JP2011077378A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法及び基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011077378A JP2011077378A JP2009228482A JP2009228482A JP2011077378A JP 2011077378 A JP2011077378 A JP 2011077378A JP 2009228482 A JP2009228482 A JP 2009228482A JP 2009228482 A JP2009228482 A JP 2009228482A JP 2011077378 A JP2011077378 A JP 2011077378A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- ammonia
- substrate processing
- nitrogen trifluoride
- nitrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】
三フッ化窒素ガスと、アンモニアガス及び水素ガスの少なくとも一方とを用いてアンモニアフッ化物を生成し、このアンモニアフッ化物をシリコン基板の表面に供給して該シリコン基板の表面に形成された酸化膜を除去する。この酸化膜の除去方法は、シリコン基板を収容する真空チャンバ20に接続されたマイクロ波アプリケータ10の放電管10aに窒素ガスを導入し、この窒素ガスにマイクロ波を照射して該窒素ガスを励起させる工程と、真空チャンバ20内にて励起された窒素ガスに三フッ化窒素ガスと、アンモニアガス及び水素ガスの少なくとも一方とを混合して前記アンモニアフッ化物を生成する工程とを有する。
【選択図】図1
Description
このように、シリコン基板を構成するケイ素との反応性が低く、且つ自然酸化膜を構成する二酸化シリコンとのみ反応するアンモニアフッ化物によれば、シリコン基板への化学的な損傷を抑えつつ、二酸化シリコン膜を選択的に除去することが可能となり、ひいては、上記コンタクト抵抗が低減可能となる。そのため、上記式1に示される化学反応を利用した自然酸化膜の除去方法が従来から広く用いられている。
H* + NF3 → NHxFy … (式3)
同特許文献1ではまず、マイクロ波プラズマが誘起されるマイクロ波アプリケータ内の放電管にアンモニアガスが導入される。次いで、マイクロ波により励起されたアンモニアから発生する水素ラジカルが上記マイクロ波アプリケータから導出されるとともに、この後段に導入される三フッ化窒素ガスと上記水素ラジカルとが反応し、同マイクロ波アプリケータの後段でアンモニアフッ化物が生成される。そして生成されたアンモニアフッ化物がシリコン基板の表面に供給され、その表面に形成された自然酸化膜を構成する二酸化シリコンとアンモニアフッ化物とが反応することにより、該自然酸化膜が除去されることとなる。
F* + NH3 → NHxFy … (式5)
マイクロ波プラズマにより三フッ化窒素ガスを分解して励起種であるフッ素ラジカルと二フッ化窒素を生成する反応、つまり上記式4で示される反応は、マイクロ波プラズマによりアンモニアガスを分解して励起種である水素ラジカルを生成する反応、つまり上記式2にて示される反応と比較して、それが容易に進行しやすい。そして上記式2に記載されるような高い還元性を有する窒化源が生成されないことから、窒化物の生成によるマイクロ波の電力損失を抑えることが可能となる。それゆえに、上記式5で示されるアンモニアフッ化物の生成反応も進行しやすくなることから、式4及び式5に示される反応系は上記自然酸化膜の除去効率を向上可能な反応として期待されている。
されると、該フッ素ラジカルと放電管の構成材料とが反応し、ひいては、フッ素ラジカルによりマイクロ波アプリケータの放電管が腐食されてしまう。なお、こうした腐食は、放電管の全体のうち、特に導波管の照射口と対向する領域、すなわちマイクロ波が照射される領域である被照射部の内表面にて顕著なものとなる。つまり、窒化物による誘電損失は発生し難いものの、上記腐食反応によるフッ素ラジカルの消費や、マイクロ波アプリケータに形成された腐食部位に起因したマイクロ波の伝播損失が生じることとなってしまう。結局のところ、上記式4に示される、三フッ化窒素ガスの分解反応の速度が低下し、自然酸化膜の除去効率の向上も望むべくもないことになる。
請求項1に記載の基板処理方法は、アンモニアガス及び水素ガスの少なくとも一方からなる水素含有ガスと、三フッ化窒素ガスとを用いて生成したアンモニアフッ化物をシリコン基板の表面に供給し、該シリコン基板の表面における酸化膜を前記アンモニアフッ化物によって除去する基板処理方法において、不活性ガスを励起部で励起させる工程と、前記励起された不活性ガスを前記励起部から前記シリコン基板に向けて流す工程と、前記励起部と前記シリコン基板との間を流れる前記励起された不活性ガスに、前記三フッ化窒素ガスと、前記水素含有ガスとを混合して前記アンモニアフッ化物を生成する工程とを有することをその要旨とする。
前記シリコン基板を収容するチャンバと、前記チャンバと前記励起部とを連通して、該励起部で励起された不活性ガスを前記励起部から前記チャンバへ導く連通部とを備え、前記供給部は、前記連通部に接続され、前記励起された不活性ガスに混合されるガスのうち、少なくとも前記三フッ化窒素ガスを前記連通部に導入するガス導入管を備えることをその要旨とする。
から前記不活性ガスが導入される放電管の一部であって、前記放電管内で前記不活性ガスを励起させるための高周波が照射される被照射部であることをその要旨とする。
請求項14に記載の基板処理装置は、請求項8〜13のいずれか1項に記載の基板処理装置において、前記不活性ガスが窒素ガスであることをその要旨とする。
また、請求項15に記載の基板処理装置は、請求項8〜13のいずれか1項に記載の基板処理装置において、前記不活性ガスがアルゴンガスであることをその要旨とする。
以下、本発明に係る基板処理方法及び基板処理装置を、基板の表面に形成された自然酸化膜の除去方法、及び該方法を実施する基板処理装置として具現化した第1の実施の形態について、図1を参照して説明する。
10は、石英、あるいはサファイア等の酸化物にて管状に構成され、その管内にマイクロ波が照射される領域であって、こうした照射によりプラズマが誘起される放電管10aを備えている。放電管10aの入口には、放電管10aの内部に所定の流量で窒素ガス(N2)を供給するマスフローコントローラ等であって、不活性ガス導入部としての窒素ガス導入部12がバルブを挟んで接続され、放電管10aの出口には、放電管10aの内部に導入された窒素ガス、あるいは内部において励起された窒素ガスが導出される導出先としての真空チャンバ20が接続されている。このマイクロ波アプリケータ10が有する放電管10aにマイクロ波を導く導波管10bの入力側には、マイクロ波電力の供給源であるマイクロ波発振器11が接続され、導波管10bの出力側には、該導波管10bと放電管10aの外表面とが離間し、且つ放電管10aにおいてマイクロ波が照射される部分である被照射部、つまり励起部と導波管10bの出口である照射口とが対向するかたちに放電管10aが配置されている。
この式6に示される反応にて生成された窒素ラジカルを含め窒素の励起種は、励起されたアンモニアや励起された三フッ化窒素と比較して、上記放電管10aの構成材料である石英やサファイアとの反応性が低い。そのため、例えば水素原子を有するアンモニア分子で構成されるアンモニアガスを励起した場合のように、石英やサファイアが還元されて放電管10aの内表面に窒化ケイ素や窒化アルミニウムが形成されることを回避することができる。また例えば、フッ素原子を含有する三フッ化窒素分子で構成される三フッ化窒素ガスを励起した場合のように、上記窒素の励起種と比較して反応性が高いフッ素ラジカルにより、放電管10aの内表面が腐食されることを回避することもできるようになる。それゆえ、マイクロ波アプリケータ10内で生成された窒素の励起種は、放電管10aからその後段にある連絡配管30内に導出されて、該連絡配管30内を真空チャンバ20に向かって流通することとなる。
反応性の高いフッ化ラジカルが単体として存在する時間も短縮されるため、該フッ化ラジカルが存在する空間を構成する部材、例えば上記真空チャンバ20の内周面等が腐食されることを抑制することができるようになる。
(1)基板の表面に形成された自然酸化膜の除去処理に際し、マイクロ波アプリケータ10の備える放電管10aを構成する石英やサファイアとの反応性が低い不活性ガスである窒素ガスのみが該放電管10a内にて励起されるようにした。これにより、アンモニアガスを励起したときのように、放電管10aの内周面が還元されて窒化ケイ素や窒化アルミニウムが形成されることや、三フッ化窒素ガスを励起したときのように、同内周面が腐食されることを抑制でき、ひいては自然酸化膜の除去効率が低下することを抑制可能となる。加えて、放電管10aの内表面の窒化や腐食が抑制されることから、これら窒化部位や腐食部位が内表面から剥離することに起因したパーティクルの発生を抑制することもでき、該パーティクルによる放電管10a内の汚染を抑制できる。
抑制することができるようにもなる。
[第2の実施の形態]
以下に、基板の表面に形成された自然酸化膜の除去方法、及び該方法を実施する基板処理装置として具現化した第2の実施の形態について、図2を参照して説明する。なおここでは、上記第1の実施の形態から変更した点について特に説明する。
るまでに移動する距離、換言すれば、窒素の励起種が三フッ化窒素ガスと反応するまでにかかる時間を短縮できる。それゆえに、窒素の励起種の全生成量に占める、三フッ化窒素ガスの分解反応に寄与する量の割合を増大することができる。
(5)窒素の励起種と、三フッ化窒素ガス及びアンモニアガスの混合ガスとが、マイクロ波アプリケータ10と真空チャンバ20とを連結する連絡配管30にて混合されることで、同連絡配管30内にて三フッ化窒素ガスの分解反応、及びアンモニアフッ化物の生成反応が進行するようにした。これにより、例えば真空チャンバ20内に上記混合ガスが導入されて、窒素の励起種とこの混合ガスとによる反応が進行する場合と比較して、窒素の励起種が生成されてから三フッ化窒素ガスの分解反応が開始するまでにかかる時間を短縮することができる。それゆえに、窒素の励起種の全生成量に占める三フッ化窒素ガスの分解反応に寄与する量の割合を増大させることが可能となる。
[第3の実施の形態]
以下に、基板の表面に形成された自然酸化膜の除去方法、及び該方法を実施する基板処理装置として具現化した第3の実施の形態について、図3を参照して説明する。なおここでは、上記第1の実施の形態から変更した点について特に説明する。
(6)三フッ化窒素ガス導入部32を連絡配管30に接続するとともに、アンモニアガス導入部22を真空チャンバ20に接続するようにした。これにより、マイクロ波アプリケータ10の放電管10aにて生成された窒素ガス由来の励起種である窒素の励起種は、そのほとんどが三フッ化窒素ガスの分解反応によって消費されることになる。つまり、自然酸化膜と直接反応するアンモニアフッ化物の2つの生成反応系、より正確には、アンモニアガスの励起反応から出発する生成反応系、及び三フッ化窒素ガスの励起反応から出発する反応系のうち、より反応速度の速い三フッ化窒素ガスの励起反応から出発する生成反応系によってアンモニアフッ化物が生成される。そのため、このアンモニアフッ化物の生成効率が向上され、ひいては、これを用いた自然酸化膜の除去処理の効率が向上されることともなる。
[第4の実施の形態]
以下に、基板の表面に形成された自然酸化膜の除去方法、及び該方法を実施する基板処理装置として具現化した第4の実施の形態について、図4を参照して説明する。なおここでは、上記第3の実施の形態から変更した点について特に説明する。
ことができるようになる。
(7)アンモニアガス導入部33を連絡配管30に接続するとともに、三フッ化窒素ガス導入部23を真空チャンバ20に接続するようにした。これにより、真空チャンバ20に収容された基板の自然酸化膜の除去処理時には、基板処理装置に対する腐食性が比較的低い水素ラジカルが生成され、この水素ラジカルと三フッ化窒素ガスとが反応してアンモニアフッ化物が生成されるようになる。つまり、励起種であるラジカルによる基板処理装置、特に連絡配管30や真空チャンバ20の腐食を抑制することができるようになる。
[実施例]
以下、本発明に係る基板処理方法及び基板処理装置について実施例に基づいて具体的に説明する。
・窒素ガス流量 3000sccm
・マイクロ波電力 2.45GHz
・混合ガス流量 5200sccm
(三フッ化窒素ガス流量4000sccm、アンモニアガス流量1200sccm)
・除去時間 480sec
このときの自然酸化膜の除去速度、つまり、二酸化ケイ素膜のエッチングレートを測定したところ、「4μm/min」であった。
・窒素ガス流量 3000sccm
・マイクロ波電力 2.45GHz
・三フッ化窒素ガス流量 4000sccm
・アンモニアガス流量 1200sccm
・除去時間 480sec
このときの二酸化ケイ素膜のエッチングレートを測定したところ、「4μm/min」であった。
・窒素ガス流量 3000sccm
・マイクロ波電力 2.45GHz
・混合ガス流量 5200sccm
・アンモニアガス流量 4000sccm
・三フッ化窒素ガス流量 1200sccm
・除去時間 480sec
このときの二酸化ケイ素膜のエッチングレートを測定したところ、「3μm/min」であった。
[他の実施の形態]
なお、上記各実施の形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。
(8)窒素ガス由来の励起種である窒素の励起種によって三フッ化窒素ガスを分解することに加え、これら窒素の励起種と三フッ化窒素ガスとが反応する上記マイクロ波アプリケータ10の後段にある連絡配管30に三フッ化窒素ガスを導入する以前に、三フッ化窒素ガスを加熱するようにした。これにより、三フッ化窒素ガスが熱分解されることとなり、上記窒素の励起種のみによって三フッ化窒素ガスが分解されるよりも、その分解効率を向上させることができる。つまり、自然酸化膜を除去する物質であるアンモニアフッ化物の生成効率が向上され、ひいては自然酸化膜の除去効率が向上されることともなる。
・また、上記第1の実施の形態、及び第2の実施の形態においても、混合ガス導入配管21,31から分岐した三フッ化窒素ガス導入部21a,31aの近傍に、該三フッ化窒素ガスを加熱してその内部を流通する三フッ化窒素ガスを加熱する加熱部を備えるようにしてもよい。これによっても、上記(8)に準じた効果が得られるようになる。さらに、混合ガス導入配管21,31の近傍に上記加熱部を設け、その内部を流通する三フッ化窒素ガスを含む混合ガスを加熱するようにしてもよい。
導入部21b,31b,33の内部を流通するアンモニアガスを加熱して、アンモニアフッ化物の生成するためのエネルギーの一部に相当するエネルギーをアンモニアガスに与える加熱部を設けるようにしてもよい。これにより、アンモニアガスが励起されてその分解反応が促進されることから、アンモニアフッ化物の生成効率が向上され、ひいては自然酸化膜の除去効率が向上されることができる。
。
(9)放電管10aにおけるマイクロ波の被照射部IRよりも後段に、各種ガスの導入部51,51a,51bを接続するようにした。これにより、放電管10aにこれら導入部51,51a,51bが接続されたとしても、上記三フッ化窒素ガスやアンモニアガスには直接マイクロ波が照射されない。そのため、三フッ化窒素ガスやアンモニアガスが励起された窒素ガスと反応してこれらの励起種が放電管10a内で生成されるとはいえ、該励起種による放電管10aの内表面の窒化や腐食は、それに必要とされるエネルギーが該励起種のみから供給されることとなり、こうしたエネルギーとしてマイクロ波が利用される場合と比べて、極めて進行し難いものとなる。つまり、放電管10aの内表面、特にマイクロ波の被照射部IRにおける該内表面の窒化や腐食を抑制して、マイクロ波の電力損失や伝播損失を抑制し、ひいては、自然酸化膜の除去効率の低下を抑制することが可能となる。
の少なくとも一方の分解が促進され、アンモニアフッ化物の生成効率が向上される。しかしながら、アンモニアフッ化物の生成反応には上記励起された窒素ガスのエネルギーも利用されるため、三フッ化窒素ガス及びアンモニアガスの少なくとも一方にアンモニアフッ化物の生成に必要なエネルギーを与えるのみで当該反応を進行させるという構成と比べて、上述するようなエネルギーは補助的なもので足りる。それゆえに、三フッ化窒素ガス及び水素含有ガスの少なくとも一方にエネルギーが与えられるとはいえ、これにより励起された三フッ化窒素ガスやアンモニアガスに起因する還元反応や腐食反応は、アンモニアフッ化物の生成反応をこれらガスにエネルギーを与えるのみで進行させるという構成と比べて十分に抑えられることとなる。
Claims (15)
- アンモニアガス及び水素ガスの少なくとも一方からなる水素含有ガスと、三フッ化窒素ガスとを用いて生成したアンモニアフッ化物をシリコン基板の表面に供給し、該シリコン基板の表面における酸化膜を前記アンモニアフッ化物によって除去する基板処理方法において、
不活性ガスを励起部で励起させる工程と、
前記励起された不活性ガスを前記励起部から前記シリコン基板に向けて流す工程と、
前記励起部と前記シリコン基板との間を流れる前記励起された不活性ガスに、前記三フッ化窒素ガスと、前記水素含有ガスとを混合して前記アンモニアフッ化物を生成する工程と
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1に記載の基板処理方法において、
前記アンモニアフッ化物を生成する工程では、前記水素含有ガスと前記三フッ化窒素ガスとを混合した後、この混合ガスと前記励起された不活性ガスとを混合して前記アンモニアフッ化物を生成する
ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1に記載の基板処理方法において、
前記励起された不活性ガスと前記三フッ化窒素ガスとを混合した後、この混合したガスと前記水素含有ガスとを混合して前記アンモニアフッ化物を生成する
ことを特徴とする基板処理方法。 - 前記アンモニアフッ化物の生成に必要なエネルギーの一部に相当するエネルギーを前記三フッ化窒素ガス及び前記水素含有ガスの少なくとも一方に与える
請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の基板処理方法において、
前記励起部が放電管における高周波の被照射部であり、
前記不活性ガスを励起させる工程では、前記放電管に前記不活性ガスを導入して前記被照射部に前記高周波を照射することにより前記不活性ガスを励起させる
ことを特徴とする基板処理方法。 - 前記不活性ガスとして窒素ガスが用いられる
請求項1〜5のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 前記不活性ガスとしてアルゴンガスが用いられる
請求項1〜5のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - アンモニアガス及び水素ガスの少なくとも一方からなる水素含有ガスと、三フッ化窒素ガスとを用いて生成したアンモニアフッ化物をシリコン基板の表面に供給して該シリコン基板の表面に形成された酸化膜を除去する基板処理装置において、
不活性ガス導入部に接続されて前記不活性ガス導入部から導入された不活性ガスを励起させ、前記励起された不活性ガスを前記シリコン基板に向けて導出する励起部と、
前記シリコン基板に向けて導出された前記励起された不活性ガスに、前記三フッ化窒素ガスと、前記水素含有ガスとを混合して前記アンモニアフッ化物を生成し、このアンモニアフッ化物を前記シリコン基板の表面に供給する供給部とを備える
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項8に記載の基板処理装置において、
前記供給部は、前記励起部よりも前記シリコン基板の側に前記三フッ化窒素ガスを導入する三フッ化窒素ガス導入部と、
前記三フッ化窒素ガス導入部により導入される三フッ化窒素ガスの導入先よりも前記シリコン基板の側に水素含有ガスを導入する水素含有ガス導入部とを備える
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項8又は9に記載の基板処理装置において、
前記シリコン基板を収容するチャンバと、
前記チャンバと前記励起部とを連通して該励起部で励起された不活性ガスを前記励起部から前記チャンバへ導く連通部とを備え、
前記供給部は、
前記連通部に接続され、前記励起された不活性ガスに混合されるガスのうち、少なくとも前記三フッ化窒素ガスを前記連通部に導入するガス導入管を備える
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項10に記載の基板処理装置において、
前記三フッ化窒素ガス導入部が前記連通部に前記三フッ化窒素ガスを導入するガス導入管を備え、
前記水素含有ガス導入部が前記チャンバに前記水素含有ガスを導入するガス導入管を備える
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項8〜11のいずれか1項に記載の基板処理装置において、
前記供給部は、前記アンモニアフッ化物の生成に必要なエネルギーの一部に相当するエネルギーを前記三フッ化窒素ガス及び前記水素含有ガスの少なくとも一方に与える
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項8〜12のいずれか1項に記載の基板処理装置において、
前記励起部は、
前記不活性ガス導入部に接続されて前記不活性ガス導入部から前記不活性ガスが導入される放電管の一部であって、前記放電管内で前記不活性ガスを励起させるための高周波が照射される被照射部である
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記不活性ガスが窒素ガスである
請求項8〜13のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記不活性ガスがアルゴンガスである
請求項8〜13のいずれか1項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009228482A JP2011077378A (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009228482A JP2011077378A (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011077378A true JP2011077378A (ja) | 2011-04-14 |
Family
ID=44021032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009228482A Pending JP2011077378A (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011077378A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013016592A (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Ulvac Japan Ltd | 酸化膜エッチング装置、及び酸化膜エッチング方法 |
KR20220032953A (ko) * | 2020-09-08 | 2022-03-15 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 운용 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62256432A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
JPS63193526A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-10 | Hitachi Ltd | 複合プロセス装置 |
JP2001102345A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-13 | Jun Kikuchi | 表面処理方法および装置 |
JP2004296467A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
WO2007075509A2 (en) * | 2005-12-23 | 2007-07-05 | Mks Instruments, Inc. | Methods and apparatus for downstream dissociation of gases |
-
2009
- 2009-09-30 JP JP2009228482A patent/JP2011077378A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62256432A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
JPS63193526A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-10 | Hitachi Ltd | 複合プロセス装置 |
JP2001102345A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-13 | Jun Kikuchi | 表面処理方法および装置 |
JP2004296467A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
WO2007075509A2 (en) * | 2005-12-23 | 2007-07-05 | Mks Instruments, Inc. | Methods and apparatus for downstream dissociation of gases |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013016592A (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Ulvac Japan Ltd | 酸化膜エッチング装置、及び酸化膜エッチング方法 |
KR20220032953A (ko) * | 2020-09-08 | 2022-03-15 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 운용 방법 |
KR102516340B1 (ko) | 2020-09-08 | 2023-03-31 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 운용 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8382940B2 (en) | Device and method for producing chlorine trifluoride and system for etching semiconductor substrates using this device | |
KR101285211B1 (ko) | 성막 장치와 그 사용 방법 및, 그 방법을 실행시키는 컴퓨터로 판독가능한 매체 | |
JP3328416B2 (ja) | 半導体装置の製造方法と製造装置 | |
CN101154589B (zh) | 形成硅氧化膜的成膜方法和装置 | |
JP4739577B2 (ja) | ヒドロキシルラジカルを用いる半導体基板の処理方法及び装置 | |
US8080477B2 (en) | Film formation apparatus and method for using same | |
JP5011148B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び基板処理装置 | |
US20090202721A1 (en) | Method for Thin Film Formation | |
KR20080092448A (ko) | 유전체막들에 대한 원격 플라즈마 소스 세정을 강화시키는 방법 | |
WO2008035678A1 (fr) | Processus de nettoyage de plasma et procédé cvd plasma | |
TW200822219A (en) | Film formation apparatus for semiconductor process and method for using the same | |
JP2004327639A (ja) | 半導体原料、半導体装置の製造方法、基板処理方法、および基板処理装置 | |
CN108695149B (zh) | 蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质 | |
US20210287911A1 (en) | Atomic layer etching using acid halide | |
US20070028943A1 (en) | Method of using sulfur fluoride for removing surface deposits | |
WO2001073832A1 (fr) | Procede de traitement de surface pour semiconducteur | |
KR100259220B1 (ko) | 수소 플라즈마 다운 스트림 처리 장치 및 수소 플라즈마 다운스트림 처리 방법 | |
KR100196444B1 (ko) | 감광성 수지 제거 방법 | |
KR100505065B1 (ko) | 증착 챔버 세정 방법 및 인시튜 세정이 가능한 증착 장치 | |
JP2011077378A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP4220318B2 (ja) | プロセスチャンバー内のクリーニング方法 | |
JPH0793276B2 (ja) | 薄膜形成前処理方法および薄膜形成方法 | |
JP2010058009A (ja) | 三フッ化窒素分解処理方法および三フッ化窒素分解処理装置 | |
JP3487150B2 (ja) | ドライエッチング方法および装置 | |
TW201244841A (en) | Radical cleaning apparatus and method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130307 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130426 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130618 |