KR101509830B1 - Decompression drier and decompression dry method - Google Patents

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Abstract

피처리기판상의 도포막에 대한 감압건조처리를 급속히 실시하는 프로세스와 완만하게 실시하는 프로세스와의 선택적인 변경을 가능하게 한다.
이 감압 건조 유닛(214)에 있어서, 기류 제어부(260)는, Y방향에서 하부 챔버(224)의 서로 대향하는 측벽(224(2), 224(4))의 내측으로 스테이지(230)의 양측에 배치되는 제1 칸막이 판(262A, 262B)과. 이 제1 칸막이 판(262A, 262B)을 제1 높이 위치와 제2 높이 위치와의 사이에서 승강 이동시키는 제1 승강기구(264)를 가지고 있다. 또한 기류 제어부(260)는, 스테이지(230)의 주위 또는 옆에 배치되는 횡단면 ㄷ자형의 제2 칸막이 판(276)과, 이 제2 칸막이 판(276)을 제3 높이 위치와 제4 높이 위치와의 사이에서 승강 이동시키는 제2 승강기구(278)를 가지고 있다.It is possible to selectively change the process of rapidly performing the reduced-pressure drying process on the coated film on the processed substrate and the process to be performed slowly.
In the reduced-pressure drying unit 214, the airflow control unit 260 controls the airflow control unit 260 to move in the Y direction to the inside of the side walls 224 (2) and 224 (4) of the lower chamber 224, And first partition plates 262A and 262B disposed in the first partition plate 262A. And a first elevating mechanism 264 for moving the first partition plates 262A and 262B between the first height position and the second height position. The airflow control unit 260 includes a second partition plate 276 of a C-shaped cross section arranged around or at the side of the stage 230 and a second partition plate 276 which is disposed at a third height position and a fourth height position And a second elevating mechanism 278 for moving the elevating mechanism 278 up and down.

Description

감압건조장치 및 감압건조방법{DECOMPRESSION DRIER AND DECOMPRESSION DRY METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a vacuum drying apparatus and a vacuum drying method,

본 발명은, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막(도포막)에 대하여 감압 상태로 건조 처리를 가하는 감압건조장치 및 감압건조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a reduced pressure drying apparatus and a reduced pressure drying method for applying a drying treatment to a film (coating film) of a coating liquid formed on a substrate to be treated on a substrate to be treated under reduced pressure.

예를 들면 FPD(플랫·패널·디스플레이)의 제조에 있어서는, 유리 기판 등의 피처리기판에 소정의 막을 성막 한 후, 처리액인 포토레지스트(이하, 레지스트라고 부른다)를 도포하여 레지스트막을 형성하고, 회로 패턴에 대응하여 레지스트막을 노광하고, 이것을 현상 처리하는, 이른바 포토리소그래피 공정에 의해 회로 패턴을 형성하고 있다.For example, in the manufacture of a flat panel display (FPD), a predetermined film is formed on a substrate to be processed such as a glass substrate, and then a photoresist (hereinafter, referred to as a resist) A circuit pattern is formed by a so-called photolithography process in which a resist film is exposed in correspondence with a circuit pattern and subjected to development processing.

이러한 FPD 제조의 포토리소그래피 공정에 있어서는, 유리 기판 등의 피처리기판 상에 도포한 레지스트액의 도포막을 프리베이킹에 앞서 적당히 건조시키기 위해서 감압건조장치가 이용되고 있다.In the photolithography process of FPD manufacture, a vacuum drying apparatus is used to appropriately dry a coated film of a resist solution applied onto a substrate such as a glass substrate prior to pre-baking.

종래의 대표적인 감압건조장치(50)는, 예를 들어 특허문헌 1에 기재되는 바와 같이, 상면이 개구되어 있는 트레이 또는 바닥이 낮은 용기형태의 하부 챔버(51)와, 이 하부 챔버의 상면에 기밀하게 밀착 또는 끼워맞춤 가능하게 구성된 덮개 형상의 상부 챔버(52)를 가지고 있다. 하부 챔버 안에는 스테이지(53)가 배치되어 있으며, 이 스테이지상에 고정 핀(54)을 통하여 기판(G)을 수평으로 재치하고 나서, 챔버를 닫아(상부 챔버를 하부 챔버에 밀착시켜) 감압건조처리를 실시한다(도 23 참조).As shown in, for example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2000-328701, a typical conventional vacuum drying apparatus 50 is provided with a lower chamber 51 in the form of a tray or a bottomed container having an opened upper surface, Like upper chamber 52 configured to be closely contactable or fittable. The stage 53 is placed in the lower chamber and the substrate G is placed horizontally on the stage via the fixing pin 54. The chamber is closed (the upper chamber is brought into close contact with the lower chamber) (See Fig. 23).

이런 종류의 감압건조처리에서는, 하부 챔버의 바닥에 마련한 배기구(55)를 통해서 외부의 진공 펌프에 의해 챔버 안의 진공 배기를 실시한다. 이 진공 배기에 의해, 챔버 안의 압력이 지금까지의 대기압 상태로부터 감압 상태로 바뀌어, 이 감압 상태하에서 기판상의 레지스트 도포막으로부터 용제(시너)가 증발하고, 레지스트 도포막의 표면에 변질층(단단한 층)이 형성된다. 그리고, 감압 건조를 개시하고 나서 일정시간이 경과한 시점에서, 혹은 설정압력에 도달한 시점에서, 감압건조처리를 종료시킨다. 이를 위해, 하부 챔버 안의 구석에 마련된 퍼지 포토보다 불활성 가스(예를 들어 질소 가스 혹은 에어)를 분출 또는 확산 방출시켜서, 챔버 안의 압력을 대기압에 되돌린다. 이 후, 상부 챔버를 들어올리고 챔버를 열어 기판을 반출한다.In this kind of vacuum drying process, vacuum exhaust in the chamber is performed by an external vacuum pump through an exhaust port 55 provided at the bottom of the lower chamber. The pressure in the chamber is changed from the atmospheric pressure state to the reduced pressure state by the vacuum evacuation so that the solvent (thinner) is evaporated from the resist coating film on the substrate under the reduced pressure state, and a denatured layer (hard layer) . Then, at the time when a predetermined time has elapsed after the decompression drying is started, or when the set pressure is reached, the decompression drying process is terminated. To this end, the pressure in the chamber is returned to the atmospheric pressure by ejecting or diffusing an inert gas (for example, nitrogen gas or air) over the purge port provided in the lower chamber. Thereafter, the upper chamber is lifted and the chamber is opened to remove the substrate.

일본 공개특허 2000-181079 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2000-181079

그런데, 근년에 있어서는, FPD등에 이용되는 유리 기판이 대형화하고, 감압건조처리 유닛에 있어서도, 유리 기판을 수용하는 챔버가 대형화하고 있다.In recent years, however, the size of a glass substrate used for an FPD or the like has increased, and a chamber for accommodating a glass substrate has also become larger in a reduced-pressure drying processing unit.

이 때문에, 챔버 안의 용적이 증가하고, 소정압까지의 감압에 시간을 필요로 하고 있었다. 또, 기판상에 도포된 레지스트액의 양이 증가하기 때문에, 기판 전체면에 걸쳐 균일하게 레지스트액이 건조할 때까지 장시간을 필요로 하며, 생산 효율이 저하된다고 하는 과제가 있었다.For this reason, the volume in the chamber increases, and it takes time to decompress to a predetermined pressure. In addition, since the amount of the resist solution applied onto the substrate increases, it takes a long time until the resist solution uniformly spreads over the entire surface of the substrate, and the production efficiency is lowered.

이러한 과제에 대해, 본원 출원인은, 챔버 안에 정류(整流) 부재를 설치함으로써, 기판 상면 부근에 한 방향으로 흐르는 기류를 형성하여, 기판 처리면에 대한 건조처리를 보다 단시간에 실시할 수 있는 감압건조장치 및 감압건조방법을 제안하고 있다(일본 특허출원 2009-172834).To solve this problem, the applicant of the present application has proposed a method in which a rectifying member is provided in a chamber to form an airflow flowing in one direction in the vicinity of the upper surface of the substrate and to perform drying under reduced pressure Device and a reduced-pressure drying method (Japanese Patent Application No. 2009-172834).

그러나, 레지스트액의 종류, 막두께 등의 처리 조건에 의해서, 건조 시간이나 건조 얼룩의 발생 상황이 다르기 때문에, 1개의 챔버에서 복수 종류의 처리 조건을 실행하는 경우, 모든 기판에 있어서 반드시 단시간에 양호한 막 형성을 할 수 있는 것은 아니었다.However, since the drying time and the occurrence state of the drying unevenness vary depending on the processing conditions such as the type of the resist solution and the film thickness, when a plurality of kinds of processing conditions are executed in one chamber, It was not possible to form a film.

즉, 처리 조건이 다른 기판의 전부에 대해, 양호한 막 형성(건조처리)을 실시하려면, 적어도 처리 조건에 따라 챔버 안에 배치하는 기판의 높이를 바꿀 필요가 있지만, 기판의 높이를 바꾸어도 동일한 정류 부재로 모든 처리 조건에 대응하기에는 불충분했다.That is, in order to perform a good film formation (drying treatment) on all of the substrates having different processing conditions, it is necessary to change the height of the substrate placed in the chamber according to at least the processing conditions. However, It was insufficient to cope with all treatment conditions.

구체적인 예를 들면, 레지스트액의 종류나 막두께에 따라서는, 챔버 안에 있어서 기판 하방의 공간이 좁은 경우에, 레지스트막에 기판 하방의 부재에 의한 전사 흔적이 생기기 쉽다.For example, depending on the type and thickness of the resist solution, if the space under the substrate is narrow in the chamber, the resist film tends to have transfer marks caused by members below the substrate.

그러한 전사 흔적의 발생을 방지하기 위해서, 챔버 안에서의 기판의위치를 높게 하여, 챔버 바닥면으로부터 떨어뜨려 놓는 것이 바람직하다.In order to prevent the occurrence of such transfer marks, it is preferable to raise the position of the substrate in the chamber so as to be separated from the bottom surface of the chamber.

그러나, 기판을 챔버 바닥면으로부터 떨어뜨려놓으면, 챔버 안에 설치된 정류 부재가 충분히 기능하지 않고, 기판의 뒤편에 빈틈이 생겨 기판상에 충분한 기류를 형성하지 못하고, 단시간에 건조처리를 실시할 수 없었다. 또한, 기판의 뒤편 (기판과 정류 부재와의 빈틈)을 지나는 기류에 의해서, 레지스트막에 건조얼룩이 생기기 쉽다고 하는 문제가 있었다.However, when the substrate is separated from the bottom surface of the chamber, the rectifying member provided in the chamber does not sufficiently function, and there is a gap on the back of the substrate, so that sufficient airflow can not be formed on the substrate and the drying process can not be performed in a short time. In addition, there has been a problem that drying unevenness tends to occur in the resist film due to an air stream passing through the rear side of the substrate (a gap between the substrate and the rectifying member).

또한, 레지스트 패턴의 잔막율(殘膜率)과 패턴 단면 형상 및 선폭과의 사이에는 상관관계가 있으며, 잔막율이 높을수록 레지스트 패턴의 어깨부가 부풀고 선폭은 좁아지고, 잔막율이 낮을수록 레지스트 패턴의 어깨부가 떨어지고 선폭은 역테이퍼 형상으로 넓어진다. 통상, 디바이스의 미세화에는 잔막율이 높은 전자의 패턴 특성이 바람직하지만, 다층 배선 구조에서 배선을 교차시킬 때는 잔막율이 낮은 후자의 패턴 특성이 선호되기도 한다. 따라서, 디바이스의 사양 등에 따라 잔막율이 높은 감압건조처리 혹은 잔막율이 낮은 감압건조처리 중 한쪽이 선택된다. 어느 쪽이 선택되어도, 감압건조처리 후의 레지스트 도포막이 원하는 막질 특성을 면내 균일하게 띠는 장치 성능을 구할 수 있다.There is a correlation between the residual film ratio of the resist pattern and the cross-sectional shape of the pattern and the line width. The higher the residual film ratio, the swollen shoulders of the resist pattern become narrower and the line width becomes narrower. And the line width is widened to a reverse taper shape. Normally, pattern characteristics of electrons having a high residual film ratio are preferable for miniaturization of devices. However, in crossing wirings in a multilayer wiring structure, the latter pattern characteristic having a low film residual rate is preferred. Therefore, either the vacuum drying process with a high residual film ratio or the vacuum drying process with a low residual film rate is selected according to the specifications of the device and the like. Whichever is selected, device performance can be obtained in which the resist film after vacuum drying treatment has a uniform film quality characteristic in the plane.

본 발명은, 상기한 바와 같은 사정 하에 이루어진 것으로, 처리액이 도포된 피처리기판에 대하여 상기 처리액의 건조처리를 실시하고, 도포막을 형성하는 감압건조장치로서, 처리 조건이 다른 복수의 피처리기판에 대해, 각각 처리액의 건조 시간을 단축하고, 한편 양호한 막 형성을 실시할 수 있는 감압건조장치 및 감압건조방법을 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been accomplished under the circumstances as described above, and it is an object of the present invention to provide a vacuum drying apparatus for performing a drying treatment of a treatment liquid on a substrate to which a treatment liquid has been applied and forming a coating film, A reduced-pressure drying apparatus and a reduced-pressure drying method which can shorten a drying time of a treatment liquid and can form a good film on a substrate, respectively, are provided.

또한, 본 발명은, 피처리기판상의 도포막에 대한 감압건조처리를 급속히 실시하는 프로세스와, 완만하게 실시하는 프로세스 중 선택적인 변환을 가능하게 하고, 또한 어느 쪽의 프로세스라도 원하는 막질 특성이 기판상에 면내 균일하게 얻어지도록 하는 감압건조장치 및 감압건조방법을 제공한다.It is another object of the present invention to provide a process for rapidly performing a reduced pressure drying process on a coating film on a substrate to be processed and a process for smoothly performing a selective conversion, In the in-plane uniformity, and a reduced-pressure drying method.

상기 한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 관한 감압건조장치는, 처리액이 도포된 피처리기판에 대해 상기 처리액의 감압건조처리를 실시하여, 도포막을 형성하는 감압건조장치로서, 피처리기판을 수용하며, 처리공간을 형성하는 챔버와, 상기 챔버 안에 설치되어 상기 피처리기판을 유지하는 유지부와, 상기 유지부를 승강 이동시키는 제1 승강수단과, 상기 유지부의 하방에 설치된 기류 제어부와, 상기 기류 제어부를 승강 이동시키는 제2 승강수단과, 상기 챔버 안에 형성된 배기구와, 상기 배기구로부터 챔버 안의 분위기를 배기하는 배기수단을 구비한다.In order to solve the above problems, a reduced-pressure drying apparatus according to the present invention is a reduced-pressure drying apparatus for forming a coating film by subjecting a substrate to which a treatment liquid has been applied to a reduced-pressure drying treatment of the treatment liquid, A first elevating means for elevating and lowering the holding portion, an air flow control portion provided below the holding portion, and an air flow control portion provided below the holding portion, A second elevating means for elevating and lowering the airflow control portion, an exhaust port formed in the chamber, and an exhaust means for exhausting the atmosphere in the chamber from the exhaust port.

이러한 구성에 의하면, 감압건조처리 동안에, 피처리기판을 유지하는 유지부의 높이, 및, 기류 제어부의 높이를 변화시킴으로써, 챔버 안에 형성되는 기류를 제어할 수 있다.According to this configuration, the air flow formed in the chamber can be controlled by changing the height of the holding portion for holding the substrate to be processed and the height of the airflow control portion during the reduced-pressure drying process.

이것에 의해, 피처리기판에 의해서 레지스트액의 종류나 막두께 등의 처리 조건이 달라도, 각 처리 조건에 따른 매우 적합한 건조처리를 할 수 있어, 레지스트액의 건조 시간을 단축하고, 한편 양호한 막 형성을 실시할 수 있다.This makes it possible to perform a drying process that is very suitable for each process condition, and to shorten the drying time of the resist solution, while satisfying good film formation Can be performed.

또한, 본 발명의 감압건조장치는, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막을 감압 상태에서 건조시키기 위한 감압건조장치로서, 기판을 출납 가능하게 수용하는 감압 가능한 챔버와, 상기 챔버 안에서 기판을 얹어놓는 유지부와, 수평의 제1 방향에서 상기 챔버 안의 상기 유지부의 한쪽 편에 설치된 제1 급기 포트를 가지며, 상기 제1 급기 포트를 통하여 상기 챔버 안에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부와, 상기 챔버 안에서 상기 제1 급기 포트와 상기 유지부와의 사이의 제1 영역을 제외한 제2 영역에 설치된 배기 포트를 가지며, 상기 배기 포트를 통하여 상기 챔버 안을 진공 배기하는 배기부와, 상기 제1 급기 포트로부터 분출된 불활성 가스의 대부분이 상기 유지부 및 기판 위를 통과하여 상기 배기 포트에 도달하도록 불활성 가스의 기류의 루트를 규제하는 제1 모드와 불활성 가스에 대한 상기 기류 루트의 규제를 실질적으로 해제하는 제2 모드와의 사이에서 변환 가능한 기류 제어부를 가진다.The reduced-pressure drying apparatus of the present invention is a reduced-pressure drying apparatus for drying a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed in a reduced pressure state, the apparatus comprising: a decompressible chamber accommodating a substrate in a removable manner; An inert gas supply part having a first air supply port provided in one side of the holding part in the chamber in a first horizontal direction and supplying an inert gas into the chamber through the first air supply port, An exhaust port having an exhaust port provided in a second region excluding a first region between the first air supply port and the holding portion and exhausting the inside of the chamber through the exhaust port; Most of the inert gas passes through the holding portion and the substrate to reach the exhaust port, And a second mode for substantially canceling regulation of the airflow route with respect to the inert gas.

또한, 본 발명에 관한 감압건조방법은, 상기 감압건조장치에 있어서, 처리액이 도포된 피처리기판에 대해 상기 처리액의 감압건조처리를 실시하여, 도포막을 형성하는 감압건조방법으로서, 상기 유지부에 피처리기판을 유지하는 스텝과, 상기 제1 승강수단에 의해 상기 유지부를 상승시켜, 상기 유지부에 유지된 상기 피처리기판을 상기 챔버의 천정부에 근접시키는 스텝과, 상기 배기수단에 의해 상기 챔버 안의 처리공간을 감압하는 스텝과, 소정 시간 경과후에, 상기 제2 승강수단에 의해 상기 기류 제어부를 상승 이동시켜, 상기 유지부에 유지된 피처리기판에 상기 기류 제어부를 근접시키는 스텝을 실행한다.The reduced-pressure drying method according to the present invention is a reduced-pressure drying method for forming a coated film by subjecting a substrate to which a treatment liquid is applied to a reduced-pressure drying treatment of the treatment liquid, A step of raising the holding portion by the first elevating means to cause the substrate held by the holding portion to approach the ceiling portion of the chamber by the first elevating means; A step of reducing the processing space in the chamber and a step of moving the air flow control section up by the second elevating means after a lapse of a predetermined time to bring the air flow control section close to the target substrate held by the holding section do.

또한, 본 발명에 관한 감압건조방법은, 상기 감압건조장치에 있어서, 처리액이 도포된 피처리기판에 대해 상기 처리액의 감압건조처리를 실시하여, 도포막을 형성하는 감압건조방법으로서, 상기 유지부에 피처리기판을 유지하는 스텝과. 상기 제1 승강수단에 의해 상기 유지부를 하강 이동시켜, 상기 피처리기판을 상기 기류 제어부에 근접시키는 스텝과, 상기 배기수단에 의해 상기 챔버 안의 처리공간을 감압하는 스텝과, 소정 시간 경과후에, 상기 피처리기판을 유지하는 상기 유지부와 상기 정류 부재를, 서로의 거리를 유지한 상태에서, 상기 제1 승강수단 및 제2 승강수단에 의해 상승 이동시켜, 챔버 안의 소정 위치에서 정지시키는 스텝을 실행한다.The reduced-pressure drying method according to the present invention is a reduced-pressure drying method for forming a coated film by subjecting a substrate to which a treatment liquid is applied to a reduced-pressure drying treatment of the treatment liquid, A step of holding the substrate to be processed; A step of lowering the holding unit by the first elevating unit to bring the substrate to be processed close to the airflow control unit; a step of depressurizing the processing space in the chamber by the exhausting unit; The step of causing the holding unit holding the substrate to be processed and the rectifying member to move up by the first elevating means and the second elevating means while keeping the distance therebetween to stop at a predetermined position in the chamber is executed do.

또한, 본 발명에 관한 감압건조방법은, 상기 감압건조장치에 있어서, 처리액이 도포된 피처리기판에 대해 상기 처리액의 감압건조처리를 실시하여, 도포막을 형성하는 감압건조방법으로서, 상기 유지부에 피처리기판을 유지하는 스텝과, 상기 제1 승강수단에 의해 상기 유지부를 상승시켜, 상기 유지부에 유지된 상기 피처리기판을 상기 챔버의 천정부에 근접시키는 스텝과, 상기 배기수단에 의해 상기 챔버 안의 처리공간을 감압하는 스텝과, 소정 시간 경과후에, 상기 제2 승강수단에 의해 상기 기류 제어부를 상승 이동시켜, 상기 유지부에 유지된 피처리기판에 상기 기류 제어부를 근접시킴과 동시에, 상기 급기수단에 의해 상기 챔버 안에 불활성 가스를 급기 하는 스텝을 실행한다.The reduced-pressure drying method according to the present invention is a reduced-pressure drying method for forming a coated film by subjecting a substrate to which a treatment liquid is applied to a reduced-pressure drying treatment of the treatment liquid, A step of raising the holding portion by the first elevating means to cause the substrate held by the holding portion to approach the ceiling portion of the chamber by the first elevating means; The air flow control section is moved up by the second elevating means to expose the air flow control section to the target substrate held by the holding section, And supplying the inert gas into the chamber by the supply means.

또한, 본 발명에 관한 감압건조방법은, 상기 감압건조장치에 있어서, 처리액이 도포된 피처리기판에 대해 상기 처리액의 감압건조처리를 실시하여, 도포막을 형성하는 감압건조방법으로서, 상기 유지부에 피처리기판을 유지하는 스텝과, 상기 배기수단에 의해 상기 챔버 안의 처리공간을 감압하는 스텝과, 소정 시간 경과후에, 상기 제1 승강수단에 의해 상기 유지부를 하강 이동시켜, 상기 피처리기판을 상기 기류 제어부에 근접시킴과 동시에, 상기 급기수단에 의해 상기 챔버 안에 불활성 가스를 급기하는 스텝과, 소정 시간 경과후에, 상기 피처리기판을 유지하는 유지부와 상기 유지부를, 서로의 거리를 유지한 상태에서, 상기 제1 승강수단 및 제2 승강수단에 의해 상승 이동시켜, 챔버 안의 소정 위치에서 정지시키는 스텝을 실행한다.The reduced-pressure drying method according to the present invention is a reduced-pressure drying method for forming a coated film by subjecting a substrate to which a treatment liquid is applied to a reduced-pressure drying treatment of the treatment liquid, A step of holding the substrate to be processed in the chamber by the exhaust means; a step of depressurizing the processing space in the chamber by the exhaust means; and a step of moving the holding portion downward by the first elevating means after a lapse of a predetermined time, And supplying the inert gas into the chamber by the supply unit; and a step of maintaining the distance between the holding unit holding the substrate to be processed and the holding unit after a lapse of a predetermined period of time A step of moving up by the first elevating means and the second elevating means and stopping at a predetermined position in the chamber is executed.

또한, 본 발명에 관한 감압건조방법은, 상기 감압건조장치에 있어서, 처리액이 도포된 피처리기판에 대해 상기 처리액의 감압건조처리를 실시하여, 도포막을 형성하는 감압건조방법으로서, 상기 유지부에 피처리기판을 유지하는 스텝과, 상기 제1 승강수단에 의해 상기 유지부를 하강 이동시켜, 상기 피처리기판을 상기 기류 제어부에 근접시키는 스텝과, 상기 배기수단에 의해 상기 챔버 안의 처리공간을 감압하는 스텝과, 상기 급기수단에 의해 상기 챔버 안에 불활성 가스를 급기하는 스텝과, 소정 시간 경과후에, 상기 피처리기판을 유지하는 상기 유지부와 상기 정류 부재를, 서로의 거리를 유지한 상태에서, 상기 제1 승강수단 및 제2 승강수단에 의해 상승 이동시켜, 챔버 안의 소정 위치에서 정지시키는 스텝을 실행한다.The reduced-pressure drying method according to the present invention is a reduced-pressure drying method for forming a coated film by subjecting a substrate to which a treatment liquid is applied to a reduced-pressure drying treatment of the treatment liquid, A step of holding the substrate to be processed in the chamber by moving the holding portion downward by the first elevating means to bring the substrate to be processed close to the airflow control portion; A step of supplying the inert gas into the chamber by the supply means; and a step of supplying inert gas into the chamber by the supply means, after the predetermined time has elapsed, the holding portion holding the substrate to be processed and the flow- , The step of moving up by the first elevating means and the second elevating means and stopping at a predetermined position in the chamber is executed.

이러한 방법을 실시함으로써, 피처리기판에 의해서 레지스트액의 종류나 막두께 등의 처리 조건이 달라도, 각 처리 조건에 따른 매우 적합한 건조처리를 할 수 있어, 레지스트액의 건조 시간을 단축하고, 한편 양호한 막 형성을 실시할 수 있다.By carrying out such a method, even if the treatment conditions such as the kind and the film thickness of the resist solution are different depending on the substrate to be treated, highly suitable drying treatment can be carried out according to each treatment condition to shorten the drying time of the resist solution, Film formation can be performed.

또한, 본 발명의 감압건조방법은, 기판을 출납 가능하게 수용하는 감압 가능한 챔버와, 상기 챔버 안에서 기판을 얹어놓는 유지부와, 수평인 제1 방향에서 상기 챔버 안의 상기 유지부의 한쪽 편에 설치되는 제1 급기 포트를 가지며, 상기 제1 급기 포트를 통하여 상기 챔버 안에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부와, 상기 장내에서 상기 제1 급기 포트와 상기 유지부와의 사이의 제1 영역을 제외한 제2 영역에 설치되는 배기 포트를 가지며, 상기 배기 포트를 통하여 상기 챔버 안을 진공 배기하는 배기부를 가지는 감압건조장치를 이용하여, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막을 감압 상태에서 건조시키기 위한 감압건조방법으로서, 상기 제1 급기 포트로부터 분출된 불활성 가스의 대부분이 상기 유지부의 위를 통과하여 상기 배기 포트에 도달하도록 불활성 가스의 기류의 루트를 규제하는 제1 모드와, 불활성 가스에 대한 상기 기류 루트의 규제를 실질적으로 해제하는 제2 모드를 선택적으로 변환한다.The reduced-pressure drying method of the present invention is a reduced-pressure drying method comprising: a depressurizable chamber accommodating a substrate in a removable manner; a holding portion for holding a substrate in the chamber; An inert gas supply unit having a first supply port and supplying an inert gas into the chamber through the first supply port and a second gas supply unit for supplying a second gas supply to the second supply port, A vacuum drying method for drying a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed on a substrate under reduced pressure by using a vacuum drying apparatus having an exhaust port provided in a region and an exhaust section for evacuating the chamber through the exhaust port, Most of the inert gas ejected from the first air supply port passes over the holding portion and reaches the exhaust port To a second mode in which substantially releases the regulation of the air flow route of the first mode and the inert gas for regulating the route of an inert gas stream is selectively converted to.

본 발명에 의하면, 기류 제어부가 제1 모드를 선택했을 때는, 감압건조처리중에 제1 급기 포트로부터 챔버 안에 공급된 불활성 가스중 많은 부분(바람직하게는 대부분)이 기판 위에서 한 방향으로 흐르고, 기판상의 도포막으로부터 휘발되는 용제가 신속하게 불활성 가스의 기류에 옮겨지기 때문에, 감압 건조가 촉진되어 급속·단시간의 감압건조처리가 가능하고, 게다가 기판상의 도포막의 막질 특성에 대한 급속 감압 건조의 효과를 면내 균일하게 얻을 수 있다.According to the present invention, when the air flow control section selects the first mode, a large part (preferably, most of) of the inert gas supplied into the chamber from the first supply port during the reduced pressure drying process flows in one direction on the substrate, Since the solvent volatilized from the coating film is quickly transferred to the stream of the inert gas, the reduced-pressure drying is accelerated, and the rapid and short-time depressurized drying process can be performed. Furthermore, the effect of rapid decompression drying on the film- Can be obtained uniformly.

또한, 기류 제어부가 제2 모드를 선택했을 때는, 챔버 안에서, 특히 유지부 및 기판 주위에, 불활성 가스의 기류에 규제가 걸리지 않기 때문에, 감압건조처리의 개시 직후의 진공 유도나 감압건조처리 종료시의 퍼징을 효율적으로 실시할 수 있을 뿐만 아니라, 감압건조처리중에 기판상에 한 방향의 기류를 형성하지 않고 챔버 안에 불활성 가스를 공급하는 것도 가능하다. 이것에 의해서, 완만·장시간의 감압 건조 프로세스도 안정·양호하게 실시 가능하고, 기판상의 도포막의 막질 특성에 대한 완만 감압 건조의 효과를 면내 균일하게 얻을 수 있다.Further, when the airflow control section selects the second mode, since the airflow of the inert gas is not restricted in the chamber, particularly around the holding section and the substrate, the vacuum induction immediately after the start of the reduced- Not only purging can be efficiently carried out but also inert gas can be supplied into the chamber without forming air flow in one direction on the substrate during the reduced pressure drying process. This makes it possible to stably and satisfactorily perform a slow and long-time depressurized drying process, and to obtain the effect of gradual depressurization drying on the surface uniformly with respect to the film quality characteristics of the coated film on the substrate.

본 발명에 의하면, 처리액이 도포된 피처리기판에 대해 상기 처리액의 건조처리를 실시하여, 도포막을 형성하는 감압건조장치로서, 처리 조건이 다른 복수의 피처리기판에 대해, 각각 처리액의 건조 시간을 단축하고, 한편 양호한 막 형성을 실시할 수 있는 감압건조장치 및 감압건조방법을 얻을 수 있다. According to the present invention, there is provided a reduced-pressure drying apparatus for forming a coating film by subjecting a substrate to which a treatment liquid has been applied to the treatment liquid to a treatment of the plurality of substrates to be treated, It is possible to obtain a reduced pressure drying apparatus and a reduced pressure drying method which can shorten the drying time and can form a satisfactory film.

또한, 본 발명에 의하면, 피처리기판상의 도포막에 대한 감압건조처리를 급속히 실시하는 프로세스와 완만하게 실시하는 프로세스와의 선택적인 변환을 가능하게 하고, 또한 어느 쪽의 감압 건조 프로세스에서도 기판상에 원하는 막질 특성을 면내 균일하게 얻을 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to perform selective conversion between the process of rapidly performing the reduced-pressure drying process on the coated film on the substrate to be processed and the process to be performed gently, and further, Desired film properties can be uniformly obtained in the plane.

[도 1] 본 발명에 관한 감압건조장치를 구비하는 도포 장치의 전체 구성을 나타내 보이는 평면도이다.
[도 2] 도 1의 도포 장치의 측면도이다.
[도 3] 본 발명에 관한 감압건조장치의 일실시 형태의 평면도이다.
[도 4] 도 3의 A-A선 단면도이다.
[도 5] 도 3의 B-B선 단면도이다.
[도 6] 본 발명에 관한 감압건조장치의 동작의 흐름을 나타내는 플로우이다.
[도 7]본 발명에 관한 감압건조장치의 상태 천이를 설명하기 위한 단면도이다.
[도 8] 본 발명에 관한 감압건조장치의 상태 천이를 설명하기 위한 단면도이다.
[도 9] 하나의 실시형태에 있어서의 FPD 제조용 레지스트 도포장치의 구성을 나타내는 일부 분해 측면도이다.
[도 10] 상기 레지스트 도포장치의 구성을 나타내는 평면도이다.
[도 11] 실시형태의 레지스트 도포 유닛에 있어서의 급기 시스템의 하나의 구성예를 나타내는 도면이다.
[도 12] 실시형태의 레지스트 도포 유닛에 있어서의 배기 시스템의 하나의 구성예를 나타내는 도면이다.
[도 13] 실시형태의 레지스트 도포 유닛에 있어서의 챔버 내부의 구성을 나타내는 일부 단면 평면도이다.
[도 14a] 기류 제어부에서 제1 모드를 선택하고 있을 때의 도 13의 I-I선에 대한 종단면도이다.
[도 14b] 기류 제어부에서 제2 모드를 선택하고 있을 때의 도 13의 I-I선에 대한 종단면도이다.
[도 15a] 기류 제어부에서 제1 모드를 선택하고 있을 때의 도 13의 Ⅱ-Ⅱ선에 대한 종단면도이다.
[도 15b] 기류 제어부에서 제2 모드를 선택하고 있을 때의 도 13의 Ⅱ-Ⅱ선에 대한 종단면도이다.
[도 16a] 감압건조처리의 개시 직후의 챔버 안의 각부 및 기류 상태를 나타내는 평면도이다.
[도 16b] 감압건조처리의 개시 직후의 챔버 안의 각부 및 기류 상태를 나타내는 종단면도이다.
[도 17a] 감압건조처리중에 제1 모드를 선택했을 경우의 챔버 안의 각부 및 기류 상태를 나타내는 평면도이다.
[도 17b] 감압건조처리중에 제1 모드를 선택했을 경우의 챔버 안의 각부 및 기류 상태를 나타내는 종단면도이다.
[도 18] 기판상의 클리어런스 조정에 대한 기류 제어부의 대응을 나타내는 종단면도이다.
[도 19] 감압건조처리중에 제2 모드로 챔버 안에 불활성 가스를 공급하는 경우를 선택했을 때의 각부 및 기류 상태를 나타내는 평면도이다.
[도 20] 감압건조처리의 종료시에 챔버 안을 불활성 가스로 퍼징할 때의 각부 및 기류 상태를 나타내는 종단면도이다.
[도 21a] 블록 구조의 스테이지와 리프트 핀을 이용하는 실시형태의 장치 구성 및 작용을 나타내는 하나의 종단면도이다.
[도 21b] 블록 구조의 스테이지와 리프트 핀을 이용하는 실시형태의 장치 구성 및 작용을 나타내는 다른 종단면도이다.
[도 22a] 스테이지의 아래에 배기 포트를 마련하는 실시형태의 장치 구성을 나타내는 평면도이다.
[도 22b] 스테이지의 아래에 배기 포트를 마련하는 실시형태의 장치 구성 및 작용을 나타내는 종단면도이다.
[도 23] 종래의 감압 건조 유닛의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a plan view showing the entire configuration of a coating apparatus provided with a vacuum drying apparatus according to the present invention.
2 is a side view of the coating device of Fig. 1; Fig.
3 is a plan view of an embodiment of the reduced pressure drying apparatus according to the present invention.
4 is a sectional view taken along the line AA in Fig. 3;
5 is a sectional view taken along line BB of Fig. 3;
6 is a flow chart showing the flow of operation of the reduced pressure drying apparatus according to the present invention.
7 is a cross-sectional view for explaining a state transition of the reduced pressure drying apparatus according to the present invention.
8 is a cross-sectional view for explaining a state transition of the reduced-pressure drying apparatus according to the present invention.
9 is a partially exploded side view showing a configuration of a resist coating apparatus for manufacturing an FPD in one embodiment.
10 is a plan view showing a configuration of the resist coating device.
[Fig. 11] Fig. 11 is a diagram showing one configuration example of an air supply system in the resist coating unit according to the embodiment.
12 is a view showing an example of the structure of an exhaust system in the resist coating unit according to the embodiment.
13 is a partial cross-sectional plan view showing a configuration inside the chamber of the resist coating unit according to the embodiment.
14A is a longitudinal sectional view taken along the line II in Fig. 13 when the airflow control unit is selecting the first mode. Fig.
14B is a longitudinal sectional view taken along the line II in Fig. 13 when the airflow control unit is selecting the second mode. Fig.
15A is a longitudinal sectional view taken along the line II-II in FIG. 13 when the airflow control unit is selecting the first mode. FIG.
15B is a longitudinal sectional view taken along the line II-II in FIG. 13 when the airflow control unit is selecting the second mode. FIG.
Fig. 16a is a plan view showing each part in the chamber immediately after the initiation of the reduced-pressure drying treatment and the air flow state. Fig.
FIG. 16B is a longitudinal sectional view showing the state of each part and airflow in the chamber immediately after the initiation of the reduced-pressure drying treatment;
17A is a plan view showing each part in the chamber and the airflow state when the first mode is selected during the reduced-pressure drying process.
FIG. 17B is a longitudinal sectional view showing the inside of the chamber and the airflow state when the first mode is selected during the reduced-pressure drying process; FIG.
18 is a vertical cross-sectional view showing the correspondence of the air flow control unit to the adjustment of the clearance on the substrate.
19 is a plan view showing angles and airflow conditions when a case where an inert gas is supplied into the chamber in the second mode during the reduced pressure drying process is selected;
20 is a longitudinal sectional view showing each part and air flow state when the chamber is purged with an inert gas at the end of the reduced pressure drying treatment;
Fig. 21A is a longitudinal sectional view showing the structure and operation of the device using the block structure stage and the lift pin; Fig.
Fig. 21B is another longitudinal sectional view showing the structure and operation of the apparatus in the embodiment using the block structure stage and the lift pin. Fig.
[Fig. 22a] Fig. 22a is a plan view showing the configuration of an embodiment in which an exhaust port is provided below the stage.
22B] Fig. 22B is a longitudinal sectional view showing an apparatus configuration and an operation of an embodiment in which an exhaust port is provided below the stage.
23 is a cross-sectional view showing a schematic structure of a conventional reduced-pressure drying unit;

이하, 본 발명에 관한 제1 실시의 형태에 대해, 도 1 내지 도 5에 기초하여 설명한다. 본 발명의 감압건조장치는, 포토리소그래피 공정에있어서 피처리기판에 레지스트막을 형성하는 도포 장치 내의 감압 건조 유닛에 적용할 수 있다.A first embodiment of the present invention will be described below with reference to Figs. 1 to 5. Fig. The reduced-pressure drying apparatus of the present invention can be applied to a reduced-pressure drying unit in a coating apparatus for forming a resist film on a substrate to be processed in a photolithography process.

도 1, 도 2에 도시하는 바와 같이, 도포 장치(100)는, 지지대(110) 위에, 노즐(122)을 가지는 레지스트 도포 유닛(112)과, 감압 건조 유닛(114)이 처리 공정의 순서에 따라 옆에 일렬로 배치되어 있다. 지지대(110)의 양측에는 한 쌍의 가이드 레일(116)이 부설되고, 이 가이드 레일(116)을 따라 평행 이동하는 1조의 반송 아암(118)에 의해, 기판(G)이 레지스트 도포 유닛(112)으로부터 감압 건조 유닛(114)으로 반송될 수 있도록 되어 있다.1 and 2, the coating apparatus 100 includes a resist coating unit 112 having a nozzle 122 and a reduced-pressure drying unit 114 on a support base 110 in the order of processing steps They are arranged in line next to each other. A pair of guide rails 116 are laid on both sides of the support base 110 and the substrate G is supported by a resist coating unit 112 To the reduced-pressure drying unit 114. [0053]

상기 레지스트 도포 유닛(112)은, 상기 한 바와 같이 노즐(122)을 가지며, 이 노즐(112)은 지지대(110)상에 고정된 게이트(120)로부터 매달린 상태로 고정되고 있다. 이 노즐(112)에는 레지스트액 공급 수단(도시하지 않음)으로부터 처리액인 레지스트액(R)이 공급되어 반송 아암(118)에 의해서 게이트(120) 아래를 통과 이동하는 기판(G)의 일단으로부터 타단에 걸쳐 레지스트액(R)을 도포하도록 되고 있다.The resist coating unit 112 has a nozzle 122 as described above and the nozzle 112 is fixed in a suspended state from the gate 120 fixed on the support 110. A resist liquid R as a treatment liquid is supplied from the resist liquid supply means (not shown) to the nozzle 112 and is supplied to the nozzle 112 from one end of the substrate G moving past the gate 120 by the transfer arm 118 And the resist solution R is applied over the other end.

또한, 감압 건조 유닛(114)는, 상면이 개구되어 있는 바닥이 낮은 용기형상의 하부 챔버(124)와, 이 하부 챔버(124)의 상면에 기밀에 밀착 가능하게 구성된 덮개 형상의 상부 챔버(126)를 가지고 있다.The reduced-pressure drying unit 114 includes a lower chamber-shaped lower chamber 124 having an open top and an upper chamber 126 in the form of a lid which is hermetically tightly mounted on the upper surface of the lower chamber 124 ).

도 1, 도 3에 도시하는 바와 같이 하부 챔버(124)는 대략 사각형으로, 중심부에는 기판(G)을 수평으로 얹어놓아 흡착 유지하기 위한 판 형상의 스테이지 (130)(유지부)가 배치되어 있다. 상기 상부 챔버(126)는, 상부 챔버 이동수단(128)에 의해서 상기 스테이지(130)의 상방에 자유롭게 승강하도록 배치되어 있고, 감압건조처리 시에는 상부 챔버(126)가 하강하여 하부 챔버(124)로 밀착해 닫아 스테이지(130)상에 얹어놓여진 기판(G)을 처리공간에 수용한 상태가 된다.As shown in Figs. 1 and 3, the lower chamber 124 has a substantially rectangular shape, and a plate-shaped stage 130 (holding portion) for horizontally placing and holding the substrate G horizontally is disposed at the center portion . The upper chamber 126 is arranged to move up and down freely above the stage 130 by the upper chamber moving means 128. In the reduced pressure drying process, the upper chamber 126 is lowered to the lower chamber 124, And the substrate G placed on the stage 130 is accommodated in the processing space.

한편, 도 4, 5에 도시하는 바와 같이, 상기 스테이지(130)는, 예를 들면 모터를 구동원으로 하는 볼 나사 기구로 되는 승강장치(194)(제1 승강수단)에 의해서 승강 이동 가능하게 되어 있다.On the other hand, as shown in Figs. 4 and 5, the stage 130 can be moved up and down by a lifting device 194 (first lifting device) that is a ball screw mechanism using, for example, a motor as a driving source have.

또한, 도 3, 도 4에 도시하는 바와 같이, 기판(G)의 측방에는, 배기구(134)가 설치되어 있다. 보다 구체적으로는, 배기구(134)는, 하부 챔버(124)의 바닥면의 한 변 부근의 2개소에 설치되고 있다. 각 배기구(134)에는, 각각 배기관(152)이 접속되고, 각 배기관(152)은 진공 펌프(148)(배기수단)에 통하고 있다. 그리고, 하부 챔버(124)에 상기 상부 챔버(126)를 씌운 상태에서, 챔버 안의 처리공간을 상기 진공 펌프(148)에 의해 소정의 진공도까지 감압할 수 있게 되어 있다.3 and 4, an exhaust port 134 is provided on the side of the substrate G. [ More specifically, the exhaust port 134 is provided at two positions near one side of the bottom surface of the lower chamber 124. An exhaust pipe 152 is connected to each exhaust port 134 and each exhaust pipe 152 is connected to a vacuum pump 148 (exhaust means). The lower chamber 124 is covered with the upper chamber 126, so that the processing space in the chamber can be reduced to a predetermined degree of vacuum by the vacuum pump 148.

또한, 챔버 안에 있어서, 기판(G)을 사이에 두고, 상기 배기구(134)와 반대측의 기판측방에는, 급기구(132)가 설치되어 있다. 이 급기구(132)는, 도 3, 도 4에 도시하는 바와 같이, 대략 사각형의 하부 챔버(124)의 바닥면에서, 상기 배기구 (134)가 설치된 한 변과 서로 대향하는 다른 변 부근에 설치되어 있다. 이 급기구 (132)로부터 챔버 안에 불활성 가스(예를 들면 질소 가스)가 공급되며, 챔버 내 분위기가 퍼지 된다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 급기구(132)에 접속된 급기관(142)은, 불활성 가스 공급부(136)(급기수단)에 접속되어 있다.In the chamber, a feed mechanism 132 is provided on the side of the substrate opposite to the above-described exhaust port 134 with the substrate G therebetween. As shown in Figs. 3 and 4, the air supply mechanism 132 is installed on the bottom surface of the substantially rectangular lower chamber 124 near one side where the exhaust port 134 is provided, . An inert gas (for example, nitrogen gas) is supplied into the chamber from the air supply mechanism 132, and the atmosphere in the chamber is purged. As shown in Fig. 4, the air supply tube 142 connected to the air supply mechanism 132 is connected to the inert gas supply unit 136 (air supply means).

상기 급기구(132)로부터의 불활성 가스의 공급은, 챔버 내 기압이 소정치(예를 들면 400Pa 이하)에 이르렀을 때, 혹은, 챔버 안이 감압 개시되고 나서 소정 시간의 경과후에 개시된다. 이것은, 감압에 의해 유량이 감소하는 챔버 안의 기류를 유지하고, 감압건조처리의 시간 단축에 기여시키기 위함이다.The supply of the inert gas from the air supply mechanism 132 is started when the atmospheric pressure in the chamber reaches a predetermined value (for example, 400 Pa or less) or after a lapse of a predetermined time after the inside of the chamber is started to be decompressed. This is to maintain the air flow in the chamber where the flow rate is reduced by the depressurization, and to contribute to the shortening of the time of the reduced pressure drying treatment.

한편, 감압건조처리 동안, 항상 안정된 기류를 유지하기 위해서, 불활성 가스의 공급 개시는, 챔버 안의 감압 개시 전, 혹은 동시에 행하여도 좋다.On the other hand, in order to always maintain a stable air flow during the reduced-pressure drying process, the start of the supply of the inert gas may be performed before or simultaneously with the start of the decompression in the chamber.

또한, 급기구(132)측의 기판(G)의 가장자리부 하방에는, 기류 제어부로서 블록 부재(160)가 배치된다. 또한, 급기구(132)와 배기구(134)와의 사이로서, 기판 (G)의 좌우 양측의 가장자리부 하방에는, 기류 제어부로서 각각 블록 부재(161)가 배치되는 구성과 이루어지고 있다.A block member 160 is disposed as an air flow control unit below the edge of the substrate G on the side of the air supply mechanism 132. A block member 161 is disposed between the air supply mechanism 132 and the exhaust port 134 as air flow control units below the edge portions on both the left and right sides of the board G. [

이들 블록 부재(160, 161)는, 도 4, 도 5에 도시하는 바와 같이, 그 대부분이 하부 챔버(124)의 바닥면에 형성된 수용구(124a)에 수용 가능하게 되어 있다.As shown in Figs. 4 and 5, most of these block members 160 and 161 can be accommodated in the receiving port 124a formed on the bottom surface of the lower chamber 124. As shown in Fig.

또한, 이들 블록 부재(160, 161)는, 예를 들면 모터를 구동원으로 하는 볼 나사 기구로 이루어지는 승강장치(164)(제2 승강수단)에 의해서 승강 이동 가능하게 되어 있다.The block members 160 and 161 are movable up and down by an elevating device 164 (second elevating means) comprising a ball screw mechanism using, for example, a motor as a driving source.

즉, 블록 부재(160, 161)는, 승강장치(164)에 의해서 승강 이동되며, 챔버 안의 공간에 배치됨으로서, 기류 제어부(정류수단)로서 기능을 하도록 되어 있다.That is, the block members 160 and 161 are lifted and lowered by the lifting device 164 and arranged in a space in the chamber to function as an airflow control unit (rectifying means).

한편, 이와 같이 기류 제어부로서의 블록 부재(160, 161)는 별개 몸체이더라도 좋고, 혹은 일체(ㄷ의 자형)에 설치되어도 좋다.On the other hand, the block members 160 and 161 as the airflow control unit may be separate bodies or may be integrally formed with each other.

게다가, 상기 블록 부재(160, 161)의 좌우 양측에는, 기판(G)의 좌우 측방에 벽을 형성하고, 기판 측방으로의 불활성 가스의 흐름을 억제하기 위한 사이드 바 부재(162)가 각각 설치되어 있다.Side bar members 162 for preventing the flow of the inert gas to the side of the substrate are provided respectively on the left and right sides of the board G on both left and right sides of the block members 160 and 161 have.

이 사이드 바 부재(162)는, 예를 들면, 도시된 바와 같이 판 형상에 형성되고, 그 상단면이 상부 챔버(126)에 접하도록 설치되며, 기판(G)의 좌우 측방의 공간을 차단하도록 된다. 혹은, 사이드 바 부재(162)는, 그 상단면이 상부 챔버(126)에 접하지 않게 설치되어, 기판(G)의 좌우 측방의 공간을 차단하도록 되어도 좋다.The side bar member 162 is formed, for example, in the shape of a plate as shown in the figure, and the upper surface thereof is provided so as to be in contact with the upper chamber 126, do. Alternatively, the upper side surface of the side bar member 162 may be provided so as not to contact the upper chamber 126 to block the spaces on the left and right sides of the substrate G.

또한, 사이드 바 부재(162)는, 판 형상으로 한정되지 않고, 기판(G)의 좌우 측방의 공간을 메꾸는 형상으로 설치되어도 좋다.In addition, the side bar member 162 is not limited to a plate shape, but may be provided in a shape that meets a space on the right and left sides of the board G. [

또한, 이 사이드 바 부재(162)의 기류 방향의 길이는, 기판(G)상에 기류를 형성하기 쉽게 하기 위해서, 적어도 기판(G)의 좌우 측변의 길이보다 길게 형성되지만, 도 3, 도 4에 도시하는 바와 같이, 그 단부(162a)(특히 배기구(134)측)는, 챔버 내벽(124b)에 접하지 않게 설치되어도 좋다. 이 경우에도, 기판(G)의 좌우 측방의 공간의 일부가 차단된 상태가 되어, 기판 측방으로의 불활성 가스의 흐름을 충분히 억제할 수 있다.The length of the side bar member 162 in the airflow direction is longer than the length of left and right sides of the substrate G in order to facilitate formation of airflow on the substrate G. However, The end 162a (particularly the side of the exhaust port 134) may be provided so as not to be in contact with the chamber inner wall 124b. Even in this case, a part of the space on the left and right sides of the substrate G is blocked, and the flow of the inert gas to the side of the substrate can be sufficiently suppressed.

또한, 도시하는 예에 한정하지 않고, 각 사이드 바 부재(162)를, 그 양단부가 서로 대향하는 챔버 내벽에 접하는 길이로 형성하여, 기판(G)의 좌우 측방의 공간을 전부 차단하는(메꾸는) 구성이어도 좋다.The side bar members 162 are formed to have a length in contact with the inner wall of the chamber opposite to each other so as to completely block the spaces on the left and right sides of the substrate G ).

계속하여, 이와 같이 구성된 도포 장치(100)의 동작에 대해 도 6, 도 7에 기초하여 설명한다.Next, the operation of the coating apparatus 100 constructed as above will be described with reference to Figs. 6 and 7. Fig.

먼저, 기판(G)이 반입되어 반송 아암(118)상에 얹어놓으면, 반송 아암(118)은 레일(116)상을 이동하여, 레지스트 도포 유닛(112)의 게이트(120) 아래를 통과 이동한다. 그 때, 게이트(120)에 고정된 노즐(122)에서는, 그 아래를 이동하는 기판(G)에 대해 레지스트액(R)이 토출되어, 기판(G)의 한 변으로부터 다른 변을 향하여 레지스트액(R)이 도포된다(도 6의 스텝 S1).First, when the substrate G is loaded and placed on the transfer arm 118, the transfer arm 118 moves on the rail 116 and passes under the gate 120 of the resist coating unit 112 . At this time, in the nozzle 122 fixed to the gate 120, the resist solution R is discharged onto the substrate G moving below the nozzle 122, and the resist solution R is discharged from one side of the substrate G toward the other side, (R) is applied (step S1 in Fig. 6).

한편, 레지스트액이 기판(G)의 전체면에 걸쳐 도포된 시점(도포 종료 위치)에서는, 기판(G)은 감압 건조 유닛(114)의 상부 챔버(126)의 아래에 위치하는 상태가 된다.On the other hand, at the time when the resist solution is applied over the entire surface of the substrate G (the coating end position), the substrate G is placed under the upper chamber 126 of the vacuum drying unit 114.

이어서, 기판(G)은 감압 건조 유닛(114)의 스테이지(130)에 얹어놓여지고, 그 상방으로부터 상부 챔버 이동수단(128)에 의해 하강 이동하는 상부 챔버(126)에 의해서 덮인다. 그리고 기판(G)은, 하부 챔버(124)에 대해서 상부 챔버(126)을 닫아서 형성된 처리공간내에 수용된다(도 6의 스텝 S2).Subsequently, the substrate G is placed on the stage 130 of the reduced-pressure drying unit 114 and covered by the upper chamber 126 moving downward by the upper chamber moving means 128 from above. The substrate G is accommodated in the processing space formed by closing the upper chamber 126 with respect to the lower chamber 124 (step S2 in Fig. 6).

상기 상부 챔버(126)에 의해서 하부 챔버(124)가 닫혀지면, 도 7(a)에 도시하는 바와 같이, 스테이지(130)는, 승강장치(194)의 구동에 의해 챔버 안의 상방 위치까지 상승 이동하고, 기판(G)이 챔버 천정부에 근접한 상태로 정지한다(도 6의 스텝 S3). 이 때, 블록 부재(160, 161)는, 하부 챔버(124)의 바닥부에 접하는 상태가 된다.7A, when the lower chamber 124 is closed by the upper chamber 126, the stage 130 moves up to an upper position in the chamber by driving of the lifting device 194, , And the substrate G is stopped in the state of being close to the chamber ceiling portion (step S3 in Fig. 6). At this time, the block members 160 and 161 come into contact with the bottom of the lower chamber 124.

이 상태에서 진공 펌프(148)가 작동되어, 배기구(134)로부터 배기관(152)를 통하여 처리공간내의 공기가 흡인되고, 처리공간의 기압이 소정의 진공 상태가 될 때까지 감압된다(도 6의 스텝 S4).In this state, the vacuum pump 148 is operated so that air in the processing space is sucked from the exhaust port 134 through the exhaust pipe 152, and is depressurized until the atmospheric pressure of the processing space becomes a predetermined vacuum state Step S4).

여기서, 기판(G)의 상면은 챔버 천정부에 근접하고 있고, 기판(G)의 상면에는 거의 분위기의 흐름이 생기지 않는 상태가 된다. 이에 따라, 기판(G)에 성막된 레지스트액(R)은 감압에 의한 자연 건조(예비 건조)가 실시되고, 전사 흔적, 오톨도톨함, 튀어나옴 등의 발생이 억제된다.Here, the upper surface of the substrate G is close to the chamber ceiling portion, and almost no atmosphere flows on the upper surface of the substrate G. [ As a result, the resist solution R formed on the substrate G is naturally dried (pre-dried) by decompression, and the occurrence of transfer marks, drossing, protrusion, and the like are suppressed.

챔버 안의 기압이 소정치(예를 들면 400Pa 이하)에 이르거나, 혹은, 감압 개시부터 소정 시간이 경과하면(도 6의 스텝 S5), 스테이지(130) 및 블록 부재(160, 161)는, 필요에 따라서 상승 또는 하강 이동되며, 챔버 안의 소정 위치에서 정지한다.When the pressure in the chamber reaches a predetermined value (for example, 400 Pa or less) or a predetermined time has elapsed from the start of the pressure reduction (step S5 in Fig. 6), the stage 130 and the block members 160 and 161 And is stopped at a predetermined position in the chamber.

여기서, 챔버 안에서의 기판(G)의 높이 위치는, 레지스트액의 종류나 막두께, 건조 시간 등의 처리 조건에 기초하여 결정되지만, 적어도 블록 부재(160, 161)는, 기판(G)의 가장자리부 하방에서, 기판(G)에 근접한 상태가 된다(도 6의 스텝 S6).Here, the height position of the substrate G in the chamber is determined based on processing conditions such as the kind of the resist solution, the film thickness, and the drying time, but at least the block members 160, The substrate G is brought into a state close to the substrate G (step S6 in Fig. 6).

도 7(b)에 나타내는 예에 있어서는, 이 스텝 S6에서, 스테이지(130)의 위치는 변화하지 않고, 승강장치(194)에 의해 블록 부재(160, 161)만이 상승하고, 정지 상태의 기판(G)의 아래에 근접하여 배치된다.In the example shown in Fig. 7 (b), in this step S6, the position of the stage 130 does not change and only the block members 160 and 161 rise by the elevating device 194, G).

또한, 불활성 가스 공급부(136)가 구동되어 급기구(132)로부터 소정 유량의 불활성 가스가 챔버 안에 공급되어, 본 건조처리가 개시된다(도 6의 스텝 S7). 한편, 이 불활성 가스를 챔버 안에 공급 개시하는 타이밍은, 상기와 같이 스텝 S6에 있어서의 스테이지(130) 및 블록 부재(160, 161)의 승강 이동 후에 한정하지 않고, 승강 이동 전이더라도 좋다. 혹은, 스테이지(130) 및 블록 부재(160, 161)가 승강 이동하는 도중에불활성 가스를 공급 개시하여도 좋다.Further, the inert gas supply unit 136 is driven, and a predetermined flow rate of inert gas is supplied from the air supply mechanism 132 into the chamber to start the main drying process (step S7 in Fig. 6). On the other hand, the timing for starting supply of the inert gas into the chamber is not limited after the elevation movement of the stage 130 and the block members 160, 161 in step S6 as described above, but may be before the elevation movement. Alternatively, the inert gas may be supplied during the lifting and moving of the stage 130 and the block members 160 and 161.

여기서, 기판(G)의 측방에는 사이드 바 부재(162)가 설치되어 있기 때문에, 기판(G)의 측방의 빈틈은 대부분 없는 상태가 되고 있다. 또한, 기판(G)의 하방에는 블록 부재(160, 161)가 근접해서 설치되어 있기 때문에, 블록 부재(20)의 측면이, 급기구(132)로부터 공급된 불활성 가스를 기판(G)의 상방으로 이끄는 기류 제어부로서 기능한다.Here, since the side bar member 162 is provided on the side of the substrate G, most of the gaps on the side of the substrate G are not present. Since the block members 160 and 161 are disposed close to the lower portion of the substrate G, the side surface of the block member 20 is positioned above the upper surface of the substrate G, As shown in Fig.

그 때문에, 급기구(132)로부터 공급된 불활성 가스는, 기판 상방을 한 방향으로 흐르는 기류를 형성하고, 또한 배기구(134)로부터 배기된다.Therefore, the inert gas supplied from the air supply mechanism 132 forms an airflow that flows in one direction above the substrate, and is also exhausted from the exhaust port 134.

이것에 의해, 기판 상면에 도포되어 있는 레지스트액(R)의 건조 속도가 향상되고, 단시간에 감압건조처리를 행할 수 있는 동시에, 건조 얼룩이 생기지 않고 건조 상태가 양호하게 된다.As a result, the drying speed of the resist solution R applied to the upper surface of the substrate is improved, and the reduced pressure drying process can be performed in a short time, and the drying state is improved without drying unevenness.

이 본 건조처리에 있어서, 소정 시간의 경과에 의해 감압건조처리가 종료하면(도 6의 스텝 S8), 상부 챔버 이동수단(128)에 의해 상부 챔버(126)가 상승 이동되고, 기판(G)은 감압 건조 유닛(114)으로부터 다음의 처리 공정을 향해 반출된다.6), the upper chamber 126 is moved upward by the upper chamber moving means 128, and the substrate G is moved upward by the upper chamber moving means 128. At this time, Is discharged from the reduced-pressure drying unit 114 toward the next processing step.

한편, 상기 도 6의 플로우에서는, 본 건조처리때, 블록 부재(160, 161)가 승강장치(164)에 의해 상승하고, 기판(G)(스테이지(130))의 하방에 근접하는 상태가 되어, 기판 상면에 기류를 형성하는 것으로 했지만, 본 발명에 있어서는, 그 형태로 한정되는 것은 아니다.6, the block members 160 and 161 are lifted by the elevating device 164 and are in a state of being close to the lower side of the substrate G (stage 130) , The air flow is formed on the upper surface of the substrate, but the present invention is not limited thereto.

즉, 스테이지(130) 및 블록 부재(160, 161)를, 레지스트액(R)의 종류나 막두께 등의 처리 조건에 의해서, 각각에 적절한 높이 위치에 이동 배치함으로써, 챔버 안에 형성되는 기류를 제어할 수 있다. 구체적인 예를 들면, 본 건조처리의 도중에, 기판 상면을 흐르는 기류의 양을 변화시키고 싶은 경우에는, 예를 들면, 다음의 스텝을 밟는 것으로 실현할 수 있다.That is, the stage 130 and the block members 160 and 161 are moved and arranged at appropriate height positions according to processing conditions such as the type and the thickness of the resist liquid R, thereby controlling the airflow formed in the chamber can do. Specifically, for example, when it is desired to change the amount of the airflow flowing on the upper surface of the substrate in the middle of the main drying process, the following steps can be implemented, for example.

한편, 기판(G)을 챔버 천정부에 근접시킨 상태에서 감압 건조를 실시하는 예비 건조의 스텝은, 처리 조건에 따라서는 반드시 필요하지 않기 때문에, 이하의 설명에서는 상기 예비 건조의 스텝은 생략한다.On the other hand, the preliminary drying step of performing the reduced-pressure drying in a state in which the substrate G is brought close to the chamber ceiling portion is not necessarily required depending on the processing conditions, and therefore, the preliminary drying step is omitted in the following description.

레지스트액이 도포된 기판(G)이 감압 건조 유닛(114)의 스테이지(130)에 얹어놓이면, 상부 챔버(126)에 의해서 처리공간이 닫혀진다. 또한, 기판(G)을 유지한 스테이지(130)는 하강 이동된다.When the substrate G coated with the resist solution is placed on the stage 130 of the vacuum drying unit 114, the processing space is closed by the upper chamber 126. Further, the stage 130 holding the substrate G is moved downward.

도 8(a)에 도시하는 바와 같이, 블록 부재(160, 161)는, 수용구(124a)에 수용된 상태로, 스테이지(130)에 유지된 기판(G)의 둘레가장자리부에, 블록 부재 (160, 161)의 상단이 근접하는 상태가 된다.8 (a), the block members 160 and 161 are provided on the periphery of the substrate G held by the stage 130 while being accommodated in the receiving port 124a, 160, and 161 are close to each other.

또한, 배기구(134)로부터 처리공간내의 공기가 흡인되며, 처리공간의 기압이 소정의 진공 상태가 될 때까지 감압된다. 한편, 이 감압 개시의 타이밍은, 챔버가 닫혀진 후, 상기와 같이, 스테이지(130)가 하강 이동되기 전, 후, 혹은 이동 중 어떤 것이라도 좋다.Further, the air in the processing space is sucked from the exhaust port 134, and the pressure in the processing space is reduced until a predetermined vacuum state is obtained. On the other hand, the timing of the decompression start may be any of before, after, or after the stage 130 is moved down, as described above, after the chamber is closed.

또한, 챔버 안에는, 급기구(132)로부터 불활성 가스가 공급된다. 여기서, 도시 하는 바와 같이 기판 상방에는 넓은 공간이 형성되어 있기 때문에, 기판 상면 부근에는 한 방향으로 다량의 불활성 가스가 흐르는 상태로 되며, 본 건조처리가 개시된다.Further, inert gas is supplied from the air supply mechanism 132 into the chamber. Here, as shown in the drawing, since a large space is formed above the substrate, a large amount of inert gas flows in one direction in the vicinity of the upper surface of the substrate, and the main drying process is started.

한편, 이 불활성 가스를 챔버 안에 공급 개시하는 타이밍은, 처리 조건에 따라, 기판(G)을 본 건조하는 위치까지 스테이지(130) 및 블록 부재(160, 161)를 승강 이동시키기 전, 후, 혹은 이동 중 어디라도 좋다.The timing for starting the supply of the inert gas into the chamber may be changed before, after, or after the stage 130 and the block members 160 and 161 are moved up and down to the position where the substrate G is dried Anywhere on the move is good.

도 8(a)에 나타내는 상태에서의 건조처리가 소정 시간 경과하면, 스테이지 (130)와 블록 부재(160, 161)는, 서로의 거리를 유지한 상태에서, 도 8(b)에 도시하는 바와 같이 챔버 안을 동시에 상승하고, 소정 위치에서 정지한다.When the drying process in the state shown in Fig. 8 (a) has elapsed for a predetermined time, the stage 130 and the block members 160 and 161 are moved to a position shown in Fig. 8 (b) The inside of the chamber is simultaneously raised and stopped at a predetermined position.

여기서, 도시하는 바와 같이 기판(G)의 상방 공간은 보다 좁기 때문에, 기판 (G)의 상면 근방을 흐르는 기류의 유량은 감소하며, 작은 유량으로 본 건조처리가 계속되게 된다.Here, as shown in the figure, since the space above the substrate G is narrower, the flow rate of the airflow flowing in the vicinity of the upper surface of the substrate G decreases and the drying process is continued at a small flow rate.

한편, 이와 같이 감압건조처리 중에서, 스테이지(130) 및 블록 부재(160, 161)를 승강 이동시키는 제어는, 상기와 같이 도 8을 이용하여 설명한 제어의 형태로 한정되는 것이 아니고, 처리 조건에 따라 임의로 변경하도록 해도 좋다. 또한, 감압 건조 중에서의 챔버 안의 스테이지(130) 및 블록 부재(160, 161)의 높이 위치는, 처리 조건에 따라 상세하게 설정되어 구동 제어되는 것이 바람직하다. On the other hand, the control for raising and lowering the stage 130 and the block members 160 and 161 in the reduced-pressure drying process is not limited to the control form described above with reference to Fig. 8, Or may be arbitrarily changed. It is preferable that the height position of the stage 130 and the block members 160 and 161 in the chamber during the reduced-pressure drying is set and controlled in detail according to the processing conditions.

이상과 같이 본 발명에 관한 제1 실시형태에 의하면, 감압건조처리 사이에, 기판(G)을 유지하는 스테이지(130)의 높이, 및 블록 부재(160, 161)의 높이를 변화시킴으로써, 챔버 안에 형성되는 기류가 제어된다.As described above, according to the first embodiment of the present invention, by changing the height of the stage 130 holding the substrate G and the height of the block members 160, 161 during the reduced-pressure drying process, The airflow to be formed is controlled.

이에 따라, 피처리기판에 의해서 레지스트액(R)의 종류나 막두께 등의 처리 조건이 달라도, 각 처리 조건에 따른 매우 적합한 건조처리를 할 수 있으며, 레지스트액(R)의 건조 시간을 단축하고, 한편 양호한 막 형성을 실시할 수 있다.This makes it possible to carry out a highly suitable drying process in accordance with each processing condition even if the processing conditions such as the kind and the film thickness of the resist liquid R are different by the substrate to be processed and the drying time of the resist liquid R is shortened , While satisfactory film formation can be performed.

한편, 상기 실시형태에서는, 급기구(132) 및 불활성 가스 공급부(136)를 구비하는 예를 나타냈지만, 본 발명에 있어서는, 거기에 한정되지 않고, 급기구(132) 및 불활성 가스 공급부(136)를 구비하지 않는 구성이어도 좋다. 이 경우, 기류 제어부로서의 블록 부재(160)는, 배기구(134)에 대해, 스테이지(130)에 유지된 기판(G)을 사이에 두고 반대측의 기판 가장자리부의 하방 공간에 설치된다.The supply mechanism 132 and the inert gas supply unit 136 are provided in the present embodiment. However, in the present invention, the supply mechanism 132 and the inert gas supply unit 136 are not limited thereto, May be omitted. In this case, the block member 160 as the airflow control unit is provided in the space below the edge of the substrate opposite to the exhaust port 134 with the substrate G held by the stage 130 interposed therebetween.

즉, 급기를 실시하지 않고도, 배기구(134)로부터의 배기 처리만으로, 본 건조처리에 있어서 챔버 안에 기류를 형성할 수 있고, 기판 상방을 한 방향에 흐르는 기류에 의해서, 기판 상면의 레지스트액(R)의 건조 속도를 향상시키고, 보다 단시간에 감압건조처리를 실시할 수 있다.That is, the air flow can be formed in the chamber in the present drying process only by the exhaust process from the exhaust port 134 without supplying air, and the airflow flowing in one direction above the substrate allows the resist solution R ) Can be improved, and the reduced-pressure drying process can be performed in a shorter time.

또한, 상기 실시형태에 있어서, 배기구로서 기판(G)보다 하방 위치에 2개의 배기구(134)를 나타냈지만, 그 수나 배열(레이아웃)은 한정되는 것은 아니다.In the above embodiment, two exhaust ports 134 are shown below the substrate G as the exhaust ports, but the number and arrangement (layout) are not limited.

또한, 배기구(134)는, 처리공간의 바닥면에 형성한 예를 나타냈지만, 거기에 한정되지 않고, 챔버 내벽 등에 형성되어 있어도 좋다.The exhaust port 134 is formed on the bottom surface of the processing space. However, the exhaust port 134 is not limited thereto, and may be formed on the inner wall of the chamber or the like.

게다가, 배기구(134)의 형상은, 진원 형상을 나타냈지만, 거기에 한정되지 않고, 긴 구멍, 사각형 등 다른 형상이라도 좋다.In addition, although the shape of the exhaust port 134 is a round shape, the shape is not limited to this, and other shapes such as a long hole or a square shape may be used.

또한, 급기구(132)는, 처리공간의 바닥면에 형성된 예를 나타냈지만, 거기에 한정되지 않고, 예를 들면, 하부 챔버(124)의 내벽부 등에 설치되어 있어도 좋다.The air supply mechanism 132 is formed on the bottom surface of the processing space. However, the air supply mechanism 132 is not limited thereto. For example, the air supply mechanism 132 may be provided on the inner wall of the lower chamber 124 or the like.

게다가, 급기구(132)의 형상은, 1개의 세로 길이의 사각형상을 나타냈지만, 거기에 한정하지 않고, 진원 형상, 긴 구멍 등 다른 형상이더라도 좋고, 그 수가 한정되는 것은 아니다.In addition, although the shape of the feed mechanism 132 is rectangular, it is not limited thereto, and may be other shapes such as a round shape, a long hole, and the like, and the number is not limited.

혹은, 배기구(134), 및 급기구(132)는 각각, 챔버에 마련한 구멍이 아니고, 노즐형의 입구라도 좋다.Alternatively, the exhaust port 134 and the air supply mechanism 132 may be a nozzle-like inlet instead of a hole provided in the chamber, respectively.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 제2 실시형태를 설명한다. Hereinafter, a second preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 9 및 도 10에, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 감압건조장치 또는 감압건조방법이 적용 가능한 FPD 제조용 레지스트 도포장치의 다른 구성예를 나타낸다.9 and 10 show another configuration example of a resist coating apparatus for manufacturing an FPD to which a reduced-pressure drying apparatus or a reduced-pressure drying method according to a second embodiment of the present invention is applicable.

이 제2 실시형태에 따른 레지스트 도포장치(200)는, 지지대(210)위에, 레지스트 도포 유닛(212)과, 감압 건조 유닛(214)을 병설하고 있다. 감압 건조 유닛(14)은, 본 발명의 제2 실시형태에 의한 감압건조장치이다. 제2 실시형태에 따른 도포 장치(200)는, 후술하는 바와 같이 기류 제어부 등 일부 구성을 제외하고는 상기 제1 실시형태의 도포 장치(100)와 동일하므로, 동일 부재에 대한 중복된 설명은 생략한다.The resist coating apparatus 200 according to the second embodiment is provided with a resist coating unit 212 and a reduced-pressure drying unit 214 on a support base 210. The reduced-pressure drying unit 14 is a reduced-pressure drying apparatus according to the second embodiment of the present invention. The coating device 200 according to the second embodiment is the same as the coating device 100 according to the first embodiment except for some components such as an airflow control part as described later, do.

제2 실시형태에서 레지스트 도포유닛(212)은, 후술하는 바와 같이, 기판(G)상의 레지스트 도포막에 관해서 높은 잔막율(예를 들어 잔막율 99% 이상)의 막질 특성을 얻는데 적합한 급속한 단시간의 감압 건조 프로세스와, 낮은 잔막율(예를 들어 잔막율 95% 이하)의 막질 특성을 얻는데 적합한 완만한 장시간의 감압 건조 프로세스 중 모두 선택적으로 실시 가능하고, 어느 쪽의 감압 건조 프로세스를 선택하여도, 원하는 레지스트막 품질특성이 면내 균일하게 얻어질 수 있게 되어 있다.The resist coating unit 212 in the second embodiment is a resist coating unit which is suitable for obtaining a film quality characteristic of a high residual film ratio (for example, a residual film ratio of 99% or more) with respect to the resist coating film on the substrate G It is possible to selectively perform both of the low-pressure drying process and the gentle long-time depressurization drying process suitable for obtaining the film quality characteristic of the low residual film rate (for example, the residual film ratio of 95% or less) The desired resist film quality characteristics can be uniformly obtained in the plane.

또한, 감압 건조 유닛(214)에서 1회(기판 1매분)의 감압건조처리가 종료되면, 챔버 개폐기구(228)가 상부 챔버(226)를 들어올려 챔버 해방 상태로 하며, 그곳에 반송 아암(218)이 액세스하여 스테이지(230)으로부터 처리완료된 기판(G)을 받아 반출하고, 다음 공정인 프리베이킹을 실시하는 프리베이킹 유닛(도시하지 않음)으로 기판(G)을 반송하도록 되어 있다.When the decompression drying process for one time (one substrate) is completed in the decompression drying unit 214, the chamber opening / closing mechanism 228 lifts the upper chamber 226 to bring the chamber into a released state, and the transfer arm 218 The substrate G is transferred from the stage 230 to the pre-baking unit (not shown) for taking out the processed substrate G from the stage 230 and carrying out the pre-baking, which is the next step.

이하에, 감압 건조 유닛(214)의 상세한 구성 및 작용을 설명한다.Hereinafter, the detailed configuration and operation of the reduced-pressure drying unit 214 will be described.

하부 챔버(224)는, 도 10에 도시하는 바와 같이, 평면에서 보아 직사각형으로 구성되어 있다. 이 하부 챔버(224)의 내측에는, 그 네변의 챔버 벽부(224(1), 224(2), 224(3), 224(4))에 각각 인접하여 4개(혹은 4조)의 급기 포트(232(1), 232 (2), 232(3), 232(4))가 설치되는 동시에, 네 귀퉁이에 4개(혹은 4조)의 배기 포트 (234(1), 234(2), 234(3), 234(4))가 설치되어 있다.As shown in Fig. 10, the lower chamber 224 has a rectangular shape in plan view. Four (or four) sets of air supply ports 244 (1), 224 (2), 224 (3), and 224 (4) are provided on the inner side of the lower chamber 224, (Or four sets) of exhaust ports 234 (1), 234 (2), 232 (3), 232 (4) 234 (3), and 234 (4).

도 11에, 이 감압 건조 유닛(214)에 있어서의 급기 시스템의 일례를나타낸다. 급기 포트(232(1), 232(2), 232(3), 232(4))는, 불활성 가스 탱크(236) 및 송풍기(또는 컴프레셔)(238)를 가지는 공통의 불활성 가스 공급원(240)에 각각 가스 공급관(242(1), 242(2), 242(3), 242(4))을 통하여 접속되어 있다. 가스 공급관 (242(1), 242(2), 242(3), 242(4))의 도중에는, 유량 조정 밸브(244(1), 244(2), 244(3), 244(4)) 및 개폐 밸브(246(1), 246(2), 246(3), 246(4))이 각각 설치되어 있다. 사용되는 불활성 가스는, 예를 들어 질소 가스이다.Fig. 11 shows an example of the air supply system in the reduced-pressure drying unit 214. Fig. The supply ports 232 (1), 232 (2), 232 (3) and 232 (4) are connected to a common inert gas supply source 240 having an inert gas tank 236 and a blower (or compressor) 242 (2), 242 (3), and 242 (4), respectively, through the gas supply pipes 242 (1), 242 244 (2), 244 (3), and 244 (4) are disposed in the middle of the gas supply pipes 242 (1), 242 (2), 242 And on / off valves 246 (1), 246 (2), 246 (3), and 246 (4), respectively. The inert gas used is, for example, nitrogen gas.

도 12에, 이 감압 건조 유닛(214)에 있어서의 배기 시스템의 일례를 나타낸다. 배기 포트(234(1), 234(2), 234(3), 234(4))는, 진공 펌프(248) 및 압력 제어 밸브(250)를 가지는 공통의 배기 장치(251)에 각각 배기관(252(1), 252(2), 252(3), 252(4))을 통하여 접속되어 있다. 가스 배기관(252(1), 252(2), 252(3), 252(4))의 도중에는, 개폐 밸브(254(1), 254(2), 254(3), 254(4))가 각각 설치되어 있다.Fig. 12 shows an example of the exhaust system in the reduced-pressure drying unit 214. Fig. The exhaust ports 234 (1), 234 (2), 234 (3) and 234 (4) are connected to a common exhaust device 251 having a vacuum pump 248 and a pressure control valve 250, 252 (1), 252 (2), 252 (3), and 252 (4). (254 (1), 254 (2), 254 (3), and 254 (4)) are disposed in the middle of the gas exhaust pipes 252 (1), 252 Respectively.

도13~도 15에, 이 감압 건조 유닛(214)의 주된 특징 부분인 기류 제어부의 구성을 나타낸다. 도 13은 하부 챔버(224)내의 구성을 나타내는 일부 단면 평면도, 도 14a 및 도 14b는 도 13의 Ⅰ-Ⅰ선에 대한 종단면도, 도 15a 및 도 15b는 도 13의 Ⅱ-Ⅱ선에 대한 종단면도이다.13 to 15 show the configuration of the airflow control unit which is a main feature of the reduced-pressure drying unit 214. As shown in Fig. Fig. 13 is a partial cross-sectional plan view showing a configuration in the lower chamber 224, Figs. 14A and 14B are longitudinal sectional views taken along the line I-I in Fig. 13, Figs. 15A and 15B are longitudinal cross- .

도 13에 있어서, 기류 제어부(260)는, Y방향에서 하부 챔버(224)의 서로 대향하는 측벽(224(2), 224(4))의 내측에서 스테이지(230)의 양측(바람직하게는 스테이지(230)으로 가능한 한 근접한 위치)에 배치되는 제1 칸막이 판(또는 격벽)(262A, 262B)과, 이 제1 칸막이 판(262A, 262B)을 도 14a에 나타내는 제1 높이 위치와, 도 14b에 나타내는 제2 높이 위치와의 사이에서 승강 이동시키는 제1 승강기구(264)를 가지고 있다.13, the air flow control unit 260 controls the flow of air in both directions of the stage 230 from the inside of the side walls 224 (2), 224 (4) facing each other in the lower chamber 224 in the Y- (Or a partition wall) 262A, 262B disposed at a position as close as possible to the first partition plate 230 and the first partition plate 262A, 262B disposed at the first height position shown in Fig. And a first elevating mechanism 264 for moving the elevating mechanism 264 between the second height position shown in Fig.

제1 칸막이 판(262A, 262B)은, 도 13에 도시하는 바와 같이, X방향에서, 스테이지(230)의 한쪽 편(도면의 좌측)에 설치되어 있는 급기 포트(232(1))의 근처의 위치, 즉 챔버 벽부(224(1))에 거의 접하는 위치로부터 스테이지(230)의 반대측(우측)의 급기 포트(232(3)) 및 배기 포트(234(3), 234(4))의 앞쪽 위치까지 연장되어 있다. 또한, 제1 칸막이 판(262A, 262B)은, 연직 방향(Z방향)에 있어서, 바람직하게는, 하부 챔버(224)의 바닥면으로부터 상부 챔버(226)의 하면(천정)에 이르는 크기를 가지고 있다.13, the first partitioning plates 262A and 262B are arranged in the vicinity of the air supply port 232 (1) provided on one side (left side of the drawing) of the stage 230 in the X direction The air supply port 232 (3) on the opposite side (right side) of the stage 230 and the front side of the exhaust ports 234 (3) and 234 (4) Position. The first partitioning plates 262A and 262B preferably have a size ranging from the bottom surface of the lower chamber 224 to the lower surface (ceiling) of the upper chamber 226 in the vertical direction (Z direction) have.

그리고, 제1 칸막이 판(262A, 262B)은, 제1 높이 위치에서는 하부 챔버(224)의 바닥면으로부터 상부 챔버(226)의 하면(챔버 천정)에 이르는 높이이거나, 또는 그 근처의 높이로 연직 방향으로 돌출되며(도 14a), 제2 높이 위치에서는 제1 칸막이 판(262A, 262B)의 상단이 하부 챔버(224)의 바닥면에 가까운 높이이거나, 또는 그것보다 낮은 높이로 가라앉게 되어 있다(도 14b). 하부 챔버(224)의 바닥벽에는, 제1 칸막이 판(262A, 262B)을 각각 제2 높이 위치에 가라앉게 하기(퇴피시키기) 위한 오목부(265A, 265B)가 형성되어 있다.The first partition plates 262A and 262B are at a height from the bottom surface of the lower chamber 224 to the lower surface of the upper chamber 226 (chamber ceiling) at the first height position, (Fig. 14A). At the second height position, the upper ends of the first partition plates 262A and 262B are at a height close to the bottom surface of the lower chamber 224, or at a lower level thereof 14b). The bottom wall of the lower chamber 224 is formed with recesses 265A and 265B for sinking (retracting) the first partition plates 262A and 262B to the second height position, respectively.

제1 승강기구(264)는, 제1 칸막이 판(262A, 262B)의 하단에 각각 접속된 연직 방향으로 연장되는 각 1개 또는 각 복수개의 지지봉(266A, 266B)과, 이들 지지봉(266A, 266B)를 평행하게 지지하는 수평의 지지판(268)과, 이 수평 지지판(268)에 승강 구동축(270)을 통하여 결합된 승강 액추에이터(272)를 가지고 있다. 승강 액추에이터(272)는, 예를 들어 에어 실린더 또는 전동 리니어 모터로 이루어진다. 지지봉(266A, 266B)은, 하부 챔버(224)의 바닥벽을 상하 이동 가능하게 관통하며, 시일부재(274)에 의해서 진공 밀폐되어 있다.The first elevating mechanism 264 includes one or each of a plurality of support rods 266A and 266B extending in the vertical direction and connected to the lower ends of the first partitioning plates 262A and 262B and support rods 266A and 266B And a lifting actuator 272 coupled to the horizontal supporting plate 268 through a lifting drive shaft 270. The lifting actuator 272 includes a lifting / The elevating actuator 272 is composed of, for example, an air cylinder or an electric linear motor. The support rods 266A and 266B pass through the bottom wall of the lower chamber 224 so as to be movable up and down, and are vacuum-sealed by a seal member 274.

게다가, 기류 제어부(260)는, 도 13에 도시하는 바와 같이, 스테이지(230)의 주위 또는 옆에 배치되는 횡단면 ㄷ자형의 제2 칸막이 판(또는 격벽)(276)과, 이 제2 칸막이 판(276)을 도 14a 또는 도 15a에 나타내는 제3 높이 위치와 도 14b 또는 도 15b에 나타내는 제4 높이 위치와의 사이에서 승강 이동시키는 제2 승강기구 (278)을 가지고 있다.13, the airflow control unit 260 includes a second partition plate (or partition wall) 276 of a C-shaped cross section arranged around or on the side of the stage 230, and a second partition plate And a second elevating mechanism 278 for moving the elevating mechanism 276 between a third height position shown in FIG. 14A or 15A and a fourth height position shown in FIG. 14B or 15B.

제2 칸막이 판(276)은, 스테이지(230)의 제1 급기 포트(232(1))와 대향하는 도면의 좌측의 옆에서 Y방향으로 연장되는 제1 평판부(276a)와, 스테이지(230)의 제1 칸막이 판(262A, 262B)와 대향하는 도면의 위쪽 및 아래 쪽의 옆에 X방향으로 연장되는 제2 평판부(276b, 276c)를 가진다. 스테이지(230)의 반대측(도면의 우측)을 제2 칸막이 판(276)으로 구분하는 구성도 가능하기는 하지만, 스테이지(230)의 아래 공간의 배기성의 관점에서 이 실시형태와 같이 해방하는 구성이 바람직하다.The second partition plate 276 includes a first flat plate portion 276a extending in the Y direction from the left side of the drawing facing the first air supply port 232 (1) of the stage 230, And second plate portions 276b and 276c extending in the X direction beside the upper and lower sides of the drawing facing the first partitioning plates 262A and 262B. Although the configuration in which the opposite side (the right side in the figure) of the stage 230 is divided into the second partitioning plate 276 is also possible in the configuration of this embodiment in terms of the exhaustibility of the space below the stage 230 desirable.

그리고, 제2 칸막이 판(276)은, 제3 높이 위치에서는 하부 챔버(224)의 바닥면에서 스테이지(230)에 얹어 놓여진 기판(G)의 이면(하면)에 접하는 높이이거나, 또는 그 근처의 높이까지 연직 방향으로 돌출되며(도 14a, 도 15a), 제4 높이 위치에서는 그 상단이 하부 챔버(224)의 바닥면에 가까운높이이거나 또는 그것보다 낮은 높이로 가라앉게 되어 있다(도 14b, 도 15b). 하부 챔버(224)의 바닥벽에는, 제2 칸막이 판(276)을 제4 높이 위치로 가라앉게 하기(퇴피시키기) 위한 오목부(280)가 형성되어 있다.The second partition plate 276 is at a height tangent to the back surface (bottom surface) of the substrate G placed on the stage 230 at the bottom surface of the lower chamber 224 at the third height position, (Fig. 14A, Fig. 15A). At the fourth height position, the upper end thereof is close to the bottom surface of the lower chamber 224 or sinks to a lower height 15b). The bottom wall of the lower chamber 224 is formed with a recess 280 for sinking (retracting) the second partition plate 276 to the fourth height position.

한편, 제1 칸막이 판(262A, 262B)과 제2 칸막이 판(276)의 제2 평판부(276b, 276c) 사이에서는, 제1 칸막이 판(262A, 262B)이 제1 높이에 있으며, 또한 제2 칸막이 판(276)이 제3 높이에 있을 때, 양자가 접촉하지 않는 정도의 가급적 작은 빈틈을 통하여 근접하는 것이 바람직하다.On the other hand, between the first partition plates 262A and 262B and the second plate portions 276b and 276c of the second partition plate 276, the first partition plates 262A and 262B are at the first height, When the two partition plates 276 are at the third height, it is preferable that they are as close to each other as possible through a small gap that does not touch them.

제2 승강기구(278)는, 제2 칸막이 판(276)의 하단에 접속된 연직 방향으로 연장되는 1개 또는 복수개의 지지봉(282)과, 이들 지지봉(282)을 평행하게 지지하는 수평의 지지판(284)과, 이 수평 지지판(284)에 승강 구동축(286)을 통하여 결합된 승강 액추에이터(288)를 가지고 있다. 승강 액추에이터(288)는, 예를 들어 에어 실린더 또는 전동 리니어 모터로 이루어진다. 지지봉(282)은, 하부 챔버(224)의 바닥벽을 상하 이동 가능하게 관통하며, 시일부재(290)에 의해서 진공 밀폐되어 있다.The second elevating mechanism 278 includes one or a plurality of supporting bars 282 connected to the lower end of the second partition plate 276 and extending in the vertical direction and a horizontal supporting plate 282 for supporting the supporting bars 282 in parallel. And a lifting actuator 288 coupled to the horizontal support plate 284 through a lifting drive shaft 286. The lift actuator 288 is composed of, for example, an air cylinder or an electric linear motor. The support rod 282 penetrates the bottom wall of the lower chamber 224 so as to be movable up and down, and is vacuum-sealed by the seal member 290.

스테이지(230)는, 연직 방향으로 연장되는 승강 구동축(292)을 통하여 승강 액추에이터(294)에 결합되어 있으며, 반송 아암(218)(도 1, 도 2)과 기판(G)의 받아넘김을 행할 때, 혹은 감압건조처리에 있어서의 챔버 천정(상부 챔버(226)의 하면)과의 거리 또는 클리어런스(H)를 조절하기 위해서 승강 이동할 수 있게 되어 있다. 승강 구동축(292)은, 하부 챔버(224)의 바닥벽을 상하 이동 가능하게 관통하며, 시일부재(296)에 의해 진공 밀폐되어 있다.The stage 230 is coupled to the lifting actuator 294 through a lifting drive shaft 292 extending in the vertical direction and is capable of lifting and lowering the carrier arm 218 (Figs. 1 and 2) and the substrate G (The lower surface of the upper chamber 226) or the clearance H in the reduced-pressure drying process. The elevation drive shaft 292 penetrates the bottom wall of the lower chamber 224 so as to be movable up and down, and is vacuum-sealed by the seal member 296.

이 실시형태에 있어서, 도면의 좌측의 급기 포트(232(1))가 제1 급기 포트이며, 다른 급기 포트(232(2), 232(3), 232(4))는 제2 급기 포트이다. 또한, 도 13에 도시하는 바와 같이, 챔버(224, 226) 안에서, 급기 포트(232(1))와 제2 칸막이 판 (276)과의 사이의 영역이 제1 영역[E1]이며, 이 제1 영역[E1]을 제외한 영역, 특히 급기 포트(232(1))에서 보아 제1 및 제3 위치에 각각 있을 때의 제1 칸막이 판 (262A, 262B) 및 제2 칸막이 판(276)의 그늘에 위치하는 모든 영역이 제2 영역[E2]이다.In this embodiment, the left air supply port 232 (1) in the drawing is the first air supply port and the other air supply ports 232 (2), 232 (3), 232 (4) . 13, the area between the air supply port 232 (1) and the second partition plate 276 is the first area [E 1 ] in the chambers 224 and 226, The first partitioning plates 262A and 262B and the second partitioning plate 276 in the regions except for the first region [E 1 ], particularly in the first and third positions when viewed from the air supply port 232 (1) Is the second area [E 2 ].

이 감압 건조 유닛(214)에는, 각부 및 전체의 동작을 제어하는 메인 콘트롤러(도시하지 않음)가 갖추어져 있다. 기류 제어부(260)는, 메인 컨트롤러의 제어하에 제1 및 제2 승강기구(264, 278)의 승강 동작을 제어하는 국소 컨트롤러(도시하지 않음)를 가져도 좋다.The decompression drying unit 214 is equipped with a main controller (not shown) for controlling the operation of each part and the whole. The airflow control unit 260 may have a local controller (not shown) for controlling the elevating operation of the first and second elevator mechanisms 264 and 278 under the control of the main controller.

다음에, 도 16~도 20에 대하여, 이 감압 건조 유닛(214)에 있어서의 기류 제어부(260)의 작용을 나타낸다.Next, referring to Figs. 16 to 20, the operation of the airflow control unit 260 in the reduced-pressure drying unit 214 will be described.

기류 제어부(260)는, 상기와 같은 구성을 가지는 것에 의해, 도면의 좌측의 제1 급기 포트(232(1))로부터 분출된 불활성 가스의 대부분이 스테이지(230) 및 기판(G) 위를 통과해 도면의 우측의 배기 포트(234(3), 234(4))에 도달하도록 불활성 가스의 기류의 루트를 규제하는 제1 모드와, 불활성 가스 혹은 다른 가스에 대한 상기와 같은 기류 루트의 규제를 실질적으로 해제하는 제2 모드를 선택적으로 변환할 수 있게 되어 있다.The airflow control unit 260 has the above configuration so that most of the inert gas ejected from the first air supply port 232 (1) on the left side of the drawing passes over the stage 230 and the substrate G The first mode in which the route of the inert gas is restricted so as to reach the exhaust ports 234 (3) and 234 (4) on the right side of the drawing and the first mode in which the inert gas or other gas It is possible to selectively convert the second mode for substantially releasing the second mode.

또한, 이 감압 건조 유닛(214)에서는, 높은 잔막율의 막질 특성을 얻는데 적합한 급진적인 단시간의 감압 건조 프로세스와, 낮은 잔막율의 막질 특성을 얻는데 적합한 완만한 장시간의 감압 건조 프로세스 중 모두를 선택적으로 실시 가능하다. 어느 쪽의 감압 건조 프로세스가 선택되어도, 제2 모드로 감압건조처리를 개시하는 것이 바람직하다.Further, in the reduced-pressure drying unit 214, both of a radical short-time depressurization drying process suitable for obtaining a film characteristic of a high residual film ratio and a slow long-time vacuum drying process suitable for obtaining a film characteristic of a low residual film ratio are selectively performed . Despite the selection of either of the reduced-pressure drying processes, it is preferable to start the reduced-pressure drying process in the second mode.

도 16a 및 도 16b에, 감압건조처리를 개시한직후의 챔버(224,226)내의 상태를 나타낸다. 바람직하게는 모든 급기 포트(232(1))~232(4))를 닫고, 불활성 가스를 도입하지 않고, 배기 시스템(도 12)을 작동시켜서, 모든 배기 포트(234 (1)~234(4))를 통하여 진공 배기를 한다. 도시한 바와 같이, 챔버(224,226) 안에 잔류하고 있는 공기, 또 기판(G)상의 레지스트 도포막으로부터 휘발된 용제(시너)는, 챔버 네 귀퉁이의 배기 포트(234(1)~234(4))로 균일한 흡인력으로 끌어 들여져 신속하게 배출된다. 무엇보다, 다른 실시예로서, 이 개시 직후의 진공 유도 시에 급기 포트(232(1)~232(4))를 열어 불활성 가스를 소정의 유량으로 도입하는 것도 가능하다.16A and 16B show the state in the chambers 224 and 226 immediately after the decompression drying treatment is started. All of the exhaust ports 234 (1) to 234 (4) are closed by closing the exhaust ports (preferably all the air supply ports 232 (1) to 232 (4) )). ≪ / RTI > The solvent remaining in the chambers 224 and 226 and the solvent (thinner) volatilized from the resist coating film on the substrate G are discharged to the exhaust ports 234 (1) to 234 (4) at the four corners of the chamber, And is discharged quickly. As another example, it is also possible to open the air supply ports 232 (1) to 232 (4) to introduce the inert gas at a predetermined flow rate at the time of vacuum induction immediately after this start.

챔버(224,226) 안에 수용되어 있는 처리 대상의 기판(G)에 대해서 급진·단시간의 감압 건조 프로세스가 선택되었을 때는, 감압건조처리가 개시되고 나서 소정 시간이 경과한 시점, 혹은 챔버 안의 압력이 설정치(예를 들어 약 400Pa)에 이른 시점에서, 도 16a 및 도 16b에 나타내는 제2 모드로부터 도 17a 및 도 17b에 나타내는 제1 모드로 변환된다.When a reduced-pressure drying process is selected for the substrate G to be processed contained in the chambers 224 and 226, when the predetermined time has elapsed since the start of the reduced-pressure drying process, or when the pressure in the chamber is lower than the set value For example, about 400 Pa), the first mode is switched from the second mode shown in Figs. 16A and 16B to the first mode shown in Figs. 17A and 17B.

이 경우, 기류 제어부(260)는, 제1 승강기구(264)를 작동시켜서, 제1 칸막이 판(262A, 262B)을 지금까지의 제2 높이 위치로부터 제1 높이 위치까지 상승 이동시키는 동시에, 제2 승강기구(278)을 작동시켜서, 제2 칸막이 판(276)을 지금까지의 제4 높이 위치로부터 제3 높이 위치까지 상승 이동시킨다.In this case, the airflow control unit 260 operates the first elevating mechanism 264 to move the first partitioning plates 262A and 262B up to the first height position from the second height position so far, The second elevating mechanism 278 is operated to move the second partition plate 276 up to the third height position from the fourth height position so far.

게다가, 급기 시스템(도 11)에 있어서, 개폐 밸브(246(1))가 열리고, 다른 모든 개폐 밸브(246(2), 246(3), 246(4))는 닫힌 상태에 유지 된다. 이것에 의해, 챔버(224, 226) 안에서는, 제1 급기 포트(232(1))만이 불활성 가스를 분출한다. 다른 급기 포트(232(2), 232(3), 232(4))는 모두 닫은 채로 있다. 여기서, 급기 포트 (232(1))로부터 공급되는 불활성 가스의 유량이 설정치(예를 들어 20 L(리터)/min)가 되도록, 유량 제어 밸브 244(1)가 조절된다.In addition, in the air supply system (Fig. 11), the on / off valve 246 (1) is opened and all the other on / off valves 246 (2), 246 (3), 246 (4) are kept closed. Thus, in the chambers 224 and 226, only the first air supply port 232 (1) ejects an inert gas. All of the other air supply ports 232 (2), 232 (3), 232 (4) remain closed. Here, the flow control valve 244 (1) is adjusted so that the flow rate of the inert gas supplied from the air supply port 232 (1) is a set value (for example, 20 L (liters) / min).

한편, 배기 시스템(도 12)에 있어서, 개폐 밸브(254(3), 254(4))는 열린 상태를 유지하고, 나머지 개폐 밸브(254(1), 254(2))는 닫힌 상태로 변환된다. 이것에 의해, 챔버(224, 226) 안에서는, 제1 급기 포트(232(1))에서 보아 스테이지 (230)의 반대측에 위치하는 배기 포트(234(3), 234(4))는 배기 동작을 계속하고, 급기 포트(232(1))에 가까운 배기 포트(234(1), 234(2))는 배기 동작을 휴지한다. 여기서, 급기 포트(232(1))로부터 챔버 안에 공급되는 불활성 가스의 유량에 따라, 챔버 안에서 소정의 압력 혹은 배기 속도를 얻을 수 있도록 압력 제어 밸브(250)가 조절된다.On the other hand, in the exhaust system (Fig. 12), the open / close valves 254 (3) and 254 (4) are kept open and the remaining open / close valves 254 (1) and 254 do. The exhaust ports 234 (3) and 234 (4) located on the opposite side of the stage 230 from the first air supply port 232 (1) in the chambers 224 and 226 perform the exhaust operation And the exhaust ports 234 (1) and 234 (2) near the air supply port 232 (1) stop the exhaust operation. Here, the pressure control valve 250 is adjusted so as to obtain a predetermined pressure or an exhaust speed in the chamber according to the flow rate of the inert gas supplied into the chamber from the air supply port 232 (1).

도 17a 및 도 17b에 도시하는 바와 같이, 제1 모드에서는, 제1 칸막이 판 (262A, 262B) 및 제2 칸막이 판(276)에 의한 격벽 작용 또는 기류 규제 작용에 의해, 급기 포트(232(1))로부터 분출된 질소 가스의 거의 또는 대부분(바람직하게는 90% 이상)이, 스테이지(230) 및 기판(G) 위를 X방향으로 흘러(통과해), 맞은 쪽의 배기 포트(234(3), 234(4))으로 빨려 들여간다.As shown in Figs. 17A and 17B, in the first mode, the air supply port 232 (1 (1)) is opened by the partition action or the air flow restriction action by the first partition plate 262A, 262B and the second partition plate 276 (Preferably 90% or more) of the nitrogen gas ejected from the exhaust ports 234 (3) (more preferably 90% or more) flows in the X direction on the stage 230 and the substrate G, ), 234 (4)).

이와 같이, 감압건조처리의 한중간에 기판(G) 위를 불활성 가스가 한 방향(X방향)으로, 바람직하게는 층류(層流)로 균일하게 흐름으로써, 기판(G)상의 레지스트 도포막으로부터 휘발된 용제가 기류를 타고 신속하게 배제되어, 용제의 휘발 속도가 높아지며, 나아가서는 레지스트 표면의 변질(고화)이 촉진되고, 게다가 기판 (G)상에서 높은 잔막율의 레지스트막 품질 특성을 면내 균일하게 얻을 수 있다. 이렇게 하여, 감압건조처리의 소요 시간은 짧게(예를 들어 약 30초) 끝난다.In this way, the inert gas is uniformly flowed in one direction (X direction), preferably in laminar flow (laminar flow) on the substrate G in the middle of the reduced pressure drying treatment, (Solidification) of the surface of the resist is promoted, and furthermore, the resist film quality characteristic of a high residual film ratio on the substrate G is uniformly obtained in the plane of the substrate . Thus, the time required for the reduced pressure drying treatment is short (for example, about 30 seconds).

한편, 제2 실시형태에 따른 감압건조처리에 있어서는, 압력이나 불활성 가스의 유량 뿐만 아니라, 기판(G)과 챔버(226) 천정과의 사이의거리 간격(클리어런스)(H)도 중요한 프로세스 파라미터이며, 이 때문에 스테이지(230)의 높이 위치를 가변하는 일이 있다. 이 경우는, 도 18에 도시하는 바와 같이, 스테이지(230)의 높이 위치 조정에 맞추어, 기류 제어부(260)가 제2 칸막이 판(276)의 제3 높이 위치를 가변 조정하고, 제1 모드에서는 임의의 클리어런스(H)에 대해서 항상 기판(G)의 하면에 제2 칸막이 판(276)의 상면이 접하는 정도로 근접한 상태를 유지하도록 한다. 이것에 의해서, 급기 포트(232(1))로부터 분출된 불활성 가스의 일부가 기판 (G)의 아래를 통과하는 것을 완전히 방지할 수 있다.In the reduced-pressure drying process according to the second embodiment, not only the flow rate of the pressure and the inert gas but also the distance (clearance) H between the substrate G and the ceiling of the chamber 226 are important process parameters , So that the height position of the stage 230 may be varied. In this case, as shown in Fig. 18, the airflow control unit 260 adjusts the third height position of the second partition plate 276 in accordance with the height position adjustment of the stage 230, and in the first mode The upper surface of the second partition plate 276 is kept close to the bottom surface of the substrate G so that the upper surface of the second partition plate 276 is always in contact with any clearance H. Thereby, it is possible to completely prevent a part of the inert gas ejected from the air supply port 232 (1) from passing under the substrate G. [

처리 대상의 기판(G)에 대해서 완만·장시간의 감압 건조 프로세스가 선택되었을 때는, 감압건조처리가 개시되고 나서 소정 시간이 경과한 시점, 혹은 챔버 안의 압력이 설정치(예를 들어 약 400Pa)에 이른 시점에서, 제2 모드를 유지한 채로 도 16a 및 도 16b의 상태로부터 도 19에 나타내는 상태에 변환된다.When a slow and long time depressurization / drying process is selected for the substrate G to be processed, a predetermined time has elapsed since the start of the reduced pressure drying process, or when the pressure in the chamber reaches a set value (for example, about 400 Pa) The state is changed from the state shown in Figs. 16A and 16B to the state shown in Fig. 19 while the second mode is maintained.

이 경우, 급기 시스템(도 11)에 있어서, 모든 개폐 밸브(246(1), 246(2), 246(3), 246(4))이 열린다. 이것에 의해, 챔버(224, 226) 안에서는, 모든 급기 포트(232(1), 232(2), 232(3), 232(4))가 불활성 가스를 분출한다. 다만, 유량 조정 밸브(244(1), 244(2), 244(3), 244(4))가 조절되어, 불활성가스의 공급 유량은 적은 양(예컨대 2L/min)으로 설정된다. 또한, 급기 포트(234(1), 234(2), 234(3), 234(4))의 토출 유량을 균일하게 하는 것이 바람직하다. In this case, all of the opening / closing valves 246 (1), 246 (2), 246 (3), 246 (4) are opened in the air supply system (Fig. 11). Thus, in the chambers 224 and 226, all of the air supply ports 232 (1), 232 (2), 232 (3), 232 (4) eject the inert gas. However, the flow regulating valves 244 (1), 244 (2), 244 (3), and 244 (4) are adjusted so that the supply flow rate of the inert gas is set to a small amount (for example, 2 L / min). It is also preferable to make the discharge flow rates of the air supply ports 234 (1), 234 (2), 234 (3), and 234 (4) uniform.

한편, 배기 시스템(도 12)에 있어서는, 개폐 밸브(254(1), 254(2), 254(3), 254(4))를 모두 열린 상태에 유지하고, 모든 배기 포트(234(1), 234(2), 234(3), 234(4))로 배기를 계속시킨다. 다만, 급기 포트(232(1), 232(2), 232(3), 232(4))로부터 공급되는 불활성 가스의 유량에 맞추어, 챔버 안에서 소정의 압력이 유지되도록 압력 제어 밸브(250)가 조절된다. 또한, 급기 포트(232(1), 232(2), 232(3), 232(4))의 토출 유량은 스테이지(230)상의 기판(G)에 대해서 균일하게 하는 것이 바람직하다.On the other hand, in the exhaust system (Fig. 12), all of the exhaust ports 234 (1), 254 (2), 254 , 234 (2), 234 (3), 234 (4). However, the pressure control valve 250 is controlled so that a predetermined pressure is maintained in the chamber in accordance with the flow rate of the inert gas supplied from the air supply ports 232 (1), 232 (2), 232 (3) . The discharge flow rate of the air supply ports 232 (1), 232 (2), 232 (3) and 232 (4) is preferably uniform with respect to the substrate G on the stage 230.

이와 같이, 감압건조처리 중에 제2 모드로 모든 급기 포트(232(1), 232(2), 232(3), 232(4))가 열린(온) 상태에서 스테이지(230)상의 기판(G)를 향해서 불활성 가스를 균일하고 작은 유량으로 토출하고, 또한 모든 배기 포트(234(1), 234(2), 234(3), 234(4))가 열린(온) 상태로 배기를 실시하도록 했을 경우는, 챔버 안에 공급된 불활성 가스의 대부분이 기판(G) 내지 스테이지(230)의 아래나 주위를 흘러 배기되기 쉽고, 기판(G) 위에서 기류, 특히 한 방향의 기류가 형성되는 일은 거의 없다. 이 때문에, 기판(G)의 레지스트 도포막으로부터 휘발된 용제는 부근에 체류 하기 쉽고, 휘발 속도는 억제된다. 이것에 의해, 감압 건조에 의한 레지스트 표면의 변질(고화)이 완만하게 되어, 기판(G)상에서 낮은 잔막율의 레지스트막 품질 특성을 면내 균일하게 얻을 수 있다. 또한, 감압건조처리의 소요 시간은 길어진다(예를 들어 약 60초).As described above, in the second mode during the reduced-pressure drying process, the substrate G (G) on the stage 230 in the state in which all of the air supply ports 232 (1), 232 (2), 232 234 (2), 234 (3), and 234 (4) are exhausted in a state in which the exhaust gas is uniformly discharged at a small flow rate toward all of the exhaust ports 234 Most of the inert gas supplied into the chamber tends to be exhausted from under the substrate G to the periphery of the stage 230 to be exhausted so that air currents particularly in one direction are rarely formed on the substrate G . Therefore, the solvent volatilized from the resist coating film of the substrate G tends to stay near, and the volatilization rate is suppressed. As a result, the deterioration (solidification) of the resist surface due to the reduced pressure drying becomes gentle, and the resist film quality characteristics with a low residual film ratio on the substrate G can be uniformly obtained in the plane. Further, the time required for the reduced-pressure drying treatment becomes long (for example, about 60 seconds).

한편, 완만·장시간의 감압 건조 프로세스가 선택되었을 때의 다른 실시예로서, 감압건조처리를 개시하고 나서 소정 시간이 경과한 후, 혹은 챔버 안의 압력이 설정치에 이른 후에는, 급기 포트(232(1), 232(2), 232(3), 232(4))의 전부를 닫힌 (오프) 상태에 유지한 채로, 배기 포트(234(1), 234(2), 234(3), 234(4))의 전부를 이용하여 배기 동작을 계속하는 것도 가능하다. 이 경우는, 기판(G)의 레지스트 도포막로부터 휘발된 용제가 주된 배기가스가 된다.On the other hand, as another example when the slow and long-time decompression drying process is selected, after a predetermined time has elapsed since the start of the reduced-pressure drying process, or when the pressure in the chamber reached the set value, 234 (2), 234 (3), 234 (2), 234 (2), 232 (3), 232 4) can be used to continue the evacuation operation. In this case, the solvent volatilized from the resist coating film of the substrate G becomes the main exhaust gas.

이 감압 건조 유닛(214)에 있어서, 감압건조처리를 종료시킬 때는, 도 20에 도시하는 바와 같이, 제2 모드가 선택되며, 모든 급기 포트(232(1), 232(2), 232 (3), 232(4))가 열린(온) 상태에서 불활성 가스를 대유량으로 토출되는 동시에, 모든 배기 포트(234(1), 234(2), 234(3), 234(4))가 열린(온) 상태에서 일단 고속 배기(퍼징)를 실시하고, 이어서 배기 포트(234(1), 234(2), 234(3), 234(4))가 전부 닫혀진다. 이에 의해, 챔버(224, 226) 안의 분위기가 감압 상태로부터 대기압 상태에 변환되고, 상부 챔버(226)의 열림 조작(챔버 해방)이 가능해진다.20, the second mode is selected and all of the air supply ports 232 (1), 232 (2), 232 (3), 232 234 (2), 234 (3), and 234 (4) are opened in a state in which all the exhaust ports 234 (1), 234 234 (2), 234 (3), and 234 (4) are all closed after the high-speed purging (purging) Thereby, the atmosphere in the chambers 224 and 226 is changed from the reduced pressure state to the atmospheric pressure state, and the upper chamber 226 can be opened (chamber release).

상기와 같이, 이 실시형태에 있어서, 급진·단시간의 감압 건조 프로세스가 선택되었을 경우는, 감압건조처리의 개시 직후의 진공 유도 및 감압건조처리의 종료시의 퍼징에서는, 제1 칸막이 판(262A, 262B)을 각각 제2 높이 위치 및 제4 높이 위치에 퇴피시키는 제2 모드를 선택하고, 모든 급기 포트(232(1), 232(2), 232(3), 232(4))를 이용하여 불활성 가스를 챔버 안에 공급하고, 모든 배기 포트(234(1), 234(2), 234(3), 234(4))를 이용하여 챔버 안을 배기할 수 있으므로, 이 타입의 감압 건조 프로세스를 한층 효율적으로 실시하여, 처리 시간의 한층 단축화도 도모할 수 있다.As described above, in this embodiment, in the case of the radial vacuum drying process selected in a short period of time, in the purging at the end of the vacuum induction process and the reduced pressure drying process immediately after the start of the reduced pressure drying process, the first partitioning plates 262A and 262B (2), 232 (3), 232 (4)) to the second height position and the fourth height position, respectively, Gas can be supplied into the chamber and the chamber can be evacuated using all of the exhaust ports 234 (1), 234 (2), 234 (3), 234 (4) So that the processing time can be further shortened.

무엇보다, 다른 순서로서 효율은 다소 저하하지만, 감압건조처리의 개시부터 종료까지, 제2 모드를 일절 선택하지 않고, 제1 모드를 유지하는 것도 가능하다. 그 경우에서도, 각 단계에 따라 불활성 가스의 유량 및 배기 속도를 변환할 필요는 있다.Above all, the efficiency is slightly lowered in another order, but it is also possible to maintain the first mode without selecting any of the second modes from the start to the end of the reduced-pressure drying process. Even in this case, it is necessary to change the flow rate of the inert gas and the exhaust speed according to each step.

또한, 감압건조처리를 개시하고 나서 소정 시간이 경과하거나, 혹은 챔버 안의 압력이 설정치에 이르고 나서 감압건조처리를 종료할 때까지의 사이에, 제1 모드에 의한 불활성 가스 사용의 감압 건조(도 17a, 도 17b)와 제2 모드에 의한 불활성 가스 사용의 감압 건조(도 19)를 차례차례 또는 교대로 변환하는 것도 가능하다.17A and 17B). During the period from the start of the decompression drying process to the time when the predetermined time has elapsed or until the pressure in the chamber reaches the set value and the decompression drying process is terminated, , Fig. 17B) and the second mode of using an inert gas (Fig. 19) can be sequentially or alternatively converted.

이상, 본 발명의 매우 적합한 실시형태를 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시형태로 한정되는 것이 아니고, 그 기술적 사상의 범위내에서 여러 가지 변형 또는 변경이 가능하다.While the present invention has been fully described in connection with the preferred embodiments thereof with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and similarities.

예를 들어, 도 21a 및 도 21b에 도시하는 바와 같이, 기판(G)를 얹어놓는 스테이지(230)가 기판(G)의 아래 공간을 하부 챔버(224)의 바닥면까지 메꾸도록 한 블록 구조를 갖더라도 좋다. 이러한 스테이지 구조에 있어서는, 하부 챔버(224)의 바닥벽 및 스테이지(230)를 아래로부터 관통하여 승강 가능한 리프트 핀(231)으로 승강 액추에이터(295)를 가지는리프트 기구(204)가, 스테이지상에서 기판(G)를 승강시켜 기판의 로딩/언로딩을 실시한다.21A and 21B, a block structure in which the stage 230 on which the substrate G is placed overlaps the space below the substrate G to the bottom surface of the lower chamber 224 is referred to as a " . In this stage structure, the lift mechanism 204 having the elevating actuator 295 with the bottom wall of the lower chamber 224 and the lift pins 231 that can pass through the stage 230 from below and can be elevated, G) are raised and lowered to perform loading / unloading of the substrate.

이 경우, 제1 모드에서는, 급기 포트(232(1))로부터 분출되는 불활성 가스에 대해서, 블록 구조의 스테이지(230)가 기판(G)의 아래의 통과를 저지하고, 제1 칸막이 판(262A, 262B)와의 함께 이동하여, 기판(G) 위에 한 방향(X방향)의 기류를 형성하는 기능을 발휘한다. 따라서, 제2 칸막이 판(276)을 스테이지(230)로 대용할 수 있다.In this case, in the first mode, with respect to the inert gas ejected from the air supply port 232 (1), the stage 230 of the block structure prevents the passage of the substrate G below the first partition plate 262A , And 262B to function to form an air flow in one direction (X direction) on the substrate G. [ Therefore, the second partition plate 276 can be substituted for the stage 230. [

무엇보다, 상기와 같은 클리어런스(H)의 가변 조정을 위해서, 감압건조처리 중에 기판(G)을 스테이지(230)의 상면으로부터 위로 떨어뜨린 경우는, 도시를 생략하지만, 상기 실시형태와 같이 제 2의 칸막이 판(276)을 갖추는 구성이 바람직하다.In the case where the substrate G is dropped from the upper surface of the stage 230 during the reduced-pressure drying process for variable adjustment of the clearance H as described above, though not shown, And a partition plate 276 of the partition plate 276.

또한, 배기 시스템에 관해서는, 도 22a 및 도 22b에 도시하는 바와 같이, 스테이지(230)의 아래에 1개 또는 복수의 배기 포트(206)를 마련하는 구성도 가능하다. 이 경우, 제1 모드에서는, 급기 포트(232(1))로부터 분출된 불활성 가스의 거의 또는 대부분이 스테이지(230) 및 기판(G) 위를 한 방향(X방향)으로 흘러, 기판 (G)의 반대측(도면의 우측)의 구석을 지나고 나서 기판(G) 및 스테이지(230)의 아래로 돌고(잠수하고), 배기 포트(206)에 빨려 들여간다.As for the exhaust system, it is also possible to provide one or a plurality of exhaust ports 206 below the stage 230, as shown in Figs. 22A and 22B. In this case, in the first mode, almost or most of the inert gas ejected from the air supply port 232 (1) flows in one direction (X direction) on the stage 230 and the substrate G, (Submerged) down the substrate G and the stage 230, and sucked into the exhaust port 206 after passing through a corner on the opposite side (the right side of the drawing) of the substrate G and the stage 230.

또한, 상술한 실시형태에서는, 제1 칸막이 판(262A, 262B) 및 제2 칸막이 판 (276)을 제1 승강기구(264) 및 제2 승강기구(278)에 의해 승강 이동시키므로, 챔버 (224, 226)를 닫고 있는 동안에도 모드 변환을 실시할 수 있다. 다른 실시형태로서, 모드 변환을 위해서 제1 칸막이 판(262A, 262B) 및/또는 제2 칸막이 판(276)을 수동으로 탈착 가능하게 챔버 안에 부착 또는 장착하는 구성도 가능하다.The first partition plate 262A and the second partition plate 276 are lifted and moved by the first lifting mechanism 264 and the second lifting mechanism 278 so that the chamber 224 , 226) are closed. As another embodiment, it is also possible to attach or mount the first partitioning plates 262A, 262B and / or the second partitioning plate 276 manually in a detachable manner in the chamber for mode conversion.

챔버 자체의 구조나 형상은 물론, 챔버 내외의 각부, 특히 스테이지, 급기 포트, 배기 포트의 구조, 개수, 배치 위치 등도, 상술한 실시형태의 것에 한정하지 않고, 여러 가지 변형이 가능하다.Not only the structure and the shape of the chamber itself but also the structure, number, arrangement position, etc. of the inside and outside of the chamber, particularly, the stage, the air supply port, and the exhaust port are not limited to those of the above-described embodiments.

본 발명에 있어서의 피처리기판은 LCD용 유리 기판에 한정하는 것이 아니고, 다른 플랫 패널 디스플레이용 기판이나, 반도체 웨이퍼, CD기판, 포토마스크, 프린트 기판 등도 가능하다. 감압건조처리 대상인 도포액도 레지스트액에 한정하지 않고, 예를 들어 층간 절연 재료 , 유전체 재료, 배선 재료 등의 처리액도 가능하다.The substrate to be processed in the present invention is not limited to a glass substrate for LCD, but may be a substrate for a flat panel display, a semiconductor wafer, a CD substrate, a photomask, a printed substrate, or the like. The coating liquid to be subjected to the reduced pressure drying treatment is not limited to the resist liquid, and for example, a treatment liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, and a wiring material can be used.

100, 200 도포 장치
110, 210 지지대
112, 212 레지스트 도포 유닛
114, 214 감압 건조 유닛
116, 216 가이드 레일
118, 218 반송 아암
120, 220 게이트
122, 222 노즐
124, 224 하부 챔버
126, 226 상부 챔버
128, 228 챔버 개폐기구
130, 230 스테이지
132 급기구
134 배기구
148 진공 펌프
152 배기관
160, 161 블록 부재
194 승강장치
224 챔버 벽부
232 급기 포트
234 배기 포트
260 기류 제어
262A, 262B 제1 칸막이 판
276 제2 칸막이 판
G 기판100, 200 application device
110, 210 support
112, 212 Resist application unit
114, 214 Vacuum drying unit
116, 216 guide rails
118, 218 carrier arm
120, 220 gate
122, and 222 nozzles
124, 224 Lower chamber
126, 226 upper chamber
128, 228 chamber opening / closing mechanism
130 and 230 stages
132-level instrument
134 Exhaust port
148 Vacuum pump
152 exhaust pipe
160, 161 block member
194 Lifting device
224 chamber wall portion
232 Supply port
234 Exhaust port
260 airflow control
262A, 262B First partition plate
276 Second partition plate
G substrate

Claims (30)

처리액이 도포된 피처리기판에 대해 상기 처리액의 감압건조처리를 실시하고, 도포막을 형성하는 감압건조장치로서,
피처리기판을 수용하며, 처리공간을 형성하는 챔버와,
상기 챔버 안의 중심부에 설치되어 상기 피처리기판을 유지하는 유지부와,
상기 유지부를 승강 이동시키는 제1 승강수단과,
상기 유지부에 유지된 피처리기판의 가장자리부 하방에 설치된 기류 제어부와,
상기 기류 제어부를 승강 이동시키는 제2 승강수단과,
상기 챔버 안의 상기 챔버 바닥면의 한 변 부근에 형성된 배기구와,
상기 배기구로부터 챔버 안의 분위기를 배기하는 배기수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 감압건조장치.A reduced-pressure drying apparatus for performing a reduced-pressure drying treatment of a treatment liquid on a substrate to which a treatment liquid is applied to form a coating film,
A chamber for receiving a substrate to be processed and forming a processing space;
A holding portion provided at a central portion of the chamber to hold the substrate to be processed,
A first elevating means for elevating and lowering the holding portion,
An airflow control unit provided below the edge portion of the target substrate held by the holding unit,
Second elevating means for elevating and lowering the airflow control portion,
An exhaust port formed near one side of the chamber bottom surface in the chamber,
And exhaust means for exhausting the atmosphere in the chamber from the exhaust port. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 승강수단과 상기 제2 승강수단에 의해 상기 챔버 안에서의 상기 유지부와 상기 기류 제어부의 배치가 이루어지고,
상기 유지부에 유지된 피처리기판에 상기 기류 제어부의 상단이 근접한 상태에서, 상기 배기수단의 배기 동작에 의해, 상기 기판 상면을 한 방향으로 흐르는 기류의 유로가 형성되는 것을 특징으로 하는 감압건조장치.The method according to claim 1,
Wherein the holding unit and the airflow control unit are arranged in the chamber by the first elevating unit and the second elevating unit,
Wherein a flow path of an airflow that flows in one direction on the upper surface of the substrate is formed by the exhaust operation of the exhaust means in a state in which the upper end of the airflow control section is close to the target substrate held in the holding section . 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 배기구는, 상기 피처리기판의 측방에 형성되고,
상기 기류 제어부는, 상기 배기구에 대해, 적어도 상기 유지부에 유지된 피처리기판을 사이에 두고 반대측의 기판 가장자리부의 하방 공간에 설치되는 것을 특징으로 하는 감압건조장치.3. The apparatus according to claim 1 or 2, wherein the exhaust port is formed at a side of the substrate to be processed,
Wherein the airflow control unit is provided in a space below the substrate edge portion on the opposite side with respect to the air outlet, with at least the target substrate held by the holding unit interposed therebetween. 제 3 항에 있어서,
상기 챔버 안에서, 상기 피처리기판을 사이에 두고 상기 배기구와 반대측의 기판 측방에 형성된 급기구와,
상기 급기구로부터 불활성 가스를 챔버 안의 처리공간에 공급하는 급기수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 감압건조장치.The method of claim 3,
An air supply mechanism provided on a side of the substrate opposite to the air outlet with the substrate to be processed therebetween,
And an air supply means for supplying the inert gas from the air supply mechanism to the processing space inside the chamber. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 감압건조장치를 이용하여, 처리액이 도포된 피처리기판에 대해 상기 처리액의 감압건조처리를 실시하여, 도포막을 형성하는 감압건조방법으로서,
상기 유지부에 피처리기판을 유지하는 스텝과,
상기 제1 승강수단에 의해 상기 유지부를 상승시켜, 상기 유지부에 유지된 상기 피처리기판을 상기 챔버의 천정부에 근접시키는 스텝과,
상기 배기수단에 의해 상기 챔버 안의 처리공간을 감압하는 스텝과,
소정 시간 경과후에, 상기 제2 승강수단에 의해 상기 기류 제어부를 상승 이동시켜, 상기 유지부에 유지된 피처리기판에 상기 기류 제어부의 상단을 근접시키는 스텝을 실행하는 것을 특징으로 하는 감압건조방법.A reduced-pressure drying method for forming a coating film by subjecting a substrate to which a treatment liquid is applied to a reduced-pressure drying treatment of the treatment liquid using the reduced-pressure drying apparatus according to claim 1 or 2,
Holding the substrate to be processed in the holding section;
A step of raising the holding portion by the first elevating means to bring the substrate to be processed held by the holding portion close to the ceiling portion of the chamber;
A step of reducing the processing space in the chamber by the exhausting means,
Wherein the step of lifting the airflow control section by the second lifting means causes the upper end of the airflow control section to be brought close to the target substrate held by the holding section after a predetermined time has elapsed. 피처리기판상에 형성된 도포액의 막을 감압 상태에서 건조시키기 위한 감압건조장치로서,
기판을 출납 가능하게 수용하는 감압 가능한 챔버와,
상기 챔버 안에서 기판을 얹어놓는 유지부와,
수평의 제1 방향에서 상기 챔버 안의 상기 유지부의 한쪽 편에 설치되는 제1 급기 포트를 가지며, 상기 제1 급기 포트를 통하여 상기 챔버 안에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부와,
상기 챔버 안에서 상기 제1 급기 포트와 상기 유지부와의 사이의 제1 영역을 제외한 제2 영역에 설치되는 배기 포트를 가지며, 상기 배기 포트를 통하여 상기 챔버 안을 진공 배기하는 배기부와,
상기 제1 급기 포트로부터 분출된 불활성 가스의 일부가 상기 유지부에 얹어놓여져 있는 상기 기판의 아래를 통과하지 않고 불활성 가스의 대부분이 상기 유지부 및 상기 기판의 위를 통과하여 상기 배기 포트에 도달하도록 불활성 가스의 기류의 루트를 규제하는 제1 모드와, 불활성 가스에 대한 상기 기류 루트의 규제를 실질적으로 해제하는 제2 모드와의 사이에서 변환 가능한 기류 제어부를 가지는 감압건조장치.A vacuum drying apparatus for drying a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed in a reduced pressure state,
A pressure-reducible chamber for accommodating the substrate in a detachable manner;
A holder for placing a substrate in the chamber,
An inert gas supply unit having a first supply port provided on one side of the holding unit in the chamber in a horizontal first direction and supplying an inert gas into the chamber through the first supply port,
An exhaust port having an exhaust port provided in a second region of the chamber except for a first region between the first air supply port and the holding portion and exhausting the inside of the chamber through the exhaust port;
A part of the inert gas ejected from the first air supply port does not pass under the substrate placed on the holding part and most of the inert gas passes over the holding part and the substrate to reach the exhaust port And a second mode for regulating the route of the inert gas flow and a second mode for substantially canceling the regulation of the air flow route relative to the inert gas. 피처리기판상에 형성된 도포액의 막을 감압 상태에서 건조시키기 위한 감압건조장치로서,
기판을 출납 가능하게 수용하는 감압 가능한 챔버와,
상기 챔버 안에서 기판을 얹어놓는 유지부와,
수평의 제1 방향에서 상기 챔버 안의 상기 유지부의 한쪽 편에 설치되는 제1 급기 포트를 가지며, 상기 제1 급기 포트를 통하여 상기 챔버 안에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부와,
상기 챔버 안에서 상기 제1 급기 포트와 상기 유지부와의 사이의 제1 영역을 제외한 제2 영역에 설치되는 배기 포트를 가지며, 상기 배기 포트를 통하여 상기 챔버 안을 진공 배기하는 배기부와,
상기 제1 급기 포트로부터 분출된 불활성 가스의 일부가 상기 유지부에 얹어놓여져 있는 상기 기판의 아래를 통과하지 않고 불활성 가스의 대부분이 상기 유지부 및 상기 기판의 위를 통과하여 상기 배기 포트에 도달하도록 불활성 가스의 기류의 루트를 규제하는 제1 모드와, 불활성 가스에 대한 상기 기류 루트의 규제를 실질적으로 해제하는 제2 모드와의 사이에서 변환 가능한 기류 제어부를 구비하고,
상기 기류 제어부는,
상기 제1 방향과 직교하는 수평의 제2 방향에서 상기 챔버의 측벽 내측에 상기 유지부의 양측에 배치되는 제1 칸막이 판과,
상기 제1 칸막이 판을, 상기 제1 모드용 제1 높이 위치와, 상기 제2 모드용 제2 높이 위치와의 사이에서 승강 이동시키는 제1 승강기구를 가지는 감압건조장치.A vacuum drying apparatus for drying a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed in a reduced pressure state,
A pressure-reducible chamber for accommodating the substrate in a detachable manner;
A holder for placing a substrate in the chamber,
An inert gas supply unit having a first supply port provided on one side of the holding unit in the chamber in a horizontal first direction and supplying an inert gas into the chamber through the first supply port,
An exhaust port having an exhaust port provided in a second region of the chamber except for a first region between the first air supply port and the holding portion and exhausting the inside of the chamber through the exhaust port;
A part of the inert gas ejected from the first air supply port does not pass under the substrate placed on the holding part and most of the inert gas passes over the holding part and the substrate to reach the exhaust port And an air flow control section convertible between a first mode for regulating the route of the inert gas flow and a second mode for substantially canceling the regulation of the air flow route to the inert gas,
The air-
A first partition plate disposed on both sides of the holding portion inside the side wall of the chamber in a second horizontal direction orthogonal to the first direction,
And a first elevating mechanism for elevating and lowering the first partitioning plate between the first height position for the first mode and the second height position for the second mode. 기판을 출납 가능하게 수용하는 감압 가능한 챔버와, 상기 챔버 안에서 기판을 얹어놓는 유지부와, 수평인 제1 방향에서 상기 챔버 안의 상기 유지부의 한쪽 편에 설치되는 제1 급기 포트를 가지며, 상기 제1 급기 포트를 통하여 상기 챔버 안에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부와, 상기 챔버내에서 상기 제1 급기 포트와 상기 유지부와의 사이의 제1 영역을 제외한 제2 영역에 설치되는 배기 포트를 가지고, 상기 배기 포트를 통하여 상기 챔버 안을 진공 배기하는 배기부를 가지는 감압건조장치를 이용하여, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막을 감압 상태에서 건조시키기 위한 감압건조방법으로서,
상기 제1 급기 포트로부터 분출된 불활성 가스의 일부가 상기 유지부에 얹어놓여져 있는 상기 기판의 아래를 통과하지 않고 불활성 가스의 대부분이 상기 유지부 및 상기 기판의 위를 통과하여 상기 배기 포트에 도달하도록 불활성 가스의 기류의 루트를 규제하는 제1 모드와, 불활성 가스에 대한 상기 기류 루트의 규제를 실질적으로 해제하는 제2 모드를 선택적으로 변환하는 감압건조방법.A holding portion for holding a substrate in the chamber; and a first air supply port provided on one side of the holding portion in the chamber in a horizontal first direction, An inert gas supply unit for supplying an inert gas into the chamber through an air supply port and an exhaust port provided in a second region in the chamber excluding a first region between the first air supply port and the holding unit, And a vacuum section for evacuating the inside of the chamber through the exhaust port, characterized in that the vacuum drying method is a vacuum drying method for drying a film of a coating liquid formed on a target substrate in a reduced pressure state,
A part of the inert gas ejected from the first air supply port does not pass under the substrate placed on the holding part and most of the inert gas passes over the holding part and the substrate to reach the exhaust port Wherein the first mode for regulating the route of the air stream of the inert gas and the second mode for substantially canceling the regulation of the air flow route for the inert gas are selectively switched. 기판을 출납 가능하게 수용하는 감압 가능한 챔버와, 상기 챔버 안에서 기판을 얹어놓는 유지부와, 수평인 제1 방향에서 상기 챔버 안의 상기 유지부의 한쪽 편에 설치되는 제1 급기 포트를 가지며, 상기 제1 급기 포트를 통하여 상기 챔버 안에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부와, 상기 챔버내에서 상기 제1 급기 포트와 상기 유지부와의 사이의 제1 영역을 제외한 제2 영역에 설치되는 배기 포트를 가지고, 상기 배기 포트를 통하여 상기 챔버 안을 진공 배기하는 배기부를 가지는 감압건조장치를 이용하여, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막을 감압 상태에서 건조시키기 위한 감압건조방법으로서,
상기 제1 급기 포트로부터 분출된 불활성 가스의 일부가 상기 유지부에 얹어놓여져 있는 상기 기판의 아래를 통과하지 않고 불활성 가스의 대부분이 상기 유지부 및 상기 기판의 위를 통과하여 상기 배기 포트에 도달하도록 불활성 가스의 기류의 루트를 규제하는 제1 모드와, 불활성 가스에 대한 상기 기류 루트의 규제를 실질적으로 해제하는 제2 모드를 선택적으로 변환하고,
상기 제1 방향과 직교하는 수평의 제2 방향에서 상기 챔버의 측벽의 내측에 상기 유지부의 양측에 배치되는 제1 칸막이 판을 사용하고,
상기 제1 칸막이 판의 높이 위치를, 상기 제1 모드용 제1 높이 위치와, 상기 제2 모드용 제2 높이 위치와의 사이에서 변환하는 감압건조방법.A holding portion for holding a substrate in the chamber; and a first air supply port provided on one side of the holding portion in the chamber in a horizontal first direction, An inert gas supply unit for supplying an inert gas into the chamber through an air supply port and an exhaust port provided in a second region in the chamber excluding a first region between the first air supply port and the holding unit, And a vacuum section for evacuating the inside of the chamber through the exhaust port, characterized in that the vacuum drying method is a vacuum drying method for drying a film of a coating liquid formed on a target substrate in a reduced pressure state,
A part of the inert gas ejected from the first air supply port does not pass under the substrate placed on the holding part and most of the inert gas passes over the holding part and the substrate to reach the exhaust port A first mode for regulating the route of the inert gas flow and a second mode for substantially canceling the regulation of the air flow route for the inert gas,
A first partitioning plate disposed on both sides of the holding portion inside the side wall of the chamber in a second horizontal direction orthogonal to the first direction,
Wherein the height position of the first partition plate is converted between the first height position for the first mode and the second height position for the second mode. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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