JP2011176751A - メモリ効果評価プログラム、メモリ効果評価方法及びメモリ効果評価装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】増幅器に周波数が異なる2つの信号が入力され、増幅器の出力波形の測定により、基本波、3次IMD及び5次IMDが取得される(ステップS10)。そして、測定により得られる基本波、3次IMD及び5次IMDから、増幅器のメモリ効果とは無関係のメモリレス非線形歪みに対応する係数が算出される(ステップS20)。続いて、増幅器のメモリ効果に起因するメモリ非線形歪みの特性を表す値が算出される(ステップS30)。これらの係数及び特性値の算出に際しては、メモリレス非線形歪みとメモリ非線形歪みとを区別して考慮した増幅器の歪み発生モデルを表す演算式が用いられる。
【選択図】図1
Description
図1は、実施の形態1に係るメモリ効果評価方法を示すフロー図である。本実施の形態に係るメモリ効果評価方法においては、周波数が異なる2つの信号が増幅器に入力され、増幅器において発生する相互変調歪み(Inter Modulation Distortion:以下、「IMD」ともいう)が測定される。そして、本実施の形態に係るメモリ効果評価方法においては、測定結果を用いてメモリ効果を考慮した歪み発生モデルの係数が算出される。
(出力)=(メモリレス非線形歪み)×(入力)+(メモリ非線形歪み)×(入力)
(出力)=(基本波)+(3次IMD)×(入力)+(5次IMD)×(入力)
図2は、実施の形態2に係るメモリ効果評価装置100の構成を示すブロック図である。図2に示すメモリ効果評価装置100は、増幅器10のメモリ効果を評価し、メモリ効果を考慮した増幅器10の入出力の関係を示すメモリ効果評価関数を出力する。具体的には、メモリ効果評価装置100は、IMD測定部110、Sパラメータ測定部120、IMD補正部130、メモリレス非線形係数算出部140及びメモリ非線形特性算出部150を有している。
110 IMD測定部
120 Sパラメータ測定部
130 IMD補正部
140 メモリレス非線形係数算出部
150 メモリ非線形特性算出部
Claims (7)
- コンピュータによって実行されるメモリ効果評価プログラムであって、前記コンピュータに、
メモリ効果を有するデバイスに2信号を入力した場合の出力に含まれる相互変調歪みを取得する取得ステップと、
前記デバイスの入力と、当該入力にメモリ効果とは無関係な第1非線形歪み及びメモリ効果に起因する第2非線形歪みが付加された出力との関係を表現する演算式を用いて、前記取得ステップにて取得された相互変調歪みから前記第1非線形歪みを示す係数を算出する第1算出ステップと、
前記第1算出ステップにて算出された係数及び前記演算式を用いて、前記第2非線形歪みに対応する特性値を算出する第2算出ステップと、
を実行させることを特徴とするメモリ効果評価プログラム。 - 前記取得ステップは、
前記デバイスの出力波形を測定する出力測定ステップと、
前記出力測定ステップにて測定されて得られた出力波形から振幅及び位相によって表現される相互変調歪みを導出する導出ステップと、
前記導出ステップにて導出された相互変調歪みの位相を補正する補正ステップと、
を含むことを特徴とする請求項1記載のメモリ効果評価プログラム。 - 前記補正ステップは、
前記デバイスのSパラメータを測定するSパラメータ測定ステップを含み、
前記Sパラメータ測定ステップにて測定されたSパラメータに基づいて相互変調歪みの位相を補正することを特徴とする請求項2記載のメモリ効果評価プログラム。 - 前記補正ステップは、
前記Sパラメータから前記デバイスにおける絶対遅延時間を算出し、算出された絶対遅延時間から基準位相を求め、求められた基準位相によって相互変調歪みの位相を補正することを特徴とする請求項3記載のメモリ効果評価プログラム。 - 前記第1算出ステップは、
前記デバイスの入力と、当該入力に前記デバイスにおける奇数次歪みが前記第1非線形歪みとして付加され、かつ、前記デバイスにおける偶数次歪みによって生じる歪みが前記第2非線形歪みとして付加された出力との関係を表現する演算式を用いて、前記第1非線形歪みを示す係数を算出することを特徴とする請求項1記載のメモリ効果評価プログラム。 - メモリ効果を有するデバイスに2信号を入力した場合の出力に含まれる相互変調歪みを取得する取得ステップと、
前記デバイスの入力と、当該入力にメモリ効果とは無関係な第1非線形歪み及びメモリ効果に起因する第2非線形歪みが付加された出力との関係を表現する演算式を用いて、前記取得ステップにて取得された相互変調歪みから前記第1非線形歪みを示す係数を算出する第1算出ステップと、
前記第1算出ステップにて算出された係数及び前記演算式を用いて、前記第2非線形歪みに対応する特性値を算出する第2算出ステップと、
を有することを特徴とするメモリ効果評価方法。 - メモリ効果を有するデバイスに2信号を入力した場合の出力に含まれる相互変調歪みを取得する取得部と、
前記デバイスの入力と、当該入力にメモリ効果とは無関係な第1非線形歪み及びメモリ効果に起因する第2非線形歪みが付加された出力との関係を表現する演算式を用いて、前記取得部によって取得された相互変調歪みから前記第1非線形歪みを示す係数を算出する第1算出部と、
前記第1算出部によって算出された係数及び前記演算式を用いて、前記第2非線形歪みに対応する特性値を算出する第2算出部と、
を有することを特徴とするメモリ効果評価装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013115818A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Agilent Technologies Inc | 長期記憶効果の存在下で非線形成分について信号をプリディストーションする方法 |
US11482971B2 (en) | 2018-03-02 | 2022-10-25 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Adjusting method and adjusting system for power amplifier |
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