JP2011100796A

JP2011100796A - 回路基板

Info

Publication number: JP2011100796A
Application number: JP2009253502A
Authority: JP
Inventors: Shingo Yoshioka; 愼悟吉岡; Hiroaki Fujiwara; 弘明藤原; Hiromitsu Takashita; 博光高下; Takeshi Takeda; 剛武田
Original assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2009-11-04
Filing date: 2009-11-04
Publication date: 2011-05-19

Abstract

【課題】積層カスレの発生がなく、電気回路の断面積のバラツキや抵抗値への影響が少なく、電気回路の低密度部分と高密度部分とでインピーダンスのばらつきが小さくて回路設計に余裕がある回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁基材１に複数の回路溝３を有し、各回路溝３に充填されためっき層により電気回路６が形成された回路基板Ａに関する。前記電気回路６が密に形成された高密度部３０と、疎に形成された低密度部３１とを有する。高密度部３０における絶縁基材１及び電気回路６の各表面と、低密度部３１における絶縁基材１及び電気回路６の各表面とが面一に形成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、携帯電話機等の携帯情報端末機器；コンピュータ及びその周辺機器；各種情報家電製品等の電気機器に使用される回路基板に関するものである。

従来より、化学的機械的研磨法（Chemical MechnicalPolishing、ＣＭＰ法)を用いた配線形成法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この方法は、まず、図２（ａ）に示すように、絶縁基材１の表面にレーザー加工等により回路溝３を形成する。次に、図２（ｂ）に示すように、絶縁基材１の回路溝３を形成した表面全面（回路溝３の側面や底面を含む）に無電解めっき層１０を形成する。この無電解めっき層１０は銅などの金属薄膜を無電解めっきにより形成することができる。次に、図２（ｃ）に示すように、無電解めっき層１０の表面に銅などの金属により電解めっき層１１を形成する。電解めっき層１１は回路溝３に充填され、無電解めっき層１０の表面全面を被覆するように形成される。この後、絶縁基材１の表面と、回路溝３に充填された電解めっき層１１の表面と、回路溝３の側面に付着した無電解めっき層１０の上端面とが面一になるように、電解めっき層１１の不要部分を除去する。ここで、電解めっき層１１を研磨機２０で研磨除去するＣＭＰ法が採用されている。このようにして回路溝３に充填された無電解めっき層１０と電解めっき層１１とからなる電気回路（配線）６を有する回路基板Ａを形成することができる。

特開２０００−４９１６２号公報

しかし、上記のようにして形成される回路基板は、主に電気回路６が集中した部分でエロージョンＥが発生するという問題があった。エロージョンＥとは、電気回路６の表面とその周辺の絶縁基材１の表面とが皿状等に凹んで削り取られてしまった部分をいう。このエロージョンは電解めっき層１１と絶縁基材１との硬さの相違や、研磨機２０や研磨液に対する耐性の相違などに起因して発生すると考えられる。そして、このようなエロージョンＥが発生した回路基板Ａでは次にような問題があった。まず、ビルドアップ工法などにおいて、回路基板Ａの表面にプリプレグ等の絶縁材料を重ね合わせた後、加熱加圧成形して絶縁層を形成する場合、エロージョンＥでの圧力低下が大きくなり、積層カスレ不良（樹脂の未充填部分）が発生するおそれがあった。また、エロージョンに対応する箇所の絶縁層の表面には凹みが生じることがあって絶縁層の表面の平坦性が低下し、このため、絶縁層の表面に回路形成を形成した場合にレーザー加工深度がばらついて、導体断面積（回路断面積）のばらつきや電気回路６の抵抗値に影響を与えるおそれがあった。さらに、絶縁層の厚みが電気回路６の集中部分（高密度部３０）と非集中部分（低密度部分３１）により変動するため、電気回路６の低密度部分と高密度部分とでインピーダンスがばらついて回路設計の余裕がない。

また、転写箔を用いて上記と同様の回路基板を形成することも行われているが、この場合は、電気回路を転写する際に電気回路６の集中部分（高密度部３０）と非集中部分（低密度部分３１）とでプリプレグの樹脂が偏って流れ、絶縁層の厚みが電気回路６の集中部分（高密度部３０）と非集中部分（低密度部分３１）とで異なることになり、上記問題を解決することはできなかった。

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、積層カスレの発生がなく、電気回路の断面積のバラツキや抵抗値への影響が少なく、電気回路の低密度部分と高密度部分とでインピーダンスのばらつきが小さくて回路設計に余裕がある回路基板を提供することを目的とするものである。

本発明の請求項１に係る回路基板は、絶縁基材１に複数の回路溝３を有し、各回路溝３に充填されためっき層により電気回路６が形成された回路基板であって、前記電気回路６が密に形成された高密度部３０と、疎に形成された低密度部３１とを有し、高密度部３０における絶縁基材１及び電気回路６の各表面と、低密度部３１における絶縁基材１及び電気回路６の各表面とが面一に形成されて成ることを特徴とするものである。

本発明の請求項２に係る回路基板は、請求項１において、絶縁基材１に複数の回路溝３を有し、各回路溝３に充填されためっき層により電気回路６が形成された回路基板であって、前記電気回路６が密に形成された高密度部３０と、疎に形成された低密度部３１とを有し、絶縁基材１の回路溝３の形成面と反対側の面から高密度部３０における回路溝３の底部までの距離と、絶縁基材１の回路溝３の形成面と反対側の面から低密度部３１における回路溝３の底部までの距離とが、等しく形成されて成ることを特徴とするものである。

本発明の請求項３に係る回路基板は、請求項１において、絶縁基材１に複数の回路溝３を有し、各回路溝３に充填されためっき層により電気回路６が形成された回路基板であって、前記電気回路６が密に形成された高密度部３０と、疎に形成された低密度部３１とを有し、高密度部３０における電気回路６の導体厚みと、低密度部における電気回路６の導体厚みとが、等しく形成されて成ることを特徴とするものである。

本発明では、高密度部における絶縁基材及び電気回路の各表面と、低密度部における絶縁基材及び電気回路の各表面とが面一に形成されているため、回路基板の表面にプリプレグ等の絶縁材料を重ね合わせた後、加熱加圧成形して絶縁層を形成する場合、エロージョンによる圧力低下が生じないようにすることができ、積層カスレ不良が発生しないようにすることができる。また、前記絶縁層の表面に回路形成を形成した場合にレーザー加工深度がばらつかないようにすることができ、導体断面積（電気回路の断面積）のばらつきや電気回路の抵抗値に影響を与えないようにすることができるものである。さらに、絶縁層の厚みが電気回路の低密度部と高密度部で一定であるため、電気回路の低密度部と高密度部とでインピーダンスがばらつかずに回路設計の余裕がある。

また、高密度部における絶縁基材の回路溝の形成面と反対側の面から回路溝の底部までの距離と、低密度部における絶縁基材の回路溝の形成面と反対側の面から回路溝の底部までの距離とが、等しく形成されていたり、高密度部における電気回路の導体厚みと、低密度部における電気回路の導体厚みが等しく形成されていたりすることにより、本発明の効果を確実に得ることができるものである。

本発明の製造工程の一例を示し、（ａ）〜（ｅ）は断面図である。従来例の製造工程の一例を示し、（ａ）〜（ｅ）は断面図である。

以下、本発明を実施するための形態を説明する。

図１（ｅ）に本発明の回路基板Ａを示す。この回路基板Ａは、絶縁基材１に複数の回路溝３及び貫通孔４を有し、各回路溝３及び貫通孔４に無電解めっきが充填された複数の電気回路６を有するものである。電気回路６の表面は絶縁基材１の一方又は両方の表面に露出している。電気回路６の幅寸法（ライン幅）は全ての電気回路６で同一にすることが好ましいが、これに限らず、電気回路６の幅寸法は各電気回路６で異ならせても良い。

そして、本発明の回路基板Ａは電気回路６が密に形成された高密度部３０と、疎に形成された低密度部３１とを有している。ここで、電気回路６の幅寸法Ｌが一定（例えば、５〜５０μｍ）とした場合、隣り合う電気回路６、６の間隔ＷＨが１００μｍ以下、好ましくは７０μｍ以下、さに好ましくは５０μｍ以下（下限は５μｍ）の部分を高密度部３０とし、隣り合う電気回路６、６の間隔ＷＬが５０μｍ以上、好ましくは７０μｍ以上、さらに好ましくは１００μｍ以上（上限は、特に限定なし）の部分を低密度部３１として形成することができる。また、高密度部３０において絶縁基材１の表面と電気回路６の表面とは略平坦で略面一に形成されている。また、低密度部３１において絶縁基材１の表面と電気回路６の表面とは略平坦で略面一に形成されている。そして、高密度部３０における絶縁基材１の表面と低密度部３１における絶縁基材１の表面も略平坦で略面一に形成され、高密度部３０における電気回路６の表面と低密度部３１における電気回路６の表面も略平坦で略面一に形成されている。すなわち、本発明の回路基板は電気回路６が露出する側の表面が全体にわたって略平坦に形成されており、エロージョンなどの凹みが生じていないものである。尚、本発明の回路基板は、絶縁基材１の厚みを全体にわたって一定にし、また、全ての電気回路６の厚みを一定にすることができるが、これに限定されるものではない。

本発明の回路基板を製造するにあたっては、絶縁基材の表面に樹脂被膜を形成する被膜形成工程と、前記樹脂被膜の外表面を基準として前記樹脂被膜の厚み分以上の深さの凹部を形成して回路パターン部を形成する回路パターン形成工程と、前記回路パターン部の表面及び前記樹脂被膜の表面にめっき触媒又はその前駆体を被着させる触媒被着工程と、前記絶縁基材から前記樹脂被膜を除去する被膜除去工程と、前記樹脂被膜を除去した後の前記めっき触媒又はその前駆体が残留する部位にのみ無電解めっき膜を形成するめっき処理工程とを備える。

図１は本発明の回路基板の製造方法における各工程を説明するための模式断面図である。まず、図１（ａ）に示すように、絶縁基材１の表面に樹脂被膜２を形成させる。なお、この工程は、被膜形成工程に相当する。次に、図１（ｂ）に示すように、前記樹脂被膜２の外表面を基準として前記樹脂被膜２の厚み分以上の深さの凹部を形成して回路パターン部３２を形成させる。前記回路パターン部３２としては、前記絶縁基材１を掘り込んだ回路溝３であってもよいし、また、必要に応じて、前記絶縁基材１に、前記回路パターン部３２として貫通孔４を形成するための穴あけを行ってもよい。また、前記回路パターン部３２（回路溝３及び貫通孔４）によって、無電解めっきによって無電解めっき膜が形成される部分、すなわち、電気回路６が形成される部分が規定される。この工程により、高密度部３０として形成される部分には回路溝３及び貫通孔４が高密度で形成され、低密度部３１として形成される部分には回路溝３及び貫通孔４が低密度で形成される。なお、この工程は、回路パターン形成工程に相当する。

次に、図１（ｃ）に示すように、前記回路溝３の底面及び側面と貫通孔４の内面、並びに前記回路溝３及び貫通孔４が形成されなかった前記樹脂被膜２の表面にめっき触媒又はその前駆体５を被着させる。なお、この工程は、触媒被着工程に相当する。

次に、図１（ｄ）に示すように、前記絶縁基材１から前記樹脂被膜２を除去させる。そうすることによって、前記絶縁基材１の、前記回路溝３の底面及び側面と貫通孔４の内面が形成された部分の表面にのみめっき触媒又はその前駆体５を残留させることができる。一方、前記樹脂被膜２の表面に被着されためっき触媒又はその前駆体５は、前記樹脂被膜２に担持された状態で、前記樹脂被膜２とともに除去される。なお、この工程は、被膜除去工程に相当する。

次に、前記樹脂被膜２が除去された絶縁基材１に無電解めっきを施す。そうすることによって、前記めっき触媒又はその前駆体５が残存する部分にのみ無電解めっき層６ａが形成される。すなわち、図１（ｅ）に示すように、前記回路溝３及び貫通孔４が形成された部分に、電気回路６となる無電解めっき層６ａが形成される。そして、この電気回路６は、この無電解めっきからなるものであってもよいし、前記無電解めっき層６ａにさらに無電解めっき（フィルアップめっき）を施して、さらに厚膜化させたものであってもよい。具体的には、例えば、図１（ｅ）に示すように、前記回路溝３や前記貫通孔４全体を埋めるように無電解めっき層からなる電気回路６を形成させ、前記絶縁基材１と前記電気回路６との段差をなくすようにしてもよい。なお、この工程は、めっき処理工程に相当する。

上記各工程によって、図１（ｅ）に示すような回路基板Ａが形成される。このように形成された回路基板Ａは、前記絶縁基材１上に高精度に前記電気回路６が形成されたものである。

以下、本実施形態の各構成について、説明する。

＜被膜形成工程＞
被膜形成工程は、上述したように、絶縁基材１の表面に樹脂被膜２を形成させる工程である。

（絶縁基材）
前記被膜形成工程において用いる絶縁基材１は、回路基板の製造に用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、樹脂を含む樹脂基材等が挙げられる。

また、前記樹脂としては、回路基板の製造に用いられうる各種有機基板を構成する樹脂であれば、特に限定なく用いることができる。具体的には、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂等が挙げられる。

前記エポキシ樹脂としては、回路基板の製造に用いられうる各種有機基板を構成するエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、臭素化又はリン変性した、上記エポキシ樹脂、窒素含有樹脂、シリコーン含有樹脂等も挙げられる。また、前記エポキシ樹脂としては、上記各エポキシ樹脂を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、上記各樹脂で基材を構成する場合、一般的に、硬化させるために、硬化剤を含有させる。前記硬化剤としては、硬化剤として用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ジシアンジアミド、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミノトリアジンノボラック系硬化剤、シアネート樹脂等が挙げられる。前記フェノール系硬化剤としては、例えば、ノボラック型、アラルキル型、テルペン型等が挙げられる。更に難燃性を付与するためリン変性したフェノール樹脂または、リン変性したシアネート樹脂等もあげられる。また、前記硬化剤としては、上記各硬化剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、特に限定はされないが、レーザー加工により回路パターンを形成することから、１０〜４００ｎｍ波長領域でのレーザー光の吸収率がよい樹脂等を用いることが好ましい。例えば、具体的には、ポリイミド樹脂等が挙げられる。

また、前記絶縁基材１には、フィラーを含有していてもよい。前記フィラーとしては、無機微粒子であっても、有機微粒子であってもよく、特に限定されない。フィラーを含有することで、レーザー加工部にフィラーが露出し、フィラーの凹凸によるメッキと樹脂との密着性を向上することが可能である。
前記無機微粒子を構成する材料としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリカ（ＳｉＯ_２）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）等の高誘電率充填材；ハードフェライト等の磁性充填材；水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）_２）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）_２）、三酸化アンチモン（Ｓｂ_２Ｏ_３）、五酸化アンチモン（Ｓｂ_２Ｏ_５）、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブテン化合物、スズ酸亜鉛等の無機系難燃剤；タルク（Ｍｇ_３（Ｓｉ_４Ｏ_１０）（ＯＨ）_２）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ_４）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、雲母等が挙げられる。前記無機微粒子としては、上記無機微粒子を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの無機微粒子は、熱伝導性、比誘電率、難燃性、粒度分布、色調の自由度等が高いことから、所望の機能を選択的に発揮させる場合には、適宜配合及び粒度設計を行って、容易に高充填化を行うことができる。また、特に限定はされないが、絶縁層の厚み以下の平均粒径のフィラーを用いるのが好ましく、更には０．０１μｍ〜１０μｍ、更に好ましくは、０．０５μｍ〜５μｍの平均粒径のフィラーを用いるのがよい。

また、前記無機微粒子は、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、シランカップリング剤で表面処理してもよい。また、前記絶縁基材は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、シランカップリング剤を含有してもよい。前記シランカップリング剤としては、具体的には、例えば、エポキシシラン系、メルカプトシラン系、アミノシラン系、ビニルシラン系、スチリルシラン系、メタクリロキシシラン系、アクリロキシシラン系、チタネート系等のシランカップリング剤等が挙げられる。前記シランカップリング剤としては、上記シランカップリング剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、前記絶縁基材は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、分散剤を含有してもよい。前記分散剤としては、具体的には、例えば、アルキルエーテル系、ソルビタンエステル系、アルキルポリエーテルアミン系、高分子系等の分散剤等が挙げられる。前記分散剤としては、上記分散剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、前記有機微粒子としては、具体的には、例えば、ゴム微粒子等が挙げられる。

また、前記絶縁基材の形態としては、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグ、及び三次元形状の成形体等が挙げられる。前記絶縁基材１の厚みは、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグの場合には、例えば、１０〜５００μｍであることが好ましく、２０〜２００μｍ程度であることがより好ましい。また、前記絶縁基材としては、シリカ粒子等の無機微粒子を含有してもよい。

（樹脂被膜）
前記樹脂被膜２は、前記被膜除去工程で除去可能なものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、有機溶剤やアルカリ溶液により容易に溶解しうる可溶型樹脂や、後述する所定の液体（膨潤液）で膨潤しうる樹脂からなる膨潤性樹脂被膜等が挙げられる。これらの中では、正確な除去が容易である点から膨潤性樹脂被膜が特に好ましい。また、前記膨潤性樹脂被膜としては、例えば、前記液体（膨潤液）に対する膨潤度が５０％以上であることが好ましい。なお、前記膨潤性樹脂被膜には、前記液体（膨潤液）に対して実質的に溶解せず、膨潤により前記絶縁基材１表面から容易に剥離するような樹脂被膜だけではなく、前記液体（膨潤液）に対して膨潤し、さらに少なくとも一部が溶解し、その膨潤や溶解により前記絶縁基材１表面から容易に剥離するような樹脂被膜や、前記液体（膨潤液）に対して溶解し、その溶解により前記絶縁基材１表面から容易に剥離するような樹脂被膜も含まれる。

前記樹脂被膜２の形成方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、前記絶縁基材１の表面に、樹脂被膜を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される樹脂被膜を絶縁基材１の表面に転写する方法等が挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等が挙げられる。

前記樹脂被膜２の厚みとしては、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましい。一方、前記樹脂被膜２の厚みとしては、０．１μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましい。前記樹脂被膜２の厚みが厚すぎる場合には、前記回路パターン形成工程におけるレーザ加工又は機械加工によって形成される回路溝や貫通孔等の回路パターン部の精度が低下する傾向がある。また、前記樹脂被膜２の厚みが薄すぎる場合は、均一な膜厚の樹脂被膜を形成しにくくなる傾向がある。

次に、前記樹脂被膜２として好適な膨潤性樹脂被膜を例に挙げて説明する。

前記膨潤性樹脂被膜としては、膨潤液に対する膨潤度が５０％以上である樹脂被膜が好ましく用いられうる。さらに、膨潤液に対する膨潤度が１００％以上である樹脂被膜がより好ましい。なお、前記膨潤度が低すぎる場合には、前記被膜除去工程において膨潤性樹脂被膜が剥離しにくくなる傾向がある。

前記膨潤性樹脂被膜の形成方法は、特に限定されず、上述した樹脂被膜２の形成方法と同様の方法であればよい。具体的には、例えば、前記絶縁基材１の表面に、膨潤性樹脂被膜を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される膨潤性樹脂被膜を絶縁基材１の表面に転写する方法等が挙げられる。

前記膨潤性樹脂被膜を形成しうる液状材料としては、例えば、エラストマーのサスペンジョン又はエマルジョン等が挙げられる。前記エラストマーの具体例としては、例えば、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマー樹脂粒子の架橋度又はゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度の膨潤性樹脂被膜を容易に形成することができる。

また、前記膨潤性樹脂被膜としては、特に、膨潤度が膨潤液のｐＨに依存して変化するような被膜であることが好ましい。このような被膜を用いた場合には、前記触媒被着工程における液性条件と、前記被膜除去工程における液性条件とを異なるものにすることにより、触媒被着工程におけるｐＨにおいては膨潤性樹脂被膜は絶縁基材に対する高い密着力を維持し、被膜除去工程におけるｐＨにおいては容易に膨潤性樹脂被膜を剥離させることができる。

さらに具体的には、例えば、前記触媒被着工程が、例えば、ｐＨ１〜３の範囲の酸性めっき触媒コロイド溶液（酸性触媒金属コロイド溶液）中で処理する工程を備え、前記被膜除去工程がｐＨ１２〜１４の範囲のアルカリ性溶液中で膨潤性樹脂被膜を膨潤させる工程を備える場合には、前記膨潤性樹脂被膜は、前記酸性めっき触媒コロイド溶液に対する膨潤度が６０％以下、さらには４０％以下であり、前記アルカリ性溶液に対する膨潤度が５０％以上、さらには１００％以上、さらには５００％以上であるような樹脂被膜であることが好ましい。

このような膨潤性樹脂被膜の例としては、所定量のカルボキシル基を有するエラストマーから形成されるシートや、プリント配線板のパターニング用のドライフィルムレジスト（以下、ＤＦＲとも呼ぶ）等に用いられる光硬化性のアルカリ現像型のレジストを全面硬化して得られるシートや、熱硬化性やアルカリ現像型シート等が挙げられる。

カルボキシル基を有するエラストマーの具体例としては、カルボキシル基を有するモノマー単位を共重合成分として含有することにより、分子中にカルボキシル基を有する、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー；アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー；及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマーの、酸当量，架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望のアルカリ膨潤度を有する膨潤性樹脂被膜を形成することができる。エラストマー中のカルボキシル基はアルカリ水溶液に対して膨潤性樹脂被膜を膨潤させて、絶縁基材表面から膨潤性樹脂被膜を剥離する作用をする。また、酸当量とは、１当量のカルボキシル基当たりのポリマー重量である。

カルボキシル基を有するモノマー単位の具体例としては、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、及びマレイン酸無水物等が挙げられる。

このようなカルボキシル基を有するエラストマー中のカルボキシル基の含有割合としては、酸当量で１００〜２０００、さらには１００〜８００であることが好ましい。酸当量が小さすぎる場合には、溶媒または他の組成物との相溶性が低下することにより、めっき前処理液に対する耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が大きすぎる場合には、アルカリ水溶液に対する剥離性が低下する傾向がある。

また、エラストマーの分子量としては、１万〜１００万、さらには、２万〜６万であることが好ましい。エラストマーの分子量が大きすぎる場合には剥離性が低下する傾向があり、小さすぎる場合には粘度が低下するために膨潤性樹脂被膜の厚みを均一に維持することが困難になるとともに、めっき前処理液に対する耐性も悪化する傾向がある。

また、ＤＦＲとしては、所定量のカルボキシル基を含有する、アクリル系樹脂；エポキシ系樹脂；スチレン系樹脂；フェノール系樹脂；ウレタン系樹脂等を樹脂成分とし、光重合開始剤を含有する光硬化性樹脂組成物のシートが用いられうる。このようなＤＦＲの具体例としては、特開２０００−２３１１９０号公報、特開２００１−２０１８５１号公報、特開平１１−２１２２６２号公報に開示されたような光重合性樹脂組成物のドライフィルムを全面硬化させて得られるシートや、アルカリ現像型のＤＦＲとして市販されている、例えば、旭化成株式会社製のＵＦＧシリーズ等が挙げられる。

さらに、その他の膨潤性樹脂被膜の例としては、カルボキシル基を含有する、ロジンを主成分とする樹脂（例えば、吉川化工株式会社製の「ＮＡＺＤＡＲ２２９」）やフェノールを主成分とする樹脂（例えば、ＬＥＫＴＲＡＣＨＥＭ社製「１０４Ｆ」）等が挙げられる。

膨潤性樹脂被膜は、絶縁基材表面に樹脂のサスペンジョン又はエマルジョンを従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等の塗布手段を用いて塗布した後、乾燥する方法や、支持基板に形成されたＤＦＲを真空ラミネータ等を用いて絶縁基材表面に貼りあわせた後、全面硬化することにより容易に形成することができる。

また、前記樹脂被膜としては、上記のものに加えて、以下のようなものが挙げられる。例えば、前記樹脂被膜を構成するレジスト材料としては、以下のようなものが挙げられる。

前記樹脂被膜を構成するレジスト材料に必要な特性としては、例えば、（１）後述の触媒被着工程で、樹脂被膜が形成された絶縁基材を浸漬させる液体（めっき核付け薬液）に対する耐性が高いこと、（２）後述の被膜除去工程、例えば、樹脂被膜が形成された絶縁基材をアルカリに浸漬させる工程によって、樹脂被膜（レジスト）が容易に除去できること、（３）成膜性が高いこと、（４）ドライフィルム（ＤＦＲ）化が容易なこと、（５）保存性が高いこと等が挙げられる。

めっき核付け薬液としては、後述するが、例えば、酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリストシステムの場合、全て酸性（ｐＨ１〜２）水溶液である。また、アルカリ性Ｐｄイオンキャタリストシステムの場合は、触媒付与アクチベーターが弱アルカリ（ｐＨ８〜１２）であり、それ以外は酸性である。以上のことから、めっき核付け薬液に対する耐性としては、ｐＨ１〜１１、好ましくはｐＨ１〜１２に耐えることが必要である。なお、耐えうるとは、レジストを成膜したサンプルを薬液に浸漬した際、レジストの膨潤や溶解が充分に抑制され、レジストとしての役割を果たすことである。また、浸漬温度は、室温〜６０℃、浸漬時間は、１〜１０分間、レジスト膜厚は、１〜１０μｍ程度が一般的であるが、これらに限定されない。

被膜除去工程に用いるアルカリ剥離の薬液としては、後述するが、例えば、ＮａＯＨ水溶液や炭酸ナトリウム水溶液が一般的である。そのｐＨは、１１〜１４であり、好ましくはｐＨ１２から１４でレジスト膜が簡単に除去できることが望ましい。ＮａＯＨ水溶液濃度は、１〜１０%程度、処理温度は、室温〜５０℃、処理時間は、１〜１０分間で、浸漬やスプレイ処理をすることが一般的であるが、これらに限定されない。

絶縁材料上にレジストを形成するため、成膜性も重要となる。はじき等がない均一性な膜形成が必要である。また、製造工程の簡素化や材料ロスの低減等のためにドライフィルム化されるが、ハンドリング性を確保するためにフィルムの屈曲性が必要である。また絶縁材料上にドライフィルム化されたレジストをラミネーター（ロール、真空）で貼り付ける。貼り付けの温度は、室温〜１６０℃、圧力や時間は任意である。このように、貼り付け時に粘着性が求められる。そのために、ドライフィルム化されたレジストはゴミの付着防止も兼ねて、キャリアフィルム、カバーフィルムでサンドイッチされた３層構造にされることが一般的であるが、これらに限定されない。

保存性は、室温での保存できることがもっとも良いが、冷蔵、冷凍での保存ができることも必要である。このように低温時にドライフィルムの組成が分離したり、屈曲性が低下して割れたりしないようにすることが必要である。

また、前記樹脂被膜としては、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と（ｂ）前記（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体を重合させることで得られる重合体樹脂又は前記重合体樹脂を含む樹脂組成物からなるものが挙げられる。

前記樹脂組成物（レジスト材料の樹脂組成物）としては、メイン樹脂（バインダー樹脂）として前記重合体樹脂を必須成分とし、オリゴマー、モノマー、フィラーやその他添加剤の少なくとも１種類を添加してもよい。

メイン樹脂は熱可塑的性質を持ったリニア型のポリマーが良い。流動性、結晶性などをコントロールするためにグラフトさせて枝分かれさせることもある。その分子量としては、数平均分子量で１０００〜５０００００程度であり、５０００〜５００００が好ましい。分子量が小さすぎると、膜の屈曲性やめっき核付け薬液耐性（耐酸性）が低下する傾向がある。また、分子量が大きすぎると、アルカリ剥離性やドライフィルムにした場合の貼り付け性が悪くなる傾向がある。さらに、めっき核付け薬液耐性向上やレーザー加工時の熱変形抑制、流動制御のために架橋点を導入してもよい。

メイン樹脂の組成としては、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸または酸無水物の単量体と（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる単量体を重合させることで得られる。公知技術としては、例えば、特開平７−２８１４３７号公報、特開２０００−２３１１９０号公報、及び特開２００１−２０１８５１号公報に記載のもの等が挙げられる。（ａ）の一例として、例えば、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル、アクリル酸ブチル等が挙げられ、単独、もしくは２種類以上を組み合わせても良い。（ｂ）の例としては、非酸性で分子中に重合性不飽和基を（一個）有するものが一般的であり、その限りではない。めっき工程での耐性、硬化膜の可とう性等の種々の特性を保持するように選ばれる。具体的には、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ．−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類等が挙げられる。また、酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等が挙げられる。また、上記の重合性不飽和基を分子中に一個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらには、３次元架橋できるように、重合体に用いる単量体に複数の不飽和基を持つ単量体を選定する、分子骨格にエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、ビニル基などの反応性官能基を導入することができる。樹脂中にカルボキシル基が含まれる場合、樹脂中に含まれるカルボキシル基の量は、酸当量で１００〜２０００が良く、１００〜８００が好ましい。ここで酸当量とはその中に１当量のカルボキシル基を有するポリマーの重量をいう。その酸当量が低すぎる場合、溶媒または他の組成物との相溶性の低下やめっき前処理液耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が高すぎる場合、剥離性が低下する傾向がある。また、（ａ）単量体の組成比率は、５〜７０重量％である。

モノマーやオリゴマーとしては、めっき核付け薬液への耐性やアルカリで容易に除去できるようなものであれば何でも良い。またドライフィルム（DFR）の貼り付け性を向上させるために粘着性付与材として可塑剤的に用いることが考えられる。さらに各種耐性をあげるために架橋剤を添加する。具体的には、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ．−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類等が挙げられる。また、酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等も挙げられる。また、上記の重合性不飽和基を分子中に一個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらに、多官能性不飽和化合物を含んでも良い。上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。上記のモノマー以外に他の光重合性モノマーを二種類以上含むことも可能である。このモノマーの例としては、例えば、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、またポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等のポリオキシアルキレングリコールジ（メタ）アクリレート、２−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパンジ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−メタクリロキシペンタエトキシフェニル）プロパン、ウレタン基を含有する多官能（メタ）アクリレート等が挙げられる。また、上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。

さらに、フィラーを含有してもよい。フィラーは特に限定されないが、具体的には、例えば、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、クレー、カオリン、酸化チタン、硫酸バリウム、アルミナ、酸化亜鉛、タルク、マイカ、ガラス、チタン酸カリウム、ワラストナイト、硫酸マグネシウム、ホウ酸アルミニウム、有機フィラー等が挙げられる。またレジストの厚みは、一般的に１〜１０μｍと薄いため、フィラーサイズも小さいものが好ましい。平均粒径が小さく、粗粒をカットしたものを用いることが良いが、分散時に砕いたり、ろ過で粗粒を除去することもできる。

その他の添加剤としては、例えば、光重合性樹脂（光重合開始剤）、重合禁止剤、着色剤（染料、顔料、発色系顔料）、熱重合開始剤、エポキシやウレタンなどの架橋剤等が挙げられる。

プリント板加工プロセスでは、例えば、レーザ加工が用いられる場合があるが、本発明の回路基板Ａを形成するにあたってレーザ加工の場合、レジスト材料にレーザによるアブレーション性を付与することが必要である。レーザ加工機は、例えば、炭酸ガスレーザーやエキシマレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザなどが選定される。これらのレーザ加工機は、種々の固有の波長を持っており、この波長に対して吸収率の高い材料にすることで、生産性を向上させることができる。そのなかでもＵＶ−ＹＡＧレーザは微細加工に適しており、レーザ波長は３倍高調波３５５ｎｍ、４倍高調波２６６ｎｍであるため、これらの波長に対して、吸収率が高いことが望ましい。一方、吸収率がある程度低い材料のほうが好ましい場合もある。具体的には、例えば、ＵＶ吸収率の低いレジストを用いると、ＵＶ光がレジストを透過するので、下地の絶縁層加工にエネルギを集中させることができる。すなわち、レーザ光の吸収率によって、利点が異なるので、状況に応じて、レジストのレーザ光の吸収率を調整したレジストを用いることが好ましい。レジスト材料としては、これらの波長に対して、吸収率が５０％以上になることが望ましい。

＜回路パターン形成工程＞
回路パターン形成工程は、絶縁基材１に回路溝３等の回路パターン部３２を形成する工程である。回路パターン部３２としては、上述したように、回路溝３だけではなく、前記樹脂被膜２及び前記絶縁基材１を厚み方向で貫通する貫通孔４であってもよい。

前記回路パターン部３２を形成する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、前記樹脂被膜２が形成された絶縁基材１に、前記樹脂被膜２の外表面側から、レーザ加工、及びダイシング加工等の切削加工や型押加工等の機械加工等を施すことにより、所望の形状及び深さの回路溝３を形成させる方法等が挙げられる。高精度の微細な回路を形成する場合には、レーザ加工を用いることが好ましい。レーザ加工によれば、レーザの出力等を変化させることにより、切削深さ等を自由に調整することができる。また、型押加工としては、例えば、ナノインプリントの分野において用いられるような微細樹脂型による型押加工が好ましく用いられうる。

また、前記回路パターン部３２として、ビアホール等を形成するための貫通孔４を形成してもよい。

この工程により、前記回路溝３の形状及び深さや前記貫通孔４の径及び位置等の回路パターン部の形状が規定される。また、前記回路パターン形成工程は、前記樹脂被膜２の厚み分以上掘り込めばよく、前記樹脂被膜２の厚み分掘り込んでもよいし、前記樹脂被膜２の厚み分を超えて掘り込んでもよい。ここで、絶縁基材１が平板状の場合、高密度部３０における絶縁基材１の回路溝３の形成面と反対側の面から回路溝３の底部３ａまでの距離ＲＨと、低密度部３１における絶縁基材１の回路溝３の形成面と反対側の面から回路溝３の底部３ａまでの距離ＲＬとが等しく、ＲＨ＝ＲＬに形成されているのが好ましい。尚、平板状の絶縁基材１は上面及び下面が平坦面に形成された絶縁基材１のことを指す。また、絶縁基材１の回路溝３の形成面とは絶縁基材１の回路溝３の開口する面を意味し、図１では絶縁基材１の上面のことを指す。また、絶縁基材１の回路溝３の形成面と反対側の面とは絶縁基材１の回路溝３の開口しない面を意味し、図１では絶縁基材１の下面のことを指す。

前記回路パターン形成工程で形成される回路溝３等の回路パターン部３２の幅は特に限定されない。なお、レーザ加工を用いた場合には、線幅２０μｍ以下のような微細な回路も容易に形成できる。また、回路溝３の深さは、フィルアップめっきにより、電気回路６と絶縁基材１とに段差をなくした場合には電気回路６の厚み寸法となる。

＜触媒被着工程＞
触媒被着工程は、前記回路溝３等の回路パターン部の表面及び前記樹脂被膜２の表面にめっき触媒又はその前駆体を被着させる工程である。このとき、貫通孔４が形成されている場合、貫通孔４内壁表面にもめっき触媒又はその前駆体が被着される。

前記めっき触媒又はその前駆体５は、前記めっき処理工程において無電解めっきにより無電解めっき膜を形成したい部分にのみ無電解めっき膜を形成させるために付与される触媒である。めっき触媒としては、無電解めっき用の触媒として知られたものであれば特に限定なく用いられうる。また、予めめっき触媒の前駆体を被着させ、樹脂被膜の除去後にめっき触媒を生成させてもよい。めっき触媒の具体例としては、例えば、金属パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等、または、これらを生成させるような前駆体等が挙げられる。

めっき触媒又はその前駆体５を被着させる方法としては、例えば、ｐＨ１〜３の酸性条件下で処理される酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法等が挙げられる。具体的には、例えば、次のような方法が挙げられる。

はじめに、回路溝３及び貫通孔４が形成された絶縁基材１の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液（クリーナー・コンディショナー）中で所定の時間湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、ｐＨ１〜２の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度０．１％程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して絶縁基材１表面に塩化物イオンを吸着させるプリディップ処理を行う。その後、塩化第一錫と塩化パラジウムを含む、ｐＨ１〜３の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド等の酸性めっき触媒コロイド溶液にさらに浸漬することによりＰｄ及びＳｎを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応（ＳｎＣｌ_２＋ＰｄＣｌ_２→ＳｎＣｌ_４＋Ｐｄ↓)を起こさせる。これにより、めっき触媒である金属パラジウムが析出する。

なお、酸性めっき触媒コロイド溶液としては、公知の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性めっき触媒コロイド溶液を用いた市販のめっきプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム・アンド・ハース電子材料株式会社からシステム化されて販売されている。

このような触媒被着処理によって、前記回路溝３の表面（底面及び側面）、前記貫通孔４の内壁表面、及び前記樹脂被膜２の表面にめっき触媒又はその前駆体５を被着させることができる。

＜被膜除去工程＞
被膜除去工程は、前記触媒被着工程を施した絶縁基材１から前記樹脂被膜２を除去する工程である。

前記樹脂被膜２を除去する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、所定の溶液（膨潤液）で前記樹脂被膜２を膨潤させた後に、前記絶縁基材１から前記樹脂被膜２を剥離させる方法、所定の溶液（膨潤液）で前記樹脂被膜２を膨潤させ、さらに一部を溶解させた後に、前記絶縁基材１から前記樹脂被膜２を剥離させる方法、及び所定の溶液（膨潤液）で前記樹脂被膜２を溶解させて除去する方法等が挙げられる。前記膨潤液としては、前記樹脂被膜２を膨潤させることができるものであれば、特に限定されない。また、前記膨潤又は溶解は、前記樹脂被膜２で被覆された前記絶縁基材１を前記膨潤液に所定時間浸漬させること等によって行う。そして、その浸漬中に超音波照射することにより除去効率を高めてもよい。なお、膨潤させて剥離するときには、軽い力で引き剥がしてもよい。

また、前記樹脂被膜２として、前記膨潤性樹脂被膜を用いた場合について、説明する。

前記膨潤性樹脂被膜２を膨潤させる液体（膨潤液）としては、前記絶縁基材１、及び前記めっき触媒又はその前駆体５を実質的に分解又は溶解させることなく、前記膨潤性樹脂被膜２を膨潤又は溶解させることができる液体であれば特に限定なく用いられうる。また、前記膨潤性樹脂被膜２を容易に剥離される程度に膨潤させうる液体が好ましい。このような膨潤液は、膨潤性樹脂被膜２の種類や厚みにより適宜選択されうる。具体的には、例えば、膨潤性樹脂被膜がジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーや、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と（ｂ）前記（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体を重合させることで得られる重合体樹脂又は前記重合体樹脂を含む樹脂組成物、カルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されている場合には、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液が好ましく用いられうる。

なお、触媒被着工程において上述したような酸性条件で処理するめっきプロセスを用いた場合には、膨潤性樹脂被膜２が、酸性条件下においては膨潤度が６０％以下、好ましくは４０％以下であり、アルカリ性条件下では膨潤度が５０％以上であるような、例えば、ジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマー、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と（ｂ）前記（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体を重合させることで得られる重合体樹脂又は前記重合体樹脂を含む樹脂組成物、カルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されていることが好ましい。このような膨潤性樹脂被膜は、ｐＨ１２〜１４であるようなアルカリ水溶液、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等により容易に膨潤し、剥離する。なお、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射してもよい。また、必要に応じて軽い力で引き剥がすことにより剥離してもよい。

また、前記樹脂被膜としては、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と、（ｂ）前記（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体とを重合させることで得られる重合体樹脂又は前記重合体樹脂を含む樹脂組成物からなるものであることが好ましい。このような樹脂被膜を用いれば、絶縁基材表面に樹脂被膜を容易に形成することができる。よって、高精度な電気回路を絶縁基材上により容易に形成することができる。また、このような樹脂被膜は、前記被膜除去工程で用いる液体で溶解させることができるものが多く、剥離除去だけでなく、溶解除去も有効に用いることができる。

膨潤性樹脂被膜２を膨潤させる方法としては、膨潤液に、膨潤性樹脂被膜２で被覆された絶縁基材１を所定の時間浸漬する方法が挙げる。また、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射することが特に好ましい。なお、膨潤のみにより剥離しない場合には、必要に応じて軽い力で引き剥がしてもよい。

＜めっき処理工程＞
めっき処理工程は、前記樹脂被膜２を除去した後の前記絶縁基材１に無電解めっき処理を施す工程である。尚、本発明では無電解めっき処理の代わりに、電解めっき処理を行っても良い。

前記無電解めっき処理の方法としては、部分的にめっき触媒又はその前駆体５が被着された絶縁基材１を無電解めっき液に浸漬して、めっき触媒又はその前駆体５が被着された部分のみに無電解めっき層６ａを析出させるような方法等が用いられうる。無電解めっき層６ａは、回路溝３及び貫通孔４に完全に充填され、無電解めっき層６ａの表面が絶縁基材１の表面に突出しないように形成する。また、高密度部３０における無電解めっき層６ａの厚みＴＨと、低密度部３１における無電解めっき層６ａの厚みＴＬとが等しく、ＴＨ＝ＴＬに形成されるのが好ましい。尚、無電解めっき層６ａの厚みは回路基板に形成される電気回路６の導体厚みのことである。

無電解めっきに用いられる金属としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。これらの中では、Ｃｕを主成分とするメッキが導電性に優れている点から好ましい。また、Ｎｉを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。

めっき処理工程により、絶縁基材１表面のめっき触媒又はその前駆体５が残留する部分のみに無電解めっきが析出する。そのために、回路パターン部３２を形成したい部分のみに正確に導電層を形成することができる。一方、回路パターン部３２を形成していない部分に対する無電解めっきの析出を抑制することができる。従って、狭いピッチ間隔で線幅が狭いような微細な電気回路６を複数本形成するような場合でも、隣接する電気回路６、６間に不要なめっきが残らない。そのために、短絡の発生やマイグレーションの発生を抑制することができる。

＜デスミア処理工程＞
上記の回路基板Ａの製造方法において、前記めっき処理工程を施した後、具体的には、フィルアップめっきを施す前又は施した後に、デスミア処理を施すデスミア処理工程をさらに備えていてもよい。デスミア処理を施すことによって、無電解めっき膜に付着してしまった不要な樹脂を除去することができる。また、得られた回路基板を備える多層回路基板を想定した場合、前記絶縁基材の、無電解めっき膜が形成されていない部分の表面を粗し、前記回路基板の上層等との密着性を向上させることができる。さらに、ビア底にデスミア処理を施してもよい。そうすることによって、ビア底に付着してしまった不要な樹脂を除去することができる。また、前記デスミア処理としては、特に限定されず、公知のデスミア処理を用いることができる。具体的には、例えば、過マンガン酸溶液等に浸漬する処理等が挙げられる。

以下本発明を実施例によって具体的に説明する。

（実施例１）
厚み１００μｍの絶縁基材１（パナソニック電工（株）製のＲ１７６６、エポキシ樹脂使用）の表面に２μｍ厚のスチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）の樹脂被膜２を形成した。なお、樹脂被膜２の形成は、前記絶縁基材１の主面に、スチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）サスペンジョン（日本ゼオン（株）製、酸当量６００、粒子径２００ｎｍ、固形分１５％）を塗布し、８０℃で３０分間乾燥することにより行った。

そして、樹脂被膜２が形成された絶縁基材１に対して、レーザー加工により幅２０μｍ、深さ３０μｍの略長方形断面の溝形成加工を行って複数の回路溝３を形成した。なお、レーザー加工にはＵＶ−ＹＡＧレーザーを備えたＥＳＩ社製のＭＯＤＥＬ５３３０を用いた。

次に、回路溝３が形成された絶縁基材１をクリーナーコンディショナー（界面活性剤溶液、ｐＨ＜１：ローム＆ハース電子材料（株）製Ｃ／Ｎ３３２０）中に浸漬し、その後、水洗した。そして、過硫酸ナトリウム−硫酸系のｐＨ＜１のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理した。この後、ＰＤ４０４（シプレイ・ファーイースト（株）製、ｐＨ＜１）を用いてプリディップ工程を行った。次に、塩化第一錫と塩化パラジウムを含むｐＨ１の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液（ＣＡＴ４４、シプレイ・ファーイースト（株）製）に浸漬することにより、無電解銅めっきの核となるパラジウムをスズ−パラジウムコロイドの状態で絶縁基材１の回路溝３の底面及び側面並びに樹脂被膜２の表面に吸着させた。

次に、ｐＨ＜１のアクセラレータ薬液（ＡＣＣ１９Ｅ、シプレイ・ファーイースト（株）製）に浸漬することにより、パラジウム核を発生させた。そして、絶縁基材１をｐＨ１４の５％水酸化ナトリウム水溶液中に超音波処理しながら１０分間浸漬した。これにより、表面の樹脂被膜（ＳＢＲ被膜）２は膨潤し、きれいに剥離された。このとき、絶縁基材１の表面に樹脂被膜２の断片等が残っていなかった。次に、絶縁基材１を無電解めっき液（ＣＭ３２８Ａ，ＣＭ３２８Ｌ、ＣＭ３２８Ｃ、シプレイ・ファーイースト（株）製）に浸漬させて無電解銅めっき処理を行った。無電解銅めっき処理により、回路溝３に無電解銅めっき層６ａが析出し、電気回路６が形成された。尚、無電解銅めっき処理された絶縁基材１の表面をＳＥＭ（走査型顕微鏡）により観察したところ、溝形成加工された部分（回路溝３の部分）のみに、正確に無電解めっき層６ａが形成されていた。

このようにして形成された回路基板Ａでは、電気回路６のライン幅Ｌが２０μｍで、高密度部３０における隣り合う電気回路６、６の間隔ＷＨが２０μｍで、低密度部３１における隣り合う電気回路６、６の間隔ＷＬが５００００μｍであった。また、上記の回路基板Ａでは、エロージョンのような凹みは形成されず、高密度部３０における絶縁基材１及び電気回路６の各表面と、低密度部３１における絶縁基材１及び電気回路６の各表面とが面一に形成されていた。

そして、この回路基板Ａの表面にプリプレグを重ね合わせた後、加熱加圧成形して絶縁層を形成すると、圧力低下が生じないようにすることができ、積層カスレ不良が発生しなかった。また、前記絶縁層の表面に回路形成を形成した場合にレーザー加工深度がばらつかないようにすることができ、導体断面積（電気回路の断面積）のばらつきや電気回路の抵抗値に影響を与えないようにすることができた。さらに、前記絶縁層の厚みが電気回路の低密度部と高密度部で一定であるため、電気回路の低密度部と高密度部とでインピーダンスがばらつかずに回路設計の余裕があった。

（実施例２）
スチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）サスペンジョン（日本ゼオン（株）製、酸当量６００、粒子径２００ｎｍ、固形分１５％）の代わりに、カルボキシル基含有重合体（日本ゼオン（株）製、酸当量５００、重量平均分子量２５０００、固形分２０％）を用いた以外、実施例１と同様に行った。

このとき、ｐＨ１４の水酸化ナトリウム５％水溶液に対する膨潤度は１０００％であった。一方、ｐＨ１の塩酸５％水溶液に対する膨潤度は３０％であった。

Ａ回路基板
１絶縁基材
３回路溝
６電気回路
３０高密度部
３１低密度部

Claims

絶縁基材に複数の回路溝を有し、各回路溝に充填されためっき層により電気回路が形成された回路基板であって、前記電気回路が密に形成された高密度部と、疎に形成された低密度部とを有し、高密度部における絶縁基材及び電気回路の各表面と、低密度部における絶縁基材及び電気回路の各表面とが面一に形成されて成ることを特徴とする回路基板。
絶縁基材に複数の回路溝を有し、各回路溝に充填されためっき層により電気回路が形成された回路基板であって、前記電気回路が密に形成された高密度部と、疎に形成された低密度部とを有し、高密度部における絶縁基材の回路溝の形成面と反対側の面から回路溝の底部までの距離と、低密度部における絶縁基材の回路溝の形成面と反対側の面から回路溝の底部までの距離とが、等しく形成されて成ることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
絶縁基材に複数の回路溝を有し、各回路溝に充填されためっき層により電気回路が形成された回路基板であって、前記電気回路が密に形成された高密度部と、疎に形成された低密度部とを有し、高密度部における電気回路の導体厚みと、低密度部における電気回路の導体厚みとが、等しく形成されて成ることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。