JP2011181863A - 冷却装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板30に、表面から底部にかけて階段状に深くなる溝状の凹部36を形成し、基板20に、溝状の凹部36に適合した形状の階段状の土手状の凸部26を形成し、土手状の凸部26を溝状の凹部36に嵌め込むように基板20と基板30とを接合し、溝状の凹部36と土手状の凸部26との間に階段状のチャネル12を形成する。
【選択図】図1
Description
第1実施形態による冷却装置及びその製造方法について図1乃至図11を用いて説明する。
第2実施形態による冷却装置及びその製造方法について図12及び図13を用いて説明する。図1乃至図11に示す第1実施形態による冷却装置及びその製造方法と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し又は簡潔にする。
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
第2の基板に、前記溝状の凹部に適合した形状の階段状の土手状の凸部を形成する工程と、
前記土手状の凸部を前記溝状の凹部に嵌め込むように前記第1の基板と前記第2の基板とを接合し、前記溝状の凹部と前記土手状の凸部との間に階段状のチャネルを形成する工程と
を有することを特徴とする冷却装置の製造方法。
前記階段状の側面を有する前記溝状の凹部を形成する工程及び前記階段状の側面を有する前記土手状の凸部を形成する工程は、
前記基板上に、開口幅が段階的に広くなるラインアンドスペースパターンを有するマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記基板を異方性エッチングし、前記基板に、前記ラインアンドスペースパターンの前記開口幅に応じて異なる深さを有する複数の溝を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして等方的な成分を含むエッチング条件で前記基板をエッチングし、隣接する前記溝を接続することにより、前記階段状の側面を形成する工程とを有する
ことを特徴とする冷却装置の製造方法。
前記基板を異方性エッチングする工程では、パッシベーション膜を形成する第1のステップと異方性エッチングを行う第2のステップとを繰り返して行うエッチングにより、前記基板をエッチングする
ことを特徴とする冷却装置の製造方法。
前記等方的な成分を含むエッチング条件で前記基板をエッチングする工程では、パッシベーション膜を形成する第1のステップと、前記基板を異方性エッチングする工程の前記第2のステップよりもエッチングが進行する条件で異方性エッチングを行う第2のステップとを繰り返して行うエッチングにより、前記基板をエッチングする
ことを特徴とする冷却装置の製造方法。
前記基板は、シリコン酸化膜上にシリコン膜が形成されたSOI基板であり、
前記基板を異方性エッチングする工程では、最も深い前記溝のエッチングを、前記シリコン膜と前記シリコン酸化膜との界面で停止する
ことを特徴とする冷却装置の製造方法。
前記溝状の凹部を形成した前記第1の基板の表面及び前記土手状の凸部を形成した前記第2の基板の表面に被膜を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする冷却装置の製造方法。
前記被膜は、Au膜である
ことを特徴とする冷却装置の製造方法。
前記第1の基板及び前記第2の基板は、シリコン基板であり、
前記被膜は、シリコン酸化膜である
ことを特徴とする冷却装置の製造方法。
前記基体に形成され、第1の方向に延在するチャネルであって、前記第1の方向と交差する方向の断面形状が階段状であるチャネルと
を有することを特徴とする冷却装置。
12…チャネル
20,30…基板
22,32…フォトレジスト膜
24,34…溝
26…凸部
28,38…被膜
36…凹部
Claims (5)
- 第1の基板に、前記第1の基板の表面から底部にかけて階段状に深くなる溝状の凹部を形成する工程と、
第2の基板に、前記溝状の凹部に適合した形状の階段状の土手状の凸部を形成する工程と、
前記土手状の凸部を前記溝状の凹部に嵌め込むように前記第1の基板と前記第2の基板とを接合し、前記溝状の凹部と前記土手状の凸部との間に階段状のチャネルを形成する工程と
を有することを特徴とする冷却装置の製造方法。 - 請求項1記載の冷却装置の製造方法において、
前記階段状の側面を有する前記溝状の凹部を形成する工程及び前記階段状の側面を有する前記土手状の凸部を形成する工程は、
前記基板上に、開口幅が段階的に広くなるラインアンドスペースパターンを有するマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記基板を異方性エッチングし、前記基板に、前記ラインアンドスペースパターンの前記開口幅に応じて異なる深さを有する複数の溝を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして等方的な成分を含むエッチング条件で前記基板をエッチングし、隣接する前記溝を接続することにより、前記階段状の側面を形成する工程とを有する
ことを特徴とする冷却装置の製造方法。 - 請求項2記載の冷却装置の製造方法において、
前記基板を異方性エッチングする工程では、パッシベーション膜を形成する第1のステップと異方性エッチングを行う第2のステップとを繰り返して行うエッチングにより、前記基板をエッチングする
ことを特徴とする冷却装置の製造方法。 - 請求項2又は3記載の冷却装置の製造方法において、
前記基板は、シリコン酸化膜上にシリコン膜が形成されたSOI基板であり、
前記基板を異方性エッチングする工程では、最も深い前記溝のエッチングを、前記シリコン膜と前記シリコン酸化膜との界面で停止する
ことを特徴とする冷却装置の製造方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の冷却装置の製造方法において、
前記溝状の凹部を形成した前記第1の基板の表面及び前記土手状の凸部を形成した前記第2の基板の表面に被膜を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする冷却装置の製造方法。
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JP2010047381A JP5434682B2 (ja) | 2010-03-04 | 2010-03-04 | 冷却装置の製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014192207A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Kyocera Corp | 試料保持具 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01251646A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体構造 |
JP2002141164A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Miyaden Co Ltd | 大電力高周波誘導加熱用トランジスタインバータ装置 |
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2010
- 2010-03-04 JP JP2010047381A patent/JP5434682B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH01251646A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体構造 |
JP2002141164A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Miyaden Co Ltd | 大電力高周波誘導加熱用トランジスタインバータ装置 |
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JP2014192207A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Kyocera Corp | 試料保持具 |
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