JP2011077509A5 - トランジスタ - Google Patents

Claims (5)

1. 基板上のゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上に設けられ、かつ前記ゲート電極層と重なる半導体層と、
   前記半導体層の表面上に接して設けられた炭化物層と、
   前記半導体層と電気的に接続されたソース電極層及びドレイン電極層と、を有するトランジスタ。
2. 請求項１において、
   前記トランジスタのチャネル幅方向において、前記炭化物層の幅は、前記半導体層の幅よりも大きいことを特徴とするトランジスタ。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記トランジスタのチャネル幅方向において、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層の幅は、前記炭化物層の幅よりも大きいことを特徴とするトランジスタ。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記炭化物層は、炭化シリコン、窒化炭化シリコン、炭化ゲルマニウム、ｎ型炭化シリコン、ｐ型炭化シリコンのいずれか一又は複数の材料からなるトランジスタ。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記半導体層は、インジウム、亜鉛又はガリウムの少なくとも一を含むトランジスタ。