JP2011146592A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理対象となる基板Wはローラコンベア10によって矢印FWの基板進行方向に移動される。移動される基板Wの面上に液盛りノズル20,30によって現像液が隙間無く液盛りされて、現像処理が進行する。基板W上に液膜が形成されているときに、微差圧計40が液盛りノズル20よりも前方側に形成される前方側空間と後方側に形成される後方側空間との気圧差を検出する。制御部90は、微差圧計40の検出結果に基づいて、後方側空間が前方側空間よりも高圧となるように、ファンフィルタユニット50から後方側空間に供給する空気の供給流量を制御する。液盛りノズル20よりも後方側空間を前方側空間よりも高圧にすれば、現像液の逆流を防止することができる。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明に係る基板処理装置の構成を示す図である。この基板処理装置1は、レジスト膜が形成された後にパターン露光のなされた基板Wに現像液を供給して現像処理を行う基板現像装置である。本実施形態の基板処理装置1において、処理対象となる基板Wは液晶表示装置用途の矩形形状のガラス基板である。基板処理装置1は、主要な構成としてローラコンベア10と、2つの液盛りノズル20,30と、微差圧計40と、ファンフィルタユニット(FFU)50と、を備える。また、基板処理装置1は、これらの動作を制御する制御部90を備える。なお、基板処理装置1は、レジスト塗布装置、露光機などとインラインに組み込まれ、一連のフォトリソグラフィー処理の一部を行うものであっても良い。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図5は、第2実施形態の基板処理装置の構成を示す図である。この基板処理装置1aは、レジスト膜が形成された後にパターン露光のなされた基板Wに現像液を供給して現像処理を行う基板現像装置である。第2実施形態の基板処理装置1aは、主要な構成としてローラコンベア10と、2つの液盛りノズル20,30と、微差圧計40と、排気流量調整弁60と、を備える。また、基板処理装置1aは、これらの動作を制御する制御部90を備える。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第1実施形態においては後方側空間に空気を供給し、第2実施形態においては前方側空間から空気を排気して気圧差を発生させていたが、これらの双方を組み合わせるようにしても良い。すなわち、ファンフィルタユニット50から後方側空間に空気を供給して後方側空間を加圧するとともに、流量調整弁60を開放して前方側空間から空気を排気して前方側空間を減圧するようにしても良い。このときにも、微差圧計40の検出結果に基づいて、後方側空間の気圧が前方側空間の気圧よりも10Pa〜40Pa高くなるように、制御部90がファンフィルタユニット50から後方側空間に供給する空気の供給流量および排気流量調整弁60を介して前方側空間から排気する空気の排気流量を制御する。このようにしても、上記第1および第2実施形態と同様に、基板W上に供給された現像液の逆流を防止することができる。要するに、液盛りノズル20の後方側空間の気圧が前方側空間の気圧よりも相対的に高くなるようにすれば良い。
10 ローラコンベア
11 搬送ローラ
15,16,17 仕切壁
20,30 液盛りノズル
21,31 吐出口
23 液盛面
25 後端
26 前端
40 微差圧計
50 ファンフィルタユニット
60 排気流量調整弁
61 排気ダクト
90 制御部
Claims (11)
- 基板に処理液を供給する基板処理装置であって、
処理液を下方に向けて吐出する吐出口を有するノズルと、
前記ノズルの下方にて、前記ノズルに対して基板を水平方向に沿って相対移動させる移動手段と、
前記ノズルに対して基板が相対移動される方向に沿って、前記ノズルよりも前方側に形成される前方側空間と、前記ノズルよりも後方側に形成される後方側空間との気圧差を検出する差圧検出手段と、
前記差圧検出手段による検出結果に基づいて、前記後方側空間の気圧が前記前方側空間の気圧よりも相対的に高くなるように気圧差を制御する圧力制御手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1記載の基板処理装置において、
前記圧力制御手段は、前記ノズルの前記吐出口から基板上に吐出された処理液によって基板上に形成された液膜に後方側に作用する液圧と、当該液膜に前方側に作用する表面張力および前記後方側空間と前記前方側空間との気圧差の和とがつり合うように、前記気圧差を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置において、
前記移動手段は、前記ノズルに対して基板を第1の方向に沿って相対移動させ、
前記ノズルは、前記吐出口から前記第1の方向と交差する第2の方向に沿って延びる線状に処理液を吐出することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3記載の基板処理装置において、
前記ノズルは、基板と平行に前記吐出口と連設され、前記吐出口から吐出された処理液を留めて基板上に液膜を形成するための液盛面を有し、
前記ノズルに対して基板が相対移動される方向に沿って、前記液盛面の後端に前記吐出口から吐出された処理液によって形成される液膜の端部が一致するように前記圧力制御手段が前記気圧差を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記後方側空間に気体を供給する気体供給手段をさらに備え、
前記圧力制御手段は、前記差圧検出手段による検出結果に基づいて、前記気体供給手段から前記後方側空間に供給する気体供給量を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項5のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記前方側空間の気体を排気する排気手段をさらに備え、
前記圧力制御手段は、前記差圧検出手段による検出結果に基づいて、前記排気手段が前記前方側空間から排気する気体排気量を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記差圧検出手段は、前記ノズルの前記吐出口から基板上に吐出された処理液によって基板上に液膜が形成されているときに、前記前方側空間と前記後方側空間との気圧差を検出することを特徴とする基板処理装置。 - 基板に処理液を供給する基板処理方法であって、
ノズルの吐出口から処理液を下方に向けて吐出しつつ、前記ノズルの下方にて、前記ノズルに対して基板を水平方向に沿って相対移動させて基板の上面に液膜を形成する液膜形成工程と、
前記液膜形成工程にて、前記ノズルに対して基板が相対移動される方向に沿って、前記ノズルよりも前方側に形成される前方側空間と、前記ノズルよりも後方側に形成される後方側空間との気圧差を検出する差圧検出工程と、
前記差圧検出工程における検出結果に基づいて、前記後方側空間の気圧が前記前方側空間の気圧よりも相対的に高くなるように気圧差を制御する圧力制御工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項8記載の基板処理方法において、
前記圧力制御工程では、前記ノズルの前記吐出口から基板上に吐出された処理液によって基板上に形成された液膜に後方側に作用する液圧と、当該液膜に前方側に作用する表面張力および前記後方側空間と前記前方側空間との気圧差の和とがつり合うように、前記気圧差を制御することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項8または請求項9に記載の基板処理方法において、
前記圧力制御工程は、
前記後方側空間に気体を供給する工程と、
前記差圧検出工程における検出結果に基づいて、前記後方側空間に供給する気体供給量を制御する工程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項8から請求項10のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記圧力制御工程は、
前記前方側空間の気体を排気する工程と、
前記差圧検出工程における検出結果に基づいて、前記前方側空間から排気する気体排気量を制御する工程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。
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