JP2011181801A - 電界効果型トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板B上に、IGZO系アモルファス酸化物からなる半導体層11、ソース電極22、ドレイン電極23、ゲート電極21およびゲート絶縁膜31とを備えてなる電界効果型トランジスタ1の製造方法において、半導体層11上にIGZO系アモルファス酸化物層20をスパッタ成膜により成膜し、その後アニール処理を行って、ソース電極22およびドレイン電極23の少なくとも半導体層11に接触する面側を構成する導電層を形成する。スパッタ成膜における背圧は1×10−5Pa未満とし、アニール処理におけるアニール温度を100℃以上、300℃以下とする。
【選択図】図2
Description
前記半導体層上にIGZO系アモルファス酸化物層をスパッタ成膜により成膜し、その後アニール処理を行って、前記ソース電極および前記ドレイン電極の少なくとも前記半導体層に接触する面側を構成する導電層を形成する工程を含み、
前記スパッタ成膜における背圧を、1×10−5Pa未満とし、
前記アニール処理におけるアニール温度を100℃以上、300℃以下とすることを特徴とするものである。
前記導電層を形成する工程において、前記スパッタ成膜における背圧を、前記所定値とし、前記電気抵抗値の変化率が0となる温度±5℃で、前記アニール処理を行うことが好ましい。
前記背圧を6×10−6Paとし、前記アニール温度を250℃±5℃とすることが好ましい。ここで、背圧の値は、±10%の幅を有するものとする。
スパッタ成膜において、成膜装置内の水含有量(水分圧)は、スパッタ成膜における背圧と相関があることが知られており、背圧が低い、すなわち高真空であるほど水分圧が低くなることが知られている。本発明者は、スパッタ成膜時の背圧を変化させて成膜した電気抵抗値の異なる各IGZO系アモルファス酸化物薄膜についてFT−IR測定による組成分析を実施し、その結果、それぞれの膜において、OH基のピーク面積が異なり、背圧を高くすると、OH基の量が増加すること、つまり、水含有量が増加していることを確認した(後記実施例、図5を参照)。
また、これら樹脂基板中に酸化ケイ素粒子,金属ナノ粒子,無機酸化物ナノ粒子,無機窒化物ナノ粒子, 金属系・無機系のナノファイバー又はマイクロファイバー,カーボン繊維,カーボンナノチューブ,ガラスフェレーク,ガラスファイバー,ガラスビーズ,粘土鉱物、雲母派生結晶構造を含んだ複合樹脂基板、
薄いガラスと上記単独有機材料との間に少なくとも1回の接合界面を有する積層プラスチック材料、無機層(ex.SiO2, Al2O3, SiOxNy)と有機層(上記)を交互に積層することで少なくとも1回以上の接合界面を有するバリア性能を有する複合材料、
ステンレス基板、あるいはステンレスと異種金属を積層した金属多層基板、アルミニウム基板、あるいは、表面に酸化処理(例えば、陽極酸化処理)を施すことで、表面の絶縁性を向上してある酸化被膜付きのアルミニウム基板等を挙げることができる。
(式中0≦x≦2かつmは自然数)
かかる成膜ガス中のArとO2の流量比により、スパッタ成膜される膜の電気抵抗値は変化するので、本発明におけるIGZO系アモルファス酸化物薄膜の製造方法において、背圧に加えてこの流量比も変化させて電気抵抗値を制御してもよいが、酸素分圧を高くすることにより成膜速度が低下する傾向があり、後記比較例1の図6に示されるように、背圧及びアニール処理温度によっては、成膜時の酸素分圧の電気抵抗値への影響はほとんどなくなる場合もある。本発明では、背圧とアニール処理温度を好適化するだけで、導電体領域から絶縁体領域の任意の電気抵抗値を有するIGZO系アモルファス酸化物薄膜を製造することができるので、酸素分圧O2/Arは1/15以下の一定値とすることが好ましい。
100≦T(℃)≦300 ・・・(2)、
5×10−4≦P(Pa) ・・・(3)、
P(Pa)≦1×10−5 ・・・(4)、
2×10−5≦P(Pa)≦1×10−4 ・・・(5)、
P(Pa)=2×10−5 ・・・(6)、
200≦T(℃)≦300 ・・・(7)、
P(Pa)=5×10−5 ・・・(8)、
120≦T(℃)≦270 ・・・(9)、
P(Pa)=6.5×10−5 ・・・(10)、
100≦T(℃)≦240 ・・・(11)、
P(Pa)=1×10−4 ・・・(12)、
100≦T(℃)≦195 ・・・(13)
上記したように、本発明者が見出したIGZO系アモルファス酸化物薄膜の製造方法によれば、スパッタ成膜時の背圧を変化させてスパッタ成膜を行い、その後アニール処理をするだけの簡易な方法により、導電体領域から絶縁体領域の範囲内において信頼性の高いアモルファス酸化物薄膜を製造することができる。かかる製造方法では、アニール処理温度を100℃〜300℃の範囲で、基板の耐熱性や他の層への影響を考慮して、所望の電気抵抗値が得られる背圧とアニール処理温度の組み合わせを選択することができるので、成膜基板として、耐熱温度が300℃以下の樹脂基板を用いることができる。
以下に、TFT1の製造方法の詳細について説明する。
以上の工程により、本実施形態のTFT1が製造される。
(実施例1)
約1cm2の正方形の市販の合成石英基板(1mm厚,T−4040合成石英基板)上に、InGaZnO4(at比)多結晶ターゲットを用いて、基板上に膜厚50nmのIGZO膜を成膜した。
背圧を1×10−6Paの一定条件とし、成膜ガスの酸素流量を0.25sccm,0.33sccm,0.4sccmと変化させた以外は実施例1と同様としてIGZOアモルファス酸化物薄膜のサンプルを作製し、実施例1と同様のアニール条件でアニールしてそれぞれの電気抵抗値を測定した。その結果を図6に示す。
2 電界効果型トランジスタ(薄膜トランジスタ:TFT)
11 活性層(半導体層)
21 ゲート電極
22 ソース電極
23 ドレイン電極
22C,23C コンタクト層
31 ゲート絶縁膜
32 保護膜
B 成膜基板
Claims (8)
- 基板上に、IGZO系アモルファス酸化物からなる半導体層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極およびゲート絶縁膜とを備えてなる電界効果型トランジスタの製造方法であって、
前記半導体層上にIGZO系アモルファス酸化物層をスパッタ成膜により成膜し、その後アニール処理を行って、前記ソース電極および前記ドレイン電極の少なくとも前記半導体層に接触する面側を構成する導電層を形成する工程を含み、
前記スパッタ成膜における背圧を、1×10−5Pa未満とし、
前記アニール処理におけるアニール温度を100℃以上、300℃以下とすることを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。 - 前記背圧を1×10−5Pa未満の所定値としてIGZO系アモルファス酸化物層をスパッタ成膜し、100℃以上、300℃以下の範囲でアニール処理した場合における、前記IGZO系アモルファス酸化物層の電気抵抗値の前記アニール温度依存性を予め取得しておき、
前記導電層を形成する工程において、
前記スパッタ成膜における背圧を、前記所定値とし、
前記電気抵抗値の変化率が0となる温度±5℃で、前記アニール処理を行うことを特徴とする請求項1に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。 - 前記背圧を1×10−5Paとし、
前記アニール温度を150℃±5℃とすることを特徴とする請求項1に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。 - 前記背圧を6×10−6Paとし、
前記アニール温度を250℃±5℃とすることを特徴とする請求項1に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。 - 前記導電層に接触する金属層を形成する工程を含み、前記導電層および前記金属層からなる前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記スパッタ成膜における成膜圧力を、10Pa以下とすることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記スパッタ成膜における成膜ガスを、ArとO2とを含むものとし、
該成膜ガス中のArとO2との流量比をO2/Ar≦1/15とすることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法。 - 前記基板として、可撓性基板を用いることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
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