JP2011165827A - Method of manufacturing light emitting apparatus - Google Patents

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Koichi Takayama
浩一 高山
Masami Kumei
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a light emitting element capable of adjusting chromaticity without changing a shape of a phosphor content resin. <P>SOLUTION: A process of measuring the chromaticity of light irradiated from a light emitting apparatus having a light emitting element and a phosphor layer, and a process of irradiating laser light with a predetermined wavelength to the phosphor layer to deactivate a part of the phosphor without changing the shape of the phosphor layer and to shift the chromaticity when the chromaticity measured by the chromaticity measuring process is out of a range that is preliminarily defined are executed. The laser light is absorbed by the phosphor, and has a wavelength that penetrates a resin. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、蛍光体層を備えた発光装置の製造方法に関し、特に、色度調整が可能な製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device including a phosphor layer, and more particularly to a manufacturing method capable of adjusting chromaticity.

白色発光するLEDデバイスとして、基材に実装された青色LEDチップと、蛍光体含有樹脂とを備えたデバイスが知られている。LEDの青色光の一部は、蛍光体を励起し、LEDチップから発せられる青色光と、励起された蛍光体から発せられる黄色蛍光とが混合されることにより白色発光が得られる。黄色蛍光を発する蛍光体の代わりに、緑色と赤色の発光が得られる蛍光体を混合して用いることも可能である。蛍光体含有樹脂の形成方法として、一般に印刷やディスペンスなどの塗布方法が用いられる。   As an LED device that emits white light, a device including a blue LED chip mounted on a base material and a phosphor-containing resin is known. Part of the blue light of the LED excites the phosphor, and white light is obtained by mixing the blue light emitted from the LED chip and the yellow fluorescence emitted from the excited phosphor. Instead of the phosphor emitting yellow fluorescence, it is also possible to use a mixture of phosphors capable of emitting green and red light. As a method for forming the phosphor-containing resin, generally, a coating method such as printing or dispensing is used.

白色LEDデバイスの光の色味(色度)を支配するのは、青色LEDから発せられる光量と、蛍光体から発せられる光量との比である。製造時に、所望の色度を得るための蛍光体濃度や、チップ上の蛍光体樹脂層の厚さ等の塗布条件を定め、この条件で塗布を行うことにより、個別製品間の色度バラツキを抑えている。しかしながら、一定の条件で製造しても、チップ上の蛍光体層の厚さや量にはある程度のバラツキが生じてしまう。蛍光体層のバラツキにより、製品のLEDデバイスの発光の色度にバラツキが発生する。   It is the ratio of the amount of light emitted from the blue LED and the amount of light emitted from the phosphor that dominates the light color (chromaticity) of the white LED device. At the time of manufacture, the application conditions such as the phosphor concentration to obtain the desired chromaticity and the thickness of the phosphor resin layer on the chip are determined. By applying under these conditions, the chromaticity variation between individual products can be reduced. It is suppressed. However, even if it is manufactured under certain conditions, there will be some variation in the thickness and amount of the phosphor layer on the chip. Due to the variation in the phosphor layer, the light emission chromaticity of the product LED device varies.

現状では、色度バラツキを持つ製品に点灯検査を行って、製品仕様に応じてランク分けしている。このため、製品仕様に合致したランク以外の色度の製品が発生した場合にはコスト増になる。また、同じランク内の製品であっても、例えば、ランク座標両端の製品を並べて点灯させた場合、発光の色味が微妙に異なり、商品によっては問題が生じる場合がある。   At present, lighting inspections are performed on products with chromaticity variations, and the products are ranked according to product specifications. For this reason, when a product having a chromaticity other than the rank that matches the product specification is generated, the cost increases. Moreover, even if the products are in the same rank, for example, when the products at both ends of the rank coordinates are lit side by side, the color of light emission is slightly different, and a problem may occur depending on the product.

特許文献１では、封止層の上に形成された蛍光体樹脂層を、レーザー照射により蛍光体樹脂層を部分的に取り除くことで色制御する方法が開示されている。特許文献２では、波長変換材料層をアブレーションにより一部除去し、波長変換材料の量を低減することにより色制御する方法が開示されている。   Patent Document 1 discloses a method of controlling the color of a phosphor resin layer formed on a sealing layer by partially removing the phosphor resin layer by laser irradiation. Patent Document 2 discloses a method of controlling the color by partially removing the wavelength conversion material layer by ablation and reducing the amount of the wavelength conversion material.

特許文献３には、LEDチップ上に透明樹脂により形成したレンズの表面にレーザを照射して粗面を形成する方法が開示されている。   Patent Document 3 discloses a method of forming a rough surface by irradiating a surface of a lens formed of a transparent resin on an LED chip with a laser.

特開２００２−３４４０２９号公報JP 2002-344029 A 特開２００７−３２４６０８号公報JP 2007-324608 A 特開２００７−２２７９２６号公報JP 2007-227926 A

特許文献１および２に記載のように、蛍光体樹脂層をレーザー照射により部分的に取り除く方法を複数種類の樹脂を用いて試したところ、蛍光体樹脂層に凹部を形成することはできても樹脂に変色を生じたり、樹脂に凹部が形成される前に樹脂の膨らみや変色を生じる試料があった。樹脂の変色や膨らみは、LEDチップから発せられる光束を遮蔽するため、出力効率を低下させる。   As described in Patent Documents 1 and 2, when a method of partially removing the phosphor resin layer by laser irradiation was tried using a plurality of types of resins, a recess could be formed in the phosphor resin layer. There were samples in which discoloration occurred in the resin or the resin swelled or discolored before the recesses were formed in the resin. Resin discoloration and bulges block the luminous flux emitted from the LED chip, thus reducing the output efficiency.

本発明の目的は、蛍光体含有樹脂の形状を変えずに色度調整が可能な発光素子の製造方法を提供することにある。   The objective of this invention is providing the manufacturing method of the light emitting element which can adjust chromaticity, without changing the shape of fluorescent substance containing resin.

上記目的を達成するために、本発明の第１の態様によれば、以下のような発光装置が提供される。すなわち、発光素子と、発光素子の発する光で励起され蛍光を発する蛍光体を含む蛍光体層とを備える発光装置から発せられる光の色度を測定する色度測定工程と、色度測定工程で測定した色度が、予め定めた範囲から外れている場合、所定波長のレーザー光を蛍光体層に照射し、蛍光体層の形状を変化させることなく蛍光体の一部を失活させ、色度をシフトさせる色度調整工程とを有する発光装置の製造方法である。   In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, the following light emitting device is provided. That is, in a chromaticity measurement step for measuring chromaticity of light emitted from a light emitting device including a light emitting element and a phosphor layer including a phosphor that is excited by light emitted from the light emitting element and emits fluorescence, When the measured chromaticity is out of the predetermined range, the phosphor layer is irradiated with laser light of a predetermined wavelength, and a part of the phosphor is deactivated without changing the shape of the phosphor layer. And a chromaticity adjustment step of shifting the degree.

上記蛍光体層は、蛍光体と樹脂とを含有する場合、色度調整工程で照射するレーザー光は、蛍光体で吸収され、樹脂を透過する波長とすることが好ましい。   When the phosphor layer contains a phosphor and a resin, it is preferable that the laser light irradiated in the chromaticity adjustment step is absorbed by the phosphor and has a wavelength that transmits the resin.

色度調整工程では、発光素子の真上に位置する蛍光体層にレーザー光を照射することが可能である。これにより、効果的に色度をシフトさせることができる。   In the chromaticity adjustment step, it is possible to irradiate the phosphor layer located directly above the light emitting element with laser light. Thereby, chromaticity can be effectively shifted.

発光素子が複数で、蛍光体層は複数の発光素子を一体に覆うように配置されている場合、色度調整工程では、隣接する発光素子の間隙に位置する蛍光体層にレーザー光を照射することが可能である。これにより、発光素子に与えるダメージを抑えることができる。   When there are a plurality of light emitting elements and the phosphor layer is arranged so as to cover the plurality of light emitting elements integrally, in the chromaticity adjustment step, the phosphor layer located in the gap between adjacent light emitting elements is irradiated with laser light. It is possible. Thereby, the damage given to a light emitting element can be suppressed.

蛍光体層に含有される蛍光体は複数種類である場合、レーザー光として、複数種類の蛍光体のいずれにも吸収される波長を用い、複数種類の蛍光体を失活させることが可能である。   When there are a plurality of types of phosphors contained in the phosphor layer, it is possible to deactivate a plurality of types of phosphors using a wavelength that is absorbed by any of the plurality of types of phosphors as a laser beam. .

蛍光体層に含有される蛍光体は複数種類である場合、レーザー光として、複数種類の蛍光体の一部の種類の蛍光体にのみ吸収される波長を用い、一部の種類の蛍光体のみを失活させることも可能である。   When there are multiple types of phosphors contained in the phosphor layer, only some types of phosphors are used as the laser light, using wavelengths that are absorbed only by some types of phosphors of the plurality of types of phosphors. Can be deactivated.

色度調整工程では、レーザー照射量を制御することにより、色度のシフト量を調整することが可能である。   In the chromaticity adjustment step, it is possible to adjust the chromaticity shift amount by controlling the laser irradiation amount.

また、色度調整工程では、予め求めておいたレーザー光の照射量と色度のシフト量との関係を用いて、色度測定工程で測定した色度と予め定めた範囲とのずれ量に対応するレーザー光の照射量を求め、当該照射量のレーザー光を蛍光体層に照射することが可能である。これにより、レーザー照射量により、色度シフト量を調整し、所定の色度範囲の発光装置が製造できる。   Further, in the chromaticity adjustment step, the deviation between the chromaticity measured in the chromaticity measurement step and a predetermined range is calculated using the relationship between the laser light irradiation amount and the chromaticity shift amount obtained in advance. It is possible to determine the irradiation amount of the corresponding laser beam and irradiate the phosphor layer with the irradiation amount of the laser beam. Thereby, the chromaticity shift amount is adjusted by the laser irradiation amount, and a light emitting device having a predetermined chromaticity range can be manufactured.

本発明によれば、レーザー光を照射するという簡単な工程で、蛍光体層を変形させることなく色度を調整することができる。これにより、色度が所定範囲に入った発光装置を製造でき、製造効率が向上するとともに、製品の品位も向上する。また、蛍光体層が変形しないため、変形に伴う光束の損失を防止でき、高出射効率の発光装置を提供できる。   According to the present invention, the chromaticity can be adjusted by a simple process of irradiating laser light without deforming the phosphor layer. As a result, a light emitting device having a chromaticity within a predetermined range can be manufactured, the manufacturing efficiency is improved, and the product quality is also improved. In addition, since the phosphor layer is not deformed, loss of light flux accompanying the deformation can be prevented, and a light emitting device with high emission efficiency can be provided.

第１の実施形態の発光装置の(a)断面図、(b)上面図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS (a) Sectional drawing of the light-emitting device of 1st Embodiment, (b) Top view. 第１の実施形態の製造方法の工程を示すフローチャート。The flowchart which shows the process of the manufacturing method of 1st Embodiment. 第１の実施形態で用いることのできる樹脂の透過スペクトルを示すグラフ。The graph which shows the transmission spectrum of resin which can be used in 1st Embodiment. 第１の実施形態で用いることのできるYAG蛍光体の励起スペクトルと蛍光スペクトルを示すグラフ。The graph which shows the excitation spectrum and fluorescence spectrum of YAG fluorescent substance which can be used in 1st Embodiment. 第２の実施形態で用いることのできる蛍光体Ca3Sc2Si3O12：Ce3＋の励起スペクトルと蛍光スペクトルを示すグラフ。Phosphor Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12, which can be used in the second embodiment: a graph showing the excitation and fluorescence spectra of Ce 3+. 第２の実施形態で用いることのできる蛍光体CaAlSiN3:Eu2+の励起スペクトルと蛍光スペクトルを示すグラフ。Phosphor CaAlSiN 3 which can be used in the second embodiment: a graph showing the excitation and fluorescence spectra of Eu 2+. 第２の実施形態で用いることのできる蛍光体Gd2MgTiO6の励起スペクトルと蛍光スペクトルを示すグラフ。Graph showing the excitation spectrum and the fluorescence spectrum of the phosphor Gd 2 MgTiO 6 which can be used in the second embodiment. 実施例で製造した発光装置試料のレーザー照射前後の発光スペクトルを示すグラフ。The graph which shows the emission spectrum before and behind the laser irradiation of the light-emitting device sample manufactured in the Example. 実施例で製造した発光装置試料のレーザーを照射した蛍光体樹脂層の面と、照射していない面の凹凸を示すグラフ。The graph which shows the unevenness | corrugation of the surface of the fluorescent substance resin layer which irradiated the laser of the light-emitting device sample manufactured in the Example, and the surface which is not irradiated.

以下、本発明の一実施の形態について説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.

本発明では、LEDチップを被覆する蛍光体樹脂を備える発光装置において、蛍光体樹脂の一部にレーザー光を照射することにより、蛍光体樹脂部を変形させずに、蛍光体を失活させる。ここで蛍光体の失活とは、目視による蛍光体の外観は変化していないが、所定波長の励起光を照射しても蛍光を発しなくなることを言う。   In the present invention, in a light-emitting device including a phosphor resin that covers an LED chip, the phosphor is deactivated by irradiating a part of the phosphor resin with laser light without deforming the phosphor resin portion. Here, the deactivation of the phosphor means that the appearance of the phosphor visually does not change, but it does not emit fluorescence even when irradiated with excitation light of a predetermined wavelength.

蛍光体樹脂部の一部の蛍光体を失活させ、蛍光を発しないようにすることにより、LEDチップから蛍光体樹脂を透過してそのまま出射される光の量が相対的に大きくなり、色度がLEDチップの出射光色度に近づく方向に変化する。失活させる蛍光体量を調節することにより、色度を調整することができる。   By deactivating part of the phosphor in the phosphor resin part so that it does not emit fluorescence, the amount of light that passes through the phosphor resin from the LED chip and is emitted as it is is relatively large. The degree changes in a direction approaching the emitted light chromaticity of the LED chip. The chromaticity can be adjusted by adjusting the amount of phosphor to be deactivated.

（第１の実施形態）
第１の実施形態の発光装置の製造方法について、図１（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。図１（ａ）および（ｂ）は、本実施形態の発光装置の断面図および正面図である。 (First embodiment)
A method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1A and 1B are a cross-sectional view and a front view of the light-emitting device of the present embodiment.

図１（ａ），（ｂ）の発光装置は、給電用配線を表面に備えた基板1と、その上に搭載された複数のLEDチップ2と、LEDチップ2の上面および側面を被覆する蛍光体樹脂層3とを備えて構成される。蛍光体樹脂層3は、蛍光体を分散させた樹脂により構成されている。   1 (a) and 1 (b), the light emitting device includes a substrate 1 having a power supply wiring on its surface, a plurality of LED chips 2 mounted thereon, and a fluorescent material covering the upper and side surfaces of the LED chip 2. And a body resin layer 3. The phosphor resin layer 3 is made of a resin in which a phosphor is dispersed.

本実施形態では、蛍光体樹脂層3に含有される蛍光体は、１種類であり、LEDチップ2の発光により励起されて蛍光を発し、LEDチップ2の発光と蛍光とが混合されて所望の色の光が得られるものを選択する。例えば、青色光を発するLEDチップ2を用いて白色光を得る場合、黄色蛍光を発する蛍光体として、YAG蛍光体(Y3Al5O12:Ce3+）、オルトシリケート系蛍光体((Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu2+または(Sr,Ba)2SiO4:Eu2+）、または、酸窒化物蛍光体(βサイアロン；(Si,Al)6(O,N)8:Eu2+)を用いることができる。 In the present embodiment, the phosphor contained in the phosphor resin layer 3 is one type, and is excited by the light emission of the LED chip 2 to emit fluorescence, and the light emission and the fluorescence of the LED chip 2 are mixed to obtain a desired one. Choose the one that gives the color light. For example, when white light is obtained using the LED chip 2 that emits blue light, YAG phosphors (Y 3 Al 5 O 12 : Ce 3+ ), orthosilicate phosphors ((Sr , Ba, Ca) 2 SiO 4 : Eu 2+ or (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu 2+ ) or oxynitride phosphor (β sialon; (Si, Al) 6 (O, N) 8 : Eu 2+ ) can be used.

蛍光体樹脂層3の樹脂は、LEDチップ2が発する光と、蛍光体の発する蛍光に対して透明なものを用いる。例えば、青色光を発するLEDチップ2と黄色蛍光を発する蛍光体を用いる場合には、ジメチルシリコーン樹脂、フェニルシリコーン樹脂、シルセスキオキサン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂等を用いることができる。   As the resin of the phosphor resin layer 3, a resin that is transparent to the light emitted from the LED chip 2 and the fluorescence emitted from the phosphor is used. For example, when the LED chip 2 that emits blue light and the phosphor that emits yellow fluorescence are used, dimethyl silicone resin, phenyl silicone resin, silsesquioxane resin, epoxy resin, fluororesin, acrylic resin, or the like can be used. .

なお、樹脂の代わりにガラスやセラミックなど無機の封止材を用いることも可能である。また、樹脂や封止材を用いず、蛍光体そのものを成型して蛍光体層を形成することも可能である。   It is also possible to use an inorganic sealing material such as glass or ceramic instead of the resin. Further, it is possible to form the phosphor layer by molding the phosphor itself without using a resin or a sealing material.

次に、本実施形態の発光装置の製造方法について図２のフローチャートを用いて説明する。   Next, the manufacturing method of the light-emitting device of this embodiment is demonstrated using the flowchart of FIG.

本製造方法のステップ105においては、レーザー光を蛍光体樹脂層に照射し、蛍光体を一部失活させることにより、発光装置の色度調整を行う。レーザー光は、蛍光体樹脂層の蛍光体を失活させるために、蛍光体に吸収される波長（すなわち、蛍光体を励起することができる波長）であって、樹脂は透過する波長を用いる。   In step 105 of this manufacturing method, the phosphor resin layer is irradiated with laser light, and the phosphor is partially deactivated to adjust the chromaticity of the light emitting device. In order to deactivate the phosphor in the phosphor resin layer, the laser light has a wavelength that is absorbed by the phosphor (that is, a wavelength that can excite the phosphor), and a wavelength that allows the resin to pass through.

例えば、樹脂としては、メチルシリコーン（東レ・ダウコーニング(株)製OE6336）やフェニルシリコーン（東レ・ダウコーニング(株)製OE6520）を用いることができ、これら樹脂は、図３に示す透過スペクトルを示す。   For example, methyl silicone (OE6336 manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.) or phenyl silicone (OE6520 manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.) can be used as the resin, and these resins have the transmission spectrum shown in FIG. Show.

また、蛍光体として、YAG蛍光体を用いる場合、YAG蛍光体の励起光スペクトル（吸収スペクトル）は、図４のようになる。（なお、図４の励起光スペクトルの測定方法については、実施例において詳しく述べる。）図４の励起スペクトルから明らかなようにYAG蛍光体は、紫外光域の広範囲の光で励起され、これらの波長光を吸収することが分かる。   When a YAG phosphor is used as the phosphor, the excitation light spectrum (absorption spectrum) of the YAG phosphor is as shown in FIG. (The method for measuring the excitation light spectrum of FIG. 4 will be described in detail in the embodiment.) As is apparent from the excitation spectrum of FIG. 4, the YAG phosphor is excited by a wide range of light in the ultraviolet region. It can be seen that light of a wavelength is absorbed.

よって、レーザー波長として、例えば波長266nmまたは355nmを選択することにより、蛍光体で吸収され、樹脂を透過するため、蛍光体を失活させることができる。波長355nm、266nmは、YAGレーザー（波長1064nm）の第3次高調波および第4次高調波であるので、非線形結晶を用いて得ることができる。   Accordingly, by selecting, for example, a wavelength of 266 nm or 355 nm as the laser wavelength, the phosphor can be deactivated because it is absorbed by the phosphor and passes through the resin. Wavelengths of 355 nm and 266 nm are the third and fourth harmonics of a YAG laser (wavelength 1064 nm) and can be obtained using a nonlinear crystal.

また、レーザー光がLEDチップ2に到達し、LEDチップ2がレーザー光を吸収することによりLEDチップ2が損傷するのを防ぐため、蛍光体でレーザー光が十分吸収され、LEDチップ2に損傷を与えない範囲のレーザー照射量で照射を行う。レーザー照射量の制御は、例えば、レーザー強度を調節する方法や、一定強度のレーザー光の照射回数の増減により調節する方法を用いることができる。   Moreover, in order to prevent the laser light from reaching the LED chip 2 and damaging the LED chip 2 by the LED chip 2 absorbing the laser light, the laser light is sufficiently absorbed by the phosphor and the LED chip 2 is damaged. Irradiate with a laser dose in the range not given. The laser irradiation amount can be controlled by, for example, a method of adjusting the laser intensity or a method of adjusting by increasing / decreasing the number of times of irradiation with laser light having a constant intensity.

具体的な製造方法としては、まず、給電のために表面に配線を備えた基板1に、LEDチップ2を実装する（ステップ101）。実装方法としては、半田バンプ等公知の方法を用いることができる。   As a specific manufacturing method, first, the LED chip 2 is mounted on the substrate 1 having wiring on the surface for power supply (step 101). As a mounting method, a known method such as a solder bump can be used.

未硬化の樹脂に蛍光体を所定量混練した蛍光体樹脂を調合し、LEDチップ2の上面および側面に所定の厚さの蛍光体樹脂層3を形成する。蛍光体樹脂層3の形成方法としては、印刷、ディスペンス、スプレー、電着、沈降、シート貼り合わせ、接着などの方法を用いることができる。その後、所定の硬化方法により樹脂を硬化させることにより蛍光体樹脂層3を形成する（ステップ102）。   A phosphor resin obtained by kneading a predetermined amount of phosphor with uncured resin is prepared, and a phosphor resin layer 3 having a predetermined thickness is formed on the upper surface and side surfaces of the LED chip 2. As a method for forming the phosphor resin layer 3, methods such as printing, dispensing, spraying, electrodeposition, sedimentation, sheet bonding, and adhesion can be used. Thereafter, the phosphor resin layer 3 is formed by curing the resin by a predetermined curing method (step 102).

つぎに、上記ステップ101、102で製造した発光装置の点灯検査を行う（ステップ103）。具体的には、基板1の給電用配線からLEDチップ2に給電し、LEDチップ2を発光させる。LEDチップ2から発せられた光の一部は、蛍光体樹脂層3を励起し、蛍光が発せられる。蛍光体樹脂層3を透過した光と蛍光とが混合された光を、光検出器で受光し、色度を測定する。   Next, a lighting inspection of the light emitting device manufactured in the above steps 101 and 102 is performed (step 103). Specifically, the LED chip 2 is supplied with power from the power supply wiring of the substrate 1 to cause the LED chip 2 to emit light. A part of the light emitted from the LED chip 2 excites the phosphor resin layer 3 to emit fluorescence. The light mixed with the light transmitted through the phosphor resin layer 3 and the fluorescent light is received by a photodetector and the chromaticity is measured.

ステップ103で測定した製品の発光装置の色度と、製品に必要とされる色度範囲との差(色度シフト量)を求める。予め求めておいた、レーザー照射量と色度シフト量と関係を示すテーブル等を参照することにより、製品の色度シフト量に対応するレーザー照射量を決定する。これにより、この製品を所定の色度範囲にするために必要なレーザー照射量が決定される。（ステップ104）。   A difference (chromaticity shift amount) between the chromaticity of the light emitting device of the product measured in step 103 and the chromaticity range required for the product is obtained. The laser irradiation amount corresponding to the chromaticity shift amount of the product is determined by referring to a table showing the relationship between the laser irradiation amount and the chromaticity shift amount obtained in advance. This determines the amount of laser irradiation required to bring this product into a predetermined chromaticity range. (Step 104).

レーザー光を蛍光体樹脂層3の予め定めた領域に位置合わせし、ステップ104により決定した照射量を照射する（ステップ105）。レーザー光を照射する領域は、LEDチップ2の真上であってもよいし、隣接するLEDチップ2の間であってもよい。   The laser beam is aligned with a predetermined region of the phosphor resin layer 3, and the irradiation amount determined in step 104 is irradiated (step 105). The region to be irradiated with the laser light may be directly above the LED chip 2 or between adjacent LED chips 2.

なお、ステップ104で用いる、レーザー照射量と色度シフト量との関係を示すテーブル等は、以下のようにして予め求めておく。まず、上記ステップ101、102を行って発光装置試料を複数作製する。各試料に異なる照射量でレーザー光を照射する。レーザー波長、レーザー照射量の制御方法およびレーザー光の照射領域は、ステップ104、105と同じにすることが望ましい。照射後の試料に点灯検査を行い、色度を計測する。これにより、レーザー照射量と、色度シフト量との関係が求められる。求めた結果は、テーブル等にすることが可能である。   Note that a table or the like indicating the relationship between the laser irradiation amount and the chromaticity shift amount used in step 104 is obtained in advance as follows. First, the above steps 101 and 102 are performed to produce a plurality of light emitting device samples. Each sample is irradiated with laser light at a different dose. The laser wavelength, the laser irradiation amount control method, and the laser light irradiation region are preferably the same as those in steps 104 and 105. A lighting test is performed on the sample after irradiation, and the chromaticity is measured. Thereby, the relationship between the laser irradiation amount and the chromaticity shift amount is obtained. The obtained result can be a table or the like.

上述してきたように本実施形態の製造方法は、色度を測定し、所望の色度からのずれ量に対応した所定量のレーザーを照射するという簡単な工程により色度を調整することができるため、所定の色度範囲の発光装置を製造することができ、製造歩留まりが向上する。また、製品間の色度のばらつきを小さくすることができるため、色度のそろった品位の高い発光装置を提供することができる。   As described above, the manufacturing method of the present embodiment can adjust the chromaticity by a simple process of measuring the chromaticity and irradiating a predetermined amount of laser corresponding to the deviation from the desired chromaticity. Therefore, a light emitting device having a predetermined chromaticity range can be manufactured, and the manufacturing yield is improved. In addition, since variation in chromaticity between products can be reduced, a light emitting device with high chromaticity and high quality can be provided.

（第２の実施形態）
第２の実施の形態の発光装置の製造方法について説明する。 (Second Embodiment)
A method for manufacturing the light emitting device according to the second embodiment will be described.

第２の実施形態では、蛍光体樹脂層3に蛍光波長の異なる２種類の蛍光体を含有させる。図３のステップ105においてレーザー光を照射することにより、２種類の蛍光体を両方失活させ、色度をシフトさせる。レーザー光の波長は、２種類の蛍光体の吸収波長であって、樹脂を透過する波長を選択する。発光装置の他の構成および製造工程は、第１の実施形態と同様である。   In the second embodiment, the phosphor resin layer 3 contains two types of phosphors having different fluorescence wavelengths. By irradiating laser light in step 105 of FIG. 3, both the two types of phosphors are deactivated, and the chromaticity is shifted. The wavelength of the laser light is the absorption wavelength of the two types of phosphors, and the wavelength that transmits the resin is selected. Other configurations and manufacturing processes of the light emitting device are the same as those in the first embodiment.

蛍光体としては、例えば、YAG蛍光体(Y3Al5O12:Ce3+)、窒化物蛍光体(CASN；CaAlSiN3:Eu2+)、オルトシリケート系蛍光体((Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu2+または(Sr,Ba)2SiO4:Eu2+)、酸窒化物蛍光体(βサイアロン；(Si,Al)6(O,N)8:Eu2+)、酸化物ガーネット蛍光体(Ca3Sc2Si3O12:Ce3+)等を混合して用いることができる。 Examples of the phosphor include YAG phosphor (Y 3 Al 5 O 12 : Ce 3+ ), nitride phosphor (CASN; CaAlSiN 3 : Eu 2+ ), orthosilicate phosphor ((Sr, Ba, Ca ) 2 SiO 4 : Eu 2+ or (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu 2+ ), oxynitride phosphor (β sialon; (Si, Al) 6 (O, N) 8 : Eu 2+ ), An oxide garnet phosphor (Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12 : Ce 3+ ) or the like can be mixed and used.

具体的には、例えば、LEDチップ2として、青色光を発するものを用い、蛍光体として、青色光を励起光として、図５に示したように緑色の蛍光スペクトルを発するCa3Sc2Si3O12：Ce3＋と、図６のように青色光を励起光として赤色の蛍光スペクトルを発するCaAlSiN3:Eu2+とを混合したものを用いることにより、白色光を発する発光装置が得られる。 Specifically, for example, the LED chip 2 that emits blue light is used, and the phosphor is Ca 3 Sc 2 Si 3 that emits green fluorescence spectrum as shown in FIG. 5 using blue light as excitation light. By using a mixture of O 12 : Ce 3+ and CaAlSiN 3 : Eu 2+ that emits a red fluorescence spectrum using blue light as excitation light as shown in FIG. 6, a light emitting device that emits white light can be obtained.

この場合、Ca3Sc2Si3O12：Ce3＋およびCaAlSiN3:Eu2+の励起スペクトル（吸収スペクトル）は、図５および図６に示した通りであるため、図２の製造方法のステップ105において、例えば532nmのレーザー光を蛍光体樹脂層3に照射することにより、両方の蛍光体にレーザー光を吸収させることができる。これにより、両方の蛍光体を失活させ、色度をシフトさせることができる。532nmのレーザー光は、YAGレーザーの第2次高調波を用いることができる。 In this case, the excitation spectrum (absorption spectrum) of Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12 : Ce 3+ and CaAlSiN 3 : Eu 2+ is as shown in FIG. 5 and FIG. In 105, for example, by irradiating the phosphor resin layer 3 with 532 nm laser light, both phosphors can absorb the laser light. Thereby, both phosphors can be deactivated and the chromaticity can be shifted. The second harmonic of a YAG laser can be used for the 532 nm laser light.

樹脂としては、例えばフェニルシリコーンおよびメチルシリコーンのいずれかを用いることができる。これらの樹脂は、図３のように、波長532nmのレーザー光に対し高い透過率を有する。   As the resin, for example, either phenyl silicone or methyl silicone can be used. These resins have a high transmittance with respect to laser light having a wavelength of 532 nm as shown in FIG.

したがって、蛍光体を２種類含有させる他は、図３の製造方法と同様に製造することにより、色度を調整した発光装置が製造できる。   Therefore, a light emitting device with adjusted chromaticity can be manufactured by manufacturing in the same manner as the manufacturing method of FIG. 3 except that two types of phosphors are contained.

また、赤色蛍光を発する蛍光体としては、CaAlSiN3:Eu2+に代え、Gd2MgTiO6を用いることも可能である。図７にGd2MgTiO6の励起スペクトル（吸収スペクトル）と波長450nmで励起した場合の蛍光スペクトルを示す。Gd2MgTiO6は、532nmのレーザー光を吸収するため、Ca3Sc2Si3O12：Ce3＋とともに樹脂に分散させ、蛍光体樹脂層3を構成することにより、波長532nmのレーザー光の照射で両方の蛍光体を失活させ、色度を調整することができる。 In addition, as a phosphor emitting red fluorescence, Gd 2 MgTiO 6 can be used instead of CaAlSiN 3 : Eu 2+ . FIG. 7 shows the excitation spectrum (absorption spectrum) of Gd 2 MgTiO 6 and the fluorescence spectrum when excited at a wavelength of 450 nm. Gd 2 MgTiO 6 absorbs 532 nm laser light, so it is dispersed in resin together with Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12 : Ce 3+ to form a phosphor resin layer 3 to irradiate laser light with a wavelength of 532 nm. Both phosphors can be deactivated and the chromaticity can be adjusted.

（第３の実施形態）
第３の実施の形態の発光装置の製造方法について説明する。 (Third embodiment)
A method for manufacturing the light emitting device according to the third embodiment will be described.

第３の実施形態では、蛍光体樹脂層3に蛍光波長の異なる２種類の蛍光体を含有させ、図３のステップ105においてレーザー光を照射することにより、２種類の蛍光体のうち、一方のみを失活させ、色度をシフトさせる。レーザー光の波長は、２種類の蛍光体のうち、一方の蛍光体の吸収波長であって、他方の蛍光体の吸収が小さく、かつ、樹脂を透過する波長を選択する。発光装置の他の構成および製造工程は、第１の実施形態と同様である。   In the third embodiment, two kinds of phosphors having different fluorescence wavelengths are contained in the phosphor resin layer 3, and laser light is irradiated in step 105 of FIG. 3, so that only one of the two kinds of phosphors is irradiated. Is deactivated and the chromaticity is shifted. The wavelength of the laser light is an absorption wavelength of one of the two types of phosphors, and the wavelength at which the other phosphor has a small absorption and transmits the resin is selected. Other configurations and manufacturing processes of the light emitting device are the same as those in the first embodiment.

具体的には、例えば、LEDチップ2として、青色光を発するものを用い、蛍光体として、第２の実施形態で用いた青色光を励起光として赤色の蛍光スペクトル（図６）を発するCaAlSiN3:Eu2+と、第１の実施形態で用いた青色光を励起光として黄色の蛍光スペクトル（図４）を発するYAG蛍光体とを混合したものを用いることにより、白色光を発する発光装置が得られる。 Specifically, for example, the LED chip 2 that emits blue light is used, and the phosphor is CaAlSiN 3 that emits red fluorescence spectrum (FIG. 6) using the blue light used in the second embodiment as excitation light. : A light emitting device that emits white light by using a mixture of Eu 2+ and a YAG phosphor that emits a yellow fluorescence spectrum (FIG. 4) using the blue light used in the first embodiment as excitation light. can get.

この場合、２種類の蛍光体の励起スペクトル（吸収スペクトル）は、図６および図４に示した通りであるため、図２の製造方法のステップ105において、例えば532nmのレーザー光を蛍光体樹脂層3に照射した場合、CaAlSiN3:Eu2+はレーザー光を吸収して失活するが、YAG蛍光体は、レーザー光を吸収せず失活しない。これにより、２種類の蛍光体のうちCaAlSiN3:Eu2+のみを失活させ、色度をシフトさせることができる。 In this case, since the excitation spectra (absorption spectra) of the two types of phosphors are as shown in FIGS. 6 and 4, in step 105 of the manufacturing method of FIG. When irradiated to 3, CaAlSiN 3 : Eu 2+ absorbs laser light and deactivates, but YAG phosphor does not absorb laser light and does not deactivate. Thereby, only CaAlSiN 3 : Eu 2+ of the two types of phosphors can be deactivated, and the chromaticity can be shifted.

したがって、蛍光体を２種類含有させる他は、図３の製造方法と同様に製造することにより、色度を調整した発光装置が製造できる。   Therefore, a light emitting device with adjusted chromaticity can be manufactured by manufacturing in the same manner as the manufacturing method of FIG. 3 except that two types of phosphors are contained.

本発明の実施例について説明する。   Examples of the present invention will be described.

本実施例では、第１の実施形態の製造方法により、色度調整した発光装置を製造した。   In this example, a light emitting device with adjusted chromaticity was manufactured by the manufacturing method of the first embodiment.

発光装置の構造は、図１（ａ），（ｂ）の形状であり、LEDチップ2としては、出射波長450nm、上面サイズ1mm角のものを用いた。   The structure of the light emitting device is the shape of FIGS. 1A and 1B, and the LED chip 2 having an emission wavelength of 450 nm and an upper surface size of 1 mm square is used.

蛍光体樹脂層3の蛍光体は、YAG蛍光体を用いた。樹脂は、メチルシリコーン（東レ・ダウコーニング(株)製OE6336）を用いた。この樹脂の透過スペクトルは、図３に示した通りである。蛍光体樹脂層3のYAG蛍光体の含有量は、20〜30ｗｔ％、具体的には25ｗｔ％とした。蛍光体樹脂層3の厚さは、10〜250μm、具体的には200μmとした。LEDチップ2の間隔は１００μmとした。   As the phosphor of the phosphor resin layer 3, a YAG phosphor was used. As the resin, methyl silicone (OE6336 manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.) was used. The transmission spectrum of this resin is as shown in FIG. The content of the YAG phosphor in the phosphor resin layer 3 was 20 to 30 wt%, specifically 25 wt%. The thickness of the phosphor resin layer 3 was 10 to 250 μm, specifically 200 μm. The distance between the LED chips 2 was 100 μm.

まず、蛍光体を失活させる工程（図２のステップ１０５）で照射するレーザー波長を決定するために、YAG蛍光体に吸収されるレーザー波長を求めた。粉末の蛍光体の吸収スペクトルの測定は容易ではないため、励起光波長を変化させながら所定波長の蛍光強度（励起スペクトル）を測定した。図４に測定結果を示した。図４において、励起スペクトルの横軸はYAG蛍光体に照射した励起光波長であり、縦軸は、その時に得られた波長490nmの蛍光の強度を示している。また、波長450nmの励起光で励起したときのYAG蛍光体の蛍光スペクトルを合わせて図４に示す。図４の励起スペクトルの縦軸は、蛍光スペクトルの波長545nmの蛍光強度を1として規格化されている。   First, in order to determine the laser wavelength irradiated in the step of deactivating the phosphor (step 105 in FIG. 2), the laser wavelength absorbed by the YAG phosphor was determined. Since it is not easy to measure the absorption spectrum of the powdered phosphor, the fluorescence intensity (excitation spectrum) at a predetermined wavelength was measured while changing the excitation light wavelength. FIG. 4 shows the measurement results. In FIG. 4, the horizontal axis of the excitation spectrum is the wavelength of the excitation light irradiated on the YAG phosphor, and the vertical axis shows the intensity of fluorescence having a wavelength of 490 nm obtained at that time. FIG. 4 shows the fluorescence spectrum of the YAG phosphor when excited with excitation light having a wavelength of 450 nm. The vertical axis of the excitation spectrum in FIG. 4 is normalized with the fluorescence intensity at a wavelength of 545 nm of the fluorescence spectrum as 1.

図４の励起スペクトルから明らかなようにYAG蛍光体は、紫外光域の広範囲の光で励起されており、これらの波長光を吸収することが分かる。吸収される波長範囲のうち、規格化強度が0.10以上の波長域をここでは選択した。具体的には、波長266nmと355nmである。   As is apparent from the excitation spectrum of FIG. 4, the YAG phosphor is excited by a wide range of light in the ultraviolet region and absorbs light of these wavelengths. Among the wavelength ranges to be absorbed, a wavelength region having a normalized intensity of 0.10 or more was selected here. Specifically, the wavelengths are 266 nm and 355 nm.

次に、樹脂を透過するレーザー波長を求めた。図３に示した樹脂の透過スペクトルから明らかなように、メチルシリコーンは、260nm以上の波長域で透過率80％以上である。レーザー光照射時に、樹脂に変色・変形するのを防止するため、樹脂の透過率は80％以上であることが好ましい。波長266nmおよび355nmにおいて、メチルシリコーンは、いずれも80％以上の高い透過率を示している。   Next, the laser wavelength which permeate | transmits resin was calculated | required. As is clear from the transmission spectrum of the resin shown in FIG. 3, methyl silicone has a transmittance of 80% or more in a wavelength region of 260 nm or more. In order to prevent the resin from being discolored or deformed during laser light irradiation, the resin transmittance is preferably 80% or more. At wavelengths of 266 nm and 355 nm, methyl silicone shows a high transmittance of 80% or more.

次に、発光装置へのレーザー照射量と色度シフト量と関係を求めた。まず、第1の実施形態の図２のステップ101,102により発光装置の試料を複数製造し、ステップ103により点灯検査を行い、色度を測定した。   Next, the relationship between the laser irradiation amount to the light emitting device and the chromaticity shift amount was obtained. First, a plurality of light emitting device samples were manufactured in steps 101 and 102 of FIG. 2 of the first embodiment, a lighting inspection was performed in step 103, and chromaticity was measured.

各試料に表１の条件により、355nm（試料1〜10）、または266nm（試料11〜17）のレーザー光を照射した。レーザー光は、YAGレーザーを非線形結晶に照射することにより得た第3次高調波および第4次高調波を用いた。照射位置は、LEDチップ2の真上に位置する蛍光体樹脂層3または隣接するLEDチップ2の間隙に位置する蛍光体樹脂層3である。   Each sample was irradiated with laser light of 355 nm (samples 1 to 10) or 266 nm (samples 11 to 17) according to the conditions in Table 1. As the laser light, the third and fourth harmonics obtained by irradiating the nonlinear crystal with the YAG laser were used. The irradiation position is the phosphor resin layer 3 positioned directly above the LED chip 2 or the phosphor resin layer 3 positioned in the gap between the adjacent LED chips 2.

表１において、「場所」が「面」となっている試料1〜6、11〜13は、LEDチップ2上の蛍光体樹脂層3にレーザーを照射した試料を示し、「チップ間」となっている試料7〜10、14〜17は隣接するLEDチップ2の間隙にある蛍光体樹脂層3上にに照射した試料を示している。   In Table 1, Samples 1 to 6 and 11 to 13 whose “place” is “surface” indicate samples obtained by irradiating the phosphor resin layer 3 on the LED chip 2 with laser, and are “between chips”. Samples 7 to 10 and 14 to 17 are samples irradiated onto the phosphor resin layer 3 in the gap between the adjacent LED chips 2.

Figure 2011165827
Figure 2011165827

LEDチップ2上の蛍光体樹脂層3に照射する際には、所定強度のパルスレーザーを各LEDチップ上の四隅の所定サイズの照射領域（400μm角）に所定の照射回数づつ照射する方法を用いた。照射領域へ照射する照射回数と出力エネルギーを調整することで照射量を制御した。表１に、試料1〜6、11〜13の照射領域にそれぞれ照射したレーザーパルスの強度と照射回数との積（mJ／mm２）を示す。例えば、試料１は、１つのLEDチップ上の４つの照射領域のそれぞれに、１回あたり0.44mJ/mm２の照射強度で４０回の照射を行っているため、70 mJ/mm２と示している。 When irradiating the phosphor resin layer 3 on the LED chip 2, a method of irradiating the irradiation area (400μm square) with a predetermined intensity on the four corners of each LED chip at a predetermined number of times is used. It was. The amount of irradiation was controlled by adjusting the number of times of irradiation and the output energy applied to the irradiation region. Table 1 shows the product (mJ / mm 2 ) of the intensity of the laser pulse irradiated to each of the irradiation regions of Samples 1 to 6 and 11 to 13 and the number of irradiations. For example, sample 1, in each of the four illumination regions on a single LED chip, because a irradiation 40 times at an irradiation intensity of 0.44mJ / mm 2 per, shows a 70 mJ / mm 2 Yes.

LEDチップ2の間隙の蛍光体樹脂層3に照射する際には、所定強度のパルスレーザーを各LEDチップ2の間隙１か所につき２つづつ設定した所定サイズの照射領域（400×100μm）に所定の照射回数づつ照射する方法を用いた。照射領域へ照射する照射回数と出力エネルギーを調整することで照射量を制御した。表１に、試料7〜10、14〜17の照射領域にそれぞれ照射したレーザーパルスの強度と照射回数の積（mJ／mm２）を示す。例えば、試料７は、１つの間隙上の２つの照射領域のそれぞれに、１回あたり4.67mJ/mm２の照射強度で２０回の照射を行っているため、187 mJ/mm２と示している。 When irradiating the phosphor resin layer 3 in the gap between the LED chips 2, two pulse lasers with a predetermined intensity are applied to the irradiation area (400 × 100μm) of a predetermined size set in two for each gap in each LED chip 2. A method of irradiating each predetermined number of times was used. The amount of irradiation was controlled by adjusting the number of times of irradiation and the output energy applied to the irradiation region. Table 1 shows the product (mJ / mm 2 ) of the intensity and the number of irradiations of the laser pulses irradiated on the irradiation regions of Samples 7 to 10 and 14 to 17, respectively. For example, Sample 7, each of the two irradiation region on the one gap, because a irradiation 20 times at an irradiation intensity of 4.67mJ / mm 2 per illustrates a 187 mJ / mm 2 .

照射後の試料について、再度色度を測定し、照射前の色度の差（色度シフト量ΔCｘ、ΔCｙ）を求めた。その結果を表１に示す。   The chromaticity of the sample after irradiation was measured again, and the chromaticity difference (chromaticity shift amounts ΔCx, ΔCy) before irradiation was obtained. The results are shown in Table 1.

表１のように355nmおよび266nmのいずれのレーザー光を照射した試料も、レーザー照射により色度がシフトしていることが確認された。図８に、表１の試料12の発光装置のレーザー光照射前後の発光スペクトルを示す。図８から明らかなように、LEDチップ2の発光ピークである波長450nmの強度は、レーザー照射の前後で変化がないのに対し、YAG蛍光体の発する蛍光である560nm付近を中心とする発光ピークは、照射前よりも照射後の方が小さくなっている。これにより、試料12の色度は、照射前（Cｘ、Cｙ）＝（0.3719、0.3797）から照射後（Cｘ、Cｙ）＝（0.3698、0.3734）へと変化していた。図８のスペクトルより、この色度シフトは、蛍光強度が低下により生じたものであることが確認された。   As shown in Table 1, it was confirmed that the samples irradiated with either 355 nm or 266 nm laser light were shifted in chromaticity by laser irradiation. FIG. 8 shows emission spectra before and after laser light irradiation of the light-emitting device of sample 12 in Table 1. As is apparent from FIG. 8, the intensity of the emission peak of the LED chip 2 at a wavelength of 450 nm does not change before and after laser irradiation, whereas the emission peak centered around 560 nm, which is the fluorescence emitted by the YAG phosphor. Is smaller after irradiation than before irradiation. Thereby, the chromaticity of the sample 12 changed from before irradiation (Cx, Cy) = (0.3719, 0.3797) to after irradiation (Cx, Cy) = (0.3698, 0.3734). From the spectrum of FIG. 8, it was confirmed that this chromaticity shift was caused by a decrease in fluorescence intensity.

図９に、レーザー照射後の試料の蛍光体樹脂層3の表面の凹凸を測定結果を示す。図９のように、蛍光体樹脂層3の表面は、レーザー照射した面とレーザー非照射面とで差がなく、レーザー照射により蛍光体樹脂層3が除去されていないことがわかった。このことから、色度シフトが、レーザー照射による蛍光体樹脂層3の除去により生じたものではなく、蛍光体が発する蛍光が弱まったか、または蛍光を発しなくなった現象（すなわち、失活）により生じた色度シフトであることが確認できた。   FIG. 9 shows the measurement results of the irregularities on the surface of the phosphor resin layer 3 of the sample after laser irradiation. As shown in FIG. 9, the surface of the phosphor resin layer 3 was not different between the laser-irradiated surface and the laser non-irradiated surface, and it was found that the phosphor resin layer 3 was not removed by laser irradiation. Therefore, the chromaticity shift is not caused by the removal of the phosphor resin layer 3 by laser irradiation, but is caused by the phenomenon that the fluorescence emitted from the phosphor is weakened or no longer emits fluorescence (ie, deactivation). The chromaticity shift was confirmed.

また、表１の各試料の色度シフト量を比較すると、同じ波長、同じ照射位置の試料は、照射量が多いほど、色度シフト量が増加しており、レーザー照射量を制御することにより、所望の色度シフトを生じさせ、色度を調整することができることがわかった。   In addition, when comparing the chromaticity shift amount of each sample in Table 1, the chromaticity shift amount of the sample at the same wavelength and the same irradiation position increases as the irradiation amount increases. By controlling the laser irradiation amount, It was found that the desired chromaticity shift can be produced and the chromaticity can be adjusted.

また、上述の試料1〜6と同様の条件で、LEDチップ2上に照射するレーザー照射量を増加させたところ、レーザーパルスの強度と照射回数の積が89 mJ／mm２以上になるとLEDチップ2が不灯になるものがあった。このため、89mJ／mm２よりも少ない照射量で照射を行うことにより、LEDチップ2を不灯にさせることなく、蛍光体樹脂層3の蛍光体を失活させることができる。 In addition, when the amount of laser irradiation irradiated onto the LED chip 2 was increased under the same conditions as the above samples 1 to 6, the LED chip was obtained when the product of the laser pulse intensity and the number of irradiations exceeded 89 mJ / mm 2. There was something that 2 became unlit. For this reason, the phosphor of the phosphor resin layer 3 can be deactivated without illuminating the LED chip 2 by irradiating with an irradiation dose smaller than 89 mJ / mm 2 .

また、表１より、LEDチップ2の上に照射した試料1〜6,11〜13の方が、LEDチップ2の間隙に照射した試料7〜10,14〜17よりも、照射量に対する色度シフト量が大きかった。ただし、LEDチップ2の間隙にレーザーを照射した試料の方が、LEDチップ2上に照射した試料よりも、LEDチップ2にレーザー光が到達しにくいため、ダメージを与えにくいというメリットがある。   Also, from Table 1, the samples 1-6, 11-13 irradiated on the LED chip 2 are more chromatic with respect to the irradiation amount than the samples 7-10, 14-17 irradiated on the gap of the LED chip 2. The shift amount was large. However, the sample in which the laser is irradiated on the gap between the LED chips 2 has the advantage that the laser light is less likely to reach the LED chip 2 than the sample irradiated on the LED chip 2 and is therefore less likely to be damaged.

蛍光体樹脂層の樹脂としては、他の樹脂、例えばフェニルシリコーン（東レ・ダウコーニング(株)製OE6520）を用いることも可能である。フェニルシリコーンの透過スペクトルを図３に示す。図３から明らかなように、フェニルシリコーンは、320nm以上の波長域で80％以上の透過率を示す。本実施例で用いた波長355nmのレーザー光を用いることにより、同様に蛍光体を失活させることができると考えられる。   As the resin for the phosphor resin layer, other resins such as phenyl silicone (OE6520 manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.) can be used. The transmission spectrum of phenyl silicone is shown in FIG. As is apparent from FIG. 3, phenyl silicone exhibits a transmittance of 80% or more in a wavelength region of 320 nm or more. It is considered that the phosphor can be similarly deactivated by using the laser beam having a wavelength of 355 nm used in this example.

上述した各実施形態の発光装置は、LEDを用いた光源として好適に用いることができる。例えば、TVなど液晶ディスプレー用バックライトLED、住宅・オフィス・店舗など室内照明用LED、街路灯・看板灯・防犯灯・景観灯など屋外照明用LED、ヘッドランプなど自動車用LED、各種インジケーター用LEDがある。   The light emitting device of each embodiment described above can be suitably used as a light source using an LED. For example, backlight LEDs for liquid crystal displays such as TVs, indoor lighting LEDs such as houses, offices and stores, outdoor lighting such as street lights, signboard lights, crime prevention lights, and landscape lights, automotive LEDs such as headlamps, various indicator LEDs There is.

１…基板、２…LEDチップ、３…蛍光体樹脂層 1 ... Substrate, 2 ... LED chip, 3 ... Phosphor resin layer

Claims (8)

発光素子と、前記発光素子の発する光で励起され蛍光を発する蛍光体を含む蛍光体層とを備える発光装置から発せられる光の色度を測定する色度測定工程と、
前記色度測定工程で測定した色度が、予め定めた範囲から外れている場合、所定波長のレーザー光を前記蛍光体層に照射し、前記蛍光体層の形状を変化させることなく前記蛍光体の一部を失活させ、色度をシフトさせる色度調整工程と
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。 A chromaticity measuring step of measuring chromaticity of light emitted from a light emitting device comprising: a light emitting element; and a phosphor layer including a phosphor that emits fluorescence when excited by light emitted from the light emitting element;
When the chromaticity measured in the chromaticity measurement step is out of a predetermined range, the phosphor layer is irradiated with laser light having a predetermined wavelength, and the phosphor layer is not changed in shape. And a chromaticity adjustment step of deactivating a part of the chromaticity and shifting the chromaticity. 請求項１に記載の発光装置の製造方法において、前記蛍光体層は、前記蛍光体と樹脂とを含有し、前記色度調整工程で照射するレーザー光は、前記蛍光体で吸収され、前記樹脂を透過する波長であることを特徴とする発光装置の製造方法。   2. The method of manufacturing a light emitting device according to claim 1, wherein the phosphor layer contains the phosphor and a resin, and laser light irradiated in the chromaticity adjustment step is absorbed by the phosphor, and the resin A method for manufacturing a light-emitting device, characterized by having a wavelength that transmits light. 請求項１または２に記載の発光装置の製造方法において、前記色度調整工程では、前記発光素子の真上に位置する前記蛍光体層に前記レーザー光を照射することを特徴とする発光装置の製造方法。   3. The light emitting device manufacturing method according to claim 1, wherein, in the chromaticity adjustment step, the phosphor layer positioned immediately above the light emitting element is irradiated with the laser light. 4. Production method. 請求項１または２に記載の発光装置の製造方法において、前記発光素子は複数であり、前記蛍光体層は、前記複数の発光素子を一体に覆うように配置され、
前記色度調整工程では、隣接する前記発光素子の間隙に位置する前記蛍光体層に前記レーザー光を照射することを特徴とする発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light emitting device according to claim 1 or 2, wherein the light emitting elements are plural, and the phosphor layer is disposed so as to integrally cover the plural light emitting elements,
In the chromaticity adjusting step, the phosphor layer located in the gap between the adjacent light emitting elements is irradiated with the laser light. 請求項２に記載の発光装置の製造方法において、前記蛍光体層に含有される蛍光体は複数種類であり、前記レーザー光として、前記複数種類の蛍光体のいずれにも吸収される波長を用い、複数種類の蛍光体を失活させることを特徴とする発光装置の製造方法。   3. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 2, wherein there are a plurality of types of phosphors contained in the phosphor layer, and a wavelength that is absorbed by any of the plurality of types of phosphors is used as the laser light. A method for manufacturing a light-emitting device, wherein a plurality of types of phosphors are deactivated. 請求項２に記載の発光装置の製造方法において、前記蛍光体層に含有される蛍光体は複数種類であり、前記レーザー光として、前記複数種類の蛍光体の一部の種類の蛍光体にのみ吸収される波長を用い、一部の種類の蛍光体のみを失活させることを特徴とする発光装置の製造方法。   3. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 2, wherein there are a plurality of types of phosphors contained in the phosphor layer, and only a part of the plurality of types of phosphors is used as the laser light. A method for manufacturing a light-emitting device, characterized in that only some types of phosphors are deactivated using an absorbed wavelength. 請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法において、前記色度調整工程は、レーザー照射量を制御することにより、色度のシフト量を調整することを特徴とする発光装置の製造方法。   7. The light emitting device manufacturing method according to claim 1, wherein the chromaticity adjustment step adjusts a chromaticity shift amount by controlling a laser irradiation amount. Device manufacturing method. 請求項１ないし７のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法において、前記色度調整工程は、予め求めておいた前記レーザー光の照射量と前記色度のシフト量との関係を用いて、前記色度測定工程で測定した色度と前記予め定めた範囲とのずれ量に対応するレーザー光の照射量を求め、当該照射量のレーザー光を前記蛍光体層に照射することを特徴とする発光装置の製造方法。   8. The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 1, wherein the chromaticity adjustment step uses a relationship between the laser light irradiation amount and the chromaticity shift amount obtained in advance. Determining the irradiation amount of laser light corresponding to the amount of deviation between the chromaticity measured in the chromaticity measurement step and the predetermined range, and irradiating the phosphor layer with the irradiation amount of laser light. A method for manufacturing a light emitting device.
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