JP2011067888A - Chuck table for semiconductor wafer, and method of processing semiconductor wafer - Google Patents

Chuck table for semiconductor wafer, and method of processing semiconductor wafer Download PDF

Info

Publication number
JP2011067888A
JP2011067888A JP2009219951A JP2009219951A JP2011067888A JP 2011067888 A JP2011067888 A JP 2011067888A JP 2009219951 A JP2009219951 A JP 2009219951A JP 2009219951 A JP2009219951 A JP 2009219951A JP 2011067888 A JP2011067888 A JP 2011067888A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
bumps
mounting plate
bump
chuck table
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009219951A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5361634B2 (en
Inventor
Satoshi Odajima
智 小田嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Polymer Co Ltd
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Polymer Co Ltd
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Polymer Co Ltd, Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Polymer Co Ltd
Priority to JP2009219951A priority Critical patent/JP5361634B2/en
Publication of JP2011067888A publication Critical patent/JP2011067888A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5361634B2 publication Critical patent/JP5361634B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Jigs For Machine Tools (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chuck table for a semiconductor wafer, and a method of processing the semiconductor wafer, which improve product yield by omitting the operations of attaching and releasing an adhesive tape, and the discarding process thereof, thereby eliminating the operation of removing the adhesive remained on a bump surface of the semiconductor wafer. <P>SOLUTION: The table suckingly holds the bump surface of the semiconductor wafer 1 with a plurality of bumps 3 by the action of negative pressure. The table includes a table body 10 having an enlarged diameter than the semiconductor wafer 1; and a porous suction mounting plate 20 fitted into the table body 10, and having substantially the same diameter as the semiconductor wafer 1 and opposed to the bump surface thereof. A storing recess 21 for storing the plurality of bumps 3 of the semiconductor wafer 1 is formed on an opposing surface of the suction mounting plate 20. A porous spacer 30 is interposed in the space between the plurality of bumps 3 and the storing recess 21. There is no need to attach the adhesive tape intended for the bumps onto the bump surface of the semiconductor wafer 1 because vacuum suction is carried out by storing and protecting the bumps 3 of the semiconductor wafer 1 in the storing recess 21. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体の製造工程で使用される半導体ウェーハ用チャックテーブル及び半導体ウェーハの加工方法に関するものである。   The present invention relates to a chuck table for a semiconductor wafer used in a semiconductor manufacturing process and a semiconductor wafer processing method.

従来、半導体ウェーハ１に複数のバンプ３を形成してダイシング工程に供する場合には、先ず、チャックテーブルに半導体ウェーハ１を吸着固定してその露出面に保持フレーム４１の粘着層４３を粘着し、チャックテーブルの吸着を解除して半導体ウェーハ１の表面２に複数のバンプ３を形成し、半導体ウェーハ１の表面２、すなわち、バンプ面にバンプ対応の粘着テープ５０を粘着する（図１０参照）。バンプ対応の粘着テープ５０は、複数のバンプ３を確実に保護する観点から、柔軟な基材に厚い粘着層が粘着されることにより積層形成されている。   Conventionally, when a plurality of bumps 3 are formed on a semiconductor wafer 1 and used for a dicing process, first, the semiconductor wafer 1 is sucked and fixed to a chuck table, and the adhesive layer 43 of the holding frame 41 is adhered to the exposed surface. The chuck table is desorbed to form a plurality of bumps 3 on the surface 2 of the semiconductor wafer 1, and an adhesive tape 50 corresponding to the bumps is adhered to the surface 2 of the semiconductor wafer 1, that is, the bump surface (see FIG. 10). The adhesive tape 50 corresponding to the bump is formed by laminating a thick adhesive layer to a flexible base material from the viewpoint of reliably protecting the plurality of bumps 3.

半導体ウェーハ１に粘着テープ５０を粘着したら、この粘着テープ５０をチャックテーブルに吸着固定し、保持フレーム４１のフレーム部４２や半導体ウェーハ１から粘着層４３を切断剥離するとともに、半導体ウェーハ１の露出面にダイシングフレームのダイシングテープを粘着し、ダイシングフレームを表裏逆に吸着固定して半導体ウェーハ１から粘着テープ５０を剥離し、その後、半導体ウェーハ１をダイシング工程に供する（特許文献１参照）。   When the adhesive tape 50 is adhered to the semiconductor wafer 1, the adhesive tape 50 is adsorbed and fixed to the chuck table, and the adhesive layer 43 is cut and peeled from the frame portion 42 of the holding frame 41 and the semiconductor wafer 1. The dicing tape of the dicing frame is adhered to the dicing frame, the dicing frame is adsorbed and fixed reversely and the adhesive tape 50 is peeled off from the semiconductor wafer 1, and then the semiconductor wafer 1 is subjected to a dicing process (see Patent Document 1).

特開平１１−０１６８６３号公報JP-A-11-016863

しかしながら、従来の方法では、半導体ウェーハ１のバンプ面にバンプ対応の粘着テープ５０を粘着しなければならないので、粘着テープ５０の粘着作業や剥離作業が必要になる他、剥離して不要になった粘着テープ５０が廃棄物になり、この廃棄物の処理に手間や時間等がかかるという問題がある。さらに、半導体ウェーハ１のバンプ面に粘着テープ５０の粘着剤が残留することがあるので、残留した粘着剤の除去作業が不可欠となり、製品の歩留まりが低下するという問題がある。   However, in the conventional method, the adhesive tape 50 corresponding to the bumps has to be adhered to the bump surface of the semiconductor wafer 1, so that the adhesive tape 50 needs to be adhered and peeled, and it has become unnecessary due to peeling. The adhesive tape 50 becomes waste, and there is a problem that it takes time and labor to process this waste. Furthermore, since the adhesive of the adhesive tape 50 may remain on the bump surface of the semiconductor wafer 1, it is necessary to remove the remaining adhesive, and there is a problem that the yield of the product is reduced.

本発明は上記に鑑みなされたもので、粘着テープの粘着作業、剥離作業、廃棄処理を省略することができ、半導体ウェーハのバンプ面に残留した粘着剤を除去する作業を不要とし、製品の歩留まりを向上させることのできる半導体ウェーハ用チャックテーブル及び半導体ウェーハの加工方法を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above, and can eliminate an adhesive tape adhesive operation, a peeling operation, and a disposal process, eliminates an operation of removing an adhesive remaining on a bump surface of a semiconductor wafer, and yields of products. It is an object of the present invention to provide a semiconductor wafer chuck table and a semiconductor wafer processing method capable of improving the above.

本発明においては上記課題を解決するため、複数のバンプを備えた半導体ウェーハのバンプ面を負圧作用により吸着保持するものであって、
半導体ウェーハと少なくとも同幅でそのバンプ面に対向する多孔質の吸着搭載板を備え、この吸着搭載板の対向面に、半導体ウェーハの複数のバンプを収容する収容凹部を形成し、半導体ウェーハの複数のバンプと収容凹部との隙間に、多孔質のスペーサを介在したことを特徴としている。 In the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, the bump surface of a semiconductor wafer provided with a plurality of bumps is held by suction by negative pressure action,
A porous adsorption mounting plate having at least the same width as the semiconductor wafer and facing the bump surface is provided, and an accommodation recess for accommodating a plurality of bumps of the semiconductor wafer is formed on the opposite surface of the adsorption mounting plate. A porous spacer is interposed in the gap between the bump and the housing recess.

また、本発明においては上記課題を解決するため、複数のバンプを備えた半導体ウェーハのバンプ面を負圧作用により吸着保持するものであって、
半導体ウェーハと少なくとも同幅でそのバンプ面に対向する多孔質の吸着搭載板を備え、この吸着搭載板の対向面周縁部に、半導体ウェーハのバンプ面の周縁部を支持する多孔質枠を着脱自在に取り付け、半導体ウェーハの複数のバンプと吸着搭載板の対向面との隙間に、多孔質のスペーサを介在したことを特徴としている。 Further, in the present invention, in order to solve the above-described problem, the bump surface of the semiconductor wafer having a plurality of bumps is held by suction by a negative pressure action,
A porous adsorption mounting plate that is at least the same width as the semiconductor wafer and faces the bump surface is provided. And a porous spacer is interposed in the gap between the plurality of bumps of the semiconductor wafer and the opposing surface of the suction mounting plate.

また、本発明においては上記課題を解決するため、保持フレームの粘着層に粘着された半導体ウェーハに複数のバンプを形成し、この半導体ウェーハの複数のバンプを備えたバンプ面を請求項１記載の半導体ウェーハ用チャックテーブルの吸着搭載板に支持させ、保持フレームの粘着層を半導体ウェーハから剥離し、その後、半導体ウェーハの露出面にダイシングフレームのダイシングテープを粘着することを特徴としている。   Further, in the present invention, in order to solve the above-mentioned problem, a plurality of bumps are formed on a semiconductor wafer adhered to the adhesive layer of the holding frame, and a bump surface provided with the plurality of bumps of the semiconductor wafer is defined in claim 1. The semiconductor wafer chuck table is supported on a suction mounting plate, the adhesive layer of the holding frame is peeled from the semiconductor wafer, and then the dicing tape of the dicing frame is adhered to the exposed surface of the semiconductor wafer.

さらに、本発明においては上記課題を解決するため、保持フレームの粘着層に粘着された半導体ウェーハに複数のバンプを形成し、この半導体ウェーハの複数のバンプを備えたバンプ面を請求項２記載の半導体ウェーハ用チャックテーブルの吸着搭載板に多孔質枠を介して支持させ、保持フレームの粘着層を半導体ウェーハから剥離し、その後、半導体ウェーハの露出面にダイシングフレームのダイシングテープを粘着することを特徴としている。   Further, in the present invention, in order to solve the above problem, a plurality of bumps are formed on a semiconductor wafer adhered to the adhesive layer of the holding frame, and a bump surface provided with the plurality of bumps of the semiconductor wafer is defined in claim 2. It is supported on the suction mounting plate of the chuck table for semiconductor wafer through a porous frame, the adhesive layer of the holding frame is peeled off from the semiconductor wafer, and then the dicing tape of the dicing frame is adhered to the exposed surface of the semiconductor wafer. It is said.

ここで、特許請求の範囲における半導体ウェーハには、少なくともφ２００、３００、４５０、６００ｍｍのタイプが含まれる。この半導体ウェーハのバンプは、球形、半球形、柱形、断面略茸形に形成される。   Here, the semiconductor wafer in the claims includes at least types of φ200, 300, 450, and 600 mm. The bumps of this semiconductor wafer are formed in a spherical shape, a hemispherical shape, a columnar shape, and a substantially bowl-shaped cross section.

本発明によれば、吸着搭載板に半導体ウェーハが負圧作用により吸着される際、吸着搭載板の収容凹部内、あるいは吸着搭載板上の多孔質枠内に半導体ウェーハの複数のバンプがスペーサを介し収容して保護される。したがって、吸着搭載板に半導体ウェーハのバンプが接触して損傷することが少ないので、粘着テープを省略することができる。   According to the present invention, when the semiconductor wafer is adsorbed to the adsorption mounting plate by negative pressure, the plurality of bumps of the semiconductor wafer have spacers in the accommodating recess of the adsorption mounting plate or in the porous frame on the adsorption mounting plate. It is housed and protected. Accordingly, the adhesive tape can be omitted because the bumps of the semiconductor wafer are less likely to come into contact with the suction mounting plate and be damaged.

本発明によれば、粘着テープの粘着作業、剥離作業、廃棄処理を省略することができ、半導体ウェーハのバンプ面に残留した粘着剤を除去する作業を不要とし、製品の歩留まりを向上させることができるという効果がある。   According to the present invention, the adhesive tape adhesive operation, the peeling operation, and the disposal process can be omitted, the operation of removing the adhesive remaining on the bump surface of the semiconductor wafer is unnecessary, and the product yield can be improved. There is an effect that can be done.

本発明に係る半導体ウェーハ用チャックテーブルの実施形態を模式的に示す分解断面説明図である。1 is an exploded cross-sectional explanatory view schematically showing an embodiment of a chuck table for a semiconductor wafer according to the present invention. 本発明に係る半導体ウェーハ用チャックテーブルの実施形態を模式的に示す断面説明図である。It is a section explanatory view showing typically an embodiment of a chuck table for semiconductor wafers concerning the present invention. 本発明に係る半導体ウェーハの加工方法の実施形態におけるチャックテーブルに半導体ウェーハを吸着固定してそのバックグラインド面に保持フレームの粘着層を粘着する状態を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the state which adsorbs and fixes a semiconductor wafer to the chuck table in embodiment of the processing method of the semiconductor wafer which concerns on this invention, and adhere | attaches the adhesion layer of a holding frame on the back grinding surface. 半導体ウェーハの表面に複数のバンプを形成する状態を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the state which forms a several bump in the surface of a semiconductor wafer. 本発明に係る半導体ウェーハの加工方法の実施形態における半導体ウェーハ用チャックテーブルに半導体ウェーハを真空吸着した状態を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the state which vacuum-sucked the semiconductor wafer to the chuck table for semiconductor wafers in embodiment of the processing method of the semiconductor wafer which concerns on this invention. 図５の保持フレームのフレームから粘着層を切り離して半導体ウェーハから剥離する状態を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the state which isolate | separates the adhesion layer from the flame | frame of the holding frame of FIG. 5, and peels from a semiconductor wafer. 半導体ウェーハのバックグラインド面にダイシングフレームのダイシングテープを粘着する状態を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the state which adhere | attaches the dicing tape of a dicing frame on the back grinding surface of a semiconductor wafer. 半導体ウェーハ用チャックテーブルの真空吸着を解除して半導体ウェーハを取り外した状態を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the state which canceled the vacuum suction of the chuck table for semiconductor wafers, and removed the semiconductor wafer. 本発明に係る半導体ウェーハ用チャックテーブルの第２の実施形態を模式的に示す断面説明図である。It is a section explanatory view showing typically a 2nd embodiment of a chuck table for semiconductor wafers concerning the present invention. 半導体ウェーハのバンプ面にバンプ対応の粘着テープを粘着した状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which adhered the adhesive tape corresponding to bump to the bump surface of a semiconductor wafer.

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明すると、本実施形態における半導体ウェーハ用チャックテーブルは、図１ないし図８に示すように、複数のバンプ３を備えた半導体ウェーハ１のバンプ面を負圧作用により着脱自在に吸着保持するテーブルで、半導体ウェーハ１よりも拡径のテーブル本体１０と、半導体ウェーハ１と略同径でそのバンプ面に対向する多孔質の吸着搭載板２０とを備え、この吸着搭載板２０に、半導体ウェーハ１の複数のバンプ３を収容する収容凹部２１を形成し、半導体ウェーハ１の複数のバンプ３と収容凹部２１との隙間に、多孔質のスペーサ３０を介在するようにしている。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. A chuck table for a semiconductor wafer according to the present embodiment includes a bump surface of a semiconductor wafer 1 having a plurality of bumps 3 as shown in FIGS. A table body 10 having a diameter larger than that of the semiconductor wafer 1 and a porous adsorption mounting plate 20 having the same diameter as the semiconductor wafer 1 and facing the bump surface. The suction mounting plate 20 is formed with an accommodation recess 21 for accommodating the plurality of bumps 3 of the semiconductor wafer 1, and a porous spacer 30 is provided in the gap between the plurality of bumps 3 of the semiconductor wafer 1 and the accommodation recess 21. Intervene.

半導体ウェーハ１は、例えばφ２００ｍｍやφ３００ｍｍタイプのシリコンウェーハからなり、半導体パッケージの薄型化等の観点から、裏面のバックグラインドにより薄片化されて可撓性が付与される。この半導体ウェーハ１の周縁部を除く表面２には、ハンダが印刷されたり、略球形のバンプ３が複数形成される。   The semiconductor wafer 1 is made of, for example, a φ200 mm or φ300 mm type silicon wafer, and is thinned by back grinding on the back surface to give flexibility from the viewpoint of thinning the semiconductor package. Solder is printed or a plurality of substantially spherical bumps 3 are formed on the surface 2 excluding the peripheral edge of the semiconductor wafer 1.

テーブル本体１０は、図１や図２に示すように、例えばステンレス、アルミ、チタン等の材料を使用して背の低い断面凹字の平面円形に形成される。このテーブル本体１０の底部の中心には、平面円形を呈する凹み穴１２に連通する排気孔１１が厚さ方向に穿孔され、この排気孔１１の下端部が図示しない真空ポンプ１３に排気ラインを介し着脱自在に接続される。   As shown in FIGS. 1 and 2, the table main body 10 is formed into a planar circular shape having a short cross-sectional concave shape using, for example, a material such as stainless steel, aluminum, or titanium. At the center of the bottom of the table body 10, an exhaust hole 11 communicating with a hollow 12 having a flat circular shape is formed in the thickness direction, and the lower end of the exhaust hole 11 is connected to a vacuum pump 13 (not shown) via an exhaust line. Removably connected.

吸着搭載板２０は、図１や図２に示すように、例えば通気性の多孔質セラミック等の材料を使用して平面円形の板に形成され、テーブル本体１０の凹み穴１２内に嵌着されてテーブル本体１０の表面周縁部に面一に揃えられるとともに、凹み穴１２や排気孔１１に連通されており、真空ポンプ１３の駆動により対向する半導体ウェーハ１の表面２を真空吸着するよう機能する。   As shown in FIGS. 1 and 2, the suction mounting plate 20 is formed into a flat circular plate using a material such as a breathable porous ceramic, and is fitted into the recessed hole 12 of the table body 10. In addition to being flush with the peripheral edge of the surface of the table body 10, the table body 10 is communicated with the recessed hole 12 and the exhaust hole 11, and functions to vacuum-suck the surface 2 of the semiconductor wafer 1 facing the vacuum pump 13. .

吸着搭載板２０の周縁部を除く表面、すなわち、半導体ウェーハ１の表面２に対向する対向面には、半導体ウェーハ１の複数のバンプ３を隙間を介して収容する収容凹部２１が断面略Ｕ字形に形成される。この収容凹部２１は、平面円形に区画形成され、半導体ウェーハ１のバンプ３との接触を確実に回避する観点から、バンプ３の高さよりも長く深く均一に凹み形成される。   An accommodation recess 21 for accommodating a plurality of bumps 3 of the semiconductor wafer 1 through a gap is formed on the surface excluding the peripheral edge of the suction mounting plate 20, that is, the opposing surface facing the surface 2 of the semiconductor wafer 1. Formed. The housing recess 21 is partitioned and formed into a flat circular shape, and is recessed longer and deeper than the height of the bump 3 from the viewpoint of reliably avoiding contact with the bump 3 of the semiconductor wafer 1.

スペーサ３０は、図２に示すように、例えば可撓性、柔軟性、通気性を有する多孔質のシートや不織布等により薄い平面円形に区画形成され、収容凹部２１の平坦な底面に略隙間なく配置される。このようなスペーサ３０は、半導体ウェーハ１の複数のバンプ３と収容凹部２１の底面との隙間に着脱自在に介在されることにより、半導体ウェーハ１の傾きを抑制してその姿勢を安定化させる。   As shown in FIG. 2, the spacer 30 is formed into a thin planar circle by, for example, a flexible sheet, nonwoven fabric, or the like having flexibility, flexibility, and air permeability, and has almost no gap on the flat bottom surface of the housing recess 21. Be placed. Such a spacer 30 is detachably interposed in a gap between the plurality of bumps 3 of the semiconductor wafer 1 and the bottom surface of the housing recess 21, thereby suppressing the inclination of the semiconductor wafer 1 and stabilizing its posture.

上記構成において、半導体ウェーハ１に複数のバンプ３を形成してダイシング工程に供する場合には、先ず、既存のチャックテーブル４０上に半導体ウェーハ１の表面２を真空吸着により固定してその露出したバックグラインド面に保持フレーム４１の粘着層４３を上方から粘着する（図３参照）。保持フレーム４１は、例えば中空板形の金属製のフレーム部４２の裏面に、中空を覆うシリコーンゴム等からなる耐熱性の粘着層４３が粘着されることにより形成される。粘着層４３の粘着に際しては、粘着層４３上にローラ等を押し当ててスライドさせることにより、半導体ウェーハ１と粘着層４３との間にエアを巻き込まないよう徐々に粘着することが好ましい。   In the above configuration, when a plurality of bumps 3 are formed on the semiconductor wafer 1 and used for the dicing process, first, the surface 2 of the semiconductor wafer 1 is fixed on the existing chuck table 40 by vacuum suction and the exposed back The adhesive layer 43 of the holding frame 41 is adhered to the grind surface from above (see FIG. 3). The holding frame 41 is formed, for example, by adhering a heat-resistant adhesive layer 43 made of silicone rubber or the like covering the hollow to the back surface of a hollow plate-shaped metal frame portion 42. When sticking the adhesive layer 43, it is preferable to gradually stick the air to prevent the air from being caught between the semiconductor wafer 1 and the adhesive layer 43 by pressing and sliding a roller or the like on the adhesive layer 43.

こうして半導体ウェーハ１に保持フレーム４１の粘着層４３を粘着したら、チャックテーブル４０の真空吸着を解除して半導体ウェーハ１を取り外し、保持フレーム４１を表裏逆にして半導体ウェーハ１の表面２に複数のバンプ３を形成する（図４参照）。具体的な形成方法としては、半導体ウェーハ１の周縁部を除く表面２にハンダをスクリーン印刷し、複数のバンプ３を配列してマウント等した後、リフロー処理することにより複数のバンプ３を形成する。   When the adhesive layer 43 of the holding frame 41 is adhered to the semiconductor wafer 1 in this way, the vacuum adsorption of the chuck table 40 is released, the semiconductor wafer 1 is removed, and the holding frame 41 is turned upside down so that a plurality of bumps are formed on the surface 2 of the semiconductor wafer 1. 3 (see FIG. 4). As a specific forming method, solder is screen-printed on the surface 2 excluding the peripheral portion of the semiconductor wafer 1, a plurality of bumps 3 are arranged and mounted, and then a plurality of bumps 3 are formed by reflow treatment. .

次いで、半導体ウェーハ１の複数のバンプ３を備えた表面２、すなわちバンプ面の周縁部を半導体ウェーハ用チャックテーブルの吸着搭載板２０の周縁部に隙間なく支持させるとともに、複数のバンプ３を吸着搭載板２０の収容凹部２１に収容し、真空ポンプ１３を駆動して収容凹部２１のエアを排気することで半導体ウェーハ１の表面２を真空吸着する（図１、２、５参照）。   Next, the front surface 2 including a plurality of bumps 3 of the semiconductor wafer 1, that is, the peripheral portion of the bump surface is supported on the peripheral portion of the suction mounting plate 20 of the chuck table for the semiconductor wafer without gaps, and the plurality of bumps 3 are mounted by suction. It accommodates in the accommodation recessed part 21 of the board 20, and the vacuum pump 13 is driven, and the surface 2 of the semiconductor wafer 1 is vacuum-sucked by exhausting the air of the accommodation recessed part 21 (refer FIG.1, 2,5).

この際、半導体ウェーハ１の複数のバンプ３と収容凹部２１の底面との隙間に、バンプ３の高さに応じてスペーサ３０を予め挿入することが好ましい。スペーサ３０は、通気性を有し、排気の障害になることがないので、半導体ウェーハ用チャックテーブルに半導体ウェーハ１を確実に固定することができる。   At this time, it is preferable to insert a spacer 30 in advance in the gap between the plurality of bumps 3 of the semiconductor wafer 1 and the bottom surface of the housing recess 21 according to the height of the bumps 3. Since the spacer 30 has air permeability and does not become an obstacle to exhaust, the semiconductor wafer 1 can be securely fixed to the chuck table for semiconductor wafer.

半導体ウェーハ用チャックテーブルの吸着搭載板２０に半導体ウェーハ１を搭載支持させたら、保持フレーム４１のフレーム部４２から粘着層４３を切り離して半導体ウェーハ１の端部から徐々に剥離（図６参照）し、半導体ウェーハ１の露出したバックグラインド面にダイシングフレーム４４のダイシングテープ４５をマウンターを介して粘着する（図７参照）。そして、半導体ウェーハ用チャックテーブルの真空吸着を解除して半導体ウェーハ１を取り外し、ダイシングフレーム４４を表裏逆にすれば、半導体ウェーハ１をダイシング工程に供することができる（図８参照）。   When the semiconductor wafer 1 is mounted and supported on the suction mounting plate 20 of the chuck table for the semiconductor wafer, the adhesive layer 43 is separated from the frame portion 42 of the holding frame 41 and gradually peeled from the end portion of the semiconductor wafer 1 (see FIG. 6). Then, the dicing tape 45 of the dicing frame 44 is adhered to the exposed back grind surface of the semiconductor wafer 1 through a mounter (see FIG. 7). The semiconductor wafer 1 can be subjected to a dicing process by releasing the vacuum suction of the semiconductor wafer chuck table, removing the semiconductor wafer 1 and turning the dicing frame 44 upside down (see FIG. 8).

上記構成によれば、吸着搭載板２０の収容凹部２１内に半導体ウェーハ１のバンプ３を収容保護して真空吸着するので、半導体ウェーハ１のバンプ面にバンプ対応の粘着テープ５０を粘着する必要が全くない。したがって、粘着テープ５０の粘着作業や剥離作業が不要になる他、粘着テープ５０が廃棄物になり、廃棄物の処理に手間や時間等がかかる問題を確実に解消することができる。さらに、半導体ウェーハ１のバンプ面に粘着テープ５０の粘着剤が残留することもないので、粘着剤の除去作業を省略し、製品の歩留まりを向上させることができる。   According to the above configuration, the bump 3 of the semiconductor wafer 1 is housed and protected in the housing recess 21 of the suction mounting plate 20 and is vacuum-sucked. Therefore, it is necessary to adhere the bump-compatible adhesive tape 50 to the bump surface of the semiconductor wafer 1. Not at all. Therefore, the adhesive tape 50 need not be adhered or peeled off, and the adhesive tape 50 becomes waste, so that it is possible to reliably solve the problem that it takes time and labor to process the waste. Furthermore, since the adhesive of the adhesive tape 50 does not remain on the bump surface of the semiconductor wafer 1, the adhesive removal operation can be omitted, and the yield of products can be improved.

次に、図９は本発明の第２の実施形態を示すもので、この場合には、多孔質の吸着搭載板２０に収容凹部２１を形成するのではなく、平坦な吸着搭載板２０の対向面周縁部に、半導体ウェーハ１のバンプ面の周縁部を支持する多孔質リング４６を着脱自在に配置し、半導体ウェーハ１の複数のバンプ３と吸着搭載板２０の対向面との隙間に、多孔質のスペーサ３０を介在するようにしている。   Next, FIG. 9 shows a second embodiment of the present invention. In this case, the housing 21 is not formed in the porous suction mounting plate 20 but opposed to the flat suction mounting plate 20. A porous ring 46 that supports the peripheral portion of the bump surface of the semiconductor wafer 1 is detachably disposed on the peripheral surface of the surface of the semiconductor wafer 1, and a porous surface is formed in the gap between the plurality of bumps 3 of the semiconductor wafer 1 and the opposing surface of the suction mounting plate 20. A quality spacer 30 is interposed.

多孔質リング４６は、例えば多孔質セラミック等の材料を使用してリング形に形成され、バンプ３の高さよりも高く形成されており、全バンプ３を包囲した状態で、真空ポンプ１３の駆動に基づき半導体ウェーハ１を真空吸着するよう機能する。   The porous ring 46 is formed in a ring shape using a material such as porous ceramic, for example, and is formed higher than the height of the bump 3. The porous ring 46 surrounds all the bumps 3 and drives the vacuum pump 13. The semiconductor wafer 1 functions based on vacuum suction.

上記構成において、半導体ウェーハ１の表面２に複数のバンプ３を形成したら、半導体ウェーハ１の複数のバンプ３を備えたバンプ面の周縁部を半導体ウェーハ用チャックテーブルの吸着搭載板２０に多孔質リング４６を介し隙間なく支持させ、バンプ３と吸着搭載板２０の対向面間に隙間を確保した後、真空ポンプ１３を駆動して排気することで半導体ウェーハ１の表面２を真空吸着することができる。この際、半導体ウェーハ１の複数のバンプ３と吸着搭載板２０との隙間には、バンプ３の高さに応じてスペーサ３０を事前に挿入すると良い。その他の部分については、上記実施形態と略同様であるので説明を省略する。   In the above configuration, when a plurality of bumps 3 are formed on the surface 2 of the semiconductor wafer 1, the peripheral portion of the bump surface including the plurality of bumps 3 of the semiconductor wafer 1 is attached to the suction mounting plate 20 of the chuck table for the semiconductor wafer. 46, the surface 2 of the semiconductor wafer 1 can be vacuum-sucked by driving the vacuum pump 13 and exhausting it after securing the gap between the opposing surfaces of the bump 3 and the suction mounting plate 20. . At this time, a spacer 30 may be inserted in advance between the plurality of bumps 3 of the semiconductor wafer 1 and the suction mounting plate 20 in accordance with the height of the bumps 3. The other parts are substantially the same as those in the above embodiment, and thus description thereof is omitted.

本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、吸着搭載板２０に収容凹部２１を切削加工等する必要性がないので、既存設備の流用が大いに期待できるのは明らかである。   In this embodiment, the same effect as the above-described embodiment can be expected, and since there is no need to cut the housing recess 21 in the suction mounting plate 20, it is clear that diversion of the existing equipment can be greatly expected. is there.

なお、上記実施形態ではテーブル本体１０を平面円形に形成したが、平面楕円形、矩形、多角形等に形成しても良い。また、テーブル本体１０の底部ではなく、周面に排気孔１１を穿孔しても良い。また、吸着搭載板２０は、半導体ウェーハ１と少なくとも同幅であれば良く、半導体ウェーハ１の大きさ以上の大きさの拡径でも良い。さらに、多孔質リング４６は、完全なリング形でなくても良い。   In the above embodiment, the table main body 10 is formed in a flat circular shape, but may be formed in a flat elliptical shape, a rectangular shape, a polygonal shape, or the like. Further, the exhaust hole 11 may be formed in the peripheral surface instead of the bottom of the table body 10. The suction mounting plate 20 may be at least as wide as the semiconductor wafer 1, and may have an enlarged diameter larger than the size of the semiconductor wafer 1. Further, the porous ring 46 does not have to be a complete ring shape.

１ 半導体ウェーハ
２ 表面（バンプ面）
３ バンプ
１０ テーブル本体
１３ 真空ポンプ
２０ 吸着搭載板
２１ 収容凹部
３０ スペーサ
４１ 保持フレーム
４２ フレーム部
４３ 粘着層
４４ ダイシングフレーム
４５ ダイシングテープ
４６ 多孔質リング（多孔質枠）
５０ 粘着テープ 1 Semiconductor wafer 2 Surface (bump surface)
3 Bump 10 Table body 13 Vacuum pump 20 Adsorption mounting plate 21 Housing recess 30 Spacer 41 Holding frame 42 Frame portion 43 Adhesive layer 44 Dicing frame 45 Dicing tape 46 Porous ring (porous frame)
50 Adhesive tape

Claims (4)

複数のバンプを備えた半導体ウェーハのバンプ面を負圧作用により吸着保持する半導体ウェーハ用チャックテーブルであって、
半導体ウェーハと少なくとも同幅でそのバンプ面に対向する多孔質の吸着搭載板を備え、この吸着搭載板の対向面に、半導体ウェーハの複数のバンプを収容する収容凹部を形成し、半導体ウェーハの複数のバンプと収容凹部との隙間に、多孔質のスペーサを介在したことを特徴とする半導体ウェーハ用チャックテーブル。 A chuck table for a semiconductor wafer that holds and holds a bump surface of a semiconductor wafer having a plurality of bumps by negative pressure action,
A porous adsorption mounting plate having at least the same width as the semiconductor wafer and facing the bump surface is provided, and an accommodation recess for accommodating a plurality of bumps of the semiconductor wafer is formed on the opposite surface of the adsorption mounting plate. A chuck table for a semiconductor wafer, wherein a porous spacer is interposed in a gap between the bump and the receiving recess. 複数のバンプを備えた半導体ウェーハのバンプ面を負圧作用により吸着保持する半導体ウェーハ用チャックテーブルであって、
半導体ウェーハと少なくとも同幅でそのバンプ面に対向する多孔質の吸着搭載板を備え、この吸着搭載板の対向面周縁部に、半導体ウェーハのバンプ面の周縁部を支持する多孔質枠を着脱自在に取り付け、半導体ウェーハの複数のバンプと吸着搭載板の対向面との隙間に、多孔質のスペーサを介在したことを特徴とする半導体ウェーハ用チャックテーブル。 A chuck table for a semiconductor wafer that holds and holds a bump surface of a semiconductor wafer having a plurality of bumps by negative pressure action,
A porous adsorption mounting plate that is at least the same width as the semiconductor wafer and faces the bump surface is provided, and a porous frame that supports the peripheral portion of the bump surface of the semiconductor wafer is detachable at the peripheral surface of the adsorption mounting plate. A chuck table for a semiconductor wafer, wherein a porous spacer is interposed in a gap between a plurality of bumps of the semiconductor wafer and the opposing surface of the suction mounting plate. 保持フレームの粘着層に粘着された半導体ウェーハに複数のバンプを形成し、この半導体ウェーハの複数のバンプを備えたバンプ面を請求項１記載の半導体ウェーハ用チャックテーブルの吸着搭載板に支持させ、保持フレームの粘着層を半導体ウェーハから剥離し、その後、半導体ウェーハの露出面にダイシングフレームのダイシングテープを粘着することを特徴とする半導体ウェーハの加工方法。   A plurality of bumps are formed on the semiconductor wafer adhered to the adhesive layer of the holding frame, and a bump surface including the plurality of bumps of the semiconductor wafer is supported on the suction mounting plate of the chuck table for a semiconductor wafer according to claim 1, A method for processing a semiconductor wafer, comprising: peeling the adhesive layer of the holding frame from the semiconductor wafer, and then sticking the dicing tape of the dicing frame to the exposed surface of the semiconductor wafer. 保持フレームの粘着層に粘着された半導体ウェーハに複数のバンプを形成し、この半導体ウェーハの複数のバンプを備えたバンプ面を請求項２記載の半導体ウェーハ用チャックテーブルの吸着搭載板に多孔質枠を介して支持させ、保持フレームの粘着層を半導体ウェーハから剥離し、その後、半導体ウェーハの露出面にダイシングフレームのダイシングテープを粘着することを特徴とする半導体ウェーハの加工方法。   3. A plurality of bumps are formed on a semiconductor wafer adhered to an adhesive layer of a holding frame, and a bump surface of the semiconductor wafer having a plurality of bumps is formed on a suction mounting plate of a chuck table for a semiconductor wafer according to claim 2. The method for processing a semiconductor wafer is characterized in that the adhesive layer of the holding frame is peeled from the semiconductor wafer, and then the dicing tape of the dicing frame is adhered to the exposed surface of the semiconductor wafer.
JP2009219951A 2009-09-25 2009-09-25 Chuck table for semiconductor wafer and method for processing semiconductor wafer Expired - Fee Related JP5361634B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009219951A JP5361634B2 (en) 2009-09-25 2009-09-25 Chuck table for semiconductor wafer and method for processing semiconductor wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009219951A JP5361634B2 (en) 2009-09-25 2009-09-25 Chuck table for semiconductor wafer and method for processing semiconductor wafer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011067888A true JP2011067888A (en) 2011-04-07
JP5361634B2 JP5361634B2 (en) 2013-12-04

Family

ID=44013696

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009219951A Expired - Fee Related JP5361634B2 (en) 2009-09-25 2009-09-25 Chuck table for semiconductor wafer and method for processing semiconductor wafer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5361634B2 (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130018236A (en) * 2010-02-09 2013-02-20 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 Thin wafer carrier
US8580655B2 (en) * 2012-03-02 2013-11-12 Disco Corporation Processing method for bump-included device wafer
CN105619240A (en) * 2016-01-21 2016-06-01 苏州新美光纳米科技有限公司 Chip vacuum adsorption template and method
JP2017050461A (en) * 2015-09-03 2017-03-09 株式会社ディスコ Chuck table
CN106920769A (en) * 2015-12-24 2017-07-04 瑞萨电子株式会社 Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor wafer
KR20190093861A (en) * 2018-02-02 2019-08-12 제너셈(주) Inspection table of semiconductor package
KR20190135857A (en) * 2018-05-29 2019-12-09 (주)포인트엔지니어링 Micro led adsorption body

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63132434U (en) * 1987-02-20 1988-08-30
JPH05285761A (en) * 1992-04-10 1993-11-02 Nippon Steel Corp Vacuum chuck
JPH0936599A (en) * 1995-07-17 1997-02-07 Hitachi Ltd Board holding method and device
JP2001246727A (en) * 2000-03-06 2001-09-11 Noritake Co Ltd Thick film printing method and ceramic substrate suction apparatus
JP2002170857A (en) * 2000-11-30 2002-06-14 Fujitsu Ltd Package board and flip chip device
JP2007036101A (en) * 2005-07-29 2007-02-08 Dainippon Printing Co Ltd Work stage of exposure machine and exposure method
JP2012524984A (en) * 2009-04-22 2012-10-18 エーファウ・グループ・ゲーエムベーハー Workpiece holding fixture for holding a semiconductor substrate

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63132434U (en) * 1987-02-20 1988-08-30
JPH05285761A (en) * 1992-04-10 1993-11-02 Nippon Steel Corp Vacuum chuck
JPH0936599A (en) * 1995-07-17 1997-02-07 Hitachi Ltd Board holding method and device
JP2001246727A (en) * 2000-03-06 2001-09-11 Noritake Co Ltd Thick film printing method and ceramic substrate suction apparatus
JP2002170857A (en) * 2000-11-30 2002-06-14 Fujitsu Ltd Package board and flip chip device
JP2007036101A (en) * 2005-07-29 2007-02-08 Dainippon Printing Co Ltd Work stage of exposure machine and exposure method
JP2012524984A (en) * 2009-04-22 2012-10-18 エーファウ・グループ・ゲーエムベーハー Workpiece holding fixture for holding a semiconductor substrate

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101656376B1 (en) 2010-02-09 2016-09-09 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 Thin wafer carrier
KR20130018236A (en) * 2010-02-09 2013-02-20 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 Thin wafer carrier
TWI576906B (en) * 2012-03-02 2017-04-01 Disco Corp A method of processing a wafer with raised elements
US8580655B2 (en) * 2012-03-02 2013-11-12 Disco Corporation Processing method for bump-included device wafer
JP2017050461A (en) * 2015-09-03 2017-03-09 株式会社ディスコ Chuck table
CN106505027A (en) * 2015-09-03 2017-03-15 株式会社迪思科 Chuck table
CN106505027B (en) * 2015-09-03 2021-10-08 株式会社迪思科 Chuck working table
CN106920769A (en) * 2015-12-24 2017-07-04 瑞萨电子株式会社 Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor wafer
CN105619240A (en) * 2016-01-21 2016-06-01 苏州新美光纳米科技有限公司 Chip vacuum adsorption template and method
KR20190093861A (en) * 2018-02-02 2019-08-12 제너셈(주) Inspection table of semiconductor package
KR102093380B1 (en) * 2018-02-02 2020-03-26 제너셈(주) Inspection table of semiconductor package
KR20190135857A (en) * 2018-05-29 2019-12-09 (주)포인트엔지니어링 Micro led adsorption body
KR102457193B1 (en) * 2018-05-29 2022-10-20 (주)포인트엔지니어링 Micro led adsorption body

Also Published As

Publication number Publication date
JP5361634B2 (en) 2013-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5361634B2 (en) Chuck table for semiconductor wafer and method for processing semiconductor wafer
JP5273791B2 (en) Equipment for applying adhesive tape to substrates
CN101529577A (en) Fixed jig, chip pickup method and chip pickup apparatus
JP2016039301A (en) Adhesive tape peeling method and adhesive tape peeling device
TWI446478B (en) A workpiece handling method and a device having a workpiece transfer mechanism
WO2015056303A1 (en) Semiconductor-element manufacturing method and wafer mounting device
JP2003174077A (en) Suction holder
CN101529575A (en) Chip pickup method and chip pickup apparatus
JP2009043996A (en) Securing tool and work treatment method
JP5348976B2 (en) Wafer processing method and wafer processing apparatus for processing wafer on which bumps are formed
JP4797027B2 (en) Substrate body sticking apparatus and substrate body handling method
JP5203827B2 (en) Holding device
JP5329916B2 (en) Semiconductor wafer support
JP6366223B2 (en) Semiconductor chip pickup device
JP2010017786A (en) Holding jig
JP2004273639A (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP4229029B2 (en) Plasma processing method and component mounting method
JP4305329B2 (en) Parts transport jig
JP2005033119A (en) Method and apparatus for conveying semiconductor wafer
JP2009239194A (en) Method of processing semiconductor wafer
JP5617659B2 (en) Manufacturing method of solar cell
JP2005039114A (en) Semiconductor wafer shifting device
JP2014165301A (en) Pick-up device for semiconductor chip
JP2014107459A (en) Semiconductor chip pickup device
JP2010165740A (en) Wafer mounting method and wafer mounting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120309

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130903

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130903

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5361634

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees