JP2011066457A - 面発光半導体レーザチップおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも1つの側面5が結晶主方向7に対して斜めに配置されている。
【選択図】図1
Description
分かり易くするためにこれらのコンタクト金属化部は図1には図示されていない。
Claims (10)
- 少なくとも部分的に、結晶主方向(7)を有する結晶構造と、ビーム出射面(4)と、半導体基体(1)をラテラル方向に形成している複数の側面(5)とを有している半導体基体(1)を備えた面発光半導体レーザチップにおいて、
少なくとも1つの側面(5)が結晶主方向(7)に対して斜めに配置されている
ことを特徴とする半導体レーザチップ。 - 半導体基体(1)はビーム出射面(4)に対して平行な正方形または長方形の横断面を有している
請求項1記載の半導体レーザチップ。 - 結晶主方向(7)の少なくとも1つ、例えば〔100〕方向がビーム出射面(4)に対して平行に延在しており、かつ
側面(5)の少なくとも1つが前記結晶主方向に対して40°と50°との間の角度、有利には45°の角度をなしている
請求項1または2記載の半導体レーザチップ。 - 半導体レーザチップは、少なくとも部分的に結晶構造を有している基板(2)を含んでいる
請求項1から3までのいずれか1項記載の半導体レーザチップ。 - 半導体基体はIII−V化合物半導体、例えばGaAsまたはAlGaAs、および/または窒化物−化合物半導体を含んでいる
請求項1から4までのいずれか1項記載の半導体レーザチップ。 - 半導体レーザチップはVCSELである
請求項1から5までのいずれか1項記載の半導体レーザチップ。 - 複数の面発光半導体構造を有する半導体ウェハが製造され、ここで半導体ウェハが結晶主方向を有しておりかつ半導体ウェハが分離ラインに沿って複数の半導体レーザチップに分割されるそういう形式の面発光半導体レーザチップの製造方法において、
前記分離ラインは結晶主方向(7)に対して斜めに配置されている
ことを特徴とする方法。 - 半導体ウェハを分離ラインに沿って分割する際にソーイングまたはエッチングする
請求項7記載の方法。 - 分離ラインが結晶主方向に対して40°と50°との間の角度、有利には45°の角度をなしている
請求項7または8記載の半導体レーザチップ。 - 半導体レーザチップはVCSELである
請求項7から9までのいずれか1項記載の半導体レーザチップ。
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