JP2011160231A

JP2011160231A - High frequency transmission line

Info

Publication number: JP2011160231A
Application number: JP2010020696A
Authority: JP
Inventors: Yukinori Tarui; 幸宣垂井
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2010-02-01
Filing date: 2010-02-01
Publication date: 2011-08-18
Anticipated expiration: 2030-02-01
Also published as: JP5546270B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a high frequency transmission line which has suspended line structure capable of stably holding characteristic impedance of a suspended line part and facilitating characteristic impedance control. <P>SOLUTION: On a first dielectric substrate 2, a signal conductor pattern 21, and belt-like surface ground conductor patterns 22a, 22b are formed on the surface, and a cavity 5 is formed by eliminating an interval to the rear surface leaving the surface side layer right under a partial area of the signal conductor pattern 21. Right above the partial area of the signal conductor pattern 21, the belt-like surface ground conductor patterns 22a, 22b of the first dielectric substrate 2 and a rear surface ground conductor pattern 26 of a second dielectric substrate 4 are connected by a bump conductor 3. The belt-like surface ground conductor patterns 22a, 22b and an inner layer ground conductor pattern 23 are connected to the rear surface ground conductor pattern 24 by a through-hole 25. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、マイクロ波帯やミリ波帯などで用いる高周波伝送線路に関するものである。 The present invention relates to a high-frequency transmission line used in a microwave band, a millimeter wave band, or the like.

マイクロ波帯やミリ波帯などで用いる高周波伝送線路として、例えば特許文献１では、マイクロマシン技術を適用した半導体プロセスによって入出力ストリップ導体線路の上下を中空空洞に形成し、入出力ストリップ導体線路をサスペンデッド線路構造とすることにより、線路の低損失化を図る構造例が提案されている。 As a high-frequency transmission line used in a microwave band, a millimeter wave band, or the like, for example, in Patent Document 1, the upper and lower sides of an input / output strip conductor line are formed in a hollow cavity by a semiconductor process to which a micromachine technique is applied, and the input / output strip conductor line is suspended. A structure example for reducing the loss of a line by adopting a line structure has been proposed.

特開２０００−３４９５４４号公報JP 2000-349544 A

しかし、上記従来の技術では、マイクロマシン技術を適用するための開発期間や製造期間が長くなり、開発コストが増大する。つまり、コストダウンが困難である。また、導体パターンの両端が支持されただけの線路構造では、線路が変形する可能性があり、サスペンデッド線路部の特性インピーダンスが変化してしまう可能性がある。 However, in the above conventional technique, the development period and the manufacturing period for applying the micromachine technique become long, and the development cost increases. That is, cost reduction is difficult. Further, in a line structure in which both ends of the conductor pattern are supported, the line may be deformed, and the characteristic impedance of the suspended line portion may be changed.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、サスペンデッド線路部の特性インピーダンスを安定的に保持でき、かつ特性インピーダンス制御の容易化が図れるサスペンデッド線路構造を有する高周波伝送線路を得ることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to obtain a high-frequency transmission line having a suspended line structure that can stably maintain the characteristic impedance of the suspended line part and can facilitate the characteristic impedance control. To do.

上述した目的を達成するために、本発明にかかる高周波伝送線路は、金属筐体と、内層グランド導体パターンを有する多層構成の第１の誘電体基板であって、表面に、一方の入出力ポートと他方の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される２本の帯状表面グランド導体パターンとが形成され、前記金属筐体の線路配置面に接する裏面の少なくとも前記信号導体パターンに対応した領域に形成される裏面グランド導体パターンが、前記信号導体パターンの一部領域の直下に該一部領域に対応した大きさの開口を有して形成されているとともに、裏面側内部に、前記開口の周縁から前記表面に向かった所定高さ位置まで削除された空洞が形成され、前記２本の帯状表面グランド導体パターンと共にスルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される前記内層グランド導体パターンは、前記空洞の外周形状に合わせた開口を有して形成されている第１の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上に配置される多層構成または単層構成の第２の誘電体基板であって、前記第１の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第２の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上において、前記２本の帯状表面グランド導体パターンと前記第２の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続するバンプ導体とを備えていることを特徴とする。 In order to achieve the above-described object, a high-frequency transmission line according to the present invention is a first dielectric substrate having a multilayer structure having a metal casing and an inner layer ground conductor pattern, and one input / output port on the surface. A signal conductor pattern connecting between the first input / output port and the other input / output port, and two belt-like surface ground conductor patterns arranged along the signal conductor pattern on both sides in the width direction of the signal conductor pattern, The back surface ground conductor pattern formed in at least the region corresponding to the signal conductor pattern on the back surface in contact with the line arrangement surface of the metal housing has a size corresponding to the partial region immediately below the partial region of the signal conductor pattern. Are formed on the back surface side, and a cavity that is deleted from a peripheral edge of the opening to a predetermined height position toward the front surface is formed. An inner layer ground conductor pattern connected to the back surface ground conductor pattern by a through hole together with a surface-like ground conductor pattern, and a first dielectric substrate formed with an opening adapted to the outer peripheral shape of the cavity; A second dielectric substrate having a multi-layer structure or a single-layer structure disposed immediately above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate, the surface facing the surface of the first dielectric substrate A second dielectric substrate having a back surface ground conductor pattern formed on the entire back surface, and the two strip-shaped surface ground conductor patterns directly above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate. And a bump conductor connecting the back surface ground conductor pattern of the second dielectric substrate.

本発明によれば、信号導体パターンの一部領域は、下方に空洞が形成され、上方にバンプ導体による空洞が形成されので、サスペンデッド線路構造になる。このサスペンデッド線路部は、下方が第１の誘電体基板により支持されているので、線路に変形が生じることはなく、設定したサスペンデッド線路部の特性インピーダンスを安定的に保持することできる。また。サスペンデッド線路部の特性インピーダンスは、第１の誘電体基板の誘電率と、信号導体パターンの線路幅と、下部空洞の高さと、バンプ導体による上部空洞の高さとをパラメータとして定められるので、サスペンデッド線路部の特性インピーダンスを調節設定する制御は、下部空洞の高さ調節と、バンプ導体による上部空洞の高さ調節とにより比較的容易に行える。このように、本発明によれば、サスペンデッド線路部の特性インピーダンスを安定的に保持でき、かつ特性インピーダンス制御の容易化が図れるサスペンデッド線路構造を有する高周波伝送線路が得られるという効果を奏する。 According to the present invention, the partial region of the signal conductor pattern has a cavity formed below and a cavity formed by the bump conductor formed above, so that a suspended line structure is formed. Since the lower part of the suspended line part is supported by the first dielectric substrate, the line is not deformed, and the set characteristic impedance of the suspended line part can be stably maintained. Also. The characteristic impedance of the suspended line section is determined by the parameters of the dielectric constant of the first dielectric substrate, the line width of the signal conductor pattern, the height of the lower cavity, and the height of the upper cavity formed by the bump conductor. The control for adjusting and setting the characteristic impedance of the portion can be performed relatively easily by adjusting the height of the lower cavity and adjusting the height of the upper cavity by the bump conductor. As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a high-frequency transmission line having a suspended line structure in which the characteristic impedance of the suspended line portion can be stably maintained and the characteristic impedance can be easily controlled.

図１は、本発明の実施の形態１による高周波伝送線路の外観構成を示す上面図である。FIG. 1 is a top view showing an external configuration of a high-frequency transmission line according to Embodiment 1 of the present invention. 図２は、図１に示すＡ−Ａ線断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG. 図３は、図１に示すＢ−Ｂ線断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line BB shown in FIG. 図４は、図１に示す第１の誘電体基板の表面および裏面を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the front and back surfaces of the first dielectric substrate shown in FIG. 図５は、図１に示す第２の誘電体基板の表面および裏面を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing the front and back surfaces of the second dielectric substrate shown in FIG. 図６は、図１に示す高周波伝送線路の電磁界分布を説明する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining the electromagnetic field distribution of the high-frequency transmission line shown in FIG. 図７は、本発明の実施の形態２による高周波伝送線路の外観構成を示す上面図である。FIG. 7 is a top view showing an external configuration of a high-frequency transmission line according to Embodiment 2 of the present invention. 図８は、図７に示すＡ−Ａ線断面図である。8 is a cross-sectional view taken along line AA shown in FIG. 図９は、図７に示すＢ−Ｂ線断面図である。9 is a cross-sectional view taken along line BB shown in FIG. 図１０は、本発明の実施の形態３として、バンプ導体による接続構造の一例を説明する図であり、（１）は第１の誘電体基板の表面図、（２）は第２の誘電体基板の裏面図である。FIG. 10 is a diagram for explaining an example of a connection structure using bump conductors as Embodiment 3 of the present invention, where (1) is a surface view of a first dielectric substrate, and (2) is a second dielectric. It is a reverse view of a board | substrate. 図１１は、本発明の実施の形態４として、バンプ導体による接続構造の他の一例を説明する図であり、（１）は第１の誘電体基板の表面図、（２）（３）は第２の誘電体基板の表裏面図である。FIG. 11 is a diagram for explaining another example of a connection structure using bump conductors as Embodiment 4 of the present invention. (1) is a surface view of a first dielectric substrate, and (2) and (3) are views. It is a front and back view of the 2nd dielectric substrate.

以下に本発明にかかる高周波伝送線路の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。 Embodiments of a high-frequency transmission line according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the embodiments.

実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１による高周波伝送線路の外観構成を示す上面図である。図２は、図１に示すＡ−Ａ線断面図である。図３は、図１に示すＢ−Ｂ線断面図である。図４は、図１に示す第１の誘電体基板の表面および裏面を示す平面図である。図５は、図１に示す第２の誘電体基板の表面および裏面を示す平面図である。図６は、図１に示す高周波伝送線路の電磁界分布を説明する図である。 Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a top view showing an external configuration of a high-frequency transmission line according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line BB shown in FIG. FIG. 4 is a plan view showing the front and back surfaces of the first dielectric substrate shown in FIG. FIG. 5 is a plan view showing the front and back surfaces of the second dielectric substrate shown in FIG. FIG. 6 is a diagram for explaining the electromagnetic field distribution of the high-frequency transmission line shown in FIG.

図１〜図５において、この実施の形態１による高周波伝送線路は、金属筐体１と、この金属筐体１の線路配置面に裏面を接して配置される第１の誘電体基板２と、この第１の誘電体基板２の表面上の所定位置にバンプ導体３を介して配置される第２の誘電体基板４とで構成される。なお、第１の誘電体基板２は、内層グランド導体パターン２３を有する多層構成である。一方、第２の誘電体基板４は、図示例では、単層構成のものを示してあるが、多層構成であってもよい。 1 to 5, the high-frequency transmission line according to the first embodiment includes a metal housing 1, a first dielectric substrate 2 disposed in contact with the line arrangement surface of the metal housing 1, and The second dielectric substrate 4 is disposed at a predetermined position on the surface of the first dielectric substrate 2 via the bump conductor 3. The first dielectric substrate 2 has a multilayer structure having an inner layer ground conductor pattern 23. On the other hand, the second dielectric substrate 4 has a single layer configuration in the illustrated example, but may have a multilayer configuration.

第１の誘電体基板２の表面には、信号導体パターン（ストリップ導体線路）２１が、一方の入出力ポートと他方の入出力ポートとの間を接続して形成され、この信号導体パターン２１の幅方向両側に、所定幅の帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂが信号導体パターン２１に沿って形成されている。信号導体パターン２１の線路幅は、図４（１）に示す例では、中央部の所定長領域が両入出力ポート側領域よりも幅広になっている。 A signal conductor pattern (strip conductor line) 21 is formed on the surface of the first dielectric substrate 2 so as to connect between one input / output port and the other input / output port. Band-shaped surface ground conductor patterns 22 a and 22 b having a predetermined width are formed along the signal conductor pattern 21 on both sides in the width direction. With respect to the line width of the signal conductor pattern 21, in the example shown in FIG.

信号導体パターン２１の一部領域（図４（１）に示す中央部の幅広所定長領域）の直下には、第１の誘電体基板２の表面側層を残して裏面までの間に空洞５が形成されている。この空洞５は、第１の誘電体基板２の裏面から表面に向かって所定高さ位置まで掘り込んで形成されている。具体的には、図４（２）に示すように、第１の誘電体基板２の裏面に形成される裏面グランド導体パターン２４は、信号導体パターン２１の図４（１）に示す中央部の幅広所定長領域の直下位置が、その幅広所定長領域に対応した長四角形状領域が開口６になっていて、空洞５は、この開口６の周縁形状に沿って表面に向かって所定高さ位置まで掘り込んで形成されている。内層グランド導体パターン２３は、この空洞５の形成領域では、空洞５の外周形状（長四角形状）に合わせた開口を有している。なお、裏面グランド導体パターン２４は、本実施の形態では、第１の誘電体基板２の裏面全面に形成される場合を示すが、これに限定されるものではなく、少なくと信号導体パターン２１に対応した領域に形成されていればよい。 Immediately below a partial region of the signal conductor pattern 21 (a wide predetermined length region at the center shown in FIG. 4A), the cavity 5 is left between the first dielectric substrate 2 and the back surface, leaving the surface side layer. Is formed. The cavity 5 is formed by digging up to a predetermined height position from the back surface to the front surface of the first dielectric substrate 2. Specifically, as shown in FIG. 4 (2), the back surface ground conductor pattern 24 formed on the back surface of the first dielectric substrate 2 has a central portion of the signal conductor pattern 21 shown in FIG. 4 (1). The position immediately below the wide predetermined length region is the opening 6 in the long rectangular region corresponding to the wide predetermined length region, and the cavity 5 is positioned at a predetermined height toward the surface along the peripheral shape of the opening 6. It is dug up to form. The inner layer ground conductor pattern 23 has an opening corresponding to the outer peripheral shape (long square shape) of the cavity 5 in the formation region of the cavity 5. In the present embodiment, the back surface ground conductor pattern 24 is formed on the entire back surface of the first dielectric substrate 2, but the present invention is not limited to this, and at least the signal conductor pattern 21 is formed on the signal conductor pattern 21. It may be formed in the corresponding region.

したがって、信号導体パターン２１の地導体は、線路幅の狭い両入出力ポート側領域では、内層グランド導体パターン２３になっているが、線路幅の広い中央部所定長領域（つまり空洞５の形成領域）では、金属筐体１になっている。 Therefore, the ground conductor of the signal conductor pattern 21 is the inner-layer ground conductor pattern 23 in both the input / output port side regions having a narrow line width, but the center portion has a predetermined long region (that is, the formation region of the cavity 5). ) Is a metal casing 1.

第１の誘電体基板２では、帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂと内層グランド導体パターン２３とが、共にスルーホール２５により、裏面グランド導体パターン２４および金属筐体１に接続されている。ここで、信号導体パターン２１の線路幅の狭い両入出力ポート側領域から線路幅の広い中央部所定領域への動作モード変換部における反射を低減するため、グランド電流が内層グランド導体パターン２３の開口端部から裏面グランド導体パターン２４へ流れるよう、スルーホール２５のうち空洞５付近のスルーホールは内層グランド導体パターン２３の開口端近傍に配置されている。 In the first dielectric substrate 2, the strip-shaped surface ground conductor patterns 22 a and 22 b and the inner layer ground conductor pattern 23 are both connected to the back surface ground conductor pattern 24 and the metal housing 1 through through holes 25. Here, in order to reduce reflection in the operation mode conversion unit from the both input / output port side regions having the narrow line width of the signal conductor pattern 21 to the predetermined central region having the wide line width, the ground current is generated in the opening of the inner layer ground conductor pattern 23. A through hole in the vicinity of the cavity 5 among the through holes 25 is disposed in the vicinity of the opening end of the inner layer ground conductor pattern 23 so as to flow from the end portion to the back surface ground conductor pattern 24.

次に、第２の誘電体基板４は、図５に示すように、第１の誘電体基板２の表面と対面する裏面全面に、裏面グランド導体パターン２６が形成された片面基板であるが、信号導体パターン２１の一部領域（図４（１）に示す中央部の幅広所定長領域）を覆う程度の大きさをしたものである。 Next, as shown in FIG. 5, the second dielectric substrate 4 is a single-sided substrate in which a back surface ground conductor pattern 26 is formed on the entire back surface facing the front surface of the first dielectric substrate 2. The signal conductor pattern 21 has a size enough to cover a part of the region (a wide predetermined length region at the center shown in FIG. 4A).

この第２の誘電体基板４の裏面グランド導体パターン２６が、信号導体パターン２１の図４（１）に示す中央部の幅広所定長領域の上部を覆うように、バンプ導体３により第１の誘電体基板２の帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂと接続され、この実施の形態１による高周波伝送線路が形成される。なお、バンプ導体３としては、この実施の形態では、半田バンプを用いているが、金属バンプでもよい。 The back surface ground conductor pattern 26 of the second dielectric substrate 4 covers the upper portion of the wide predetermined length region at the center shown in FIG. 4A of the signal conductor pattern 21 by the bump conductor 3 so as to cover the first dielectric. The high frequency transmission line according to the first embodiment is formed by being connected to the band-shaped surface ground conductor patterns 22a and 22b of the body substrate 2. As the bump conductor 3, solder bumps are used in this embodiment, but metal bumps may be used.

この高周波伝送線路では、第１の誘電体基板２の表面に形成される信号導体パターン２１は、中央部の所定長領域が、下方に空洞５が形成され、上方にバンプ導体３による空洞が形成されるので、サスペンデッド線路構造になっている。そして、信号導体パターン２１の中央部所定長領域の両端から両入出力ポート側領域は、マイクロストリップ線路構造になっている。 In this high-frequency transmission line, the signal conductor pattern 21 formed on the surface of the first dielectric substrate 2 has a predetermined length region at the center, a cavity 5 formed below, and a cavity formed by the bump conductor 3 formed above. Therefore, it has a suspended line structure. Then, both input / output port side regions from both ends of the central predetermined length region of the signal conductor pattern 21 have a microstrip line structure.

すなわち、図６に示すように、信号導体パターン２１の図４（１）に示す中央部の幅広所定長領域では、グランド電流は、第１の誘電体基板２の裏面グランド導体パターン２４と、第２の誘電体基板４の裏面グランド導体パターン２６とに流れるので、マイクロストリップ線路からサスペンデッド線路に変換される構造になっている。 That is, as shown in FIG. 6, in the wide predetermined length region in the central portion shown in FIG. 4A of the signal conductor pattern 21, the ground current is the same as that of the back surface ground conductor pattern 24 of the first dielectric substrate 2, Since the current flows to the back surface ground conductor pattern 26 of the second dielectric substrate 4, the microstrip line is converted to the suspended line.

このように、この実施の形態１によれば、ストリップ導体線路である信号導体パターンの一部領域をサスペンデッド線路構造としたので、信号導体パターンが形成される第１の誘電体基板内を貫く電気力線を低減でき、誘電体損を低減できる。また、実効誘電率を低減できるので、図４（１）に示す中央部の幅広所定長領域のように、線路幅を広くすることができ、導体損を低減できる。加えて、外部への電磁波放射を抑圧することができる。 As described above, according to the first embodiment, since the partial region of the signal conductor pattern which is the strip conductor line has the suspended line structure, the electricity penetrating the first dielectric substrate on which the signal conductor pattern is formed is formed. Force lines can be reduced, and dielectric loss can be reduced. Further, since the effective dielectric constant can be reduced, the line width can be increased and the conductor loss can be reduced as in the wide predetermined length region in the central portion shown in FIG. In addition, electromagnetic radiation to the outside can be suppressed.

ここで、サスペンデッド線路部（図４（１）に示す中央部の幅広所定長領域）は、下方が第１の誘電体基板２により支持されているので、線路に変形が生じることはなく、設定したサスペンデッド線路部の特性インピーダンスを安定的に保持することできる。また。サスペンデッド線路部の特性インピーダンスは、第１の誘電体基板２の誘電率と、信号導体パターン２１の線路幅と、空洞５の高さと、バンプ導体３による上部空洞の高さとをパラメータとして定められるので、サスペンデッド線路部の特性インピーダンスを５０Ωに調節設定する制御は、下方の空洞５の高さ調節と、バンプ導体３による上部空洞の高さ調節とにより比較的容易に行える。 Here, since the suspended line part (the wide predetermined length region in the central part shown in FIG. 4 (1)) is supported by the first dielectric substrate 2 below, the line is not deformed and set. Thus, the characteristic impedance of the suspended line portion can be stably maintained. Also. The characteristic impedance of the suspended line portion is determined by using the dielectric constant of the first dielectric substrate 2, the line width of the signal conductor pattern 21, the height of the cavity 5, and the height of the upper cavity formed by the bump conductor 3 as parameters. The control for adjusting and setting the characteristic impedance of the suspended line portion to 50Ω can be relatively easily performed by adjusting the height of the lower cavity 5 and adjusting the height of the upper cavity by the bump conductor 3.

また、第１および第２の誘電体基板とバンプ導体３とによるサスペンデッド線路構造としたので、第２の誘電体基板とバンプ導体３とに代えて金属筐体等で遮蔽して信号導体パターンの上部に空洞を形成する場合と比較して、伝送線路の高さの低減が図れる。特に、ミリ波帯で用いる場合に効果的である。 In addition, since the suspended line structure is constituted by the first and second dielectric substrates and the bump conductor 3, the signal conductor pattern is shielded by a metal casing or the like instead of the second dielectric substrate and the bump conductor 3. The height of the transmission line can be reduced as compared with the case where a cavity is formed in the upper part. This is particularly effective when used in the millimeter wave band.

なお、本実施の形態では、第１の誘電体基板２内に内層グランド導体パターン２３を付加した場合を示してあるが、内層グランド導体パターンを無くし地導体を全て裏面グランド導体パターン２４および金属筐体１とする構成でもよい。そして、本実施の形態では、第１の誘電体基板２は、多層構成のものを使用しているが、単層構成であってもよい。 In this embodiment, the case where the inner layer ground conductor pattern 23 is added in the first dielectric substrate 2 is shown. However, the inner layer ground conductor pattern is eliminated and all the ground conductors are connected to the back surface ground conductor pattern 24 and the metal housing. The structure which makes the body 1 may be sufficient. In the present embodiment, the first dielectric substrate 2 has a multilayer structure, but may have a single layer structure.

また、第１の誘電体基板２と第２の誘電体基板４は、同一材質であることが望ましい。そうすれば、熱膨張係数が同じであるので、環境温度の変化などによりバンプ導体３に作用する熱応力の低減が図れる。 Further, it is desirable that the first dielectric substrate 2 and the second dielectric substrate 4 are made of the same material. By doing so, since the thermal expansion coefficients are the same, it is possible to reduce the thermal stress acting on the bump conductor 3 due to a change in environmental temperature or the like.

実施の形態２．
図７は、本発明の実施の形態２による高周波伝送線路の外観構成を示す上面図である。図８は、図７に示すＡ−Ａ線断面図である。図９は、図７に示すＢ−Ｂ線断面図である。なお、図７〜図９では、図１〜図３（実施の形態１）に示した構成要素と同一ないしは同等である要素には、同一の符号を付してある。ここでは、この実施の形態２に関わる部分を中心に説明する。 Embodiment 2. FIG.
FIG. 7 is a top view showing an external configuration of a high-frequency transmission line according to Embodiment 2 of the present invention. 8 is a cross-sectional view taken along line AA shown in FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line BB shown in FIG. 7 to 9, the same or equivalent elements as those shown in FIGS. 1 to 3 (Embodiment 1) are denoted by the same reference numerals. Here, the description will be focused on the portion related to the second embodiment.

図７〜図９において、この実施の形態２による高周波伝送線路は、金属筐体１０と、この金属筐体１０の線路配置面に裏面を接して配置される第１の誘電体基板１１と、この第１の誘電体基板１１の表面上の所定位置にバンプ導体３を介して配置される第２の誘電体基板４とで構成される。なお、第１の誘電体基板１１は、単層構成であるとしているが、実施の形態１と同様に、多層構成でもよい。 7 to 9, the high-frequency transmission line according to the second embodiment includes a metal casing 10, a first dielectric substrate 11 disposed in contact with the line arrangement surface of the metal casing 10, The second dielectric substrate 4 is disposed at a predetermined position on the surface of the first dielectric substrate 11 via the bump conductor 3. Although the first dielectric substrate 11 has a single layer configuration, it may have a multilayer configuration as in the first embodiment.

第１の誘電体基板１１の表面には、実施の形態１と同様に、図４（１）に示した信号導体パターン（ストリップ導体線路）２１と帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂとが同様に形成されている。第１の誘電体基板１１の裏面には、図４（２）に示した開口６を有する裏面グランド導体パターン２４が形成されている。帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂは、スルーホール２５により裏面グランド導体パターン２４に接続されている。 Similarly to the first embodiment, the signal conductor pattern (strip conductor line) 21 and the strip-shaped surface ground conductor patterns 22a and 22b shown in FIG. 4A are similarly formed on the surface of the first dielectric substrate 11. Is formed. On the back surface of the first dielectric substrate 11, a back surface ground conductor pattern 24 having the opening 6 shown in FIG. 4B is formed. The strip-shaped surface ground conductor patterns 22 a and 22 b are connected to the back surface ground conductor pattern 24 through the through holes 25.

金属筐体１０の線路配置面には、信号導体パターン２１の図４（１）に示す中央部の幅広所定長領域の直下の領域に、金属筐体１０の肉厚内所定深さの長四角形状をした凹部１４が形成され、裏面グランド導体パターン２４が有する開口６の直下は、凹部１４による空洞１５になっている。 On the line arrangement surface of the metal casing 10, a long square with a predetermined depth within the thickness of the metal casing 10 is provided in an area immediately below the wide predetermined length area in the center portion of the signal conductor pattern 21 shown in FIG. A concave portion 14 having a shape is formed, and a cavity 15 is formed by the concave portion 14 immediately below the opening 6 of the back surface ground conductor pattern 24.

したがって、この実施の形態２では、信号導体パターン２１の地導体は、線路幅の狭い両入出力ポート側領域では、裏面グランド導体パターン２４になっているが、線路幅の広い中央部所定長領域（つまり空洞１５の形成領域）では、金属筐体１０になっている。 Therefore, in the second embodiment, the ground conductor of the signal conductor pattern 21 is the back surface ground conductor pattern 24 in the both input / output port side regions having a narrow line width. In other words (in the region where the cavity 15 is formed), the metal casing 10 is formed.

この構成によっても、実施の形態１と同様の作用・効果が得られる。加えて、この実施の形態２では、金属筐体に凹部を形成するという比較的安価なプレス加工によって空洞を形成できるので、低コスト化が図れる。また、第１の誘電体基板は、単層構成を用いるので、実施の形態１よりも低コスト化が図れる。なお、第１の誘電体基板を多層構成とする場合は、内層グランド導体パターンに、裏面グランド導体パターンと同様の開口を形成すればよい。内層グランド導体パターンをスルーホールにより、裏面グランド導体パターンに接続することは言うまでもない。 Also with this configuration, the same operations and effects as in the first embodiment can be obtained. In addition, in the second embodiment, since the cavity can be formed by a relatively inexpensive press process of forming a recess in the metal casing, the cost can be reduced. In addition, since the first dielectric substrate uses a single-layer structure, the cost can be reduced as compared with the first embodiment. When the first dielectric substrate has a multilayer structure, the inner layer ground conductor pattern may be formed with an opening similar to that of the back surface ground conductor pattern. Needless to say, the inner layer ground conductor pattern is connected to the back surface ground conductor pattern by a through hole.

次に、実施の形態１，２に示したサスペンデッド線路構造において、信号導体パターン２１の上部に形成する空洞の高さは、バンプ導体３の高さで定められるが、バンプ導体３が半田バンプである場合、リフロー時に拡散するので、該上部空洞の高さを、予め定めた所望値に設定するのが困難になる場合がある。そこで、実施の形態３，４として、バンプ導体３が半田バンプである場合の、上部空洞の高さを制御する方法について説明する。 Next, in the suspended line structure shown in the first and second embodiments, the height of the cavity formed above the signal conductor pattern 21 is determined by the height of the bump conductor 3, but the bump conductor 3 is a solder bump. In some cases, since it diffuses during reflow, it may be difficult to set the height of the upper cavity to a predetermined desired value. Therefore, as Embodiments 3 and 4, a method for controlling the height of the upper cavity when the bump conductor 3 is a solder bump will be described.

実施の形態３．
図１０は、本発明の実施の形態３として、バンプ導体による接続構造の一例を説明する図であり、（１）は第１の誘電体基板の表面図、（２）は第２の誘電体基板の裏面図である。 Embodiment 3 FIG.
FIG. 10 is a diagram for explaining an example of a connection structure using bump conductors as Embodiment 3 of the present invention, where (1) is a surface view of a first dielectric substrate, and (2) is a second dielectric. It is a reverse view of a board | substrate.

バンプ導体３が半田バンプである場合、第１の誘電体基板２，１１では、図１０（１）に示すように、帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂの、信号導体パターン２１の線路幅の広い中央部所定長領域に対応する領域長範囲に在る各スルーホール２５の周囲をレジスト２８ａで囲み、互いを分離しておく。同様に、第２の誘電体基板４では、図１０（２）に示すように、裏面グランド導体パターン２６において、帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂに対応する領域において、レジスト２８ｂを対応する形状に塗布しておく。 When the bump conductor 3 is a solder bump, the first dielectric substrates 2 and 11 have a wide line width of the signal conductor pattern 21 of the belt-shaped surface ground conductor patterns 22a and 22b as shown in FIG. The periphery of each through hole 25 in the region length range corresponding to the central predetermined length region is surrounded by a resist 28a and separated from each other. Similarly, in the second dielectric substrate 4, as shown in FIG. 10 (2), in the back surface ground conductor pattern 26, the resist 28b has a corresponding shape in the region corresponding to the strip-shaped surface ground conductor patterns 22a and 22b. Apply.

このようにレジスト２８ａ，２８ｂ塗布による分離枠を形成した帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂと裏面グランド導体パターン２６とを半田バンプ３で接続する。そうすると、リフロー時に半田バンプ３の拡散を防止できるので、バンプの高さ制御を容易に行うことができる。 In this way, the strip-shaped surface ground conductor patterns 22a and 22b and the back surface ground conductor pattern 26 in which the separation frames are formed by applying the resists 28a and 28b are connected by the solder bumps 3. Then, since the diffusion of the solder bump 3 can be prevented at the time of reflow, the height of the bump can be easily controlled.

実施の形態４．
図１１は、本発明の実施の形態４として、バンプ導体による接続構造の他の一例を説明する図であり、（１）は第１の誘電体基板の表面図、（２）（３）は第２の誘電体基板の表裏面図である。 Embodiment 4 FIG.
FIG. 11 is a diagram for explaining another example of a connection structure using bump conductors as Embodiment 4 of the present invention. (1) is a surface view of a first dielectric substrate, and (2) and (3) are views. It is a front and back view of the 2nd dielectric substrate.

用いる誘電体基板が、レジスト塗布による分離枠形成が困難なセラミック基板等である場合は、第１の誘電体基板２，１１では、図１１（１）に示すように、帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂの、信号導体パターン２１の線路幅の広い中央部所定長領域に対応する領域長範囲を、半田バンプ３が接触するスルーホール２５毎に分離して形成しておく。同様に、第２の誘電体基板４の裏面では、図１１（３）に示すように、裏面グランド導体パターン２６を、全面パターンとするのではなく、帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂに対応する裏面領域において、分離して形成しておく。この場合は、第２の誘電体基板４の表面全面を、表面グランド導体パターン２７で被覆し、分離形成した裏面グランド導体パターン２６をスルーホール２８により表面グランド導体パターン２７に接続して、分離形成した裏面グランド導体パターン２６が同電位となるようにする。 When the dielectric substrate to be used is a ceramic substrate or the like for which it is difficult to form a separation frame by applying a resist, the first dielectric substrates 2 and 11 have a strip-shaped surface ground conductor pattern 22a as shown in FIG. , 22b, a region length range corresponding to a predetermined length region in the center of the signal conductor pattern 21 having a wide line width is formed separately for each through hole 25 with which the solder bump 3 contacts. Similarly, on the back surface of the second dielectric substrate 4, as shown in FIG. 11 (3), the back surface ground conductor pattern 26 corresponds to the strip-shaped surface ground conductor patterns 22 a and 22 b instead of the entire surface pattern. In the back surface region, it is formed separately. In this case, the entire surface of the second dielectric substrate 4 is covered with the front surface ground conductor pattern 27, and the separated back surface ground conductor pattern 26 is connected to the front surface ground conductor pattern 27 through the through hole 28 to be separated and formed. The back surface ground conductor pattern 26 is set to the same potential.

このように分離形成した帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂと裏面グランド導体パターン２６とを半田バンプ３で接続する。そうすると、リフロー時に半田バンプ３の拡散を防止できるので、バンプの高さ制御を容易に行うことができる。 The strip-shaped front surface ground conductor patterns 22 a and 22 b and the back surface ground conductor pattern 26 that are separately formed in this way are connected by the solder bumps 3. Then, since the diffusion of the solder bump 3 can be prevented at the time of reflow, the height of the bump can be easily controlled.

以上のように、本発明にかかる高周波伝送線路は、サスペンデッド線路部の特性インピーダンスを安定的に保持でき、特性インピーダンス制御の容易化が図れるサスペンデッド線路構造を有する高周波伝送線路として有用であり、特に、伝送路損失が問題となるマイクロ波帯やミリ波帯で用いるのに適している。 As described above, the high-frequency transmission line according to the present invention is useful as a high-frequency transmission line having a suspended line structure that can stably maintain the characteristic impedance of the suspended line part and facilitate the characteristic impedance control. It is suitable for use in the microwave band and millimeter wave band where transmission line loss is a problem.

１，１０金属筐体
２，１１第１の誘電体基板
３バンプ導体
４第２の誘電体基板
５，１５空洞
６開口
１４凹部
２１信号導体パターン
２２ａ，２２ｂ帯状表面グランド導体パターン
２３内層グランド導体パターン
２４，２６裏面グランド導体パターン
２５，２８スルーホール
２７表面グランド導体パターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,10 Metal housing 2,11 1st dielectric substrate 3 Bump conductor 4 2nd dielectric substrate 5,15 Cavity 6 Opening 14 Concave 21 Signal conductor pattern 22a, 22b Strip surface ground conductor pattern 23 Inner layer ground conductor pattern 24, 26 Back surface ground conductor pattern 25, 28 Through hole 27 Front surface ground conductor pattern

Claims

金属筐体と、
内層グランド導体パターンを有する多層構成の第１の誘電体基板であって、表面に、一方の入出力ポートと他方の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される２本の帯状表面グランド導体パターンとが形成され、前記金属筐体の線路配置面に接する裏面の少なくとも前記信号導体パターンに対応した領域に形成される裏面グランド導体パターンが、前記信号導体パターンの一部領域の直下に該一部領域に対応した大きさの開口を有して形成されているとともに、裏面側内部に、前記開口の周縁から前記表面に向かった所定高さ位置まで削除された空洞が形成され、前記２本の帯状表面グランド導体パターンと共にスルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される前記内層グランド導体パターンは、前記空洞の外周形状に合わせた開口を有して形成されている第１の誘電体基板と、
前記第１の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上に配置される多層構成または単層構成の第２の誘電体基板であって、前記第１の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第２の誘電体基板と、
前記第１の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上において、前記２本の帯状表面グランド導体パターンと前記第２の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続するバンプ導体と
を備えていることを特徴とする高周波伝送線路。 A metal housing;
A first dielectric substrate having a multilayer structure having an inner ground conductor pattern, the signal conductor pattern connecting between one input / output port and the other input / output port on the surface, and the width of the signal conductor pattern Two strip-shaped surface ground conductor patterns arranged along the signal conductor pattern on both sides in the direction are formed, and are formed in a region corresponding to at least the signal conductor pattern on the back surface in contact with the line arrangement surface of the metal casing. The back surface ground conductor pattern is formed with an opening having a size corresponding to the partial region immediately below the partial region of the signal conductor pattern, and from the periphery of the opening to the inside of the back surface side. A cavity that has been deleted up to a predetermined height toward the surface is formed, and the back surface ground conductor pattern is formed by a through hole together with the two strip surface ground conductor patterns. The inner layer ground conductor pattern connected to the over down includes: a first dielectric substrate being formed with an opening matching the outer peripheral shape of said cavity,
A second dielectric substrate having a multi-layer structure or a single-layer structure disposed immediately above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate, the surface facing the surface of the first dielectric substrate A second dielectric substrate having a back surface ground conductor pattern formed on the entire back surface;
A bump conductor connecting the two strip-shaped surface ground conductor patterns and the back surface ground conductor pattern of the second dielectric substrate directly above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate; A high frequency transmission line comprising:

金属筐体と、
単層構成の第１の誘電体基板であって、表面に、一方の入出力ポートと他方の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される２本の帯状表面グランド導体パターンとが形成され、前記金属筐体の線路配置面に接する裏面の少なくとも前記信号導体パターンに対応した領域に形成される裏面グランド導体パターンが、前記信号導体パターンの一部領域の直下に該一部領域に対応した大きさの開口を有して形成されているとともに、裏面側内部に、前記開口の周縁から前記表面に向かった所定高さ位置まで削除された空洞が形成され、前記２本の帯状表面グランド導体パターンは、スルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される第１の誘電体基板と、
前記第１の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上に配置される多層構成または単層構成の第２の誘電体基板であって、前記第１の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第２の誘電体基板と、
前記第１の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上において、前記２本の帯状表面グランド導体パターンと前記第２の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続するバンプ導体と
を備えていることを特徴とする高周波伝送線路。 A metal housing;
A first dielectric substrate having a single-layer structure, the signal conductor pattern connecting between one input / output port and the other input / output port on the surface, and the signal conductor on both sides in the width direction of the signal conductor pattern A back surface ground conductor pattern formed on at least a region corresponding to the signal conductor pattern on the back surface in contact with the line layout surface of the metal casing. Is formed with an opening having a size corresponding to the partial region directly below the partial region of the signal conductor pattern, and is provided on the back side from the periphery of the opening toward the surface. A first dielectric substrate in which a cavity deleted to a height position is formed, and the two strip-shaped front surface ground conductor patterns are connected to the back surface ground conductor pattern by through holes. ,
A second dielectric substrate having a multi-layer structure or a single-layer structure disposed immediately above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate, the surface facing the surface of the first dielectric substrate A second dielectric substrate having a back surface ground conductor pattern formed on the entire back surface;
A bump conductor connecting the two strip-shaped surface ground conductor patterns and the back surface ground conductor pattern of the second dielectric substrate directly above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate; A high frequency transmission line comprising:

金属筐体と、
内層グランド導体パターンを有する多層構成の第１の誘電体基板であって、表面に、一方の入出力ポートと他方の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される２本の帯状表面グランド導体パターンとが形成され、前記金属筐体の線路配置面に接する裏面の少なくとも前記信号導体パターンに対応した領域に形成される裏面グランド導体パターンと前記内層グランド導体パターンとが、前記信号導体パターンの一部領域の直下に該一部領域に対応した大きさの開口を有して形成され、前記内層グランド導体パターンは、前記２本の帯状表面グランド導体パターンと共にスルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される第１の誘電体基板と、
前記第１の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上に配置される多層構成または単層構成の第２の誘電体基板であって、前記第１の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第２の誘電体基板と、
前記第１の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上において、前記２本の帯状表面グランド導体パターンと前記第２の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続するバンプ導体と
を備え、
前記金属筐体の線路配置面に、前記開口の形成領域に対応する位置において前記開口の周縁から前記金属筐体内部に向かった所定深さ位置まで空洞となる凹部が形成されている
ことを特徴とする高周波伝送線路。 A metal housing;
A first dielectric substrate having a multilayer structure having an inner ground conductor pattern, the signal conductor pattern connecting between one input / output port and the other input / output port on the surface, and the width of the signal conductor pattern Two strip-shaped surface ground conductor patterns arranged along the signal conductor pattern on both sides in the direction are formed, and are formed in a region corresponding to at least the signal conductor pattern on the back surface in contact with the line arrangement surface of the metal casing. The back surface ground conductor pattern and the inner layer ground conductor pattern are formed with an opening having a size corresponding to the partial region immediately below the partial region of the signal conductor pattern. A first dielectric substrate connected to the back surface ground conductor pattern by a through hole together with the two strip surface ground conductor patterns;
A second dielectric substrate having a multi-layer structure or a single-layer structure disposed immediately above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate, the surface facing the surface of the first dielectric substrate A second dielectric substrate having a back surface ground conductor pattern formed on the entire back surface;
A bump conductor connecting the two strip-shaped surface ground conductor patterns and the back surface ground conductor pattern of the second dielectric substrate directly above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate; With
A concave portion is formed in the line arrangement surface of the metal casing so as to be a cavity from a peripheral edge of the opening to a predetermined depth position toward the inside of the metal casing at a position corresponding to the formation region of the opening. A high-frequency transmission line.

金属筐体と、
単層構成の第１の誘電体基板であって、表面に、一方の入出力ポートと他方の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される２本の帯状表面グランド導体パターンとが形成され、前記金属筐体の線路配置面に接する裏面の少なくとも前記信号導体パターンに対応した領域に形成される裏面グランド導体パターンが、前記信号導体パターンの一部領域の直下に該一部領域に対応した大きさの開口を有して形成され、前記２本の帯状表面グランド導体パターンは、スルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される第１の誘電体基板と、
前記第１の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上に配置される多層構成または単層構成の第２の誘電体基板であって、前記第１の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第２の誘電体基板と、
前記第１の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上において、前記２本の帯状表面グランド導体パターンと前記第２の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続するバンプ導体と
を備え、
前記金属筐体の線路配置面に、前記開口の形成領域に対応する位置において前記開口の周縁から前記金属筐体内部に向かった所定深さ位置まで空洞となる凹部が形成されている
ことを特徴とする高周波伝送線路。 A metal housing;
A first dielectric substrate having a single-layer structure, the signal conductor pattern connecting between one input / output port and the other input / output port on the surface, and the signal conductor on both sides in the width direction of the signal conductor pattern A back surface ground conductor pattern formed on at least a region corresponding to the signal conductor pattern on the back surface in contact with the line layout surface of the metal casing. Is formed with an opening having a size corresponding to the partial region immediately below the partial region of the signal conductor pattern, and the two strip-shaped surface ground conductor patterns are formed through the through holes. A first dielectric substrate connected to
A second dielectric substrate having a multi-layer structure or a single-layer structure disposed immediately above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate, the surface facing the surface of the first dielectric substrate A second dielectric substrate having a back surface ground conductor pattern formed on the entire back surface;
A bump conductor connecting the two strip-shaped surface ground conductor patterns and the back surface ground conductor pattern of the second dielectric substrate directly above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate; With
A concave portion is formed in the line arrangement surface of the metal casing so as to be a cavity from a peripheral edge of the opening to a predetermined depth position toward the inside of the metal casing at a position corresponding to the formation region of the opening. A high-frequency transmission line.

前記バンプ導体は、半田バンプまたは金属バンプであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の高周波伝送線路。 The high-frequency transmission line according to claim 1, wherein the bump conductor is a solder bump or a metal bump.

前記第１の誘電体基板は、前記２本の帯状表面グランド導体パターンの前記信号導体パターンの一部領域に対応する領域に、前記バンプ導体の接続箇所毎に該接続箇所を囲んでレジストを塗布した分離枠が形成され、
前記第２の誘電体基板は、前記裏面グランド導体パターンに、前記バンプ導体の接続箇所毎に該接続箇所を囲んでレジストを塗布した分離枠が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の高周波伝送線路。 The first dielectric substrate is coated with a resist in a region corresponding to a partial region of the signal conductor pattern of the two strip-shaped surface ground conductor patterns for each connection portion of the bump conductor. Separated frame is formed,
2. The second dielectric substrate is characterized in that a separation frame is formed on the back surface ground conductor pattern by applying a resist around each connection portion of the bump conductor so as to surround the connection portion. The high frequency transmission line according to any one of 4.

前記第１の誘電体基板は、前記２本の帯状表面グランド導体パターンが、前記信号導体パターンの一部領域に対応する領域において、前記バンプ導体の接続箇所毎に分離して形成され、
前記第２の誘電体基板は、表面に、全面を被覆する表面グランド導体パターンが形成され、前記裏面グランド導体パターンが、裏面全面ではなく、前記バンプ導体の接続箇所毎に分離して形成され、それぞれがスルーホールにより前記表面グランド導体パターンに接続されている
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の高周波伝送線路。 The first dielectric substrate is formed by separating the two band-shaped surface ground conductor patterns for each connection portion of the bump conductor in a region corresponding to a partial region of the signal conductor pattern,
The second dielectric substrate is formed with a surface ground conductor pattern covering the entire surface on the surface, and the back surface ground conductor pattern is formed separately for each connection portion of the bump conductor, not the entire back surface, Each is connected to the said surface ground conductor pattern by the through hole. The high frequency transmission line as described in any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned.

前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板は、それぞれ同一の材質で形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の高周波伝送線路。 5. The high-frequency transmission line according to claim 1, wherein the first dielectric substrate and the second dielectric substrate are formed of the same material.

前記バンプ導体は、半田バンプであることを特徴とする請求項６または７に記載の高周波伝送線路。 The high-frequency transmission line according to claim 6, wherein the bump conductor is a solder bump.

前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板は、それぞれセラミック基板であることを特徴とする請求項７に記載の高周波伝送線路。 The high frequency transmission line according to claim 7, wherein the first dielectric substrate and the second dielectric substrate are ceramic substrates, respectively.