JP2011077549A - Apparatus for coating/developing, method for coating/developing, and storage medium - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対してレジスト液の塗布処理及び露光後の現像処理を行う塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその方法を実施するコンピュータプログラムを含んだ記憶媒体に関する。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention implements a coating, developing apparatus, coating, developing method and method for performing a resist solution coating process and a developing process after exposure on a substrate such as a semiconductor wafer or an LCD substrate (glass substrate for liquid crystal display) The present invention relates to a storage medium including a computer program to be executed.
半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスの一つとして、基板にレジスト膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程があり、このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行われる。
そしてレジストパターンが形成された基板については、所定の検査、例えばレジストパターンの線幅、レジストパターンと下地パターンとの重なり具合、及び現像欠陥などの検査が行われ、合格と判定された基板のみが次工程に送られる。このような基板の検査は、塗布、現像装置とは別個に設けられたスタンドアローンの検査装置により行われる場合が多いが、塗布、現像装置内に基板検査装置を設けるいわゆるインラインシステムを採用した方が便利である。
As one of the manufacturing processes for semiconductor devices and LCD substrates, there is a series of steps in which a resist film is formed on a substrate, the resist film is exposed using a photomask, and then a desired pattern is obtained by performing development processing. In general, such processing is performed using a system in which an exposure apparatus is connected to a coating and developing apparatus for applying and developing a resist solution.
And about the board | substrate with which the resist pattern was formed, predetermined | prescribed inspections, such as the line width of a resist pattern, the overlap condition of a resist pattern and a ground pattern, and an inspection of a development defect, etc. It is sent to the next process. Such a substrate inspection is often performed by a stand-alone inspection device provided separately from the coating and developing device, but a so-called in-line system in which a substrate inspection device is provided in the coating and developing device. Is convenient.
特許文献１には、このようなインラインシステムを採用した塗布、現像装置が記載されている。この装置は、図１４に示すようにキャリアブロックＰ１の奥側に処理ブロックＰ２及びインターフェイスブロックＰ３が接続されて構成され、インターフェイスブロックＰ３には露光装置Ｐ４が接続されている。キャリアブロックＰ１は、基板を複数枚収納したキャリア１０が搬入されるキャリアステージ１１と、キャリアステージ１１上のキャリア１０との間で基板の受け渡しを行う受け渡しアーム１２とを備えている。キャリア１０内の基板は受け渡しアーム１２を介して処理ブロックＰ２に搬入され、ここでレジスト膜が形成され、その後インターフェイスブロックＰ３を介して露光装置Ｐ４内に搬入されて露光が行われる。露光後の基板はインターフェイスブロックＰ３を介して処理ブロックＰ２内に搬入され、ここで現像処理が行われ、受け渡しアーム１２に受け渡される。
そしてキャリアブロックＰ１の側方には基板検査ユニット１３が設けられており、現像処理された基板は受け渡しアーム１２から中間ステージ１５及び専用のアーム１４を介して基板検査ユニット１３に搬入され、既述の所定の検査が行われる。検査が行われた基板は逆の経路で受け渡しアーム１２に受け渡され、元のキャリア１０内に戻される。
A
ところで、基板検査ユニット１３をキャリアブロックＰ１以外に接続すると、例えば基板検査ユニット１３をインターフェイスブロックＰ３に設けようとすると、現像後の基板がインターフェイスブロックＰ３側に戻る格好になるので、搬送が複雑になり、搬送効率の低下を招くことになるし、またインターフェイスブロックＰ３には、露光装置との間の処理速度の差異を吸収するためのバッファカセットや基板を露光装置の温度に高精度に設定する温度調整ユニットなどが配置されるためスペースが不足し、仮に基板検査ユニットを配置するとインターフェイスブロックＰ３が大型化する。また基板検査ユニット１３を処理ブロックＰ２に設けることはスペース的にも搬送経路の点でも無理がある。
By the way, if the
このようなことから、基板検査ユニット１３をキャリアブロックＰ１に接続しているが、この構成の大きな利点としては、処理ブロックＰ２のメンテナンスなどにより塗布、現像処理を休止しているときでも、キャリアブロックＰ１を通じて外部からの基板を基板検査ユニット１３に搬入することができるので、いわば基板検査ユニット１３を単独で使用できる点が挙げられる。
For this reason, the
しかしながら基板検査ユニット１３をキャリアブロックＰ１の側方に接続すると、基板検査ユニット１３が横に飛び出してしまうため、クリーンルーム内に設置するにあたってスペース効率が悪く、周辺機器などの配置やメンテナンススペースの確保などの点からも扱いにくい構造といえる。特に基板が大型化すると、例えば基板である半導体ウエハ（以下ウエハという）のサイズが１２インチ以上ともなる大型のものになってくると、基板検査ユニット１３の平面構造が大きくなって、横への飛び出し部分が大きくなり、益々不利になってくる。
However, when the
また特許文献２には、キャリアブロックと処理ブロックとの間に基板検査ユニットを配置した検査ブロックを設けている構成が記載されているが、このようなレイアウトは、処理ブロックのレイアウトも含めて広い設置スペースが必要になり、また検査ブロックに設けられる基板の搬送機構がキャリアステーションと処理ブロックとの間の受け渡しを行うと共に検査ユニットへの基板の搬送も行うので当該搬送機構の負担が大きくなるという問題がある。
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板検査ユニットを組み込むにあたって、占有面積が狭く不利なレイアウトを避けることができる塗布、現像装置を提供することにあり、また他の目的は、塗布、現像装置を運転し、処理後の基板の検査を行うにあたり、スループットの向上を図れる塗布、現像方法及びその方法を実施するコンピュータプログラムを含んだ記憶媒体を提供することにある。 The present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is to provide a coating and developing apparatus capable of avoiding an unfavorable layout with a small occupation area when incorporating a substrate inspection unit. Another object of the present invention is to provide a coating and developing method capable of improving throughput in operating a coating and developing apparatus and inspecting a substrate after processing, and a storage medium including a computer program for executing the method. It is in.
本発明の塗布、現像装置は、キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板をキャリアブロック用の搬送手段を介して処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ．複数の塗布膜形成用のブロックと現像処理用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．各塗布膜形成用のブロックは、塗布液を基板に塗布するための液処理ユニット及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備えると共に、複数の塗布膜形成用のブロックの少なくとも一つは、レジスト液塗布用の液処理ユニットを含み、
ｃ．現像処理用のブロックは、露光された基板を加熱処理するための加熱ユニット及び現像液を基板に塗布するための液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間に、複数の塗布膜形成用のブロック、現像処理用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージからなる棚状の受け渡しステージ群と、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を設け、
ｅ．前記塗布膜形成用のブロック、現像処理用のブロックの少なくともいずれか一方に各ブロックの基板搬送手段により搬送される基板の検査を行う基板検査ユニットが設けられていることを特徴とする。
In the coating and developing apparatus of the present invention, the substrate carried into the carrier block by the carrier is transferred to the processing block via the carrier block conveying means, and after forming the coating film including the resist film in this processing block, the interface In the coating and developing apparatus, which is conveyed to the exposure apparatus through the block and the exposed substrate returned through the interface block is developed in the processing block and transferred to the carrier block.
a. A plurality of coating film forming blocks and development processing blocks are laminated together to form a processing block,
b. Each coating film forming block transports a substrate between these processing units and a plurality of processing units including a liquid processing unit for applying the coating liquid to the substrate and a heating unit for heating the substrate coated with the coating liquid. A block transport means, and at least one of the plurality of coating film forming blocks includes a liquid processing unit for resist liquid coating,
c. The development processing block includes a plurality of processing units including a heating unit for heat-processing the exposed substrate and a liquid processing unit for applying a developing solution to the substrate, and a block for transporting the substrate between these processing units. Transportation means for,
d. Between the carrier block and the processing block, the substrate is transferred to and from the conveying means of each block disposed at a height position corresponding to each of a plurality of coating film forming blocks and development processing blocks. Provided with a shelf-like delivery stage group consisting of a plurality of delivery stages, and a vertically conveying means that can be moved up and down so as to be able to deliver the substrate to each delivery stage,
e. At least one of the coating film forming block and the development processing block is provided with a substrate inspection unit for inspecting the substrate conveyed by the substrate conveying means of each block.
この装置において例えば塗布膜形成用のブロックには、レジスト膜形成後の基板を検査するための基板検査ユニットが設けられ、現像処理用のブロックには、現像処理後の基板を検査する基板検査ユニットが設けられ、また例えば塗布膜形成用のブロック及び／または現像処理用のブロックの搬送手段は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側へ向かって設けられた基板搬送用の通路を移動し、液処理ユニットと加熱処理ユニットを含む処理ユニットとが前記搬送用通路を挟んで夫々設けられ、基板検査ユニットは、液処理ユニット及び処理ユニット側の少なくとも一方に設けられててもよい。 In this apparatus, for example, the coating film forming block is provided with a substrate inspection unit for inspecting the substrate after the resist film is formed, and the development processing block is inspecting the substrate after the development processing. In addition, for example, the coating film forming block and / or the developing processing block transport means moves through the substrate transport path provided from the carrier block side to the interface block side, and the liquid processing unit. And a processing unit including a heat treatment unit may be provided with the conveyance path interposed therebetween, and the substrate inspection unit may be provided on at least one of the liquid processing unit and the processing unit side.
他の発明の塗布、現像装置は、キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板をキャリアブロック用の搬送手段を介して処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ．複数の塗布膜形成用のブロックと現像処理用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．各塗布膜形成用のブロックは、塗布液を基板に塗布するための液処理ユニット及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備えると共に、複数の塗布膜形成用のブロックの少なくとも一つは、レジスト液塗布用の液処理ユニットを含み、
ｃ．現像処理用のブロックは、露光された基板を加熱処理するための加熱ユニット及び現像液を基板に塗布するための液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｄ．基板検査用のブロックは、基板を検査する複数の基板検査ユニットとこれら基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備え
ｅ．キャリアブロックと処理ブロックとの間に、複数の塗布膜形成用のブロック、現像処理用のブロック、基板検査用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージからなる棚状の受け渡しステージ群と、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を備えていることを特徴とする。
In the coating and developing apparatus of another invention, the substrate carried into the carrier block by the carrier is transferred to the processing block through the carrier block conveying means, and after forming the coating film including the resist film in this processing block, In the coating and developing apparatus, which is conveyed to the exposure apparatus through the interface block, and the exposed substrate returned through the interface block is developed in the processing block and transferred to the carrier block.
a. A plurality of coating film forming blocks, development processing blocks, and substrate inspection blocks are laminated together to form a processing block,
b. Each coating film forming block transports a substrate between these processing units and a plurality of processing units including a liquid processing unit for applying the coating liquid to the substrate and a heating unit for heating the substrate coated with the coating liquid. A block transport means, and at least one of the plurality of coating film forming blocks includes a liquid processing unit for resist liquid coating,
c. The development processing block includes a plurality of processing units including a heating unit for heat-processing the exposed substrate and a liquid processing unit for applying a developing solution to the substrate, and a block for transporting the substrate between these processing units. Transportation means for,
d. The substrate inspection block includes a plurality of substrate inspection units for inspecting the substrate and a block transport means for transporting the substrate to these substrate inspection units. E. Between the carrier block and the processing block, a plurality of coating film forming blocks, development processing blocks, and substrate inspection blocks disposed at height positions corresponding to the blocks, respectively. And a shelf-like delivery stage group composed of a plurality of delivery stages for delivering the substrate, and an up-and-down conveying means that can be moved up and down so that the substrate can be delivered to each delivery stage. It is characterized by that.
上記塗布、現像装置において、基板検査用のブロックは、レジスト膜形成後の基板を検査するための基板検査ユニットと現像処理後の基板を検査するための基板検査ユニットと、を備え、レジスト膜形成後の基板は、基板検査ユニットで検査された後、当該基板検査用のブロックを通ってインターフェイスブロックに搬送されてもよい。 In the coating and developing apparatus, the substrate inspection block includes a substrate inspection unit for inspecting the substrate after the formation of the resist film and a substrate inspection unit for inspecting the substrate after the development processing. The subsequent substrate may be transported to the interface block through the substrate inspection block after being inspected by the substrate inspection unit.
これらの塗布、現像装置において、キャリアブロック側からインターフェイスブロックへ塗布膜が形成された基板を直行搬送する搬送手段が設けられた直行搬送ブロックが処理ブロックに更に積層されていてもよい。 In these coating and developing apparatuses, an orthogonal transport block provided with transport means for transporting the substrate on which the coating film is formed from the carrier block side to the interface block may be further stacked on the processing block.
本発明の塗布、現像方法は、
ａ．複数の塗布膜形成用のブロックと現像処理用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．各塗布膜形成用のブロックは、塗布液を基板に塗布するための液処理ユニット及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備えると共に、複数の塗布膜形成用のブロックの少なくとも一つは、レジスト液塗布用の液処理ユニットを含み、
ｃ．現像処理用のブロックは、露光された基板を加熱処理するための加熱ユニット及び現像液を基板に塗布するための液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間に、複数の塗布膜形成用のブロック、現像処理用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージからなる棚状の受け渡しステージ群と、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を設け、
ｅ．前記塗布膜形成用のブロックには、レジスト膜形成後の基板を検査するための基板検査ユニットが設けられ、現像処理用のブロックには、現像処理後の基板を検査する基板検査ユニットが設けられて、
ｆ．キャリアブロック側からインターフェイスブロックへ塗布膜が形成された基板を直行搬送する搬送手段が設けられた直行搬送ブロックが処理ブロックに更に積層された
塗布、現像装置を用いて塗布、現像を行う方法であって、
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、塗布膜形成用のブロックにて基板にレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜を形成した基板を塗布膜形成用のブロックに設けられた基板検査ユニットにブロック用搬送手段により搬送して検査を行う工程と、
この工程で検査された基板を直行搬送ブロックを通してインターフェイスブロックに搬送する工程と、
露光後の基板を現像処理用のブロックにて現像処理する工程と、
次いで現像処理後の基板を、現像処理用のブロックに設けられた基板検査ユニットにて検査する工程と、
その後基板を前記キャリアブロックに受け渡す工程と、を含むことを特徴とする。
The coating and developing method of the present invention includes
a. A plurality of coating film forming blocks and development processing blocks are laminated together to form a processing block,
b. Each coating film forming block transports a substrate between these processing units and a plurality of processing units including a liquid processing unit for applying the coating liquid to the substrate and a heating unit for heating the substrate coated with the coating liquid. A block transport means, and at least one of the plurality of coating film forming blocks includes a liquid processing unit for resist liquid coating,
c. The development processing block includes a plurality of processing units including a heating unit for heat-processing the exposed substrate and a liquid processing unit for applying a developing solution to the substrate, and a block for transporting the substrate between these processing units. Transportation means for,
d. Between the carrier block and the processing block, the substrate is transferred to and from the conveying means of each block disposed at a height position corresponding to each of a plurality of coating film forming blocks and development processing blocks. Provided with a shelf-like delivery stage group consisting of a plurality of delivery stages, and a vertically conveying means that can be moved up and down so as to be able to deliver the substrate to each delivery stage,
e. The coating film forming block is provided with a substrate inspection unit for inspecting the substrate after the resist film is formed, and the development processing block is provided with a substrate inspection unit for inspecting the substrate after the development processing. And
f. This is a method of coating and developing using a coating / developing apparatus in which a direct transport block provided with transport means for transporting the substrate on which the coating film is formed from the carrier block side to the interface block is further laminated on the processing block. And
A step of transferring the substrate carried into the carrier block by the carrier to the processing block, and forming a resist film on the substrate in the coating film forming block;
A step of transporting and inspecting the substrate on which the resist film has been formed to a substrate inspection unit provided in the coating film forming block by means of a block transport means;
Transporting the substrate inspected in this process to the interface block through the direct transport block;
Developing the exposed substrate in a block for development processing; and
Next, the step of inspecting the substrate after the development processing with a substrate inspection unit provided in the block for development processing,
And then transferring the substrate to the carrier block.
また他の発明の塗布、現像方法は、
ａ．複数の塗布膜形成用のブロックと現像処理用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．各塗布膜形成用のブロックは、塗布液を基板に塗布するための液処理ユニット及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備えると共に、複数の塗布膜形成用のブロックの少なくとも一つは、レジスト液塗布用の液処理ユニットを含み、
ｃ．現像処理用のブロックは、露光された基板を加熱処理するための加熱ユニット及び現像液を基板に塗布するための液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｄ．基板検査用のブロックは、レジスト塗布後の基板を検査する検査ユニット及び現像処理後の基板を検査する基板検査ユニットと、これら基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備え
ｅ．キャリアブロックと処理ブロックとの間に、複数の塗布膜形成用のブロック、現像処理用のブロック、基板検査用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージからなる棚状の受け渡しステージ群と、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を備えている塗布、現像装置を用いて塗布、現像を行う方法であって、
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、塗布膜形成用のブロックにて基板にレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜を形成した基板を、基板検査用のブロックに設けられた基板検査ユニットにブロック用搬送手段により搬送して検査を行う工程と、
この工程で検査された基板を基板検査用のブロックを通してインターフェイスブロックに搬送する工程と、
露光後の基板を現像処理用のブロックにて現像処理する工程と、
次いで現像処理後の基板を、前記基板検査用のブロックに設けられた基板検査ユニットにて検査する工程と、
その後基板を前記キャリアブロックに受け渡す工程と、を含むことを特徴とする。
Further, the coating and developing methods of other inventions are as follows:
a. A plurality of coating film forming blocks, development processing blocks, and substrate inspection blocks are laminated together to form a processing block,
b. Each coating film forming block transports a substrate between these processing units and a plurality of processing units including a liquid processing unit for applying the coating liquid to the substrate and a heating unit for heating the substrate coated with the coating liquid. A block transport means, and at least one of the plurality of coating film forming blocks includes a liquid processing unit for resist liquid coating,
c. The development processing block includes a plurality of processing units including a heating unit for heat-processing the exposed substrate and a liquid processing unit for applying a developing solution to the substrate, and a block for transporting the substrate between these processing units. Transportation means for,
d. The block for substrate inspection includes an inspection unit for inspecting a substrate after resist coating, a substrate inspection unit for inspecting a substrate after development processing, and a transport means for a block for transporting the substrate to these substrate inspection units. E. Between the carrier block and the processing block, a plurality of coating film forming blocks, development processing blocks, and substrate inspection blocks disposed at height positions corresponding to the blocks, respectively. And a shelf-like delivery stage group composed of a plurality of delivery stages for delivering the substrate, and an up-and-down conveying means that can be moved up and down so that the substrate can be delivered to each delivery stage. A method of coating and developing using a coating and developing device,
A step of transferring the substrate carried into the carrier block by the carrier to the processing block, and forming a resist film on the substrate in the coating film forming block;
A step in which the substrate on which the resist film is formed is transported and inspected to a substrate inspection unit provided in the block for substrate inspection by a transport means for block; and
A step of transporting the substrate inspected in this step to the interface block through a block for substrate inspection;
Developing the exposed substrate in a block for development processing; and
Next, a step of inspecting the substrate after the development processing by a substrate inspection unit provided in the substrate inspection block;
And then transferring the substrate to the carrier block.
更に他の発明の塗布、現像方法は、
ａ．複数の塗布膜形成用のブロックと現像処理用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．各塗布膜形成用のブロックは、塗布液を基板に塗布するための液処理ユニット及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備えると共に、複数の塗布膜形成用のブロックの少なくとも一つは、レジスト液塗布用の液処理ユニットを含み、
ｃ．現像処理用のブロックは、露光された基板を加熱処理するための加熱ユニット及び現像液を基板に塗布するための液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｄ．基板検査用のブロックは、レジスト塗布後の基板を検査する検査ユニット及び現像処理後の基板を検査する基板検査ユニットと、これら基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備え
ｅ．キャリアブロックと処理ブロックとの間に、複数の塗布膜形成用のブロック、現像処理用のブロック、基板検査用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージからなる棚状の受け渡しステージ群と、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を備え、
ｆ．キャリアブロック側からインターフェイスブロックへ塗布膜が形成された基板を直行搬送する搬送手段が設けられた直行搬送ブロックが処理ブロックに更に積層された塗布、現像装置を用いて塗布、現像を行う方法であって、
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、塗布膜形成用のブロックにて基板にレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜を形成した基板を、基板検査用のブロックに設けられた基板検査ユニットにブロック用搬送手段により搬送して検査を行う工程と、
この工程で検査された基板を直行搬送ブロックを通してインターフェイスブロックに搬送する工程と、
露光後の基板を現像処理用のブロックにて現像処理する工程と、
次いで現像処理後の基板を、前記基板検査用のブロックに設けられた基板検査ユニットにて検査する工程と、
その後基板を前記キャリアブロックに受け渡す工程と、を含むことを特徴とする。
Still another invention of the coating and developing method is as follows:
a. A plurality of coating film forming blocks, development processing blocks, and substrate inspection blocks are laminated together to form a processing block,
b. Each coating film forming block transports a substrate between these processing units and a plurality of processing units including a liquid processing unit for applying the coating liquid to the substrate and a heating unit for heating the substrate coated with the coating liquid. A block transport means, and at least one of the plurality of coating film forming blocks includes a liquid processing unit for resist liquid coating,
c. The development processing block includes a plurality of processing units including a heating unit for heat-processing the exposed substrate and a liquid processing unit for applying a developing solution to the substrate, and a block for transporting the substrate between these processing units. Transportation means for,
d. The block for substrate inspection includes an inspection unit for inspecting a substrate after resist coating, a substrate inspection unit for inspecting a substrate after development processing, and a transport means for a block for transporting the substrate to these substrate inspection units. E. Between the carrier block and the processing block, a plurality of coating film forming blocks, development processing blocks, and substrate inspection blocks disposed at height positions corresponding to the blocks, respectively. And a shelf-like delivery stage group consisting of a plurality of delivery stages for delivering the substrate, and a vertical conveying means that can be raised and lowered so that the substrate can be delivered to each delivery stage,
f. This is a method of coating and developing using a coating / developing apparatus in which a direct transport block provided with transport means for transporting the substrate on which the coating film is formed from the carrier block side to the interface block is further laminated on the processing block. And
A step of transferring the substrate carried into the carrier block by the carrier to the processing block, and forming a resist film on the substrate in the coating film forming block;
A step in which the substrate on which the resist film is formed is transported and inspected to a substrate inspection unit provided in the block for substrate inspection by a transport means for block; and
Transporting the substrate inspected in this process to the interface block through the direct transport block;
Developing the exposed substrate in a block for development processing; and
Next, a step of inspecting the substrate after the development processing by a substrate inspection unit provided in the substrate inspection block;
And then transferring the substrate to the carrier block.
本発明の記憶媒体は、基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を現像処理する塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、既述の塗布、現像方法を実施するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
The storage medium of the present invention, after forming a coating film containing a resist film on a substrate, is transported to an exposure apparatus through an interface block, and is applied to develop the exposed substrate returned through the interface block, A storage medium storing a computer program used in a developing device,
The computer program includes a group of steps so as to implement the above-described coating and developing methods.
本発明によれば、各々基板検査ユニットが設けられた塗布膜形成用のブロック及び現像処理用のブロックを上下に積層することで基板検査ユニットが塗布、現像装置本体から横へ飛び出すといった不利な装置レイアウトとならず、無理のないレイアウトを実現でき、また装置の設置スペースも小さくて済む。
また他の発明によれば、基板検査ユニットが設けられた基板検査用のブロックを、塗布膜形成用のブロック及び現像処理用のブロックに積層しているため、先の発明と同様に不利なレイアウトとはならず、また装置の設置スペースをより一層小さくできる。
According to the present invention, it is a disadvantageous device that the substrate inspection unit jumps out of the body of the coating and developing apparatus by laminating the coating film forming block and the development processing block each provided with the substrate inspection unit vertically. It is possible to realize an unreasonable layout without a layout, and a small installation space for the apparatus.
According to another invention, since the substrate inspection block provided with the substrate inspection unit is laminated on the coating film forming block and the development processing block, the layout is disadvantageous as in the previous invention. In addition, the installation space for the apparatus can be further reduced.
以下、本発明に係る塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムの実施の形態について説明する。図１は、このシステムの一実施の形態における平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この塗布、現像装置は、基板例えばウエハであるウエハＷが１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば４個のブロックＢ１〜Ｂ４及び搬送ブロックＭ１を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、を備えている。
Hereinafter, an embodiment of a system in which an exposure apparatus is connected to a coating and developing apparatus according to the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view of an embodiment of this system, FIG. 2 is a schematic perspective view thereof, and FIG. 3 is a schematic side view thereof. This coating / developing apparatus has a carrier block S1 for carrying in and out a
前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述するＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に対応する受け渡しステージＴＲＳ１、搬送ブロックＭ１に対応する受け渡しステージＴＲＳ１Ｂ及びＢＣＴ層Ｂ３に対応する受け渡しステージＴＲＳ３の間でウエハＷの受け渡しを行うように進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。
In the
キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４により周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では下方側から、現像処理を行うための第１の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ２、搬送ブロックＭ１、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）の形成処理を行うための第３の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３、レジスト液の塗布処理を行うための第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４として割り当てられている。これら単位ブロックＢ１〜Ｂ４及び搬送ブロックＭ１はキャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側へ向かって伸びている。
A processing block S2 surrounded by a
前記ＤＥＶ層Ｂ１、Ｂ２が現像処理用のブロック、ＢＣＴ層Ｂ３及びＣＯＴ層Ｂ４が感光材料例えばレジストからなる塗布膜を形成するための塗布膜形成用のブロックに夫々相当する。ＤＥＶ層Ｂ２と搬送ブロックＭ１との間、搬送ブロックＭ１とＢＣＴ層Ｂ３との間、ＢＣＴ層Ｂ３とＣＯＴ層Ｂ４との間は夫々仕切り板（ベース体）４６により区画されている。 The DEV layers B1 and B2 correspond to blocks for development processing, and the BCT layer B3 and the COT layer B4 correspond to blocks for forming a coating film for forming a coating film made of a photosensitive material such as a resist. A partition plate (base body) 46 partitions the DEV layer B2 and the transport block M1, the transport block M1 and the BCT layer B3, and the BCT layer B3 and the COT layer B4.
続いて第１〜第４のブロックＢ（Ｂ１〜Ｂ４）の構成について説明するが本実施形態においてこれらのブロックＢ１〜Ｂ４には共通部分が多く含まれており、各ブロックＢは略同様のレイアウトで構成されている。そこでＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２を例として図１、図４を参照しながら説明する。このＤＥＶ層Ｂ１の中央部には、横方向、詳しくはＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の長さ方向（図中Ｙ方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３とを接続するためのウエハＷの搬送用通路Ｒ１が形成されている。 Subsequently, the configuration of the first to fourth blocks B (B1 to B4) will be described. In the present embodiment, these blocks B1 to B4 include many common portions, and each block B has a substantially similar layout. It consists of The DEV layers B1 and B2 will be described as an example with reference to FIGS. In the central portion of the DEV layer B1, a wafer W for connecting the carrier block S1 and the interface block S3 in the lateral direction, specifically in the length direction of the DEV layers B1 and B2 (Y direction in the figure) is used. A passage R1 is formed.
この搬送用通路Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見て、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側には、液処理ユニットとして現像液の塗布処理を行うための複数個の塗布部を備えた現像ユニット３１，３２が互いに積層され、搬送用通路Ｒ１に沿って設けられている。なおＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２はこの実施形態においては互いに仕切られておらず、一体的に形成されているが、便宜上現像ユニット３１を含む水平領域をＤＥＶ層Ｂ１，現像ユニット３２を含む水平領域をＤＥＶ層Ｂ２と称する。
As viewed from the carrier block S1 side of the transport path R1, a plurality of coating units for performing a developer coating process as a liquid processing unit are provided on the right side from the front side (carrier block S1 side) to the back side. The developing
現像ユニット３１，３２は夫々露光後のウエハＷに現像処理を行うための液処理ユニットとして構成されており、筺体３０を備え、各筺体３０内には複数個例えば３個の現像部３３が配置されている。現像部３３はウエハＷを保持して回転させるウエハ保持部と、このウエハ保持部を囲むカップ３４などを備えており、不図示の薬液ノズルから現像液がウエハＷ表面に供給され、現像液の液膜を形成されて現像処理が行われる。その後図示しない洗浄液供給機構からの洗浄液によりウエハＷ表面の現像液が洗い流され、続いてウエハＷが回転されて乾燥されることにより現像処理が終了する。なお図中３０ａはウエハＷの搬送口である。
Each of the developing
またＤＥＶ層Ｂ１の手前側から奥側に向かって左側には、現像ユニット３１，３２にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の熱系処理ユニット及びウエハＷに対して所定の検査を行う検査ユニットを多段化した３個の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３が順に搬送用通路Ｒ１に沿って設けられている。即ち現像ユニット３１，３２と棚ユニットＵ１〜Ｕ３とが搬送用通路Ｒ１を介して対向して配列されている。またこれら棚ユニットＵ１〜Ｕ３の下層には排気ユニット３５が設けられている。排気ユニット３５は搬送用通路Ｒ１に面して開口された吸引口３６を備えており、この吸引口３６を介して搬送用通路Ｒ１の排気を行う。なお図中４７は装置の床板である。
Further, on the left side of the DEV layer B1 from the near side to the far side, a heating / cooling system heat processing unit and a wafer W for performing pre-processing and post-processing of the processing performed in the developing
上述の熱系処理ユニットの中には、例えば露光後のウエハＷを加熱処理したり、現像処理後のウエハＷを乾燥させるために加熱処理したりする加熱ユニットや、加熱ユニットにおける処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット等が含まれている。なおこの実施形態では例えば前記棚ユニットＵ１として加熱ユニット４１が３段に積層され、棚ユニットＵ２として冷却ユニット４２が３段に積層されている。
Among the thermal processing units described above, for example, a heating unit that heat-treats the wafer W after exposure, heat-treats the wafer W after development processing, or the wafer after processing in the heating unit. A cooling unit or the like for adjusting W to a predetermined temperature is included. In this embodiment, for example, the
棚ユニットＵ３は、例えば２段に積層された、現像処理後のウエハＷの検査を行う基板検査ユニット４３により構成される。各基板検査ユニット４３は、現像処理の不具合及び欠陥を検出するための欠陥検査装置、基板表面の異物を検査する異物検査装置、基板上に形成されたレジスト膜のパターンの線幅（ＣＤ）を測定するための線幅測定装置、露光後の基板とフォトマスクとの重ね合わせ精度を検査するための重ね合わせ検査装置、現像処理後の基板に残存するレジスト残渣を検出するための残渣検査装置、露光装置にて生じるパターンの位置ずれを検出するためのデフォーカス検査装置などの検査装置が夫々ユニット化されたものであり、所望の検査の種類に応じて選択される。なお実際には各検査ユニット４３の配置数及び配置レイアウトは、所望の検査の種類や配置できるスペースに応じて決められることになる。
The shelf unit U3 is configured by a
加熱ユニット４１、冷却ユニット４２、検査ユニット４３は夫々筺体を備え、各筺体の搬送用通路Ｒ１に面した前面にはウエハＷの受け渡しを行うための搬送口４０が開口している。
Each of the
図中Ａ１は前記搬送用通路Ｒ１に設けられたウエハＷのブロック用の搬送手段であるメインアームであり、このメインアームＡ１は、棚ユニットＵ１〜Ｕ３の各処理ユニット４１，４２及び検査ユニット４３、現像ユニット３１，３２、後述する棚ユニットＵ５の受け渡しステージ及び棚ユニットＵ６の受け渡しステージとの間でウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。メインアームＡ１は例えばウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２枚のアーム体５１，５２及びこれらアーム体５１，５２を支持する搬送基体を備えており、アーム体５１，５２は、搬送基体５３上を独立して進退自在に構成されている。図中５４，５５はこの搬送基体５３をガイドするためのガイドレールである。ガイドレール５４はガイドレール５５に係止されており、搬送基体５３はこのガイドレール５４、５５に沿って昇降自在、移動自在、また鉛直軸周りに回転自在に構成されている。
In the figure, A1 is a main arm which is a transfer means for blocking the wafer W provided in the transfer path R1, and this main arm A1 is composed of the
次に搬送ブロックＭ１について図１、図３及び図４を参照しながら説明する。この搬送ブロックＭ１はＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２とＢＣＴ層Ｂ３との間に設けられ、当該搬送ブロックＭ１においてウエハＷは、キャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側へ直行して搬送される。この搬送ブロックＭ１はＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の搬送用通路Ｒ１及びＢＣＴ層Ｂ３の搬送用通路Ｒ１とは夫々仕切り板により仕切られた搬送領域Ｍ２と直行搬送手段であるシャトルアーム６とを含んでいる。なお図示の便宜上図４において前記仕切り板４６は省略している。
Next, the transport block M1 will be described with reference to FIGS. The transfer block M1 is provided between the DEV layers B1 and B2 and the BCT layer B3. In the transfer block M1, the wafer W is transferred from the carrier block S1 side to the interface block S3 side. The transport block M1 includes a transport region M2 partitioned by a partition plate and a
シャトルアーム６は例えば移動部６Ａと駆動部６Ｂとにより構成され、移動部６Ａは例えば搬送用通路Ｒ１と並行する搬送領域Ｍ２に沿って移動できるように設けられている。移動部６Ａは例えばウエハＷの裏面側周縁領域を支持するためのアーム体６１を備えており、このアーム体６１は搬送基体６２上を進退自在に構成されている。また搬送基体６２は、移動基体６３上に鉛直軸回りに回転自在に設けられている。なお大きさに限定されなければ、搬送基体６２を昇降させる機構が設けられていてもよい。図中６４は、駆動部６Ｂに設けられたガイドレールであり、搬送領域Ｍ２に沿って伸びており、前記移動部６Ａを横方向にガイドする役割を有する。移動部６Ａは後述の棚ユニットＵ５に設けられた受け渡しステージＴＲＳ１Ｂと棚ユニットＵ６に設けられた受け渡しステージＴＲＳ６Ｂとの間でウエハＷの受け渡しを行う。
The
搬送用通路Ｒ１及び搬送領域Ｍ２におけるキャリアブロックＳ１と隣接する領域は、第１のウエハ受け渡し領域Ｒ２となっていて、この領域Ｒ２には、図１及び図３に示すようにメインアームＡ１と、シャトルアーム６の移動部６Ａと、トランスファーアームＣとがアクセスできる位置に棚状の受け渡しステージ群を構成する棚ユニットＵ５が設けられると共にこの棚ユニットＵ５に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在の上下搬送手段である受け渡しアームＤ１が設けられている。
An area adjacent to the carrier block S1 in the transfer path R1 and the transfer area M2 is a first wafer transfer area R2, and this area R2 includes the main arm A1 as shown in FIGS. A shelf unit U5 constituting a shelf-like delivery stage group is provided at a position where the moving
この棚ユニットＵ５において、搬送ブロックＭ１に対応する高さ位置には受け渡しステージ１Ｂが、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に対応する高さ位置には例えば２基の受け渡しステージＴＲＳ１が夫々設けられており、受け渡しステージＴＲＳ１ＢにはトランスファーアームＣ、前記シャトルアーム６の移動部６Ａ及び受け渡しアームＤ１がアクセスできるように構成されている。受け渡しステージＴＲＳ１にはメインアームＡ１、トランスファーアームＣ及び受け渡しアームＤ１が夫々アクセスできるように構成されている。
In the shelf unit U5, a delivery stage 1B is provided at a height position corresponding to the transfer block M1, and two delivery stages TRS1 are provided at height positions corresponding to the DEV layers B1 and B2, respectively. The stage TRS1B is configured such that the transfer arm C, the moving
各受け渡しステージＴＲＳ１及び受け渡しステージＴＲＳ１Ｂは例えば方形の筺体を備え、それらの各筺体内にはウエハＷを載置することでウエハＷの温度を予定した温度に調節する機構を備えたステージが設けられており、また当該ステージ上を突没自在なピンが設けられている。そして各受け渡しステージは、例えば筺体の各アームに向かう側面に設けられた搬送口を介して各アームが前記筺体内に進入し、前記ピンを介してステージから浮いたウエハＷの裏面を各アームが保持することができる、または前記ピンを介してプレート上に各アームにより搬送されたウエハＷが載置されるような構造を備えている。 Each delivery stage TRS1 and delivery stage TRS1B have, for example, rectangular housings, and stages having a mechanism for adjusting the temperature of the wafer W to a predetermined temperature by placing the wafer W in each housing are provided. In addition, a pin that can project and retract on the stage is provided. In each delivery stage, for example, each arm enters the housing via a transfer port provided on a side surface facing each arm of the housing, and each arm passes the back surface of the wafer W floating from the stage via the pin. The wafer W can be held, or the wafer W transported by each arm is placed on the plate via the pins.
なおこの例では図３に示すようにＢＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４に対応する高さ位置には各２基の受け渡しステージＴＲＳ３，ＴＲＳ４が設けられている。各ＴＲＳ３，４はすべて既述のＴＲＳ１のような構造を有しており、受け渡しステージＴＲＳ３，ＴＲＳ４は、各ＢＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４に設けられたメインアームＡ３，Ａ４及び受け渡しアームＤ１とウエハＷの受け渡しができるように構成されている。また受け渡しステージＴＲＳ３にはこれらのアームの他にトランスファーアームＣともウエハＷの受け渡しができるように構成されている。ところで各ＴＲＳの数は限定されるものではなく、各ブロックに対応して２基以上設けられていてもよい。
In this example, as shown in FIG. 3, two transfer stages TRS3 and TRS4 are provided at height positions corresponding to the BCT layer B3 and the COT layer B4. Each of the
前記受け渡しアームＤ１はＢ１からＢ４の各層を移動して、各層に設けられた受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ４，ＴＲＳ１Ｂに対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。また前記受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２，ＴＲＳ１Ｂは、この例ではトランスファーアームＣとの間でウエハＷの受け渡しが行われるように構成されている。 The transfer arm D1 is configured to be movable back and forth and up and down so that the wafer W can be transferred to the transfer stages TRS1 to TRS4 and TRS1B provided in each layer by moving through the layers B1 to B4. ing. In addition, the transfer stages TRS1, TRS2, and TRS1B are configured such that the wafer W is transferred to and from the transfer arm C in this example.
ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の搬送用通路Ｒ１及び搬送ブロックＭ１の搬送領域Ｍ２におけるインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域は、第２のウエハ受け渡し領域Ｒ３となっていて、この領域Ｒ３には、図３に示すように棚状の受け渡しステージ群を構成する棚ユニットＵ６が設けられている。棚ユニットＵ６の搬送ブロックＭ１に対応する高さ位置には受け渡しステージＴＲＳ６Ｂが、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に対応する高さ位置にはＴＲＳ６が夫々設けられており、受け渡しステージＴＲＳ６Ｂはシャトルアーム６とインターフェイスアームＩとの間で夫々ウエハＷの受け渡しを行う。
The area adjacent to the interface block S3 in the transfer path R1 of the DEV layers B1 and B2 and the transfer area M2 of the transfer block M1 is a second wafer transfer area R3. This area R3 is shown in FIG. Thus, a shelf unit U6 that constitutes a shelf-like delivery stage group is provided. A delivery stage TRS6B is provided at a height position corresponding to the transport block M1 of the shelf unit U6, and a TRS6 is provided at a height position corresponding to the DEV layers B1 and B2, and the delivery stage TRS6B is interfaced with the
また受け渡しステージＴＲＳ６はメインアームＡ１及びインターフェイスアームＩとの間で夫々ウエハＷの受け渡しを行う。受け渡しステージＴＲＳ６Ｂ，ＴＲＳ６は例えば既述の受け渡しステージＴＲＳ１，１Ｂと同様の構造を有しており、ウエハＷの冷却機能を備え、受け渡されたウエハＷの温調管理ができるように構成されている。 The transfer stage TRS6 transfers the wafer W between the main arm A1 and the interface arm I. The transfer stages TRS6B and TRS6 have, for example, the same structure as the transfer stages TRS1 and 1B described above, have a cooling function for the wafer W, and are configured to be able to control the temperature of the transferred wafer W. Yes.
また処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアームＩが備えられている。このインターフェイスアームＩは、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
なお既述の受け渡しアームＤ１も、鉛直軸回りに回転しない他はインターフェイスアームＩと同様に構成されている。
Further, an exposure apparatus S4 is connected to the back side of the shelf unit U6 in the processing block S2 via an interface block S3. The interface block S3 is provided with an interface arm I for delivering the wafer W to the shelf unit U6 of the processing block S2 and the exposure apparatus S4. The interface arm I is configured to be movable back and forth, liftable, and rotatable about a vertical axis.
The above-described delivery arm D1 is also configured in the same manner as the interface arm I except that it does not rotate around the vertical axis.
このインターフェイスアームＩは、処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間に介在するウエハＷの搬送手段をなすものであり、搬送ブロックＭ１に対応する受け渡しステージＴＲＳ６ＢからウエハＷを受け取り、露光装置Ｓ４へ搬入する一方で、露光装置Ｓ４からウエハＷを受け取り、受け渡しステージＴＲＳ６に受け渡すように構成されている。 The interface arm I serves as a transfer means for the wafer W interposed between the processing block S2 and the exposure apparatus S4. The interface arm I receives the wafer W from the transfer stage TRS6B corresponding to the transfer block M1, and carries it into the exposure apparatus S4. On the other hand, the wafer W is received from the exposure apparatus S4 and transferred to the transfer stage TRS6.
次にＢＣＴ層Ｂ３及びＣＯＴ層Ｂ４について簡単に説明する。ＢＣＴ層Ｂ３及びＣＯＴ層Ｂ４は、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２と略同様に構成されており、差異としては液処理ユニットの薬液として現像液の代わりに反射防止膜形成用の薬液あるいはレジスト膜形成用の薬液（レジスト液）が用いられる点、薬液の塗布の手法が異なる点が挙げられ、また各棚ユニットを構成する加熱系、冷却系のユニットにおける処理条件が異なる点などが挙げられる。またインターフェイスＳ３側に棚ユニットＵ６が配置されておらず、例えば図３に示すように搬送用通路Ｒ１とウエハ受け渡し領域Ｒ３に相当する領域とを区画するように遮蔽板４８が設けられている。
Next, the BCT layer B3 and the COT layer B4 will be briefly described. The BCT layer B3 and the COT layer B4 are configured in substantially the same manner as the DEV layers B1 and B2. The difference is that a chemical solution for forming an antireflection film or a resist film is used as a chemical solution for the liquid processing unit instead of a developer. A point that a chemical solution (resist solution) is used, a point that a method of applying a chemical solution is different, and a processing condition in a heating system and a cooling system that constitute each shelf unit are different. Further, the shelf unit U6 is not arranged on the interface S3 side, and for example, as shown in FIG. 3, a shielding
その他の差異点としてＢＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４には夫々１基の排気ユニット３５が設けられ、各排気ユニット３５の上層には搬送用通路Ｒ１に沿って例えば４基の棚ユニットが設けられ、これらの棚ユニットは夫々上下に２個積層された処理ユニットにより構成されている。またＣＯＴ層Ｂ４の棚ユニットを構成する処理ユニットとしては既述の冷却ユニット及び加熱ユニットの他にウエハＷに対して疎水化処理を行うユニット、ウエハＷの周縁部を露光する周縁露光ユニット及びレジスト膜形成後のウエハＷの検査を行う基板検査ユニットが含まれている。
As other differences, the BCT layer B3 and the COT layer B4 are each provided with one
このＣＯＴ層Ｂ４の基板検査ユニットとしては、例えば欠陥検査装置、レジストの膜厚を測定するための膜厚測定装置、塗布斑表面検査装置、基板に付着したパーティクル（異物）数を検出するための表面異物装置、ウエハの反りのデータを取得する基板反り検査装置、レジスト塗布後のウエハＷ表面にレジスト液中の気泡や異物によって発生するコメットを検出するためのコメット検出装置、ウエハＷ表面から飛び出したレジスト液の溶剤がウエハＷに再付着するスプラッシュバックを検出するスプラッシュバック検出装置、レジスト液の塗布ムラを検出するための塗布ムラ検出装置等の装置をユニット化したものの中から所望の検査に応じて選択される。 As the substrate inspection unit for the COT layer B4, for example, a defect inspection apparatus, a film thickness measurement apparatus for measuring the resist film thickness, a coating surface inspection apparatus, and a number of particles (foreign matter) adhering to the substrate are detected. Surface foreign matter device, substrate warpage inspection device for acquiring wafer warpage data, comet detection device for detecting comets caused by bubbles or foreign matter in resist solution on the surface of wafer W after resist coating, and jumping out from the surface of wafer W From the unitized devices such as a splash back detection device that detects splash back that the solvent of the resist solution re-adheres to the wafer W, and a coating unevenness detection device that detects uneven coating of the resist solution. Is selected accordingly.
またその他にＣＯＴ層Ｂ４の棚ユニットを構成する処理ユニットとしてはウエハＷにレーザーによる処理を施して所定の識別コードを作成する基板識別タイトル露光機やウエハＷのアライメントマークを被覆しているレジストをレーザーによる処理を行うことで昇華させて当該マークを露出させるレーザーアブレーション装置などの処理装置をユニット化したものを設けてもよく、以降これらのユニット化された処理装置も既述の夫々所定の検査を行うためのユニット化された装置に含めて基板検査ユニットと称する。 In addition, as a processing unit constituting the shelf unit of the COT layer B4, a substrate identification title exposure machine that performs processing with a laser on the wafer W to create a predetermined identification code, or a resist that covers the alignment mark of the wafer W is used. A processing unit such as a laser ablation device that sublimates by laser processing and exposes the mark may be provided as a unit, and these united processing units are also each of the predetermined inspections described above. It is called a board inspection unit included in a unitized apparatus for performing the above.
この塗布、現像装置は、例えばコンピュータからなるプログラム格納部を有する制御部１００を備えている。プログラム格納部には後述するようなこの塗布、現像装置の作用、つまりウエハＷの処理、ウエハＷの受け渡し、搬送経路のレシピの管理などが実施されるように命令が組まれた例えばソフトウエアからなるコンピュータプログラムが格納される。そして当該プログラムが制御部１００に読み出されることにより制御部１００はこの塗布、現像装置の作用を制御する。なおこのプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記録媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。 The coating / developing apparatus includes a control unit 100 having a program storage unit including a computer, for example. In the program storage unit, instructions such as software, which will be described later, such as coating, developing device operations, that is, processing of the wafer W, delivery of the wafer W, management of the recipe of the transfer path, etc., are implemented. A computer program is stored. When the program is read out by the control unit 100, the control unit 100 controls the operation of the coating and developing apparatus. The program is stored in the program storage unit while being stored in a recording medium such as a hard disk, a compact disk, a magnetic optical disk, or a memory card.
ここでこの塗布、現像装置における作用について説明する。外部からキャリア２０がキャリアブロックＳ１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣ→棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ３→ＢＣＴ層Ｂ３のメインアームＡ３→冷却ユニット→メインアームＡ３→下部反射防止膜形成ユニット（図示していないが、図４における現像ユニット３１，３２に対応するユニットである）→メインアームＡ３→加熱ユニット→メインアームＡ３→冷却ユニット→メインアームＡ３→棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ３の順序で搬送されて、下部反射防止膜が形成される。
Here, the operation of the coating and developing apparatus will be described. The
続いて受け渡しステージＴＲＳ３のウエハＷは、受け渡しアームＤ１→ＣＯＴ層Ｂ４の受け渡しステージＴＲＳ４→ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４→冷却ユニット→疎水化処理ユニット→冷却ユニット→メインアームＡ４→レジスト塗布ユニット（図示していないが、図４における現像ユニット３１，３２に対応するユニットである）→メインアームＡ４→加熱ユニットの順序で搬送されて下部反射防止膜の上層にレジスト膜が形成された後、メインアームＡ４により周縁露光ユニットに搬送されて周縁部が露光される。
Subsequently, the wafer W of the transfer stage TRS3 is transferred from the transfer arm D1 → the transfer stage TRS4 of the COT layer B4 → the main arm A4 of the COT layer B4 → the cooling unit → the hydrophobic treatment unit → the cooling unit → the main arm A4 → the resist coating unit (FIG. Although not shown, it is a unit corresponding to the developing
周縁が露光されたウエハＷの全数あるいはそれらウエハＷの中から選択されたウエハＷが、メインアームＡ４によりＣＯＴ層Ｂ４の各基板検査ユニットに搬送され、順次所定の検査、例えばレジストの膜厚検査やレジスト膜表面のパーティクルの検査などを受けた後、そのメインアームＡ４により棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ４に搬送される。次いで受け渡しステージＴＲＳ４のウエハＷは、受け渡しアームＤ１→受け渡しステージＴＲＳ１Ｂ→シャトルアーム６→受け渡しステージＴＲＳ６Ｂ→インターフェイスアームＩ→露光装置Ｓ４の順に搬送され、露光装置Ｓ４で所定の露光処理が行われる。
The total number of wafers W whose peripheral edges are exposed or wafers W selected from the wafers W are transferred to each substrate inspection unit of the COT layer B4 by the main arm A4, and sequentially subjected to a predetermined inspection, for example, a resist film thickness inspection. After the inspection of the particles on the surface of the resist film and the like, the main arm A4 carries it to the delivery stage TRS4 of the shelf unit U5. Next, the wafer W on the transfer stage TRS4 is transferred in the order of the transfer arm D1, the transfer stage TRS1B, the
露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＩ→受け渡しステージＴＲＳ６→ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２のメインアームＡ１→加熱ユニット４１→メインアームＡ１→冷却ユニット４２→メインアームＡ１→現像ユニット３１（３２）→加熱ユニット４１→冷却ユニット４２の順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷはメインアームＡ１により棚ユニットＵ３の各基板検査ユニット４３に搬送され、順次所定の検査を受けた後に棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ１に搬送され、然る後トランスファーアームＣによりキャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
The wafer W after the exposure processing is interface arm I → delivery stage TRS6 → main arm A1 of DEV layers B1 and B2 →
図５は以上説明したウエハＷの搬送経路を模式的に示したものである。図中鎖線の矢印で示すように、ウエハＷは塗布膜形成用のブロックＢ３〜Ｂ４間を移動し、塗布膜が形成された後、ＣＯＴ層Ｂ４の基板検査ユニットで露光前の所定の検査を受ける（ステップ１）。その後ウエハＷは、実線の矢印で示すようにシャトルアーム６により処理ブロックＳ２におけるキャリアブロックＳ１側からインターフェイスＳ３側へ搬送ブロックＭ１を経由して搬送され、さらに露光装置Ｓ４に搬送される（ステップ２）。露光処理を受けたウエハＷは点線の矢印で示すように露光装置Ｓ４からＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に搬送され、現像処理を受けた後、基板検査ユニット４３に搬送されて現像後の既述の検査を受け、然る後キャリアブロックＳ１に戻される（ステップ３）。
FIG. 5 schematically shows the transfer path of the wafer W described above. As indicated by the chain line arrow in the figure, the wafer W moves between the coating film forming blocks B3 to B4, and after the coating film is formed, the substrate inspection unit for the COT layer B4 performs a predetermined inspection before exposure. Receive (step 1). Thereafter, the wafer W is transferred by the
上述の実施形態の塗布、現像装置によれば、基板検査ユニットが設けられたレジスト膜塗布用の単位ブロックＣＯＴ層Ｂ４、基板検査ユニット４３が設けられた現像処理用の単位ブロックＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２を上下に積層することで各基板検査ユニットが塗布、現像装置本体から横へ飛び出すといった不利な装置レイアウトとならず、無理のないレイアウトを実現でき、また塗布、現像装置の設置スペースも小さくて済む。またＣＯＴ層Ｂ４及びＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２にレジスト膜が形成されたウエハＷをキャリアブロックＳ１側の棚ユニットＵ５からインターフェイスブロックＳ３側の棚ユニットＵ６へ直行搬送する搬送ブロックＭ１が積層されているため、ＣＯＴ層Ｂ４，ＢＣＴ層Ｂ３及びＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の各メインアームＡ１，Ａ３，Ａ４によりインターフェイスブロックＳ３側へウエハＷの搬送を行う必要がなくなり、従って各メインアームＡ１，Ａ３，Ａ４の負荷が低減し、高い搬送効率が得られる結果としてスループットの低下が抑えられる。
According to the coating and developing apparatus of the above-described embodiment, the unit block COT layer B4 for resist film coating provided with the substrate inspection unit, and the unit block DEV layers B1 and B2 for development processing provided with the
なお単位ブロックＢの積層数は４つに限られず、例えば下部反射防止膜、レジスト膜以外の塗布膜を形成するための単位ブロックが設けられていてもよい。各単位ブロックＢ１〜Ｂ４及び搬送ブロックＭ１の積層される順番も上述した順に限られず、例えば単位ブロックＢ３としてＣＯＴ層を、その上層の単位ブロックＢ４としてＢＣＴ層を夫々割り当ててもよい。 The number of stacked unit blocks B is not limited to four. For example, unit blocks for forming a coating film other than the lower antireflection film and the resist film may be provided. The order in which the unit blocks B1 to B4 and the transport block M1 are stacked is not limited to the order described above. For example, a COT layer may be assigned as the unit block B3 and a BCT layer may be assigned as the unit block B4 above the unit block B3.
なお本発明の直行搬送手段は、処理ブロック側の受け渡しステージからインターフェイスブロックに、塗布あるいは現像を行うためのユニットを介さないで基板を直行して搬送するためのものであり、この直通搬送手段の搬送経路中に例えば上述の実施形態のように基板の受け渡しステージなどが介在している場合であっても、例えばこれらステージ内を介して直行搬送手段とインターフェイスブロック側の搬送手段との間で基板の受け渡しが行われる場合をも含む意味である The direct conveyance means of the present invention is for conveying the substrate directly from the transfer stage on the processing block side to the interface block without passing through a unit for coating or developing. Even when a substrate transfer stage or the like is interposed in the transport path as in the above-described embodiment, for example, the substrate is interposed between the direct transport means and the transport means on the interface block side through these stages. This includes the case where the delivery is performed
続いて塗布、現像装置の第２の実施形態について図６、図７を参照しながら説明する。この塗布、現像装置においてはＣＯＴ層Ｂ４の上方に第５の単位ブロックとして基板検査用の検査ブロックＢ５が積層されている。図８はその検査ブロックＢ５の横断平面図である。検査ブロックＢ５は単位ブロックＢ１〜Ｂ４と略同様に構成されており、ブロックＢ１〜Ｂ５との差異点としては液処理ユニットが設けられておらず、また液処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の熱系処理ユニットが設けられていないことが挙げられる。即ちこの第２の実施形態では第１の実施形態においてＣＯＴ層Ｂ４及びＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２には位置していた基板検査ユニットを、専用検査ブロックの中にまとめて搭載した構成を採用している。 Next, a second embodiment of the coating and developing apparatus will be described with reference to FIGS. In this coating and developing apparatus, an inspection block B5 for substrate inspection is laminated as a fifth unit block above the COT layer B4. FIG. 8 is a cross-sectional plan view of the inspection block B5. The inspection block B5 is configured in substantially the same manner as the unit blocks B1 to B4. As a difference from the blocks B1 to B5, no liquid processing unit is provided, and the liquid processing pre-processing and post-processing are performed. It is mentioned that the heating / cooling system heat treatment unit is not provided. That is, in the second embodiment, a configuration is adopted in which the substrate inspection units located in the COT layer B4 and the DEV layers B1 and B2 in the first embodiment are collectively mounted in a dedicated inspection block. .
また検査ブロックＢ５には既述の実施形態のＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２と同様に棚ユニットＵ１，Ｕ２が設けられているが、この棚ユニットＵ１，Ｕ２は、例えば２段に積層された既述の基板検査ユニット４３によって構成されており、搬送用通路Ｒ１を挟んでこれら棚ユニットＵ１，Ｕ２と対向するようにレジスト塗布後のウエハＷについて検査を行う各種の基板検査ユニット４４、周縁露光ユニットなどのユニットが例えば当該搬送用通路Ｒ１に沿って複数積層されて設けられている。前記基板検査ユニット４４は、既述の実施形態においてＣＯＴ層Ｂ４に設けられている基板検査ユニットに相当し、既述のユニット化された基板識別タイトル露光装置及びレーザーアブレーション装置などの装置もこの基板検査ユニット４４に含まれる。なおこの実施形態においても基板検査ユニット４３，４４の設置数及び配置レイアウトは所望の検査の種類、設置スペースなどを考慮して任意に決定され、この検査ブロックＢ５に設けられるメインアームＡ５がアクセス可能な位置に配置されるのであればこのような配置例に限られない。
The inspection block B5 is provided with shelf units U1 and U2 as in the case of the DEV layers B1 and B2 in the above-described embodiment. The shelf units U1 and U2 are, for example, described in the above-described two layers. The
なおこの検査ブロックＢ５には例えば上方から下方へ向けてパーティクルが除去された清浄気体が供給され、この塗布、現像装置が設置されるクリーンルームの圧力よりも若干高い圧力（陽圧）に設定されることで当該ブロック内へ外部から気流が入りこむことが抑制され、そのような気流に乗ってパーティクルが塗布、現像装置内に流入することが抑えられている。 The inspection block B5 is supplied with a clean gas from which particles are removed, for example, from the top to the bottom, and is set to a pressure (positive pressure) slightly higher than the pressure in the clean room where the coating and developing apparatus is installed. As a result, the air current is prevented from entering the block from the outside, and the particles are prevented from riding on the air current and flowing into the coating and developing apparatus.
また図７に示すように棚ユニットＵ５においては検査ブロックＢ５に対応する高さ位置に受け渡しステージＴＲＳ５が設けられており、この受け渡しステージＴＲＳ５にはメインアームＡ５、受け渡しアームＤ１がアクセスできるようになっている。 As shown in FIG. 7, in the shelf unit U5, a transfer stage TRS5 is provided at a height corresponding to the inspection block B5. The transfer arm TR5 can be accessed by the main arm A5 and the transfer arm D1. ing.
この塗布、現像装置においてウエハＷは、キャリアブロックＳ１に搬入され、既述の実施形態と同様の経路で搬送されて、その表面に下部反射防止膜、レジスト膜が形成された後、ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４→棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ４→受け渡しアームＤ１→受け渡しステージＴＲＳ５→検査ブロックＢ５のメインアームＡ５→周縁露光ユニット→メインアームＡ５→基板検査ユニット４４に搬送され、各検査ユニット４４で順次所定の検査を受ける。その後ウエハＷは、メインアームＡ５→受け渡しステージＴＲＳ５→受け渡しアームＤ１→受け渡しステージ１Ｂ→シャトルアーム６→受け渡しステージＴＲＳ６Ｂ→インターフェイスアームＩ→露光装置Ｓ４の順に搬送される。
In this coating and developing apparatus, the wafer W is carried into the carrier block S1 and conveyed by the same path as that of the above-described embodiment, and after the lower antireflection film and the resist film are formed on the surface, the COT layer B4 Main arm A4 → delivery stage TRS4 of shelf unit U5 → delivery arm D1 → delivery stage TRS5 → main arm A5 of inspection block B5 → periphery exposure unit → main arm A5 →
そして露光装置Ｓ４で露光処理を受けたウエハＷは、既述の実施形態の塗布、現像装置と同様の経路で搬送され、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２を通って現像処理を受け、受け渡しステージＴＲＳ１に受け渡された後、受け渡しアームＤ１→受け渡しステージＴＲＳ５→メインアームＡ５→基板検査ユニット４３の順に搬送されて各検査ユニット４３で順次所定の検査を受ける。検査後のウエハＷは、メインアームＡ５→受け渡しステージＴＲＳ５→受け渡しアームＤ１→受け渡しステージＴＲＳ１の順に搬送され、その後既述の実施形態と同様の経路でキャリア２０に戻される。
Then, the wafer W that has undergone the exposure process in the exposure apparatus S4 is transported through the same path as the coating and developing apparatus of the above-described embodiment, undergoes the development process through the DEV layers B1 and B2, and is received by the delivery stage TRS1. After the transfer, the transfer arm D1 → the transfer stage TRS5 → the main arm A5 → the
図９は、以上説明したウエハＷの塗布膜形成後から現像後の検査を受けるまでの搬送経路を模式的に示したものである。ウエハＷは塗布膜形成用のブロックＢ３〜Ｂ４間を移動し、塗布膜が形成された後、図中鎖線の矢印で示すように検査ブロックＢ５に搬送され、この検査ブロックＢ５の基板検査ユニット４４で露光前の所定の検査を受ける（ステップ１）。その後点線の矢印で示すようにウエハＷは、シャトルアーム６により処理ブロックＳ２をキャリアブロックＳ１側からインターフェイスＳ３側へ搬送ブロックＭ１を経由して搬送され、さらに露光装置Ｓ４に搬送される（ステップ２）。露光処理を受けたウエハＷは露光装置Ｓ４からＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に搬送され現像処理を受けた後、基板検査ユニット４３に搬送されて現像後の所定の検査を受け（ステップ３）、その後キャリアブロックＳ１に戻される。
FIG. 9 schematically shows a transfer path from the formation of the coating film on the wafer W described above to the inspection after the development. The wafer W moves between the coating film forming blocks B3 to B4, and after the coating film is formed, the wafer W is transferred to the inspection block B5 as shown by the chain line arrow in the figure, and the
この実施の形態の塗布、現像装置においても、基板検査ユニット４３，４４が設けられた検査ブロックＢ５がＣＯＴ層Ｂ４、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２及び搬送ブロックＭ１に積層されているため先の実施形態の塗布、現像装置と同様に各基板検査ユニットが塗布、現像装置本体から横へ飛び出すといった不利な装置レイアウトとならず、無理のないレイアウトを実現でき、塗布、現像設置の設置スペースも小さくて済む。また搬送ブロックＭ１のシャトルアーム６が、レジスト膜が形成されたウエハＷをキャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側へ搬送するため、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１〜Ａ５の負荷が抑えられ、これらのメインアームＡ１〜Ａ５の動作が複雑化することによるスループットの低下が抑えられる。
Also in the coating and developing apparatus of this embodiment, since the inspection block B5 provided with the
続いて本発明の塗布、現像装置の第３の実施形態について図１０、図１１を参照しながら説明する。この塗布、現像装置は第２の実施形態の塗布、現像装置と略同様の構成を有するが、搬送ブロックＭ１、棚ユニットＵ５における受け渡しステージＴＲＳ１Ｂ及び棚ユニットＵ６における受け渡しステージＴＲＳ６Ｂが設けられていない。図１２にはこの実施形態における検査ブロックＢ５の横断平面を示している。検査ブロックＢ５のインターフェイスブロックＳ３側は第１の実施形態のＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２と同様にウエハ受け渡し領域Ｒ３として構成され、この領域Ｒ３には棚ユニットＵ６が設けられており、当該棚ユニットＵ６の検査ブロックＢ５に対応する高さ位置には受け渡しステージＴＲＳ７が設けられている。またウエハ受け渡し領域Ｒ３には例えば受け渡しアームＤ１と同様の構成を有する受け渡しアームＤ２が設けられており、この受け渡しアームＤ２は単位ブロックＢ１〜Ｂ５間を昇降し、前記受け渡しステージＴＲＳ７及び受け渡しステージＴＲＳ６にアクセスする。なおこの実施形態においては前記受け渡しアームＤ１が第１の上下搬送手段、受け渡しアームＤ２が第２の上下搬送手段に夫々相当する。 Next, a third embodiment of the coating and developing apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. This coating / developing apparatus has substantially the same configuration as the coating / developing apparatus of the second embodiment, but the transfer block M1, the delivery stage TRS1B in the shelf unit U5 and the delivery stage TRS6B in the shelf unit U6 are not provided. FIG. 12 shows a transverse plane of the inspection block B5 in this embodiment. Similar to the DEV layers B1 and B2 of the first embodiment, the interface block S3 side of the inspection block B5 is configured as a wafer transfer region R3, and a shelf unit U6 is provided in this region R3. A delivery stage TRS7 is provided at a height position corresponding to the inspection block B5. Further, in the wafer transfer region R3, for example, a transfer arm D2 having the same configuration as that of the transfer arm D1 is provided. to access. In this embodiment, the transfer arm D1 corresponds to a first vertical transfer means, and the transfer arm D2 corresponds to a second vertical transfer means.
この塗布、現像装置においてウエハＷは、既述の実施形態と同様にキャリアブロックＳ１に搬送され、その表面に下部反射防止膜、レジスト膜が形成されて、検査ブロックＢ５の基板検査ユニット４４で所定の検査を受けた後、メインアームＡ５→受け渡しステージＴＲＳ７→受け渡しアームＤ２→受け渡しステージＴＲＳ６→インターフェイスアームＩ→露光装置Ｓ４の順に搬送されて露光処理を受ける。露光処理を受けたウエハＷは既述の第２の実施形態の塗布、現像装置と同様の経路でＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２を通って検査ブロックＢ５に戻され、各基板検査ユニット４３で既述の検査を受けた後、第２の実施形態のウエハＷと同様の経路を通ってキャリア２０に戻される。
In this coating and developing apparatus, the wafer W is transferred to the carrier block S1 as in the above-described embodiment, and a lower antireflection film and a resist film are formed on the surface thereof. After being inspected, the main arm A5 → the delivery stage TRS7 → the delivery arm D2 → the delivery stage TRS6 → the interface arm I → the exposure apparatus S4 is transported in order and subjected to an exposure process. The wafer W that has undergone the exposure process is returned to the inspection block B5 through the DEV layers B1 and B2 through the same path as the coating and developing apparatus of the second embodiment described above. After receiving the inspection, the
図１３は、以上説明した塗布膜形成後から現像後の検査が行われるまでのウエハＷの搬送経路を模式的に示したものである。ウエハＷは塗布膜形成用のブロックＢ３〜Ｂ４間を移動し、塗布膜が形成された後、図中鎖線の矢印で示すように検査ブロックＢ５に搬送され、そのブロックＢ５の基板検査ユニット４４で露光前の所定の検査を受ける（ステップ１）。その後ウエハＷは、図中実線の矢印で示すように、検査ブロックＢ５をインターフェイスブロックＳ３側へ搬送され、棚ユニットＵ６を経由してそのインターフェイスブロックＳ３、露光装置Ｓ４の順に搬送される（ステップ２）。
FIG. 13 schematically shows the transfer path of the wafer W from the formation of the coating film described above to the inspection after development. The wafer W moves between the coating film forming blocks B3 to B4, and after the coating film is formed, the wafer W is transferred to the inspection block B5 as indicated by a chain line arrow in the figure, and is subjected to the
露光処理を終えたウエハＷは、図中点線の矢印で示すように露光装置Ｓ４からインターフェイスブロックＳ３を介してＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に搬送され、現像処理を受けた後にＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２内をキャリアブロックＳ１側へと搬送される。然る後ウエハＷは棚ユニットＵ６を経由し、再度検査ブロックＢ５に搬送され検査ブロックＢ５の基板検査ユニット４３にて既述の検査を受けた後（ステップ３）、キャリアブロックＳ１に戻される
The wafer W after the exposure processing is transferred from the exposure apparatus S4 to the DEV layers B1 and B2 via the interface block S3 as indicated by the dotted arrows in the drawing, and after undergoing the development processing, the wafer W is passed through the DEV layers B1 and B2. It is conveyed to the carrier block S1 side. After that, the wafer W passes through the shelf unit U6, is again transferred to the inspection block B5, is subjected to the inspection described above in the
このような実施形態によっても、先の実施形態と同様に塗布、現像装置と同様に各基板検査ユニットが塗布、現像装置本体から横へ飛び出すといった不利な装置レイアウトとならず、無理のないレイアウトを実現できる。 Even in such an embodiment, similarly to the previous embodiment, each substrate inspection unit does not have an unfavorable device layout such as the application and development device jumping out from the developing device main body in the same manner as the coating and developing device. realizable.
なお第２及び第３の実施形態においても各単位ブロックＢは上述した順に積層されることに限られない。例えば基板検査ユニット４３，４４を含む検査ブロックは最上層に設けられることに限られず、最下層に設けられたり各現像用の単位ブロック及び各塗布膜形成用の単位ブロックに上下を挟まれるように設けられていてもよい。
In the second and third embodiments, the unit blocks B are not limited to be stacked in the order described above. For example, the inspection block including the
Ｗ 半導体ウエハ
２０ キャリア
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 処理ブロック
Ｓ３ インターフェイスブロック
Ｓ４ 露光装置
Ａ１〜Ａ５ メインアーム
Ｂ１，Ｂ２ ＤＥＶ層
Ｂ３ ＢＣＴ層
Ｂ４ ＣＯＴ層
Ｂ５ 検査ブロック
Ｍ１ 搬送ブロック
Ｃ トランファーアーム
Ｄ１，Ｄ２ 受け渡しアーム
ＴＲＳ１〜ＴＲＳ７，ＴＲＳ１Ｂ，ＴＲＳ５Ｂ 受け渡しステージ
４３，４４ 基板検査ユニット
６ シャトルアーム
Claims (10)
ａ．レジスト膜形成用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．レジスト膜形成用のブロックは、レジスト液を基板に塗布するための液処理ユニット及びレジスト液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ．基板検査用のブロックは、基板を検査する基板検査ユニットとこの基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間において、レジスト膜形成用のブロック、基板検査用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置され、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージと、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を備えていることを特徴とする塗布装置。 In the coating apparatus for transferring the substrate carried into the carrier block by the carrier to the processing block via the carrier block conveying means, and forming a resist film in this processing block,
a. A block for resist film formation and a block for substrate inspection are laminated together to form a processing block,
b. The resist film forming block conveys the substrate between these processing units and a plurality of processing units including a liquid processing unit for applying the resist solution to the substrate and a heating unit for heating the substrate to which the resist solution is applied. A conveying means for the block,
c. The block for substrate inspection includes a substrate inspection unit for inspecting the substrate and a transport means for the block for transporting the substrate to the substrate inspection unit.
d. Between the carrier block and the processing block, a plurality of units are arranged at height positions corresponding to the resist film forming block and the substrate inspection block, respectively, for transferring the substrate to / from the conveying means of each block. A coating apparatus comprising: a transfer stage; and an up-and-down transfer means that can move up and down so that the substrate can be transferred to and from each transfer stage.
ａ．レジスト膜形成用のブロックと直行搬送ブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．レジスト膜形成用のブロックは、レジスト液を基板に塗布するための液処理ユニット及びレジスト液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ．前記直行搬送ブロックに設けられ、キャリアブロック側からインターフェイスブロックへレジスト膜が形成された基板を直行搬送する搬送手段と、
を備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間において、レジスト膜形成用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージと、各受け渡しステージ及び前記直行搬送ブロックに設けられた搬送手段に対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を設け、
ｅ．前記レジスト膜形成用のブロックに、当該ブロック用の搬送手段により搬送される基板の検査を行う基板検査ユニットが設けられていることを特徴とする塗布装置。 In the coating apparatus that delivers the substrate carried into the carrier block by the carrier to the processing block via the carrier block conveying means, forms a resist film in the processing block, and then delivers it to the interface block.
a. A block for resist film formation and a direct conveyance block are laminated together to form a processing block,
b. The resist film forming block conveys the substrate between these processing units and a plurality of processing units including a liquid processing unit for applying the resist solution to the substrate and a heating unit for heating the substrate to which the resist solution is applied. A conveying means for the block,
c. A transport means provided in the direct transport block, for transporting the substrate on which a resist film is formed from the carrier block side to the interface block;
With
d. A plurality of delivery stages for delivering the substrate to and from the conveying means of each block, which are arranged at height positions corresponding to the resist film forming blocks, respectively, between the carrier block and the processing block; Up and down conveying means that can be raised and lowered so that the substrate can be delivered to each delivery stage and the conveying means provided in the direct conveying block, and
e. A coating apparatus, wherein the resist film forming block is provided with a substrate inspection unit for inspecting a substrate conveyed by a conveying means for the block.
ａ．レジスト膜形成用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．レジスト膜形成用のブロックは、レジスト液を基板に塗布するための液処理ユニット及びレジスト液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ．基板検査用のブロックは、基板を検査する基板検査ユニットとこの基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間において、レジスト膜形成用のブロック、基板検査用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージと、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を備えていることを特徴とする塗布装置。 In the coating apparatus that transfers the substrate carried into the carrier block by the carrier to the processing block via the carrier block transport means, forms a resist film in the processing block, and then transports it to the interface block.
a. A block for resist film formation and a block for substrate inspection are laminated together to form a processing block,
b. The resist film forming block conveys the substrate between these processing units and a plurality of processing units including a liquid processing unit for applying the resist solution to the substrate and a heating unit for heating the substrate to which the resist solution is applied. A conveying means for the block,
c. The block for substrate inspection includes a substrate inspection unit for inspecting the substrate and a transport means for the block for transporting the substrate to the substrate inspection unit.
d. Between the carrier block and the processing block, the substrate is transferred to and from the transport means of each block disposed at a height corresponding to the resist film forming block and the substrate inspection block. A coating apparatus comprising: a plurality of delivery stages; and an up-and-down conveying unit that can be moved up and down so that a substrate can be delivered to each delivery stage.
前記受け渡しステージは、この塗布膜形成用のブロックに対応する高さ位置にも配置されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の塗布装置。 The resist film forming block includes a plurality of processing units including a liquid processing unit for applying a coating solution to a substrate and a heating unit for heating the substrate to which the coating solution is applied, and a substrate between these processing units. A block for coating film formation provided with a conveying means for a block for conveying
4. The coating apparatus according to claim 1, wherein the delivery stage is also disposed at a height position corresponding to the coating film forming block.
ａ．現像処理用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．現像処理用のブロックは、現像液を基板に塗布するための液処理ユニットと、この液処理ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ．基板検査用のブロックは、基板を検査する基板検査ユニットとこの基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間において、現像処理用のブロック、基板検査用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージと、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を備えていることを特徴とする現像装置。 In the developing device for transferring the substrate carried into the carrier block by the carrier to the processing block via the carrier block conveying means, developing the processing block and transferring it to the carrier block,
a. A development block and a substrate inspection block are stacked together to form a processing block.
b. The development processing block includes a liquid processing unit for applying the developer to the substrate, and a transport means for the block for transporting the substrate to the liquid processing unit.
c. The block for substrate inspection includes a substrate inspection unit for inspecting the substrate and a transport means for the block for transporting the substrate to the substrate inspection unit.
d. Plural for transferring the substrate between the carrier block and the processing block and the conveying means of each block arranged at the height corresponding to the development processing block and the substrate inspection block, respectively. A developing apparatus comprising: a transfer stage; and an up-and-down conveying means that can be moved up and down so that the substrate can be transferred to each transfer stage.
ａ．レジスト膜形成用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．レジスト膜形成用のブロックは、レジスト液を基板に塗布するための液処理ユニット及びレジスト液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ．基板検査用のブロックは、基板を検査する基板検査ユニットとこの基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間において、レジスト膜形成用のブロック、基板検査用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置され、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージと、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を備える塗布装置を用いて塗布処理を行う方法であって、
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、レジスト膜形成用のブロックにて基板にレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜を形成した基板を、基板検査用のブロックに設けられた基板検査ユニットにブロック用の搬送手段により搬送して検査を行う工程と、
この工程で検査された基板をキャリアブロックに受け渡す工程と、
を含むことを特徴とする塗布方法。 In the coating apparatus for transferring the substrate carried into the carrier block by the carrier to the processing block via the carrier block conveying means, and forming a resist film in this processing block,
a. A block for resist film formation and a block for substrate inspection are laminated together to form a processing block,
b. The resist film forming block conveys the substrate between these processing units and a plurality of processing units including a liquid processing unit for applying the resist solution to the substrate and a heating unit for heating the substrate to which the resist solution is applied. A conveying means for the block,
c. The block for substrate inspection includes a substrate inspection unit for inspecting the substrate and a transport means for the block for transporting the substrate to the substrate inspection unit.
d. Between the carrier block and the processing block, a plurality of units are arranged at height positions corresponding to the resist film forming block and the substrate inspection block, respectively, for transferring the substrate to / from the conveying means of each block. A transfer stage, and a vertical conveying means that can be moved up and down so that the substrate can be transferred to each transfer stage, and a coating process using a coating apparatus,
A step of transferring a substrate carried into a carrier block by a carrier to a processing block, and forming a resist film on the substrate with a block for forming a resist film;
A step of inspecting the substrate on which the resist film has been formed by transporting the substrate inspection unit provided in the block for substrate inspection by a transport means for the block;
A step of transferring the substrate inspected in this step to the carrier block;
The coating method characterized by including.
ａ．レジスト膜形成用のブロックと直行搬送ブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．レジスト膜形成用のブロックは、レジスト液を基板に塗布するための液処理ユニット及びレジスト液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ．前記直行搬送ブロックに設けられ、キャリアブロック側からインターフェイスブロックへレジスト膜が形成された基板を直行搬送する搬送手段と、
を備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間において、レジスト膜形成用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージと、各受け渡しステージ及び前記直行搬送ブロックに設けられた搬送手段に対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を設け、
ｅ．前記レジスト膜形成用のブロックに、当該ブロック用の搬送手段により搬送される基板の検査を行う基板検査ユニットが設けられている塗布装置を用いて塗布処理を行う方法であって、
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、レジスト膜形成用のブロックにて基板にレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜を形成した基板を、基板検査用のブロックに設けられた基板検査ユニットにブロック用の搬送手段により搬送して検査を行う工程と、
この工程で検査された基板を直行搬送ブロックを通してインターフェイスブロックに搬送する工程と、
を含むことを特徴とする塗布方法。 In the coating apparatus that delivers the substrate carried into the carrier block by the carrier to the processing block via the carrier block conveying means, forms a resist film in the processing block, and then delivers it to the interface block.
a. A block for resist film formation and a direct conveyance block are laminated together to form a processing block,
b. The resist film forming block conveys the substrate between these processing units and a plurality of processing units including a liquid processing unit for applying the resist solution to the substrate and a heating unit for heating the substrate to which the resist solution is applied. A conveying means for the block,
c. A transport means provided in the direct transport block, for transporting the substrate on which a resist film is formed from the carrier block side to the interface block;
With
d. A plurality of delivery stages for delivering the substrate to and from the conveying means of each block, which are arranged at height positions corresponding to the resist film forming blocks, respectively, between the carrier block and the processing block; Up and down conveying means that can be raised and lowered so that the substrate can be delivered to each delivery stage and the conveying means provided in the direct conveying block, and
e. The resist film forming block is a method of performing a coating process using a coating apparatus provided with a substrate inspection unit for inspecting a substrate transported by a transport means for the block,
A step of transferring a substrate carried into a carrier block by a carrier to a processing block, and forming a resist film on the substrate with a block for forming a resist film;
A step of inspecting the substrate on which the resist film has been formed by transporting the substrate inspection unit provided in the block for substrate inspection by a transport means for the block;
Transporting the substrate inspected in this process to the interface block through the direct transport block;
The coating method characterized by including.
ａ．レジスト膜形成用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．レジスト膜形成用のブロックは、レジスト液を基板に塗布するための液処理ユニット及びレジスト液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ．基板検査用のブロックは、基板を検査する基板検査ユニットとこの基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間において、レジスト膜形成用のブロック、基板検査用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージと、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を備えている塗布装置を用いて塗布処理を行う方法であって、
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、レジスト膜形成用のブロックにて基板にレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜を形成した基板を、基板検査用のブロックに設けられた基板検査ユニットに搬送して検査を行う工程と、
この工程で検査された基板を基板検査用のブロックを通してインターフェイスブロックに搬送する工程と、
を含むことを特徴とする塗布方法。 In the coating apparatus that transfers the substrate carried into the carrier block by the carrier to the processing block via the carrier block transport means, forms a resist film in the processing block, and then transports it to the interface block.
a. A block for resist film formation and a block for substrate inspection are laminated together to form a processing block,
b. The resist film forming block conveys the substrate between these processing units and a plurality of processing units including a liquid processing unit for applying the resist solution to the substrate and a heating unit for heating the substrate to which the resist solution is applied. A conveying means for the block,
c. The block for substrate inspection includes a substrate inspection unit for inspecting the substrate and a transport means for the block for transporting the substrate to the substrate inspection unit.
d. Between the carrier block and the processing block, the substrate is transferred to and from the transport means of each block disposed at a height corresponding to the resist film forming block and the substrate inspection block. A method of performing a coating process using a coating apparatus including a plurality of delivery stages and an up-and-down conveying means that can move up and down so that a substrate can be delivered to each delivery stage,
A step of transferring a substrate carried into a carrier block by a carrier to a processing block, and forming a resist film on the substrate with a block for forming a resist film;
A step of inspecting the substrate on which the resist film has been formed by transporting the substrate to a substrate inspection unit provided in a substrate inspection block;
A step of transporting the substrate inspected in this step to the interface block through a block for substrate inspection;
The coating method characterized by including.
ａ．現像処理用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．現像処理用のブロックは、現像液を基板に塗布するための液処理ユニットと、この液処理ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ．基板検査用のブロックは、基板を検査する基板検査ユニットとこの基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間において、現像処理用のブロック、基板検査用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージと、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を備えている現像装置を用いた現像方法において、
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、現像処理用のブロックにて現像処理する工程と、
次いで現像処理後の基板を、前記基板検査用のブロックに設けられた基板検査ユニットにて検査する工程と、
その後基板を前記キャリアブロックに受け渡す工程と、を含むことを特徴とする現像方法。 In the developing device for transferring the substrate carried into the carrier block by the carrier to the processing block via the carrier block conveying means, developing the processing block and transferring it to the carrier block,
a. A development block and a substrate inspection block are stacked together to form a processing block.
b. The development processing block includes a liquid processing unit for applying the developer to the substrate, and a transport means for the block for transporting the substrate to the liquid processing unit.
c. The block for substrate inspection includes a substrate inspection unit for inspecting the substrate and a transport means for the block for transporting the substrate to the substrate inspection unit.
d. Plural for transferring the substrate between the carrier block and the processing block and the conveying means of each block arranged at the height corresponding to the development processing block and the substrate inspection block, respectively. In a developing method using a developing device comprising: a transfer stage; and a vertical conveying means that can be moved up and down so that a substrate can be transferred to each transfer stage.
A step of transferring the substrate carried into the carrier block by the carrier to the processing block and developing the developing block;
Next, a step of inspecting the substrate after the development processing by a substrate inspection unit provided in the substrate inspection block;
And then transferring the substrate to the carrier block.
前記コンピュータプログラムは、請求項６ないし９のいずれか一つに記載の塗布方法または現像方法を実施するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。 A storage medium storing a computer program used in a coating apparatus for forming a resist film on a substrate or a developing apparatus for developing a substrate on which a resist film is formed,
A storage medium in which the computer program has a set of steps so as to implement the coating method or the developing method according to any one of claims 6 to 9.
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