JP2011124356A - レチクルを用いた複数パターンの形成方法及びパターン形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明によると、ウェハ上のレジストに複数の異なるパターンを有するチップパターンを形成する方法において、複数の領域に前記複数の異なるパターンを形成したレチクルを用い、前記複数の領域から第1の領域を選択し、前記第1の領域の一部以外の前記複数の領域をブラインドにより遮光し、前記第1の領域の一部に光を照射して、前記レジストに第1のパターンを形成し、前記複数の領域から前記第1の領域と異なる第2の領域を選択し、前記第2の領域の一部以外の前記複数の領域をブラインドにより遮光し、前記第2の領域の一部に光を照射して、前記レジストにパターンを形成することを特徴とする第2のパターン形成方法が提供される。
【選択図】図1
Description
図12は、ステッパを用いてウェハにパターン形成するための従来のレチクルを用いた投影露光方法を示す模式図である。1種類のパターンが形成された1枚のレチクル901に照射光951を照射して、上部表面にレジスト層を形成したシリコンウェハ921にパターン911を投影露光する。この従来の方法では、上述の通りパターンの種類に呼応してレチクル数やステッパ処理回数が増加する。
実施形態2においては、実施形態1で説明した複数パターンの形成方法の精度を向上するための手段について説明する。図4は、本実施形態に係る本発明のパターン形成時の位置あわせ方法を示す模式図である。レジストを塗布したシリコンウェハ1には、アライメントマーク31が付されており、レチクル300にもアライメントマーク331が付されている。
実施形態1及び2においては、複数パターンの形成方法について詳細に述べたが、実施形態3においては、上述のパターン形成を製品へ応用する例について説明する。図7(a)は、従来のチップパターン配置を示し、図7(b)は実施形態3に係る本発明のパターン形成方法によるチップパターン配置を示す模式図である。
実施形態3においては、連続するパターンのへき開面との一致によるシリコンウェハの破断を防ぐため市松模様のようなパターン形成をする方法について説明したが、本実施形態のおいては、別のパターン形成方法について説明する。
3 レジスト
31 アライメントマーク
100 レチクル
101 第1単位領域
103 第2単位領域
105 第3単位領域
107 第4単位領域
111 パターン
113 パターン
113a 第1の方向
113b 第2の方向
121 遮光体
133 仮想的な線
135 仮想的な線
137 仮想的な線
200 チップパターン
201 パターン
203 パターン
221 遮光領域
223 遮光領域
300 レチクル
301 パターン領域
303 パターン領域
331 アライメントマーク
351 ずれの範囲
400 チップパターン配置
403 パターン
405 パターン
410 一部のチップパターン
411 パターン
411a 第1の方向
411b 第2の方向
421 遮光領域
423 遮光領域
433 仮想的な線
435 仮想的な線
500 チップパターン配置
503 パターン
507 パターン
511 パターン
511a 第1の方向
511b 第2の方向
521 遮光領域
523 遮光領域
533 仮想的な線
537 仮想的な線
700 ステッパ
701 光源
703 楕円鏡
705 反射鏡
707 波長選択フィルタ
709 フライアイインテグレータ
711 ブラインド
713 反射鏡
715 レンズ系
717 投影光学系
719 ステージ
751 駆動制御系
791 照射光
800 チップパターン群
801 チップパターン
811 パターン
830 仮想的な線
850 へき開面
901 レチクル
911 チップパターン
921 シリコンウェハ
951 照射光
Claims (9)
- ウェハ上のレジストに複数の異なるパターンを有するチップパターンを形成する方法において、
複数の領域に前記複数の異なるパターンを配置したレチクルを用い、
前記複数の領域から第1の領域を選択し、前記第1の領域の一部以外の前記複数の領域をブラインドにより遮光し、前記第1の領域の一部に光を照射して、前記レジストに第1のパターンを形成し、
前記複数の領域から前記第1の領域と異なる第2の領域を選択し、前記第2の領域の一部以外の前記複数の領域をブラインドにより遮光し、前記第2の領域の一部に光を照射して、前記レジストに第2のパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 - 前記複数の領域から第1の領域を選択し、前記レチクルのアライメントマークと前記ウェハのアライメントマークとが一致するように前記レチクルを配置し、前記第1の領域以外の前記複数の領域をブラインドにより遮光し、前記第1の領域に光を照射して、前記レジストにパターンを形成し、
前記複数の領域から前記第1の領域と異なる第2の領域を選択し、前記レチクルのアライメントマークと前記ウェハのアライメントマークとが一致するように前記レチクルを配置し、前記第2の領域以外の前記複数の領域をブラインドにより遮光し、前記第2の領域に光を照射して、前記レジストにパターンを形成することを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。 - 前記レチクルは、複数の前記アライメントマークを有することを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。
- 前記第1の領域と前記第2の領域との間に遮光領域を形成し、前記第1の領域と前記第2の領域とは所定の間隔で前記レチクルに配置されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一に記載のパターンの形成方法。
- ウェハ上のレジストに複数のパターンを有するチップパターンを形成する方法において、
複数の領域に複数の異なるパターンを配置したレチクルを用い、
前記複数の領域から第1の領域を選択し、前記第1の領域以外の前記複数の領域をブラインドにより遮光し、前記第1の領域に光を照射して、前記レジストに第1のチップパターンパターンを形成し、
前記複数の領域から前記第1の領域と異なる第2の領域を選択し、前記第2の領域以外の前記複数の領域をブラインドにより遮光し、前記第2の領域に光を照射して、前記レジストに第2のチップパターンパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 - 前記複数の領域には、第1の方向及び前記第1の方向に直交する第2の方向にそれぞれ所定の幅を有し、直線状に断続的に形成された複数の前記パターンを含み、前記第1の方向及び前記第2の方向に平行に形成した複数のチップパターンを有し、
前記第1の領域と前記第2の領域とは互いに隣り合っており、
前記ウェハのへき開面と前記ウェハの前記パターンを形成する面とが直交する軸と、前記第1の領域における前記第1の方向又は前記第2の領域における前記第1の方向とが、異なるように前記複数のチップパターンを形成することを特徴とする請求項5に記載のパターン形成方法。 - 前記第1の領域の前記チップパターンは、前記第2の領域の前記チップパターンを90°回転させたパターンと一致する請求項6に記載のパターン形成方法。
- 光源と、調光部と、前記調光部からの光の一部を遮光する開閉部と、前記開閉部からの光をレチクルに導く導光部と、を備えたパターン形成装置であって、
前記レチクルは、複数の領域に複数の異なるパターンを有しており、
前記開閉部は、前記複数の領域から選択された前記領域に応じて前記調光部からの光の一部を遮光することを特徴とするパターン形成装置。 - 前記複数の領域から選択された前記領域の一部に応じて前記調光部からの光の一部を遮光することを特徴とする請求項8に記載のパターン形成装置。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
JP2016085325A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 大日本印刷株式会社 | パターンデータの作製方法およびフォトマスク |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0418721A (ja) * | 1990-05-11 | 1992-01-22 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH0855795A (ja) * | 1995-08-29 | 1996-02-27 | Nikon Corp | 走査露光装置及び露光方法 |
JPH09223653A (ja) * | 1996-02-15 | 1997-08-26 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH09230610A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-09-05 | Ushio Inc | 投影露光方法および装置 |
JP2000171965A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法、フォトマスクの製造方法および原板 |
JP2003022987A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
JP2003215807A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-30 | Sanee Giken Kk | 分割露光方法 |
JP2004317975A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Toshiba Corp | フォトマスク及びこのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2006072100A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Adtec Engineeng Co Ltd | 投影露光装置 |
JP2007072423A (ja) * | 2005-09-03 | 2007-03-22 | Hynix Semiconductor Inc | 二重露光用フォトマスク及びこれを用いた二重露光方法 |
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0418721A (ja) * | 1990-05-11 | 1992-01-22 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH0855795A (ja) * | 1995-08-29 | 1996-02-27 | Nikon Corp | 走査露光装置及び露光方法 |
JPH09223653A (ja) * | 1996-02-15 | 1997-08-26 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH09230610A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-09-05 | Ushio Inc | 投影露光方法および装置 |
JP2000171965A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法、フォトマスクの製造方法および原板 |
JP2003022987A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
JP2003215807A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-30 | Sanee Giken Kk | 分割露光方法 |
JP2004317975A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Toshiba Corp | フォトマスク及びこのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2006072100A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Adtec Engineeng Co Ltd | 投影露光装置 |
JP2007072423A (ja) * | 2005-09-03 | 2007-03-22 | Hynix Semiconductor Inc | 二重露光用フォトマスク及びこれを用いた二重露光方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016085325A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 大日本印刷株式会社 | パターンデータの作製方法およびフォトマスク |
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