JP2011064849A - Electrooptical apparatus and electric equipment - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関するものである。 The present invention relates to an electro-optical device and an electronic apparatus.
各種の液晶装置のうち、反射型の液晶装置は、画素トランジスター及び反射性画素電極が複数設けられた第１基板と、この第１基板に対向する透光性の第２基板と、第１基板と第２基板との間に保持された液晶層とを有している。かかる液晶装置においては、第２基板側から入射した光が反射性画素電極で反射して第２基板の側から射出される間に液晶層によって光変調される。したがって、第２基板側から入射した光のうち、反射性画素電極の間に入射した光は変調光の射出に寄与しないことになる。 Among various liquid crystal devices, a reflective liquid crystal device includes a first substrate provided with a plurality of pixel transistors and reflective pixel electrodes, a translucent second substrate facing the first substrate, and a first substrate. And a liquid crystal layer held between the second substrate and the second substrate. In such a liquid crystal device, light incident from the second substrate side is light-modulated by the liquid crystal layer while being reflected by the reflective pixel electrode and emitted from the second substrate side. Therefore, of the light incident from the second substrate side, the light incident between the reflective pixel electrodes does not contribute to the emission of the modulated light.
液晶層に高分子分散液晶を用いた反射型の液晶装置において、反射性画素電極の間に光吸収膜を設けることにより、反射性画素電極の間に入射した光が画素トランジスターに入射することを防止する構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 In a reflective liquid crystal device using a polymer-dispersed liquid crystal in a liquid crystal layer, a light absorbing film is provided between the reflective pixel electrodes so that light incident between the reflective pixel electrodes is incident on the pixel transistor. The structure which prevents is proposed (for example, refer patent document 1).
一方、プロジェクターのライトバルブとして用いられる液晶装置などの電気光学装置では、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスター）アクティブマトリクス駆動方式と呼ばれる駆動方式が採用されている。ＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置は、基板上にマトリクス状に配置された複数の画素領域が設けられており、各画素領域に対応した画素電極にはＴＦＴ素子（スイッチング素子）が電気的に接続された構成になっている。このＴＦＴ素子は液晶装置の画素間領域に設けられており、同じく画素間領域に設けられた信号線と走査線と介して電気信号が供給される構成になっている。 On the other hand, in an electro-optical device such as a liquid crystal device used as a light valve of a projector, a driving method called a TFT (Thin Film Transistor) active matrix driving method is adopted. A TFT active matrix driving type liquid crystal device has a plurality of pixel areas arranged in a matrix on a substrate, and a TFT element (switching element) is electrically connected to a pixel electrode corresponding to each pixel area. It has been configured. The TFT element is provided in an inter-pixel region of the liquid crystal device, and is configured to be supplied with an electric signal through a signal line and a scanning line that are also provided in the inter-pixel region.
画素領域から射出される光の光量はできるだけ多く、すなわち明るいことが望ましく、高光利用効率の実現が要求されている。例えば、画素間に拡散反射性の膜を設けることで、反射表示の際に、液晶表示装置に観察者側から入射した光は、拡散反射性の膜によっても拡散的に反射されるので、反射表示を明るくすることができる構成、さらに、拡散反射性の膜が遮光性を兼備することで、例えばバックライトを用いた透過表示による黒表示の際に、画素間からの光漏れが抑制され、メリハリのある高コントラストの表示を得ることができる構成が提案されている（例えば、特許文献２参照）。 It is desirable that the amount of light emitted from the pixel region is as large as possible, that is, bright, and high light utilization efficiency is required. For example, by providing a diffuse reflective film between pixels, the light incident from the viewer side on the liquid crystal display device during reflective display is also reflected diffusely by the diffuse reflective film. The configuration that can brighten the display, and the diffuse reflective film also has a light shielding property, for example, in the case of black display by transmissive display using a backlight, light leakage from between the pixels is suppressed, A configuration capable of obtaining a sharp and high-contrast display has been proposed (see, for example, Patent Document 2).
液晶装置では、明るい画像を表示するなどの目的で変調光の射出光量を高めることが要求されているが、特許文献１に記載の構成では、反射性画素電極の間に入射した光が光吸収膜によって吸収されるため、上記の要求に対応することができない。 In a liquid crystal device, it is required to increase the amount of emitted modulated light for the purpose of displaying a bright image. However, in the configuration described in Patent Document 1, light incident between reflective pixel electrodes absorbs light. Since it is absorbed by the membrane, it cannot meet the above requirements.
また、表示品質を良好にするなどの目的でセルギャップを一様にすることが要求されているが、特許文献１，２に記載の構成では、セルギャップ制御ができないため、上記の要求に対応することができない。 In addition, the cell gap is required to be uniform for the purpose of improving the display quality. However, in the configurations described in Patent Documents 1 and 2, since the cell gap cannot be controlled, the above requirement is met. Can not do it.
そこで、本発明の課題は、反射性画素電極の間に入射した光についても画像の表示に寄与させることで明るくするとともに、セルギャップが一様なため表示品位の良好な電気光学装置及び電子機器を提供することを目的としている。 Accordingly, an object of the present invention is to make the light incident between the reflective pixel electrodes brighter by contributing to the display of an image, and the electrogap apparatus and the electronic apparatus having a good display quality because the cell gap is uniform. The purpose is to provide.
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
［適用例１］一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された電気光学層と、を有し、一方の前記基板に、トランジスターと、前記トランジスターに対応して設けられた反射電極と、隣り合う前記反射電極間に、前記一対の基板間のギャップを規定し、誘電体多層膜からなるスペーサーと、を備えることを特徴とする電気光学装置。 Application Example 1 having a pair of substrates and an electro-optic layer sandwiched between the pair of substrates, a transistor on one of the substrates, and a reflective electrode provided corresponding to the transistor; An electro-optical device comprising: a spacer that defines a gap between the pair of substrates and is formed of a dielectric multilayer film between the adjacent reflective electrodes.
これによれば、本発明に係る電気光学装置は、反射型電気光学装置であり、他方の基板側から入射した光は反射電極で反射して他方の基板の側から射出される間に電気光学層によって光変調される。したがって、他方の基板側から入射した光のうち、互いに隣り合う反射電極によって挟まれた領域、すなわち、反射電極の間に入射した光は反射電極で反射されないことになる。しかるに本発明に係る電気光学装置では、反射電極によって挟まれた隙間内に誘電体多層膜からなるスペーサーが設けられているため、反射電極の間に入射した光は、スペーサーによって反射されて他方の基板側から射出される。それ故、反射電極の間に入射した光についても画像の表示に寄与させることができるので、明るい画像を表示することができる。また、画素トランジスターは、通常、反射電極の下層側に設けられているが、反射電極の間に入射した光は、スペーサーによって反射され、画素トランジスターに到達しないため、画素トランジスターでは光電流に起因する誤動作や、光劣化が発生しない。これにより、画素トランジスターの光電流に起因する誤動作や、光劣化を抑えたまま（表示品位を保ったまま）、明るい画像を表示することができる。また、スペーサーをスペーサーとして利用することで、セルギャップの均一化が図られ面内の色むら等による表示品位の悪化を制御することができる。したがって、反射型電気光学装置において、画素間を抜けてパネル内に入射する光を抑制し、反射させることで明るく、またセルギャップが一様なため表示品位の良好なパネル構造の電気光学装置を提供することができる。 According to this, the electro-optical device according to the present invention is a reflection-type electro-optical device, and light incident from the other substrate side is reflected by the reflective electrode and emitted from the other substrate side. Light modulated by the layer. Therefore, out of the light incident from the other substrate side, the light incident between the reflective electrodes adjacent to each other, that is, the light incident between the reflective electrodes is not reflected by the reflective electrode. However, in the electro-optical device according to the present invention, since the spacer made of the dielectric multilayer film is provided in the gap between the reflective electrodes, the light incident between the reflective electrodes is reflected by the spacer and is reflected on the other side. Injected from the substrate side. Therefore, the light incident between the reflective electrodes can also contribute to the display of the image, so that a bright image can be displayed. In addition, the pixel transistor is usually provided on the lower layer side of the reflective electrode. However, light incident between the reflective electrodes is reflected by the spacer and does not reach the pixel transistor, so that the pixel transistor is caused by photocurrent. No malfunction or light degradation occurs. As a result, a bright image can be displayed while suppressing malfunction caused by the photocurrent of the pixel transistor and light deterioration (while maintaining display quality). Further, by using the spacer as the spacer, the cell gap can be made uniform, and the display quality deterioration due to in-plane color unevenness can be controlled. Therefore, in a reflection type electro-optical device, an electro-optical device having a panel structure with a good display quality because it is bright by suppressing and reflecting light passing through pixels and entering the panel, and has a uniform cell gap. Can be provided.
［適用例２］上記電気光学装置であって、前記スペーサーの側面は、斜面を有することを特徴とする電気光学装置。 Application Example 2 In the above electro-optical device, the side surface of the spacer has an inclined surface.
これによれば、スペーサーの側面を斜面とすることで、画素間の光が反射され、擬似的に有効反射画素エリア（透過型で言う開口率）が１００％となり、光を有効に利用できる。 According to this, by making the side surface of the spacer an inclined surface, the light between the pixels is reflected, and the pseudo effective reflection pixel area (the aperture ratio in the transmission type) becomes 100%, so that the light can be used effectively.
［適用例３］上記電気光学装置であって、前記スペーサーは、平面視で格子状に形成されていることを特徴とする電気光学装置。 Application Example 3 In the above electro-optical device, the spacer is formed in a lattice shape in plan view.
これによれば、スペーサーは、格子状のパターンとし高さを揃えることで、電気光学層を挟持しているセルギャップが均一となるため表示品位が良好にすることができる。また、スペーサーが絶縁性であるため、反射電極間にスペーサーを設けた場合でも、反射電極を短絡させるおそれがない。 According to this, since the cell gaps sandwiching the electro-optic layer are made uniform by arranging the spacers in a lattice-like pattern, the display quality can be improved. Further, since the spacer is insulative, there is no possibility that the reflective electrode is short-circuited even when the spacer is provided between the reflective electrodes.
［適用例４］上記電気光学装置であって、前記スペーサーは、所定の波長の光を反射させることを特徴とする電気光学装置。 Application Example 4 In the electro-optical device, the spacer reflects light having a predetermined wavelength.
これによれば、電気光学装置に形成されるスペーサーの構成を、電気光学装置に供給される光の波長に応じて有効に利用できる。 According to this, the configuration of the spacer formed in the electro-optical device can be effectively used according to the wavelength of light supplied to the electro-optical device.
［適用例５］上記電気光学装置であって、前記電気光学装置に供給される色光に対応する波長域における前記スペーサーの反射率は、該色光に対応する波長域とは異なる波長における前記スペーサーの反射率よりも高いことを特徴とする電気光学装置。 Application Example 5 In the electro-optical device, the spacer has a reflectance in a wavelength region corresponding to the color light supplied to the electro-optical device, which is different from the wavelength region corresponding to the color light. An electro-optical device characterized by being higher in reflectance.
これによれば、電気光学装置に形成されるスペーサーの構成を、電気光学装置に供給される光の波長に応じて最適化することができる。 According to this, the configuration of the spacer formed in the electro-optical device can be optimized according to the wavelength of light supplied to the electro-optical device.
［適用例６］上記電気光学装置であって、平面視で、前記スペーサーの上部表面と重なる領域に、光吸収層が形成されていることを特徴とする電気光学装置。 Application Example 6 The electro-optical device according to the above-described electro-optical device, wherein a light absorption layer is formed in a region overlapping the upper surface of the spacer in plan view.
これによれば、平面視で、スペーサーの上部表面と重なる領域に、光吸収層を形成することにより、散乱時、液晶層で乱反射する光を吸収することができ、表示パネルのコントラストを向上することができる。また、トランジスターの光電流に起因する誤動作や、光劣化を抑えたまま（表示品位を保ったまま）、よりコントラストが高い画像を表示することができる。 According to this, by forming a light absorption layer in a region overlapping with the upper surface of the spacer in plan view, light diffusely reflected by the liquid crystal layer at the time of scattering can be absorbed, and the contrast of the display panel is improved. be able to. In addition, it is possible to display an image with higher contrast while suppressing malfunction (deterioration due to the photocurrent of the transistor) and light deterioration (while maintaining display quality).
［適用例７］上記のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。 Application Example 7 An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to any one of the above.
これによれば、上記のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることにより、明るい画像を表示し、表示品位の良好な電子機器を提供することができる。 According to this, by providing the electro-optical device according to any one of the above, it is possible to provide an electronic apparatus that displays a bright image and has a good display quality.
［適用例８］上記電子機器であって、前記複数の電気光学装置のうち第１の電気光学装置に第１の色光を供給し、前記複数の電気光学装置のうち第２の電気光学装置に第１の色光とは異なる色の第２の色光を供給する光源部と、前記複数の電気光学装置によって光変調された光を合成する合成手段と、前記合成手段によって合成された光を投射する投射光学系と、を備えていることを特徴とする電子機器。 Application Example 8 In the electronic apparatus, the first color light is supplied to the first electro-optical device among the plurality of electro-optical devices, and the second electro-optical device among the plurality of electro-optical devices is supplied. A light source unit that supplies second color light having a color different from the first color light, a combining unit that combines light modulated by the plurality of electro-optical devices, and light combined by the combining unit are projected. An electronic apparatus comprising: a projection optical system.
これによれば、「第１の電気光学装置」「第２の電気光学装置」とは、例えば、３つの電気光学装置が用いられる場合、３つの電気光学装置のうちの任意の１つの電気光学装置が「第１の電気光学装置」に相当し、残り２つの電気光学装置の一方あるいは双方が「第２の電気光学装置」に相当する。投射型表示装置（電子機器）において、前記第１の電気光学装置に設けられたスペーサーの反射率の波長依存性は、第２の電気光学装置に設けられたスペーサーの反射率の波長依存性とは異なる構成を採用することができる。かかる構成を採用すれば、電気光学装置に形成されるスペーサーの構成を、電気光学装置に供給される光の波長に応じて最適化することができるので、電気光学装置に供給される色光に対する反射率が高いスペーサーを構成することができる。 According to this, “first electro-optical device” and “second electro-optical device” are, for example, when three electro-optical devices are used, any one of the three electro-optical devices. The apparatus corresponds to a “first electro-optical device”, and one or both of the remaining two electro-optical devices correspond to a “second electro-optical device”. In the projection display device (electronic device), the wavelength dependency of the reflectance of the spacer provided in the first electro-optical device is the wavelength dependency of the reflectance of the spacer provided in the second electro-optical device. Can adopt different configurations. By adopting such a configuration, the configuration of the spacer formed in the electro-optical device can be optimized according to the wavelength of the light supplied to the electro-optical device, so that the reflection of the color light supplied to the electro-optical device is reflected. A spacer with a high rate can be constructed.
［適用例９］上記電子機器であって、前記第１の電気光学装置に設けられた前記スペーサーの反射率の波長依存性は、前記第２の電気光学装置に設けられた前記スペーサーの反射率の波長依存性とは異なることを特徴とする電子機器。 Application Example 9 In the electronic apparatus, the wavelength dependency of the reflectance of the spacer provided in the first electro-optical device is determined by the reflectance of the spacer provided in the second electro-optical device. Electronic device characterized by being different from wavelength dependency of
これによれば、電気光学装置に形成されるスペーサーの構成を、電気光学装置に供給される光の波長に応じて最適化することができるので、電気光学装置に供給される色光に対する反射率が高いスペーサーを構成することができる。 According to this, since the configuration of the spacer formed in the electro-optical device can be optimized according to the wavelength of the light supplied to the electro-optical device, the reflectance with respect to the color light supplied to the electro-optical device is increased. High spacers can be constructed.
図面を参照して、本実施形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。 The present embodiment will be described with reference to the drawings. In the drawings to be referred to in the following description, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member have a size that can be recognized on the drawing.
（第１の実施形態）
［投射型表示装置の構成］
（全体構成）
図１は、本実施形態に係る投射型表示装置（電子機器）の光学系の構成を示す説明図である。図１に示す投射型表示装置２において、光源部１０は、システム光軸Ｌに沿って光源１２、インテグレーターレンズ１４、及び偏光変換素子１６が配置された偏光照明装置１８を有している。また、光源部１０は、システム光軸Ｌに沿って、偏光照明装置１８から射出されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面２０により反射させる偏光ビームスプリッター２２と、偏光ビームスプリッター２２のＳ偏光光束反射面２０から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー２４と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー２６と、を有している。
(First embodiment)
[Configuration of Projection Display Device]
(overall structure)
FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating a configuration of an optical system of a projection display device (electronic apparatus) according to the present embodiment. In the projection display device 2 shown in FIG. 1, the light source unit 10 includes a polarization illumination device 18 in which a light source 12, an integrator lens 14, and a polarization conversion element 16 are arranged along the system optical axis L. The light source unit 10 includes a polarization beam splitter 22 that reflects the S-polarized light beam emitted from the polarization illumination device 18 along the system optical axis L by the S-polarized light beam reflection surface 20, and the S-polarized light beam of the polarization beam splitter 22. Of the light reflected from the reflection surface 20, the dichroic mirror 24 that separates the blue light (B) component and the red light (R) component of the light flux after the blue light is separated are separated. And a dichroic mirror 26.
また、投射型表示装置２は、各色光が入射する３つの液晶装置４（液晶装置４Ｒ，液晶装置４Ｇ，液晶装置４Ｂ）を備えており、光源部１０は、３つの液晶装置４（液晶装置４Ｒ，液晶装置４Ｇ，液晶装置４Ｂ）に所定の色光を供給する。 The projection display device 2 includes three liquid crystal devices 4 (liquid crystal device 4R, liquid crystal device 4G, and liquid crystal device 4B) on which each color light enters, and the light source unit 10 includes three liquid crystal devices 4 (liquid crystal devices). 4R, the liquid crystal device 4G, and the liquid crystal device 4B) are supplied with predetermined color light.
かかる投射型表示装置２においては、液晶装置４Ｒ，液晶装置４Ｇ，液晶装置４Ｂにて変調された光を、ダイクロイックミラー２４、ダイクロイックミラー２６、及び偏光ビームスプリッター２２を含む合成手段によって合成した後、この合成光を投射光学系２８によってスクリーン３０などの被投射部材に投射する。 In the projection display device 2, after the light modulated by the liquid crystal device 4 R, the liquid crystal device 4 G, and the liquid crystal device 4 B is synthesized by the synthesis means including the dichroic mirror 24, the dichroic mirror 26, and the polarization beam splitter 22, The synthesized light is projected onto a projection member such as a screen 30 by the projection optical system 28.
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を射出するＬＥＤ光源などを用い、かかるＬＥＤ光源から射出された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。 Note that the projection display device may be configured such that an LED light source that emits light of each color is used as the light source unit, and the color light emitted from the LED light source is supplied to another liquid crystal device. .
いずれの場合も、３つの液晶装置４（液晶装置４Ｒ，液晶装置４Ｇ，液晶装置４Ｂ）では、入射する光の波長域が限定されている。 In any case, the wavelength range of incident light is limited in the three liquid crystal devices 4 (liquid crystal device 4R, liquid crystal device 4G, and liquid crystal device 4B).
（液晶装置の構成）
図２は、図１に示す投射型表示装置に用いられる液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図３（Ａ）及び（Ｂ）は各々、図１に示す投射型表示装置に用いられる液晶装置の液晶パネルを各構成要素と共に対向する基板の側から見た平面図、及びそのＩＩＩ−ＩＩＩ’線に相当する位置で液晶パネルを切断したときの断面図である。
(Configuration of liquid crystal device)
FIG. 2 is a block diagram showing an electrical configuration of a liquid crystal device used in the projection display device shown in FIG. FIGS. 3A and 3B are plan views of the liquid crystal panel of the liquid crystal device used in the projection display device shown in FIG. 1 as viewed from the side of the opposing substrate together with the respective components, and III-III ′ thereof. It is sectional drawing when a liquid crystal panel is cut | disconnected in the position corresponded to a line.
図２に示すように、液晶装置４は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードあるいはＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル４ｐを有しており、液晶パネル４ｐは、その中央領域に複数の画素４ａがマトリクス状に配列された画素領域３２ｂを備えている。かかる液晶パネル４ｐにおいて、後述する一方の基板としての第１基板３２には、画素領域３２ｂの内側で複数本のデータ線３４ａ及び複数本の走査線３６ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素４ａが構成されている。複数の画素４ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３８、及び後述する反射電極としての反射性画素電極４０ａが形成されている。画素トランジスター３８のソースにはデータ線３４ａが電気的に接続され、画素トランジスター３８のゲートには走査線３６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３８のドレインには、反射性画素電極４０ａが電気的に接続されている。 As shown in FIG. 2, the liquid crystal device 4 includes a liquid crystal panel 4p in a TN (Twisted Nematic) mode or a VA (Vertical Alignment) mode, and the liquid crystal panel 4p has a plurality of pixels 4a in a matrix area in a matrix. The pixel regions 32b are arranged in a shape. In the liquid crystal panel 4p, a plurality of data lines 34a and a plurality of scanning lines 36a extend vertically and horizontally inside a pixel region 32b on a first substrate 32 as one substrate described later, and at the intersection of them. Pixels 4a are configured at corresponding positions. In each of the plurality of pixels 4a, a pixel transistor 38 made of a field effect transistor and a reflective pixel electrode 40a as a reflective electrode described later are formed. The data line 34 a is electrically connected to the source of the pixel transistor 38, the scanning line 36 a is electrically connected to the gate of the pixel transistor 38, and the reflective pixel electrode 40 a is electrically connected to the drain of the pixel transistor 38. It is connected to the.
第１基板３２において、画素領域３２ｂの外側領域には走査線駆動回路４２及びデータ線駆動回路４４が構成されている。データ線駆動回路４４は各データ線３４ａの一端に電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線３４ａに順次供給する。走査線駆動回路４２は、各走査線３６ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３６ａに順次供給する。 In the first substrate 32, a scanning line driving circuit 42 and a data line driving circuit 44 are configured in the outer region of the pixel region 32b. The data line driving circuit 44 is electrically connected to one end of each data line 34a, and sequentially supplies the image signal supplied from the image processing circuit to each data line 34a. The scanning line drive circuit 42 is electrically connected to each scanning line 36a and sequentially supplies scanning signals to each scanning line 36a.
各画素４ａにおいて、反射性画素電極４０ａは、後述する第２基板５０に形成された共通電極６０と電気光学層としての液晶層４６を介して対向し、液晶容量４６ａを構成している。また、各画素４ａには、液晶容量４６ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量４６ａと並列に保持容量４８が付加されている。本実施形態では、保持容量４８を構成するために、複数の画素４ａに跨って走査線３６ａと並行して延びた容量線３６ｂが形成されている。 In each pixel 4a, the reflective pixel electrode 40a is opposed to a common electrode 60 formed on a second substrate 50, which will be described later, via a liquid crystal layer 46 as an electro-optical layer, and constitutes a liquid crystal capacitor 46a. Each pixel 4a is provided with a holding capacitor 48 in parallel with the liquid crystal capacitor 46a in order to prevent fluctuation of the image signal held in the liquid crystal capacitor 46a. In the present embodiment, in order to configure the storage capacitor 48, the capacitor line 36b extending in parallel with the scanning line 36a across the plurality of pixels 4a is formed.
図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、液晶装置４の液晶パネル４ｐでは、一対の基板としての第１基板３２と第２基板５０とが所定の隙間（ギャップ）を介してシール材５２によって貼り合わされており、シール材５２は第２基板５０の縁に沿うように配置されている。シール材５２は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本実施形態において、第１基板３２の基板本体３２ｄは透光性基板であり、第２基板５０の基板本体５０ｄも透光性基板である。なお、第１基板３２の基板本体３２ｄとしては、単結晶シリコン基板などを用いてもよい。 As shown in FIGS. 3A and 3B, in the liquid crystal panel 4p of the liquid crystal device 4, the first substrate 32 and the second substrate 50 as a pair of substrates are sealed with a predetermined gap (gap) therebetween. The sealing material 52 is disposed along the edge of the second substrate 50. The sealing material 52 is an adhesive made of a photo-curing resin, a thermosetting resin, or the like, and is mixed with a gap material such as glass fiber or glass beads for setting the distance between both substrates to a predetermined value. In the present embodiment, the substrate body 32d of the first substrate 32 is a translucent substrate, and the substrate body 50d of the second substrate 50 is also a translucent substrate. As the substrate body 32d of the first substrate 32, a single crystal silicon substrate or the like may be used.
第１基板３２において、シール材５２の外側領域では、第１基板３２の一辺に沿ってデータ線駆動回路４４及び複数の端子５４が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路４２が形成されている。また、第２基板５０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、第１基板３２と第２基板５０との間で電気的導通をとるための上下導通材５６が形成されている。 In the first substrate 32, the data line driving circuit 44 and a plurality of terminals 54 are formed along one side of the first substrate 32 in the outer region of the sealing material 52, and along the other side adjacent to this one side. A scanning line driving circuit 42 is formed. Further, at least one corner portion of the second substrate 50 is formed with a vertical conduction member 56 for electrical conduction between the first substrate 32 and the second substrate 50.
詳しくは後述するが、第１基板３２には、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系材料や、銀や銀合金などといった銀系材料からなる反射性画素電極４０ａ（反射電極）がマトリクス状に形成されている。本実施形態では、反射性画素電極４０ａには、上記の金属材料のうち、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系材料が用いられている。 As will be described in detail later, on the first substrate 32, reflective pixel electrodes 40a (reflective electrodes) made of an aluminum-based material such as aluminum or aluminum alloy, or a silver-based material such as silver or silver alloy are formed in a matrix. ing. In the present embodiment, the reflective pixel electrode 40a is made of an aluminum-based material such as aluminum or an aluminum alloy among the above metal materials.
第２基板５０には、シール材５２の内側領域に遮光性材料からなる額縁５８が形成され、その内側が画像表示領域３２ａとされている。第２基板５０には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる共通電極６０（透光性電極）が形成されている。なお、第２基板５０には反射性画素電極４０ａ間と対向する位置にブラックマトリクスあるいはブラックストライプと称せられる遮光膜（図示せず）が形成されることがある。 On the second substrate 50, a frame 58 made of a light-shielding material is formed in an inner region of the sealing material 52, and an inner side thereof is an image display region 32a. On the second substrate 50, a common electrode 60 (translucent electrode) made of an ITO (Indium Tin Oxide) film is formed. Note that a light shielding film (not shown) called a black matrix or black stripe may be formed on the second substrate 50 at a position facing the space between the reflective pixel electrodes 40a.
なお、画素領域３２ｂには、額縁５８と重なる領域にダミーの画素が構成される場合があり、この場合、画素領域３２ｂのうち、ダミー画素を除いた領域が画像表示領域３２ａとして利用されることになる。 In addition, in the pixel area 32b, a dummy pixel may be configured in an area overlapping with the frame 58. In this case, the area excluding the dummy pixel in the pixel area 32b is used as the image display area 32a. become.
かかる反射型の液晶装置４においては、矢印Ｌで示すように、第２基板５０の側から入射した光が反射性画素電極４０ａで反射して再び、第２基板５０の側から射出される間に液晶層４６によって画素毎に光変調される結果、画像が表示される。第２基板５０の光入射側の面には、使用する液晶層４６の種類や、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の向きに配置される。ここで、液晶装置４は、図１を参照して説明した投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、赤色、青色又は緑色の光が入射することになるので、カラーフィルターは形成されていない。なお、液晶装置４を、後述するモバイルコンピューターや携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いる場合、第２基板５０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。 In the reflective liquid crystal device 4, as indicated by the arrow L, the light incident from the second substrate 50 side is reflected by the reflective pixel electrode 40 a and is emitted from the second substrate 50 side again. Then, as a result of light modulation for each pixel by the liquid crystal layer 46, an image is displayed. On the surface of the second substrate 50 on the light incident side, a polarizing film, a retardation film, a polarizing plate, etc. have a predetermined orientation depending on the type of the liquid crystal layer 46 to be used and the normally white mode / normally black mode. Placed in. Here, since the liquid crystal device 4 receives red, blue or green light in the projection display device (liquid crystal projector) described with reference to FIG. 1, no color filter is formed. Note that when the liquid crystal device 4 is used as a color display device of an electronic device such as a mobile computer or a cellular phone described later, a color filter (not shown) and a protective film are formed on the second substrate 50.
（各画素の構成）
図４（Ａ）及び（Ｂ）は各々、本発明を適用した反射型の液晶装置４に用いた第１基板３２に設けられた複数の画素の平面図、及びそのＩＶ−ＩＶ’線に相当する位置で液晶装置４を切断したときの断面図である。なお、図４（Ａ）において、データ線３４ａは一点鎖線で示し、走査線３６ａ及び容量線３６ｂは実線で示し、半導体層６２ａは細い点線で示し、反射性画素電極４０ａについては二点鎖線で示してある。
(Configuration of each pixel)
4A and 4B respectively correspond to a plan view of a plurality of pixels provided on the first substrate 32 used in the reflective liquid crystal device 4 to which the present invention is applied, and its IV-IV ′ line. It is sectional drawing when the liquid crystal device 4 is cut | disconnected in the position to perform. In FIG. 4A, the data line 34a is indicated by a one-dot chain line, the scanning line 36a and the capacitor line 36b are indicated by a solid line, the semiconductor layer 62a is indicated by a thin dotted line, and the reflective pixel electrode 40a is indicated by a two-dot chain line. It is shown.
図４（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、第１基板３２には、石英基板やガラス基板等からなる透光性基板、あるいは単結晶シリコン基板などの基板本体３２ｄの第１面３２ｘ及び第２面３２ｙのうち、第２基板５０側に位置する第１面３２ｘ（一方の基板面）にシリコン酸化膜等からなる透光性の下地絶縁層６４が形成されている。また、第１基板３２には、下地絶縁層６４の上層側において、反射性画素電極４０ａと重なる位置にＮチャネル型の画素トランジスター３８が形成されている。画素トランジスター３８は、島状のポリシリコン膜、あるいは島状の単結晶半導体層からなる半導体層６２ａに対して、チャネル領域６２ｇ、低濃度ソース領域６２ｂ、高濃度ソース領域６２ｄ、低濃度ドレイン領域６２ｃ、及び高濃度ドレイン領域６２ｅが形成されたＬＤＤ構造を備えている。半導体層６２ａの表面側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる透光性のゲート絶縁層６５が形成されており、ゲート絶縁層６５の表面には、金属膜やドープトシリコン膜からなるゲート電極（走査線３６ａ）が形成されている。また、半導体層６２ａにおける高濃度ドレイン領域６２ｅからの延設部分には、ゲート絶縁層６５を介して容量線３６ｂが対向し、保持容量４８が形成されている。 As shown in FIGS. 4A and 4B, the first substrate 32 includes a first surface 32x of a substrate body 32d such as a translucent substrate such as a quartz substrate or a glass substrate, or a single crystal silicon substrate. A translucent base insulating layer 64 made of a silicon oxide film or the like is formed on the first surface 32x (one substrate surface) located on the second substrate 50 side in the second surface 32y. Further, an N-channel pixel transistor 38 is formed on the first substrate 32 at a position overlapping with the reflective pixel electrode 40 a on the upper layer side of the base insulating layer 64. The pixel transistor 38 includes a channel region 62g, a low-concentration source region 62b, a high-concentration source region 62d, and a low-concentration drain region 62c with respect to the semiconductor layer 62a made of an island-shaped polysilicon film or an island-shaped single crystal semiconductor layer. And an LDD structure in which a high concentration drain region 62e is formed. A translucent gate insulating layer 65 made of a silicon oxide film or a silicon nitride film is formed on the surface side of the semiconductor layer 62a, and the surface of the gate insulating layer 65 is made of a metal film or a doped silicon film. A gate electrode (scanning line 36a) is formed. In addition, the capacitor line 36b is opposed to the portion of the semiconductor layer 62a that extends from the high-concentration drain region 62e with the gate insulating layer 65 interposed therebetween, so that the storage capacitor 48 is formed.
本実施形態において、画素トランジスター３８はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を備えているが、高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域が走査線３６ａに自己整合的に形成されている構造を採用してもよい。また、本実施形態では、ゲート絶縁層６５は、熱酸化により形成されたシリコン酸化膜からなるが、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いることもできる。さらに、ゲート絶縁層６５には、熱酸化により形成されたシリコン酸化膜と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との多層膜を用いることもできる。また、基板本体３２ｄが単結晶シリコン基板である場合、単結晶シリコン基板自身に画素トランジスター３８を形成してもよい。 In the present embodiment, the pixel transistor 38 has an LDD (Lightly Doped Drain) structure, but a structure in which a high concentration source region and a high concentration drain region are formed in a self-aligned manner on the scanning line 36a may be adopted. Good. In the present embodiment, the gate insulating layer 65 is made of a silicon oxide film formed by thermal oxidation, but a silicon oxide film or silicon nitride film formed by a CVD method or the like can also be used. Further, the gate insulating layer 65 may be a multilayer film including a silicon oxide film formed by thermal oxidation and a silicon oxide film or silicon nitride film formed by a CVD method or the like. When the substrate body 32d is a single crystal silicon substrate, the pixel transistor 38 may be formed on the single crystal silicon substrate itself.
画素トランジスター３８の上層側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の透光性絶縁膜からなる層間絶縁膜６６，６８が形成されている。層間絶縁膜６６の表面には金属膜やドープトシリコン膜からなるデータ線３４ａ及びドレイン電極３４ｂが形成され、データ線３４ａは、層間絶縁膜６６に形成されたコンタクトホール６６ａを介して高濃度ソース領域６２ｄに電気的に接続し、ドレイン電極３４ｂは、層間絶縁膜６６に形成されたコンタクトホール６６ｂを介して高濃度ドレイン領域６２ｅに電気的に接続している。層間絶縁膜６８の表面には反射性画素電極４０ａが島状に形成されており、反射性画素電極４０ａは、層間絶縁膜６８に形成されたコンタクトホール６８ｂを介してドレイン電極３４ｂに電気的に接続されている。かかる電気的な接続を行うにあたって、本実施形態では、コンタクトホール６８ｂの内部は、プラグ７０ａと称せられる導電膜によって埋められ、反射性画素電極４０ａは、プラグ７０ａを介してドレイン電極３４ｂに電気的に接続されている。層間絶縁膜６８の表面とプラグ７０ａの表面は、連続した平坦面を形成しており、かかる平坦面上に反射性画素電極４０ａが形成されている。 Interlayer insulating films 66 and 68 made of a light-transmitting insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film are formed on the upper layer side of the pixel transistor 38. A data line 34 a and a drain electrode 34 b made of a metal film or a doped silicon film are formed on the surface of the interlayer insulating film 66, and the data line 34 a is a high concentration source through a contact hole 66 a formed in the interlayer insulating film 66. The drain electrode 34b is electrically connected to the high concentration drain region 62e through a contact hole 66b formed in the interlayer insulating film 66. The drain electrode 34b is electrically connected to the region 62d. A reflective pixel electrode 40a is formed in an island shape on the surface of the interlayer insulating film 68, and the reflective pixel electrode 40a is electrically connected to the drain electrode 34b through a contact hole 68b formed in the interlayer insulating film 68. It is connected. In making this electrical connection, in this embodiment, the inside of the contact hole 68b is filled with a conductive film called a plug 70a, and the reflective pixel electrode 40a is electrically connected to the drain electrode 34b via the plug 70a. It is connected to the. The surface of the interlayer insulating film 68 and the surface of the plug 70a form a continuous flat surface, and the reflective pixel electrode 40a is formed on the flat surface.
本実施形態において、隣り合う反射性画素電極４０ａにより挟まれた隙間４０ｓの内側には、スペーサーとしての絶縁性反射膜からなる絶縁性反射層７２が形成されている。絶縁性反射層７２は、第１基板３２と第２基板５０との隙間を規定している。本実施形態において、絶縁性反射層７２は、後述する誘電体多層膜からなる。 In the present embodiment, an insulating reflective layer 72 made of an insulating reflective film as a spacer is formed inside a gap 40s sandwiched between adjacent reflective pixel electrodes 40a. The insulating reflective layer 72 defines a gap between the first substrate 32 and the second substrate 50. In the present embodiment, the insulating reflective layer 72 is made of a dielectric multilayer film described later.
絶縁性反射層７２の側面は、斜面を有している。これにより、誘電体多層膜の側面を斜面とすることで、画素間の光が反射され、擬似的に有効反射画素エリア（透過型で言う開口率）が１００％となり、光を有効に利用できる。 The side surface of the insulating reflective layer 72 has a slope. Accordingly, by making the side surface of the dielectric multilayer film as a slope, light between pixels is reflected, and an effective reflection pixel area (aperture ratio referred to as a transmission type) becomes 100% in a pseudo manner, so that light can be used effectively. .
絶縁性反射層７２は、平面視で格子状に形成されている。これにより、絶縁性反射層７２は、格子状のパターンとし高さを揃えることで、液晶層４６を挟持している隙間が均一となるため表示品位が良好にすることができる（透過型パネルに比べ反射型パネルは一般的にセルギャップが１／２）。また、絶縁性反射層７２が絶縁性であるため、反射性画素電極４０ａ間に絶縁性反射層７２を設けた場合でも、反射性画素電極４０ａを短絡させるおそれがない。更に、従来技術のホトコンダクター現象防止の機能はそのまま維持できる。 The insulating reflective layer 72 is formed in a lattice shape in plan view. As a result, the insulating reflective layer 72 has a lattice-like pattern and has a uniform height, so that the gaps sandwiching the liquid crystal layer 46 become uniform, so that the display quality can be improved (for a transmissive panel). In comparison, reflective panels generally have a cell gap of 1/2). Further, since the insulating reflective layer 72 is insulative, there is no possibility of shorting the reflective pixel electrode 40a even when the insulating reflective layer 72 is provided between the reflective pixel electrodes 40a. Furthermore, the function of preventing the photoconductor phenomenon of the prior art can be maintained as it is.
配向膜７４は、ポリイミドなどの樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜などの斜方蒸着膜からなる。本実施形態において、配向膜７４は、シリコン酸化膜などの斜方蒸着膜からなり、かかる無機配向膜を用いた場合、配向膜７４と反射性画素電極４０ａとの層間にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの保護膜が形成されることもある。 The alignment film 74 is made of a resin film such as polyimide or an oblique deposition film such as a silicon oxide film. In the present embodiment, the alignment film 74 is composed of an obliquely deposited film such as a silicon oxide film. When such an inorganic alignment film is used, a silicon oxide film or a silicon nitride film is interposed between the alignment film 74 and the reflective pixel electrode 40a. A protective film such as a film may be formed.
第２基板５０では、透光性の基板本体５０ｄにおいて第１基板３２と対向する面全体にＩＴＯ膜からなる共通電極６０が形成され、共通電極６０の表面側にも、第１基板３２と同様、配向膜７６が形成されている。かかる配向膜７６も、配向膜７４と同様、ポリイミドなどの樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜などの斜方蒸着膜からなる。本実施形態において、配向膜７６は、シリコン酸化膜などの斜方蒸着膜からなり、かかる無機配向膜を用いた場合、配向膜７６と共通電極６０との層間にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの保護膜が形成されることもある。 In the second substrate 50, a common electrode 60 made of an ITO film is formed on the entire surface of the translucent substrate body 50 d facing the first substrate 32, and the surface of the common electrode 60 is also the same as that of the first substrate 32. An alignment film 76 is formed. Similar to the alignment film 74, the alignment film 76 is made of a resin film such as polyimide or an oblique deposition film such as a silicon oxide film. In this embodiment, the alignment film 76 is formed of an obliquely deposited film such as a silicon oxide film. When such an inorganic alignment film is used, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like is provided between the alignment film 76 and the common electrode 60. A protective film may be formed.
このように構成した第１基板３２と第２基板５０は、反射性画素電極４０ａと共通電極６０とが対面するように対向配置され、かつ、これらの基板間には、シール材５２により囲まれた空間内に液晶が封入され、液晶層４６が形成されている。液晶層４６は、反射性画素電極４０ａからの電界が印加されていない状態で、第１基板３２及び第２基板５０に形成された配向膜７４，７６により所定の配向状態をとる。液晶層４６は、例えば一種又は数種のネマティック液晶を混合したもの等からなる。 The first substrate 32 and the second substrate 50 configured as described above are arranged to face each other so that the reflective pixel electrode 40a and the common electrode 60 face each other, and the substrates are surrounded by a sealing material 52. Liquid crystal is sealed in the space, and a liquid crystal layer 46 is formed. The liquid crystal layer 46 assumes a predetermined alignment state by the alignment films 74 and 76 formed on the first substrate 32 and the second substrate 50 in a state where an electric field from the reflective pixel electrode 40a is not applied. The liquid crystal layer 46 is made of, for example, one or a mixture of several types of nematic liquid crystals.
（絶縁性反射層の構成）
図５は、本実施形態に係る液晶装置に用いた絶縁性反射層（誘電体多層膜／誘電体ミラー）の説明図である。
(Configuration of insulating reflective layer)
FIG. 5 is an explanatory diagram of an insulating reflective layer (dielectric multilayer film / dielectric mirror) used in the liquid crystal device according to the present embodiment.
図４（Ｂ）に示す絶縁性反射層７２は、屈折率が低い誘電体膜からなる低屈折率層と、この低屈折率層より屈折率が高い誘電体膜からなる高屈折率層とが交互に積層された誘電体多層膜である。かかる誘電体多層膜では、低屈折率層と高屈折率層とが交互に１層ずつ、計２層形成された構成や、低屈折率層と高屈折率層とを１組にして複数組（例えば、２組）が積層された構成を有している。ここで、低屈折率層と高屈折率層とは、屈折率の相対的な高低に定義されるものであり、その高低に絶対的な数値が存在するものではない。したがって、例えば、屈折率が１．７未満のものを低屈折率層とし、屈折率が１．７以上のものを高屈折率層と定義すれば、低屈折率層及び高屈折率層としては、以下の材料の単一系や混合系が用いられる。
（低屈折率層）
フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）／屈折率＝１．３８
二酸化シリコン（ＳｉＯ2）／屈折率＝１．４６
フッ化ランタン（ＬａＦ3）／屈折率＝１．５９
酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）／屈折率＝１．６２
フッ化セリウム（ＣｅＦ3）／屈折率＝１．６３
（高屈折率層）
酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）／屈折率＝２．００
窒化シリコン（ＳｉＮ）／屈折率＝２．０５
酸化チタン（ＴｉＯ2）／屈折率＝２．１０
酸化ジルコニウム（ＺｒＯＦ2）／屈折率＝２．１０
酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）／屈折率＝２．１０
酸化タングステン（ＷＯ3）／屈折率＝２．３５
硫化亜鉛（ＺｎＳ）／屈折率＝２．３５
酸化セリウム（ＣｅＯ2）／屈折率＝２．４２
The insulating reflective layer 72 shown in FIG. 4B includes a low refractive index layer made of a dielectric film having a low refractive index and a high refractive index layer made of a dielectric film having a higher refractive index than the low refractive index layer. It is the dielectric multilayer film laminated | stacked alternately. In such a dielectric multi-layer film, a configuration in which a low refractive index layer and a high refractive index layer are alternately formed one by two, a total of two layers, or a combination of a low refractive index layer and a high refractive index layer, which are plural sets. (For example, two sets) are stacked. Here, the low-refractive index layer and the high-refractive index layer are defined as relative levels of refractive index, and there is no absolute value for the level. Therefore, for example, if a layer having a refractive index of less than 1.7 is defined as a low refractive index layer and a layer having a refractive index of 1.7 or more is defined as a high refractive index layer, the low refractive index layer and the high refractive index layer are A single system or mixed system of the following materials is used.
(Low refractive index layer)
Magnesium fluoride (MgF 2 ) / refractive index = 1.38
Silicon dioxide (SiO 2 ) / refractive index = 1.46
Lanthanum fluoride (LaF 3 ) / refractive index = 1.59
Aluminum oxide (Al 2 O 3 ) / refractive index = 1.62
Cerium fluoride (CeF 3 ) / refractive index = 1.63
(High refractive index layer)
Indium oxide (In 2 O 3 ) / refractive index = 2.00
Silicon nitride (SiN) / refractive index = 2.05
Titanium oxide (TiO 2 ) / refractive index = 2.10
Zirconium oxide (ZrOF 2 ) / refractive index = 2.10
Tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) / refractive index = 2.10
Tungsten oxide (WO 3 ) / refractive index = 2.35
Zinc sulfide (ZnS) / refractive index = 2.35
Cerium oxide (CeO 2 ) / refractive index = 2.42
これらのいずれの誘電体膜を用いた場合も、低屈折率層及び高屈折率層の各々の光学的膜厚ｎｄ（ｎ＝屈折率、ｄ＝膜厚）は、設計の際の指定波長λ0の１／４倍に設定される。 When any of these dielectric films is used, the optical film thickness nd (n = refractive index, d = film thickness) of each of the low refractive index layer and the high refractive index layer is the specified wavelength λ at the time of design. It is set to 1/4 times 0 .
かかる構成によれば、高屈折率から低屈折率への境界面での反射波面の位相の変化が発生せず、かつ、その逆の境界面での反射波面の位相の変化は１８０°である。また、隣り合う面からの２つの反射波面の間の光路差に因る位相差が１８０°となり、位相の変化量と合わせると、各境界面での反射波面は全て同位相になる。その結果、高い反射率を発揮する。その際、屈折率の差が大きな２つの誘電体材料の組合せを用いると、少ない層数でも高い反射特性を得ることができる。 According to such a configuration, the phase change of the reflected wavefront at the boundary surface from the high refractive index to the low refractive index does not occur, and the phase change of the reflected wavefront at the opposite boundary surface is 180 °. . Also, the phase difference due to the optical path difference between two reflected wavefronts from adjacent surfaces is 180 °, and when combined with the amount of phase change, the reflected wavefronts at each boundary surface are all in phase. As a result, high reflectivity is exhibited. At that time, when a combination of two dielectric materials having a large difference in refractive index is used, high reflection characteristics can be obtained even with a small number of layers.
かかる誘電体多層膜の反射率の波長依存性は、図５（Ａ）に示されたように、指定波長λ0で反射率が最大となる。また、高い反射率を示す波長域の外では、反射率は振動しながらゼロへと低下する。ここで、高反射率の領域の幅と高さは、低屈折率層の屈折率と高屈折率層の屈折率の比、及び層数の関数になり、積層数を増やしても屈折率の比を増しても反射率のピーク値が増加する。 As shown in FIG. 5A, the wavelength dependency of the reflectance of such a dielectric multilayer film has a maximum reflectance at a specified wavelength λ 0 . In addition, outside the wavelength range exhibiting a high reflectance, the reflectance decreases to zero while vibrating. Here, the width and height of the high reflectivity region are a function of the ratio of the refractive index of the low refractive index layer to the refractive index of the high refractive index layer, and the number of layers. Even if the ratio is increased, the peak value of the reflectance increases.
ここで、液晶装置４は、図１を参照して説明したライトバルブ（赤色光変調用の液晶装置４Ｒ、緑色光変調用の液晶装置４Ｇ、青色光変調用の液晶装置４Ｂ）として用いられることから入射した光の波長域が限定されている。そこで、本実施形態では、液晶装置４（赤色光変調用の液晶装置４Ｒ、緑色光変調用の液晶装置４Ｇ、青色光変調用の液晶装置４Ｂ）毎に、低屈折率層及び高屈折率層の各々の光学的膜厚ｎｄを設定する際の波長λ0を各々、赤色波長域（概ね６５０〜７５０ｎｍの波長域）、緑色波長域（概ね５３０〜５５０ｎｍの波長域）、青色波長域（概ね４７０〜４８０ｎｍの波長域）に設定してある。このため、絶縁性反射層７２は、液晶装置４毎に反射率の波長依存性が相違する。 Here, the liquid crystal device 4 is used as the light valve (the liquid crystal device 4R for red light modulation, the liquid crystal device 4G for green light modulation, the liquid crystal device 4B for blue light modulation) described with reference to FIG. The wavelength range of light incident from is limited. Therefore, in this embodiment, a low refractive index layer and a high refractive index layer are provided for each liquid crystal device 4 (a liquid crystal device 4R for red light modulation, a liquid crystal device 4G for green light modulation, and a liquid crystal device 4B for blue light modulation). The wavelength λ 0 when setting the optical film thickness nd of each of the red wavelength range (approximately 650 to 750 nm wavelength range), the green wavelength range (approximately 530 to 550 nm wavelength range), and the blue wavelength range (approximately (Wavelength range of 470 to 480 nm). For this reason, the insulating reflective layer 72 has a different wavelength dependency of reflectance for each liquid crystal device 4.
より具体的には、赤色光変調用の液晶装置４Ｒに形成した絶縁性反射層７２の反射率の波長依存性は、図５（Ｂ）に示すように表され、赤色波長域の反射率は、赤色光に対応する波長域とは異なる波長域における反射率に比較して高くなっている。また、緑色光変調用の液晶装置４Ｇに形成した絶縁性反射層７２の緑色波長域における反射率は、緑色光に対応する波長域とは異なる波長域における反射率よりも高い。青色光変調用の液晶装置４Ｂに形成した絶縁性反射層７２の青色波長域における反射率は、青色光に対応する波長域とは異なる波長域における反射率よりも高い。かかる構成によれば、液晶装置４Ｒ、液晶装置４Ｇ、液晶装置４Ｂ各々の隙間４０ｓに入射した色光を効率よく反射させて、画像の表示に寄与させることができるので、明るい画像を表示することができる。 More specifically, the wavelength dependency of the reflectance of the insulating reflective layer 72 formed in the liquid crystal device 4R for red light modulation is expressed as shown in FIG. 5B, and the reflectance in the red wavelength region is The reflectance in the wavelength region different from the wavelength region corresponding to red light is higher. Further, the reflectance in the green wavelength region of the insulating reflective layer 72 formed in the liquid crystal device 4G for green light modulation is higher than the reflectance in a wavelength region different from the wavelength region corresponding to the green light. The reflectance in the blue wavelength region of the insulating reflective layer 72 formed in the blue light modulation liquid crystal device 4B is higher than the reflectance in a wavelength region different from the wavelength region corresponding to blue light. According to such a configuration, the color light incident on the gaps 40s of the liquid crystal device 4R, the liquid crystal device 4G, and the liquid crystal device 4B can be efficiently reflected and contribute to the display of an image, so that a bright image can be displayed. it can.
（液晶装置の第１基板の製造方法）
以下、図６を参照して、本実施形態に係る液晶装置４の製造方法を説明しながら、液晶装置４の構成を詳述する。図６は、本実施形態に係る液晶装置４の製造方法を示す工程断面図であり、反射性画素電極４０ａを形成した後、絶縁性反射層７２を形成するまでの工程を示している。
(Method for manufacturing first substrate of liquid crystal device)
Hereinafter, the configuration of the liquid crystal device 4 will be described in detail with reference to FIG. 6 while describing the method for manufacturing the liquid crystal device 4 according to the present embodiment. FIG. 6 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the liquid crystal device 4 according to the present embodiment, and shows the process from the formation of the reflective pixel electrode 40a to the formation of the insulating reflective layer 72.
まず、図６（Ａ）に示すように島状の反射性画素電極４０ａを形成した後、図６（Ｂ）に示すように、反射性画素電極４０ａの表面、及び反射性画素電極４０ａの間で露出している層間絶縁膜６８の表面を覆うように、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などのＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法や、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの方法によって低屈折率層と高屈折率層とを交互に形成して誘電体多層膜を形成する。 First, after forming the island-like reflective pixel electrode 40a as shown in FIG. 6A, as shown in FIG. 6B, between the surface of the reflective pixel electrode 40a and the reflective pixel electrode 40a. So as to cover the surface of the interlayer insulating film 68 exposed by the step of PVD (Physical Vapor Deposition) such as sputtering, vacuum deposition or ion plating, or by CVD (Chemical Vapor Deposition). A dielectric multilayer film is formed by alternately forming a refractive index layer and a high refractive index layer.
次に、誘電体多層膜に対する研磨工程を行なう。その結果、図６（Ｃ）に示すように、反射性画素電極４０ａの表面が露出するとともに、反射性画素電極４０ａの隙間４０ｓには、誘電体多層膜が絶縁性反射層７２として残り、隙間４０ｓは、絶縁性反射層７２によって埋められた状態となる。また、反射性画素電極４０ａの表面と絶縁性反射層７２の表面は、連続した平坦面を形成する。かかる研磨には化学機械研磨を利用でき、化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と第１基板３２との相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、第１基板３２を保持するホルダーとを相対回転させながら、研磨を行う。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、及び水を含む研磨剤を研磨布と第１基板３２との間に供給する。 Next, a polishing process is performed on the dielectric multilayer film. As a result, as shown in FIG. 6C, the surface of the reflective pixel electrode 40a is exposed, and the dielectric multilayer film remains as the insulating reflective layer 72 in the gap 40s of the reflective pixel electrode 40a. 40 s is filled with the insulating reflective layer 72. The surface of the reflective pixel electrode 40a and the surface of the insulating reflective layer 72 form a continuous flat surface. Chemical mechanical polishing can be used for such polishing. In chemical mechanical polishing, a smooth polishing surface can be obtained at high speed by the action of chemical components contained in the polishing liquid and the relative movement of the abrasive and the first substrate 32. it can. More specifically, in the polishing apparatus, while relatively rotating the surface plate on which a polishing cloth (pad) made of nonwoven fabric, foamed polyurethane, porous fluororesin or the like is attached, and the holder that holds the first substrate 32, Polish. At that time, for example, an abrasive containing cerium oxide particles having an average particle diameter of 0.01 to 20 μm, an acrylate derivative as a dispersant, and water is supplied between the polishing cloth and the first substrate 32.
しかる後には、図４（Ｂ）に示すように、反射性画素電極４０ａの表面、及び絶縁性反射層７２の表面を覆うように配向膜７４を形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 4B, an alignment film 74 is formed so as to cover the surface of the reflective pixel electrode 40 a and the surface of the insulating reflective layer 72.
（本実施形態の主な効果）
以上説明したように、本実施形態の液晶装置４は、反射型液晶装置であり、第２基板５０側から入射した光は反射性画素電極４０ａで反射して第２基板５０の側から射出される間に液晶層４６によって光変調される。したがって、第２基板５０側から入射した光のうち、互いに隣り合う反射性画素電極４０ａの間に入射した光は反射性画素電極４０ａで反射されないことになる。しかるに本実施形態の液晶装置４では、反射性画素電極４０ａによって挟まれた隙間４０ｓ内に絶縁性反射層７２が設けられているため、反射性画素電極４０ａの間に入射した光は、絶縁性反射層７２によって反射されて第２基板５０側から射出される。それ故、反射性画素電極４０ａの間に入射した光についても画像の表示に寄与させることができるので、明るい画像を表示することができる。
(Main effects of this embodiment)
As described above, the liquid crystal device 4 of the present embodiment is a reflective liquid crystal device, and light incident from the second substrate 50 side is reflected by the reflective pixel electrode 40a and emitted from the second substrate 50 side. In the meantime, the light is modulated by the liquid crystal layer 46. Accordingly, among the light incident from the second substrate 50 side, the light incident between the adjacent reflective pixel electrodes 40a is not reflected by the reflective pixel electrode 40a. However, in the liquid crystal device 4 of the present embodiment, since the insulating reflective layer 72 is provided in the gap 40s sandwiched between the reflective pixel electrodes 40a, the light incident between the reflective pixel electrodes 40a is insulative. The light is reflected by the reflective layer 72 and emitted from the second substrate 50 side. Therefore, the light incident between the reflective pixel electrodes 40a can also contribute to the image display, so that a bright image can be displayed.
また、液晶装置４に供給される色光に対応する波長域における絶縁性反射層７２の反射率は、該色光に対応する波長域とは異なる波長における絶縁性反射層７２の反射率よりも高い。したがって、液晶装置４Ｒ、液晶装置４Ｇ、液晶装置４Ｂ各々に所定の色光を供給する方式の投射型表示装置２においても、液晶装置４Ｒ、液晶装置４Ｇ、液晶装置４Ｂ各々の隙間４０ｓに入射した色光を効率よく反射させて、画像の表示に寄与させることができるので、明るい画像を表示することができる。 Further, the reflectance of the insulating reflective layer 72 in the wavelength region corresponding to the color light supplied to the liquid crystal device 4 is higher than the reflectance of the insulating reflective layer 72 in a wavelength different from the wavelength region corresponding to the color light. Therefore, even in the projection type display device 2 that supplies predetermined color light to each of the liquid crystal device 4R, the liquid crystal device 4G, and the liquid crystal device 4B, the color light that has entered the gap 40s of each of the liquid crystal device 4R, the liquid crystal device 4G, and the liquid crystal device 4B. Can be efficiently reflected and contribute to the display of the image, so that a bright image can be displayed.
また、反射層（絶縁性反射層７２）が絶縁性であるため、反射性画素電極４０ａの間に絶縁性反射層７２を設けた場合でも、反射性画素電極４０ａを短絡させるおそれがない。したがって、反射性画素電極４０ａによって挟まれた隙間４０ｓを絶縁性反射層７２によって埋めことができる。このため、反射性画素電極４０ａの下層側には光が漏れないため、反射性画素電極４０ａの下層側に設けた画素トランジスター３８には光が到達しない。それ故、画素トランジスターでは光電流に起因する誤動作や、光劣化が発生しない。 Further, since the reflective layer (insulating reflective layer 72) is insulative, there is no possibility of shorting the reflective pixel electrode 40a even when the insulating reflective layer 72 is provided between the reflective pixel electrodes 40a. Therefore, the gap 40 s sandwiched between the reflective pixel electrodes 40 a can be filled with the insulating reflective layer 72. For this reason, since light does not leak to the lower layer side of the reflective pixel electrode 40a, the light does not reach the pixel transistor 38 provided on the lower layer side of the reflective pixel electrode 40a. Therefore, the pixel transistor does not cause malfunction or photodegradation due to photocurrent.
また、反射性画素電極４０ａの表面と絶縁性反射層７２の表面は連続した平坦面を形成しているため、反射性画素電極４０ａの上層に配向膜７４を形成する際、配向膜７４を平坦面上に形成することができるので、液晶層に対して均一に配向規制力を作用させることができる。また、反射性画素電極４０ａの表面及び絶縁性反射層７２の表面で反射した光の反射方向を制御することができる。 Further, since the surface of the reflective pixel electrode 40a and the surface of the insulating reflective layer 72 form a continuous flat surface, when the alignment film 74 is formed on the reflective pixel electrode 40a, the alignment film 74 is flattened. Since it can be formed on the surface, the alignment regulating force can be applied uniformly to the liquid crystal layer. Further, it is possible to control the reflection direction of the light reflected from the surface of the reflective pixel electrode 40a and the surface of the insulating reflective layer 72.
（第２の実施形態）
本実施形態に係る液晶装置は、絶縁性反射層と光吸収層との構成を除いて第１の実施形態に係る液晶装置４と同様である。
図７は、本実施形態に係る液晶装置６の断面図である。
(Second Embodiment)
The liquid crystal device according to this embodiment is the same as the liquid crystal device 4 according to the first embodiment except for the configuration of the insulating reflective layer and the light absorption layer.
FIG. 7 is a cross-sectional view of the liquid crystal device 6 according to the present embodiment.
本実施形態に係る液晶装置６は、平面視で、スペーサーとしての絶縁性反射層８０の上部表面と重なる領域に、光吸収層８２が形成されている。また、絶縁性反射層８０は絶縁膜８４上に形成されている。 In the liquid crystal device 6 according to this embodiment, a light absorption layer 82 is formed in a region overlapping the upper surface of the insulating reflective layer 80 as a spacer in plan view. The insulating reflective layer 80 is formed on the insulating film 84.
本実施形態に係る液晶装置６によれば、平面視で、絶縁性反射層８０の上部表面と重なる領域に、光吸収層８２を形成することにより、散乱時、液晶層４６で乱反射する光を吸収することができ、表示パネルのコントラストを向上することができる。また、画素トランジスター３８の光電流に起因する誤動作や、光劣化を抑えたまま（表示品位を保ったまま）、よりコントラストが高い画像を表示することができる。 According to the liquid crystal device 6 according to the present embodiment, the light absorbing layer 82 is formed in a region overlapping the upper surface of the insulating reflective layer 80 in plan view, so that the light that is irregularly reflected by the liquid crystal layer 46 at the time of scattering can be obtained. Therefore, the contrast of the display panel can be improved. Further, it is possible to display an image with higher contrast while suppressing malfunction caused by the photocurrent of the pixel transistor 38 and light degradation (while maintaining display quality).
なお、光吸収層８２は、絶縁性反射層８０上に形成されていてもよいし、第２基板５０上に形成されていてもよい。また、絶縁性反射層８０と所定の間隔を空けて形成されていてもよい。 The light absorption layer 82 may be formed on the insulating reflective layer 80 or may be formed on the second substrate 50. Alternatively, the insulating reflective layer 80 may be formed at a predetermined interval.
［他の電子機器への搭載例］
上記実施形態では、液晶装置４を、図１に示す投射型表示装置２のライトバルブ（赤色光変調用の液晶装置４Ｒ、緑色光変調用の液晶装置４Ｇ、青色光変調用の液晶装置４Ｂ）として用いたが、以下に説明する電子機器の直視型表示装置に液晶装置４を用いてもよい。
[Example of mounting on other electronic devices]
In the above embodiment, the liquid crystal device 4 is the light valve of the projection display device 2 shown in FIG. 1 (red light modulation liquid crystal device 4R, green light modulation liquid crystal device 4G, blue light modulation liquid crystal device 4B). However, the liquid crystal device 4 may be used in a direct-view display device of an electronic device described below.
図８は、本実施形態に係る反射型の液晶装置４を直視型の表示装置として用いた電子機器の説明図である。まず、図８（Ａ）に示す携帯電話機１００は、複数の操作ボタン１０２、スクロールボタン１０４、並びに表示ユニットとしての液晶装置４を備える。スクロールボタン１０４を操作することによって、液晶装置４に表示される画面がスクロールされる。図８（Ｂ）に示す情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）２００は、複数の操作ボタン２０２、電源スイッチ２０４、並びに表示ユニットとしての液晶装置４を備えており、電源スイッチ２０４を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が液晶装置４に表示される。また、本実施形態に係る液晶装置４が搭載される電子機器としては、図８（Ａ）及び（Ｂ）に示すものの他、ヘッドマウンティトディスプレイ、デジタルスチールカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、銀行端末などの電子機器などが挙げられる。 FIG. 8 is an explanatory diagram of an electronic apparatus that uses the reflective liquid crystal device 4 according to the present embodiment as a direct-view display device. First, the cellular phone 100 illustrated in FIG. 8A includes a plurality of operation buttons 102, a scroll button 104, and the liquid crystal device 4 as a display unit. By operating the scroll button 104, the screen displayed on the liquid crystal device 4 is scrolled. A personal digital assistant (PDA) 200 shown in FIG. 8B includes a plurality of operation buttons 202, a power switch 204, and the liquid crystal device 4 as a display unit. When the power switch 204 is operated, Various kinds of information such as an address book and a schedule book are displayed on the liquid crystal device 4. In addition to the electronic devices shown in FIGS. 8A and 8B, the electronic apparatus on which the liquid crystal device 4 according to this embodiment is mounted includes a head mounted display, a digital still camera, a liquid crystal television, a viewfinder type, a monitor. Examples include direct-view video tape recorders, car navigation devices, pagers, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, and bank terminals.
［他の実施形態］
上記実施形態では、図６（Ｂ）に示すように誘電体多層膜を形成した後、研磨工程を行なって、隙間４０ｓを絶縁性反射層７２によって埋めたが、誘電体多層膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて誘電体多層膜をパターニングして絶縁性反射層７２を形成してもよい。この場合、反射性画素電極４０ａの端部に絶縁性反射層７２が重なった構造となることがあるが、かかる構造であっても、反射性画素電極４０ａの間に入射した光を絶縁性反射層７２によって反射して第２基板５０側から射出できるという効果を奏する。また、絶縁性反射層７２が反射性画素電極４０ａよりも薄い場合には隙間４０ｓ内の一部のみに絶縁性反射層７２が形成され、凹部が形成されることがあるが、かかる構造であっても、反射性画素電極４０ａの間に入射した光を絶縁性反射層７２によって反射して第２基板５０側から射出できるという効果を奏する。
[Other Embodiments]
In the above embodiment, the dielectric multilayer film is formed as shown in FIG. 6B, and then the polishing step is performed to fill the gap 40s with the insulating reflective layer 72. However, after the dielectric multilayer film is formed, Alternatively, the insulating multilayer 72 may be formed by patterning the dielectric multilayer film using a photolithography technique. In this case, there may be a structure in which the insulating reflective layer 72 overlaps the end of the reflective pixel electrode 40a. Even in such a structure, the light incident between the reflective pixel electrodes 40a is insulated and reflected. There is an effect that the light can be reflected from the layer 72 and emitted from the second substrate 50 side. In addition, when the insulating reflective layer 72 is thinner than the reflective pixel electrode 40a, the insulating reflective layer 72 may be formed only in a part of the gap 40s and a recess may be formed. However, there is an effect that light incident between the reflective pixel electrodes 40a can be reflected by the insulating reflective layer 72 and emitted from the second substrate 50 side.
２…投射型表示装置 ４，４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ，６…液晶装置 ４ａ…画素 ４ｐ…液晶パネル １０…光源部 １２…光源 １４…インテグレーターレンズ １６…偏光変換素子 １８…偏光照明装置 ２０…Ｓ偏光光束反射面 ２２…偏光ビームスプリッター ２４，２６…ダイクロイックミラー ２８…投射光学系 ３０…スクリーン ３２…第１基板（一方の基板） ３２ａ…画像表示領域 ３２ｂ…画素領域 ３２ｄ…基板本体 ３２ｘ…第１面 ３２ｙ…第２面 ３４ａ…データ線 ３４ｂ…ドレイン電極 ３６ａ…走査線 ３６ｂ…容量線 ３８…画素トランジスター（トランジスター） ４０ａ…反射性画素電極（反射電極） ４０ｓ…隣り合う反射性画素電極の隙間 ４２…走査線駆動回路 ４４…データ線駆動回路 ４６…液晶層（電気光学層） ４６ａ…液晶容量 ４８…保持容量 ５０…第２基板 ５０ｄ…基板本体 ５２…シール材 ５４…端子 ５６…上下導通材 ５８…額縁 ６０…共通電極 ６２ａ…半導体層 ６２ｂ…低濃度ソース領域 ６２ｃ…低濃度ドレイン領域 ６２ｄ…高濃度ソース領域 ６２ｅ…高濃度ドレイン領域 ６２ｇ…チャネル領域 ６４…下地絶縁層 ６５…ゲート絶縁層 ６６，６８…層間絶縁膜 ６６ａ，６６ｂ，６８ｂ…コンタクトホール ７０ａ…プラグ ７２…絶縁性反射層（スペーサー） ７４…配向膜 ７６…配向膜 ８０…絶縁性反射層 ８２…光吸収層 ８４…絶縁膜 １００…携帯電話機 １０２…操作ボタン １０４…スクロールボタン ２０２…操作ボタン ２０４…電源スイッチ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Projection type display device 4, 4R, 4G, 4B, 6 ... Liquid crystal device 4a ... Pixel 4p ... Liquid crystal panel 10 ... Light source part 12 ... Light source 14 ... Integrator lens 16 ... Polarization conversion element 18 ... Polarized illumination device 20 ... S polarized light Beam reflecting surface 22 ... Polarizing beam splitters 24 and 26 ... Dichroic mirror 28 ... Projection optical system 30 ... Screen 32 ... First substrate (one substrate) 32a ... Image display area 32b ... Pixel area 32d ... Substrate body 32x ... First surface 32y ... second surface 34a ... data line 34b ... drain electrode 36a ... scan line 36b ... capacitor line 38 ... pixel transistor (transistor) 40a ... reflective pixel electrode (reflective electrode) 40s ... gap between adjacent reflective pixel electrodes 42 ... Scan line drive circuit 44... Data line drive circuit 46... Liquid crystal layer (electro-optic layer) 46a ... Liquid crystal capacitor 48 ... Holding capacitor 50 ... Second substrate 50d ... Substrate body 52 ... Sealing material 54 ... Terminal 56 ... Vertical conduction member 58 ... Frame 60 ... Common electrode 62a ... Semiconductor layer 62b ... Low concentration source region 62c ... Low Concentration drain region 62d ... High concentration source region 62e ... High concentration drain region 62g ... Channel region 64 ... Underlying insulating layer 65 ... Gate insulating layer 66, 68 ... Interlayer insulating film 66a, 66b, 68b ... Contact hole 70a ... Plug 72 ... Insulation Reflective reflective layer (spacer) 74 ... Alignment film 76 ... Alignment film 80 ... Insulating reflective layer 82 ... Light absorption layer 84 ... Insulating film 100 ... Mobile phone 102 ... Operation button 104 ... Scroll button 202 ... Operation button 204 ... Power switch.
Claims (9)
前記一対の基板間に挟持された電気光学層と、
を有し、
一方の前記基板に、
トランジスターと、
前記トランジスターに対応して設けられた反射電極と、
隣り合う前記反射電極間に、前記一対の基板間のギャップを規定し、誘電体多層膜からなるスペーサーと、
を備えることを特徴とする電気光学装置。 A pair of substrates;
An electro-optic layer sandwiched between the pair of substrates;
Have
On one of the substrates,
Transistors,
A reflective electrode provided corresponding to the transistor;
Between the adjacent reflective electrodes, a gap between the pair of substrates is defined, and a spacer made of a dielectric multilayer film;
An electro-optical device comprising:
前記スペーサーの側面は、斜面を有することを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1.
The electro-optical device is characterized in that a side surface of the spacer has a slope.
前記スペーサーは、平面視で格子状に形成されていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1 or 2,
The electro-optical device is characterized in that the spacers are formed in a lattice shape in plan view.
前記スペーサーは、所定の波長の光を反射させることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to any one of claims 1 to 3,
The electro-optical device, wherein the spacer reflects light having a predetermined wavelength.
前記電気光学装置に供給される色光に対応する波長域における前記スペーサーの反射率は、該色光に対応する波長域とは異なる波長における前記スペーサーの反射率よりも高いことを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 4.
The electro-optical device characterized in that the reflectance of the spacer in a wavelength region corresponding to the color light supplied to the electro-optical device is higher than the reflectance of the spacer in a wavelength different from the wavelength region corresponding to the color light. .
平面視で、前記スペーサーの上部表面と重なる領域に、光吸収層が形成されていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to any one of claims 1 to 5,
An electro-optical device, wherein a light absorption layer is formed in a region overlapping the upper surface of the spacer in a plan view.
前記複数の電気光学装置のうち第１の電気光学装置に第１の色光を供給し、前記複数の電気光学装置のうち第２の電気光学装置に第１の色光とは異なる色の第２の色光を供給する光源部と、
前記複数の電気光学装置によって光変調された光を合成する合成手段と、
前記合成手段によって合成された光を投射する投射光学系と、
を備えていることを特徴とする電子機器。 A plurality of electro-optical devices according to any one of claims 1 to 6,
A first color light is supplied to a first electro-optical device among the plurality of electro-optical devices, and a second color having a color different from the first color light is supplied to the second electro-optical device among the plurality of electro-optical devices. A light source for supplying colored light;
Combining means for combining light modulated by the plurality of electro-optical devices;
A projection optical system for projecting the light synthesized by the synthesis means;
An electronic device comprising:
前記第１の電気光学装置に設けられた前記スペーサーの反射率の波長依存性は、前記第２の電気光学装置に設けられた前記スペーサーの反射率の波長依存性とは異なることを特徴とする電子機器。 The electronic device according to claim 8,
The wavelength dependency of the reflectance of the spacer provided in the first electro-optical device is different from the wavelength dependency of the reflectance of the spacer provided in the second electro-optical device. Electronics.
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