JP2011061016A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光領域の安定した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子10は、陽極2および陰極3からなる一対の電極の間に発光層6を含む有機層3を挟持したエレクトロルミネッセンス素子である。発光層6の含有する発光ドーパント材料は、発光層6の含む発光ドーパント材料の電子移動度と正孔移動度との関係に応じた濃度勾配を発光層6の厚さ方向に有している。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子10は、陽極2および陰極3からなる一対の電極の間に発光層6を含む有機層3を挟持したエレクトロルミネッセンス素子である。発光層6の含有する発光ドーパント材料は、発光層6の含む発光ドーパント材料の電子移動度と正孔移動度との関係に応じた濃度勾配を発光層6の厚さ方向に有している。
【選択図】図1
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELとする)を用いた自発光型の表示装置が開発されている。
有機EL素子は、発光する化合物を含有する発光層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有しており、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子を生成させ、この励起子が失活する際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して発光する素子である。この有機EL素子は、数V〜数十V程度の電圧で発光が可能であり、更に自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、また、薄膜型の完全固体素子であるために省スペースや携帯性等の観点から注目されている。
このような有機EL素子では、エージングによる色度変化や、発光層の周辺化合物への正孔または電子の注入による周辺化合物の劣化等を抑制するために、発光層内に発光領域を安定して制御することが重要である。例えば、特許文献1には、発光層内に発光領域を制御する発光領域制御層が形成された有機EL素子が開示されている。特許文献1に開示された有機EL素子では、正孔輸送材料と電子輸送材料とを含有する発光領域制御層を2つの発光層の間に配置することによって、発光領域を各発光層内に制御している。
ところで、従来の有機EL素子が、異なる種類の有機多層薄膜から成る「ヘテロ接合」とよばれる形式であるのに対し、近年、「ホモ接合」とよばれる新しい形式の有機EL素子が開発されている。ホモ接合型有機EL素子では、単一のホスト材料中に他の物質を添加(ドーピング)することによって、電子輸送層、正孔輸送層、および発光層といった層を含む層構造が実現される。ホモ接合型の有機EL素子は、はるかに単純な構造をもつにも関わらず、ヘテロ接合型と同等の効率を有する有機EL素子として期待されている。
辻勇人、他3名、「ビス(カルバゾリル)ベンゾジフラン:ホモ接合有機発光ダイオードのための高移動度両極性材料(a Bis(carbazolyl)benzodifuran: A High-Mobility Ambipolar Material for Homojunction Organic Light-Emitting Diode Devices)」、〔online]、2009年5月21日、アドバンストマテリアル(Advanced Materials)、インターネット〈URL:http://www3.interscience.wiley.com/journal/122394710/abstract?CRETRY=1&SRETRY=0〉
しかしながら、ホモ接合型有機EL素子においては、発光領域の制御が特に重要な課題となる。
すなわち、ホモ接合型有機EL素子では、電子輸送層、正孔輸送層、および発光層といった層を含む層構造を形成するホスト材料が単一の材料であるため、上記層構造における電子輸送性および正孔輸送性のバランスを確保することが難しく、発光領域を制御することが困難である。また、ホモ接合型有機EL素子の発光層は、上記ホスト材料中に発光材料をドーピングすることによって形成されるため、発光領域の境界が曖昧になりやすい。このため、ホモ接合型有機EL素子では、エージングによる色度変化や発光層の周辺化合物の劣化等が発生しやすい。
一方、特許文献1に開示された技術では、発光領域を制御するために発光領域制御層を設けているため、層構造が複雑化し、その厚みが大きくなってしまうという問題がある。また、特許文献1に記載の発光領域制御層は、その内部においても発光が起こりえるため、発光領域の制御が十分であるとは言えない。
このような状況の中、より簡易な構成によって発光領域が安定的に制御された有機EL素子が求められている。
本発明は、本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、より簡易な構成により発光領域を安定させた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子)は、上記の課題を解決するために、陽極および陰極からなる一対の電極の間に発光層を含む有機層を挟持したエレクトロルミネッセンス素子であって、上記発光層中に含有する発光ドーパント材料は、当該発光ドーパント材料の電子移動度と正孔移動度との関係に応じた濃度勾配を当該発光層の厚さ方向に有することを特徴としている。
上記構成では、発光層中の発光ドーパント材料の電子移動度と正孔移動度との差を利用して、発光領域を発光層に制御することができる。すなわち、電子および正孔の発光層内における移動バランスが好ましく調整され、発光層の中央部において電子と正孔が効率よく再結合できるため、高い発光効率を実現することができる。また、発光層内に正孔および電子の閉じ込めが可能となる。したがって、発光層内に発光領域が安定された有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
また、上記構成では、ドープ濃度が発光層内で異なり、発光層は正孔の移動度が大きい正孔輸送層側と電子の移動度が大きい電子輸送側とに分けられる。このため、エージング中、発光層化合物あるいは周辺化合物が劣化したとしても、発光層内の電子と正孔の再結合確率が依然として高いままである。よって、発光領域が大きく変動しにくい。したがって、上記構成によれば、エージングによる発光領域のズレが生じないため、色度ズレが生じ難く、有機EL素子の長寿命化に繋がる。
なお、一般的に、ホスト(重元素金属を含まない有機化合物(PまたはSiを含む場合あり))の移動度と、発光効率が高い燐光系ドーパント(Ir錯体等の金属錯体)の移動度とは異なるため、本発明に係る有機EL素子は一般に広く適用することができる。
また、上記構成では、特許文献1のように発光領域制御層を設けなくてもよいことから簡易な構成であるといえる。そのため、本発明に係る有機EL素子の層構造を簡単に製造することができ、量産時の低コスト化を実現することができる。
また、本発明に係る有機EL素子では、上記発光ドーパント材料の正孔移動度が電子移動度よりも大きく、上記発光層における上記発光ドーパント材料の濃度は、上記陽極から上記陰極に向かって減少してもよい。
上記のように濃度勾配を有する発光層において、陽極から有機層に注入された正孔は、発光層内を進んで行くが、発光ドーパント材料の濃度が陰極方向へ行くほど減少しているために、陰極に近づくほど移動が制限される。
上記構成によれば、発光層の中央部において電子と正孔が効率よく再結合できるため、簡易な構成にて発光領域を発光層内に安定化することができる。
また、本発明に係る有機EL素子では、上記発光ドーパント材料の電子移動度が正孔移動度よりも大きく、上記発光層における上記発光ドーパント材料の濃度は、上記陰極から上記陽極に向かって減少してもよい。
上記のように発光ドーパントの濃度勾配を有する発光層において、陰極から有機層に注入された電子は発光層内を進んで行くが、発光ドーパント材料の濃度が陰極方向へ行くほど減少しているために、陽極に近づくほど移動が制限される。
上記構成によれば、発光層の中央部において電子と正孔が効率よく再結合できるため、簡易な構成にて発光領域を発光層内に安定化することができる。
また、本発明に係る有機EL素子では、上記発光ドーパント材料の電子移動度と正孔移動度とが等しく、上記発光層における上記発光ドーパント材料の濃度は、上記発光層の厚みの中心部から上記陽極および上記陰極に向かって減少してもよい。
上記のように発光ドーパント材料の濃度勾配を有する発光層において、陽極から注入された正孔および陰極から注入された電荷は共に、発光層の厚みの中心部位へ運ばれ、中央部での再結合の確率が向上する。
上記構成によれば、発光層の中央部において電子と正孔が効率よく再結合できるため、簡易な構成にて発光領域を発光層内に安定化することができる。
また、上記有機層のホスト材料は、単一種類からなることが好ましい。
上記構成では、本発明に係る有機EL素子の層構造をより簡単に製造することができ、量産時の低コスト化を実現することができる。
また、本発明に係る有機EL素子では、上記発光層における上記発光ドーパント材料の濃度は、上記発光層中のホスト材料に対して10%以上30%以下の範囲内にあることが好ましい。
上記構成によれば、発光領域を効果的に発光層内に安定化することができる。
本発明は、陽極および陰極からなる一対の電極の間に発光層を含む有機層を挟持したエレクトロルミネッセンス素子であって、上記発光層の含有する発光ドーパント材料は、当該発光ドーパント材料の電子移動度と正孔移動度との関係に応じた濃度勾配を当該発光層の厚さ方向に有するため、簡易な構成であり、且つ、発光層内に発光領域を安定させた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができるという効果を奏する。
本発明の有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)は、陽極および陰極からなる一対の電極の間に発光層を含む有機層を挟持したエレクトロルミネッセンス素子であって、上記発光層の含有する発光ドーパント材料は、当該発光ドーパント材料の電子移動度と正孔移動度との関係に応じた濃度勾配を当該発光層の厚さ方向に有することを特徴としている。
具体的には、上記発光ドーパント材料の正孔移動度が電子移動度よりも大きく、上記発光層における上記発光ドーパント材料の濃度は、上記陽極から上記陰極に向かって減少する。
または、上記発光ドーパント材料の電子移動度が正孔移動度よりも大きく、上記発光層における上記発光ドーパント材料の濃度は、上記陰極から上記陽極に向かって減少する。
または、上記発光ドーパント材料の電子移動度と正孔移動度とが等しく、上記発光層における上記発光ドーパント材料の濃度は、上記発光層の厚みの中心部から上記陽極および上記陰極に向かって減少する。
本発明において「減少」の意味するところは、総体的に減少していることを意味するのであって、段階的に減少してもよいし、傾斜的に減少してもよい。
また、ホスト材料に対する発光ドーパント材料の濃度は、10%以上30%以下の範囲において変化することが好ましい。
なお、本明細書において、発光層における発光材料の濃度は、分光エリプソメーターによるホスト化合物とドーパント化合物の減衰係数および屈折率差から、算出することができる。また、発光層自体を溶媒に溶解させ、HPLC(液体クロマトグラフィー)の装置によっても決めることができる。
本発明において、「発光ドーパント材料における電子移動度と正孔移動度とが等しい」とは、必ずしも完全に値が一致する必要はなく、正孔と電子の移動度差が1桁の範囲内であれば電子移動度と正孔移動度とが等しいとみなす。
本発明において「発光層の厚みの中心部」の意味するところは、発光層の膜厚方向における中心を含む一定の範囲内にある領域であればよい。
また、本発明に係る有機EL素子は、例えば以下(1)または(2)のような構成を採用することができるが、これらに限定されず、目的等に応じて適宜決めればよい。なお、以下に示す層構成は、陽極と陰極との間に形成される有機材料層を示している。
層構成(1):正孔輸送層/発光層/電子輸送層
層構成(2):正孔輸送層/ブロック層/発光層/電子輸送層
層構成(3):正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層
層構成(4):正孔輸送層/ブロック層/発光層/ブロック層/電子輸送層
以下、図1を参照して、上記(1)の構成を採用した有機EL素子を、本実施形態として説明をする。図1は本発明の一実施の形態による有機EL素子10の概略構成を示す断面図である。
層構成(1):正孔輸送層/発光層/電子輸送層
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以下、図1を参照して、上記(1)の構成を採用した有機EL素子を、本実施形態として説明をする。図1は本発明の一実施の形態による有機EL素子10の概略構成を示す断面図である。
図1に示すように、本実施の形態に係る有機EL素子10では、ベースとなる基板1上に陽極2、有機材料層3、および陰極4がこの順番に積層されている。
基板1には、透過性を有するガラス基板などを用いることができる。ただし、トップエミッション型有機EL素子であれば、基板に透光性を必要としないため、基板1として、シリコンウェハ等の半導体基板を用いてもよい。
陽極2は、有機材料層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機EL素子の用途、目的に応じて、適宜選択することができる。陽極2としては、例えば、酸化錫インジウム(ITO)などが好適に用いられる。
なお、ITOの周辺は有機絶縁膜で囲むようにパターニングされていてもよい。この場合、有機絶縁膜としては、限定するわけではないが、ポリイミド系の樹脂材料などが好適に用いられる。
陰極4は、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、適宜選択することができる。陰極4としては、例えばアルミニウムなどが好適に用いられる。
有機材料層3は、陽極2側の正孔輸送層5、発光層6、および陰極4側の電子輸送層7に大別される。
ここで、本発明は、ヘテロ接合型およびホモ接合型のいずれの有機EL素子に対しても適用することもできる。
有機EL素子10がヘテロ接合型有機EL素子である場合、正孔輸送層5、発光層6、および電子輸送層7の各々が含有するホスト材料は、公知のホスト材料の中から適宜選択することができる。
一方、有機EL素子10がホモ接合型有機EL素子である場合、有機材料層3のホスト材料は、単一種類の材料からなる。正孔輸送層5、発光層6、および電子輸送層7は、単一種類のホスト材料に対して、各層に対応するドーパントを添加することによって形成される。
ただし、ヘテロ接合型およびホモ接合型のいずれの場合であっても、発光層6(ホモ接合型の場合は有機材料層3)の含有するホスト材料としては、電子移動度と正孔移動度とが高く、かつ両者が同程度の材料を用いることが好ましい。ホスト材料の電子移動度および正孔移動度が共に、1×10−4cm2/V・sec以上であるならば、デバイスの低電圧化を望むことができる。有機材料層3のホスト材料として、例えば、2−メチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(MADN)およびビス(カルバゾリル)ベンゾジフラン(CZBDF)等が挙げられる。
正孔輸送層5は、陽極2側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層であり、電子受容性ドーパント(p−ドーパント)を含有する。p−ドーパントとしては、例えば、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノンジメタン(F4TCNQ)等を用いることができる。
電子輸送層7は、陰極4側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層であり、電子供与性ドーパント(n−ドーパント)を含有する。n−ドーパントとしては、例えば、セシウム(Cs)等の金属を用いることができる。
発光層6は正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層であり、発光ドーパント材料(発光ドーパント)を含有する。発光ドーパントとしては、正孔移動度と電子移動度のいずれか一方が高いものであってもよいし、両者が同程度のものであってもよい。具体的には、発光層6の発光ドーパントとして、Ir錯体、Pt錯体、Eu錯体、Au錯体、Re錯体、Ru錯体、およびCu錯体等が挙げられる。
また、正孔移動度が電子移動度より大きい発光ドーパントとしては、Ir(dpbic)3、Ir(ppy)3等が挙げられる。この場合、正孔移動度は1×10−4cm2/V・sec以上、電子移動度は1×10−4cm2/V・sec以下であることが好ましい。また、電子移動度が正孔移動度より大きい発光ドーパントとしては、Alq3等が挙げられる。この場合、電子移動度は1×10−4cm2/V・sec以上、正孔移動度は1×10−4cm2/V・sec以下であることが好ましい。また、電子移動度と正孔移動度とが等しい発光ドーパントの電子移動度と正孔移動度との差は1桁以内であればよいが、1×10−4cm2/V・sec以下であることがより好ましい。
なお、発光ドーパントは複数種を混合して用いてもよいが単一種が好ましい。
発光層6に含有される発光ドーパントは、使用される発光ドーパントの正孔移動度と電子移動度との関係に応じた濃度勾配を、発光層6の厚み方向(膜厚方向)に有する。具体的には、発光ドーパントの正孔移動度をμhとし、電子移動度をμeとするとき、発光層6の発光ドーパントは、以下に記載のような濃度勾配を有する。
μh>μeであるとき、発光層6における発光ドーパントの濃度は、陽極2側にて最も高く、陽極2側から陰極4側に向かって減少する。
μh<μeであるとき、発光層6における発光ドーパントの濃度は、陰極4側にて最も高く、陰極4側から陽極2側に向かって減少する。
μh≒μeであるとき、発光層6における発光ドーパントの濃度は、発光層6の中心部で最も高く、陽極2側および陰極4側に向かって減少する。
また、発光層6における発光ドーパントの濃度は、ホスト材料に対して10%以上30%以下の範囲において変化することが好ましい。
なお、通常の有機ELデバイスでは、発光層における発光ドーパントの濃度は、ホスト材料に対して5%〜10%程度が一般的である。本発明では、上述のように、通常よりも大きな範囲において変化をつけることによって、発光位置を好適に制御することができる。また、30%以上では、ドーパント間の相互作用が大きくなり、発光の失活が起こるため、30%以下であることが好適である。
また、発光層6における発光ドーパントの濃度は、傾斜的に減少してもよいし、複数の段階を経て段階的に減少してもよい。
例えばμh>μeのとき、発光層6における陽極側の一定領域において発光ドーパントの濃度が30%であり、発光層6における残りの陰極側の領域において発光ドーパントの濃度が10%であってもよい。あるいは、発光ドーパントの濃度が陽極側から陰極側に向かって30%から10%に徐々に減少してもよい。
また、例えばμh<μeのとき、発光ドーパントの濃度の高低がμh>μeの場合と逆に配置されればよい。
また、例えばμh≒μeのとき、発光層6における陽極側の一定領域において発光ドーパントの濃度が10%であり、発光層6における中央部の領域にて発光ドーパントの濃度が30%であり、発光層6における残りの陰極側の領域において発光ドーパントの濃度が10%であってもよい。あるいは、発光層6における陽極側の一定領域において、発光ドーパントの濃度が陽極側から陰極側に向かって10%から30%に徐々に増加し、発光層6における残りの陰極側の領域において発光ドーパントの濃度が陽極側から陰極側に向かって30%から10%に徐々に減少してもよい。
なお、傾斜的にドープ濃度が変化する発光層を形成する方法としては、これに限定されないが、インライン方式(基板搬送、蒸着源固定)を利用することができる。
以上の構成によれば、より簡易な構成によって発光領域を発光層6内に安定的に制御することができる。
なお、上記構成に対して、さらにブロック層を設ける場合、ブロック層は発光層6のホスト材料と同じ材料から構成すればよい。
以下、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
始めに、プラズマCVD方によってガラス基板上にシリコン半導体膜を形成し、結晶化処理を施して多結晶シリコン半導体膜を形成した。続いて、多結晶シリコン薄膜をエッチング処理し、複数の島状パターンを形成した。複数の島状パターンの上には、ゲート絶縁膜およびゲート電極層を順次形成し、エッチング処理によってパターニングを行なった。続いて、ドーピングによって島状パターンの多結晶シリコン半導体膜の各島にソース領域およびドレイン領域を形成し、複数のTFTを作成した。さらに、平坦化層としての機能を有する層間絶縁膜を形成し、スルーホールを介してITO画素電極を形成した。有機絶縁膜としてポリイミド系の樹脂層を単層で用い、ITO画素電極の周辺を囲むようにパターニングした。その後、基板を超音波洗浄し、減圧下で200℃3時間ベークした。以上の工程によって、陽極が形成された。
始めに、プラズマCVD方によってガラス基板上にシリコン半導体膜を形成し、結晶化処理を施して多結晶シリコン半導体膜を形成した。続いて、多結晶シリコン薄膜をエッチング処理し、複数の島状パターンを形成した。複数の島状パターンの上には、ゲート絶縁膜およびゲート電極層を順次形成し、エッチング処理によってパターニングを行なった。続いて、ドーピングによって島状パターンの多結晶シリコン半導体膜の各島にソース領域およびドレイン領域を形成し、複数のTFTを作成した。さらに、平坦化層としての機能を有する層間絶縁膜を形成し、スルーホールを介してITO画素電極を形成した。有機絶縁膜としてポリイミド系の樹脂層を単層で用い、ITO画素電極の周辺を囲むようにパターニングした。その後、基板を超音波洗浄し、減圧下で200℃3時間ベークした。以上の工程によって、陽極が形成された。
次に、真空蒸着法によって陽極上に以下の有機材料層(正孔輸送層/発光層/電子輸送層)を蒸着した。なお、有機材料層のホスト材料としては、MADNを用いた。
まず、正孔輸送層として、MADNに対して、p−ドーパントであるF4TCNQを20%ドープした層を40nm形成した。
次に、共蒸着によって、MADNに対して緑色燐光ドーパント(μh=3.0×10‐3cm2/V・secであり、μe=4.0×10‐4cm2/V・secである、正孔移動度μhが電子移動度μeよりも大きいIr錯体(以下、「Ir錯体A」という。)を30%ドープした層を15nm形成し、続いてIr錯体Aの共蒸着量を変更し、MADNに対してIr錯体Aを10%ドープした層を15nm形成した。これによって、発光層を形成した。
なお、正孔移動度及び電子移動度については、Time of Flight(TOF)法によって、105V/cm時の値を測定して求めることができる。
最後に、電子輸送層として、MADNに対して、n−ドーパントであるCsを30%ドープした層を40nm形成した。
有機材料層を形成した後には、リチウムフッ素(LiF)を真空蒸着法によって0.5nmの膜厚で形成し(蒸着速度1Å/sec)、陰極として、アルミニウム(Al)を100nmの膜厚で形成した。
実施例1の有機EL素子では、発光層中にIr錯体Aが、陽極側から陰極側に向かって減少するように、2段階の濃度で存在する。
(実施例2)
実施例2は、有機材料層にブロック層を含む点で実施例1と異なる。以下では有機材料層の形成プロセスを説明し、その他の説明を省略する。
実施例2は、有機材料層にブロック層を含む点で実施例1と異なる。以下では有機材料層の形成プロセスを説明し、その他の説明を省略する。
実施例2では、真空蒸着法によって、陽極上に以下の有機材料層(正孔輸送層/ブロック層/発光層/ブロック層/電子輸送層)を蒸着した。なお、有機材料層のホスト材料としては、MADNを用いた。
まず、正孔輸送層として、MADNに対して、p−ドーパントであるF4TCNQを20%ドープした層を30nm形成した。
次に、ブロック層として、MADNのみを10nm製膜した。
次に、共蒸着によって、MADNに対して緑色燐光ドーパントであるIr錯体Aを30%ドープした層を15nm形成し、続いてIr錯体Aの共蒸着量のみ変更し、MADNに対してIr錯体Aを10%ドープした層を15nm形成した。これによって、発光層を形成した。
次に、再びブロック層として、MADNのみを10nm製膜した。
最後に、電子輸送層として、MADNに対して、n−ドーパントであるCsを30%ドープした層を30nm形成した。
(実施例3)
実施例3は、有機材料層にブロック層を含む点、および発光層中にIr錯体Aが傾斜的濃度で存在する点において、実施例1と異なる。以下では有機材料層の形成プロセスを説明し、その他の説明を省略する。
実施例3は、有機材料層にブロック層を含む点、および発光層中にIr錯体Aが傾斜的濃度で存在する点において、実施例1と異なる。以下では有機材料層の形成プロセスを説明し、その他の説明を省略する。
実施例3では、真空蒸着法によって、陽極上に以下の有機材料層(正孔輸送層/ブロック層/発光層/ブロック層/電子輸送層)を蒸着した。なお、有機材料層のホスト材料としては、MADNを用いた。
まず、正孔輸送層として、MADNに対して、p−ドーパントであるF4TCNQを20%ドープした層を30nm形成した。
次に、ブロック層として、MADNのみを10nm製膜した。
次に、共蒸着によって、MADNに対して緑色燐光ドーパントであるIr錯体Aをドープした層を30nm形成した。この際、インライン方式によって、MADNに対するIr錯体Aのドープ濃度を30%から10%まで傾斜的に変動させた。これによって、発光層を形成した。
次に、再びブロック層として、MADNのみを10nm製膜した。
最後に、電子輸送層として、MADNに対して、n−ドーパントであるCsを30%ドープした層を30nm形成した。
(実施例4)
実施例4では、実施例1〜3と異なり、発光層において、μh=3.0×10‐2cm2/V・secであり、μe=4.0×10‐2cm2/V・secである、正孔移動度μhと電子移動度μeとが等しい緑色燐光ドーパントであるIr錯体(以下、Ir錯体Bという)を用いている。すなわち、実施例4では、発光層の中央部においてIr錯体Bが最も高い濃度を有している。
実施例4では、実施例1〜3と異なり、発光層において、μh=3.0×10‐2cm2/V・secであり、μe=4.0×10‐2cm2/V・secである、正孔移動度μhと電子移動度μeとが等しい緑色燐光ドーパントであるIr錯体(以下、Ir錯体Bという)を用いている。すなわち、実施例4では、発光層の中央部においてIr錯体Bが最も高い濃度を有している。
以下では有機材料層の形成プロセスを説明し、その他の説明を省略する。
実施例4では、真空蒸着法によって、陽極上に以下の有機材料層(正孔輸送層/ブロック層/発光層/ブロック層/電子輸送層)を蒸着した。なお、有機材料層のホスト材料としては、MADNを用いた。
まず、正孔輸送層として、MADNに対して、p−ドーパントであるF4TCNQを20%ドープした層を30nm形成した。
次に、ブロック層として、MADNのみを10nm製膜した。
次に、共蒸着によって、MADNに対して緑色燐光ドーパントであるIr錯体Bをドープした層を30nm形成した。この際、インライン方式によって、MADNに対するIr錯体Bのドープ濃度を変動した。具体的には、始めの15mmを10%から30%まで傾斜的に変動させ、その後の15mmを30%から10%まで傾斜的に変動させた。これによって、発光層を形成した。
次に、再びブロック層として、MADNのみを10nm製膜した。
最後に、電子輸送層として、MADNに対して、n−ドーパントであるCsを30%ドープした層を30nm形成した。
(実施例5)
実施例5では、実施例4と同様に、正孔移動度μhと電子移動度μeとがほぼ同等の緑色燐光ドーパントであるIr錯体Bを用いている。実施例5は、Ir錯体Bの濃度勾配が傾斜的ではなく、段階的である点において、実施例4と異なる。
実施例5では、実施例4と同様に、正孔移動度μhと電子移動度μeとがほぼ同等の緑色燐光ドーパントであるIr錯体Bを用いている。実施例5は、Ir錯体Bの濃度勾配が傾斜的ではなく、段階的である点において、実施例4と異なる。
以下では有機材料層の形成プロセスを説明する。
実施例5では、真空蒸着法によって、陽極上に以下の有機材料層(正孔輸送層/ブロック層/発光層/ブロック層/電子輸送層)を蒸着した。なお、有機材料層のホスト材料としては、MADNを用いた。
まず、正孔輸送層として、MADNに対して、p−ドーパントであるF4TCNQを20%ドープした層を30nm形成した。
次に、ブロック層として、MADNのみを10nm製膜した。
次に、共蒸着によって、MADNに対して緑色燐光ドーパントであるIr錯体Bをドープした層を30nm形成した。この際、Ir錯体Aの共蒸着量のみ変更することによって、MADNに対するIr錯体Aのドープ濃度について、最初に形成した10mmでは10%とし、次の10mmでは30%とし、最後に形成した10mmでは再び10%とした。これによって、発光層を形成した。
次に、再びブロック層として、MADNのみを10nm製膜した。
最後に、電子輸送層として、MADNに対して、n−ドーパントであるCsを30%ドープした層を30nm形成した。
(比較例1)
比較例では、発光層として、MADNにIr錯体Aを15%ドープした層を30mm形成した他は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
比較例では、発光層として、MADNにIr錯体Aを15%ドープした層を30mm形成した他は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
(駆動電圧、電流効率、CIE色度の測定)
得られた実施例1〜5の有機EL素子および比較例の有機EL素子が、1000cd/m2で発光するように電圧を印加し、この輝度における駆動電圧、電流効率、CIE色度をそれぞれ測定した。また、各有機EL素子における1000cd/m2発光時のT70における色度ずれを測定し、さらに、1000cd/m2発光時の寿命を測定した。
得られた実施例1〜5の有機EL素子および比較例の有機EL素子が、1000cd/m2で発光するように電圧を印加し、この輝度における駆動電圧、電流効率、CIE色度をそれぞれ測定した。また、各有機EL素子における1000cd/m2発光時のT70における色度ずれを測定し、さらに、1000cd/m2発光時の寿命を測定した。
なお、色度ずれについては、暗室下、一定電流値の条件において、1000cd/m2発光時、および700cd/m2まで輝度が劣化した条件下にて色度測定を行い、初期状態に比べた際のCIE色度のx、yを測定し、その差異を示した。
得られた結果を表1に示した。なお、実施例4および5は、実施例1〜3および比較例1とは発光ドーパントの材料が異なるため、その特性や寿命を比較することはできない。
実施例1〜3は、比較例1に比して、電流効率、色度ずれ、および寿命の点において、性能が向上した。よって、比較例1では、発光層外(F4TCNQあるいはCs)への移動が起こりやすくなり、発光効率が落ち込んでいるのに対し、実施例1〜3では、発光層内への発光の押さえ込みがされていることが明らかとなった。
また、実施例2は、実施例1に比して、寿命が長く保たれた。よって、発光層と正孔輸送層または電子輸送層との接触を回避することによって、層間における界面の劣化が抑制され、長寿命化されるが明らかとなった。
また、実施例3は、実施例2に比して寿命が長く保たれた。よって、発光層内における発光ドーパントの濃度を傾斜的に変化させると、発光領域をより効率よく制御することが明らかとなった。
また、実施例4および5は、実施例1〜3と同程度の優れた性能を示した。
本発明は、低コストで量産可能な有機エレクトロルミネッセンスとして利用することができる。
1 基板
2 陽極
3 有機材料層
4 陰極
5 正孔輸送層
6 発光層
7 電子輸送層
10 有機EL素子
2 陽極
3 有機材料層
4 陰極
5 正孔輸送層
6 発光層
7 電子輸送層
10 有機EL素子
Claims (6)
- 陽極および陰極からなる一対の電極の間に発光層を含む有機層を挟持したエレクトロルミネッセンス素子であって、
上記発光層の含有する発光ドーパント材料は、当該発光ドーパント材料の電子移動度と正孔移動度との関係に応じた濃度勾配を当該発光層の厚さ方向に有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 上記発光ドーパント材料の正孔移動度が電子移動度よりも大きく、上記発光層における上記発光ドーパント材料の濃度は、上記陽極から上記陰極に向かって減少することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 上記発光ドーパント材料の電子移動度が正孔移動度よりも大きく、上記発光層における上記発光ドーパント材料の濃度は、上記陰極から上記陽極に向かって減少することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 上記発光ドーパント材料の電子移動度と正孔移動度とが等しく、上記発光層における上記発光ドーパント材料の濃度は、上記発光層の厚みの中心部から上記陽極および上記陰極に向かって減少していることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 上記有機層のホスト材料は、単一種類からなることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 上記発光層における上記発光ドーパント材料の濃度は、上記発光層中のホスト材料に対して10%以上30%以下の範囲内にあることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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-
2009
- 2009-09-10 JP JP2009209278A patent/JP2011061016A/ja active Pending
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