JP2006196781A - Substrate surface processor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、たとえばシリコンウエハなどの基板の表面を化学的に処理することに用いる基板表面処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate surface treatment apparatus used for chemically treating the surface of a substrate such as a silicon wafer.
たとえば電子デバイスの製造プロセスにおいては、デバイスを構成する部材である基板に対する化学的な表面処理が多用されている。基板に対する化学的な表面処理は、反応性ガスによるドライ(乾式)プロセスと、化学的薬液によるウェット(湿式)プロセスとに分けられる。また処理基板枚数および基板の処理面の観点からは、複数の平板状基板を処理液に同時に浸漬させて全面処理するバッチ処理、また平板状基板の片面のみを処理液に接液させて処理する枚葉処理に分けられる。 For example, in the manufacturing process of an electronic device, chemical surface treatment for a substrate which is a member constituting the device is frequently used. The chemical surface treatment for the substrate is divided into a dry process using a reactive gas and a wet process using a chemical solution. From the viewpoint of the number of processing substrates and the processing surface of the substrate, batch processing in which a plurality of flat substrates are simultaneously immersed in the processing liquid to process the entire surface, or only one surface of the flat substrate is in contact with the processing liquid for processing. Divided into single wafer processing.
平板状の形状を有する基板の片面のみを処理するプロセスは、ガラス基板、シリコンウエハなどを対象として、たとえば洗浄、表面変質層の除去、薄肉化、表面形状の加工などに多用されている。 Processes for processing only one side of a substrate having a flat plate shape are frequently used for glass substrates, silicon wafers, etc., for example, for cleaning, removal of a surface-affected layer, thinning, surface shape processing, and the like.
反応性ガスによるドライプロセスは、基板ステージに密着して基板が設置されており、基板ステージに密着している裏面側には処理ガスがほとんど届かないので、片面のみの処理を実施し易い。しかしながら、ウェットプロセスに比べて、ドライプロセスの装置は、真空排気系、ガス供給系などの設備が大掛かりになるので設備コストが高く、また材料ガスコストも高いという問題があるので、従来ウェットプロセスが汎用されている。 In the dry process using a reactive gas, the substrate is placed in close contact with the substrate stage, and the processing gas hardly reaches the back side that is in close contact with the substrate stage. However, compared to the wet process, the dry process equipment requires a large amount of equipment such as a vacuum exhaust system and a gas supply system, resulting in high equipment costs and high material gas costs. It is widely used.
図9は、従来の基板表面処理装置1の構成を簡略化して示す図である。基板表面処理装置1は、ウェットプロセスによる基板表面処理装置であり、基板2の表面処理に用いる処理液3を収容する処理液槽4と、処理液槽4の処理液3を循環させるためのポンプ5および噴出口6とを含んで構成される。
FIG. 9 is a diagram showing a simplified configuration of a conventional substrate surface processing apparatus 1. The substrate surface treatment apparatus 1 is a substrate surface treatment apparatus based on a wet process, and includes a
基板表面処理装置1は、処理液槽4に収容される処理液3によって、基板2の片面のみを化学的に処理する。なお、処理液3によって化学的に処理される側の面を処理面2aと呼び、処理面2aと反対側の面を非処理面2bと呼ぶ。
The substrate surface treatment apparatus 1 chemically treats only one side of the
基板2は、たとえば、非処理面2bにデバイスが形成されるシリコン基板であり、デバイスが形成される非処理面2bに表面保護材7が被覆される。基板2は、不図示の搬送ロボットに備えられる真空チャック8によって真空吸着される。不図示の搬送ロボットは、真空チャック8によって真空吸着される基板2を搬送することができ、また基板2を回転させる回転手段を備える。
The
処理液槽4には処理液3が収容され、処理液槽4の底部に処理液吸引孔が形成され、該処理液吸引孔に配管9が接続される。また配管9の他方がポンプ5に接続され、処理液槽4に収容される処理液3は、配管9を介してポンプ5で吸引され、噴出口6から基板2の処理面2aに向うようにして処理液槽4内に噴出される。このようにして、処理液槽4中の処理液3が循環される。
The
基板表面処理装置1は、搬送ロボットの真空チャック8によって基板2を真空吸着して処理液槽4の上方に搬送し、降下させて基板2の処理面2aを処理液3の表面に接触させる。基板2が処理液3の表面に接触した状態で搬送ロボットの回転手段によって基板2を回転させ、処理液3によって基板2の処理面2aをエッチングする。
The substrate surface processing apparatus 1 vacuum-sucks the
ここで、処理液3としては、フッ化水素酸と硝酸との混酸が汎用されている。しかしながら、このような基板表面処理装置1を用いるウェットプロセスでは、基板2を構成するシリコンと処理液3とが反応して酸素、酸化窒素、過酸化窒素などの反応ガス10が発生し、反応ガス10の気泡が基板2の処理面2a表面に付着して成長する。処理面2aに付着する反応ガス10の気泡は容易に離脱せず、反応ガス10が存在することによって処理液3と基板2との接触が妨げられる。反応ガス10の存在によって処理液3と基板2との接触が妨げられると、基板2の処理面2aの表面処理を行うことができず、処理面2aにエッチングのむらが生じる。このことによって基板2の厚みにむらを生じるという問題がある。
Here, as the
このような問題を解決するために、基板と処理液との反応によって発生する反応ガスを除去しながら基板の表面処理を行う基板表面処理装置が提案されている(たとえば、特許文献1および2参照)。 In order to solve such a problem, there has been proposed a substrate surface treatment apparatus that performs surface treatment of a substrate while removing a reaction gas generated by the reaction between the substrate and a treatment liquid (see, for example, Patent Documents 1 and 2). ).
図10は特許文献1に開示の基板表面処理装置11の構成を簡略化して示す図であり、図11は図10に示す基板表面処理装置11に含まれる処理液槽12の上面図である。基板表面処理装置11は、前述の従来の基板表面処理装置1に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。
10 is a diagram showing a simplified configuration of the substrate
基板表面処理装置11に含まれる処理液槽12には、略直角三角形の平板状のガス除去板13が、噴出口6を中心として放射状に複数配置され、該ガス除去板13を固定するように、処理液槽12より一回り小さい液溜部14が設けられる。噴出口6から噴出される処理液3は、液溜部14に形成される逆円錐形状の空間部分に貯留され、一定量を超える量の処理液3は液溜部14の周縁部から処理液槽12に排出されて配管9およびポンプ5によって再び噴出口6から噴出される。
In the
このような基板表面処理装置11を用いて前述の基板表面処理装置1と同様にして基板2の表面処理を行うと、基板2の処理面2aに発生した反応ガスを、基板2の回転とガス除去板13とによって除去することができ、むらのない良好なエッチングを行うことができる。
When the surface treatment of the
図12は特許文献2に開示の基板表面処理装置21の構成を簡略化して示す図であり、図13は図12に示す基板2および払拭手段22の切断面線XIII−XIIIにおける断面図である。基板表面処理装置21は、前述の従来の基板表面処理装置1に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。
FIG. 12 is a diagram showing a simplified configuration of the substrate
基板表面処理装置21には、基板2の処理面2aに発生する反応ガス10を除去する払拭手段22が備えられる。払拭手段22は、複数の貫通孔23がメッシュ状に開口されるメッシュ保持筒24の表面に、延伸多孔質なポリテトラフルオロエチレン膜25が形成される払拭部26と、保持部27によって保持される払拭部26を不図示のワイパー機構に接続して、払拭部26が基板2の処理面2aに沿って往復移動する払拭運動が可能となるような不図示の駆動部と、払拭部26を保持する保持部27に接続される排出管28を介し、払拭部26によって基板2の処理面2aから払拭した反応ガス10を排出する不図示の回転ポンプなどの排出部とを含んで構成される。
The substrate
なお、処理液槽4には、処理液槽4より一回り小さい液溜部4aが設けられ、液溜部4a内に処理液3が収容される。噴出口6から噴出される処理液3は、液溜部4a内に貯留され、一定量を超える量の処理液3は、液溜部4aの上方から液溜部4aと処理液槽4との間に排出されて配管9およびポンプ5によって再び噴出口6から噴出される。
The
このような基板表面処理装置21は、払拭手段22を備えるので、払拭手段22によるワイパー機構によって基板2の処理面2aの全面に亙って往復運動させ、貫通孔23から払拭部26内部に基板2の処理面2aに発生した反応ガス10を吸引するとともに、不図示の排出部によって反応ガス10を外部に排出することができる。
Since the substrate
しかしながら、このような特許文献1および2に開示の表面処理装置には以下のような問題がある。特許文献1および2に開示の表面処理装置は、枚葉処理によって基板の表面処理が行なわれるので、基板の受け渡しに時間がかかる。このような時間を短縮するためには、搬送ロボットが複数必要となる。また複数の基板を同時に処理しようとすると、基板を保持する真空チャックを大きくする必要があり、真空チャックを備える搬送ロボットが大型化するので、装置が複雑で高価なものとなる。
However, such surface treatment apparatuses disclosed in
本発明の目的は、基板の搬送を容易に行えるとともに、基板表面に発生する反応ガスを除去して、均一に基板の表面処理を行うことができる基板表面処理装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide a substrate surface processing apparatus capable of easily transporting a substrate and removing a reaction gas generated on the surface of the substrate to uniformly perform the surface treatment of the substrate.
本発明は、平板状の形状を有する基板の表面を処理する基板表面処理装置において、
基板の表面処理に用いる処理液を収容する処理液槽と、
基板を搬送する搬送ローラであって、処理液槽に収容される処理液中に一部または全部が浸漬され回転自在に設けられる複数の搬送ローラと、
搬送ローラを回転駆動させるローラ駆動手段とを含み、
搬送ローラの回転軸線方向の長さは、
基板の搬送される方向に直交する方向である幅方向における長さである基板幅以上であり、
搬送ローラの表面には、
溝が形成されることを特徴とする基板表面処理装置である。
The present invention provides a substrate surface treatment apparatus for treating the surface of a substrate having a flat plate shape,
A treatment liquid tank for containing a treatment liquid used for substrate surface treatment;
A plurality of conveyance rollers that convey the substrate, and a plurality of conveyance rollers that are rotatably provided by being partially or fully immersed in the treatment liquid stored in the treatment liquid tank;
Roller driving means for rotating the transport roller,
The length of the transport roller in the rotation axis direction is
It is not less than the substrate width that is the length in the width direction that is the direction orthogonal to the direction in which the substrate is conveyed,
On the surface of the transport roller,
A substrate surface treatment apparatus in which grooves are formed.
また本発明は、搬送ローラは、
撥液性材料で構成されることを特徴とする。
In the present invention, the transport roller is
It is composed of a liquid repellent material.
また本発明は、搬送ローラの表面に形成される溝の延びる方向が、
搬送ローラの回転軸線の延びる方向と平行であることを特徴とする。
In the present invention, the direction in which the groove formed on the surface of the transport roller extends is
It is characterized by being parallel to the direction in which the rotation axis of the transport roller extends.
また本発明は、搬送ローラの表面に形成される溝は、
搬送ローラの回転軸線に対して傾斜角度を有するように延びる直線または曲線状に形成されることを特徴とする。
In the present invention, the groove formed on the surface of the transport roller is
It is formed in the shape of a straight line or a curve extending so as to have an inclination angle with respect to the rotation axis of the conveying roller.
また本発明は、搬送ローラの表面に形成される溝は、
基板の搬送される方向に直交する方向である幅方向における中心を通る平面であって、基板の搬送される方向に平行な仮想平面に関して対称に形成されることを特徴とする。
In the present invention, the groove formed on the surface of the transport roller is
A plane passing through the center in the width direction, which is a direction orthogonal to the direction in which the substrate is transported, is formed symmetrically with respect to a virtual plane parallel to the direction in which the substrate is transported.
また本発明は、搬送ローラの表面に形成される溝は、
前記幅方向の中心における形成位置と搬送ローラ幅方向端部における形成位置との搬送ローラの円周方向に関して離隔する距離が、搬送ローラ幅方向の長さの1/2以上であることを特徴とする。
In the present invention, the groove formed on the surface of the transport roller is
The distance at which the formation position at the center in the width direction and the formation position at the end in the width direction of the conveyance roller are separated from each other in the circumferential direction of the conveyance roller is ½ or more of the length in the conveyance roller width direction. To do.
また本発明は、搬送ローラには、
処理液によって処理される基板表面である処理面に接して存在する気体を排出する排出手段が設けられることを特徴とする。
In the present invention, the transport roller includes
A discharge means is provided for discharging a gas existing in contact with a processing surface which is a substrate surface to be processed by the processing liquid.
また本発明は、排出手段は、
搬送ローラの一方の端部に開口し、少なくとも搬送ローラの基板に接する部分の長さに対応する長さにわたって穿たれる排出穴と、
搬送ローラに形成される溝上で外方に開口し、排出穴まで貫通する小排出孔と、
搬送ローラの排出穴に接続される配管と、
配管に設けられる排出ポンプとを含むことを特徴とする。
In the present invention, the discharging means is
A discharge hole opened at one end of the transport roller and drilled over a length corresponding to the length of at least the portion of the transport roller in contact with the substrate;
A small discharge hole that opens outwardly on the groove formed in the transport roller and penetrates to the discharge hole;
A pipe connected to the discharge hole of the transport roller;
And a discharge pump provided in the pipe.
また本発明は、平板状の形状を有する基板の表面を処理する基板表面処理装置において、
基板の表面処理に用いる処理液を収容する処理液槽と、
基板を搬送する搬送ローラであって、処理液槽に収容される処理液中に一部または全部が浸漬され回転自在に設けられる複数の搬送ローラと、
搬送ローラを回転駆動させるローラ駆動手段とを含み、
搬送ローラの回転軸線方向の長さは、
基板の搬送される方向に直交する方向である幅方向における長さである基板幅以上であり、
搬送ローラは、
撥液性材料で構成されることを特徴とする基板表面処理装置である。
Moreover, the present invention provides a substrate surface treatment apparatus for treating the surface of a substrate having a flat plate shape.
A treatment liquid tank for containing a treatment liquid used for substrate surface treatment;
A plurality of conveyance rollers that convey the substrate, and a plurality of conveyance rollers that are rotatably provided by being partially or fully immersed in the treatment liquid stored in the treatment liquid tank;
Roller driving means for rotating the transport roller,
The length of the transport roller in the rotation axis direction is
It is not less than the substrate width that is the length in the width direction that is the direction orthogonal to the direction in which the substrate is conveyed,
The transport roller
A substrate surface processing apparatus comprising a liquid repellent material.
また本発明は、搬送ローラは、
搬送ローラの回転頂部が、処理液槽に収容される処理液の液面よりも高い位置となるように設けられることを特徴とする。
In the present invention, the transport roller is
It is characterized in that the rotation top of the transport roller is provided at a position higher than the liquid level of the processing liquid stored in the processing liquid tank.
また本発明は、搬送ローラの回転頂部と、処理液槽に収容される処理液の液面との距離が、3mm以下であることを特徴とする。 Further, the present invention is characterized in that the distance between the rotation top of the transport roller and the liquid level of the processing liquid stored in the processing liquid tank is 3 mm or less.
また本発明は、前記撥液性材料は、
ポリテトラフルオロエチレンまたは塩化ビニルであることを特徴とする。
In the present invention, the liquid repellent material is
It is characterized by being polytetrafluoroethylene or vinyl chloride.
また本発明は、処理液が、
フッ化水素酸、硝酸、塩酸、水酸化ナトリウム溶液および水酸化カリウム溶液からなる群より選択される1または2以上であることを特徴とする。
In the present invention, the treatment liquid is
1 or 2 or more selected from the group consisting of hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide solution and potassium hydroxide solution.
また本発明は、基板が、
シリコンウエハであることを特徴とする。
In the present invention, the substrate is
It is a silicon wafer.
本発明によれば、基板表面処理装置の処理液槽に収容される処理液中に一部が浸漬され回転自在に設けられる複数の搬送ローラは、その回転軸線方向の長さが基板幅以上であり、その表面の少なくとも基板に接する部位に溝が形成され、処理液によって処理される基板表面である処理面に接して存在する気体を、上記溝を通じて容易に除去することができるので、簡単な構成で、基板を搬送しながら基板表面を均一に処理することができる基板表面処理装置が実現される。また、量産性に優れた平流し方式の基板表面処理装置が安価に提供される。 According to the present invention, the plurality of transport rollers that are partly immersed in the processing liquid stored in the processing liquid tank of the substrate surface processing apparatus and are rotatably provided have a length in the rotation axis direction equal to or larger than the substrate width. A groove is formed at least on the surface of the substrate in contact with the substrate, and the gas existing in contact with the processing surface, which is the substrate surface to be processed with the processing liquid, can be easily removed through the groove. With the configuration, a substrate surface processing apparatus capable of processing the substrate surface uniformly while transporting the substrate is realized. In addition, a flat-flow type substrate surface treatment apparatus excellent in mass productivity is provided at low cost.
また本発明によれば、搬送ローラが撥液性材料で構成される。このような搬送ローラを用いると、搬送ローラが撥液性であるので、基板と搬送ローラとの当接部付近には、搬送ローラの回転軸線方向に平行に処理液が存在しない空間が形成される。したがって、処理液によって処理される基板表面である処理面に接して存在する気体を、上記処理液が存在しない空間と溝とを通じて、一層確実かつ効率的に除去することができる。 According to the invention, the transport roller is made of a liquid repellent material. When such a transport roller is used, since the transport roller is liquid repellent, a space in which no processing liquid exists is formed in the vicinity of the contact portion between the substrate and the transport roller in parallel with the rotation axis direction of the transport roller. The Therefore, the gas existing in contact with the processing surface, which is the substrate surface to be processed with the processing liquid, can be more reliably and efficiently removed through the space and the groove where the processing liquid does not exist.
また本発明によれば、搬送ローラの表面に形成される溝の延びる方向が、搬送ローラの回転軸線の延びる方向と平行であるので、簡単な構成で、搬送ローラの表面に形成される溝によって基板の処理面に存在する気体を除去し、除去された気体を搬送ローラの軸線方向の端面に存在する溝の端部から容易に排出することができる。 Further, according to the present invention, since the extending direction of the groove formed on the surface of the conveying roller is parallel to the extending direction of the rotation axis of the conveying roller, the groove is formed on the surface of the conveying roller with a simple configuration. The gas present on the processing surface of the substrate can be removed, and the removed gas can be easily discharged from the end of the groove existing on the end surface in the axial direction of the transport roller.
また本発明によれば、搬送ローラの表面に形成される溝は、搬送ローラの回転軸線に対して傾斜角度を有するように延びる直線または曲線状に形成されるので、簡単な構成によって基板の処理面に存在する気体を除去するとともに、除去される気体を一層容易に外部へ排出することが可能になる。 Further, according to the present invention, the groove formed on the surface of the transport roller is formed in a straight line or a curved line extending so as to have an inclination angle with respect to the rotation axis of the transport roller. It is possible to remove the gas existing on the surface and discharge the removed gas to the outside more easily.
また本発明によれば、搬送ローラの表面に形成される溝は、基板の搬送される方向に直交する方向である幅方向における中心を通る平面であって、基板の搬送される方向に平行な仮想平面に関して対称に形成される。溝がこのように形成されると、基板の搬送される方向に直交する方向である幅方向における基板の中心付近に存在する気体が、対称に設けられる溝の一方または両方向に案内されて、溝の端部から排出されるので、除去した気体の排出をより効率的かつ迅速に行うことができる。 According to the invention, the groove formed on the surface of the transport roller is a plane that passes through the center in the width direction, which is a direction perpendicular to the transport direction of the substrate, and is parallel to the transport direction of the substrate. It is formed symmetrically with respect to the virtual plane. When the grooves are formed in this way, the gas existing in the vicinity of the center of the substrate in the width direction, which is a direction orthogonal to the direction in which the substrate is transported, is guided in one or both directions of the symmetrically provided grooves. Therefore, the removed gas can be discharged more efficiently and quickly.
また本発明によれば、搬送ローラの表面に形成される溝は、前記幅方向の中心における形成位置と搬送ローラ幅方向端部における形成位置との搬送ローラの円周方向に関して離隔する距離が、搬送ローラ幅方向の長さの1/2以上であるので、搬送ローラが1回転する間に、除去した気体を溝の端部から排出させることができる。 Further, according to the present invention, the groove formed on the surface of the transport roller is spaced apart from the formation position at the center in the width direction and the formation position at the end in the transport roller width direction with respect to the circumferential direction of the transport roller. Since it is 1/2 or more of the length in the width direction of the transport roller, the removed gas can be discharged from the end of the groove while the transport roller rotates once.
また本発明によれば、搬送ローラには、処理液によって処理される基板表面である処理面に接して存在する気体を排出する排出手段が設けられるので、強制的に気体を排出することができ、基板表面をより均一に処理することができる。 Further, according to the present invention, the transport roller is provided with the discharge means for discharging the gas existing in contact with the processing surface, which is the substrate surface processed with the processing liquid, so that the gas can be forcibly discharged. The substrate surface can be processed more uniformly.
また本発明によれば、排出手段は、搬送ローラの一方の端部に開口し、少なくとも搬送ローラの基板に接する部分の長さに対応する長さにわたって穿たれる排出穴と、搬送ローラに形成される溝上で外方に開口し、排出穴まで貫通する小排出孔と、搬送ローラの排出穴に接続される配管と、配管に設けられる排出ポンプとを含む。このような排出手段を備えるので、排出ポンプの吸引力によって、小排出孔および排出穴を介して、気体を強制的に吸引し、排出することができる。 Further, according to the present invention, the discharge means is formed in the discharge roller, which is opened at one end of the transfer roller, and is drilled over a length corresponding to the length of at least the portion of the transfer roller that contacts the substrate. A small discharge hole that opens outwardly on the groove and penetrates to the discharge hole, a pipe connected to the discharge hole of the transport roller, and a discharge pump provided in the pipe. Since such a discharge means is provided, the gas can be forcibly sucked and discharged through the small discharge hole and the discharge hole by the suction force of the discharge pump.
また本発明によれば、基板の表面を処理する基板表面処理装置において、処理液槽に収容される処理液中に一部が浸漬され回転自在に設けられる複数の搬送ローラは、その回転軸線方向の長さが基板幅以上であり、搬送ローラが撥液性材料で構成される。このような搬送ローラを備えると、搬送ローラが撥液性であるので、基板と搬送ローラとの当接部付近には、搬送ローラの回転軸線方向に平行に処理液が存在しない空間が形成され、該処理液が存在しない空間に基板の処理面で発生する気体が吸収され、該空間を通じて基板の処理面に存在する気体を除去することができる。 According to the present invention, in the substrate surface processing apparatus for processing the surface of the substrate, the plurality of transport rollers that are partly immersed in the processing liquid accommodated in the processing liquid tank and are rotatably provided are in the direction of the rotation axis thereof. Is longer than the substrate width, and the transport roller is made of a liquid repellent material. With such a transport roller, since the transport roller is liquid repellent, a space where no processing liquid exists is formed in the vicinity of the contact portion between the substrate and the transport roller in parallel with the rotation axis direction of the transport roller. The gas generated on the processing surface of the substrate is absorbed in the space where the processing liquid does not exist, and the gas existing on the processing surface of the substrate can be removed through the space.
また本発明によれば、搬送ローラは、搬送ローラの回転頂部が、処理液槽に収容される処理液の液面よりも高い位置となるように設けられるので、基板の片面処理の際、処理面と反対側の非処理面に処理液が回込むことなく、片面のみを表面処理することができる。 According to the present invention, the transport roller is provided so that the rotation top of the transport roller is positioned higher than the liquid level of the processing liquid stored in the processing liquid tank. Only one surface can be surface-treated without the treatment liquid flowing into the non-treated surface opposite to the surface.
また本発明によれば、搬送ローラの回転頂部と、処理液槽に収容される処理液の液面との距離が3mm以下と好適範囲に設定されるので、非処理面への処理液の回込みを防ぎつつ、基板の片面のみの表面処理を行うことができる。 Further, according to the present invention, the distance between the rotation top of the transport roller and the liquid level of the processing liquid stored in the processing liquid tank is set to a preferable range of 3 mm or less. It is possible to perform surface treatment on only one side of the substrate while preventing entrainment.
また本発明によれば、撥液性材料は、ポリテトラフルオロエチレンまたは塩化ビニルであるので、フッ硝酸のような強酸および水酸化ナトリウムのような強アルカリに対する耐性に優れ、耐久寿命に優れる基板表面処理装置が提供される。 Further, according to the present invention, since the liquid repellent material is polytetrafluoroethylene or vinyl chloride, the substrate surface has excellent durability against strong acids such as hydrofluoric acid and strong alkalis such as sodium hydroxide, and has an excellent durability life. A processing device is provided.
また本発明によれば、処理液は、フッ化水素酸、硝酸、塩酸、水酸化ナトリウム溶液および水酸化カリウム溶液からなる群より選択される1または2以上である。このような処理液を用いることによって、洗浄、エッチング、表面形状加工など各種の表面処理を行うことのできる基板表面処理装置が実現される。 According to the invention, the treatment liquid is one or more selected from the group consisting of hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide solution and potassium hydroxide solution. By using such a treatment liquid, a substrate surface treatment apparatus capable of performing various surface treatments such as cleaning, etching, and surface shape processing is realized.
また本発明によれば、基板がシリコンウエハであるので、半導体産業および太陽電池産業で使用されるシリコンウエハの表面処理が可能な基板表面処理装置が提供される。 Further, according to the present invention, since the substrate is a silicon wafer, there is provided a substrate surface treatment apparatus capable of surface treatment of a silicon wafer used in the semiconductor industry and the solar cell industry.
図1は本発明の実施の一形態である基板表面処理装置30の構成を簡略化して示す断面図であり、図2は図1に示す基板表面処理装置30の上面図であり、図3は図1に示す基板表面処理装置30に設けられる搬送ローラ34のローラ部41の構成を示す斜視図である。
1 is a cross-sectional view showing a simplified configuration of a substrate
基板表面処理装置30は、平板状の形状を有する基板31の表面を片面処理することに用いられる装置であり、基板31の表面処理に用いる処理液32を収容する処理液槽33と、基板31を搬送する搬送ローラ34であって、処理液槽33に収容される処理液32中に一部または全部が浸漬され回転自在に設けられる複数の搬送ローラ34と、搬送ローラ34を回転駆動させる不図示のローラ駆動手段とを含んで構成される。なお基板表面処理装置30には、上記の各部以外にも、処理液32の温度制御手段、処理液32の循環手段など、通常の基板表面処理装置に装備されているものを含むけれども図示を省略する。
The substrate
基板表面処理装置30において表面処理される基板31としては、シリコンウエハ、ガラスなどを挙げることができる。基板表面処理装置30は、特にシリコンウエハの表面処理に好適に用いられる。基板31の表面処理としては、洗浄、エッチングによる表面変質層の除去、薄肉化、表面形状加工などを挙げることができ、後述する処理液32の種類を選択することによって、上記いずれかの表面処理を行うことができる。
Examples of the
基板31の表面処理に用いる処理液32としては、その目的に応じて、種々のものを適用することができる。たとえば、シリコン(Si)ウエハのエッチングには、フッ化水素酸(HF)と硝酸(HNO3)との混合液(水、酢酸などが含まれることもある)、水酸化ナトリウム(NaOH)溶液、水酸化カリウム(KOH)溶液などのアルカリ液、シリコン酸化膜(SiO2膜)の処理には、フッ化水素酸(HF)、バッファードフッ酸(BHF)などを挙げることができる。
処理液32を収容する処理液槽33は、大略外形が直方体形状を有する箱形の容器である。処理液槽33の素材は、使用する処理液32に対する耐薬品性に基づいて決定され、ステンレス鋼、硬質塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン(略称PTFE)、ポリプロピレン、ポリエチレン、アクリルなどの材料であることが好ましい。
The
処理液槽33の長手方向の両側壁33a,33bには、対向する位置に貫通孔が形成され、該貫通孔には不図示の軸受が設けられる。なお、側壁33a,33bに対する軸受の装着部には、流体シール部材が設けられ、処理液槽33内に収容される処理液32の漏出が防止されるように構成される。
On both
処理液槽33の側壁33a,33bに設けられる軸受には、搬送ローラ34が回転自在に支持される。搬送ローラ34は、複数本設けられ、その基板搬送方向37における配置間隔は、表面処理するべき対象の基板31を安定に搬送するために、基板31が少なくとも3本の搬送ローラ34に同時に当接することができるように定められる。搬送ローラ34の配置間隔を定めるにあたり、その他の要因として、処理速度、装置の構成、コストなどが考慮される。すなわち、配置間隔を狭くして多数の搬送ローラ34を配置すると、基板31に供給される処理液32の量が多くなり処理速度が速くなるとともに、より多くの気体を除去できる利点が得られるけれども、構成が複雑になり、またコストが高くなるので、搬送ローラ34の配置間隔は、これらを勘案して定められる。
A
搬送ローラ34は、その回転頂部を連ねる仮想線35(基板31を搬送するパスラインとなる、以後パスライン35と呼ぶことがある)が、処理液32の液面である水平面と平行になるように設けられる。なお複数の搬送ローラ34は、搬送ローラ34の回転頂部、すなわちパスライン35が、処理液槽33に収容される処理液32の液面よりも高い位置となるように設けられる。この理由については後述する。
The
搬送ローラ34は、ローラ駆動手段に連結され、矢符36方向に回転駆動される。基板31は、搬送ローラ34上に載置され、矢符36方向に回転する搬送ローラ34によって矢符37方向に装置内を搬送され、その搬送の過程において、処理液32を臨んで載置される側の面31a(以後、処理面31aと呼ぶ)が表面処理される。
The
搬送ローラ34は、円柱状のシャフト部40と、シャフト部40に積層されるようにして設けられる円筒状のローラ部41とを含んで構成される。搬送ローラ34のローラ部41の径は、処理する基板31の大きさおよび重量などに応じて適宜定められ、特に限定されるものではないけれども、10〜100mmφのものが適当である。搬送ローラ34の回転軸線42方向の長さW2、より厳密には少なくとも基板31の処理面31aに接する部位であるローラ部41の回転軸線42方向の長さW2が、基板31の搬送される方向37に直交する方向である幅方向における長さである基板幅W1以上になるように形成される。
The
また搬送ローラ34の少なくとも基板31に接する部位であるローラ部41は、撥液性材料で構成される。このような撥液性材料は、使用する処理液32に対する耐薬品性などから決定され、ポリテトラフルオロエチレンまたは塩化ビニルによって形成されることが好ましい。なお搬送ローラ34は、シャフト部40とローラ部41とが、上記の素材単一で一体形成されてもよく、シャフト部40とローラ部41とが別々の材料で形成されてもよい。
Further, the
さらに、本実施の形態における搬送ローラ34のローラ部41の表面には、溝43が形成される。このような搬送ローラ34の表面に形成される溝43の延びる方向は、搬送ローラ34の回転軸線42の延びる方向と平行である。溝43は、搬送ローラ34の回転軸線42方向端部にまで形成される。溝43の形成は、たとえば、シェーパーなどによる切削加工によって行うことができる。搬送ローラ34の表面に形成される溝43の幅および深さとしては、搬送ローラ34の大きさ、溝43の本数、反応ガス38の発生量などにもよるけれども、概ね幅2〜4mmおよび深さ1〜2mmであることが好ましい。
Further, a
次に、処理液槽33に収容される処理液32の液面の高さと、搬送ローラ34との位置関係について説明する。基板31の片面のみを処理する場合、パスライン35が処理液32の液面よりも低い位置にあると、基板31の処理面31aの反対側の面である非処理面31bに処理液32が回り込む恐れがある。非処理面31bに、表面保護材を形成してもよいけれども、表面保護材の形成工程、表面処理後の表面保護材剥離工程、さらに剥離後の状態によっては洗浄工程などを必要とするので、製造工程数が増大し、また表面保護材、剥離処理液などの材料費が余分に必要となる。したがって、パスライン35と処理液32の液面位置45との距離hは、0mm以上であることが好ましい。
Next, the positional relationship between the height of the
また、後述する接液方法によって処理液32を基板31の処理面31aに接液するとき、上記距離が3mm以下であれば、処理液32の表面張力によって処理面31aに処理液32が接液する状態を維持できる。一方、距離hが3mmを超えると接液状態が維持できなくなる恐れがある。したがって、距離hは、3mm以下であることが好ましく、本実施形態において距離hは0mm以上3mm以下である。
Further, when the
以下、基板表面処理装置30の動作について簡単に説明する。ここでは、基板表面処理装置30を用いて、シリコンウエハの片面(処理面)をエッチングする表面処理の事例について説明する。シリコンウエハの片面エッチングは、電子機器の高集積化などを目的として、LSIなどデバイス完成後、加工変質層を除去してシリコンウエハの厚みを薄くするために行われる。シリコンウエハのエッチング処理液32には、通常、フッ化水素酸と硝酸の混合液(以後、フッ硝酸と呼ぶ)が用いられ、フッ硝酸には必要に応じて酢酸、水、硫酸などが混合される。
Hereinafter, the operation of the substrate
処理液槽33には予め処理液32であるフッ硝酸が収容される。処理液32の液面位置と搬送ローラ34の回転頂部すなわち基板31が搬送されるパスライン35との距離hが、3mm以下になるように処理液32の収容量が設定される。
The
基板31が、図1の紙面に向って左側に設けられる不図示のローダ側から、基板表面処理装置30内へ搬送され、処理面31aが処理液32を臨むようにして搬送ローラ34上に載置される。基板31が搬送ローラ34上に載置されると、たとえば以下のようにして基板31の処理面31aに対して処理液32を接触させる。処理液槽33内へ処理液32を供給する供給手段と、処理液槽33内の処理液32を排出する排出手段とを動作させ、搬送ローラ34上に基板31が載置されると、供給手段によって処理液32の液面位置を基板31の処理面31aに接する高さまで上昇させ、その後排出手段によって処理液32の液面位置を基板31の処理面31aと所定の間隔hを有する高さまで下降させる。
The
なお、基板31の処理面31aと処理液32との接触は、基板31が搬送ローラ34に載置される位置の下方であって、処理液槽33内の処理液32中に予め処理液吹上げノズルを設けておき、該ノズルによって処理液32を基板31の処理面31aに向って吹上げ、処理液32の表面張力を利用して処理液32を基板31の処理面31aに接触保持させるようにしてもよい。
The contact between the
処理液32が基板31の処理面31aに接触保持されている状態で、図1の矢符37に示す方向に搬送されてきた基板31は、搬送ローラ34の回転動作によって、図1の紙面に向って右側に設けられる不図示の水洗槽側に搬送される。
The
この搬送の過程において、基板31の処理面31aに接触保持されている処理液32によって基板31の処理面31aがエッチングされる。基板31のエッチングに伴いNOxガスなどの反応ガス38が発生するけれども、本実施形態の基板表面処理装置30には表面に溝43が形成される搬送ローラ34が用いられるので、搬送ローラ34の回転とともに、処理面31aに接して存在する反応ガス38の気泡を掻取り、反応ガス38を基板31の処理面31aから搬送ローラ34の溝43を通して除去することが可能である。
During the transfer process, the
また、搬送ローラ34の表面に形成される溝43は、搬送ローラ34の端部にまで形成され、パスライン35が処理液32の液面よりも高い位置であるので、処理面31aから除去した反応ガス38を、搬送ローラ34の軸線42方向の端面に存在する溝43の端部から外部空間へ容易に排出することができる。
In addition, the
さらに撥液性の搬送ローラ34を用いると、基板31と搬送ローラ34との当接部付近には、搬送ローラ34の回転軸線42方向に平行に処理液32が存在しない不図示の空間が形成される。このような空間が形成されると、処理液32によって処理される基板31の処理面31aに接して存在する反応ガス38の気泡が、処理液32が存在しない空間を通じて溝43に移動し易くなり、反応ガス38を一層確実かつ効率的に除去することができる。
Further, when the liquid-
以上のように、溝43が形成される撥液性の搬送ローラ34を備える本発明の基板表面処理装置30によれば、基板31の処理面31aに存在する反応ガス38を効率的に除去し、排出することができるので、基板31の処理面31aの片面のみを、均一にエッチング処理することができる。また、基板表面処理装置30は、搬送ローラ34による平流し方式であるので、連続的に基板31を流すことが可能であり量産性が高い。さらに、基板31の搬送に、真空チャック、吸着ハンドなどの大掛かりな設備を必要としないので、簡易な構造で、安価に製造することができる。
As described above, according to the substrate
真空チャック、吸着ハンドなどによって基板の搬送を行い、反応ガスを除去するためのガス除去板、払拭手段などのガス除去手段によって反応ガスを除去する場合、ガス除去手段と基板との間隔を高精度に保つ必要がある。これは、ガス除去手段と基板との間隔が広くなりすぎると、反応ガスを充分に除去することができず、間隔が狭くなりすぎると、ガス除去手段が基板に接触し、基板が破損する恐れがあることによる。したがって、ガス除去手段によって反応ガスを除去する場合、ガス除去手段と基板との間隔を好適に設定するための位置センサが必要であった。 When the substrate is transported by a vacuum chuck or suction hand, and the reaction gas is removed by a gas removal means such as a gas removal plate or wiping means for removing the reaction gas, the gap between the gas removal means and the substrate is highly accurate. Need to keep on. This is because if the gap between the gas removing means and the substrate becomes too wide, the reaction gas cannot be removed sufficiently, and if the gap becomes too narrow, the gas removing means may come into contact with the substrate and damage the substrate. Because there is. Therefore, when the reaction gas is removed by the gas removing means, a position sensor for suitably setting the interval between the gas removing means and the substrate is necessary.
一方、本実施形態の基板表面処理装置30に備えられる搬送ローラ34によれば、表面処理工程中、常に基板31の処理面31aに接しているので、基板31および搬送ローラ34の位置は、片面処理の場合、パスライン35と処理液32の液面との距離hのみが調整されればよいので、より容易に基板31の処理面31aを処理することができる。
On the other hand, according to the
また基板表面処理装置30において、処理液32として水酸化ナトリウム(NaOH)溶液、水酸化カリウム(KOH)溶液などを用い、シリコンウエハをアルカリエッチングして片面処理を行った場合についても、フッ硝酸でシリコンウエハを酸エッチングした場合と同様の効果を奏することができることを確認した。なお、アルカリエッチングの場合、基板表面処理装置30の処理液槽33の素材として、ステンレス鋼を用いることができる。
Further, in the substrate
さらに基板表面処理装置30において、処理液32としてフッ化水素酸またはバッファードフッ酸を用い、シリコンウエハの表面酸化膜を除去する片面処理においても、フッ硝酸でシリコンウエハを酸エッチングした場合と同様の効果を奏することができることを確認した。
Further, in the substrate
図4は、本発明の実施の第2形態である基板表面処理装置に設けられる搬送ローラ51の構成を示す正面図である。本実施形態の基板表面処理装置は、搬送ローラ51の構成が異なること以外は、実施の第1形態の基板表面処理装置30と同一に構成されるので、全体構成を示す図を省略し、搬送ローラ51の構成のみを示す。搬送ローラ51は、実施の第1形態の基板表面処理装置30に設けられる搬送ローラ34に類似し、対応する部分については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
FIG. 4 is a front view showing the configuration of the
本実施形態の搬送ローラ51において注目すべきは、ローラ部52の表面に、搬送ローラ51の回転軸線53に対して傾斜角度を有するように延びる直線状に溝54が形成されることである。溝54は、搬送ローラ51のローラ部52の回転軸線53方向端部にまで形成される。溝54が、搬送ローラ51の回転軸線53に対して傾斜角度を有するように形成される場合においても、実施の第1形態の搬送ローラ34と同様に、基板の処理面に接して存在する反応ガスを除去することができる。
What should be noted in the
さらに溝54が搬送ローラ51の回転軸線53に対して傾斜角度を有するように形成されると、搬送ローラ51の回転と、除去された反応ガスの浮上力とが作用して、一層容易に反応ガスを外部空間へ除去排出することが可能になる。
Further, when the
なお、搬送ローラ51のローラ部52の表面に形成される溝は、直線状に形成されることに限定されることなく、搬送ローラ51の回転軸線53に対して傾斜角度を有していれば、曲線状に形成されるものであってもよい。
The grooves formed on the surface of the
図5は本発明の実施の第3形態である基板表面処理装置60の構成を簡略化して示す断面図であり、図6は図5に示す基板表面処理装置60の上面図であり、図7は図5に示す基板表面処理装置60に設けられる搬送ローラ61の構成を示す斜視図である。本実施の形態の基板表面処理装置60は、実施の第1形態の基板表面処理装置30に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a simplified configuration of a substrate
基板表面処理装置60は、搬送ローラ61の構成に特徴を有し、また搬送ローラ61に接続される排出手段62を含むことを特徴とする。
The substrate
基板表面処理装置60に設けられる搬送ローラ61は、シャフト部63およびローラ部64を備えることにおいて実施の第1形態の搬送ローラ34と構成を同じくする。しかしながら搬送ローラ61のローラ部64表面に形成される溝65は、搬送ローラの回転軸線66に対して傾斜角度を有するように延びる曲線状に形成され、基板31の搬送される方向37に直交する方向である幅方向における中心を通る平面であって、基板31の搬送される方向37に平行な仮想平面67に関して対称に形成される。
The
このように溝65が形成されると、基板31の搬送される方向37に直交する方向である幅方向における基板の中心付近に存在する反応ガス38は、溝65によって除去された後、対称に設けられる溝65のそれぞれの方向に案内され、最長で搬送ローラ61のローラ部64の1/2幅相当の距離を移動するだけで溝65の両端部65bから排出されるので、より効率的かつ迅速に除去した反応ガス38の排出を行うことができる。
When the
さらに、搬送ローラ61のシャフト部63には、一方の端部に開口し、ほぼローラ部64の長さに対応する長さにわたって穿たれる不図示の排出穴が形成される。またローラ部64には、ローラ部64に形成される溝65上で外方に開口し、シャフト部63に形成される排出穴まで貫通する小排出孔68が形成される。本実施の形態では、小排出孔68は、ローラ部64に形成される溝65の底部に、1本の溝65について7個がほぼ等間隔に配列して形成される。なお、この図7に示す小排出孔68の個数と配置は、あくまでも1事例であり、これに限定されるものではない。
Further, the
シャフト63の排出穴に連通する小排出孔68がローラ部64に形成されることによって、基板31の処理面31aが処理液32と反応して発生し、処理面31aに接して存在する反応ガスを、後述する排出手段62による吸引によって、小排出孔68および排出穴を通じて排出することができる。
The
排出手段62は、上記のような排出穴と、小排出孔68と、各搬送ローラ61のシャフト部63の排出穴に接続される配管69と、配管69を集合した集合配管70に設けられる排出ポンプ71とを含んで構成される。このような基板表面処理装置60においては、排出ポンプ71の吸引力によって、小排出孔68および排出穴を介して、処理液32および反応ガス38が強制的に吸引され排出されるので、より効率的かつ確実に基板31の処理面31aに存在する反応ガス38を除去し、処理面31aをむらなく均一に表面処理することができる。
The discharge means 62 includes a discharge hole as described above, a
なお、基板表面処理装置60には、上記の排出手段62以外にも、集合配管70の排出ポンプ71の下流側に除塵フィルタなどを含み処理液32を処理液槽33へ還流させる循環手段が設けられてもよい。
In addition to the above-described discharge means 62, the substrate
なお、図示を省くけれども、基板表面処理装置60において、搬送ローラ61のローラ部64の表面に形成される溝65は、幅方向の中心における形成位置65aと搬送ローラ幅方向端部における形成位置65bとの搬送ローラの円周方向に関して離隔する距離dが、搬送ローラ幅方向の長さW2の1/2以上となるように形成されてもよい。上記のように溝65を形成することによって、搬送ローラ61が1回転する間に、除去した反応ガス28を溝65の端部65bから排出させることができる。
Although not shown, in the substrate
図8は、本発明の実施の第4形態である基板表面処理装置80の構成を簡略化して示す断面図である。本実施の形態の基板表面処理装置80は、実施の第1形態の基板表面処理装置30に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a simplified configuration of a substrate
基板表面処理装置80に備えられる搬送ローラ81は、前述の実施の第1形態と同様に、撥液性材料で構成される。なお、搬送ローラ81のローラ部82には、前述の実施の第1〜3形態とは異なり、搬送ローラ81のローラ部82に溝が形成されない。
The
このような基板表面処理装置80を用いて基板31の表面処理を行うと、搬送ローラ81が撥液性であるので、基板31と搬送ローラ81との当接部付近には、搬送ローラ81の回転軸線方向に平行に処理液32が存在しない空間83が形成される。この処理液32が存在しない空間83の長さは、基板31の幅方向の長さと等しくなる。
When the surface treatment of the
ここで、搬送ローラ81が回転して基板31が搬送されると、基板31の処理面31aに接して存在する反応ガス38が、処理液32が存在しない空間83と接触し、処理液32が存在しない空間83に吸収される。このようにして、溝を形成しない搬送ローラ81を用いることによっても、基板31の処理面31aに存在する反応ガス38を除去することができる。また、処理液32が存在しない空間83に吸収された反応ガス38は、処理液32が存在しない空間83の長さが基板31の幅方向と等しいので、空間83の基板31の幅方向における端部から排出される。
Here, when the
実施の第4形態の基板表面処理装置80によれば、溝が形成されない分、反応ガス38の除去効率が若干低下するけれども、より簡単な構成によって反応ガス38の除去および排出を行うことができる。
According to the substrate
30,60,80 基板表面処理装置
31 基板
32 処理液
33 処理液槽
34,51,61,81 搬送ローラ
38 反応ガス
40,63 シャフト部
41,52,64,82 ローラ部
43,54,65 溝
62 排出手段
68 排出穴
69 小排出孔
70 配管
71 集合配管
72 排出ポンプ
30, 60, 80 Substrate
Claims (14)
基板の表面処理に用いる処理液を収容する処理液槽と、
基板を搬送する搬送ローラであって、処理液槽に収容される処理液中に一部または全部が浸漬され回転自在に設けられる複数の搬送ローラと、
搬送ローラを回転駆動させるローラ駆動手段とを含み、
搬送ローラの回転軸線方向の長さは、
基板の搬送される方向に直交する方向である幅方向における長さである基板幅以上であり、
搬送ローラの表面には、
溝が形成されることを特徴とする基板表面処理装置。 In a substrate surface processing apparatus for processing the surface of a substrate having a flat plate shape,
A treatment liquid tank for containing a treatment liquid used for substrate surface treatment;
A plurality of conveyance rollers that convey the substrate, and a plurality of conveyance rollers that are rotatably provided by being partially or fully immersed in the treatment liquid stored in the treatment liquid tank;
Roller driving means for rotating the transport roller,
The length of the transport roller in the rotation axis direction is
It is not less than the substrate width that is the length in the width direction that is the direction orthogonal to the direction in which the substrate is conveyed,
On the surface of the transport roller,
A substrate surface processing apparatus, wherein a groove is formed.
撥液性材料で構成されることを特徴とする請求項1記載の基板表面処理装置。 The transport roller
2. The substrate surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the substrate surface treatment apparatus is made of a liquid repellent material.
搬送ローラの回転軸線の延びる方向と平行であることを特徴とする請求項1または2記載の基板表面処理装置。 The direction in which the groove formed on the surface of the transport roller extends is
3. The substrate surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the substrate surface treatment apparatus is parallel to a direction in which a rotation axis of the transport roller extends.
搬送ローラの回転軸線に対して傾斜角度を有するように延びる直線または曲線状に形成されることを特徴とする請求項1または2記載の基板表面処理装置。 The groove formed on the surface of the transport roller is
3. The substrate surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the substrate surface treatment apparatus is formed in a straight line or a curved line extending so as to have an inclination angle with respect to the rotation axis of the transport roller.
基板の搬送される方向に直交する方向である幅方向における中心を通る平面であって、基板の搬送される方向に平行な仮想平面に関して対称に形成されることを特徴とする請求項4記載の基板表面処理装置。 The groove formed on the surface of the transport roller is
5. The plane passing through the center in the width direction, which is a direction orthogonal to the direction in which the substrate is transported, is formed symmetrically with respect to a virtual plane parallel to the direction in which the substrate is transported. Substrate surface treatment equipment.
前記幅方向の中心における形成位置と搬送ローラ幅方向端部における形成位置との搬送ローラの円周方向に関して離隔する距離が、搬送ローラ幅方向の長さの1/2以上であることを特徴とする請求項5記載の基板表面処理装置。 The groove formed on the surface of the transport roller is
The distance at which the formation position at the center in the width direction and the formation position at the end in the width direction of the conveyance roller are separated from each other in the circumferential direction of the conveyance roller is ½ or more of the length in the conveyance roller width direction. The substrate surface treatment apparatus according to claim 5.
処理液によって処理される基板表面である処理面に接して存在する気体を排出する排出手段が設けられることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の基板表面処理装置。 The transport roller has
The substrate surface processing apparatus according to claim 1, further comprising a discharge unit configured to discharge a gas existing in contact with a processing surface which is a substrate surface to be processed by the processing liquid.
搬送ローラの一方の端部に開口し、少なくとも搬送ローラの基板に接する部分の長さに対応する長さにわたって穿たれる排出穴と、
搬送ローラに形成される溝上で外方に開口し、排出穴まで貫通する小排出孔と、
搬送ローラの排出穴に接続される配管と、
配管に設けられる排出ポンプとを含むことを特徴とする請求項7記載の基板表面処理装置。 The discharging means is
A discharge hole opened at one end of the transport roller and drilled over a length corresponding to the length of at least the portion of the transport roller in contact with the substrate;
A small discharge hole that opens outwardly on the groove formed in the transport roller and penetrates to the discharge hole;
A pipe connected to the discharge hole of the transport roller;
The substrate surface treatment apparatus according to claim 7, further comprising a discharge pump provided in the pipe.
基板の表面処理に用いる処理液を収容する処理液槽と、
基板を搬送する搬送ローラであって、処理液槽に収容される処理液中に一部または全部が浸漬され回転自在に設けられる複数の搬送ローラと、
搬送ローラを回転駆動させるローラ駆動手段とを含み、
搬送ローラの回転軸線方向の長さは、
基板の搬送される方向に直交する方向である幅方向における長さである基板幅以上であり、
搬送ローラは、
撥液性材料で構成されることを特徴とする基板表面処理装置。 In a substrate surface processing apparatus for processing the surface of a substrate having a flat plate shape,
A treatment liquid tank for containing a treatment liquid used for substrate surface treatment;
A plurality of conveyance rollers that convey the substrate, and a plurality of conveyance rollers that are rotatably provided by being partially or fully immersed in the treatment liquid stored in the treatment liquid tank;
Roller driving means for rotating the transport roller,
The length of the transport roller in the rotation axis direction is
It is not less than the substrate width that is the length in the width direction that is the direction orthogonal to the direction in which the substrate is conveyed,
The transport roller
A substrate surface treatment apparatus comprising a liquid repellent material.
搬送ローラの回転頂部が、処理液槽に収容される処理液の液面よりも高い位置となるように設けられることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1つに記載の基板表面処理装置。 The transport roller
The substrate surface treatment according to any one of claims 1 to 9, wherein a rotation top portion of the transport roller is provided at a position higher than a liquid level of the treatment liquid stored in the treatment liquid tank. apparatus.
ポリテトラフルオロエチレンまたは塩化ビニルであることを特徴とする請求項2〜11のいずれか1つに記載の基板表面処理装置。 The liquid repellent material is
The substrate surface treatment apparatus according to any one of claims 2 to 11, wherein the substrate surface treatment apparatus is polytetrafluoroethylene or vinyl chloride.
フッ化水素酸、硝酸、塩酸、水酸化ナトリウム溶液および水酸化カリウム溶液からなる群より選択される1または2以上であることを特徴とする請求項1〜12のいずれか1つに記載の基板表面処理装置。 Treatment liquid
The substrate according to any one of claims 1 to 12, wherein the substrate is one or more selected from the group consisting of hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide solution and potassium hydroxide solution. Surface treatment equipment.
シリコンウエハであることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1つに記載の基板表面処理装置。
The board is
The substrate surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the substrate surface treatment apparatus is a silicon wafer.
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