JP2011082359A - Device and method for processing substrate - Google Patents

Device and method for processing substrate Download PDF

Info

Publication number
JP2011082359A
JP2011082359A JP2009233692A JP2009233692A JP2011082359A JP 2011082359 A JP2011082359 A JP 2011082359A JP 2009233692 A JP2009233692 A JP 2009233692A JP 2009233692 A JP2009233692 A JP 2009233692A JP 2011082359 A JP2011082359 A JP 2011082359A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
chemical
chemical solution
tank
stirring blade
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009233692A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kunihiko Nishimura
邦彦 西村
Shigeru Matsuno
繁 松野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2009233692A priority Critical patent/JP2011082359A/en
Publication of JP2011082359A publication Critical patent/JP2011082359A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device for processing a substrate, capable of suppressing degradation of etching speed due to stay of a low-concentration chemical, in a horizontal transport type device for processing a substrate. <P>SOLUTION: The device 1 for processing a substrate includes: a chemical tank 101 for storing a chemical 102 for performing a surface treatment of a substrate 106; a plurality of transport rollers 103, rotatably arranged in the chemical tank 101, for transporting the substrate 106; and agitation means 107, arranged between the transport rollers, for agitating the chemical 102 stored in the chemical tank 101. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板表面を湿式エッチングするための装置およびその処理方法に関するものである。   The present invention relates to an apparatus for wet etching a substrate surface and a processing method thereof.

結晶シリコン太陽電池の製造工程には、基板表面を薬液処理する、いわゆる湿式エッチング工程がいくつか存在する。主なものは、基板スライス時のダメージを除去するためのダメージエッチ工程、光閉じ込めのための凹凸構造すなわちテクスチャ構造を形成するためのテクスチャエッチ工程、基板表裏に形成されたｐｎ接合のうち、裏面のｐｎ接合を除去するためのｐｎ分離エッチング工程などがある。   In the manufacturing process of the crystalline silicon solar cell, there are several so-called wet etching processes in which the substrate surface is treated with a chemical solution. Mainly, the damage etching process for removing damage at the time of slicing the substrate, the texture etching process for forming the uneven structure for light confinement, that is, the texture structure, and the back surface of the pn junction formed on the front and back of the substrate There is a pn isolation etching process for removing the pn junction.

一般的なエッチングの方法としては、基板ホルダに複数枚の基板を装着し、薬液を満たした薬液槽にホルダごと浸漬して、基板表裏面をエッチング液に接触させる方法がある。基板同士を２ｍｍ程度の空隙を設けて、面同士を対向させる配置でホルダに装着し、薬液液面に対して基板面を直交させた状態で浸漬するのが一般的である。以下、この方法を浸漬方式と呼ぶ。   As a general etching method, there is a method in which a plurality of substrates are mounted on a substrate holder, the holder is immersed in a chemical tank filled with a chemical solution, and the front and back surfaces of the substrate are brought into contact with the etching solution. In general, the substrates are mounted on a holder with a gap of about 2 mm between the substrates so that the surfaces are opposed to each other, and immersed in a state in which the substrate surfaces are orthogonal to the liquid surface. Hereinafter, this method is called an immersion method.

浸漬方式では、多数の基板を同時に処理できることが利点であるが、以下に示す課題がある。すなわち、ホルダと接触する基板部分でのエッチングむらが発生する。この部分では薬液の入れ替わりが周囲とは異なるため、その部分のエッチング進行が他の部分と異なりエッチングむらを生ずる。   The immersion method is advantageous in that a large number of substrates can be processed simultaneously, but has the following problems. That is, uneven etching occurs at the substrate portion that contacts the holder. In this portion, since the replacement of the chemical solution is different from the surroundings, the etching progress in that portion is different from that in other portions, resulting in uneven etching.

別の課題として、基板上部と下部でのエッチング量の差が挙げられる。シリコン基板をエッチングする際のエッチング液としてＮａＯＨやＫＯＨ等のアルカリ水溶液、またはフッ酸硝酸混合液等を使用する場合、反応に応じて気泡が発生する。基板を立てて浸漬すると、基板間の空隙の下部よりも上部のほうの気泡密度が高くなり、エッチング速度が落ちる。このようにして基板上下でエッチングむらが発生する。   Another problem is the difference in the etching amount between the upper part and the lower part of the substrate. When an alkaline aqueous solution such as NaOH or KOH or a hydrofluoric acid nitric acid mixed solution or the like is used as an etching solution for etching the silicon substrate, bubbles are generated according to the reaction. When the substrate is stood and immersed, the bubble density in the upper part is higher than the lower part of the gap between the substrates, and the etching rate is lowered. In this way, uneven etching occurs above and below the substrate.

また、ｐｎ分離エッチングでは、裏面のみをエッチングする必要があるが、浸漬方式では、エッチング液は基板表裏に接触するため、表裏ともエッチングされてしまう。これを防止するためには、エッチングを阻止するマスクの表面側への形成が必要となる。   Further, in the pn separation etching, it is necessary to etch only the back surface, but in the immersion method, the etching solution contacts the front and back of the substrate, so that both the front and back are etched. In order to prevent this, it is necessary to form a mask on the surface side to prevent etching.

以上の課題を解決するために、例えば特許文献１では、薬液を満たした薬液槽の液面近くに略等間隔に基板搬送ローラーを配置し、その上に基板を転がしながら搬送する装置が提案されている。以下、この方式を水平搬送方式と呼ぶ。水平搬送方式は、基板下部が薬液へ接触するよう液面を上昇させているため、表面にはエッチング液が接触しにくい。したがって、ｐｎ分離エッチングのように裏面のみをエッチングする必要がある場合に好適である。また水平搬送方式において、液面を基板よりも上部まで上昇させれば、基板表裏ともにエッチングすることが可能である。反応により発生した気泡は、基板上部では液面に向かって浮上し、基板下部では基板搬送ローラーと基板との接触部に導かれて基板外へ排出される。このため、気泡によるエッチングむらは低減される。   In order to solve the above problems, for example, Patent Document 1 proposes an apparatus in which substrate transport rollers are arranged at approximately equal intervals near the liquid surface of a chemical solution tank filled with a chemical solution, and the substrate is conveyed while rolling the substrate thereon. ing. Hereinafter, this method is referred to as a horizontal conveyance method. In the horizontal transfer method, the liquid level is raised so that the lower part of the substrate comes into contact with the chemical solution, so that the etching solution is unlikely to contact the surface. Therefore, it is suitable when it is necessary to etch only the back surface as in pn isolation etching. In the horizontal transfer method, if the liquid level is raised above the substrate, it is possible to etch both the front and back of the substrate. Bubbles generated by the reaction rise toward the liquid surface at the upper part of the substrate, and are guided to a contact portion between the substrate transport roller and the substrate at the lower part of the substrate and discharged out of the substrate. For this reason, etching unevenness due to bubbles is reduced.

特開２００６−１９６７８４号公報JP 2006-196784 A

しかしながら、エッチングに用いられる薬液は、基板と反応することでエッチングに寄与する成分の濃度が低下する。以下、エッチングに寄与する成分の濃度が低下した薬液を低濃度薬液といい、エッチングに寄与する成分が低下する前の薬液を高濃度薬液という。水平搬送方式では、基板搬送ローラーと基板とに囲まれた領域に薬液が滞留しやすく、薬液の入れ替えがなされにくい。そのため、エッチングで生じた低濃度薬液が基板搬送ローラーと基板とに囲まれた基板表面付近の領域に滞留し、エッチングの進行にしたがってエッチング速度が低下していくという問題があった。特に、薬液としてＨＦ／ＨＮＯ３を用いた場合には、基板との反応により薬液の温度が上昇するため、基板搬送ローラーと基板とに囲まれた基板表面付近の領域に、低濃度薬液が滞留しやすいという問題があった。   However, the chemical solution used for etching reduces the concentration of components that contribute to etching by reacting with the substrate. Hereinafter, a chemical solution in which the concentration of a component contributing to etching is reduced is referred to as a low concentration chemical solution, and a chemical solution before the component contributing to etching is reduced is referred to as a high concentration chemical solution. In the horizontal conveyance method, the chemical solution is likely to stay in an area surrounded by the substrate conveyance roller and the substrate, and the chemical solution is not easily replaced. Therefore, there has been a problem that the low concentration chemical solution generated by etching stays in a region near the substrate surface surrounded by the substrate transport roller and the substrate, and the etching rate decreases as the etching progresses. In particular, when HF / HNO3 is used as the chemical solution, the temperature of the chemical solution rises due to the reaction with the substrate. Therefore, the low concentration chemical solution stays in the region near the substrate surface surrounded by the substrate transport roller and the substrate. There was a problem that it was easy.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、水平搬送方式の基板処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板処理装置を得ることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing a decrease in etching rate due to retention of a low concentration chemical solution in a horizontal transfer type substrate processing apparatus.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、基板の表面処理を行う薬液を収容する薬液槽と、薬液槽内に回転自在に設けられて基板を搬送する複数の搬送ローラーと、搬送ローラーの間に設けられて、薬液槽に収容された薬液を攪拌する攪拌手段と、を有することを特徴とする。   In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention includes a chemical tank that stores a chemical liquid that performs substrate surface treatment, and a plurality of transport rollers that are rotatably provided in the chemical liquid tank and transport the substrate. And a stirring means that is provided between the transport rollers and stirs the chemical liquid stored in the chemical tank.

本発明によれば、攪拌手段により薬液を攪拌することで、低濃度薬液と高濃度薬液との入れ替えを促進して、エッチング速度の低下を抑えることができるという効果を奏する。   According to the present invention, by stirring the chemical solution by the stirring means, it is possible to promote the replacement of the low-concentration chemical solution and the high-concentration chemical solution and suppress the decrease in the etching rate.

図１は、本発明の実施の形態１に係る基板処理装置の断面構造を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional structure of a substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. 図２は、薬液槽部分の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the chemical tank portion. 図３は、本発明の実施の形態２に係る基板処理装置の薬液槽部分の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a chemical tank portion of the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.

以下に、本発明にかかる基板処理装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。   Embodiments of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the embodiments.

実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る基板処理装置１の断面構造を示す模式図である。薬液槽１０１には薬液１０２が満たされている。薬液槽エッジ１１８からあふれた薬液１０２はオーバーフロー槽１０８内にこぼれ落ち、こぼれ落ちた薬液１０２はドレンライン１１５を経由して、バッファータンク１１３へ注入される。バッファータンク１１３内の薬液１０２は、循環ポンプ１１４により循環ライン１１６を経由して再び薬液槽１０１へ注入される。循環ライン１１６からの薬液流れが薬液槽１０１の薬液面に波立ちを発生させないように整流板１１７が設けられている。 Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional structure of a substrate processing apparatus 1 according to Embodiment 1 of the present invention. The chemical solution tank 101 is filled with a chemical solution 102. The chemical liquid 102 overflowing from the chemical liquid tank edge 118 is spilled into the overflow tank 108, and the chemical liquid 102 spilled down is injected into the buffer tank 113 via the drain line 115. The chemical solution 102 in the buffer tank 113 is again injected into the chemical solution tank 101 via the circulation line 116 by the circulation pump 114. A rectifying plate 117 is provided so that the chemical liquid flow from the circulation line 116 does not generate ripples on the chemical liquid surface of the chemical tank 101.

薬液槽１０１の外側と内側に、複数の搬送ローラー１０３が回転自在に設けられている。搬送ローラー１０３は、互いの回転軸が平行かつ略水平な直線に並列されて配置されている。搬送ローラー１０３を回転させることで、搬送ローラー１０３上の基板１０６を搬送することができる。基板１０６が基板搬送方向１０５に沿って搬送される間に、基板下面が薬液に接触することで、エッチング処理がなされる。   A plurality of transport rollers 103 are rotatably provided outside and inside the chemical tank 101. The transport rollers 103 are arranged such that their rotation axes are arranged in parallel on a parallel and substantially horizontal straight line. The substrate 106 on the transport roller 103 can be transported by rotating the transport roller 103. While the substrate 106 is transported along the substrate transport direction 105, the lower surface of the substrate comes into contact with the chemical solution, so that an etching process is performed.

このとき、搬送ローラー１０３と薬液液面の位置関係を調整すれば、基板下面のみに薬液１０２を接触させることができ、基板下面のみのエッチング処理が可能となる。具体的には、基板１０６が載置されない場合の薬液液面から、搬送ローラー１０３が２ｍｍの高さまで突出する位置関係とする。基板１０６が搬送ローラー１０３に載置されると、表面張力によって基板下部まで薬液が持ち上がり、基板下部のみに薬液を接触させることができる。また、基板１０６に下向きにかかる表面張力は、基板１０６を搬送ローラー１０３に押し付ける力に加算され、基板１０６と搬送ローラー１０３の間の摩擦力の増大に繋がり、搬送の駆動力を基板１０６に伝える力の増大に寄与する。   At this time, if the positional relationship between the transport roller 103 and the chemical liquid surface is adjusted, the chemical liquid 102 can be brought into contact with only the lower surface of the substrate, and only the lower surface of the substrate can be etched. Specifically, the positional relationship is such that the transport roller 103 protrudes to a height of 2 mm from the chemical liquid surface when the substrate 106 is not placed. When the substrate 106 is placed on the transport roller 103, the chemical solution is lifted to the lower portion of the substrate by the surface tension, and the chemical solution can be brought into contact only with the lower portion of the substrate. Further, the surface tension applied downward to the substrate 106 is added to the force pressing the substrate 106 against the transport roller 103, leading to an increase in the frictional force between the substrate 106 and the transport roller 103, and transmitting the transport driving force to the substrate 106. Contributes to increased power.

薬液槽１０１中の搬送ローラー１０３同士の間には攪拌手段としての攪拌羽根１０７が回転可能に設けられている。攪拌羽根１０７は、搬送ローラー１０３上を搬送される基板１０６に触れない位置に配置されている。攪拌羽根１０７は、４枚の羽根を備えた十字型の断面形状を呈している。攪拌羽根１０７は、回転することで、基板１０６近傍の薬液１０２、特に基板１０６と搬送ローラー１０３とに囲まれた領域の薬液１０２を攪拌する。   A stirring blade 107 as a stirring means is rotatably provided between the transport rollers 103 in the chemical solution tank 101. The stirring blade 107 is disposed at a position where the stirring blade 107 does not touch the substrate 106 conveyed on the conveyance roller 103. The stirring blade 107 has a cross-sectional shape having four blades. The stirring blade 107 rotates to stir the chemical solution 102 in the vicinity of the substrate 106, particularly the chemical solution 102 in the region surrounded by the substrate 106 and the transport roller 103.

図２は、薬液槽部分の平面図である。搬送ローラー１０３から延びる搬送ローラー用軸２０５、および攪拌羽根１０７から延びる攪拌羽根用軸２０６は、薬液槽１０１の外側に設けられた軸受け２０４により固定されており、軸周りの回転動作が可能となっている。   FIG. 2 is a plan view of the chemical tank portion. The transport roller shaft 205 extending from the transport roller 103 and the stirring blade shaft 206 extending from the stirring blade 107 are fixed by a bearing 204 provided outside the chemical tank 101, and can rotate around the shaft. ing.

搬送ローラー用軸２０５の一端には搬送ローラー用ヘリカルギア２０２が同軸に配されており、駆動軸２０１の回転が搬送ローラー用軸２０５に伝播し、搬送ローラー１０３が回転する。搬送ローラー１０３が回転することで、搬送ローラー１０３上に載置された基板１０６が基板搬送方向１０５に搬送される。   A conveyance roller helical gear 202 is coaxially arranged at one end of the conveyance roller shaft 205, and the rotation of the drive shaft 201 propagates to the conveyance roller shaft 205, and the conveyance roller 103 rotates. The substrate 106 placed on the conveyance roller 103 is conveyed in the substrate conveyance direction 105 by the rotation of the conveyance roller 103.

同様に、攪拌羽根用軸２０６の一端に攪拌羽根用ヘリカルギア２０３が同軸に配されており、駆動軸２０１の回転が攪拌羽根用軸２０６に伝播して、攪拌羽根１０７が薬液１０２中で回転する。攪拌羽根１０７が回転することで、薬液１０２が攪拌される。したがって、駆動軸２０１を回転させるだけで、基板１０６の運搬と薬液１０２の攪拌とを同時に行うことができる。また、図示するように、攪拌羽根用ヘリカルギア２０３の直径を、搬送ローラー用ヘリカルギア２０２の直径より小さくすることで、攪拌羽根１０７の回転速度を搬送ローラー１０３の回転速度よりも速くすることができ、攪拌能力の向上を図ることができる。   Similarly, a stirring blade helical gear 203 is coaxially arranged at one end of the stirring blade shaft 206, and the rotation of the drive shaft 201 propagates to the stirring blade shaft 206, so that the stirring blade 107 rotates in the chemical solution 102. To do. The chemical liquid 102 is stirred by the rotation of the stirring blade 107. Accordingly, the substrate 106 can be transported and the chemical solution 102 can be stirred at the same time only by rotating the drive shaft 201. Further, as shown in the figure, the rotation speed of the stirring blade 107 can be made faster than the rotation speed of the conveyance roller 103 by making the diameter of the helical gear 203 for the stirring blade smaller than the diameter of the helical gear 202 for the conveyance roller. The stirring ability can be improved.

図１に戻って、薬液槽１０１を通過した基板１０６の表面には薬液１０２が付着しているが、上下に配置されたエアナイフ１０９から噴出されるエアにより薬液１０２がふるい落とされて、オーバーフロー槽１０８内に落ちる。この構造により、付着した薬液１０２による基板１０６表面の変質が防止できる。また、リンス槽１１１への薬液１０２の持込みを防止することができる。   Returning to FIG. 1, the chemical solution 102 adheres to the surface of the substrate 106 that has passed through the chemical solution tank 101, but the chemical solution 102 is screened out by the air ejected from the air knife 109 arranged above and below, and the overflow tank Falls within 108. With this structure, the surface of the substrate 106 can be prevented from being deteriorated by the attached chemical solution 102. Further, it is possible to prevent the chemical solution 102 from being brought into the rinse tank 111.

リンス槽１１１まで到達した基板１０６は、上下に配置されたリンスシャワーノズル１１０から噴出されるリンス液１１２により十分洗浄される。リンス槽１１１にはリンス液１１２が周囲に飛散しないよう上部カバーが設けられている。基板１０６を洗浄したリンス液１１２は、下部リンス槽で受けられ、槽外へ排出される。リンス工程を経た基板１０６は、乾燥槽１２０に運搬され、上下に配された乾燥用エアナイフ１１９から噴出されるエアにより十分乾燥される。   The substrate 106 that has reached the rinse tank 111 is sufficiently washed with a rinse liquid 112 ejected from rinse shower nozzles 110 disposed above and below. An upper cover is provided in the rinsing tank 111 so that the rinsing liquid 112 is not scattered around. The rinsing liquid 112 that has cleaned the substrate 106 is received in the lower rinsing tank and discharged out of the tank. The substrate 106 that has undergone the rinsing process is transported to the drying tank 120 and sufficiently dried by the air ejected from the drying air knife 119 disposed above and below.

以上説明したように、搬送ローラー１０３の間に設けられた攪拌羽根１０７を回転させることで、搬送ローラー１０３と基板１０６とに囲まれた領域の薬液１０２を攪拌することができるので、低濃度薬液と高濃度薬液の入れ替えが行われやすくなり、エッチング速度の低下を抑えることができる。   As described above, the chemical solution 102 in the region surrounded by the conveyance roller 103 and the substrate 106 can be agitated by rotating the stirring blade 107 provided between the conveyance rollers 103, so that the low concentration chemical solution The high-concentration chemical solution can be easily replaced, and the decrease in the etching rate can be suppressed.

なお、攪拌羽根１０７は、断面形状が十字型のものに限られず、羽根数が増加しても減少してもよい。また、羽根に角度がついていてもよい。また、本実施の形態１では、液面が基板下面に接する位置にある場合を例示したが、基板１０６より上に液面を位置させて、基板１０６の両面を処理するように構成してもよい。この構成の場合も、攪拌羽根１０７によってエッチング速度の低下を抑える効果を得ることができる。   The stirring blade 107 is not limited to a cross-shaped cross section, and may be decreased or increased in number. Further, the blades may have an angle. Further, in the first embodiment, the case where the liquid surface is in a position in contact with the lower surface of the substrate is illustrated, but the liquid surface may be positioned above the substrate 106 so that both surfaces of the substrate 106 are processed. Good. Also in this configuration, the effect of suppressing a decrease in the etching rate can be obtained by the stirring blade 107.

また、攪拌羽根１０７が設けられる位置は、搬送ローラー１０３の間に限られない。攪拌羽根１０７の回転により、搬送ローラー１０３と基板１０６とに囲まれた領域の薬液１０２を流動させることができる位置であればよく、例えば、図１に示した位置よりも下方に位置させても構わない。攪拌羽根１０７の回転により、高濃度薬液が搬送ローラー１０３と基板１０６とに囲まれた領域に送り込まれてエッチング速度の低下を抑えることができる。   Further, the position where the stirring blade 107 is provided is not limited to between the transport rollers 103. Any position can be used as long as the chemical solution 102 in the region surrounded by the transport roller 103 and the substrate 106 can be flowed by the rotation of the stirring blade 107. For example, the position may be lower than the position shown in FIG. I do not care. By the rotation of the stirring blade 107, the high-concentration chemical solution is sent into a region surrounded by the transport roller 103 and the substrate 106, and a decrease in the etching rate can be suppressed.

実施の形態２．
図３は、本発明の実施の形態２に係る基板処理装置の薬液槽部分の平面図である。実施の形態１と同様の構成については、同様の符号を付し、詳細な説明を省略する。本実施の形態２では、搬送ローラー１０３とは独立して攪拌羽根１０７を回転駆動させる攪拌駆動手段として、攪拌羽根用駆動軸３０１を備えることを特徴とする。図３に示すように、搬送ローラー１０３を駆動するための駆動軸２０１とは別に、攪拌羽根１０７を駆動するための攪拌羽根用駆動軸３０１を備える。攪拌羽根用駆動軸３０１は、薬液槽１０１を挟んだ駆動軸２０１の反対側に設けられる。 Embodiment 2. FIG.
FIG. 3 is a plan view of a chemical tank portion of the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. The same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. The second embodiment is characterized in that a stirring blade drive shaft 301 is provided as stirring driving means for rotating the stirring blade 107 independently of the transport roller 103. As shown in FIG. 3, a stirring blade driving shaft 301 for driving the stirring blade 107 is provided separately from the driving shaft 201 for driving the transport roller 103. The stirring blade drive shaft 301 is provided on the opposite side of the drive shaft 201 across the chemical solution tank 101.

攪拌羽根用ヘリカルギア２０３は、搬送ローラー用ヘリカルギア２０２と異なる一端に配され、攪拌羽根用駆動軸３０１に接続される。これにより、搬送ローラー１０３と攪拌羽根１０７を搬送ローラー１０３から独立して回転させることが可能となる。この場合、攪拌羽根１０７の回転速度を、搬送ローラー１０３の回転速度に関係なく定めることができる。また、搬送ローラー１０３の回転速度に関係なく攪拌羽根１０７の回転速度を適宜変更することも可能である。   The stirring blade helical gear 203 is disposed at one end different from the conveying roller helical gear 202 and is connected to the stirring blade drive shaft 301. Thereby, the conveyance roller 103 and the stirring blade 107 can be rotated independently from the conveyance roller 103. In this case, the rotation speed of the stirring blade 107 can be determined regardless of the rotation speed of the transport roller 103. In addition, the rotation speed of the stirring blade 107 can be changed as appropriate regardless of the rotation speed of the transport roller 103.

薬液１０２としてフッ酸硝酸混合液を用いてシリコン基板をエッチングする場合、フッ酸硝酸混合液とシリコンとの反応速度が十分速いため、基板近傍での高濃度薬液と低濃度薬液との入れ替えがエッチング速度に大きく影響する。例えば、５０％フッ酸と６９％硝酸とを、体積比で１：１０の比率で薬液槽１０１に投入して薬液１０２を構成し、シリコン基板をエッチングする際に、攪拌羽根１０７の回転速度によってエッチング速度を変化させることができる。すなわち、攪拌羽根１０７の回転速度を変化させることで、基板１０６のエッチング速度も変化させることができる。なお、上述したフッ酸硝酸混合液やシリコン基板は、薬液１０２や基板１０６の一例を示したに過ぎず、他の種類の薬液や基板を用いてももちろん構わない。   When a silicon substrate is etched using a hydrofluoric acid nitric acid mixed solution as the chemical solution 102, the reaction rate between the hydrofluoric acid nitric acid mixed solution and silicon is sufficiently fast. The speed is greatly affected. For example, 50% hydrofluoric acid and 69% nitric acid are introduced into the chemical solution tank 101 at a volume ratio of 1:10 to form the chemical solution 102, and the silicon substrate is etched depending on the rotational speed of the stirring blade 107. The etching rate can be changed. That is, by changing the rotation speed of the stirring blade 107, the etching speed of the substrate 106 can also be changed. In addition, the hydrofluoric acid nitric acid mixed solution and the silicon substrate described above are merely examples of the chemical solution 102 and the substrate 106, and other types of chemical solutions and substrates may be used as a matter of course.

本実施の形態２では、搬送ローラー１０３の回転速度に関係なく攪拌羽根１０７の回転速度を制御することができるので、攪拌羽根１０７の回転速度を変化させることで基板１０６のエッチング速度を制御することができる。したがって、攪拌羽根１０７の回転速度を調整することで、薬液の温度の変化や薬液の液寿命によるエッチング速度の変動を抑制して、安定したエッチング速度でのエッチング処理を行うことができる。これにより、基板処理装置によって表面処理された基板の品質の安定化を図ることができる。   In the second embodiment, since the rotation speed of the stirring blade 107 can be controlled regardless of the rotation speed of the transport roller 103, the etching speed of the substrate 106 is controlled by changing the rotation speed of the stirring blade 107. Can do. Therefore, by adjusting the rotation speed of the stirring blade 107, it is possible to perform the etching process at a stable etching rate by suppressing the variation in the etching rate due to the change in the temperature of the chemical solution and the life of the chemical solution. Thereby, the quality of the substrate surface-treated by the substrate processing apparatus can be stabilized.

以上のように、本発明にかかる基板処理装置は、基板の表面処理に有用であり、特に、エッチング処理に適している。   As described above, the substrate processing apparatus according to the present invention is useful for the surface treatment of a substrate and is particularly suitable for an etching process.

１ 基板処理装置
１０１ 薬液槽
１０２ 薬液
１０３ 搬送ローラー
１０５ 基板搬送方向
１０６ 基板
１０７ 攪拌羽根
１０８ オーバーフロー槽
１０９ エアナイフ
１１０ リンスシャワーノズル
１１１ リンス槽
１１２ リンス液
１１３ バッファータンク
１１４ 循環ポンプ
１１５ ドレンライン
１１６ 循環ライン
１１７ 整流板
１１８ 薬液槽エッジ
１１９ 乾燥用エアナイフ
１２０ 乾燥槽
２０１ 駆動軸
２０２ 搬送ローラー用ヘリカルギア
２０３ 攪拌羽根用ヘリカルギア
２０４ 軸受け
２０５ 搬送ローラー用軸
２０６ 攪拌羽根用軸
３０１ 攪拌羽根用駆動軸 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 101 Chemical solution tank 102 Chemical solution 103 Conveyance roller 105 Substrate conveyance direction 106 Substrate 107 Stirring blade 108 Overflow tank 109 Air knife 110 Rinse shower nozzle 111 Rinse tank 112 Rinse liquid 113 Buffer tank 114 Circulation pump 115 Drain line 116 Circulation line 117 Rectification Plate 118 Chemical solution tank edge 119 Drying air knife 120 Drying tank 201 Drive shaft 202 Helical gear for conveying roller 203 Helical gear for stirring blade 204 Bearing 205 Shaft for conveying roller 206 Shaft for stirring blade 301 Driving shaft for stirring blade

Claims (4)

基板の表面処理を行う薬液を収容する薬液槽と、
前記薬液槽内に回転自在に設けられて前記基板を搬送する複数の搬送ローラーと、
前記搬送ローラーの間に設けられて、前記薬液槽に収容された薬液を攪拌する攪拌手段と、を有することを特徴とする基板処理装置。 A chemical bath for storing a chemical for surface treatment of the substrate;
A plurality of transport rollers that are rotatably provided in the chemical tank and transport the substrate;
A substrate processing apparatus, comprising: a stirring unit that is provided between the transport rollers and stirs the chemical solution stored in the chemical solution tank. 前記攪拌手段は、前記搬送ローラーの回転軸と略平行な軸周りに回転自在に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the agitation unit is provided to be rotatable about an axis substantially parallel to a rotation axis of the transport roller. 前記攪拌手段を前記搬送ローラーから独立して駆動させる攪拌駆動手段をさらに有することを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising an agitation drive unit that drives the agitation unit independently from the transport roller. 基板の表面処理を行う薬液槽内に回転自在に設けられた複数の搬送ローラーを回転させて基板を搬送し、
前記薬液槽内であって、前記搬送ローラーの間に設けられた攪拌手段を駆動させて薬液を攪拌することを特徴とする基板処理方法。 The substrate is transported by rotating a plurality of transport rollers rotatably provided in the chemical tank for performing the surface treatment of the substrate,
A substrate processing method characterized in that the chemical solution is stirred by driving a stirring means provided in the chemical solution tank and between the transport rollers.
JP2009233692A 2009-10-07 2009-10-07 Device and method for processing substrate Pending JP2011082359A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009233692A JP2011082359A (en) 2009-10-07 2009-10-07 Device and method for processing substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009233692A JP2011082359A (en) 2009-10-07 2009-10-07 Device and method for processing substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011082359A true JP2011082359A (en) 2011-04-21

Family

ID=44076100

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009233692A Pending JP2011082359A (en) 2009-10-07 2009-10-07 Device and method for processing substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011082359A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102386086A (en) * 2011-11-10 2012-03-21 北京七星华创电子股份有限公司 Roller and etching cleaning machine
KR20130123675A (en) * 2012-05-03 2013-11-13 주식회사 탑 엔지니어링 Substrate etching apparatus

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62261126A (en) * 1986-05-08 1987-11-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Surface processor
JPH03123551U (en) * 1990-03-29 1991-12-16
JP2001036216A (en) * 1999-07-22 2001-02-09 Ngk Spark Plug Co Ltd Method and device for etching surface of wiring board
JP2004207403A (en) * 2002-12-24 2004-07-22 Matsushita Electric Works Ltd Surface treatment method of wiring board
JP2005029846A (en) * 2003-07-14 2005-02-03 Seiko Epson Corp Method and system for etching

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62261126A (en) * 1986-05-08 1987-11-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Surface processor
JPH03123551U (en) * 1990-03-29 1991-12-16
JP2001036216A (en) * 1999-07-22 2001-02-09 Ngk Spark Plug Co Ltd Method and device for etching surface of wiring board
JP2004207403A (en) * 2002-12-24 2004-07-22 Matsushita Electric Works Ltd Surface treatment method of wiring board
JP2005029846A (en) * 2003-07-14 2005-02-03 Seiko Epson Corp Method and system for etching

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102386086A (en) * 2011-11-10 2012-03-21 北京七星华创电子股份有限公司 Roller and etching cleaning machine
KR20130123675A (en) * 2012-05-03 2013-11-13 주식회사 탑 엔지니어링 Substrate etching apparatus
KR102023897B1 (en) * 2012-05-03 2019-09-25 주식회사 탑 엔지니어링 Substrate etching apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7943526B2 (en) Process for the wet-chemical treatment of one side of silicon wafers
US20100307540A1 (en) Method for processing a semiconductor substrate surface and a chemical processing device for the semiconductor substrate surface
JP5798505B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20120026131A (en) Wet treatment device and wet treatment method
JP2006196781A (en) Substrate surface processor
KR20120071310A (en) Liquid processing method, liquid processing apparatus and recording medium
KR20090051930A (en) Apparatus and method for cleaning substrate
JP2011082359A (en) Device and method for processing substrate
JP2010114123A (en) Substrate processing apparatus and method
US20120240963A1 (en) Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer
KR101932329B1 (en) Method for producing glass substrate, glass substrate, and display panel
JP5908078B2 (en) Chemical treatment equipment
JP2011100872A (en) Substrate surface processing apparatus, substrate processing method, and method of manufacturing photovoltaic device
JP2007067355A (en) Apparatus and method for substrate surface treatment
KR100527307B1 (en) Substrate processing apparatus
CN111640692B (en) Cleaning auxiliary device and cleaning device for wafer
JP2006080417A (en) Method and device for board processing
CN214043613U (en) Wafer soaking and cleaning device
CN114743894A (en) Wafer soaking and cleaning device
JP2005244130A (en) Method and apparatus for processing substrate
CN113614890A (en) Etching method and etching apparatus for silicon wafer
JP2006303042A (en) Substrate surface processing apparatus
JP5016430B2 (en) Substrate processing equipment
JP2014069126A (en) Substrate treatment apparatus
CN110565170A (en) etching device and method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110930

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120809

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120814

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121204