JP2011133891A - 微細パターン形成のためのフォトマスク及びこれを用いた微細パターン製造方法 - Google Patents
微細パターン形成のためのフォトマスク及びこれを用いた微細パターン製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011133891A JP2011133891A JP2010284302A JP2010284302A JP2011133891A JP 2011133891 A JP2011133891 A JP 2011133891A JP 2010284302 A JP2010284302 A JP 2010284302A JP 2010284302 A JP2010284302 A JP 2010284302A JP 2011133891 A JP2011133891 A JP 2011133891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photomask
- micron
- same
- fine pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【課題】本発明は、液晶表示素子用カラーフィルタのパターン形成のためのフォトマスクに関し、具体的には微細パターン形成のために主パターンの内部に補助パターンを含むことを特徴とするフォトマスクに関するものである。
【解決手段】本発明は、フォトマスクウィンドウの内部に追加的なパターンを形成することによって、光の補強／相殺干渉を用いて、より小さなパターン製作が可能であるようにすることで、大きいフォトマスクを利用しながらも微細パターン製作が容易であるという長所を有する。
【選択図】図１
【解決手段】本発明は、フォトマスクウィンドウの内部に追加的なパターンを形成することによって、光の補強／相殺干渉を用いて、より小さなパターン製作が可能であるようにすることで、大きいフォトマスクを利用しながらも微細パターン製作が容易であるという長所を有する。
【選択図】図１
Description
本発明は、微細パターン形成のためのフォトマスクに関し、より詳しくは、微細パターン形成のために主パターンの内部に補助パターンを含む液晶表示素子用カラーフィルタのパターン形成のためのフォトマスクに関する。
液晶表示素子（ＬＣＤ）に使われるカラーフィルタにブラックマトリックス（black matrix）、カラーサブピクセル（color sub-pixels）、及びコラムスペーサ（column spacer）を製造するためには、一般的にネガティブ感光性物質を利用し、光エッチング法（photo-lithography）という過程を通じてパターンを形成する方法を使用する。
最近、液晶表示素子の解像度を高め、光が透過される領域である開口部を広げるこが技術的な趨勢である。したがって、光を遮ってサブピクセルを区分するようにするブラックマトリックスや液晶セルで薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板とカラーフィルタ（color filter）基板との間の間隔を均等に維持するためのコラムスペーサのサイズも小さくなる。即ち、ブラックマトリックスとコラムスペーサを作るためにサイズの小さい微細パターンを安定的に形成しなければならない技術的課題がある。
微細パターンを作るために単純にフォトマスクのウィンドウを小さく作れれば、光の回折が甚だしくなって、感光材に照射される光の強さが弱くなり、希望しない形態が得られる。また、フォトマスク製作の難易度が高まって製造コストが上がったり、パターンのサイズにおける均一度（uniformity）が低下する短所が発生できる。
したがって、このような短所を克服しながら容易に微細パターンを具現できるフォトマスクに関する開発が要求されていた。
本発明の目的は、前述した従来技術の問題点を解決するためのものであって、相対的に大きいサイズのフォトマスクパターンを利用しながらも微細パターンを製造できる新たな形態のフォトマスクを提供することにある。
上記のような課題を解決するための本発明に従うフォトマスクは、パターン形成のためのフォトマスクにおいて、主パターンの内部に補助パターンを含むものである。
また、上記主パターンの両端最長距離に対する上記補助パターンの両端最長距離の割合は０．３５〜０．９０であることができる。
そして、上記補助パターンの形態は上記主パターンの形態と同一なものであることができ、上記主パターンの形態は円形または四角形でありうる。
併せて、上記主パターン及び補助パターンの形態は各々円形または四角形でありうる。ここで、上記主パターンの直径または対角線長さに対する上記補助パターンの直径または対角線長さの割合は０．３５〜０．９０であることができる。
上記のような更に他の課題を解決するための本発明に従う微細パターン製造方法は、主パターンの内部に補助パターンを含むフォトマスクを用いて露光させる段階を含むものでありうる。
また、上記微細パターンは液晶表示素子用カラーフィルタに使われるものであることができるが、これに限定されるのではない。
本発明の実施形態によれば、新たな形態のフォトマスクを提示することによって、微細パターン製造を容易にすることができるという長所がある。即ち、フォトマスクウィンドウ（主パターン）の内部に追加的なパターンを形成することによって、光の補強／相殺干渉を用いて、より小さなパターン製作が可能であるようにすることで、既存のフォトマスクサイズを縮めなくても微細パターン製作が容易であるという利点を有する。
以下の図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張されたものであり、図面上で同一符号は同一な要素を示す。本明細書で使われたように、用語"及び／または"は該当列挙された項目のうち、いずれか１つ及び１つ以上の全ての組合せを含む。
本明細書で使われた用語は特定の実施形態を説明するために使用され、本発明を制限するためのものでない。本明細書で使われたように、単数形態は文脈上、異なる場合を明確に指摘するものでなければ、複数の形態を含むことができる。また、本明細書で使われる場合、"包含する（comprise）"及び／または"含む（comprising）"は、言及した形状、数字、段階、動作、部材、要素、及び／またはこれらグループの存在を特定するものであり、１つ以上の異なる形状、数字、動作、部材、要素、及び／またはグループの存在または付加を排除するのでない。
本発明に従うフォトマスクは、液晶表示素子用カラーフィルタのパターン形成のためのフォトマスクにおいて、微細パターン形成のために主パターンの内部に補助パターンを含む。
主パターンの内部に補助パターンが配置されることによって、光の補強／相殺干渉が誘発されて微細パターンを具現できるようになる。即ち、従来のフォトマスクで光が透過する部分である主パターンの内部に一定形態を持つ補助パターンを挿入することで、一種のスリット形態が具現され、このようなスリット形態を通じて回折された光の相互干渉を調節して光の強さ分布を変更できるようになる。具体的に、フォトマスクの内に補助パターンを配置するようになれば、光の複雑な回折形態が生成され、フォトマスクを通過して基板に到達する回折光が互いに干渉を起こすようになる。したがって、基板に到達した光はフォトマスクパターンの形態でない２次元的に均等に広げた強さ分布を表して、均一な形状の有機膜を形成できるようにする。
上記主パターン及び補助パターンの形態には、円形、多角形など、種々のものが使われることができ、補強／相殺干渉を誘発できる限り、特定の形態に限定されない。主パターンと補助パターンとは互いに同一な形態であるとか異なる形態であることができ、上記主パターンと補助パターンとの形態が本発明で言及する形態のみに限定されるのではない。しかしながら、あまり複雑なパターンを持つ場合、実際の製造工程上、難しさを伴うことがあるので、比較的単純な形態を持つことが好ましいということができるが、これに限定されるのではない。
好ましくは、上記主パターンの両端最長距離に対する上記補助パターンの両端最長距離の割合は０．３５〜０．９０の形態を使用する。上記割合値が０．３５未満の場合、形成されるパターンのサイズがフォトマスクの主パターンサイズと類似するか、より大きいことがあるので、微細パターン製作が困難なことがあり、０．９０を超過する場合はパターン自体が形成できないことがあるためである。
本発明の明細書の全般に亘って使われる'両端最長距離'とは、辺、隅、周りを含んだ図形の形状をなす枠の上の任意の２点を連結した直線距離のうち、最も長い距離をいう。具体的に、上記主パターン及び補助パターンが円形である場合はその直径を意味し、また、上記主パターン及び補助パターンが四角形の場合は、その対角線長さを意味する。
添付の図面を参考にして具体的に説明すれば、次の通りである。
本発明の好ましい一実施形態を表した次の図１は、主パターン及び補助パターンが全て円形のフォトマスクであって、直径がＣである主パターンの円形に光が透過する部分に直径がａである円形の補助パターンを挿入するようになれば、Ｃ及びａのサイズを変化させることによって光の干渉を調節して光の強さ分布を変更することができる。また、上記主パターンの両端最長距離（Ｃ）に対する上記補助パターンの両端最長距離（ａ）の割合（ａ／ｃ）は０．３５〜０．９０の条件を満たすことは勿論である。また、ｂは上記主パターンの両端最長距離（ｃ）から補助パターンの両端最長距離（ａ）を引いた値である。
本発明の他の好ましい実施形態によれば、次の図２〜図４のように多様に応用できる。
次の図２〜図４でも、Ｃは主パターンの両端最長距離である直径または対角線長さを表し、ａは補助パターンの両端最長距離である直径または対角線長さを意味し、ｂは上記主パターンの両端最長距離（ｃ）から補助パターンの両端最長距離（ａ）を引いた値である。
次の図２〜図４のどの場合でも、主パターンの両端最長距離である直径または対角線長さに対する補助パターンの両端最長距離である直径または対角線長さの割合（即ち、ａ／ｃ）は０．３５〜０．９０であることが好ましい。ａ／ｃの値が０．３５未満の場合に形成されるパターンのサイズがＣと類似するか、より大きいことがあるので、本発明を通じて具現しようとする微細パターン製作の効果が不充分であることがあり、ａ／ｃの値が０．９０を超過する場合、パターン自体が形成できないことがある。
一方、本発明は上記フォトマスクを用いた液晶表示素子用カラーフィルタの微細パターンの製造方法を提供することにも特徴がある。
微細パターン製造は、本発明に従う特殊な形態のフォトマスクを用いて当該技術分野で通常的に経る工程を経てパターンを製造すればよい。具体的に、ネガティブ型感光性溶液をガラスの上にスピンコーティング及び伝熱処理して厚さが均等なフィルムを形成し、上記フィルムを本発明に従うフォトマスクを用いて露光させた後、アルカリ水溶液で現像し、脱イオン水で洗浄する段階を経る。
上記フォトマスク製造工程に使われるネガティブ型感光性溶液は、通常のフォトマスク製造時に使われるネガティブ型感光性溶液組成を使用することができ、その組成が特別に限定されるのではない。
また、コーティング、伝熱処理、露光条件、アルカリ現像液なども通常のフォトマスク製造時に使われる基準に準じて処理できる程度であり、特別に限定されるのではない。
以上、説明した本発明に従うフォトマスクを以下の実施形態により一層詳細に説明すれば、次の通りである。本発明の実施形態は、当該技術分野で通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものであり、下記の実施形態は種々の他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が下記の実施形態に限定されるのではない。むしろ、これら実施形態は本開示をより充実で、かつ完全にし、当業者に本発明の思想を完全に伝達するために提供されるものである。
［実施形態１−１］
Ｃ＝１８micron、ａ＝３micronである図１に図示されるフォトマスクを使用して、次のようなプロセスを経てパターンを製作した。
Ｃ＝１８micron、ａ＝３micronである図１に図示されるフォトマスクを使用して、次のようなプロセスを経てパターンを製作した。
まず、ネガティブ型感光性溶液（ＬＧ化学感光材製品、ＬＧＳＰ Ａ ｓｅｒｉｅｓ）をガラス基板の上にスピンコーティングした後、１００℃で２分間伝熱処理して、厚さが４ミクロンである均等なフィルムを形成した。次に、上記フォトマスクを用いて上記フィルムを高圧水銀ランプの下で３秒間露光させた後、パターンをｐＨが約１１．５であるＫＯＨアルカリ水溶液で現像し、脱イオン水で洗浄した後、基板の上に形成されたパターンを観察した。パターンのサイズは光学顕微鏡を用いて測定した後、フォトマスクパターンの外径Ｃと比較した。
［実施形態１−２］
Ｃ＝１８micron、ａ＝６micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝６micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態１−３］
Ｃ＝１８micron、ａ＝９micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝９micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態１−４］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１２micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝１２micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態１−５］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１５micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝１５micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態１−６］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１６micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝１６micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態１−７］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１７micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝１７micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態２−１］
Ｃ＝１８micron、ａ＝３micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝３micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態２−２］
Ｃ＝１８micron、ａ＝６micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝６micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態２−３］
Ｃ＝１８micron、ａ＝９micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝９micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態２−４］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１２micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝１２micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態２−５］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１５micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝１５micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態２−６］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１６micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝１６micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態２−７］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１７micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝１７micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態３−１］
Ｃ＝１８micron、ａ＝３micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝３micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態３−２］
Ｃ＝１８micron、ａ＝６micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝６micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態３−３］
Ｃ＝１８micron、ａ＝９micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝９micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態３−４］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１２micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝１２micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態３−５］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１５micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝１５micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態３−６］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１６micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝１６micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態３−７］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１７micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝１７micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態４−１］
Ｃ＝１８micron、ａ＝３micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝３micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態４−２］
Ｃ＝１８micron、ａ＝６micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝６micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態４−３］
Ｃ＝１８micron、ａ＝９micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝９micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態４−４］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１２micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝１２micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態４−５］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１５micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝１５micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態４−６］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１６micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝１６micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実施形態４−７］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１７micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝１７micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［比較例１］
Ｃ＝１８micron、ａ＝０micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝０micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［比較例２］
Ｃ＝１８micron、ａ＝０micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Ｃ＝１８micron、ａ＝０micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
［実験例］
上記実施形態と比較例に従うフォトマスクを用いて微細パターンを形成したし、各パターンサイズを測定して次の＜表１＞に整理した。各パターンのサイズは少数点以下第３位で四捨五入した値である。
上記実施形態と比較例に従うフォトマスクを用いて微細パターンを形成したし、各パターンサイズを測定して次の＜表１＞に整理した。各パターンのサイズは少数点以下第３位で四捨五入した値である。
上記＜表１＞に表れた結果のように、比較例のフォトマスクを使用して製造された微細パターンを含む場合、製作されたスペーサのサイズはフォトマスクサイズより大きいか、類似の値を表すことが分かる。
しかしながら、本発明の実施形態のように主パターンの内部に追加に補助パターンを含むフォトマスクを使用して製造された微細パターンを含む場合、製作されたスペーサのサイズは全て比較例より小さなサイズを有し、殆ど５micronまでパターンサイズを減少させることができた。
実施形態のように、本発明で提示した技術を用いる場合には、比較的大きいサイズのフォトマスクパターンを利用しながらも微細パターンを製造できるようになる。即ち、フォトマスクの内に非常に小さなパターンを製造する難しい工程の難しさを克服しながらも、より従来の発明に比べて同一な効果以上の結果を得ることができる。
以上の説明は、本発明の技術思想を例示的に説明したものに過ぎないものであって、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲で多様な修正及び変形が可能である。したがって、本発明に開示された実施形態は本発明の技術思想を限定するためのものでなく、説明するためのものであって、本発明の保護範囲は特許請求範囲により解釈されなければならず、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
Claims (12)
- 微細パターン形成のためのフォトマスクであって、
主パターンの内部に補助パターンを含むことを特徴とする、フォトマスク。 - 上記主パターンの両端最長距離に対する前記補助パターンの両端最長距離の割合は０．３５〜０．９０であることを特徴とする、請求項１に記載のフォトマスク。
- 前記主パターンと補助パターンは各々互いに同一または異なる形態を有することを特徴とする、請求項１に記載のフォトマスク。
- 前記主パターンの形態は円形または四角形であることを特徴とする、請求項１に記載のフォトマスク。
- 前記主パターン及び補助パターンの形態は円形であることを特徴とする、請求項１に記載のフォトマスク。
- 前記主パターン及び補助パターンの形態は四角形であることを特徴とする、請求項１に記載のフォトマスク。
- 前記主パターンの形態は円形であり、前記補助パターンの形態は四角形であることを特徴とする、請求項１に記載のフォトマスク。
- 前記主パターンの形態は四角形であり、前記補助パターンの形態は円形であることを特徴とする、請求項１に記載のフォトマスク。
- 前記主パターンの両端最長距離に対する前記補助パターンの両端最長距離の割合は０．３５〜０．９０であることを特徴とする、請求項５から請求項８のうち、いずれか１つに記載のフォトマスク。
- 前記フォトマスクは液晶表示素子用カラーフィルタの微細パターン形成のためのものであることを特徴とする、請求項１に記載のフォトマスク。
- 微細パターン製造方法であって、
主パターンの内部に補助パターンを含むフォトマスクを用いて露光させる段階を含むことを特徴とする、微細パターン製造方法。 - 前記微細パターンは液晶表示素子用カラーフィルタに使われることを特徴とする、請求項１１に記載の微細パターン製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2009-0128706 | 2009-12-22 | ||
| KR20090128706 | 2009-12-22 | ||
| KR1020100118851A KR101231717B1 (ko) | 2009-12-22 | 2010-11-26 | 미세 패턴 형성을 위한 포토마스크 및 이를 이용한 미세 패턴 제조방법 |
| KR10-2010-0118851 | 2010-11-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011133891A true JP2011133891A (ja) | 2011-07-07 |
| JP5517909B2 JP5517909B2 (ja) | 2014-06-11 |
Family
ID=44156195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010284302A Active JP5517909B2 (ja) | 2009-12-22 | 2010-12-21 | 微細パターン形成のためのフォトマスク及びこれを用いた微細パターン製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5517909B2 (ja) |
| CN (1) | CN102103325B (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002357892A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-12-13 | Asml Masktools Bv | 解像度以下の補助フィーチャとして罫線ラダー・バーを利用した光近接補正方法 |
| WO2007017947A1 (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Fujitsu Limited | 露光用マスク、その製造方法、パターン転写方法、パターン形成方法、及びｓｒａｍの製造方法 |
| JP2008046623A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスク |
| JP2008256781A (ja) * | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Elpida Memory Inc | 投影露光用のレチクル、該投影露光用のレチクルの製造方法及び該レチクルを用いた半導体装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002088843A2 (en) * | 2001-04-24 | 2002-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
| JP3746497B2 (ja) * | 2003-06-24 | 2006-02-15 | 松下電器産業株式会社 | フォトマスク |
| KR100586549B1 (ko) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토 마스크 및 이를 이용한 패턴 제조 방법 |
-
2010
- 2010-12-17 CN CN 201010610214 patent/CN102103325B/zh active Active
- 2010-12-21 JP JP2010284302A patent/JP5517909B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002357892A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-12-13 | Asml Masktools Bv | 解像度以下の補助フィーチャとして罫線ラダー・バーを利用した光近接補正方法 |
| WO2007017947A1 (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Fujitsu Limited | 露光用マスク、その製造方法、パターン転写方法、パターン形成方法、及びｓｒａｍの製造方法 |
| JP2008046623A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスク |
| JP2008256781A (ja) * | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Elpida Memory Inc | 投影露光用のレチクル、該投影露光用のレチクルの製造方法及び該レチクルを用いた半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102103325B (zh) | 2013-06-19 |
| JP5517909B2 (ja) | 2014-06-11 |
| CN102103325A (zh) | 2011-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10288928B2 (en) | Photomask and method of manufacturing color filter substrate | |
| US20190019819A1 (en) | Exposure mask and method of manufacturing a substrate using the exposure mask | |
| WO2017041438A1 (zh) | 光掩模板和曝光*** | |
| CN105045032B (zh) | 一种掩模板、隔垫物及显示装置 | |
| CN105717737A (zh) | 一种掩膜版及彩色滤光片基板的制备方法 | |
| WO2014190718A1 (zh) | 掩模板以及掩模板的制备方法 | |
| KR101127376B1 (ko) | 다계조 포토마스크, 패턴 전사 방법 및 다계조 포토마스크를 이용한 표시 장치의 제조 방법 | |
| CN107272326B (zh) | 一种光掩模和利用其制造用于滤色器的柱状间隔件的方法 | |
| CN103018808B (zh) | 光子筛及其制作方法 | |
| US10175570B2 (en) | Reticle and fabrication method thereof, and method for fabricating patterns on a substrate | |
| TW201229574A (en) | Method for producing color filter, display element and color filter | |
| CN103913892B (zh) | 一种液晶显示面板 | |
| CN104656369A (zh) | 光掩模和使用了该光掩模的基板的制造方法 | |
| JP5517909B2 (ja) | 微細パターン形成のためのフォトマスク及びこれを用いた微細パターン製造方法 | |
| US9372369B2 (en) | Liquid crystal panel and manufacturing method thereof | |
| TWI721247B (zh) | 顯示裝置製造用光罩、及顯示裝置之製造方法 | |
| KR101414556B1 (ko) | 평판 디스플레이 소자의 해상력 및 생산성 향상을 위한 포토 마스크 및 그 제조 방법 | |
| KR101231717B1 (ko) | 미세 패턴 형성을 위한 포토마스크 및 이를 이용한 미세 패턴 제조방법 | |
| US9977324B2 (en) | Phase shift mask and method of forming patterns using the same | |
| TWI524156B (zh) | 具有使用半色調相移光罩之多波長的曝光方法 | |
| US10838122B2 (en) | Color filter substrate and fabricating method thereof | |
| JP2010002908A (ja) | ブラックマトリックス基板の製造方法 | |
| CN104977803B (zh) | 一种同时形成一维和二维光刻胶图形的方法 | |
| JP2013246340A (ja) | フォトマスクとその製造方法、およびパターン露光方法 | |
| Nirengi et al. | 38.2: Color Filters on Flexible Glass Substrates by Roll‐to‐Roll Processing |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121026 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131030 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131105 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140131 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140304 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140401 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5517909 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |