JP2011171031A - 抵抗付き温度ヒューズの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る抵抗付き温度ヒューズの製造方法は、 絶縁基板4の一方の片面を支持基板8上に固着するとともに、この絶縁基板4と並置して一対のリード導体6を支持基板8上に固着する工程と、支持基板8上に固着された絶縁基板4の他方の片面に存在するヒューズエレメント用膜電極3と一対のリード導体6とに跨ってヒューズエレメント7を配設してヒューズエレメント用膜電極3と一対のリード導体6とを電気接続する工程と、支持基板8上の絶縁基板4及び支持基板8上の一対のリード導体6の部分を絶縁封止物9で封止する工程とを含む。
【選択図】図2
Description
この搬送のとき速度を上げれば上げるほど上記リード導体は強く振動する。この振動が、リード導体とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント自体に集中的に負荷されるため、上記接続した箇所あるいヒューズエレメント自体にクラックが生じるおそれがある。
また、この抵抗付き温度ヒューズの製造工程においては、セラミックス基板全体を樹脂で塗布して封止する工程がある。この工程では、上記一対のリード導体を持ち上げることで、セラミックス基板も持ち上げる。そして、この持ち上げた状態で、セラミックス基板全体を樹脂で塗布して封止することになる。しかしながら、上記持ち上げにおいても速度を上げれば上げるほど上記リード導体は強く振動する。したがって、この場合においても、振動が、リード導体とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント自体に集中的に負荷され、上記接続した箇所あるいヒューズエレメント自体にクラックが生じるおそれがある。
このクラックが生じると、ヒューズエレメントの抵抗値が変わって抵抗付き温度ヒューズの動作温度が設定温度と相違してくることになる。
前記絶縁基板(4)の一方の片面を支持基板(8)上に固着するとともに、この絶縁基板(4)と並置して前記一対のリード導体(6)を前記支持基板(8)上に固着する工程と、
前記支持基板(8)上に固着された前記絶縁基板(4)の前記他方の片面に存在するヒューズエレメント用膜電極(3)と前記一対のリード導体(6)とに跨って前記ヒューズエレメント(7)を配設して前記ヒューズエレメント用膜電極(3)と前記一対のリード導体(6)とを電気接続する工程と、
前記支持基板(8)上の前記絶縁基板(4)及び前記支持基板(8)上の前記一対のリード導体(6)の部分を絶縁封止物(9)で封止する工程と
を含むことを特徴とする。
前記各膜電極(13)に、前記ヒューズエレメント用膜電極(3)に電気接続される前記リード導体(6)を半田付けで固着することを特徴とする。
この封止工程は支持基板8の一方の片面(絶縁基板4、リード導体5,6が固着された表面)のみを絶縁封止物9で封止するものであるから、従来のように基板を持ち上げてこの基板全体を樹脂で塗布して封止する封止工程と比して、リード導体6が強く振動することはない。また封止工程においてリード導体6が振動した場合でも、ヒューズエレメント7と接続するリード導体6が支持基板8上に固着されているので、そのリード導体6の振動をリード導体6と支持基板8との固着部分で抑えることができる。このためリード導体6とヒューズエレメント7を接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極3とヒューズエレメント7を接続した箇所あるいはヒューズエレメント7自体に負荷が集中してクラックが生じるのを防止することができる。
2 リード導体用膜電極
3 ヒューズエレメント用膜電極
4 絶縁基板
5 リード導体
6 リード導体
7 ヒューズエレメント
8 支持基板
9 絶縁封止物
13 膜電極
Claims (3)
- 膜抵抗(1)とこの膜抵抗(1)に電気接続するリード導体用膜電極(2)とが一方の片面に配設されていると共に、前記膜電極(1)に電気接続するヒューズエレメント用膜電極(3)が前記一方の片面からこの一方の片面と反対の他方の片面にわたって配設されている絶縁基板(4)と、前記リード導体用膜電極(2)に電気接続されたリード導体(5)と、前記他方の片面に存在するヒューズエレメント用膜電極(3)の両側方に配設された一対のリード導体(6)と、前記他方の片面に存在するヒューズエレメント用膜電極(3)と前記一対のリード導体(6)とに跨って配設されてこれらヒューズエレメント用膜電極(3)と一対のリード導体(6)とを電気接続するヒューズエレメント(7)とを備えた抵抗付き温度ヒューズの製造方法であって、
前記絶縁基板(4)の一方の片面を支持基板(8)上に固着するとともに、この絶縁基板(4)と並置して前記一対のリード導体(6)を前記支持基板(8)上に固着する工程と、
前記支持基板(8)上に固着された前記絶縁基板(4)の前記他方の片面に存在するヒューズエレメント用膜電極(3)と前記一対のリード導体(6)とに跨って前記ヒューズエレメント(7)を配設して前記ヒューズエレメント用膜電極(3)と前記一対のリード導体(6)とを電気接続する工程と、
前記支持基板(8)上の前記絶縁基板(4)及び前記支持基板(8)上の前記一対のリード導体(6)の部分を絶縁封止物(9)で封止する工程と
を含むことを特徴とする抵抗付き温度ヒューズの製造方法。 - 前記支持基板(8)上に一対の膜電極(13)が設けられ、
前記膜電極(13)に、前記ヒューズエレメント用膜電極(3)に電気接続される前記リード導体(6)を半田付けで固着することを特徴とする請求項1に記載の抵抗付き温度ヒューズの製造方法。 - 前記支持基板(8)上に、前記ヒューズエレメント用膜電極(3)に電気接続される前記リード導体(6)を接着剤で固着することを特徴とする請求項1に記載の抵抗付き温度ヒューズの製造方法。
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JPH1196872A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Uchihashi Estec Co Ltd | 複合回路素子 |
JP2007087783A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Uchihashi Estec Co Ltd | 抵抗付きヒューズ |
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