（Ｓ７０４のＹｅｓ）はメモリカード制御手段１０３に内蔵するエラー訂正機能をＯＦＦに設定する（Ｓ７０９）。また、ステータス情報リード手段１０６は、内蔵メモリタイプのチェックにおいて２値タイプで無い、すなわち多値タイプである場合（Ｓ７０４のＮｏ）はメモリカード１１０のエラー訂正機能の有無についてチェックを行う（Ｓ７０５）。 The status information reading unit 106 checks the built-in memory type in the memory card status information 116 (S704), and if it is a binary type (Yes in S704), the error correction function built in the memory card control unit 103 is turned off. The setting is made (S709). Further, when the built-in memory type check is not a binary type, that is, a multi-value type (No in S704), the status information reading unit 106 checks whether or not the memory card 110 has an error correction function (S705). .

ステータス情報リード手段１０６は、メモリカード１１０にエラー訂正機能がある場合（Ｓ７０５のＹｅｓ）は、２値タイプの場合と同様にメモリカード制御手段１０３に内蔵するエラー訂正機能をＯＦＦに設定し（Ｓ７０９）、動作を完了する（Ｓ７１０）。 When the memory card 110 has an error correction function (Yes in S705), the status information reading means 106 sets the error correction function built in the memory card control means 103 to OFF as in the case of the binary type (S709). ), The operation is completed (S710).

ステータス情報リード手段１０６は、メモリカードステータス情報読み出しコマンドに未対応で一定時間内にメモリカード１１０がレスポンスを返さない場合（Ｓ７０２のＮｏ）および、内蔵メモリタイプが多値タイプでエラー訂正機能を内蔵しない場合（Ｓ７０５のＮｏ）はメモリカード制御手段１０３のデフォルト設定に従い動作する（Ｓ７０６）。なお、デフォルト設定は外部インターフェイス手段１０１を介してホスト機器より変更可能である。なお、デフォルト設定はメモリカード制御手段１０３にユーザインターフェイスを設けて変更しても構わない。 When the memory card 110 does not respond to the memory card status information read command and the memory card 110 does not return a response within a predetermined time (No in S702), the status information reading unit 106 has a built-in memory type and a built-in error correction function. If not (No in S705), the operation is performed according to the default setting of the memory card control means 103 (S706). Note that the default setting can be changed from the host device via the external interface unit 101. Note that the default setting may be changed by providing a user interface in the memory card control means 103.

ステータス情報リード手段１０６は、デフォルト設定がメモリカード制御手段１０３に内蔵するエラー訂正機能をＯＦＦにするよう設定されていた場合（Ｓ７０６のＹｅｓ）はメモリカード制御手段１０３に内蔵するエラー訂正機能をＯＦＦに設定し（Ｓ７０９）動作を完了する（Ｓ７１０）。また、エラー訂正機能をＯＮにするよう設定されていた場合（Ｓ７０６のＮｏ）はメモリカード制御手段１０３に内蔵するエラー訂正機能をＯＮに設定し（Ｓ７０７）、エラー訂正情報を転送することによる速度低下および使用可能な容量の減少などのワーニングメッセージを出力（Ｓ７０８）した後動作を完了する（Ｓ７１０）。 When the default setting is set to turn off the error correction function built in the memory card control unit 103 (Yes in S706), the status information read unit 106 turns off the error correction function built in the memory card control unit 103. (S709) to complete the operation (S710). If the error correction function is set to ON (No in S706), the error correction function built in the memory card control means 103 is set to ON (S707), and the speed by transferring the error correction information After a warning message such as a decrease and a decrease in usable capacity is output (S708), the operation is completed (S710).

次にメモリカード制御装置１００が外部インターフェイス手段１０１を介してホスト機器からメモリカード１１０へのライトコマンドとライトデータを受信した際の動作について、図８のフローチャートを用いて説明する。 Next, the operation when the memory card control device 100 receives a write command and write data from the host device to the memory card 110 via the external interface means 101 will be described with reference to the flowchart of FIG.

メモリカード制御装置１００が外部インターフェイス手段１０１を介してホスト機器からメモリカード１１０へのライトコマンドを受信すると動作を開始する（Ｓ８００）。外部インターフェイス手段１０１を介してホスト機器からメモリカード１１０へのライトデータを受信（Ｓ８０１）すると、メモリカード制御手段１０３のエラー訂正機能の要否をチェックし、エラー訂正機能が必要である場合（Ｓ８０２のＹｅｓ）はエラー訂正情報生成手段１０８によりエラー訂正情報が生成される（Ｓ８０３）。メモリカード制御手段１０３はメモリカード１１０へライトコマンドを発行（Ｓ８０４）後にホスト機器より受信したライトデータとエラー訂正情報をメモリカードへ転送する（Ｓ８０５）。 When the memory card control device 100 receives a write command from the host device to the memory card 110 via the external interface means 101, the operation starts (S800). When write data from the host device to the memory card 110 is received via the external interface unit 101 (S801), the necessity of the error correction function of the memory card control unit 103 is checked, and the error correction function is necessary (S802). Error correction information is generated by the error correction information generation means 108 (S803). The memory card control means 103 issues a write command to the memory card 110 (S804) and transfers the write data and error correction information received from the host device to the memory card (S805).

なお、メモリカード制御手段１０３は、メモリカード１１０に発行するライトアドレスを制御することによりメモリカード１１０の記録領域を分割し、ライトデータとエラー訂正情報とを別々の領域へ記録しても構わない。また、メモリカード１１０のメモリコントローラ１１１が記録領域の分割を行い、メモリコントローラ１１１が受信するコマンドに応じて記録領域を選択する場合、メモリカード制御手段１０３は、ライトデータとエラー訂正情報を別々のコマンドを用いてメモリカード１１０へ記録しても構わない。 The memory card control means 103 may divide the recording area of the memory card 110 by controlling the write address issued to the memory card 110 and record the write data and error correction information in separate areas. . Further, when the memory controller 111 of the memory card 110 divides the recording area and selects the recording area according to the command received by the memory controller 111, the memory card control means 103 separates the write data and the error correction information separately. You may record to the memory card 110 using a command.

なお、メモリカード制御手段１０３は、メモリカード１１０に発行したコマンドのレスポンスをチェックすることによりメモリカード１１０に発行したコマンドの可否を判別することが可能である。 The memory card control means 103 can determine whether the command issued to the memory card 110 is acceptable by checking the response of the command issued to the memory card 110.

メモリカード制御手段１０３はライトデータおよびエラー訂正情報の転送を完了すると、外部インターフェイス手段１０１を介してホスト機器へ割り込み等を用いて動作完了を通知（Ｓ８０６）することによりライトコマンド処理を完了する（Ｓ８０７）。 When the transfer of the write data and the error correction information is completed, the memory card control means 103 completes the write command process by notifying the host device via the external interface means 101 of the operation completion using an interrupt or the like (S806) (S806). S807).

一方、メモリカード制御手段１０３のエラー訂正機能が不要である場合（Ｓ８０２のＮｏ）、メモリカード制御手段１０３はメモリカードへライトコマンドを発行（Ｓ８０８）後にホスト機器より受信したライトデータのみをメモリカードへ転送し（Ｓ８０９）、動作を完了する（Ｓ８０７）。 On the other hand, when the error correction function of the memory card control unit 103 is not required (No in S802), the memory card control unit 103 issues only a write command to the memory card after issuing a write command to the memory card (S808). (S809) to complete the operation (S807).

次にメモリカード制御装置１００が外部インターフェイス手段１０１を介してホスト機器からメモリカード１１０へのリードコマンドを受信した際の動作について、図９のフローチャートを用いて説明する。 Next, the operation when the memory card control apparatus 100 receives a read command from the host device to the memory card 110 via the external interface means 101 will be described with reference to the flowchart of FIG.

メモリカード制御装置１００が外部インターフェイス手段１０１を介してホスト機器からメモリカード１１０へのリードコマンドを受信すると動作を開始する（Ｓ９００）。 When the memory card control device 100 receives a read command from the host device to the memory card 110 via the external interface means 101, the operation starts (S900).

まず、メモリカード制御手段１０３はメモリカードへリードコマンドを発行し（Ｓ９０１）。メモリカードからリードデータを受信した時（Ｓ９０２）にリードエラーが発生していた場合（Ｓ９０３のＹｅｓ）、メモリカード制御手段１０３がエラー訂正機能の要否をチェックする。 First, the memory card control means 103 issues a read command to the memory card (S901). When a read error has occurred when the read data is received from the memory card (S902) (Yes in S903), the memory card control means 103 checks whether the error correction function is necessary.

メモリカード制御手段１０３のエラー訂正機能が必要である場合（Ｓ９０４のＹｅｓ）、メモリカード制御手段１０３は、まずエラー訂正の可否についてチェックを行い、エラー訂正が可能であると判断した場合（Ｓ９０５のＹｅｓ）はメモリカード１１０にエラー訂正情報を読み出すためのリードコマンドを発行し、メモリカード１１０からエラー訂正情報を読み出す（Ｓ９０６）。メモリカード制御手段１０３は、読み出したエラー訂正情報を用いてエラー訂正を実施（Ｓ９０７）後に訂正後のデータをホスト機器へ転送し（Ｓ９０８）、ホスト機器へ割り込み等を用いて動作完了を通知（Ｓ９０９）してリードコマンド処理を完了する（Ｓ９１０）。 When the error correction function of the memory card control unit 103 is necessary (Yes in S904), the memory card control unit 103 first checks whether or not error correction is possible and determines that error correction is possible (S905). Yes) issues a read command for reading the error correction information to the memory card 110, and reads the error correction information from the memory card 110 (S906). The memory card control means 103 performs error correction using the read error correction information (S907), then transfers the corrected data to the host device (S908), and notifies the host device of the completion of the operation using an interrupt or the like ( S909) and the read command processing is completed (S910).

一方、メモリカード制御手段１０３のエラー訂正機能が不要の場合（Ｓ９０４のＮｏ）は、メモリカード制御手段１０３はホスト機器へエラーを通知するなどのエラー処理を行い（Ｓ９１１）、ホスト機器へ割り込み等を用いて動作完了を通知（Ｓ９０９）してリードコマンド処理を完了する（Ｓ９１０）。 On the other hand, if the error correction function of the memory card control unit 103 is not required (No in S904), the memory card control unit 103 performs error processing such as notifying the host device of an error (S911), interrupting the host device, etc. Is used to notify the operation completion (S909) and the read command processing is completed (S910).

メモリカードから受信したリードデータにリードエラーが発生していない場合（Ｓ９０３のＮｏ）、メモリカード制御手段１０３は、エラー訂正機能の状態に関わらずデータをホスト機器へ転送し（Ｓ９０８）、ホスト機器へ割り込み等を用いて動作完了を通知（Ｓ９０９）してリードコマンド処理を完了する（Ｓ９１０）。 If no read error has occurred in the read data received from the memory card (No in S903), the memory card control means 103 transfers the data to the host device regardless of the state of the error correction function (S908), and the host device The completion of the operation is notified using an interrupt or the like (S909), and the read command processing is completed (S910).

なお、本実施の形態ではメモリカード１１０を接続した場合の制御方法について示したが、メモリカードを複数枚まとめたメモリカードモジュールや、ＳＳＤ（ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＤｒｉｖｅ）のようなフラッシュメモリドライブに対しても同様の制御が可能である。 In the present embodiment, the control method when the memory card 110 is connected has been described. However, the present invention is applicable to a memory card module in which a plurality of memory cards are combined or a flash memory drive such as an SSD (Solid State Drive). Similar control is possible.

以上のように、メモリカード１１０と、メモリカード１１０へのアクセスを制御するメモリカード制御装置１００とからなるメモリカード制御システム１であって、メモリカード１１０は、フラッシュメモリ１１２から１１５と、フラッシュメモリ１１２から１１５が２値または多値のいずれのタイプであるかの情報とメモリカード１１０内でエラー訂正を行うか否かの情報とからなるメモリカードステータス情報１１６を保持し、メモリカード制御装置１００からのアクセス要求に対して、フラッシュメモリ１１２から１１５又はメモリカードステータス情報１１６へのアクセスを制御するメモリコントローラ１１１と、を備え、メモリカード制御装置１００は、メモリカード１１０へのアクセスを制御するメモリカードインターフェイス手段１０９と、メモリカードインターフェイス手段１０９を介してデータを記録する際に、データに関するエラー訂正情報を生成し、データをエラー訂正情報とともに記録するエラー訂正情報生成手段１０８と、メモリカードインターフェイス手段１０９を介して取得したデータに対してエラーが発生した場合に、エラー訂正に必要なエラー訂正情報を、メモリカードインターフェイス手段１０９を介して取得し、データを訂正するエラー訂正手段１０４と、メモリカードインターフェイス手段１０９を介して取得したメモリカードステータス情報１１６を基に、エラー訂正情報生成手段１０８及びエラー訂正手段１０４を動作させるかを決定するステータス情報リード手段１０６を備えることにより、フラッシュメモリ１１２から１１５が図４に示すメモリカード４００がデータ保持特性の良い２値タイプである場合、及びフラッシュメモリ１１２から１１５が図５に示す多値タイプでメモリカード５００がエラー訂正処理を行う場合には、メモリカード制御装置１００は、エラー訂正手段１０４及びエラー訂正情報生成手段１０８をＯＦＦし、フラッシュメモリ１１２から１１５が図６に示す多値タイプでメモリカード６００がエラー訂正処理を行わずエラー訂正が必要な場合には、メモリカード制御装置１００は、エラー訂正手段１０４及びエラー訂正情報生成手段１０８をＯＮすることにより、メモリカード制御装置１００は、メモリカードに応じた性能でアクセスを実行することができる。 As described above, the memory card control system 1 includes the memory card 110 and the memory card control device 100 that controls access to the memory card 110. The memory card 110 includes the flash memories 112 to 115 and the flash memory. Memory card status information 116 including information on whether 112 to 115 is a binary or multi-value type and information on whether or not error correction is performed in the memory card 110 is held, and the memory card control device 100 A memory controller 111 that controls access to the flash memory 112 to 115 or the memory card status information 116 in response to an access request from the memory card, and the memory card control device 100 is a memory that controls access to the memory card 110. Card interface When data is recorded via the stage 109 and the memory card interface means 109, error correction information relating to the data is generated, and the error correction information generation means 108 for recording the data together with the error correction information, and the memory card interface means 109 are provided. Error correction means 104 for acquiring error correction information necessary for error correction via the memory card interface means 109 and correcting the data when an error occurs in the data acquired via the data, and memory card interface means The flash memory 112 to 115 is provided with a status information reading unit 106 that determines whether to operate the error correction information generation unit 108 and the error correction unit 104 based on the memory card status information 116 acquired through the memory 109. When the memory card 400 shown in FIG. 4 is a binary type with good data retention characteristics, and when the flash memory 112 to 115 is a multi-value type shown in FIG. The apparatus 100 turns off the error correction unit 104 and the error correction information generation unit 108, and the flash memory 112 to 115 is the multi-value type shown in FIG. 6, and the memory card 600 does not perform error correction processing and error correction is required. When the memory card control device 100 turns on the error correction means 104 and the error correction information generation means 108, the memory card control device 100 can execute access with performance corresponding to the memory card.

また、メモリカード制御装置１００は、エラー訂正情報生成手段１０８で、データをエラー訂正情報とともに記録する場合に、メモリカード１１０に記録可能な容量が減少する旨の通知を行う通知部をさらに備えることにより、ユーザは信頼性を向上させるためにエラー訂正情報を付加する場合に、記録可能な容量が減少することを認識できる。 In addition, the memory card control device 100 further includes a notification unit that notifies that the capacity that can be recorded in the memory card 110 is reduced when the error correction information generation unit 108 records data together with the error correction information. Thus, the user can recognize that the recordable capacity is reduced when error correction information is added to improve reliability.

本実施の形態にかかるメモリカード制御システムは、メモリカード内の不揮発メモリの種類や、メモリカード内でのエラー訂正の有無に応じて、メモリカードへのアクセスを制御することにより、メモリカードに応じたアクセス性能を引き出すことができ、リアルタイム記録が必要なビデオカメラ等に適用することができ、有用である。 The memory card control system according to the present embodiment controls the access to the memory card according to the type of nonvolatile memory in the memory card and the presence or absence of error correction in the memory card. Therefore, it can be used for a video camera or the like that requires real-time recording.

１メモリカード制御システム
１００メモリカード制御装置
１０１外部インターフェイス手段
１０２コマンド解析手段
１０３メモリカード制御手段
１０４、５０３エラー訂正手段
１０５データリード手段
１０６ステータス情報リード手段
１０７データライト手段
１０８、５０２エラー訂正情報生成手段
１０９メモリカードインターフェイス手段
１１０、４００、５００、６００メモリカード
１１１、４０１、５０１、６０１メモリコントローラ
１１２、１１３、１１４、１１５フラッシュメモリ
４０２、４０３、４０４、４０５フラッシュメモリ（２値）
５０４、５０５、５０６、５０７、６０２、６０３、６０４、６０５フラッシュメモリ（多値） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Memory card control system 100 Memory card control apparatus 101 External interface means 102 Command analysis means 103 Memory card control means 104,503 Error correction means 105 Data read means 106 Status information read means 107 Data write means 108,502 Error correction information generation means 109 Memory card interface means 110, 400, 500, 600 Memory card 111, 401, 501, 601 Memory controller 112, 113, 114, 115 Flash memory 402, 403, 404, 405 Flash memory (binary)
504, 505, 506, 507, 602, 603, 604, 605 Flash memory (multi-value)

Claims

半導体メモリカードと、前記半導体メモリカードへのアクセスを制御するメモリカード制御装置とからなるメモリカード制御システムであって、
前記半導体メモリカードは、
少なくとも一つの不揮発メモリと、
前記不揮発メモリに関する情報と、当該半導体メモリカード内で実施可能なエラー訂正に関する情報とを保持するステータス情報保持部と、
前記メモリカード制御装置からのアクセス要求に対して、前記不揮発メモリ又は前記ステータス情報保持部へのアクセスを制御する制御部と、
を備え、
前記メモリカード制御装置は、
前記半導体メモリカードへのアクセスを制御するインターフェイス部と、
前記インターフェイス部を介してデータを記録する際に、前記データに関するエラー訂正情報を生成し、前記データを前記エラー訂正情報とともに記録するエラー訂正情報生成部と、
前記インターフェイス部を介して取得したデータに対してエラーが発生した場合に、エラー訂正に必要なエラー訂正情報を、前記インターフェイス部を介して取得し、前記データを訂正するエラー訂正部と、
前記インターフェイス部を介して取得した前記不揮発性メモリに関する情報と前記エラー訂正に関する情報とを基に、前記エラー訂正情報生成部及び前記エラー訂正部を動作させるかを決定するエラー訂正決定部と、
を備えるメモリカード制御システム。 A memory card control system comprising a semiconductor memory card and a memory card control device for controlling access to the semiconductor memory card,
The semiconductor memory card is
At least one non-volatile memory;
A status information holding unit for holding information on the nonvolatile memory and information on error correction that can be performed in the semiconductor memory card;
In response to an access request from the memory card control device, a control unit that controls access to the nonvolatile memory or the status information holding unit;
With
The memory card control device
An interface unit for controlling access to the semiconductor memory card;
When recording data via the interface unit, an error correction information generation unit that generates error correction information about the data and records the data together with the error correction information;
When an error occurs with respect to data acquired through the interface unit, error correction information necessary for error correction is acquired through the interface unit, and the error correction unit corrects the data;
An error correction determination unit that determines whether to operate the error correction information generation unit and the error correction unit based on the information on the nonvolatile memory acquired through the interface unit and the information on the error correction;
A memory card control system comprising:

前記ステータス情報保持部は、
前記不揮発メモリに関する情報として、前記不揮発メモリが２値又は多値のいずれに対応したものであるかの情報を保持し、
前記半導体メモリカード内で実施可能なエラー訂正に関する情報として、前記半導体メモリカードでエラー訂正を行うかの情報を保持し、
前記エラー訂正決定部は、
前記不揮発メモリが２値に対応したものである場合、または前記不揮発メモリが多値に対応したもので、エラー訂正を行っている場合に、前記エラー訂正情報生成部及び前記エラー訂正部の動作を停止させる
請求項１に記載のメモリカード制御システム。 The status information holding unit
As information about the non-volatile memory, information on whether the non-volatile memory is binary or multi-valued is retained,
As information on error correction that can be performed in the semiconductor memory card, holding information on whether to perform error correction in the semiconductor memory card,
The error correction determination unit
When the non-volatile memory is binary compatible, or the non-volatile memory is multi-level compatible and performing error correction, the error correction information generation unit and the error correction unit operate as follows. The memory card control system according to claim 1, wherein the memory card control system is stopped.

前記メモリカード制御装置は、
前記エラー訂正情報生成部で、前記データを前記エラー訂正情報とともに記録する場合に、前記半導体メモリカードに記録可能な容量が減少する旨の通知を行う通知部を、
さらに備える請求項１又は２に記載のメモリカード制御システム。 The memory card control device
In the error correction information generation unit, when the data is recorded together with the error correction information, a notification unit that notifies that the capacity that can be recorded in the semiconductor memory card is reduced,
The memory card control system according to claim 1, further comprising:

前記メモリカード制御装置は、
前記エラー訂正情報生成部で、前記データを前記エラー訂正情報とともに記録する場合に、前記半導体メモリカードは第１の領域と第２の領域に分割され、前記第１の領域に前記データを記録し、前記第２の領域に前記エラー訂正情報を記録する
請求項１から３に記載のメモリカード制御システム。 The memory card control device
When the error correction information generation unit records the data together with the error correction information, the semiconductor memory card is divided into a first area and a second area, and the data is recorded in the first area. The memory card control system according to claim 1, wherein the error correction information is recorded in the second area.

半導体メモリカードへのアクセスを制御するインターフェイス部と、
前記インターフェイス部を介してデータを記録する際に、前記データに関するエラー訂正情報を生成し、前記データを前記エラー訂正情報とともに記録するエラー訂正情報生成部と、
前記インターフェイス部を介して取得したデータに対してエラーが発生した場合に、エラー訂正に必要なエラー訂正情報を、前記インターフェイス部を介して取得し、前記データを訂正するエラー訂正部と、
前記インターフェイス部を介して取得した前記半導体メモリカード中の不揮発性メモリに関する情報と前記半導体メモリカード内で実施可能なエラー訂正に関する情報とを基に、前記エラー訂正情報生成部及び前記エラー訂正部を動作させるかを決定するエラー訂正決定部と、
を備えるメモリカード制御装置。 An interface unit for controlling access to the semiconductor memory card;
When recording data via the interface unit, an error correction information generation unit that generates error correction information about the data and records the data together with the error correction information;
When an error occurs with respect to data acquired through the interface unit, error correction information necessary for error correction is acquired through the interface unit, and the error correction unit corrects the data;
Based on the information on the nonvolatile memory in the semiconductor memory card acquired through the interface unit and the information on error correction that can be performed in the semiconductor memory card, the error correction information generation unit and the error correction unit are An error correction determination unit that determines whether to operate,
A memory card control device comprising:

前記エラー訂正決定部は、
前記不揮発メモリに関する情報として、前記不揮発メモリが２値又は多値のいずれに対応したものであるかの情報を、前記半導体メモリカード内で実施可能なエラー訂正に関する情報として、前記半導体メモリカードでエラー訂正を行っているかの情報を取得し、前記不揮発メモリが２値に対応したものである場合、または前記不揮発メモリが多値に対応したもので、エラー訂正を行っている場合に、前記エラー訂正情報生成部及び前記エラー訂正部の動作を停止させる
請求項５に記載のメモリカード制御装置。 The error correction determination unit
As information on the nonvolatile memory, information on whether the nonvolatile memory corresponds to binary or multi-value, information on error correction that can be performed in the semiconductor memory card, and error in the semiconductor memory card The information on whether correction is being performed is acquired, and the error correction is performed when the non-volatile memory corresponds to binary or when the non-volatile memory corresponds to multi-value and performs error correction. The memory card control device according to claim 5, wherein the operation of the information generation unit and the error correction unit is stopped.

前記エラー訂正情報生成部で、前記データを前記エラー訂正情報とともに記録する場合に、前記半導体メモリカードに記録可能な容量が減少する旨の通知を行う通知部を、
さらに備える請求項５又は６に記載のメモリカード制御装置。 In the error correction information generation unit, when the data is recorded together with the error correction information, a notification unit that notifies that the capacity that can be recorded in the semiconductor memory card is reduced,
The memory card control device according to claim 5 or 6, further comprising:

前記メモリカード制御装置は、
前記エラー訂正情報生成部で、前記データを前記エラー訂正情報とともに記録する場合に、前記半導体メモリカードは第１の領域と第２の領域に分割され、前記第１の領域に前記データを記録し、前記第２の領域に前記エラー訂正情報を記録する
請求項５から７に記載のメモリカード制御装置。 The memory card control device
When the error correction information generation unit records the data together with the error correction information, the semiconductor memory card is divided into a first area and a second area, and the data is recorded in the first area. The memory card control device according to claim 5, wherein the error correction information is recorded in the second area.

半導体メモリカードへのアクセスを制御するメモリカード制御方法であって、
前記半導体メモリカードへのアクセスを制御するインターフェイス工程と、
前記インターフェイス工程を用いてデータを記録する際に、前記データに関するエラー訂正情報を生成し、前記データを前記エラー訂正情報とともに記録するエラー訂正情報生成工程と、
前記インターフェイス工程を用いて取得したデータに対してエラーが発生した場合に、エラー訂正に必要なエラー訂正情報を、前記インターフェイス工程を介して取得し、前記データを訂正するエラー訂正工程と、
前記インターフェイス工程を用いて取得した前記半導体メモリカード中の不揮発性メモリに関する情報と前記半導体メモリカード内で実施可能なエラー訂正に関する情報とを基に、前記エラー訂正情報生成工程及び前記エラー訂正工程を動作させるかを決定するエラー訂正決定工程と、
を含むメモリカード制御方法。 A memory card control method for controlling access to a semiconductor memory card,
An interface process for controlling access to the semiconductor memory card;
When recording data using the interface step, error correction information related to the data is generated, and the data is recorded together with the error correction information.
When an error occurs with respect to data acquired using the interface process, error correction information necessary for error correction is acquired through the interface process, and the error correction process for correcting the data;
Based on the information on the nonvolatile memory in the semiconductor memory card acquired using the interface step and the information on error correction that can be performed in the semiconductor memory card, the error correction information generation step and the error correction step are performed. An error correction determination step for determining whether to operate, and
Including a memory card control method.