JP2011133891A - Photomask for forming fine pattern and method for producing fine pattern using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、微細パターン形成のためのフォトマスクに関し、より詳しくは、微細パターン形成のために主パターンの内部に補助パターンを含む液晶表示素子用カラーフィルタのパターン形成のためのフォトマスクに関する。 The present invention relates to a photomask for forming a fine pattern, and more particularly, to a photomask for forming a pattern of a color filter for a liquid crystal display element including an auxiliary pattern inside a main pattern for forming a fine pattern.
液晶表示素子（ＬＣＤ）に使われるカラーフィルタにブラックマトリックス（black matrix）、カラーサブピクセル（color sub-pixels）、及びコラムスペーサ（column spacer）を製造するためには、一般的にネガティブ感光性物質を利用し、光エッチング法（photo-lithography）という過程を通じてパターンを形成する方法を使用する。 In order to manufacture black matrix, color sub-pixels, and column spacers for color filters used in liquid crystal display devices (LCDs), it is generally a negative photosensitive material. A method of forming a pattern through a process called photo-lithography is used.
最近、液晶表示素子の解像度を高め、光が透過される領域である開口部を広げるこが技術的な趨勢である。したがって、光を遮ってサブピクセルを区分するようにするブラックマトリックスや液晶セルで薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板とカラーフィルタ（color filter）基板との間の間隔を均等に維持するためのコラムスペーサのサイズも小さくなる。即ち、ブラックマトリックスとコラムスペーサを作るためにサイズの小さい微細パターンを安定的に形成しなければならない技術的課題がある。 Recently, the technical trend is to increase the resolution of the liquid crystal display element and widen the opening, which is a region through which light is transmitted. Therefore, the size of the column spacer to maintain a uniform space between the thin film transistor (TFT) substrate and the color filter substrate in the black matrix or liquid crystal cell that blocks the light and blocks the sub-pixels Get smaller. That is, there is a technical problem that a fine pattern having a small size must be stably formed in order to form a black matrix and a column spacer.
微細パターンを作るために単純にフォトマスクのウィンドウを小さく作れれば、光の回折が甚だしくなって、感光材に照射される光の強さが弱くなり、希望しない形態が得られる。また、フォトマスク製作の難易度が高まって製造コストが上がったり、パターンのサイズにおける均一度（uniformity）が低下する短所が発生できる。 If the window of the photomask can be simply made small in order to form a fine pattern, the light diffraction becomes significant, the intensity of light irradiated to the photosensitive material becomes weak, and an undesired form can be obtained. In addition, the difficulty of manufacturing a photomask increases, resulting in an increase in manufacturing cost, and a disadvantage that uniformity in pattern size decreases.
したがって、このような短所を克服しながら容易に微細パターンを具現できるフォトマスクに関する開発が要求されていた。 Accordingly, there has been a demand for the development of a photomask that can easily realize a fine pattern while overcoming such disadvantages.
本発明の目的は、前述した従来技術の問題点を解決するためのものであって、相対的に大きいサイズのフォトマスクパターンを利用しながらも微細パターンを製造できる新たな形態のフォトマスクを提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and to provide a photomask of a new form capable of manufacturing a fine pattern while using a relatively large size photomask pattern. There is to do.
上記のような課題を解決するための本発明に従うフォトマスクは、パターン形成のためのフォトマスクにおいて、主パターンの内部に補助パターンを含むものである。 The photomask according to the present invention for solving the above-described problems is a photomask for pattern formation, and includes an auxiliary pattern inside the main pattern.
また、上記主パターンの両端最長距離に対する上記補助パターンの両端最長距離の割合は０．３５〜０．９０であることができる。 The ratio of the longest distance between both ends of the auxiliary pattern to the longest distance between both ends of the main pattern may be 0.35 to 0.90.
そして、上記補助パターンの形態は上記主パターンの形態と同一なものであることができ、上記主パターンの形態は円形または四角形でありうる。 The auxiliary pattern may have the same shape as the main pattern, and the main pattern may be circular or square.
併せて、上記主パターン及び補助パターンの形態は各々円形または四角形でありうる。ここで、上記主パターンの直径または対角線長さに対する上記補助パターンの直径または対角線長さの割合は０．３５〜０．９０であることができる。 In addition, the main pattern and the auxiliary pattern may be circular or quadrangular. Here, the ratio of the diameter or diagonal length of the auxiliary pattern to the diameter or diagonal length of the main pattern may be 0.35 to 0.90.
上記のような更に他の課題を解決するための本発明に従う微細パターン製造方法は、主パターンの内部に補助パターンを含むフォトマスクを用いて露光させる段階を含むものでありうる。 The fine pattern manufacturing method according to the present invention for solving still another problem as described above may include a step of exposing using a photomask including an auxiliary pattern inside the main pattern.
また、上記微細パターンは液晶表示素子用カラーフィルタに使われるものであることができるが、これに限定されるのではない。 The fine pattern may be used for a color filter for a liquid crystal display element, but is not limited thereto.
本発明の実施形態によれば、新たな形態のフォトマスクを提示することによって、微細パターン製造を容易にすることができるという長所がある。即ち、フォトマスクウィンドウ（主パターン）の内部に追加的なパターンを形成することによって、光の補強／相殺干渉を用いて、より小さなパターン製作が可能であるようにすることで、既存のフォトマスクサイズを縮めなくても微細パターン製作が容易であるという利点を有する。 According to the embodiment of the present invention, it is possible to easily manufacture a fine pattern by presenting a new type of photomask. That is, by forming an additional pattern inside the photomask window (main pattern), it is possible to fabricate a smaller pattern by using light reinforcement / cancellation interference. There is an advantage that a fine pattern can be easily manufactured without reducing the size.
以下の図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張されたものであり、図面上で同一符号は同一な要素を示す。本明細書で使われたように、用語"及び／または"は該当列挙された項目のうち、いずれか１つ及び１つ以上の全ての組合せを含む。 In the following drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience of explanation and clarity, and the same reference numerals denote the same elements in the drawings. As used herein, the term “and / or” includes any one and all combinations of one or more of the listed items.
本明細書で使われた用語は特定の実施形態を説明するために使用され、本発明を制限するためのものでない。本明細書で使われたように、単数形態は文脈上、異なる場合を明確に指摘するものでなければ、複数の形態を含むことができる。また、本明細書で使われる場合、"包含する（comprise）"及び／または"含む（comprising）"は、言及した形状、数字、段階、動作、部材、要素、及び／またはこれらグループの存在を特定するものであり、１つ以上の異なる形状、数字、動作、部材、要素、及び／またはグループの存在または付加を排除するのでない。 The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms may include the plural forms unless the context clearly indicates otherwise. Also, as used herein, “comprise” and / or “comprising” refers to the presence of the stated shape, number, step, action, member, element, and / or group thereof. It is specific and does not exclude the presence or addition of one or more different shapes, numbers, actions, members, elements, and / or groups.
本発明に従うフォトマスクは、液晶表示素子用カラーフィルタのパターン形成のためのフォトマスクにおいて、微細パターン形成のために主パターンの内部に補助パターンを含む。 The photomask according to the present invention is a photomask for forming a pattern of a color filter for a liquid crystal display element, and includes an auxiliary pattern inside the main pattern for forming a fine pattern.
主パターンの内部に補助パターンが配置されることによって、光の補強／相殺干渉が誘発されて微細パターンを具現できるようになる。即ち、従来のフォトマスクで光が透過する部分である主パターンの内部に一定形態を持つ補助パターンを挿入することで、一種のスリット形態が具現され、このようなスリット形態を通じて回折された光の相互干渉を調節して光の強さ分布を変更できるようになる。具体的に、フォトマスクの内に補助パターンを配置するようになれば、光の複雑な回折形態が生成され、フォトマスクを通過して基板に到達する回折光が互いに干渉を起こすようになる。したがって、基板に到達した光はフォトマスクパターンの形態でない２次元的に均等に広げた強さ分布を表して、均一な形状の有機膜を形成できるようにする。 Since the auxiliary pattern is disposed inside the main pattern, light reinforcement / cancellation interference is induced, and a fine pattern can be implemented. That is, by inserting an auxiliary pattern having a certain shape inside a main pattern, which is a portion through which light is transmitted in a conventional photomask, a kind of slit shape is realized, and light diffracted through the slit shape is realized. The light intensity distribution can be changed by adjusting the mutual interference. Specifically, when the auxiliary pattern is arranged in the photomask, a complicated diffraction pattern of light is generated, and diffracted lights that pass through the photomask and reach the substrate cause interference with each other. Therefore, the light reaching the substrate represents a two-dimensionally spread intensity distribution that is not in the form of a photomask pattern, so that an organic film having a uniform shape can be formed.
上記主パターン及び補助パターンの形態には、円形、多角形など、種々のものが使われることができ、補強／相殺干渉を誘発できる限り、特定の形態に限定されない。主パターンと補助パターンとは互いに同一な形態であるとか異なる形態であることができ、上記主パターンと補助パターンとの形態が本発明で言及する形態のみに限定されるのではない。しかしながら、あまり複雑なパターンを持つ場合、実際の製造工程上、難しさを伴うことがあるので、比較的単純な形態を持つことが好ましいということができるが、これに限定されるのではない。 Various forms such as a circle and a polygon can be used as the form of the main pattern and the auxiliary pattern, and the form is not limited to a specific form as long as reinforcement / cancellation interference can be induced. The main pattern and the auxiliary pattern may be the same form or different forms, and the form of the main pattern and the auxiliary pattern is not limited to the form referred to in the present invention. However, in the case of having a very complicated pattern, it may be difficult in the actual manufacturing process. Therefore, it can be said that it is preferable to have a relatively simple form, but it is not limited to this.
好ましくは、上記主パターンの両端最長距離に対する上記補助パターンの両端最長距離の割合は０．３５〜０．９０の形態を使用する。上記割合値が０．３５未満の場合、形成されるパターンのサイズがフォトマスクの主パターンサイズと類似するか、より大きいことがあるので、微細パターン製作が困難なことがあり、０．９０を超過する場合はパターン自体が形成できないことがあるためである。 Preferably, the ratio of the longest distance at both ends of the auxiliary pattern to the longest distance at both ends of the main pattern is 0.35 to 0.90. When the above ratio value is less than 0.35, the size of the pattern to be formed may be similar to or larger than the main pattern size of the photomask, so that it may be difficult to fabricate a fine pattern. This is because the pattern itself may not be formed if it exceeds.
本発明の明細書の全般に亘って使われる'両端最長距離'とは、辺、隅、周りを含んだ図形の形状をなす枠の上の任意の２点を連結した直線距離のうち、最も長い距離をいう。具体的に、上記主パターン及び補助パターンが円形である場合はその直径を意味し、また、上記主パターン及び補助パターンが四角形の場合は、その対角線長さを意味する。 The term “longest distance at both ends” used throughout the specification of the present invention is the longest of the linear distances connecting any two points on a frame that forms the shape of a figure including sides, corners, and surroundings. A long distance. Specifically, when the main pattern and the auxiliary pattern are circular, it means the diameter, and when the main pattern and the auxiliary pattern are square, it means the diagonal length.
添付の図面を参考にして具体的に説明すれば、次の通りである。 The following is a detailed description with reference to the accompanying drawings.
本発明の好ましい一実施形態を表した次の図１は、主パターン及び補助パターンが全て円形のフォトマスクであって、直径がＣである主パターンの円形に光が透過する部分に直径がａである円形の補助パターンを挿入するようになれば、Ｃ及びａのサイズを変化させることによって光の干渉を調節して光の強さ分布を変更することができる。また、上記主パターンの両端最長距離（Ｃ）に対する上記補助パターンの両端最長距離（ａ）の割合（ａ／ｃ）は０．３５〜０．９０の条件を満たすことは勿論である。また、ｂは上記主パターンの両端最長距離（ｃ）から補助パターンの両端最長距離（ａ）を引いた値である。 FIG. 1 showing a preferred embodiment of the present invention is a photomask in which the main pattern and the auxiliary pattern are all circular, and the diameter is a in the portion of the main pattern having a diameter of C where light is transmitted. If a circular auxiliary pattern is inserted, the light intensity distribution can be changed by adjusting the interference of light by changing the sizes of C and a. Of course, the ratio (a / c) of the longest distance (a) at both ends of the auxiliary pattern to the longest distance (C) at both ends of the main pattern satisfies the condition of 0.35 to 0.90. Further, b is a value obtained by subtracting the longest distance (a) at both ends of the auxiliary pattern from the longest distance (c) at both ends of the main pattern.
本発明の他の好ましい実施形態によれば、次の図２〜図４のように多様に応用できる。 According to another preferred embodiment of the present invention, various applications can be applied as shown in FIGS.
次の図２〜図４でも、Ｃは主パターンの両端最長距離である直径または対角線長さを表し、ａは補助パターンの両端最長距離である直径または対角線長さを意味し、ｂは上記主パターンの両端最長距離（ｃ）から補助パターンの両端最長距離（ａ）を引いた値である。 2 to 4, C represents the diameter or diagonal length that is the longest distance between both ends of the main pattern, a represents the diameter or diagonal length that is the longest distance between both ends of the auxiliary pattern, and b represents the main pattern. This is a value obtained by subtracting the longest distance (a) at both ends of the auxiliary pattern from the longest distance (c) at both ends of the pattern.
次の図２〜図４のどの場合でも、主パターンの両端最長距離である直径または対角線長さに対する補助パターンの両端最長距離である直径または対角線長さの割合（即ち、ａ／ｃ）は０．３５〜０．９０であることが好ましい。ａ／ｃの値が０．３５未満の場合に形成されるパターンのサイズがＣと類似するか、より大きいことがあるので、本発明を通じて具現しようとする微細パターン製作の効果が不充分であることがあり、ａ／ｃの値が０．９０を超過する場合、パターン自体が形成できないことがある。 2 to 4, the ratio of the diameter or diagonal length that is the longest distance between both ends of the auxiliary pattern to the diameter or diagonal length that is the longest distance between both ends of the main pattern (that is, a / c) is 0. .35 to 0.90 is preferable. When the value of a / c is less than 0.35, the size of the pattern formed may be similar to or larger than C, so that the effect of manufacturing a fine pattern through the present invention is insufficient. In some cases, when the value of a / c exceeds 0.90, the pattern itself may not be formed.
一方、本発明は上記フォトマスクを用いた液晶表示素子用カラーフィルタの微細パターンの製造方法を提供することにも特徴がある。 On the other hand, the present invention is also characterized by providing a method for producing a fine pattern of a color filter for a liquid crystal display element using the photomask.
微細パターン製造は、本発明に従う特殊な形態のフォトマスクを用いて当該技術分野で通常的に経る工程を経てパターンを製造すればよい。具体的に、ネガティブ型感光性溶液をガラスの上にスピンコーティング及び伝熱処理して厚さが均等なフィルムを形成し、上記フィルムを本発明に従うフォトマスクを用いて露光させた後、アルカリ水溶液で現像し、脱イオン水で洗浄する段階を経る。 The fine pattern may be manufactured by using a special form of a photomask according to the present invention and a process usually performed in the technical field. Specifically, a negative-type photosensitive solution is spin-coated and heat-treated on glass to form a film having a uniform thickness, and the film is exposed using a photomask according to the present invention, followed by an alkaline aqueous solution. Development and washing with deionized water.
上記フォトマスク製造工程に使われるネガティブ型感光性溶液は、通常のフォトマスク製造時に使われるネガティブ型感光性溶液組成を使用することができ、その組成が特別に限定されるのではない。 As the negative photosensitive solution used in the photomask manufacturing process, a negative photosensitive solution composition used in normal photomask manufacturing can be used, and the composition is not particularly limited.
また、コーティング、伝熱処理、露光条件、アルカリ現像液なども通常のフォトマスク製造時に使われる基準に準じて処理できる程度であり、特別に限定されるのではない。 Further, coating, heat transfer, exposure conditions, alkaline developer, and the like can be processed according to the standard used in normal photomask manufacturing, and are not particularly limited.
以上、説明した本発明に従うフォトマスクを以下の実施形態により一層詳細に説明すれば、次の通りである。本発明の実施形態は、当該技術分野で通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものであり、下記の実施形態は種々の他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が下記の実施形態に限定されるのではない。むしろ、これら実施形態は本開示をより充実で、かつ完全にし、当業者に本発明の思想を完全に伝達するために提供されるものである。 The photomask according to the present invention described above will be described in more detail with reference to the following embodiments. The embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those having ordinary skill in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms. The scope of the present invention is not limited to the following embodiments. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art.
［実施形態１−１］
Ｃ＝１８micron、ａ＝３micronである図１に図示されるフォトマスクを使用して、次のようなプロセスを経てパターンを製作した。
[Embodiment 1-1]
Using the photomask shown in FIG. 1 where C = 18 micron and a = 3 micron, a pattern was manufactured through the following process.
まず、ネガティブ型感光性溶液（ＬＧ化学感光材製品、ＬＧＳＰ Ａ ｓｅｒｉｅｓ）をガラス基板の上にスピンコーティングした後、１００℃で２分間伝熱処理して、厚さが４ミクロンである均等なフィルムを形成した。次に、上記フォトマスクを用いて上記フィルムを高圧水銀ランプの下で３秒間露光させた後、パターンをｐＨが約１１．５であるＫＯＨアルカリ水溶液で現像し、脱イオン水で洗浄した後、基板の上に形成されたパターンを観察した。パターンのサイズは光学顕微鏡を用いて測定した後、フォトマスクパターンの外径Ｃと比較した。 First, a negative-type photosensitive solution (LG chemical photosensitive material product, LGSP A series) is spin-coated on a glass substrate, and then heat-treated at 100 ° C. for 2 minutes to form a uniform film having a thickness of 4 microns. Formed. Next, after exposing the film for 3 seconds under a high pressure mercury lamp using the photomask, the pattern was developed with an aqueous KOH alkali solution having a pH of about 11.5, washed with deionized water, The pattern formed on the substrate was observed. The pattern size was measured using an optical microscope and then compared with the outer diameter C of the photomask pattern.
［実施形態１−２］
Ｃ＝１８micron、ａ＝６micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 1-2]
Except that the photomask illustrated in FIG. 1 with C = 18 micron and a = 6 micron is used, it is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態１−３］
Ｃ＝１８micron、ａ＝９micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 1-3]
Except that the photomask illustrated in FIG. 1 with C = 18 micron and a = 9 micron is used, it is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態１−４］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１２micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 1-4]
Except that the photomask illustrated in FIG. 1 with C = 18 micron and a = 12 micron is used, it is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態１−５］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１５micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Embodiment 1-5
Except that the photomask illustrated in FIG. 1 with C = 18 micron and a = 15 micron is used, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態１−６］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１６micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
Embodiment 1-6
Except that the photomask illustrated in FIG. 1 with C = 18 micron and a = 16 micron is used, it is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態１−７］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１７micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 1-7]
Except that the photomask illustrated in FIG. 1 with C = 18 micron and a = 17 micron is used, it is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態２−１］
Ｃ＝１８micron、ａ＝３micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 2-1]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 2 where C = 18 micron and a = 3 micron, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態２−２］
Ｃ＝１８micron、ａ＝６micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 2-2]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 2 where C = 18 micron and a = 6 micron, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態２−３］
Ｃ＝１８micron、ａ＝９micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 2-3]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 2 in which C = 18 micron and a = 9 micron, it is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態２−４］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１２micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 2-4]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 2 where C = 18 micron and a = 12 micron, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態２−５］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１５micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 2-5]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 2 where C = 18 micron and a = 15 micron, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態２−６］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１６micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 2-6]
Except that the photomask illustrated in FIG. 2 with C = 18 micron and a = 16 micron is used, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態２−７］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１７micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 2-7]
Except that the photomask illustrated in FIG. 2 with C = 18 micron and a = 17 micron is used, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態３−１］
Ｃ＝１８micron、ａ＝３micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 3-1]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 3 where C = 18 micron and a = 3 micron, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態３−２］
Ｃ＝１８micron、ａ＝６micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 3-2]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 3 where C = 18 micron and a = 6 micron, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態３−３］
Ｃ＝１８micron、ａ＝９micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 3-3]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 3 where C = 18 micron and a = 9 micron, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態３−４］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１２micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 3-4]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 3 where C = 18 micron and a = 12 micron, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態３−５］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１５micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 3-5]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 3 in which C = 18 micron and a = 15 micron, it is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態３−６］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１６micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 3-6]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 3 where C = 18 micron and a = 16 micron, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態３−７］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１７micronである図３に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 3-7]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 3 where C = 18 micron and a = 17 micron, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態４−１］
Ｃ＝１８micron、ａ＝３micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 4-1]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 4 where C = 18 micron and a = 3 micron, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態４−２］
Ｃ＝１８micron、ａ＝６micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 4-2]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 4 where C = 18 micron and a = 6 micron, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態４−３］
Ｃ＝１８micron、ａ＝９micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 4-3]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 4 where C = 18 micron and a = 9 micron, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態４−４］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１２micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 4-4]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 4 where C = 18 micron and a = 12 micron, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態４−５］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１５micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 4-5]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 4 where C = 18 micron and a = 15 micron, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態４−６］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１６micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 4-6]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 4 where C = 18 micron and a = 16 micron, this is the same as [Embodiment 1-1].
［実施形態４−７］
Ｃ＝１８micron、ａ＝１７micronである図４に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Embodiment 4-7]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 4 where C = 18 micron and a = 17 micron, this is the same as [Embodiment 1-1].
［比較例１］
Ｃ＝１８micron、ａ＝０micronである図１に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Comparative Example 1]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 1 in which C = 18 micron and a = 0 micron, it is the same as [Embodiment 1-1].
［比較例２］
Ｃ＝１８micron、ａ＝０micronである図２に図示されるフォトマスクを使用したことを除いては、［実施形態１−１］と同一である。
[Comparative Example 2]
Except for using the photomask illustrated in FIG. 2 in which C = 18 micron and a = 0 micron, it is the same as [Embodiment 1-1].
［実験例］
上記実施形態と比較例に従うフォトマスクを用いて微細パターンを形成したし、各パターンサイズを測定して次の＜表１＞に整理した。各パターンのサイズは少数点以下第３位で四捨五入した値である。
[Experimental example]
Fine patterns were formed using the photomasks according to the above-described embodiment and comparative examples, and each pattern size was measured and organized in the following <Table 1>. The size of each pattern is the value rounded to the third decimal place.
上記＜表１＞に表れた結果のように、比較例のフォトマスクを使用して製造された微細パターンを含む場合、製作されたスペーサのサイズはフォトマスクサイズより大きいか、類似の値を表すことが分かる。 As shown in <Table 1> above, when a fine pattern manufactured using a photomask of a comparative example is included, the size of the manufactured spacer is larger than the photomask size or represents a similar value. I understand that.
しかしながら、本発明の実施形態のように主パターンの内部に追加に補助パターンを含むフォトマスクを使用して製造された微細パターンを含む場合、製作されたスペーサのサイズは全て比較例より小さなサイズを有し、殆ど５micronまでパターンサイズを減少させることができた。 However, when a fine pattern manufactured using a photomask including an auxiliary pattern is additionally included in the main pattern as in the embodiment of the present invention, the size of the manufactured spacer is all smaller than that of the comparative example. It was possible to reduce the pattern size to almost 5 micron.
実施形態のように、本発明で提示した技術を用いる場合には、比較的大きいサイズのフォトマスクパターンを利用しながらも微細パターンを製造できるようになる。即ち、フォトマスクの内に非常に小さなパターンを製造する難しい工程の難しさを克服しながらも、より従来の発明に比べて同一な効果以上の結果を得ることができる。 When the technique presented in the present invention is used as in the embodiment, a fine pattern can be manufactured while using a relatively large size photomask pattern. That is, while overcoming the difficulty of a difficult process for manufacturing a very small pattern in a photomask, a result more than the same effect can be obtained as compared with the conventional invention.
以上の説明は、本発明の技術思想を例示的に説明したものに過ぎないものであって、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲で多様な修正及び変形が可能である。したがって、本発明に開示された実施形態は本発明の技術思想を限定するためのものでなく、説明するためのものであって、本発明の保護範囲は特許請求範囲により解釈されなければならず、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。 The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and any person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs will depart from the essential characteristics of the present invention. Various modifications and variations are possible without departing from the scope. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to illustrate, and the protection scope of the present invention should be construed by the claims. All technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the right of the present invention.
Claims (12)
主パターンの内部に補助パターンを含むことを特徴とする、フォトマスク。 A photomask for forming a fine pattern,
A photomask comprising an auxiliary pattern inside a main pattern.
主パターンの内部に補助パターンを含むフォトマスクを用いて露光させる段階を含むことを特徴とする、微細パターン製造方法。 A fine pattern manufacturing method,
A fine pattern manufacturing method comprising a step of exposing using a photomask including an auxiliary pattern inside a main pattern.
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002357892A (en) * | 2001-03-14 | 2002-12-13 | Asml Masktools Bv | Optical proximity correction method utilizing ruled ladder bars as sub-resolution assist features |
| WO2007017947A1 (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Fujitsu Limited | Exposure mask, method for producing same, and method for transferring pattern |
| JP2008046623A (en) * | 2006-07-21 | 2008-02-28 | Dainippon Printing Co Ltd | Gradation mask |
| JP2008256781A (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Elpida Memory Inc | Reticle for projection exposure, method for manufacturing reticle for projection exposure, and semiconductor device using reticle |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002088843A2 (en) * | 2001-04-24 | 2002-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
| JP3746497B2 (en) * | 2003-06-24 | 2006-02-15 | 松下電器産業株式会社 | Photo mask |
| KR100586549B1 (en) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | Photo mask and method for manufacturing pattern by using it |
-
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002357892A (en) * | 2001-03-14 | 2002-12-13 | Asml Masktools Bv | Optical proximity correction method utilizing ruled ladder bars as sub-resolution assist features |
| WO2007017947A1 (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Fujitsu Limited | Exposure mask, method for producing same, and method for transferring pattern |
| JP2008046623A (en) * | 2006-07-21 | 2008-02-28 | Dainippon Printing Co Ltd | Gradation mask |
| JP2008256781A (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Elpida Memory Inc | Reticle for projection exposure, method for manufacturing reticle for projection exposure, and semiconductor device using reticle |
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