JP2011068916A - Film deposition method and film deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film deposition method and a film deposition apparatus capable of forming a desired coating film pattern on a substrate while conveying the substrate during the film deposition. <P>SOLUTION: In the film deposition method in which a substrate and a mask member opposing aperture parts are conveyed in the direction substantially orthogonal to the alignment direction of the aperture parts while scattering a vapor deposition material from the aperture parts of a line-shaped vapor deposition source having the plurality of aperture parts aligned parallel to each other, the vapor deposition material is vapor-deposited on the substrate to laminate a thin film. A portion to be vapor-deposited of the substrate is preliminarily heated by using a heating means adjacent to the vapor deposition source and provided on the side opposite to the moving direction of the substrate and the mask member by the conveyance, and then, the vapor deposition material is vapor-deposited on the portion to be vapor-deposited. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、成膜方法および成膜装置に関する。   The present invention relates to a film forming method and a film forming apparatus.

減圧下で、大型の基板に被膜を形成する方法として、蒸着材をライン状の蒸着源に供給し、この蒸着源に設けた複数の開口を通じて蒸着材を基板に照射する方法がある（例えば、特許文献１、２参照）。この方法では、基板の広範囲に被膜を形成するために、蒸着源に対向する基板を搬送しながら成膜を行う。
しかしながら、蒸着源が基板よりも高温であると、基板の直下に見かけ上、局部的な熱源が存在することになる。従って、成膜の最中に蒸着源上に位置する基板、もしくは基板と蒸着源との間に介在したマスク部材が膨張する場合がある。これにより、基板上に所望の被膜のパターンが形成できない場合があった。 As a method of forming a film on a large substrate under reduced pressure, there is a method of supplying a deposition material to a linear deposition source and irradiating the deposition material on the substrate through a plurality of openings provided in the deposition source (for example, (See Patent Documents 1 and 2). In this method, in order to form a film over a wide range of the substrate, the film is formed while the substrate facing the vapor deposition source is conveyed.
However, if the vapor deposition source is at a higher temperature than the substrate, an apparent local heat source exists directly under the substrate. Accordingly, the substrate located on the evaporation source or the mask member interposed between the substrate and the evaporation source may expand during film formation. As a result, a desired coating pattern may not be formed on the substrate.

特開２００３−３１７９５７号公報JP 2003-317957 A 特開２００７−３３２４５８号公報JP 2007-332458 A

本発明の目的は、成膜中に基板を搬送しつつ、基板上に所望の被膜のパターンを形成する成膜方法および成膜装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a film forming method and a film forming apparatus for forming a desired film pattern on a substrate while conveying the substrate during film formation.

本発明の一態様によれば、並列状に配列した複数の孔部を有する、ライン状の蒸着源の前記孔部から蒸着材を飛散させながら、前記孔部に対向する基板およびマスク部材を前記孔部が配列する方向に対して略直交する方向に搬送し、前記基板の上に前記蒸着材を蒸着して薄膜を積層する成膜方法であって、前記蒸着源に隣接し、前記蒸着源からみて搬送により前記基板および前記マスク部材が移動する方向とは反対側に設けられた加熱手段を用いて、前記基板の被蒸着部分を予備加熱した後、前記被蒸着部分に前記蒸着材を蒸着することを特徴とする成膜方法が提供される。   According to one aspect of the present invention, the substrate and the mask member facing the hole are dispersed while the vapor deposition material is scattered from the hole of the linear vapor deposition source having a plurality of holes arranged in parallel. A film forming method of transporting in a direction substantially perpendicular to a direction in which holes are arranged and depositing a thin film by depositing the deposition material on the substrate, the deposition method being adjacent to the deposition source, the deposition source Using a heating means provided on the side opposite to the direction in which the substrate and the mask member move by transportation, the deposition portion of the substrate is preheated, and then the deposition material is deposited on the deposition portion. A film forming method is provided.

本発明の他の一態様によれば、並列状に配列した複数の孔部を有し、ライン状の蒸着源の前記孔部から蒸着材を飛散させながら、前記孔部に対向する基板を前記孔部に接近させつつ前記孔部が配列する方向に対して略直交する方向に搬送し、前記基板の上に前記孔部のそれぞれから飛散させた前記蒸着材を蒸着して、前記基板の上に互いに分離した複数のライン状の薄膜を積層する成膜方法が提供される。   According to another aspect of the present invention, the substrate that has a plurality of holes arranged in parallel and that scatters the vapor deposition material from the holes of a line-shaped vapor deposition source, The substrate is transported in a direction substantially orthogonal to the direction in which the holes are arranged while approaching the holes, and the vapor deposition material scattered from each of the holes is vapor-deposited on the substrate. A film forming method for laminating a plurality of line-shaped thin films separated from each other is provided.

本発明の他の一態様によれば、並列状に配列した複数の孔部を有する、ライン状の蒸着源と、基板およびマスク部材を前記孔部に対向させつつ前記孔部が配列する方向に対して略直交な方向に搬送する搬送手段と、前記蒸着源に隣接し、前記蒸着源からみて前記基板および前記マスク部材が前記搬送される方向とは反対側に設けられた、少なくとも１つの加熱手段と、を備え、前記基板および前記マスク部材を搬送しながら前記基板に前記蒸着材を蒸着する前に、前記加熱手段により前記基板の被蒸着部分を予備加熱することを特徴とする成膜装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, a linear deposition source having a plurality of holes arranged in parallel, and in a direction in which the holes are arranged while a substrate and a mask member are opposed to the holes. And at least one heating provided adjacent to the vapor deposition source and on the side opposite to the direction in which the substrate and the mask member are conveyed, as viewed from the vapor deposition source. And a pre-heating portion to be deposited on the substrate by the heating unit before the deposition material is deposited on the substrate while transporting the substrate and the mask member. Is provided.

本発明の他の一態様によれば、並列状に配列した複数の孔部を有する、ライン状の蒸着源と、前記孔部に基板を近接させつつ前記孔部が配列する方向に対して略直交する方向に前記基板を搬送する搬送手段と、を備え、前記孔部に対向する基板を前記孔部に接近させつつ搬送しながら、前記基板の上に前記孔部のそれぞれから飛散させた前記蒸着材を蒸着して、前記基板の上に互いに分離した複数のライン状の薄膜を積層する成膜装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, a line-shaped vapor deposition source having a plurality of holes arranged in parallel and a direction in which the holes are arranged while bringing a substrate close to the holes. Transporting means for transporting the substrate in an orthogonal direction, and transporting the substrate facing the hole portion while approaching the hole portion, while being scattered from each of the hole portions on the substrate. There is provided a film forming apparatus for depositing a plurality of line-shaped thin films separated from each other on the substrate by depositing a deposition material.

本発明によれば、成膜中に基板を搬送しつつ、基板上に所望の被膜のパターンが形成される。   According to the present invention, a desired film pattern is formed on a substrate while the substrate is transported during film formation.

成膜装置の要部模式図である。It is a principal part schematic diagram of the film-forming apparatus. 成膜装置の要部模式図である。It is a principal part schematic diagram of the film-forming apparatus. 成膜装置の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of the film-forming apparatus. 成膜装置の要部模式図である。It is a principal part schematic diagram of the film-forming apparatus. 成膜装置の要部模式図である。It is a principal part schematic diagram of the film-forming apparatus. 成膜装置の要部模式図である。It is a principal part schematic diagram of the film-forming apparatus. 変形例を説明する図である。It is a figure explaining a modification. 変形例を説明する図である。It is a figure explaining a modification.

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は、本発明の実施の形態に係る成膜装置の要部模式図である。図１（ａ）には、基板上に薄膜積層体を形成する成膜装置１の要部斜視が示され、図１（ｂ）には、成膜装置１のノズル（蒸着源）３０の位置での成膜装置１の要部断面が示されている。図１には、成膜装置１のほか、成膜装置１に設置される基板１０、マスク部材２０等が表示されている。   FIG. 1 is a schematic diagram of a main part of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 1A shows a perspective view of a main part of a film forming apparatus 1 for forming a thin film stack on a substrate, and FIG. 1B shows the position of a nozzle (evaporation source) 30 of the film forming apparatus 1. The main part cross section of the film-forming apparatus 1 is shown. In FIG. 1, in addition to the film forming apparatus 1, a substrate 10, a mask member 20, and the like installed in the film forming apparatus 1 are displayed.

成膜装置１は、ノズル（蒸着源）３０と、基板１０を搬送する搬送手段（例えば、搬送用ローラ４１）と、ノズル３０に隣接する加熱手段（例えば、パイプ３５）と、を備える。
成膜装置１においては、大型で平面状の基板１０のほか、基板１０と略同じサイズのマスク部材２０を、その内部に設置することができる。基板１０は、例えば、ガラス基板、もしくは透明電極付きのガラス基板である。基板１０のサイズは、横（長手）６００ｍｍ、縦（短手）５００ｍｍである。
基板１０の下側に配置されたマスク部材２０は、例えば、金属製マスクである。マスク部材２０には、ライン状の開口２０ｈが複数設けられている。 The film forming apparatus 1 includes a nozzle (evaporation source) 30, a transport unit (for example, a transport roller 41) that transports the substrate 10, and a heating unit (for example, a pipe 35) adjacent to the nozzle 30.
In the film forming apparatus 1, in addition to the large and flat substrate 10, a mask member 20 having substantially the same size as the substrate 10 can be installed therein. The substrate 10 is, for example, a glass substrate or a glass substrate with a transparent electrode. The size of the substrate 10 is horizontal (longitudinal) 600 mm and vertical (short) 500 mm.
The mask member 20 disposed on the lower side of the substrate 10 is, for example, a metal mask. The mask member 20 is provided with a plurality of line-shaped openings 20h.

また、成膜装置１においては、基板１０側に対向するように、ライン状のノズル３０が設けられている。ノズル３０の長手方向は、基板１０を搬送する方向（矢印Ａの方向）に対し略直交している。
ノズル３０の上側には、複数の孔部３０ｈが設けられている。孔部３０ｈは、ノズル３０の長手方向において並設している。孔部３０ｈは、並列状に配列している。これらの孔部３０ｈは、基板１０側に対向している。孔部３０ｈの形状は、成膜装置１の上方から眺めて、例えば円状である。 Further, in the film forming apparatus 1, a line-shaped nozzle 30 is provided so as to face the substrate 10 side. The longitudinal direction of the nozzle 30 is substantially orthogonal to the direction in which the substrate 10 is transported (the direction of arrow A).
A plurality of holes 30 h are provided on the upper side of the nozzle 30. The holes 30 h are arranged in parallel in the longitudinal direction of the nozzle 30. The holes 30h are arranged in parallel. These holes 30h face the substrate 10 side. The shape of the hole 30 h is, for example, a circle when viewed from above the film forming apparatus 1.

孔部３０ｈと反対側のノズル３０には、複数の配管３０ａが接続されている。それぞれの配管３０ａは、ノズル３０下方に設けられた配管３０ｂに接続されている。配管３０ｂは、さらに配管３０ｃに接続されている。さらに、配管３０ｃは、材料源３１に接続している。
ノズル３０、配管３０ａ、３０ｂ、３０ｃの材質は、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム（Ａｌ）等である。
配管３０ａ、材料源３１については、図示された数に限られるものではなく、さらに多くの配管３０ａ、材料源３１を設けてもよい。 A plurality of pipes 30a are connected to the nozzle 30 on the side opposite to the hole 30h. Each pipe 30 a is connected to a pipe 30 b provided below the nozzle 30. The pipe 30b is further connected to the pipe 30c. Further, the pipe 30 c is connected to the material source 31.
The material of the nozzle 30 and the pipes 30a, 30b, 30c is, for example, stainless steel, aluminum (Al), or the like.
The number of pipes 30a and material sources 31 is not limited to the illustrated number, and more pipes 30a and material sources 31 may be provided.

成膜装置１は、一例として、有機ＥＬディスプレイを製造する工程で使用される装置である。例えば、成膜装置１は、有機ＥＬ素子の有機層を基板１０上にパターニングする場合に用いられる。有機層がパターニングされた基板１０は、有機層付き基板として、有機ＥＬディスプレイの一部品として使用される。このため、材料源３１には、有機ＥＬ素子の原料となる低分子有機材料が蓄えられている。なお、成膜装置１の使用用途は、有機ＥＬディスプレイを製造する目的外であってもよい。   As an example, the film forming apparatus 1 is an apparatus used in a process of manufacturing an organic EL display. For example, the film forming apparatus 1 is used when the organic layer of the organic EL element is patterned on the substrate 10. The substrate 10 on which the organic layer is patterned is used as a component of an organic EL display as a substrate with an organic layer. For this reason, the low molecular weight organic material used as the raw material of the organic EL element is stored in the material source 31. The use application of the film forming apparatus 1 may be outside the purpose of manufacturing an organic EL display.

低分子有機材料としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ）、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ）、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体（Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、ジトルイルビニルビフェニル（ＤＴＶＢｉ）等の発光物質、ペリレン、キンクリドン、クマリン、ＤＣＪＢＴ等の蛍光物質、芳香族アミン誘導体、１，３，４−オキサゾール誘導体、１，２，４-トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）等のキャリア輸送物質が該当する。 Examples of the low molecular weight organic materials include tris (8-quinolinolato) aluminum complex (Alq), bis (benzoquinolinolato) beryllium complex (BeBq), tri (dibenzoylmethyl) phenanthroline europium complex (Eu (DBM) 3 (Phen) ), Luminescent materials such as ditoluyl vinyl biphenyl (DTVBi), fluorescent materials such as perylene, kinkridone, coumarin, and DCJBT, aromatic amine derivatives, 1,3,4-oxazole derivatives, 1,2,4-triazole derivatives (TAZ) ) And other carrier transport materials.

これらの蒸着材は、材料源３１に設けられたヒータ（図示しない）により加熱される。蒸着材は、材料源３１内で蒸発し、配管３０ａ、３０ｂ、３０ｃを通じて、ノズル３０にまで供給される。さらに、孔部３０ｈからは、蒸着材３２が基板１０側に向かい飛散する。ノズル３０と基板１０との間の距離は、蒸着速度の向上を図る都合上、なるべく短くすることが望ましい。また。この距離を短くすることにより、蒸着材の広角拡散が抑制される。これにより、蒸着材の使用効率が向上する。なお、孔部３０ｈの口径については、それぞれの孔部３０ｈから噴射する蒸着材の噴射量が略均一になるように、適宜調整される。   These vapor deposition materials are heated by a heater (not shown) provided in the material source 31. The vapor deposition material evaporates in the material source 31 and is supplied to the nozzle 30 through the pipes 30a, 30b, and 30c. Further, the vapor deposition material 32 scatters toward the substrate 10 from the hole 30h. The distance between the nozzle 30 and the substrate 10 is preferably as short as possible for the purpose of improving the deposition rate. Also. By shortening this distance, wide angle diffusion of the vapor deposition material is suppressed. Thereby, the use efficiency of a vapor deposition material improves. In addition, about the aperture diameter of the hole part 30h, it adjusts suitably so that the injection quantity of the vapor deposition material injected from each hole part 30h may become substantially uniform.

なお、ノズル３０、孔部３０ｈおよび配管３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、加熱することができる。この加熱により、成膜中には、ノズル３０、孔部３０ｈおよび配管３０ａ、３０ｂ、３０ｃの内部には、気相状態の蒸着材が存在する。
加熱の方法としては、ノズル３０、配管３０ａ、３０ｂ、３０ｃのそれぞれの管内に設けられた棒状ヒータ、それぞれの管に巻き付けられるシースヒータ等により実施する（図示しない）。材料源３１、配管３０ａ、３０ｂ、３０ｃおよびノズル３０のそれぞれの温度は、所定の温度に制御される。 The nozzle 30, the hole 30h, and the pipes 30a, 30b, and 30c can be heated. Due to this heating, vapor deposition material exists in the nozzle 30, the hole 30h and the pipes 30a, 30b, and 30c during the film formation.
As a heating method, the heating is performed by a rod heater provided in each of the nozzle 30 and the pipes 30a, 30b, and 30c, a sheath heater wound around each pipe (not shown), and the like. The temperatures of the material source 31, the pipes 30a, 30b, and 30c and the nozzle 30 are controlled to a predetermined temperature.

さらに、材料源３１と孔部３０ｈとの間には、蒸着材３２の流量を制御するための流量制御手段が設けられている。流量制御手段としては、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）等が該当する。   Furthermore, a flow rate control means for controlling the flow rate of the vapor deposition material 32 is provided between the material source 31 and the hole 30h. A mass flow controller (MFC) or the like corresponds to the flow rate control means.

また、成膜装置１は、ノズル３０と、基板１０（マスク部材２０）との相対位置を変えることが可能な搬送手段を備える。この場合、基板１０は、背面側から静電チャック４０により支持され（図１（ｂ）参照）、静電チャック４０とともに基板１０が矢印Ａの方向に搬送される。図１（ａ）には、基板１０の全面を表示する都合上、静電チャック４０、搬送用ローラ４１を表示させていない。マスク部材２０については、例えば、基板１０の背面側に設けられた磁石により基板１０に固定される。この場合、マスク部材２０の少なくとも一部（例えば、外周）は、磁性体材で構成されている。   Further, the film forming apparatus 1 includes a transport unit that can change the relative position between the nozzle 30 and the substrate 10 (mask member 20). In this case, the substrate 10 is supported by the electrostatic chuck 40 from the back side (see FIG. 1B), and the substrate 10 is transported along with the electrostatic chuck 40 in the direction of arrow A. In FIG. 1A, for the convenience of displaying the entire surface of the substrate 10, the electrostatic chuck 40 and the transport roller 41 are not displayed. The mask member 20 is fixed to the substrate 10 by, for example, a magnet provided on the back side of the substrate 10. In this case, at least a part (for example, outer periphery) of the mask member 20 is made of a magnetic material.

搬送手段としては、例えば、静電チャック４０の端の下側に設けられた搬送用ローラ４１が該当する。搬送用ローラ４１の回転軸（図示しない）は、矢印Ａの方向に対し略直交するように配置されている。この回転軸を回転させることにより、静電チャック４０に支持された基板１０およびマスク部材２０が孔部３０ｈが配列する方向に対し略直交に搬送される。また、蒸着面側の全域がノズル３０に対し開放されている。
なお、搬送手段としては、静電チャック４０等をワイヤで牽引する方法、ベルトコンベア式で搬送する方法、搬送用アームにより搬送する方法等でもよい。 As the conveying means, for example, a conveying roller 41 provided below the end of the electrostatic chuck 40 corresponds. A rotation shaft (not shown) of the conveying roller 41 is disposed so as to be substantially orthogonal to the direction of the arrow A. By rotating the rotating shaft, the substrate 10 and the mask member 20 supported by the electrostatic chuck 40 are conveyed substantially orthogonal to the direction in which the hole portions 30h are arranged. Further, the entire area on the vapor deposition surface side is open to the nozzle 30.
In addition, as a conveyance means, the method of pulling the electrostatic chuck 40 etc. with a wire, the method of conveying by a belt conveyor type, the method of conveying by a conveyance arm, etc. may be used.

このような搬送手段により、基板１０を矢印Ａの方向に移動させることができる。これにより、基板１０の全面に蒸着材３２のパターニングが可能になる。例えば、マスク部材２０の開口２０ｈが矢印Ａの方向に略平行に形成されている場合には、基板１０に、ライン・スペース状のパターンが形成される。   The substrate 10 can be moved in the direction of arrow A by such a conveying means. Thereby, the deposition material 32 can be patterned on the entire surface of the substrate 10. For example, when the opening 20 h of the mask member 20 is formed substantially parallel to the direction of the arrow A, a line-space pattern is formed on the substrate 10.

さらに、成膜装置１においては、ノズル３０に隣接するように、パイプ３５が設けられている。パイプ３５は、ノズル３０の外形と略同じ形状をしている。パイプ３５は、基板１０等を加熱することができる加熱手段である。このパイプ３５については、図２を用いて説明する。   Further, in the film forming apparatus 1, a pipe 35 is provided so as to be adjacent to the nozzle 30. The pipe 35 has substantially the same shape as the outer shape of the nozzle 30. The pipe 35 is a heating means that can heat the substrate 10 and the like. The pipe 35 will be described with reference to FIG.

図２には、矢印Ａの方向に対し略垂直な方向から成膜装置１を眺めた場合の模式図が示されている。
パイプ３５は、ノズル３０に対し、搬送により基板１０等が移動する方向（矢印Ａが示す方向）とは反対側に位置している。パイプ３５は、その内部に棒状のヒータ３５ｈを有する。このヒータ３５ｈにより、ヒータ３５ｈ周囲のパイプ３５が加熱される。これにより、パイプ３５は、基板１０およびマスク部材２０を下方側から予備加熱する熱源（予備ヒータ）として機能する。なお、パイプ３５の本数については、１本とは限らず、複数本としてもよい。パイプ３５の温度は、例えば、ノズル３０が蒸着時に到達する温度に設定する。あるいは、パイプ３５の温度は、少なくともノズル３０が蒸着時に到達する温度以上に設定してもよい。
なお、基板１０およびマスク部材２０を予備加熱する加熱手段は、上述したパイプ３５のほか、ランプ加熱に依ってもよい。 FIG. 2 is a schematic diagram when the film forming apparatus 1 is viewed from a direction substantially perpendicular to the direction of the arrow A.
The pipe 35 is located on the opposite side of the nozzle 30 from the direction in which the substrate 10 and the like move by conveyance (the direction indicated by the arrow A). The pipe 35 has a rod-shaped heater 35h therein. The pipe 35 around the heater 35h is heated by the heater 35h. Thereby, the pipe 35 functions as a heat source (preliminary heater) for preheating the substrate 10 and the mask member 20 from below. Note that the number of pipes 35 is not limited to one and may be a plurality. For example, the temperature of the pipe 35 is set to a temperature that the nozzle 30 reaches at the time of vapor deposition. Or you may set the temperature of the pipe 35 more than the temperature which the nozzle 30 reaches | attains at the time of vapor deposition.
The heating means for preheating the substrate 10 and the mask member 20 may depend on lamp heating in addition to the pipe 35 described above.

以上説明した各部材については、真空槽５０内部に設けられている（図１（ａ）参照）。成膜装置１は、真空槽５０の内部を減圧状態にする排気手段を備える（図示しない）。蒸着材３２、流量制御手段については、真空槽５０外に設けてもよい。   Each member described above is provided inside the vacuum chamber 50 (see FIG. 1A). The film forming apparatus 1 includes an exhaust unit (not shown) for reducing the pressure inside the vacuum chamber 50. The vapor deposition material 32 and the flow rate control means may be provided outside the vacuum chamber 50.

次に、成膜装置１の動作について説明する。
図３は、成膜装置１の動作を説明するための図である。図３では、成膜装置を上方から眺めた状態が示されている。
比較のために、図３（ａ）には、パイプ３５が設けられていない成膜装置１００が示され、図３（ｂ）には、本実施の形態に係る成膜装置１が示されている。なお、図３では、基板１０が表示されていないが、マスク部材２０上に基板１０が配置されているのは勿論である。 Next, the operation of the film forming apparatus 1 will be described.
FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the film forming apparatus 1. In FIG. 3, the state which looked at the film-forming apparatus from the upper direction is shown.
For comparison, FIG. 3A shows the film forming apparatus 100 without the pipe 35, and FIG. 3B shows the film forming apparatus 1 according to the present embodiment. Yes. In FIG. 3, the substrate 10 is not displayed, but it is needless to say that the substrate 10 is disposed on the mask member 20.

先ず、図３（ａ）に示す成膜装置１００の動作から説明する。
成膜装置１００においては、成膜装置１と同様に、蒸着（成膜）中に、基板１０およびマスク部材２０（以下、基板１０等）を矢印Ａの方向に搬送する。この際、ノズル３０の温度は、基板１０およびマスク部材２０の温度よりも高温に設定されているので、基板１０等は、ノズル３０からの輻射熱よってノズル３０上に位置する部分において膨張してしまう。 First, the operation of the film forming apparatus 100 shown in FIG.
In the film forming apparatus 100, similarly to the film forming apparatus 1, the substrate 10 and the mask member 20 (hereinafter referred to as the substrate 10) are transported in the direction of arrow A during vapor deposition (film formation). At this time, since the temperature of the nozzle 30 is set to be higher than the temperatures of the substrate 10 and the mask member 20, the substrate 10 and the like expand at a portion located on the nozzle 30 due to radiant heat from the nozzle 30. .

例えば、マスク部材２０が膨張する前の幅（矢印Ａの方向に対し略直交する方向の幅）を幅Ｂ１とすると、ノズル３０上に位置するマスク部材２０の幅Ｂ２は、時間とともに増加する（Ｂ２＞Ｂ１）。
これは、ノズル３０上に、基板１０等を搬送した直後においては、基板１０等は充分に伸びていない状態にあり、ノズル３０上に位置する基板１０等は、ノズル３０からの輻射熱よって蒸着中に膨張し続けるためである。 For example, the mask member 20 and the width B 1 (the width which is substantially perpendicular to the direction of arrow A) before the width expands, the width B 2 of the mask member 20 located in the nozzle 30 on the increase with time (B 2 > B 1 ).
This is because the substrate 10 or the like is not sufficiently stretched immediately after the substrate 10 or the like is transported onto the nozzle 30, and the substrate 10 or the like located on the nozzle 30 is being vapor-deposited by radiant heat from the nozzle 30. This is because it continues to expand.

なお、基板１０の主成分は、ガラスであり、マスク部材２０の主成分は、金属であるので、マスク部材２０の方が基板１０よりも、線膨張係数が大きく伸びやすい傾向にある。 これにより、マスク部材２０に設けた開口２０ｈのピッチ、線幅は、蒸着中に変動してしまう。その結果、基板１０上に形成する被膜のパターンのピッチ、線幅等は、歪（いびつ）になる場合がある。   Since the main component of the substrate 10 is glass and the main component of the mask member 20 is a metal, the mask member 20 tends to have a larger linear expansion coefficient than the substrate 10 and easily extend. As a result, the pitch and line width of the openings 20h provided in the mask member 20 vary during the vapor deposition. As a result, the pitch and line width of the pattern of the film formed on the substrate 10 may be distorted.

仮に、基板１０とマスク部材２０との線膨張係数を近接させたとしても、表示パネル等に用いられる基板１０のサイズは、近年、益々増大する傾向にある。これに応じて、マスク部材２０のサイズも増大する。従って、基板１０等を加熱した直後では、基板１０の周辺において、基板１０とマスク部材２０とがずれ易くなっている。   Even if the linear expansion coefficients of the substrate 10 and the mask member 20 are close to each other, the size of the substrate 10 used for a display panel or the like tends to increase in recent years. Accordingly, the size of the mask member 20 also increases. Therefore, immediately after the substrate 10 or the like is heated, the substrate 10 and the mask member 20 are easily displaced around the substrate 10.

また、マスク部材２０は、均一な開口パターンを全面に配置しているとは限らない。さらに、マスク部材２０には、開口２０ｈがある部分と開口２０ｈがない部分とがある。これにより、基板１０等を加熱した直後では、基板１０およびマスク部材２０は、それぞれ不均一に膨張し、基板１０とマスク部材２０との位置ずれを起こし易い。   Further, the mask member 20 does not necessarily have a uniform opening pattern disposed on the entire surface. Further, the mask member 20 has a portion with the opening 20h and a portion without the opening 20h. As a result, immediately after heating the substrate 10 and the like, the substrate 10 and the mask member 20 are expanded in a non-uniform manner, and the substrate 10 and the mask member 20 are likely to be displaced.

これに対し、図３（ｂ）に示す成膜装置１においては、ノズル３０とは別の熱源であるパイプ３５がノズル３０に隣接している。
このような装置では、基板１０等を矢印Ａの方向に搬送すると、基板１０等は、ノズル３０によって加熱される前に、パイプ３５によって予め加熱される。そして、搬送により、パイプ３５によって温められた部分の基板１０等がノズル３０上に位置しても、ノズル３０上に位置する基板１０等は、既にパイプ３５によって充分に温められた状態にある。 On the other hand, in the film forming apparatus 1 shown in FIG. 3B, a pipe 35, which is a heat source different from the nozzle 30, is adjacent to the nozzle 30.
In such an apparatus, when the substrate 10 or the like is conveyed in the direction of the arrow A, the substrate 10 or the like is preheated by the pipe 35 before being heated by the nozzle 30. Even if the substrate 10 or the like of the portion warmed by the pipe 35 is positioned on the nozzle 30 by the conveyance, the substrate 10 or the like positioned on the nozzle 30 is already sufficiently heated by the pipe 35.

すなわち、ノズル３０上に位置する基板１０等は、蒸着（成膜）を開始する前から、膨張がほぼ終了した状態になっている。例えば、ノズル３０上に位置するマスク部材２０の幅を幅Ｂ３とすると、この幅Ｂ３は、蒸着中において変動し難く、安定している。 That is, the expansion of the substrate 10 and the like located on the nozzle 30 is almost completed before the start of vapor deposition (film formation). For example, if the width of the mask member 20 positioned on the nozzle 30 is a width B 3 , the width B 3 is not easily changed during deposition and is stable.

従って、成膜装置１においては、蒸着中に、マスク部材２０に設けた開口２０ｈのピッチ、線幅が変動し難くなる。このような状況で、基板１０に対し蒸着材の蒸着を行えば、基板１０上には、常時所望の被膜のパターンが形成される。   Therefore, in the film forming apparatus 1, the pitch and the line width of the openings 20h provided in the mask member 20 are difficult to change during the vapor deposition. In this situation, if a vapor deposition material is deposited on the substrate 10, a desired film pattern is always formed on the substrate 10.

なお、マスク設計に関しては、上述した基板１０等の膨張がほぼ終了して、マスク部材のサイズが安定した状態でのマスクパターンを、正規のマスクパターンとして設計すればよい。このようなマスク部材を用いれば、バッチ処理毎に所望の被膜のパターンが形成される。   As for the mask design, the mask pattern in a state where the expansion of the substrate 10 and the like described above is almost completed and the size of the mask member is stable may be designed as a regular mask pattern. If such a mask member is used, a desired film pattern is formed for each batch process.

また、蒸着（成膜）中の基板１０等の膨張の程度をより安定させるには、パイプ３５を複数本、設けてもよい。
このように、成膜装置１では、並列状に配列した孔部３０ｈを有するノズル３０から蒸着材を飛散させつつ、孔部３０ｈに対向する基板１０およびマスク部材２０を、孔部３０ｈが配列する方向に対し略直交に搬送する。基板１０およびマスク部材２０を搬送する際には、ノズル３０に隣接する加熱手段を用いて、基板１０の被蒸着部分を予備加熱してから被蒸着部分に蒸着材を蒸着する。
次に、成膜装置の変形例について説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。 Further, in order to further stabilize the degree of expansion of the substrate 10 or the like during vapor deposition (film formation), a plurality of pipes 35 may be provided.
As described above, in the film forming apparatus 1, the hole 30h arranges the substrate 10 and the mask member 20 facing the hole 30h while the vapor deposition material is scattered from the nozzle 30 having the holes 30h arranged in parallel. It is conveyed substantially perpendicular to the direction. When the substrate 10 and the mask member 20 are transported, the vapor deposition material is vapor-deposited on the vapor deposition portion after preliminarily heating the vapor deposition portion of the substrate 10 using a heating unit adjacent to the nozzle 30.
Next, a modified example of the film forming apparatus will be described. In the following description, the same members are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted as appropriate.

図４は、成膜装置の要部模式図である。図４には、矢印Ａの方向に対し略垂直な方向から成膜装置を眺めた場合の模式図が示されている。
成膜装置２には、さらに、基板１０もしくはマスク部材２０の伸縮の程度を検出するセンサ３７が設けられている。また、成膜装置２は、パイプ３５のほか、ノズル３０の近傍に、別のパイプ３６を有する。パイプ３６は、その内部にヒータ３６ｈを有し、熱源として機能する。このパイプ３６からの輻射熱を制御することにより、基板１０もしくはマスク部材２０の膨張の程度を徴調整できる。 FIG. 4 is a schematic diagram of a main part of the film forming apparatus. FIG. 4 is a schematic diagram when the film forming apparatus is viewed from a direction substantially perpendicular to the direction of the arrow A.
The film forming apparatus 2 is further provided with a sensor 37 that detects the degree of expansion / contraction of the substrate 10 or the mask member 20. In addition to the pipe 35, the film forming apparatus 2 has another pipe 36 in the vicinity of the nozzle 30. The pipe 36 has a heater 36h therein and functions as a heat source. By controlling the radiant heat from the pipe 36, the degree of expansion of the substrate 10 or the mask member 20 can be adjusted.

例えば、基板１０、マスク部材２０を複数準備した段階では、それぞれのサイズ、厚みは、均一であるとは限らない。従って、ノズル３０（もしくは、パイプ３５）から同じ熱量を放出させた場合、バッチ処理毎において基板１０、マスク部材２０の膨張する程度が異なる場合がある。   For example, at the stage where a plurality of substrates 10 and mask members 20 are prepared, the respective sizes and thicknesses are not necessarily uniform. Therefore, when the same amount of heat is released from the nozzle 30 (or the pipe 35), the degree of expansion of the substrate 10 and the mask member 20 may be different for each batch process.

これに対し、成膜装置２では、センサ３７が検知した信号に基づき、帰還制御方式によってパイプ３６から放出される熱量を制御して、各バッチ毎の基板１０、マスク部材２０の膨張の程度が同じ程度になるように調整する。このような形態によれば、それぞれの基板１０上に形成される被膜のパターンの精度（位置、幅等）は、より向上する。   On the other hand, in the film forming apparatus 2, the amount of heat released from the pipe 36 is controlled by the feedback control method based on the signal detected by the sensor 37, and the degree of expansion of the substrate 10 and the mask member 20 for each batch is controlled. Adjust to the same extent. According to such a form, the accuracy (position, width, etc.) of the pattern of the film formed on each substrate 10 is further improved.

図５は、成膜装置の要部模式図である。図５（ａ）には、成膜装置３の要部斜視が示され、図５（ｂ）には、成膜装置３のノズル３０の位置での成膜装置３の要部断面が示されている。図５（ｃ）には、被膜のパターンが形成された基板１０の平面が示されている。図５には、成膜後の基板１０等が表示されている。   FIG. 5 is a schematic diagram of a main part of the film forming apparatus. FIG. 5A shows a perspective view of the main part of the film forming apparatus 3, and FIG. 5B shows a cross section of the main part of the film forming apparatus 3 at the position of the nozzle 30 of the film forming apparatus 3. ing. FIG. 5C shows a plane of the substrate 10 on which a film pattern is formed. FIG. 5 shows the substrate 10 and the like after film formation.

成膜装置３は、ノズル３０の孔部３０ｈと、基板１０とを接近させた構造を有する。 成膜装置３では、並列状に配列した孔部３０ｈを有するノズル３０から蒸着材を飛散させつつ、孔部３０ｈに対向する基板１０およびマスク部材２０を、孔部３０ｈが配列する方向に対し略直交に搬送する。基板１０およびマスク部材２０を搬送する際には、ノズル３０に隣接する加熱手段を用いて、基板１０の被蒸着部分を予備加熱してから被蒸着部分に蒸着材を蒸着する。
成膜装置３では、上述したマスク部材２０を取り付けることを要さず、基板１０にライン・スペースのパターンが形成される。 The film forming apparatus 3 has a structure in which the hole 30 h of the nozzle 30 and the substrate 10 are brought close to each other. In the film forming apparatus 3, the vapor deposition material is scattered from the nozzles 30 having the holes 30h arranged in parallel, and the substrate 10 and the mask member 20 facing the holes 30h are substantially aligned with respect to the direction in which the holes 30h are arranged. Carry orthogonally. When the substrate 10 and the mask member 20 are transported, the vapor deposition material is vapor-deposited on the vapor deposition portion after preliminarily heating the vapor deposition portion of the substrate 10 using a heating unit adjacent to the nozzle 30.
In the film forming apparatus 3, it is not necessary to attach the mask member 20 described above, and a line / space pattern is formed on the substrate 10.

ここで、ノズル３０に設けられた孔部３０ｈのピッチ、口径は、基板１０上に形成するラインパターンのピッチ、線幅に対応している。例えば、孔部３０ｈのピッチは、３００μｍ以下であり、孔部３０ｈの口径は、１００μｍ以下である。   Here, the pitch and diameter of the holes 30 h provided in the nozzle 30 correspond to the pitch and line width of the line pattern formed on the substrate 10. For example, the pitch of the holes 30h is 300 μm or less, and the diameter of the holes 30h is 100 μm or less.

そして、搬送手段により、基板１０が矢印Ａの方向に移動すると、孔部３０ｈから飛散した蒸着材が直ちに基板１０上に付着し、基板１０の全面に蒸着材３２のラインパターン１０ｐが形成される。   When the substrate 10 is moved in the direction of arrow A by the conveying means, the vapor deposition material scattered from the hole 30h immediately adheres to the substrate 10, and the line pattern 10p of the vapor deposition material 32 is formed on the entire surface of the substrate 10. .

また、成膜装置３においては、ノズル３０に隣接するように、パイプ３５を設けてもよい。パイプ３５は、ノズル３０に対し、矢印Ａが示す方向とは逆側に位置している。パイプ３５は、上述したように、熱源（予備ヒータ）として機能する。   In the film forming apparatus 3, a pipe 35 may be provided so as to be adjacent to the nozzle 30. The pipe 35 is located on the opposite side to the direction indicated by the arrow A with respect to the nozzle 30. As described above, the pipe 35 functions as a heat source (preliminary heater).

このような装置によれば、基板１０を矢印Ａの方向に搬送すると、基板１０は、ノズル３０によって加熱される前に、予め、パイプ３５によって加熱される。パイプ３５によって加熱された部分の基板１０がノズル３０上に位置したときには、ノズル３０上に位置する基板１０は、既にパイプ３５によって充分に温められている。すなわち、ノズル３０上に位置する基板１０は、蒸着（成膜）を開始する前から、膨張がほぼ終了した状態になっている。   According to such an apparatus, when the substrate 10 is conveyed in the direction of arrow A, the substrate 10 is heated by the pipe 35 in advance before being heated by the nozzle 30. When the portion of the substrate 10 heated by the pipe 35 is positioned on the nozzle 30, the substrate 10 positioned on the nozzle 30 is already sufficiently warmed by the pipe 35. That is, the substrate 10 positioned on the nozzle 30 is in a state where the expansion is almost completed before the start of vapor deposition (film formation).

従って、成膜装置３においては、蒸着中に、ノズル３０に設けた孔部３０ｈのピッチ、口径が変動し難くなる。このような状況で、基板１０に対し蒸着材の蒸着を行えば、基板１０上には、所望の被膜のパターンが形成される。
なお、ノズル３０の設計に関しては、基板１０およびノズル３０の膨張がほぼ終了して、それぞれサイズが安定した状態での孔部３０ｈのピッチ、口径を、正規のノズルとすればよい。このようなノズル３０を用いれば、バッチ処理毎に所望の被膜のパターンが形成される。 Therefore, in the film forming apparatus 3, the pitch and the diameter of the holes 30h provided in the nozzle 30 are difficult to change during the vapor deposition. In this situation, if a vapor deposition material is deposited on the substrate 10, a desired film pattern is formed on the substrate 10.
Regarding the design of the nozzle 30, the expansion and expansion of the substrate 10 and the nozzle 30 are almost completed, and the pitch and the diameter of the holes 30 h in a state where the sizes are stable may be set as regular nozzles. When such a nozzle 30 is used, a desired film pattern is formed for each batch process.

また、基板１０上に形成するラインパターンの位置、幅、ピッチを変更する場合には、それぞれのラインパターンに対応するノズル３０を複数準備すればよい。また、蒸着中に、基板１０が反る場合には、その反りの程度に適合させてノズル３０の形状を変えたり、孔部３０ｈのピッチを適宜変更すればよい。   In addition, when changing the position, width, and pitch of the line pattern formed on the substrate 10, a plurality of nozzles 30 corresponding to each line pattern may be prepared. Further, when the substrate 10 warps during vapor deposition, the shape of the nozzle 30 may be changed according to the degree of warpage, or the pitch of the holes 30h may be changed as appropriate.

成膜装置３によれば、マスク部材２０が不要になり、成膜処理の低コスト化を図ることができる。さらに、マスク部材２０を介さず、蒸着材を直接基板１０上に形成できるので、蒸着材料の使用効率が向上する。   According to the film forming apparatus 3, the mask member 20 is not required, and the cost of the film forming process can be reduced. Furthermore, since the vapor deposition material can be directly formed on the substrate 10 without using the mask member 20, the use efficiency of the vapor deposition material is improved.

図６は、成膜装置の要部模式図である。図６（ａ）には、成膜装置４の要部斜視が示され、図６（ｂ）には、成膜装置４のノズル３０の位置での成膜装置４の要部断面が示されている。図６（ｃ）には、ノズル３０に設けられた突起部３０ｔの斜視図が示されている。図６には、成膜装置４のほか、成膜装置４に設置される基板１０等が表示されている。   FIG. 6 is a schematic diagram of a main part of the film forming apparatus. 6A shows a perspective view of the main part of the film forming apparatus 4, and FIG. 6B shows a cross section of the main part of the film forming apparatus 4 at the position of the nozzle 30 of the film forming apparatus 4. ing. FIG. 6C shows a perspective view of the protrusion 30 t provided on the nozzle 30. In FIG. 6, in addition to the film forming apparatus 4, the substrate 10 and the like installed in the film forming apparatus 4 are displayed.

成膜装置４においては、ノズル３０の孔部３０ｈ上に、円錐状の突起部３０ｔが接続している。突起部３０ｔは、ノズル３０の孔部３０ｈの位置から延在している。さらに、突起部３０ｔの先端には、孔部３０ｔｈが設けられている。孔部３０ｔｈの形状は、成膜装置４の上方から眺めて、例えば円状である。蒸着材は、孔部３０ｔｈから飛散させることができる。なお、孔部３０ｔｈの口径については、それぞれの孔部３０ｔｈから噴射する蒸着材の噴射量が略均一になるように、適宜調整される。   In the film forming apparatus 4, a conical protrusion 30 t is connected to the hole 30 h of the nozzle 30. The protrusion 30t extends from the position of the hole 30h of the nozzle 30. Further, a hole 30th is provided at the tip of the protrusion 30t. The shape of the hole 30th is, for example, a circle when viewed from above the film forming apparatus 4. The vapor deposition material can be scattered from the hole 30th. The diameter of the hole 30th is appropriately adjusted so that the amount of vapor deposition material sprayed from each hole 30th is substantially uniform.

また、成膜装置４は、突起部３０ｔの先端と、基板１０とを接近させた構造を有する。成膜装置４では、上述したマスク部材２０を取り付けることを要さず、基板１０にライン・スペースのパターンが形成される。
ここで、ノズル３０に設けられた突起部３０ｔの孔部３０ｔｈのピッチ、口径は、基板１０上に形成するラインパターンのピッチ、線幅に対応している。例えば、孔部３０ｔｈのピッチは、３００μｍ以下であり、口径は、１００μｍ以下である。 The film forming apparatus 4 has a structure in which the tip of the protrusion 30t and the substrate 10 are brought close to each other. In the film forming apparatus 4, it is not necessary to attach the mask member 20 described above, and a line / space pattern is formed on the substrate 10.
Here, the pitch and diameter of the holes 30th of the protrusions 30t provided on the nozzle 30 correspond to the pitch and line width of the line pattern formed on the substrate 10. For example, the pitch of the holes 30th is 300 μm or less, and the aperture is 100 μm or less.

そして、搬送手段により、基板１０が矢印Ａの方向に移動すると、孔部３０ｔｈから飛散した蒸着材が直ちに基板１０上に付着し、基板１０の全面に蒸着材３２のラインパターン１０ｐが形成される。   When the substrate 10 is moved in the direction of the arrow A by the conveying means, the vapor deposition material scattered from the hole 30th immediately adheres to the substrate 10, and the line pattern 10 p of the vapor deposition material 32 is formed on the entire surface of the substrate 10. .

また、成膜装置４においては、ノズル３０に隣接するように、パイプ３５を設けてもよい。このような構成によれば、蒸着中に、ノズル３０に設けた孔部３０ｔｈのピッチ、口径がより変動し難くなる。従って、基板１０上には、所望の被膜のパターンが形成される。   In the film forming apparatus 4, a pipe 35 may be provided so as to be adjacent to the nozzle 30. According to such a configuration, the pitch and the diameter of the holes 30th provided in the nozzle 30 are less likely to fluctuate during vapor deposition. Therefore, a desired film pattern is formed on the substrate 10.

また、成膜装置４によれば、マスク部材２０が不要になり、成膜処理の低コスト化を図ることができる。さらに、マスク部材２０を介さず、蒸着材を直接基板１０上に形成できるので、蒸着材料の使用効率が向上する。   Further, according to the film forming apparatus 4, the mask member 20 is not necessary, and the cost of the film forming process can be reduced. Furthermore, since the vapor deposition material can be directly formed on the substrate 10 without using the mask member 20, the use efficiency of the vapor deposition material is improved.

特に、成膜装置４では、突起部３０ｔを通じて、孔部３０ｔｈから蒸着材を飛散させるので、基板１０に入射する蒸着材の方向性がより向上する。これにより、ラインパターンの精度（位置、幅等）は、より向上する。   In particular, in the film forming apparatus 4, since the vapor deposition material is scattered from the hole 30th through the protrusion 30t, the directionality of the vapor deposition material incident on the substrate 10 is further improved. Thereby, the accuracy (position, width, etc.) of the line pattern is further improved.

なお、突起部３０ｔを設けたノズル３０の設計に関しては、基板１０およびノズル３０の膨張がほぼ終了して、それぞれサイズが安定した状態での孔部３０ｔｈのピッチ、口径を、正規のノズルとすればよい。このようなノズル３０を用いれば、バッチ処理毎に所望の被膜のパターンが形成される。   As for the design of the nozzle 30 provided with the protrusion 30t, the expansion and expansion of the substrate 10 and the nozzle 30 are almost finished, and the pitch and the diameter of the holes 30th in a state where the sizes are stable are regarded as normal nozzles. That's fine. When such a nozzle 30 is used, a desired film pattern is formed for each batch process.

また、基板１０上に形成するラインパターンの位置、幅、ピッチを変更する場合には、それぞれのラインパターンに対応するノズル３０を複数準備すればよい。また、蒸着中に、基板１０が反る場合には、その反りの程度に適合させてノズル３０の形状を変えたり、突起部３０ｔの高さを変えたり、孔部３０ｔｈのピッチを適宜変更すればよい。   In addition, when changing the position, width, and pitch of the line pattern formed on the substrate 10, a plurality of nozzles 30 corresponding to each line pattern may be prepared. Further, when the substrate 10 warps during vapor deposition, the shape of the nozzle 30 is changed according to the degree of warpage, the height of the protrusion 30t is changed, or the pitch of the holes 30th is appropriately changed. That's fine.

さらに、成膜装置に設けた各部材および成膜方法については、以下のように変形してもよい。
図７は、変形例を説明する図である。
例えば、図７（ａ）に示すように、突起部３０ｔにおいては、孔部３０ｔｈを成膜装置４の上方から眺めた場合、その形状を、例えば、矢印Ａの方向を長軸とする楕円、もしくは矢印Ａの方向に伸びる長円としている。 Furthermore, each member and film forming method provided in the film forming apparatus may be modified as follows.
FIG. 7 is a diagram illustrating a modification.
For example, as shown in FIG. 7A, in the protrusion 30t, when the hole 30th is viewed from above the film forming apparatus 4, the shape thereof is, for example, an ellipse having the major axis in the direction of the arrow A, Alternatively, an ellipse extending in the direction of arrow A is used.

このような形態であれば、孔部３０ｔｈの形状が搬送方向に伸びているので、突起部３０ｔから噴出する蒸着材の噴出量に揺らぎが生じても、基板１０に付着する蒸着材の量が平均化される。これにより、ラインパターンの精度（位置、幅等）は、さらに向上する。   In such a form, since the shape of the hole 30th extends in the transport direction, even if fluctuation occurs in the ejection amount of the vapor deposition material ejected from the protrusion 30t, the amount of the vapor deposition material adhering to the substrate 10 is small. Averaged. Thereby, the accuracy (position, width, etc.) of the line pattern is further improved.

また、ノズル３０の各孔部３０ｈから噴出する蒸着材の流量をより均等に制御するには、配管３０ａ、３０ｂのコンダクタンスを適宜調整してもよい。
例えば、図７（ｂ）に示すように、ノズル３０の下方に設けられた配管３０ａについては、外側に位置する配管３０ａａの太さを、内側に位置する配管３０ａｂの太さよりも太くしてもよい。あるいは配管３０ｂについては、外側の配管３０ｂａの太さを内側の配管３０ｂｂの太さよりも太くしてもよい。
このような構造であれば、配管３０ａ、３０ｂは外側ほどコンダクタンスが高くなる。従って、ノズル３０の中心部に材料源３１を設けても、材料源３１から各々の孔部３０ｈに蒸着材を均等に行き渡らせることができる。なお、配管３０ａ、３０ｂのコンダクタンスは、その長さにより適宜調整してもよい。 In order to more uniformly control the flow rate of the vapor deposition material ejected from each hole 30h of the nozzle 30, the conductances of the pipes 30a and 30b may be adjusted as appropriate.
For example, as shown in FIG. 7B, for the pipe 30a provided below the nozzle 30, the thickness of the pipe 30aa located on the outside may be made larger than the thickness of the pipe 30ab located on the inside. Good. Or about the piping 30b, you may make the thickness of the outer side piping 30ba thicker than the thickness of the inner side piping 30bb.
With such a structure, the conductance of the pipes 30a and 30b increases toward the outside. Therefore, even if the material source 31 is provided at the center of the nozzle 30, the vapor deposition material can be evenly distributed from the material source 31 to each hole 30h. Note that the conductances of the pipes 30a and 30b may be appropriately adjusted depending on the length thereof.

また、成膜装置内には、ノズル３０を複数配置してもよい。例えば、配管３０ａ、３０ｂの形状を変えることにより、ノズル３０の長手方向において内側の孔部３０ｈほど蒸着材の噴出量が高いノズル３０、あるいは、外側の孔部３０ｈほど蒸着材の噴出量が高いノズル３０をＡ方向に並列することにより、基板１０上には、結果的に均一な厚みのラインパターンが形成される。   A plurality of nozzles 30 may be arranged in the film forming apparatus. For example, by changing the shapes of the pipes 30a and 30b, the nozzle 30 has a higher ejection amount of the vapor deposition material in the inner hole 30h in the longitudinal direction of the nozzle 30, or the ejection amount of the vapor deposition material is higher in the outer hole 30h. By arranging the nozzles 30 in parallel in the A direction, a line pattern having a uniform thickness is formed on the substrate 10 as a result.

図８は、別の変形例を説明する図である。
例えば、基板１０等が搬送される方向Ａとノズル３０の孔部３０ｈが配列する方向（ノズル３０の長手方向Ｃ）とのなす角を略直交させずに蒸着を行ってもよい。この方法では、方向Ａと方向Ｃのなす角を変更することによって、簡便にラインパターンのピッチを変更することができる。 FIG. 8 is a diagram for explaining another modified example.
For example, vapor deposition may be performed without making the angle formed by the direction A in which the substrate 10 or the like is conveyed and the direction in which the holes 30h of the nozzle 30 are arranged (longitudinal direction C of the nozzle 30) substantially orthogonal. In this method, the pitch of the line pattern can be easily changed by changing the angle formed by the direction A and the direction C.

さらに、本実施の形態においては、Ａ方向に並設させた複数のノズル３０を、方向Ｃにおいて互いにずらすように配置して蒸着を実施してもよい。これにより、孔部３０ｈのピッチよりも微細なラインパターンが形成される。また、ラインパターンの各層の材質に応じた各々のノズルを増設する方法も本実施の形態に含まれる。   Further, in the present embodiment, vapor deposition may be performed by arranging a plurality of nozzles 30 arranged in parallel in the A direction so as to be shifted from each other in the direction C. Thereby, a line pattern finer than the pitch of the hole 30h is formed. Further, the present embodiment includes a method of adding each nozzle according to the material of each layer of the line pattern.

以上、本実施の形態について説明した。しかし、本実施の形態は、これらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。例えば、マスク部材２０には、ライン状の開口２０ｈを並設するほか、ドット状の開口を設けてもよい。   The present embodiment has been described above. However, the present embodiment is not limited to these specific examples. That is, those specific examples modified by those skilled in the art are also included in the scope of the present invention as long as they have the characteristics of the present invention. Each element included in each of the specific examples described above and their arrangement, material, condition, shape, size, and the like are not limited to those illustrated, and can be appropriately changed. For example, the mask member 20 may be provided with dot-shaped openings in addition to the line-shaped openings 20h.

また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。 In addition, each element included in each of the above-described embodiments can be combined as long as technically possible, and combinations thereof are also included in the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention.
In addition, in the category of the idea of the present invention, those skilled in the art can conceive of various changes and modifications, and it is understood that these changes and modifications also belong to the scope of the present invention. .

１、２、３、４、１００ 成膜装置
１０ 基板
１０ｐ ラインパターン
２０ マスク部材
２０ｈ 開口
３０ ノズル（蒸着源）
３０ａ、３０ｂ、３０ｃ 配管
３０ｈ、３０ｔｈ 孔部
３０ｔ 突起部
３１ 材料源
３２ 蒸着材
３５ パイプ
３５ｈ ヒータ
３６ パイプ
３６ｈ ヒータ
３７ センサ
４０ 静電チャック
４１ 搬送用ローラ
５０ 真空槽
Ａ 矢印（基板搬送方向）
Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３ 幅
Ｃ ノズルの長手方向 1, 2, 3, 4, 100
10 Substrate
10p line pattern 20 mask member
20h opening
30 nozzles (deposition source)
30a, 30b, 30c Piping
30h, 30th hole
30t protrusion
31 Material Source
32 Deposition material
35 pipe
35h heater
36 pipes
36h heater
37 sensors
40 Electrostatic chuck
41 Conveyor roller
50 vacuum chamber
A Arrow (Board transport direction)
B 1, B 2, B 3 Width
C Longitudinal direction of nozzle

Claims (5)

並列状に配列した複数の孔部を有する、ライン状の蒸着源の前記孔部から蒸着材を飛散させながら、前記孔部に対向する基板およびマスク部材を前記孔部が配列する方向に対して略直交する方向に搬送し、前記基板の上に前記蒸着材を蒸着して薄膜を積層する成膜方法であって、
前記蒸着源に隣接し、前記蒸着源からみて搬送により前記基板および前記マスク部材が移動する方向とは反対側に設けられた加熱手段を用いて、前記基板の被蒸着部分を予備加熱した後、
前記被蒸着部分に前記蒸着材を蒸着することを特徴とする成膜方法。 With a plurality of holes arranged in parallel, the substrate facing the holes and the mask member are arranged in the direction in which the holes are arranged while the vapor deposition material is scattered from the holes of the linear vapor deposition source. A film forming method for transporting in a substantially orthogonal direction and depositing a thin film by depositing the vapor deposition material on the substrate,
After preheating the portion to be vapor-deposited of the substrate using a heating means provided on the side opposite to the direction in which the substrate and the mask member move by conveyance as viewed from the vapor deposition source,
A film forming method comprising depositing the vapor deposition material on the portion to be vapor deposited. 並列状に配列した複数の孔部を有し、ライン状の蒸着源の前記孔部から蒸着材を飛散させながら、前記孔部に対向する基板を前記孔部に接近させつつ前記孔部が配列する方向に対して略直交する方向に搬送し、前記基板の上に前記孔部のそれぞれから飛散させた前記蒸着材を蒸着して、前記基板の上に互いに分離した複数のライン状の薄膜を積層する成膜方法。   The plurality of holes arranged in parallel, and the holes are arranged while the substrate facing the holes is brought close to the holes while the vapor deposition material is scattered from the holes of the linear vapor deposition source. A plurality of line-shaped thin films separated from each other on the substrate by vapor-depositing the vapor deposition material scattered from each of the holes on the substrate. A film forming method for stacking. 前記蒸着源から延在する突起部の先端に設けられた前記孔部を前記基板に接近させながら、前記被蒸着部分に前記蒸着材を蒸着することを特徴とする請求項２記載の成膜方法。   3. The film forming method according to claim 2, wherein the vapor deposition material is vapor-deposited on the portion to be vapor-deposited while the hole provided at the tip of a protrusion extending from the vapor deposition source is brought close to the substrate. . 並列状に配列した複数の孔部を有する、ライン状の蒸着源と、
基板およびマスク部材を前記孔部に対向させつつ前記孔部が配列する方向に対して略直交な方向に搬送する搬送手段と、
前記蒸着源に隣接し、前記蒸着源からみて前記基板および前記マスク部材が前記搬送される方向とは反対側に設けられた、少なくとも１つの加熱手段と、
を備え、
前記基板および前記マスク部材を搬送しながら前記基板に前記蒸着材を蒸着する前に、前記加熱手段により前記基板の被蒸着部分を予備加熱することを特徴とする成膜装置。 A linear deposition source having a plurality of holes arranged in parallel;
Conveying means for conveying the substrate and the mask member in a direction substantially orthogonal to the direction in which the holes are arranged while facing the holes;
At least one heating means adjacent to the vapor deposition source and provided on the side opposite to the direction in which the substrate and the mask member are transported as viewed from the vapor deposition source;
With
A film forming apparatus, wherein a deposition portion of the substrate is preheated by the heating means before the deposition material is deposited on the substrate while transporting the substrate and the mask member. 並列状に配列した複数の孔部を有する、ライン状の蒸着源と、
前記孔部に基板を近接させつつ前記孔部が配列する方向に対して略直交する方向に前記基板を搬送する搬送手段と、
を備え、
前記孔部に対向する基板を前記孔部に接近させつつ搬送しながら、前記基板の上に前記孔部のそれぞれから飛散させた前記蒸着材を蒸着して、前記基板の上に互いに分離した複数のライン状の薄膜を積層する成膜装置。 A linear deposition source having a plurality of holes arranged in parallel;
Transport means for transporting the substrate in a direction substantially orthogonal to the direction in which the holes are arranged while bringing the substrate close to the hole;
With
A plurality of materials separated from each other on the substrate by vapor-depositing the vapor deposition material scattered from each of the hole portions on the substrate while transporting the substrate facing the hole portion while approaching the hole portion. A film-forming device for laminating line-shaped thin films.
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