JP2011165381A - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電子デバイスの封止部材の接合強度を高める。
【解決手段】一方の基板１に電子素子２が形成された一対の基板（１，４）のそれぞれの周縁部に下地層（３，３’）を設け、一方の基板４上に設けられた下地層３’の上に可視光または近赤外光に対して吸収率が高い光吸収層６を、他方の基板１上に設けられた下地層３の上に低融点金属層６を設け、基板４および下地層３’を通して可視光または前記近赤外光を光吸収層６に照射して低融点金属層５を加熱、融解させ、光吸収層６と低融点金属層５によって合金を形成して一対の基板（１，４）同士を接合する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、液晶等の表示媒体、有機ＥＬ等の発光媒体に代表される電子素子を封止した電子デバイスの製造方法に関するものである。

近年、携帯電話機や音楽プレーヤーといった電子機器や家電機器には有機ＥＬ素子等の発光媒体が用いられ、典型的には一対の基板の間に電子素子が封入された構造を持っている。有機ＥＬ素子は水分や酸化に弱く、その稼動時間を延ばすためには、製造過程において素子を空気中の酸素や水分から隔離して封止を行い、製造後においては水分等に起因する劣化を抑制するために十分な防湿性（ハイバリア性）を確保する必要がある。

有機ＥＬ素子等のハイバリア性を必要とする有機電子デバイスの封止技術としては、様々な方法が提案されてきている。例えば特許文献１には、素子形成基板と封止基板との間に有機ＥＬ素子を覆うように樹脂層を介在させ、その周辺を接着剤で封止する技術が記載されている。しかし、この方法では、樹脂層の周辺の接着剤封止部分からの水分透過があり、完全な水分気密性は得られない。

接着剤の水分透過の問題を解決するため、特許文献２には、無機材料であるフリットガラスを封止材として、レーザ加熱によって封止する方法が提案されている。これによれば、無機材料を用いることで素子形成基板と封止基板との間が完全に封止されるため、理論的には新たに侵入してくる水分は少ないため、有機ＥＬ素子の劣化の少ないデバイスが製造することができると考えられる。しかし、上記特許文献２に記載の方法の場合、フリットパターンをレーザで照射する際、レーザエネルギーが到達しない部分においてフリットガラスに未硬化部分が発生するという問題がある。このため、実際には水分透過が生じ、完全な水分気密性は得られない。

これを解決するため、特許文献３では、少なくとも２以上の経路に沿ってレーザが照射されるようにし、フリットパターンの不完全な溶融および不完全な硬化を防ぐ方法が提案されている。しかし、この方法では、完全に未硬化部が存在していないかどうかを確認することが困難であり、その確率を減らすためフリットの線幅を太くする等、冗長な設計が必要となるという問題点を有している。

一方、接着剤の水分透過をなくす他の方法として、出願人は低融点金属を封止材としてレーザ加熱によって封止する方法を提案している（特許文献４）。この方法は、一対の樹脂基板において、少なくとも一方の基板周縁部に光吸収層を設け、かつ双方の基板周縁部に低融点金属層を設ける構成で貼りあわせ、レーザ照射によって光吸収層を加熱し、低融点金属を溶融・接着するものである。

特開２００５−１９０７０３号公報 米国特許出願公開２００４−０２０７３１４号明細書 特開２００７−２２０６４８号公報 特開２００８−２５１２４２号公報

上記特許文献４に記載されている方法は、経時によっても水分の透過を遮断することができるため、有機ＥＬ素子の劣化を効果的に抑制することが可能である。しかし、この方法においては、低融点金属層同士が接合されており、低融点金属層の種類、例えばＩｎ等の場合、接合時に低融点金属層同士の間に酸化膜が形成されるために、加熱しても完全に接合できない場合がある。この酸化膜を除去することは非常に困難であるため、接合強度をさらに高めるためには改善の余地がある。

また、完全に封止できたかどうかは、製造歩留り等に大きな影響を与えるものであり、完全に封止されたかどうかを確認する方法がない状況で、歩留りを上げるためには冗長なプロセスを採用せざるを得ない状況にある。従って、レーザ加熱によって低融点金属が溶融し、完全に封止されたかどうかを確認することができれば、製造コストを大幅に削減することが可能となる。

本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、封止部材の接合強度を高めることが可能であって、好ましくは電子素子が完全に封止されているかどうかを判別することが可能な電子デバイスの製造方法を提供することを目的とするものである。

本発明の電子デバイスの製造方法は、一方の基板に電子素子が形成された一対の基板のそれぞれの周縁部に下地層を設け、一方の前記基板上に設けられた下地層の上に可視光または近赤外光に対して吸収率が高い光吸収層を、他方の前記基板上に設けられた下地層の上に低融点金属層を設け、前記基板および前記下地層を通して前記可視光または前記近赤外光を前記光吸収層に照射して前記低融点金属層を加熱、融解させ、前記光吸収層と前記低融点金属層によって合金を形成して前記一対の基板同士を接合することを特徴とするものである。

この場合、前記可視光または前記近赤外光を照射した基板側から前記可視光または前記近赤外光の反射光強度を検出し、該反射光強度の検出結果に基づいて、前記可視光または前記近赤外光の照射光強度を調整して前記可視光または前記近赤外光を照射することが好ましい。

あるいは、一方の前記基板側から検出用光を照射して該検出用光の反射光強度を検出し、該反射光強度の検出結果に基づいて、前記可視光または前記近赤外光の照射光強度を調整して前記可視光または前記近赤外光を照射することが好ましい。

別の態様として、本発明の電子デバイスの製造方法は、一方の基板に電子素子が形成された一対の基板のそれぞれの周縁部に下地層を設け、一方の前記基板上に設けられた下地層の上に可視光または近赤外光に対して吸収率が高い光吸収層と該光吸収層上に低融点金属層とを設け、他方の前記基板上に設けられた下地層の上に合金形成層を設け、前記基板および前記下地層を通して前記可視光または前記近赤外光を前記光吸収層に照射して前記低融点金属層を加熱、融解させ、前記合金形成層と前記低融点金属層とによって合金を形成して前記一対の基板同士を接合することを特徴とするものである。

この場合、一方の前記基板側から検出用光を照射して該検出用光の反射光強度を検出し、該反射光強度の検出結果に基づいて、前記可視光または前記近赤外光の照射光強度を調整して前記可視光または前記近赤外光を照射することが好ましい。

本発明の電子デバイスの製造方法は、一方の基板に電子素子が形成された一対の基板のそれぞれの周縁部に下地層を設け、一方の基板上に設けられた下地層の上に可視光または近赤外光に対して吸収率が高い光吸収層を、他方の基板上に設けられた下地層の上に低融点金属層を設け、基板および下地層を通して可視光または近赤外光を光吸収層に照射して低融点金属層を加熱、融解させ、光吸収層と低融点金属層によって合金を形成するので、光吸収層と低融点金属層によって形成された合金によって、接合強度が大幅によくなり、長期の経時によっても水分の透過を遮断することができるため、有機ＥＬ素子等の電子デバイスの劣化を効果的に抑制することが可能である。

なお、照射した可視光または近赤外光の反射光強度を検出する場合、あるいは検出用光を別に照射して検出用光の反射光強度を検出する場合には、光吸収層と低融点金属層によって合金が形成されているかどうかを確認することができるので、反射光強度の検出結果に基づいて、可視光または近赤外光の照射光強度を調整して可視光または近赤外光を照射することにより、光吸収層と低融点金属層の接合を完全なものとすることが可能となり、冗長な設計やプロセスを導入しなくても電子デバイスを製造歩留りよく製造することができ、製造コストを大幅に削減することが可能となる。

また、別の態様として本発明の電子デバイスの製造方法は、一方の基板に電子素子が形成された一対の基板のそれぞれの周縁部に下地層を設け、一方の基板上に設けられた下地層の上に可視光または近赤外光に対して吸収率が高い光吸収層と光吸収層上に低融点金属層とを設け、他方の基板上に設けられた下地層の上に合金形成層を設け、基板および下地層を通して可視光または近赤外光を光吸収層に照射して低融点金属層を加熱、融解させ、合金形成層と低融点金属層とによって合金を形成するので、合金形成層と低融点金属層によって形成された合金によって、接合強度が大幅によくなり、長期の経時によっても水分の透過を遮断することができるため、有機ＥＬ素子等の電子デバイスの劣化を効果的に抑制することが可能である。

また、検出用光を別に照射して検出用光の反射光強度を検出することにより、合金形成層と低融点金属層によって合金が形成されているかどうかを確認することができるので、反射光強度の検出結果に基づいて、可視光または近赤外光の照射光強度を調整して可視光または近赤外光を照射することにより、合金形成層と低融点金属層の接合を完全なものとすることが可能となり、冗長な設計やプロセスを導入しなくても電子デバイスを製造歩留りよく製造することができ、製造コストを大幅に削減することが可能となる。

本発明の第一の実施形態による有機ＥＬデバイスの製造方法を示す概略模式図である。 本発明の第二の実施形態による有機ＥＬデバイスの製造方法を示す概略模式図である。 本発明の第三の実施形態による有機ＥＬデバイスの製造方法を示す概略模式図である。 低融点金属層がＩｎの場合の反射光変化率と波長との関係を示すグラフである。 本発明の第四の実施形態による有機ＥＬデバイスの製造方法を示す概略模式図である。

以下、図面を参照して本発明の電子デバイスの製造方法を、有機ＥＬデバイスを例にとって説明する。図１は、本発明の第一の実施形態による有機ＥＬデバイスの製造方法を示す概略模式図である。素子形成基板１には有機ＥＬ素子２が形成されており、素子形成基板１の周縁部には下地層３が設けられている。もう一方の基板の封止基板４の周縁部にも素子形成基板１と同様にその周縁部に下地層３’が設けられている。また、素子形成基板１の周縁部の下地層３の上には低融点金属層５が設けられており、封止基板４の周縁部の下地層３’の上には可視光または近赤外光（以下、単に照射光ともいう）に対して吸収率が高い光吸収層６が設けられている。

なお、図１には示されていないが有機ＥＬ素子２を駆動するための引出し電極が、周縁下地層３を横切って形成され、外部からの電力投入がなされるようになっており、引出し電極は、周縁部の下地層３や低融点金属層５によって短絡されないように絶縁膜によって覆われている。

有機ＥＬデバイスの製造手順を説明する。まず有機ＥＬ素子２を封止するために素子形成基板１の低融点金属層５と封止基板４の光吸収層６を合わせて配置する。照射光照射装置としては、例えば図１に示すような、光源（図示せず）に接続された照射光照射のための光ファイバ１０と、光ファイバ１０からの光を平行光にコリメートするコリメートレンズ１１と、平行光にコリメートされた光を集光する集光レンズ１２とから構成される。

そして、封止基板４および下地層３’を通して照射光を光ファイバ１０から照射すると、照射された光はコリメートレンズ１１で平行光にコリメートされ、この平行光は集光レンズ１２によって光吸収層６に向けて集光される。この集光された照射光を封止基板４の周縁部に設けられた光吸収層６に沿って照射することにより、光吸収層６によって低融点金属層５が加熱、融解されて、光吸収層６と低融点金属層５によって合金が形成され、素子形成基板１と封止基板４が接合され、有機ＥＬ素子２が素子形成基板１と封止基板４とによって封止される。このように光吸収層６と低融点金属層５によって形成された合金によって、接合強度が大幅によくなり、長期の経時によっても水分の透過を遮断することができるため、有機ＥＬ素子の劣化を効果的に抑制することが可能である。

なお、図１では素子形成基板１の周縁部の下地層３の上に低融点金属層５が、封止基板４の周縁部の下地層３’の上に光吸収層６が設けられており、封止基板４および下地層３’を通して光吸収層６に対して照射光を照射する態様を示しているが、素子形成基板１の周縁部の下地層３の上に光吸収層６が、封止基板４の周縁部の下地層３’の上に低融点金属層５を設け、素子形成基板１および下地層３を通して光吸収層６に対して照射光を照射する態様としてもよい。

本発明の第二の実施形態による有機ＥＬデバイスの製造方法を図２に示す。なお、この図２において図１中の構成要素と同等の構成要素には同番号を付し、それらについての説明は特に必要のない限り省略する（以下、同様）。図２における電子デバイスは、素子形成基板１の周縁部に設けられた下地層３の上に合金形成層７が設けられており、封止基板４の周縁部の下地層３’の上には光吸収層６と低融点金属層５が設けられているものである。この場合には、光吸収層６によって加熱された低融点金属層５と合金形成層７とによって合金が形成されて、素子形成基板１と封止基板４が接合され、有機ＥＬ素子２が素子形成基板１と封止基板４とによって封止される。

なお、図２では素子形成基板１の周縁部の下地層３の上に合金形成層７が、封止基板４の周縁部の下地層３’の上に光吸収層６と低融点金属層５が設けられており、封止基板４および下地層３’を通して光吸収層６に対して照射光を照射する態様を示しているが、素子形成基板１の周縁部の下地層３の上に光吸収層６と低融点金属層５が、封止基板４の周縁部の下地層３’の上に合金形成層７が設けられており、素子形成基板１および下地層３を通して光吸収層６に対して照射光を照射する態様としてもよい。

本発明の第三の実施形態による有機ＥＬデバイスの製造方法を図３に示す。この図３に示す態様は、封止基板４側から検出用光を照射してこの検出用光の反射光強度を検出し、検出された反射光強度の検出結果に基づいて、照射光の照射光強度を随時調整するものである（なお図３において有機ＥＬデバイスの封止部材の構成は図１と同様の構成で示している）。すなわち、図３に示す態様は、図１や図２に示す有機ＥＬデバイスの製造方法で示した照射光照射装置（図１で説明した光ファイバ１０と、コリメートレンズ１１と、集光レンズ１２とから構成される照射光照射装置）に加えて、検出用光（例えば波長４３５ｎｍ）を照射する検出用光照射装置１３と、照射光（例えば波長４０５ｎｍ）の光は反射し、それ以外の光は透過するダイクロイックミラー１４と、検出用光照射装置１３からの検出用光および検出用光の反射光を分光するハーフミラー１５と、ハーフミラー１５からの反射光を受像する撮像装置（例えばＣＣＤ）１６とからなる検出用光照射系と反射光検出系を加えたものである。

照射光を光ファイバ１０から照射すると、照射された光はコリメートレンズ１１で平行光にコリメートされ、この平行光はダイクロイックミラー１４によって分光され、照射光はダイクロイックミラー１４によって反射されて、集光レンズ１２に向かう。集光レンズ１２を透過した照射光は光吸収層６に向けて集光される。これによって低融点金属層５が加熱、融解されて、光吸収層６と低融点金属層５によって合金が形成され、素子形成基板１と封止基板４が接合される。

一方で、検出用光照射装置１３から照射された検出用光はハーフミラー１５、ダイクロイックミラー１４を透過して低融点金属層５に照射される。照射された検出用光は低融点金属層５で反射し、ダイクロイックミラー１４を透過してハーフミラー１５によって撮像装置１６で検出される。ここで検出される検出信号は光源に設置された制御部（図示せず）にフィードバックされるように構成されており、低融点金属層５と光吸収層６で合金が形成されていない検出信号の場合には、この検出信号に基づいて照射光強度が強くなるように制御される。

具体的に説明する。図４は低融点金属層がＩｎの場合の反射光変化率と波長との関係を示したグラフであり、反射光変化率はＩｎが溶融していない場合の反射光強度を１００％としたときの溶融したＩｎの反射光強度の割合を示している。このグラフより検出用光の波長にかかわらず、Ｉｎが溶融すると溶融していない場合のＩｎに比較して反射光は約２０％程度強度が強くなっていることがわかる。従って、Ｉｎの場合を例にとれば、反射光強度が１２０％に満たない検出信号の場合には光源からの照射光強度を強くするように制御可能な制御部を光源に備えさせておけば、検出信号を光源にフィードバックすることによって照射光強度が自動的に強くなって、光吸収層６と低融点金属層５の接合をより完全なものとすることが可能となる。なお、この制御は照射光強度の強弱に限られるものではなく、例えば、低融点金属層５と光吸収層６で合金が形成されていない検出信号の場合には、照射光を照射する際のスキャンスピードを遅くするといった制御とすることも可能である。

図４に示したグラフは低融点金属層がＩｎの場合であるが、下記に説明する低融点金属層として用いられる低融点金属は、溶融前よりも溶融後の反射光強度は強くなるため、検出用光の波長は幅広い範囲から選択することができる。また、図３のように照射光と検出用光とを基板の同じ側から照射する場合には、所定波長で光を透過、反射するダイクロイックミラーの分光特性を適宜変更することによって、照射光と検出用光を適宜選択すればよい。

なお、図３では封止基板４側から検出用光を照射して検出用光の反射光強度を検出する態様を説明したが、検出用光を別に照射することなく、光吸収層６に照射した照射光を利用して照射光の反射光強度を検出し、この反射光強度の検出結果に基づいて、照射光の照射光強度を調整する態様としてもよい。この場合には、図３に示す検出用光照射装置１３を省略すればよい。

本発明の第四の実施形態による有機ＥＬデバイスの製造方法を図５に示す。この図５に示す態様は、封止基板４側から検出用光を照射する態様である。このように照射光の照射系と検出用光の照射系を基板の両側に別々に配置してもよい。このように配置することによって、ダイクロイックミラーを配置しなくてもよくなる。

なお、上記では低融点金属層５が溶融しているかどうかを確認しながら照射光の強度を随時調整する場合について説明したが、光吸収層６に照射光を照射して周縁部全ての光吸収層６と低融点金属層５の接合を行った後に、検出用光を照射して接合しているかどうかを確認し、接合していない部分に対して照射光強度を高める等して再度接合工程を行ってもよい。

本発明の電子デバイスの各部分に用いられる材料について説明する。素子形成基板１および封止基板４としては、ガラス、ＰＥＮ、ＰＥＴ、ＰＥＳ、ＰＣ等の樹脂を用いることができる。厚さは通常の電子デバイスに用いられる厚さでよく、例えば、ＰＥＮ基板の場合には１００μｍ程度が好ましい。

下地金属層３および３’は素子形成基板１および封止基板４との密着性を高めて接合するための層であり、基板の材質にもよるが、例えばＣｒ，Ｔｉ，Ｎｉ等を好ましく挙げることができる。基板の材質にもよるが、例えばＣｒの場合には真空蒸着法やレーザ転写法等で設けることができる。

低融点金属層５は、低融点（２５０℃以下の融点のもの）の金属（合金を含む）からなる層であって、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ，Ｉｎ・Ｓｎ合金、Ｓｎ・Ｂｉ・Ａｇ合金、Ｓｎ・Ａｇ合金、Ｓｎ・Ａｇ・Ｃｕ合金、Ｓｎ・Ａｇ・Ｃｕ・Ｂｉ合金等の低融点金属が好ましく挙げることができ、これらは真空蒸着法、エアロゾルデポジション法、コールドスプレー法等の成膜法により設けることができる。

光吸収層６は、素子形成基板１及び封止基板４の温度上昇を低く抑えながら光吸収層の温度を、予熱された低融点金属層が融解する程度にまで高めるために、照射する可視光または近赤外光に対して吸収率が充分高い層であって、例えばＡｕ，Ｎｉ，Ｃｕ等の有色系金属、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等を好ましく挙げることができ、これらもまた真空蒸着法、エアロゾルデポジション法、コールドスプレー法等の成膜法により設けることができる。

合金形成層７は低融点金属層５と合金を形成する金属であれば特に限定されないが、例えばＡｕ、Ｎｉ、Ｃｕ等を好ましく挙げることができ、これらもまた真空蒸着法、エアロゾルデポジション法、コールドスプレー法等の成膜法により設けることができる。

各層の厚みは用いる金属によっても異なり、適宜所望の厚さで設ければよいが、例えば、下地層がＣｒ（膜厚５ｎｍ）、光吸収層がＡｕ（２００ｎｍ）の場合であって、低融点金属層としてＩｎを用いる場合、低融点金属層の厚みが小さいと溶融量が少なくなって、基板同士の面うねりや、各層の面粗度による隙間を埋めることが困難になる。このため、通常は２μｍ以上とするのが適当である。また、図２に示すような合金形成層を有する構成の場合、例えば、下地層がＣｒ（膜厚５ｎｍ）、光吸収層がＡｕ（２００ｎｍ）、合金形成層がＡｕ（２００ｎｍ）の場合であって、低融点金属層としてＩｎを用いる場合も、低融点金属層の厚みが小さいと溶融量が少なくなって、基板同士の面うねりや、各層の面粗度による隙間を埋めることが困難になるため、通常は２μｍ以上とするのが適当である。

下地層、光吸収層、低融点金属層、合金形成層のパターン幅は、幅を小さくしてもハイバリア性は保つことは可能であるが、接合強度が低下してしまうため、デバイスの大きさに応じて適宜パターン幅を好適なものに選択することが好ましく、例えば２１インチ液晶ディスプレイ用の場合には０．５ｍｍ程度とすることが望ましい。

基板を通して光吸収層に照射する照射光で光吸収層を加熱するためには、照射する照射光の波長は基板の吸収が充分小さい波長を選定する必要がある一方、基板の温度上昇を低く抑えながら光吸収層の温度を低融点金属層が融解する程度にまで高めるために、その選定された波長において光吸収層の吸収率が充分高いことが求められる。すなわち、照射に用いられる照射する可視光または近赤外光の波長は、その波長における基板の吸収率と光吸収層の吸収率とが概ね２倍以上の隔たりがあることが望ましい。仮に樹脂基板にＰＥＮを選択し、光吸収層がＡｕである場合には、照射に適したレーザ光の波長は概ね３９０ｎｍから５００ｎｍの範囲であることが好ましく、同様にＰＥＴとＣｕが選択される場合には適切なレーザ光の波長範囲は概ね３５０ｎｍから６００ｎｍであることが好ましい。なお、レーザ光の波長を変更した場合には、上記ダイクロイックミラーの分光特性を適宜変更することにより対応することができる。

例えば、上記で例示した下地層がＣｒ（膜厚５ｎｍ）、光吸収層がＡｕ（２００ｎｍ）、低融点金属層がＩｎ（２μｍ）の場合、照射レーザの波長４０５ｎｍ、レーザパワー２Ｗを用い、スポットは略ガウシャンビーム形状で１／ｅ径０．３ｍｍとし、これをパターン略中央部にスキャンスピード２ｍｍ／秒で照射、スキャンすればよい。なお、レーザパワーを上げることによってスキャンスピードを速くすることが可能である。また、単一のレーザダイオードの出力が所望のレーザ出力に満たない場合には複数の光ファイバを束ねたり、合波光源を利用することによって単一のレーザヘッドからのレーザ出力を高めることができる。

１ 素子形成基板
２ 有機ＥＬ素子
３，３’ 下地金属層
４ 封止基板
５ 低融点金属層
６ 光吸収層
７ 合金形成層
１０ 光ファイバ
１１ コリメートレンズ
１２ 集光レンズ
１３ 検出用光照射装置
１４ ダイクロイックミラー
１５ ハーフミラー
１６ 撮像装置

Claims (5)

1. 一方の基板に電子素子が形成された一対の基板のそれぞれの周縁部に下地層を設け、一方の前記基板上に設けられた下地層の上に可視光または近赤外光に対して吸収率が高い光吸収層を、他方の前記基板上に設けられた下地層の上に低融点金属層を設け、前記基板および前記下地層を通して前記可視光または前記近赤外光を前記光吸収層に照射して前記低融点金属層を加熱、融解させ、前記光吸収層と前記低融点金属層によって合金を形成して前記一対の基板同士を接合することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
2. 前記可視光または前記近赤外光を照射した基板側から前記可視光または前記近赤外光の反射光強度を検出し、該反射光強度の検出結果に基づいて、前記可視光または前記近赤外光の照射光強度を調整して前記可視光または前記近赤外光を照射することを特徴とする請求項１記載の電子デバイスの製造方法。
3. 一方の前記基板側から検出用光を照射して該検出用光の反射光強度を検出し、該反射光強度の検出結果に基づいて、前記可視光または前記近赤外光の照射光強度を調整して前記可視光または前記近赤外光を照射することを特徴とする請求項１記載の電子デバイスの製造方法。
4. 一方の基板に電子素子が形成された一対の基板のそれぞれの周縁部に下地層を設け、一方の前記基板上に設けられた下地層の上に可視光または近赤外光に対して吸収率が高い光吸収層と該光吸収層上に低融点金属層とを設け、他方の前記基板上に設けられた下地層の上に合金形成層を設け、前記基板および前記下地層を通して前記可視光または前記近赤外光を前記光吸収層に照射して前記低融点金属層を加熱、融解させ、前記合金形成層と前記低融点金属層とによって合金を形成して前記一対の基板同士を接合することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
5. 一方の前記基板側から検出用光を照射して該検出用光の反射光強度を検出し、該反射光強度の検出結果に基づいて、前記可視光または前記近赤外光の照射光強度を調整して前記可視光または前記近赤外光を照射することを特徴とする請求項４記載の電子デバイスの製造方法。

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