JP2011117731A - 磁気検出装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁界強度を検出する磁電変換素子の出力信号a、bと閾値c、dとの比較により矩形波の信号e、fを出力する比較回路21、22と、この比較回路の出力を用いて
、磁性移動体の移動位置と移動方向を検出する信号処理部とを有する信号処理回路を備えた磁気検出装置において、信号処理回路の出力iは、磁性移動体の移動方向によりハイレベルもしくはローレベルである時間幅が期間t1もしくは期間t2に固定され、期間t1もしくは期間t2の時間内に磁性移動体の移動方向が切り替わった場合に、信号処理回路は、比較回路の閾値がヒステリシスを有することにより、磁性移動体の移動方向が切り替わる直前の磁性移動体の位置を示す位置信号と同一の位置信号を出力するようにした。
【選択図】図3
Description
センサ出力信号を電位変調する方式の従来技術の一つは、特許第3588044号に開示されている。この方式は、バイアス磁界を発生する磁石と、磁性移動体に対向しその移動方向に並べて配置された第1、第2磁気抵抗効果素子体とそれぞれの出力回路を内蔵した磁気検出センサが、磁性移動体の移動に応じる磁界変化を検出して、その移動方向により出力信号のハイレベルとローレベルの少なくとも何れかを異なる電位とし、コンピュータユニットはセンサ出力信号の電位を計測することによって移動方向を検出する。
この発明は、このセンサ出力信号を時間変調する方式に関するもので、この方式での従来技術は、例えば、実開昭57−14858号公報や特開2001−88632号公報に開示されている。
図18は従来の磁気検出装置の磁気回路構成図であり、図18(a)は斜面図、図18(b)は正面図である。図18において、磁電変換素子1a、1bとモノリシックに構成した信号処理回路チップ2の下面にバイアス磁界を発生する磁石3を配置する。これを磁性移動体4に対向し近接させ、磁電変換素子1a、1bは、磁石3が発生する磁界が磁性移動体4の近接及びその移動によって形成する磁界分布を検出し、電気抵抗及びその変化として出力する。磁電変換素子1a、1bは磁性移動体4の移動方向の検出のために、移動に伴って時間ずれのある、即ち位相差のある電気抵抗変化を生じる必要があり、例えば磁性移動体4の移動方向に並べて配置する。
磁性移動体が移動すると磁性移動体の突起(1)、(2)に応じてブリッジ信号bが変化し、時刻Aでブリッジ信号bと閾値dが交差し、矩形波信号fはローレベルからハイレベルに切り変わり、センサ出力信号iはハイレベルからローレベルへ切り替わる。
その後センサ出力信号iは期間t2経過後、時刻Cでハイレベルへ戻る。
コンピュータユニットはセンサ出力信号iのローレベルの時間幅を測定し移動方向を判別する。時刻Aでセンサ出力信号iがハイレベルからローレベルへ切り替わったことにより磁性移動体の位置を検出し、時刻Cでセンサ出力信号iのローレベルである時間幅が期間t2であることから磁性移動体の移動方向が逆方向で、位置が突起(1)であると判断する
。その後、時刻Dでセンサ出力信号iが再びハイレベルからローレベルへ切り替わったことを検出し、時刻Eでセンサ出力信号iがローレベルである時間幅が期間t1であることから、時刻Dのセンサ出力信号iを磁性移動体の移動方向が正方向で位置が突起(1)と判
断する。よって磁性移動体の移動方向が切り替わった後の突起(1)の検出が遅れる。
図1に示すように、実施の形態1の磁気検出装置は、磁電変換素子1a、1bとモノリシックに構成した信号処理回路チップ2の下面に、バイアス磁界を発生する磁石3を配置する。これを磁性移動体4に対向して近接させ、磁電変換素子1a、1bは、磁石3が発生する磁界が磁性移動体4の近接及びその移動によって形成する磁界分布を検出し、電気抵抗及びその変化として出力する。磁電変換素子1a、1bは磁性移動体4の移動方向の検出のために、移動に伴って時間ずれのある、即ち位相差のある電気抵抗変化を生じる必要があり、例えば磁性移動体4の移動方向に並べて配置する。
なお、この発明の磁気検出装置における磁気回路は、磁電変換素子1a、1bが磁性移動体4の近接及びその移動によって形成する磁界分布を検出できる構成であればよく、例えば、図2に示すように、磁性移動体4があるピッチで配置された磁石の集合体でもよい。この場合は磁石3は必ずしも必要ではない。
図3に示すように、磁電変換素子1a、1bはそれぞれにブリッジ回路10a、10bを構成し、磁性移動体4の移動によって磁電変換素子1a、1bの電気抵抗が変化すると、電圧変化としてブリッジ信号a、bが得られる。ブリッジ信号a、bは、比較回路21、22で閾値c、dと比較され、矩形波信号e、fに変換される。矩形波信号e、fは信号処理部である移動方向判定回路23に入力され、移動方向信号gが得られる。移動方向信号gは矩形波信号fと伴に同じく信号処理部である出力信号生成回路24に入力、処理され、その出力としてセンサ出力信号iが出力される。
ここで、閾値dは後述のようにヒステリシスhを備えている。また、ブリッジ信号a、bを変換した矩形波信号e、fには位相差があり、その組合せは磁性移動体4の移動方向によって異なるため、磁性移動体4の移動方向の判別ができ、移動方向信号gは移動方向が正方向時はローレベル、逆方向時はハイレベルとなる。
センサ出力信号iは矩形波信号fと同期して、移動方向に応じローレベルの時間が正方向の場合は期間t1=45μsec、逆方向の場合は期間t2=90μsecと時間変調がかけられる。
ブリッジ信号bと閾値dが交差する(時刻F)と、矩形波信号fがローレベルからハイレベルへ変化し、同時に閾値dはヒステリシスhだけ変化する。閾値dがヒステリシスhだけ変化すると、ブリッジ信号bと閾値dが交差した時刻Fから次にブリッジ信号bと閾値dが交差する(時刻H)までに、時間tだけ遅れが生じる。
h2>t22/(a2-1)
を満足するように設定する。
磁性移動体の移動方向が切り替わった後のブリッジ信号bの変化をa=2.8×103としS(t)を(2.8×103)×tと近似し、ヒステリシスhの値を30mVと設定する。図4においては、これにより
h2>t22/(a2-1)
を満足し、矩形波信号fはセンサ出力信号iがローレベルである期間t2=90μsecよりも遅れて95μsec後にハイレベルからローレベルへ切り替わり、磁性移動体の位置を示すセンサ出力信号iのハイレベルからローレベルへ切り替わるタイミング(位置信号)が矩形波信号fと同期して出力できるため、磁性移動体の移動方向の検出において検出遅れを生じることがない。
ベルからローレベルへ切り替わったことを検出し、時刻Iでセンサ出力信号iがローレベルである時間幅が期間t1であることから、時刻Hのセンサ出力信号iを磁性移動体の移動方向が正方向で位置が突起(1)であると判断することができ、磁性移動体4の移動方向
がセンサ出力信号iがローレベルである期間t1もしくは期間t2の期間内に磁性移動体の移動方向が切り替わった場合にも、磁性移動体4の位置の正確な検出を可能とするものである。
図中の各波形は、ブリッジ信号bと閾値d、信号処理回路各部の信号e、f、gおよびセンサ出力信号iを示しており(ブリッジ信号a及び閾値cは省略)、波形は磁性移動体の移動方向が正方向から逆方向へ切り替わった一例を示している。この場合において、磁性移動体の移動方向が切り替わった後のブリッジ信号bの変化S(t)がある定数aを用いてa×tと近似できる場合、ヒステリシスによる時間遅れtが
h2>t12/(a2-1)
を満たすように設定され、センサ出力信号iが矩形波信号fと同期して出力できるため、磁性移動体の移動方向の検出において検出遅れを生じることがない。
図7はこの発明の実施の形態2の磁気検出装置の動作波形の拡大図である。
なお、この実施の形態2の磁気検出装置における信号処理回路の構成、および動作波形図は、実施の形態1で説明した図3、図4と同様であるので、説明は省略する。
ブリッジ信号bと閾値dが交差する(時刻F)と、矩形波信号fがローレベルからハイレベルへ変化し、同時に閾値dはヒステリシスhだけ変化する。閾値dがヒステリシスhだけ変化すると、ブリッジ信号bと閾値dが交差した時刻Fから次にブリッジ信号bと閾値dが交差する(時刻H)までに時間tだけ遅れが生じる。
t>t2
を満足するように設定する。
これにより矩形波信号fはセンサ出力信号iがローレベルである期間t2よりも遅れてハイレベルからローレベルへ切り替わり、実施の形態1と同様に、図4におけるセンサ出力信号iが矩形波信号fと同期して出力できるため、磁性移動体の移動方向の検出において検出遅れを生じることがなく、コンピュータユニットは磁性移動体の移動方向が切り替わった場合にも、磁性移動体の位置の正確な検出が可能となるものである。
t>t1(但し、t1>t2)
もしくは
t>t2(但し、t1<t2)
を満足するように設定すればよく、これによって、矩形波信号fはセンサ出力信号iがローレベルである期間t1もしくは期間t2よりも遅れてハイレベルからローレベルへ切り替わり、磁性移動体の位置を示すセンサ出力信号iのハイレベルからローレベルへ切り替わるタイミング(位置信号)が矩形波信号fと同期して出力できるため、磁性移動体の移動方向の検出において検出遅れを生じることがない。
図8は、この発明の実施の形態3の磁気検出装置における信号処理回路を示すものである。図8において、磁電変換素子1a、1bはそれぞれにブリッジ回路10a、10bを構成し、磁性移動体4の移動によって磁電変換素子1a、1bの電気抵抗が変化すると、電圧変化としてブリッジ信号a、bが得られる。ブリッジ信号aは比較回路31で閾値cと比較され矩形波信号eに変換される。ブリッジ信号bは比較回路32でそれぞれ異なるヒステリシスh30、h31(h30<h31)を有する閾値d30、d31と比較され、矩形波信号f30、f31に変換される。
ブリッジ信号bを変換した矩形波信号f30、f31は、ハイレベルからローレベルへ変化するまでのヒステリシスによる遅れ時間t30、t31が異なる。矩形波信号f30、f31は矩形波選択回路33に入力され、矩形波信号f30、f31のいずれかを矩形波信号g30として出力する。矩形波信号e、g30は信号処理部である移動方向判定回路34に入力され、移動方向信号i30が得られる。移動方向信号i30は矩形波信号g30と伴に出力信号生成回路35に入力、処理され、その出力としてセンサ出力信号j30を出力する。
t30>t2(但し、t2>t1)
もしくは
t30>t1(但し、t2<t1)
を満足すれば、矩形波選択回路33は出力信号g30として矩形波信号f30を出力し、
t31>t2>t30(但し、t2>t1)
もしくは
t31>t1>t30(但し、t2<t1)
である場合には、矩形波選択回路33は出力信号g30として矩形波信号f31を出力する。
図10はこの発明の実施の形態4における磁気検出装置の信号処理回路を示すものである。図10において、磁電変換素子1a、1bはそれぞれにブリッジ回路10a、10bを構成し、磁性移動体4の移動によって磁電変換素子1a、1bの電気抵抗が変化すると、電圧変化としてブリッジ信号a、bが得られる。ブリッジ信号a、bは比較回路41、42で閾値c、dと比較され矩形波信号e、fに変換される。ブリッジ信号b、矩形波信号fはヒステリシス調整回路43に入力され、閾値dのヒステリシスhを調整する。
矩形波信号e、fは信号処理部である移動方向判定回路44に入力され、移動方向信号gが得られる。移動方向信号gは矩形波信号fと伴に出力信号生成回路45に入力、処理され、その出力としてセンサ出力信号iを出力する。
移動方向判定回路44に入力されたブリッジ信号aを変換した矩形波信号eと比較回路42の出力である矩形波信号fには位相差があり、その組合せは磁性移動体の移動方向によって異なるため、磁性移動体の移動方向の判別ができ、移動方向信号gは磁性移動体の移動方向が正方向時はローレベル、逆方向時はハイレベルとなる。センサ出力信号iは矩形波信号fと同期して移動方向に応じローレベルの時間が正方向の場合は期間t1、逆方向の場合は期間t2と時間変調がかけられる。
b(t4)<d
を満たす場合には、閾値dのヒステリシスhをh(min)に固定する。一方、
b(t4)≧d
である場合、ヒステリシス調整回路43は矩形波信号fがローレベルからハイレベルへ切り替わったタイミングから、センサ出力信号iがローレベルである期間t2経過後のブリッジ信号bの電位b(t2)を測定し、閾値dのヒステリシスhが、
h>b(t2)−d
を満たすようにヒステリシスを変化させる。これによって、磁性移動体の移動方向の検出において検出遅れを生じることがなく、センサ出力信号iが矩形波信号fと同期した位置信号を出力でき、コンピュータユニットは磁性移動体の移動方向が切り替わった場合にも、磁性移動体の位置の正確な検出が可能となるものである。
b(t4)の値が、b(t4)≧dである場合に、
閾値dのヒステリシスhが、
h>b(t1)−d
を満たすようにヒステリシスを変化させることで、磁性移動体の移動方向の検出において検出遅れを生じることがなく、センサ出力信号iが矩形波信号fと同期した位置信号を出力することができる。
b(t4)>d
を満たす場合には閾値dのヒステリシスhをh(min)に固定する。また、
b(t4)≦d
である場合、ヒステリシス調整回路43は矩形波信号fがハイレベルからローレベルへ切り替わったタイミングから、センサ出力信号iがローレベルである期間t2経過後のブリッジ信号bの電位b(t2)を測定し、閾値dのヒステリシスhが、
h>d−b(t2)
を満たすようにヒステリシスを変化させる。
上述した磁気検出装置を、例えば自動車のエンジンのピストン位置を検出するために使用する場合、磁性移動体と磁電変換素子のレイアウトや使用環境(特に高温下での使用)などにより磁電変換素子の信号が変動する場合がある。
実施の形態5の磁気検出装置は、このような使用環境によって磁電変換素子の出力信号が変動する場合に対応するものである。
図12において、磁電変換素子1a、1bはそれぞれにブリッジ回路10a、10bを構成し、磁性移動体4の移動によって磁電変換素子1a、1bの電気抵抗が変化すると、電圧変化としてブリッジ信号a、bが得られる。ブリッジ信号a、bは比較回路51、52で閾値c、d5と比較され、矩形波信号e、f5に変換される。
ブリッジ信号bは閾値調整回路53に入力され比較回路52の閾値d5を調整する。矩形波信号e、f5は信号処理部である移動方向判定回路54に入力され、移動方向信号g5が得られる。移動方向信号g5は矩形波信号f5と共に出力回路55に入力、処理され、その出力としてセンサ出力信号i5を出力する。
閾値d5は固定のヒステリシスhを有し、ブリッジ信号bの振幅Vに対して1/2Vの電圧に設定する。移動方向判定回路54に入力されたブリッジ信号aを変換した矩形波信号eと、比較回路52の矩形波信号f5には位相差があり、その組合せは磁性移動体の移動方向によって異なるため、磁性移動体の移動方向の判別ができ、移動方向信号g5は磁性移動体の移動方向が正方向時はローレベル、逆方向時はハイレベルとなる。センサ出力信号i5は矩形波信号f5と同期して移動方向に応じローレベルの時間が正方向の場合は期間t1=45μsec、逆方向の場合は期間t2=90μsecと時間変調がかけられる。
この場合において、センサ出力信号i5のローレベルである期間t2に対して、ヒステリシスhによる遅れ時間tがt>t2を満たすようにヒステリシスを設定する。これによりセンサ出力信号i5は矩形波信号f5と同期した位置信号を出力できるため、磁性移動体の移動方向の検出において検出遅れは発生しない。
閾値d5のヒステリシスhは環境温度25℃(ブリッジ信号bの変動がない場合)においてセンサ出力信号i5のローレベルである期間t2に対して、ヒステリシスhによる時間遅れtがt>t2を満たすように、30mVに設定している。
この場合、センサ出力信号i5のローレベルである期間90μsecに対して、ヒステリシスhによる遅れ時間は180μsecであり、センサ出力信号i5は矩形波信号f5と同期した位置信号を出力できるため、磁性移動体の移動方向の検出において検出遅れは発生しない。
例えば、磁電変換素子としては、ホール素子、磁気抵抗(MR)素子、巨大磁気抵抗(GMR)素子、トンネル型磁気抵抗(TMR)素子など磁界強度を検出する素子であればよく、素子の個数や配置においても磁性移動体の移動位置や移動方向を検出できる範囲において任意に選ぶことができる(例えば、2個の磁気検出センサであってもよい)。
また信号処理回路としては、バイポーラー、MOS(Metal-Oxide Semiconductor)なども問わない。
10a、10b ブリッジ回路、
21、22、31、32、41、42、51、52 比較回路、
23、34、44、54 移動方向判定回路、
24、35、45、55 出力信号生成回路
33 矩形波選択回路、43 ヒステリシス調整回路、53 閾値調整回路。
Claims (8)
- 磁界強度を検出する磁電変換素子と、閾値を有し、この閾値と前記磁電変換素子の出力信号との比較により矩形波の信号を出力する比較回路と、この比較回路の出力信号を用いて、前記磁電変換素子に印加される磁界に変化を与える磁性移動体の移動位置と移動方向を検出してセンサ出力信号を出力する信号処理部とを有する信号処理回路を備えた磁気検出装置において、前記信号処理回路の出力は、ハイレベルからローレベルもしくはローレベルからハイレベルへの切り替わりが前記磁性移動体の位置に対応する位置信号であり、ハイレベルもしくはローレベルである時間幅が前記磁性移動体の移動方向に対応するものであって、前記磁性移動体の移動方向によりハイレベルもしくはローレベルである時間幅が期間t1もしくは期間t2に固定されており、前記期間t1もしくは期間t2の時間内に前記磁性移動体の移動方向が切り替わった場合に、前記信号処理回路は、前記比較回路の閾値がヒステリシスを有することにより、前記磁性移動体の移動方向が切り替わる直前の前記磁性移動体の位置を示す位置信号と同一の位置信号を出力し、前記磁性移動体の移動方向の切り替わりによる前記磁性移動体の位置と前記信号処理回路の位置信号にずれが生じないようにしたことを特徴とする磁気検出装置。
- 前記信号処理回路は、前記比較回路の閾値が2水準以上のヒステリシスを有するようにしたことを特徴とする請求項1に記載の磁気検出装置。
- 前記信号処理回路は、前記期間t1もしくは期間t2の時間内に前記磁性移動体の移動方向が切り替わった場合に、前記期間t1もしくは期間t2の時間内での前記磁電変換素子の出力信号の変化が、ある定数aを用いてa×t1もしくはa×t2と近似できる場合、前記閾値のヒステリシスhが、
h2>t12/(a2-1)
もしくは
h2>t22/(a2-1)
を満足するようにしたことを特徴とする請求項1に記載の磁気検出装置。 - 前記信号処理回路は、前記期間t1もしくは期間t2の時間内に前記磁性移動体の移動方向が切り替わった場合に、前記磁電変換素子の出力信号に応じて前記比較回路の閾値のヒステリシスを切り替えるヒステリシス調整回路を備えたことを特徴とする請求項1に記載の磁気検出装置。
- 前記信号処理回路は、前記磁電変換素子の出力信号の変動に応じて前記比較回路の閾値を変動させる閾値調整回路を備えたことを特徴とする請求項1に記載の磁気検出装置。
- 前記信号処理回路は、車載用回転検出装置として利用することを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の磁気検出装置。
- 前記磁電変換素子は、磁気抵抗(MR)素子であることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の磁気検出装置。
- 前記磁電変換素子は、巨大磁気抵抗(GMR)素子を用いることを特徴とする請求項7に記載の磁気検出装置。
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