JP2011064400A - Reduced-pressure drying device and method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、被処理基板上に形成された塗布液の膜（塗布膜）に減圧状態で乾燥処理を施す減圧乾燥装置および減圧乾燥方法に関する。 The present invention relates to a reduced pressure drying apparatus and a reduced pressure drying method for performing a drying process in a reduced pressure state on a coating liquid film (coated film) formed on a substrate to be processed.
たとえばフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）製造のフォトリソグラフィー工程においては、ガラス基板等の被処理基板上に塗布したレジスト液の塗布膜をプリベーキングに先立って適度に乾燥させるために減圧乾燥装置が用いられている。 For example, in a photolithography process for manufacturing a flat panel display (FPD), a vacuum drying apparatus is used to appropriately dry a coating film of a resist solution coated on a substrate to be processed such as a glass substrate prior to pre-baking. Yes.
従来の代表的な減圧乾燥装置は、たとえば特許文献１に記載されるように、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバと、この下部チャンバの上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバとを有している。下部チャンバの中にはステージが配設されており、このステージ上に基板を水平に載置してから、チャンバを閉じて（上部チャンバを下部チャンバに密着させて）減圧乾燥処理を行う。
A conventional typical vacuum drying apparatus is, for example, as described in
この種の減圧乾燥処理では、下部チャンバの底に設けた排気口を通じて外の真空ポンプによりチャンバ内の真空排気を行う。この真空排気により、チャンバ内の圧力がそれまでの大気圧状態から減圧状態に変わり、この減圧状態の下で基板上のレジスト塗布膜から溶剤（シンナー）が蒸発し、レジスト塗布膜の表面に変質層（固い層）が形成される。そして、減圧乾燥を開始してから一定時間が経過した時点で、あるいは設定圧力に到達した時点で、減圧乾燥処理を終了させる。このために、下部チャンバ内の隅に設けたパージポートより不活性ガス（たとえば窒素ガスあるいはエア）を噴出または拡散放出させ、チャンバ内の圧力を大気圧に戻す。この後、上部チャンバを持ち上げてチャンバを開け、基板を搬出する。 In this type of vacuum drying process, the chamber is evacuated by an external vacuum pump through an exhaust port provided at the bottom of the lower chamber. By this evacuation, the pressure in the chamber changes from the atmospheric pressure state until then to a reduced pressure state, and under this reduced pressure state, the solvent (thinner) evaporates from the resist coating film on the substrate and changes to the surface of the resist coating film. A layer (hard layer) is formed. Then, the vacuum drying process is terminated when a certain time has elapsed after starting the vacuum drying or when the set pressure is reached. For this purpose, an inert gas (for example, nitrogen gas or air) is ejected or diffused from a purge port provided at a corner in the lower chamber, and the pressure in the chamber is returned to atmospheric pressure. Thereafter, the upper chamber is lifted to open the chamber, and the substrate is unloaded.
最近、上記のようなレジスト塗布膜の減圧乾燥においては、減圧乾燥処理の最中に基板の上で不活性ガスを一方向に流して、減圧乾燥を促進させ、それによって処理時関の短縮化を図るだけでなく、レジスト表面に形成される変質層を一層固くして現像後のレジストパターンの残膜率を高める技法が注目されている。この技法に対応すべく、減圧乾燥処理の最中に基板の上で不活性ガスを一方向に流せるように構成した減圧乾燥装置が開発されている。 Recently, in the vacuum drying of the resist coating film as described above, an inert gas is flowed in one direction on the substrate during the vacuum drying process to accelerate the vacuum drying, thereby shortening the processing time. In addition to achieving this, attention has been focused on a technique for increasing the residual film ratio of a resist pattern after development by further solidifying a deteriorated layer formed on the resist surface. In order to cope with this technique, a vacuum drying apparatus has been developed which is configured to allow an inert gas to flow in one direction on a substrate during the vacuum drying process.
しかしながら、レジストパターンの残膜率とパターン断面形状および線幅との間には相関関係があり、残膜率が高いほどレジストパターンの肩部が張って線幅は狭くなり、残膜率が低いほどレジストパターンの肩部が落ちて線幅は逆テーパ状に広くなる。通常、デバイスの微細化には残膜率の高い前者のパターン特性が望ましいが、多層配線構造で配線を交叉させるときは残膜率の低い後者のパターン特性が好まれることもある。したがって、デバイスの仕様等に応じて残膜率の高い減圧乾燥処理もしくは残膜率の低い減圧乾燥処理のいずれかが選択される。どちらが選択されても、減圧乾燥処理後のレジスト塗布膜が所望の膜質特性を面内均一に帯びるような装置性能を求められる。 However, there is a correlation between the remaining film ratio of the resist pattern and the pattern cross-sectional shape and the line width. The higher the remaining film ratio, the more the shoulder portion of the resist pattern is stretched and the line width is narrowed, and the remaining film ratio is low. The shoulder portion of the resist pattern falls so that the line width increases in a reverse taper shape. Usually, the former pattern characteristic with a high residual film ratio is desirable for miniaturization of the device, but the latter pattern characteristic with a low residual film ratio may be preferred when wiring is crossed in a multilayer wiring structure. Therefore, either a vacuum drying process with a high residual film rate or a vacuum drying process with a low residual film rate is selected according to the specifications of the device. Regardless of which is selected, it is required to have such an apparatus performance that the resist coating film after the reduced-pressure drying treatment has desired film quality characteristics uniformly in the plane.
本発明は、上記のような従来技術の現状に鑑みてなされたものであり、被処理基板上の塗布膜に対する減圧乾燥処理を急速に行うプロセスと緩慢に行うプロセスとの選択的な切り換えを可能とし、かつどちらのプロセスでも所望の膜質特性が基板上で面内均一に得られるようにする減圧乾燥装置および減圧乾燥方法を提供する。 The present invention has been made in view of the current state of the prior art as described above, and can selectively switch between a process of rapidly performing a reduced-pressure drying process on a coating film on a substrate to be processed and a process of performing a slow process. And a reduced-pressure drying apparatus and a reduced-pressure drying method capable of obtaining desired film quality characteristics uniformly in-plane on a substrate in both processes.
本発明の減圧乾燥装置は、被処理基板上に形成された塗布液の膜を減圧状態で乾燥させるための減圧乾燥装置であって、基板を出し入れ可能に収容する減圧可能なチャンバと、前記チャンバ内で基板を載置する載置部と、水平な第１の方向において前記チャンバ内の前記載置部の片側に設けられた第１の給気ポートを有し、前記第１の給気ポートを介して前記チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、前記チャンバ内で前記第１の給気ポートと前記載置部との間の第１の領域を除く第２の領域に設けられた排気ポートを有し、前記排気ポートを介して前記チャンバ内を真空排気する排気部と、前記第１の給気ポートより噴出した不活性ガスの多くが前記載置部および基板の上を通過して前記排気ポートに到達するように不活性ガスの気流のルートを規制する第１のモードと不活性ガスに対する前記気流ルートの規制を実質的に解除する第２のモードとの間で切り換え可能な気流制御部とを有する。 The reduced-pressure drying apparatus of the present invention is a reduced-pressure drying apparatus for drying a coating liquid film formed on a substrate to be processed in a reduced pressure state. The reduced-pressure drying chamber accommodates a substrate in a removable manner, and the chamber And a first air supply port provided on one side of the placement unit in the chamber in a horizontal first direction, the first air supply port. An inert gas supply unit for supplying an inert gas into the chamber via the second region, and a second region excluding the first region between the first supply port and the placement unit in the chamber And an exhaust part for evacuating the inside of the chamber through the exhaust port, and most of the inert gas ejected from the first air supply port contains the placement part and the substrate. Inactive to pass above and reach the exhaust port And a switchable air flow control unit with the second mode to substantially release the restriction of the first mode and the air flow route for the inert gas to regulate the scan airflow route.
本発明の減圧乾燥方法は、基板を出し入れ可能に収容する減圧可能なチャンバと、前記チャンバ内で基板を載置する載置部と、水平な第１の方向において前記チャンバ内の前記載置部の片側に設けられる第１の給気ポートを有し、前記第１の給気ポートを介して前記チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、前記チャン内で前記第１の給気ポートと前記載置部との間の第１の領域を除く第２の領域に設けられる排気ポートを有し、前記排気ポートを介して前記チャンバ内を真空排気する排気部とを有する減圧乾燥装置を用いて、被処理基板上に形成された塗布液の膜を減圧状態で乾燥させるための減圧乾燥方法であって、前記第１の給気ポートより噴出した不活性ガスの大部分が前記載置部の上を通過して前記排気ポートに到達するように不活性ガスの気流のルートを規制する第１のモードと、不活性ガスに対する前記気流ルートの規制を実質的に解除する第２のモードとを選択的に切り換える。 The reduced-pressure drying method of the present invention includes a chamber capable of decompression that accommodates a substrate in a removable manner, a placement portion for placing the substrate in the chamber, and the placement portion in the chamber in a horizontal first direction. An inert gas supply unit that supplies an inert gas into the chamber through the first air supply port, and the first gas supply port in the chamber. Decompression having an exhaust port provided in a second region excluding the first region between the air supply port and the placement unit and exhausting the inside of the chamber through the exhaust port A vacuum drying method for drying a coating liquid film formed on a substrate to be processed in a reduced pressure state using a drying device, wherein most of the inert gas ejected from the first air supply port is Passes over the mounting part and reaches the exhaust port. A first mode for regulating the air flow route of the inert gas so as to selectively switches a second mode to substantially release the restriction of the air flow route to the inert gas.
本発明によれば、気流制御部が第１のモードを選択したときは、減圧乾燥処理中に第１の給気ポートよりチャンバ内に供給された不活性ガスの多く（好ましくは大部分）が基板の上で一方向に流れ、基板上の塗布膜から揮発する溶剤が速やかに不活性ガスの気流に運ばれるため、減圧乾燥が促進され、急速・短時間の減圧乾燥処理が可能であり、しかも基板上の塗布膜の膜質特性に対する急速減圧乾燥の効果を面内均一に得ることができる。 According to the present invention, when the air flow control unit selects the first mode, most (preferably most) of the inert gas supplied into the chamber from the first air supply port during the vacuum drying process. Since the solvent that flows in one direction on the substrate and volatilizes from the coating film on the substrate is quickly carried to the inert gas stream, reduced-pressure drying is promoted, and rapid and short-time reduced-pressure drying processing is possible. In addition, the effect of rapid vacuum drying on the film quality characteristics of the coating film on the substrate can be obtained uniformly in the surface.
また、気流制御部が第２のモードを選択したときは、チャンバ内で、特に載置部および基板周りで、不活性ガスの気流に規制がかからないので、減圧乾燥処理の開始直後の真空引きや減圧乾燥処理の終了時のパージングを効率よく行えるだけでなく、減圧乾燥処理中に基板上に一方向の気流を形成せずにチャンバ内に不活性ガスを供給することも可能である。これによって、緩慢・長時間の減圧乾燥プロセスも安定・良好に実施可能であり、基板上の塗布膜の膜質特性に対する緩慢減圧乾燥の効果を面内均一に得ることができる。 Further, when the airflow control unit selects the second mode, there is no restriction on the airflow of the inert gas in the chamber, particularly around the mounting unit and the substrate. Not only can the purging at the end of the vacuum drying process be performed efficiently, but it is also possible to supply an inert gas into the chamber without forming a one-way air flow on the substrate during the vacuum drying process. Accordingly, a slow and long-time vacuum drying process can be stably and satisfactorily performed, and the effect of the slow vacuum drying on the film quality characteristics of the coating film on the substrate can be obtained uniformly in the surface.
本発明の減圧乾燥装置または減圧乾燥方法によれば、上記のような構成および作用により、被処理基板上の塗布膜に対する減圧乾燥処理を急速に行うプロセスと緩慢に行うプロセスとの選択的な切り換えを可能とし、かつどちらの減圧乾燥プロセスでも基板上で所望の膜質特性を面内均一に得ることができる。 According to the reduced-pressure drying apparatus or reduced-pressure drying method of the present invention, selective switching between a process for rapidly performing a reduced-pressure drying process on a coating film on a substrate to be processed and a process for performing a slow process by the configuration and operation as described above. In any of the vacuum drying processes, desired film quality characteristics can be uniformly obtained on the substrate.
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図１および図２に、本発明の減圧乾燥装置または減圧乾燥方法の適用可能なＦＰＤ製造用のレジスト塗布装置の一構成例を示す。 FIG. 1 and FIG. 2 show a configuration example of a resist coating apparatus for FPD production to which the reduced pressure drying apparatus or the reduced pressure drying method of the present invention can be applied.
このレジスト塗布装置は、支持台１０の上に、レジスト塗布部１２と、減圧乾燥ユニット１４とを併設している。減圧乾燥ユニット１４は、本発明の一実施形態による減圧乾燥装置である。
In the resist coating apparatus, a
支持台１０上で、レジスト塗布部１２および減圧乾燥ユニット１４の両側には一対のガイドレール１６が設けられ、一対の搬送アーム１８がガイドレール１６上を水平なＸ方向で平行移動して被処理基板たとえば矩形のガラス基板Ｇを搬送できるようになっている。
On the
レジスト塗布部１２は、基板Ｇ上にスピンレスの平流し方式でレジスト液Ｒを塗布するために、支持台１０の上を搬送方向（Ｘ方向）と直交する水平なＹ方向に横断するブリッジ構造のノズル支持体２０を設け、このノズル支持体２０にＹ方向に延びる長尺型のスリットノズル２２を取り付けている。
The resist
レジスト塗布処理を行う時は、搬送アーム１８が基板Ｇを水平に保持しながらノズル支持体２０の下を一定速度でＸ方向に通過するのに合わせて、レジスト液供給部（図示せず）よりレジスト液Ｒが所定の流量でスリットノズル２２に給送され、スリットノズル２２の吐出口から基板Ｇ上にレジスト液Ｒが帯状に供給される。これにより、基板Ｇ上には搬送方向の前端部から後端部に向かってあたかも絨毯を敷くように一定の膜厚でレジスト液Ｒの塗布膜が形成される。
When performing the resist coating process, a resist solution supply unit (not shown) adjusts as the
このレジスト塗布装置においては、上記のようにレジスト塗布部１２でレジスト液Ｒを塗布されたばかりの基板Ｇがそのまま搬送アーム１８によって隣の減圧乾燥ユニット１４へ搬入される。
In this resist coating apparatus, the substrate G just coated with the resist solution R in the resist
減圧乾燥ユニット１４は、図１に示すように、チャンバ本体を構成する固定構造の下部チャンバ２４と上蓋を構成する可動の上部チャンバ２６とを有し、たとえば昇降手段を有するチャンバ開閉機構２８により上部チャンバ２６を上げ下げして、下部チャンバ２４に対する密着（チャンバ密閉）と分離（チャンバ解放）を切り替えられるようにしている。
As shown in FIG. 1, the
レジスト塗布部１２からの基板Ｇを搬入する時は、図１に示すように、上部チャンバ２６を持ち上げてチャンバ解放とする。そして、下部チャンバ２４の中央部に設けられている矩形のステージ（載置部）３０の上に基板Ｇが載置されると、上部チャンバ２６を下してチャンバ密閉状態にする。
When the substrate G from the resist
このレジスト塗布部１２においては、後述するように、基板Ｇ上のレジスト塗布膜に関して高残膜率（たとえば残膜率９９％以上）の膜質特性を得るのに適している急速な短時間の減圧乾燥プロセスと、低残膜率（たとえば残膜率９５％以下）の膜質特性を得るのに適している緩慢な長時間の減圧乾燥プロセスのいずれも選択的に実施可能であり、どちらの減圧乾燥プロセスを選択しても、所望のレジスト膜質特性が面内均一に得られるようになっている。
As will be described later, in this resist
減圧乾燥ユニット１４で１回（基板１枚分）の減圧乾燥処理が終了すると、チャンバ開閉機構２８が上部チャンバ２６を持ち上げてチャンバ解放状態とし、そこに搬送アーム１８がアクセスしてステージ３０より処理済みの基板Ｇを受け取って搬出し、次工程のプリベーキングを行うプリベーキングユニット（図示せず）へ基板Ｇを搬送するようになっている。
When the
以下に、減圧乾燥ユニット１４の詳細な構成および作用を説明する。
Below, the detailed structure and effect | action of the reduced
下部チャンバ２４は、図２に示すように、平面視で矩形に構成されている。この下部チャンバ２４の内側には、その四辺のチャンバ壁部２４(1)，２４(2)，２４(3)，２４(4)にそれぞれ隣接して４個（あるいは４組）の給気ポート３２(1)，３２(2)，３２(3)，３２(4)が設けられるとともに、四隅に４個（あるいは４組）の給気ポート３４(1)，３４(2)，３４(3)，３４(4)が設けられている。
As shown in FIG. 2, the
図３に、この減圧乾燥ユニット１４における給気システムの一例を示す。給気ポート３２(1)，３２(2)，３２(3)，３２(4)は、不活性ガスタンク３６および送風機（またはコンプレッサ）３８を有する共通の不活性ガス供給源４０にそれぞれガス供給管４２(1)，４２(2)，４２(3)，４２(4)を介して接続されている。ガス供給管４２(1)，４２(2)，４２(3)，４２(4)の途中には、流量調整弁４４(1)，４４(2)，４４(3)，４４(4)および開閉弁４６(1)，４６(2)，４６(3)，４６(4)がそれぞれ設けられている。使用される不活性ガスは、たとえば窒素ガスである。
FIG. 3 shows an example of an air supply system in the
図４に、この減圧乾燥ユニット１４における排気システムの一例を示す。排気ポート３４(1)，３４(2)，３４(3)，３４(4)は、真空ポンプ４８および圧力制御弁５０を有する共通の排気装置５１にそれぞれ排気管５２(1)，５２(2)，５２(3)，５２(4)を介して接続されている。ガス供給管５２(1)，５２(2)，５２(3)，５２(4)の途中には、開閉弁５４(1)，５４(2)，５４(3)，５４(4)がそれぞれ設けられている。
FIG. 4 shows an example of an exhaust system in the
図５〜図７に、この減圧乾燥ユニット１４の主たる特徴部分である気流制御部の構成を示す。図５は下部チャンバ２４内の構成を示す一部断面平面図、図６Ａおよび図６Ｂは図５のＩ−Ｉ線についての縦断面図、図７Ａおよび図７Ｂは図５のII−II線についての縦断面図である。
The structure of the airflow control part which is the main characteristic part of this
図５において、気流制御部６０は、Ｙ方向において下部チャンバ２４の相対向する側壁２４(2)，２４(4)の内側でステージ３０の両側（好ましくはステージ３０にできるだけ近接した位置）に配置される第１の仕切板（または隔壁）６２Ａ，６２Ｂと、この第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂを図６Ａに示す第１の高さ位置と、図６Ｂに示す第２の高さ位置との間で昇降移動させる第１の昇降機構６４とを有している。
In FIG. 5, the
第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂは、図５に示すように、Ｘ方向において、ステージ３０の片側（図の左側）に設けられている給気ポート３２(1)の近くの位置、つまりチャンバ壁部２４(1)に殆ど接する位置からステージ３０の反対側（右側）の給気ポート３２(3)および排気ポート３４(3)，３４(4)の手前の位置まで延びている。また、第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂは、鉛直方向（Ｚ方向）において、好ましくは、下部チャンバ２４の底面から上部チャンバ２６の下面（天井）に達するサイズを有している。
As shown in FIG. 5, the
そして、第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂは、第１の高さ位置では下部チャンバ２４の底面から上部チャンバ２６の下面（チャンバ天井）に達する高さか、またはその近くの高さまで鉛直方向に突出し（図６Ａ）、第２の高さ位置では第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂの上端が下部チャンバ２４の底面に近い高さか、またはそれよりも低い高さに沈むようになっている（図６Ｂ）。下部チャンバ２４の底壁には、第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂをそれぞれ第２の高さ位置に沈ませる（退避させる）ための凹部６５Ａ，６５Ｂが形成されている。
Then, the
第１の昇降機構６４は、第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂの下端にそれぞれ接続された鉛直方向に延びる各１本または各複数本の支持棒６６Ａ，６６Ｂと、これらの支持棒６６Ａ，６６Ｂを平行に支持する水平な支持板６８と、この水平支持板６８に昇降駆動軸７０を介して結合された昇降アクチエータ７２とを有している。昇降アクチエータ７２は、たとえばエアシリンダまたは電動リニアモータからなる。支持棒６６Ａ，６６Ｂは、下部チャンバ２４の底壁を上下移動可能に貫通し、シール部材７４によって真空封止されている。
The first elevating
さらに、気流制御部６０は、図５に示すように、ステージ３０の周囲または傍らに配置される横断面コ字状の第２の仕切板（または隔壁）７６と、この第２の仕切板７６を図６Ａまたは図７Ａに示す第３の高さ位置と図６Ｂまたは図７Ｂに示す第４の高さ位置との間で昇降移動させる第２の昇降機構７８とを有している。
Further, as shown in FIG. 5, the
第２の仕切板７６は、ステージ３０の第１の給気ポート３２(1)と対向する図の左側の傍らでＹ方向に延びる第１の平板部７６ａと、ステージ３０の第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂと対向する図の上側および下側の傍らでＸ方向に延びる第２の平板部７６ｂ，７６ｃとを有する。ステージ３０の反対側（図の右側）を第２の仕切板７６で仕切る構成も可能ではあるが、ステージ３０下の空間の排気性の観点からこの実施形態のように解放する構成が好ましい。
The
そして、第２の仕切板７６は、第３の高さ位置では下部チャンバ２４の底面からステージ３０に載置されている基板Ｇの裏面（下面）に接する高さか、またはその近くの高さまで鉛直方向に突出し（図６Ａ、図７Ａ）、第４の高さ位置ではその上端が下部チャンバ２４の底面に近い高さかまたはそれよりも低い高さに沈むようになっている（図６Ｂ、図７Ｂ）。下部チャンバ２４の底壁には、第２の仕切板７６を第４の高さ位置に沈ませる（退避させる）ための凹部８０が形成されている。
In the third height position, the
なお、第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂと第２の仕切板７６の第２の平板部７６ｂ，７６ｃとの間では、第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂが第１の高さにあり、かつ第２の仕切板７６が第３の高さにあるときに、両者が接触しない程度の可及的に小さな隙間を介して近接するのが好ましい。
The
第２の昇降機構７８は、第２の仕切板７６の下端に接続された鉛直方向に延びる１本または複数本の支持棒８２と、これらの支持棒８２を平行に支持する水平な支持板８４と、この水平支持板８４に昇降駆動軸８６を介して結合された昇降アクチエータ８８とを有している。昇降アクチエータ８８は、たとえばエアシリンダまたは電動リニアモータからなる。支持棒８２は、下部チャンバ２４の底壁を上下移動可能に貫通し、シール部材９０によって真空封止されている。
The second elevating
ステージ３０は、鉛直方向に延びる昇降駆動軸９２を介して昇降アクチエータ９４に結合されており、搬送アーム１８（図１、図２）と基板Ｇの受け渡しを行う時、あるいは減圧乾燥処理におけるチャンバ天井（上部チャンバ２６の下面）との距離またはクリアランスＨを調節するために昇降移動できるようになっている。昇降駆動軸９２は、下部チャンバ２４の底壁を上下移動可能に貫通し、シール部材９６よって真空封止されている。
The
この実施形態において、図の左側の給気ポート３２(1)が第１の給気ポートであり、他の給気ポート３２(2)，３２(3)，３２(4)は第２の給気ポートである。また、図５に示すように、チャンバ（２４，２６）内で、給気ポート３２(1)と第２の仕切板７６との間の領域が第１の領域［Ｅ1］であり、この第１の領域［Ｅ1］を除いた領域、特に給気ポート３２(1)から見て第１および第３の位置にそれぞれ在るときの第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂおよび第２の仕切板７６の陰に位置する全ての領域が第２の領域［Ｅ2］である。
In this embodiment, the air supply port 32 (1) on the left side of the figure is the first air supply port, and the other air supply ports 32 (2), 32 (3), 32 (4) are the second air supply ports. Qi port. In addition, as shown in FIG. 5, in the chamber (24, 26), a region between the air supply port 32 (1) and the
この減圧乾燥ユニット１４には、各部および全体の動作を制御するメインコントローラ（図示せず）が備わっている。気流制御部６０は、メインコントローラの制御の下で第１および第２の昇降機構６４，７８の昇降動作を制御する局所コントローラ（図示せず）を有してよい。
The
次に、図８〜図１２につき、この減圧乾燥ユニット１４における気流制御部６０の作用を示す。
Next, the action of the
気流制御部６０は、上記のような構成を有することにより、図の左側の第１の給気ポート３２(1)より噴出した不活性ガスの大部分がステージ３０および基板Ｇの上を通過して図の右側の排気ポート３４(3)，３４(4)に到達するように不活性ガスの気流のルートを規制する第１のモードと不活性ガスあるいは他のガスに対する上記のような気流ルートの規制を実質的に解除する第２のモードとを選択的に切り換えできるようになっている。
Since the
また、この減圧乾燥ユニット１４では、高残膜率の膜質特性を得るのに適している急進な短時間の減圧乾燥プロセスと、低残膜率の膜質特性を得るのに適している緩慢な長時間の減圧乾燥プロセスのいずれも選択的に実施可能である。どちらの減圧乾燥プロセスが選択されても、第２のモードで減圧乾燥処理を開始するのが好ましい。
Further, in this reduced-
図８Ａおよび図８Ｂに、減圧乾燥処理を開始した直後のチャンバ（２４，２６）内の状態を示す。好ましくは全ての給気ポート３２(1)〜３２(4)を閉めて、不活性ガスを導入することなく、排気システム（図４）を作動させて、全ての排気ポート３４(1)〜３４(4)を介して真空排気が行われる。図示のように、チャンバ（２４，２６）内に残留している空気、さらには基板Ｇ上のレジスト塗布膜から揮発した溶剤（シンナー）は、チャンバ四隅の排気ポート３４(1)〜３４(4)へ均一な吸引力で引き込まれ、速やかに排出される。もっとも、別の実施例として、この開始直後の真空引きの際に給気ポート３２(1)〜３２(4)を開けて不活性ガスを所定の流量で導入することも可能である。 8A and 8B show a state in the chamber (24, 26) immediately after the vacuum drying process is started. Preferably, all the air supply ports 32 (1) to 32 (4) are closed and the exhaust system (FIG. 4) is operated without introducing an inert gas, so that all the exhaust ports 34 (1) to 34 (34) are operated. Vacuum evacuation is performed via (4). As shown in the figure, the air remaining in the chambers (24, 26) and the solvent (thinner) volatilized from the resist coating film on the substrate G are exhaust ports 34 (1) to 34 (4) at the four corners of the chamber. ) With a uniform suction force and discharged quickly. However, as another embodiment, it is possible to introduce the inert gas at a predetermined flow rate by opening the supply ports 32 (1) to 32 (4) at the time of evacuation immediately after the start.
チャンバ（２４，２６）内に収容されている処理対象の基板Ｇに対して急進・短時間の減圧乾燥プロセスが選択されたときは、減圧乾燥処理が開始されてから所定時間が経過した時点、あるいはチャンバ内の圧力が設定値（たとえば約４００Ｐａ）に達した時点で、図８Ａおよび図８Ｂに示す第２のモードから図９Ａおよび図９Ｂに示す第１のモードに切り換えられる。 When a rapid and short-time reduced-pressure drying process is selected for the substrate G to be processed accommodated in the chambers (24, 26), when a predetermined time has elapsed since the start of the reduced-pressure drying process, Alternatively, when the pressure in the chamber reaches a set value (for example, about 400 Pa), the second mode shown in FIGS. 8A and 8B is switched to the first mode shown in FIGS. 9A and 9B.
この場合、気流制御部６０は、第１の昇降機構６４を作動させて、第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂをそれまでの第２の高さ位置から第１の高さ位置まで上昇移動させるとともに、第２の昇降機構７８を作動させて、第２の仕切板７６をそれまでの第４の高さ位置から第３の高さ位置まで上昇移動させる。
In this case, the
さらに、給気システム（図３）において、開閉弁４６(1)が開けられ、他の全ての開閉弁４６(2)，４６(3) ，４６(4)は閉状態に保持される。これにより、チャンバ（２４，２６）内では、第１の給気ポート３２(1)だけが不活性ガスを噴出する。他の給気ポート３２(2)，３２(3) ，３２(4)はいずれも閉じたままである。ここで、給気ポート３２(1)より供給される不活性ガスの流量が設定値（たとえば２０Ｌ（リットル）／min）になるように、流量制御弁４４(1)が調節される。 Further, in the air supply system (FIG. 3), the on-off valve 46 (1) is opened, and all the other on-off valves 46 (2), 46 (3), 46 (4) are kept closed. Thereby, in the chamber (24, 26), only the first air supply port 32 (1) ejects the inert gas. The other air supply ports 32 (2), 32 (3) and 32 (4) are all closed. Here, the flow rate control valve 44 (1) is adjusted so that the flow rate of the inert gas supplied from the air supply port 32 (1) becomes a set value (for example, 20 L (liter) / min).
一方、排気システム（図４）において、開閉弁５４(3)，５４(4)は開状態を維持し、残りの開閉弁５４(1) ，５４(2)は閉状態に切り換えられる。これにより、チャンバ（２４，２６）内では、第１の給気ポート３２(1)から見てステージ３０の反対側に位置する排気ポート３４(3)，３４(4)は排気動作を継続し、給気ポート３２(1)に近い排気ポート３４(1)，３４(2)は排気動作を休止する。ここで、給気ポート３２(1)よりチャンバ内に供給される不活性ガスの流量に応じて、チャンバ内で所定の圧力あるいは排気速度が得られるように圧力制御弁５０が調節される。
On the other hand, in the exhaust system (FIG. 4), the on-off valves 54 (3) and 54 (4) are kept open, and the remaining on-off valves 54 (1) and 54 (2) are switched to the closed state. Thereby, in the chambers (24, 26), the exhaust ports 34 (3), 34 (4) located on the opposite side of the
図９Ａおよび図９Ｂに示すように、第１のモードでは、第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂおよび第２の仕切板７６による隔壁作用または気流規制作用により、給気ポート３２(1)より噴き出した窒素ガスの殆どまたは大部分（好ましくは９０％以上）が、ステージ３０および基板Ｇの上をＸ方向に流れ（通過し）、向かい側の排気ポート３４(3)，３４(4)へ吸い込まれる。
As shown in FIGS. 9A and 9B, in the first mode, the air is blown out from the air supply port 32 (1) by the partition wall action or the air flow restriction action by the
このように、減圧乾燥処理の最中に基板Ｇの上を不活性ガスが一方向（Ｘ方向）に好ましくは層流で均一に流れることにより、基板Ｇ上のレジスト塗布膜から揮発した溶剤が気流に乗って速やかに排除され、溶剤の揮発速度が高くなり、ひいてはレジスト表面の変質（固化）が促進され、しかも基板Ｇ上で高残膜率のレジスト膜質特性が面内均一に得られる。こうして、減圧乾燥処理の所要時間は短くて（たとえば約３０秒）で済む。 As described above, the inert gas flows uniformly on the substrate G in one direction (X direction), preferably in a laminar flow, during the reduced-pressure drying process, so that the solvent volatilized from the resist coating film on the substrate G is removed. It is quickly eliminated by riding on the air stream, the volatilization rate of the solvent is increased, and the alteration (solidification) of the resist surface is promoted. Moreover, the resist film quality characteristic of a high residual film ratio on the substrate G is obtained uniformly in the surface. Thus, the time required for the vacuum drying process is short (for example, about 30 seconds).
なお、減圧乾燥処理においては、圧力や不活性ガスの流量だけでなく、基板Ｇとチャンバ天井（２６）との間の距離間隔（クリアランス）Ｈも重要なプロセスパラメータであり、このためにステージ３０の高さ位置を可変することがある。この場合は、図１０に示すように、ステージ３０の高さ位置調整に合わせて、気流制御部６０が第２の仕切板７６の第３の高さ位置を可変調整し、第１のモードでは任意のクリアランスＨに対して常に基板Ｇの下面に第２の仕切板７６の上面が接する程に近接した状態を保つようにする。これによって、給気ポート３２(1)より噴き出した不活性ガスの一部が基板Ｇの下を通過するのを十全に防止することができる。
In the vacuum drying process, not only the pressure and the flow rate of the inert gas but also the distance interval (clearance) H between the substrate G and the chamber ceiling (26) are important process parameters. The height position of may be variable. In this case, as shown in FIG. 10, the
処理対象の基板Ｇに対して緩慢・長時間の減圧乾燥プロセスが選択されたときは、減圧乾燥処理が開始されてから所定時間が経過した時点、あるいはチャンバ内の圧力が設定値（たとえば約４００Ｐａ）に達した時点で、第２のモードを維持したまま図８Ａおよび図８Ｂの状態から図１１に示すような状態に切り換えられる。 When a slow and long-time reduced-pressure drying process is selected for the substrate G to be processed, a predetermined time has elapsed after the start of the reduced-pressure drying process, or the pressure in the chamber is set to a set value (for example, about 400 Pa). ), The state shown in FIG. 8A and FIG. 8B is switched to the state shown in FIG. 11 while maintaining the second mode.
この場合、給気システム（図３）において、全ての開閉弁４６(1)，４６(2)，４６(3) ，４６(4)が開けられる。これにより、チャンバ（２４，２６）内では、全ての給気ポート３２(1)，３２(2)，３２(3) ，３２(4)が不活性ガスを噴出する。ただし、流量調整弁４４(1) ，４４(2)，４４(3) ，４４(4)が調節され、不活性ガスの供給流量は少な目（たとえば２Ｌ／min）に設定される。また、給気ポート３４(1)，３４(2)，３４(3) ，３４(4)の吐出流量を均一にするのが好ましい。 In this case, all the on-off valves 46 (1), 46 (2), 46 (3), 46 (4) are opened in the air supply system (FIG. 3). Thereby, in the chamber (24, 26), all the supply ports 32 (1), 32 (2), 32 (3), 32 (4) inject the inert gas. However, the flow rate adjusting valves 44 (1), 44 (2), 44 (3), 44 (4) are adjusted, and the supply flow rate of the inert gas is set to a small value (for example, 2 L / min). Further, it is preferable to make the discharge flow rates of the air supply ports 34 (1), 34 (2), 34 (3), and 34 (4) uniform.
一方、排気システム（図４）においては、開閉弁５４(1)，５４(2) ，５４(3) ，５４(4)をすべて開状態に維持し、全ての排気ポート３４(1) ，３４(2)，３４(3) ，３４(4)に排気を継続させる。ただし、給気ポート３２(1) ，３２(2)，３２(3) ，３２(4)より供給される不活性ガスの流量に合わせて、チャンバ内で所定の圧力が維持されるように圧力制御弁５０が調節される。また、給気ポート３２(1)，３２(2)，３２(3) ，３２(4)の吐出流量はステージ３０上の基板Ｇに対して均一にするのが好ましい。
On the other hand, in the exhaust system (FIG. 4), all the open / close valves 54 (1), 54 (2), 54 (3), 54 (4) are kept open, and all the exhaust ports 34 (1), 34 Exhaust is continued in (2), 34 (3) and 34 (4). However, the pressure is maintained so that a predetermined pressure is maintained in the chamber according to the flow rate of the inert gas supplied from the air supply ports 32 (1), 32 (2), 32 (3), 32 (4). The
このように、減圧乾燥処理中に第２のモードで全ての給気ポート３２(1)，３２(2)，３２(3) ，３２(4)が開（オン）状態でステージ３０上の基板Ｇに向けて不活性ガスを均一かつ小流量で吐出し、かつ全ての排気ポート３４(1) ，３４(2)，３４(3) ，３４(4)が開（オン）状態で排気を行うようにした場合は、チャンバ内に供給された不活性ガスの多くが基板Ｇないしステージ３０の下や周囲を流れて排気されやすく、基板Ｇの上で気流、特に一方向の気流が形成されることは殆どない。このため、基板Ｇのレジスト塗布膜より揮発した溶剤は付近に滞留しやすく、揮発速度は抑えられる。これにより、減圧乾燥によるレジスト表面の変質（固化）が緩慢になり、基板Ｇ上で低残膜率のレジスト膜質特性が面内均一に得られる。また、減圧乾燥処理の所要時間は長くなる（たとえば約６０秒）。
In this way, the substrate on the
なお、緩慢・長時間の減圧乾燥プロセスが選択されたときの別の実施例として、減圧乾燥処理を開始してから所定時間が経過した後、あるいはチャンバ内の圧力が設定値に達した後は、給気ポート３２(1) ，３２(2)，３２(3) ，３２(4)の全部を閉（オフ）状態に保持したまま、排気ポート３４(1) ，３４(2)，３４(3) ，３４(4)の全部を用いて排気動作を継続することも可能である。この場合は、基板Ｇのレジスト塗布膜より揮発した溶剤が主な排気ガスになる。 As another example when a slow and long-time vacuum drying process is selected, after a predetermined time has elapsed since the vacuum drying process started, or after the pressure in the chamber reaches a set value. , The exhaust ports 34 (1), 32 (2), 32 (2), 32 (3), 32 (4) are kept closed (off) while the exhaust ports 34 (1), 34 (2), 34 ( It is also possible to continue the exhaust operation using all of 3) and 34 (4). In this case, the solvent volatilized from the resist coating film on the substrate G becomes the main exhaust gas.
この減圧乾燥ユニット１４において、減圧乾燥処理を終了させるときは、図１２に示すように、第２のモードが選択され、全ての給気ポート３２(1)，３２(2)，３２(3) ，３２(4)が開（オン）状態で不活性ガスを大流量で吐出すると同時に、全ての排気ポート３４(1) ，３４(2)，３４(3) ，３４(4)が開（オン）状態でいったん高速排気（パージング）を行い、次いで排気ポート３４(1) ，３４(2)，３４(3) ，３４(4)が全部閉じられる。これにより、チャンバ（２４，２６）内の雰囲気が減圧状態から大気圧状態に切り換り、上部チャンバ２４の開操作（チャンバ解放）が可能となる。
In this
上記のように、この実施形態において、急進・短時間の減圧乾燥プロセスが選択された場合は、減圧乾燥処理の開始直後の真空引きおよび減圧乾燥処理の終了時のパージングでは、第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂをそれぞれ第２の高さ位置および第４の高さ位置に退避させる第２のモードを選択し、全ての給気ポート３２(1) ，３２(2)，３２(3) ，３２(4)を用いて不活性ガスをチャンバ内に供給し、全ての排気ポート３４(1) ，３４(2)，３４(3) ，３４(4)を用いてチャンバ内を排気できるので、このタイプの減圧乾燥プロセスを一層効率よく行い、処理時間の一層の短縮化も図れる。 As described above, in this embodiment, when the rapid / short-time reduced-pressure drying process is selected, the first partition plate is used for evacuation immediately after the start of the reduced-pressure drying process and purging at the end of the reduced-pressure drying process. The second mode in which 62A and 62B are retracted to the second height position and the fourth height position, respectively, is selected, and all the air supply ports 32 (1), 32 (2), 32 (3), 32 are selected. (4) can be used to supply an inert gas into the chamber and exhaust the chamber using all the exhaust ports 34 (1), 34 (2), 34 (3), 34 (4). The vacuum drying process of the type can be performed more efficiently, and the processing time can be further shortened.
もっとも、別の手順として、効率は多少低下するが、減圧乾燥処理の開始から終了まで、第２のモードを一切選択せずに、第１のモードを保持することも可能である。その場合でも、各段階に応じて不活性ガスの流量および排気速度を切り換える必要はある。 However, as another procedure, although the efficiency is somewhat reduced, it is also possible to maintain the first mode without selecting the second mode from the start to the end of the vacuum drying process. Even in that case, it is necessary to switch the flow rate of the inert gas and the exhaust speed according to each stage.
また、減圧乾燥処理を開始してから所定時間が経過し、あるいはチャンバ内の圧力が設定値に達してから減圧乾燥処理を終了するまでの間に、第１のモードによる不活性ガス使用の減圧乾燥（図９Ａ、図９Ｂ）と第２のモードによる不活性ガス使用の減圧乾燥（図１１）とを順次または交互に切り換えることも可能である。 In addition, the decompression of the use of the inert gas in the first mode is performed after a predetermined time has elapsed from the start of the decompression drying process, or until the decompression drying process is terminated after the pressure in the chamber reaches the set value. It is also possible to switch between drying (FIGS. 9A and 9B) and vacuum drying using an inert gas in the second mode (FIG. 11) sequentially or alternately.
以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種種の変形または変更が可能である。 The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications or changes can be made within the scope of the technical idea.
たとえば、図１３Ａおよび図１３Ｂに示すように、基板Ｇを載置するステージ３０' が基板Ｇの下の空間を下部チャンバ２４の底面まで埋めるようなブロック構造を有してもよい。このようなステージ構造においては、下部チャンバ２４の底壁およびステージ３０' を下から貫通して昇降可能なリフトピン１００と昇降アクチエータ１０２とを有するリフト機構１０４が、ステージ上で基板Ｇを上げ下げして基板のローディング／アンローディングを行う。
For example, as shown in FIGS. 13A and 13B, the
この場合、第１のモードでは、給気ポート３２(1)より噴き出される不活性ガスに対して，ブロック構造のステージ３０' が基板Ｇの下の通過を阻止して、第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂとの協働により基板Ｇの上に一方向（Ｘ方向）の気流を形成する機能を奏する。したがって、第２の仕切板７６をステージ３０' で代用することができる。
In this case, in the first mode, the
もっとも、上記のようなクリアランスＨの可変調整のために、減圧乾燥処理中に基板Ｇをステージ３０' の上面から上に離す場合は、図示省略するが、上記実施形態と同様に第２の仕切板７６を備える構成が好ましい。
Of course, in order to variably adjust the clearance H as described above, when the substrate G is separated upward from the upper surface of the
また、排気システムに関しては、図１４Ａおよび図１４Ｂに示すように、ステージ３０の下に１つまたは複数の排気ポート１０６を設ける構成も可能である。この場合、第１のモードでは、給気ポート３２(1)より噴き出した不活性ガスの殆どまたは大部分がステージ３０および基板Ｇの上を一方向（Ｘ方向）に流れ、基板Ｇの反対側（図の右側）の端を過ぎてから基板Ｇおよびステーシ３０の下に回り（潜り）込んで排気ポート１０６に吸い込まれる。
As for the exhaust system, as shown in FIGS. 14A and 14B, a configuration in which one or a plurality of
また、上述した実施形態では、第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂおよび第２の仕切板７６を第１の昇降機構６４および第２の昇降機構７８により昇降移動させるので、チャンバ（２４，２６）を閉めている間でもモード切り換えを行うことができる。別の実施形態として、モード切り換えのために第１の仕切板６２Ａ，６２Ｂおよび／または第２の仕切板７６を手動で着脱可能にチャンバ内に取付または装着する構成も可能である。
In the embodiment described above, the
チャンバ自体の構造や形状はもちろん、チャンバ内外の各部、特にステージ、給気ポート、排気ポートの構造、個数、配置位置等も、上述した実施形態のものに限らず、種種の変形が可能である。 The structure and shape of the chamber itself, as well as the internal and external parts of the chamber, particularly the structure, number, and position of the stage, air supply port, and exhaust port, are not limited to those of the above-described embodiment, and various modifications are possible. .
本発明における被処理基板はＬＣＤ用のガラス基板に限るものではなく、他のフラットパネルディスプレイ用基板や、半導体ウエハ、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。減圧乾燥処理対象の塗布液もレジスト液に限らず、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の処理液も可能である。 The substrate to be processed in the present invention is not limited to a glass substrate for LCD, and other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, photomasks, printed substrates and the like are also possible. The coating liquid to be dried under reduced pressure is not limited to a resist liquid, and for example, a processing liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, or a wiring material is also possible.
Claims (19)
基板を出し入れ可能に収容する減圧可能なチャンバと、
前記チャンバ内で基板を載置する載置部と、
水平な第１の方向において前記チャンバ内の前記載置部の片側に設けられる第１の給気ポートを有し、前記第１の給気ポートを介して前記チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記チャンバ内で前記第１の給気ポートと前記載置部との間の第１の領域を除く第２の領域に設けられる排気ポートを有し、前記排気ポートを介して前記チャンバ内を真空排気する排気部と、
前記第１の給気ポートより噴出した不活性ガスの多くが前記載置部の上を通過して前記排気ポートに到達するように不活性ガスの気流のルートを規制する第１のモードと不活性ガスに対する前記気流ルートの規制を実質的に解除する第２のモードとの間で切り換え可能な気流制御部と
を有する減圧乾燥装置。 A vacuum drying apparatus for drying a coating liquid film formed on a substrate to be processed in a vacuum state,
A depressurizable chamber for receiving and retracting a substrate;
A placement section for placing a substrate in the chamber;
A first supply port provided on one side of the mounting portion in the chamber in the first horizontal direction, and supplying an inert gas into the chamber through the first supply port; An inert gas supply,
An exhaust port provided in a second region excluding the first region between the first air supply port and the mounting portion in the chamber, and the chamber is evacuated through the exhaust port; An exhaust section for exhausting;
In the first mode, the inert gas flow route is restricted so that most of the inert gas ejected from the first air supply port passes over the mounting portion and reaches the exhaust port. A reduced-pressure drying apparatus comprising: an airflow control unit that is switchable between a second mode that substantially releases the restriction of the airflow route with respect to the active gas.
前記第１の方向と直交する水平な第２の方向において前記チャンバの側壁の内側で前記載置部の両側に配置される第１の仕切板と
前記第１の仕切板を、前記第１のモード用の第１の高さ位置と、前記第２のモード用の第２の高さ位置との間で昇降移動させる第１の昇降機構と
を有する、請求項１に記載の減圧乾燥装置。 The airflow control unit
A first partition plate disposed on both sides of the mounting portion inside the side wall of the chamber in a horizontal second direction orthogonal to the first direction, and the first partition plate, The reduced pressure drying apparatus according to claim 1, further comprising: a first lifting mechanism that moves up and down between a first height position for a mode and a second height position for the second mode.
前記載置部の少なくとも前記第１の給気ポートと対向する側の傍らに配置された第２の仕切板と、
前記第２の仕切板を、前記第１のモード用の第３の高さ位置と前記第２のモード用の第４の高さ位置との間で昇降移動させる第２の昇降機構と
を有する、請求項２〜４のいずれか一項に記載の減圧乾燥装置。 The airflow control unit
A second partition plate disposed on the side of the mounting portion on the side facing at least the first air supply port;
A second elevating mechanism that moves the second partition plate up and down between a third height position for the first mode and a fourth height position for the second mode. The vacuum drying apparatus according to any one of claims 2 to 4.
前記第１の給気ポートより噴出した不活性ガスの多くが前記載置部の上を通過して前記排気ポートに到達するように不活性ガスの気流のルートを規制する第１のモードと、不活性ガスに対する前記気流ルートの規制を実質的に解除する第２のモードとを選択的に切り換える減圧乾燥方法。 A depressurizable chamber for accommodating the substrate in a removable manner; a placement portion for placing the substrate in the chamber; and a first portion provided on one side of the placement portion in the chamber in a horizontal first direction. An inert gas supply unit that has an air supply port and supplies an inert gas into the chamber through the first air supply port, and the first air supply port and the placement unit in the chamber A vacuum drying apparatus having an exhaust port provided in a second region excluding the first region between and an exhaust unit that evacuates the chamber through the exhaust port. A vacuum drying method for drying a coating liquid film formed on a substrate in a vacuum state,
A first mode that regulates the route of the flow of inert gas so that most of the inert gas ejected from the first air supply port passes over the mounting portion and reaches the exhaust port; A reduced-pressure drying method that selectively switches between a second mode that substantially releases the restriction of the air flow route with respect to the inert gas.
前記第１の仕切板の高さ位置を、前記第１のモード用の第１の高さ位置と、前記第２のモード用の第２の高さ位置との間で切り換える、
請求項１２に記載の減圧乾燥方法。 Using a first partition plate disposed on both sides of the mounting portion inside the side wall of the chamber in a horizontal second direction orthogonal to the first direction;
Switching the height position of the first partition plate between a first height position for the first mode and a second height position for the second mode;
The reduced-pressure drying method according to claim 12.
前記第２の仕切板の高さ位置を、前記第１のモード用の第３の高さ位置と前記第２のモード用の第４の高さ位置との間で切り換える、
請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の減圧乾燥方法。 Using a second partition plate disposed on the side of the mounting portion on the side facing at least the first air supply port;
Switching the height position of the second partition plate between a third height position for the first mode and a fourth height position for the second mode;
The reduced-pressure drying method according to any one of claims 12 to 14.
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