JP2011059307A

JP2011059307A - Method and device for carrying and exposing film substrate

Info

Publication number: JP2011059307A
Application number: JP2009207959A
Authority: JP
Inventors: Maki Nagaya; 眞紀長屋; Tatsuya Nishikawa; 達也西川; Yasunori Kitagawa; 保則北川; Tomohiro Tsuruta; 智博鶴田
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2009-09-09
Filing date: 2009-09-09
Publication date: 2011-03-24

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To form a thin film pattern on a film substrate at reduced manufacturing cost needed to form a precise positioning mark on the film substrate in advance. <P>SOLUTION: The film substrate carrying and exposing device includes a carrying mechanism configured to carry by intermittent feeding the film substrate where a thin film for pattern formation and a photosensitive resist film are formed, and also includes an exposure part configured to expose the photosensitive resist film to a pattern of the positioning mark formed on a photomask. The exposure part exposes the photosensitive resist film to a positioning mark of a first pattern formed on the photomask, performs next exposure after the exposure with a positioning mark of a second pattern formed on the photomask over the first pattern, having been exposed, of the film substrate carried by the intermittent feeding to form a positioning mark having the photosensitive resist film changed in quality, and detects a position shift between the first pattern and second pattern of the positioning mark having the photosensitive resist film changed in quality. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば、ＣＲＴやＰＤＰ、液晶、ＥＬなどの画像表示装置の画像を表示する前面側に設けられてこの前面から発生する電磁波を遮断するための電磁波シールド部材や非接触ＩＣカードのアンテナ回路や、液晶ディスプレイのカラーフィルタ等の薄膜パターンを形成したフィルム基板をロール・ツー・ロールで製造するフィルム基板搬送露光方法及び、その製造に用いるフィルム基板搬送露光装置に関する。 The present invention is, for example, an electromagnetic shielding member provided on the front side for displaying an image of an image display device such as a CRT, PDP, liquid crystal, EL, etc., and an antenna for a non-contact IC card for blocking electromagnetic waves generated from the front side. The present invention relates to a film substrate transport exposure method for manufacturing a film substrate on which a circuit or a thin film pattern such as a color filter of a liquid crystal display is formed by roll-to-roll, and a film substrate transport exposure apparatus used for the manufacture.

近年、液晶表示装置等の表示装置では、従来から用いられてきたガラス基板に代えて可撓性のプラスチックフィルム基板（以下、フィルム基板ともいう）を用いたものが開発されている。また、ＣＲＴやＰＤＰ、液晶、ＥＬなどの画像表示装置（ディスプレイ）では、画像表示時に電磁波を発生するものがある。そのため、画像を表示するディスプレイの前面に電磁波シールド部材を設け、電磁波の観察者への到達を防止する技術が提案されている。表示装置の前面に設ける電磁波シールド部材は、画像の視認性を確保するため、透明なフィルム（フィルム基板）上に数十〜数千Åの厚さの遮光性金属からなる導電性薄膜のメッシュ状のパターンを形成することで、ディスプレイの前面に設けた場合においても可視光を透過させた電磁波シールド部材としている。または、透明性を有する金属酸化物の導電性薄膜を蒸着した導電性薄膜パターンを形成して、画像の視認性を確保しつつディスプレイの前面から発生する電磁波ノイズを遮断する電磁波シールド部材（ＥＭＩ（Electro-Magnetic Interference）シールド部材）も開発されている。あるいは、フィルム基板上に非接触ＩＣカードに用いるアンテナ回路を複数形成する技術が開発されている。 In recent years, a display device such as a liquid crystal display device has been developed that uses a flexible plastic film substrate (hereinafter also referred to as a film substrate) in place of a conventionally used glass substrate. Some image display devices (displays) such as CRT, PDP, liquid crystal, and EL generate electromagnetic waves during image display. Therefore, a technique has been proposed in which an electromagnetic wave shielding member is provided on the front surface of a display for displaying an image to prevent electromagnetic waves from reaching the observer. The electromagnetic shielding member provided on the front surface of the display device is a mesh of a conductive thin film made of a light-shielding metal having a thickness of several tens to several thousand on a transparent film (film substrate) in order to ensure image visibility. By forming this pattern, an electromagnetic wave shielding member that transmits visible light is provided even when it is provided on the front surface of the display. Alternatively, an electromagnetic wave shielding member (EMI (EMI) that blocks electromagnetic wave noise generated from the front surface of the display while forming a conductive thin film pattern by vapor-depositing a conductive thin film of a metal oxide having transparency to ensure image visibility. Electro-Magnetic Interference (shielding member) has also been developed. Alternatively, a technique for forming a plurality of antenna circuits used for a non-contact IC card on a film substrate has been developed.

このようにフィルム基板の上にパターンを形成する場合には、生産効率を向上させる観点から、ロールツーロール方式のフィルム基板搬送装置を用いてフィルム基板を複数の搬送ロールにより帯状に搬送しながらフィルム基材上に複数の部材を所定の間隔を持たせて形成するよう処理することが好ましい。特許文献１にロールツーロール方式のフィルム基板搬送装置を用いて液晶表示装置を製造する方法が開示されている。特許文献１では、巻き出しロールから巻き出された、電極パターンが形成されたプラスチックフィルムのフィルム基板に対して、フィルム基板に形成された位置合せマークの位置を撮像手段で検出し、それによりフォトマスクとフィルム基板の位置ずれを検出して、位置修正機構により、フォトマスクとフィルム基板の位置ずれを修正して、フォトマスクのパターンを転写することで、ＴＦＴ、画素電極及びカラーフィルタ等のパターンをフィルム基板上に形成する技術が記載されている。この製造方法により、ロールツーロール方式により連続的に液晶表示装置を生産できる。 Thus, when forming a pattern on a film substrate, from the viewpoint of improving production efficiency, the film substrate is transported in a strip shape by a plurality of transport rolls using a roll-to-roll film substrate transport device. It is preferable to process so that a some member may be formed on a base material with a predetermined space | interval. Patent Document 1 discloses a method of manufacturing a liquid crystal display device using a roll-to-roll film substrate transport device. In Patent Document 1, the position of an alignment mark formed on a film substrate is detected by an image pickup means with respect to a plastic film film substrate unwound from an unwinding roll, and photo By detecting the misalignment between the mask and the film substrate, correcting the misalignment between the photomask and the film substrate by the position correcting mechanism, and transferring the photomask pattern, the pattern of TFT, pixel electrode, color filter, etc. A technique for forming a film on a film substrate is described. With this manufacturing method, a liquid crystal display device can be continuously produced by a roll-to-roll method.

特開２００８−２８５２８１号公報JP 2008-285281 A

特許文献１では、フィルム基板上に予め電極パターン等による位置合せマークを形成し、その位置合せマークにフォトマスクの位置合せマークを位置合せすることで、フィルム基板とフォトマスクを位置合せしていた。しかし、そのためにフィルム基板に予め精密な位置合せマークを形成する工程が必要であり、それが、フィルム基板上にフォトマスクのパターンを形成するコストを上昇させる問題があった。 In Patent Document 1, an alignment mark based on an electrode pattern or the like is formed on a film substrate in advance, and the alignment mark of the photomask is aligned with the alignment mark, thereby aligning the film substrate and the photomask. . However, for this purpose, a process of forming a precise alignment mark on the film substrate in advance is required, which raises the problem of increasing the cost of forming a photomask pattern on the film substrate.

本発明の課題は、ロール・ツー・ロールによるパターンの製造方法において、フィルム基板に予め精密な位置合せマークを形成するために要する製造コストを低減して薄膜パターンを形成することにある。 An object of the present invention is to form a thin film pattern in a roll-to-roll pattern manufacturing method by reducing the manufacturing cost required for forming a precise alignment mark on a film substrate in advance.

本発明は、上記の課題を解決するために、帯状に搬送される、ロールから巻き出された長尺帯状のフィルム基板に露光を行うフィルム基板搬送露光方法であって、パターン形成用の薄膜とパターン露光光によって感光する感光性の感光材を含む感光性レジスト膜とを形成した前記フィルム基板を搬送機構により間欠送りに搬送する搬送工程と、前記感光性レジスト膜に、フォトマスクに形成した位置合せマークのパターンを露光して前記感光性レジスト膜を変質させる露光工程と、前記感光性レジスト膜を変質させた位置合せマークを観察することで搬送による前記フィルム基板の位置ずれを検出する位置ずれ検出工程を有し、前記露光工程が、前記感光性レジスト膜にフォトマスクに形成した第１のパターンの位置合せマークを露光する工程と、前記露光後の次の露光の際に、間欠送りにより搬送されてきた前記フィルム基板の既に露光された前記第１のパターンに、フォトマスクに形成した第２のパターンの位置合せマークを重ねて露光し前記感光性レジスト膜を変質させた位置合せマークを形成する工程を有し、前記位置ずれ検出工程が、前記感光性レジスト膜を変質させた位置合せマークの前記第１のパターンと前記第２のパターンの位置ずれを検出することで搬送による前記フィルム基板の位置ずれを検出することを特徴とするフィルム基板搬送露光方法である。 In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is a film substrate transport exposure method for exposing a long strip-shaped film substrate unrolled from a roll, which is transported in a strip shape, and a thin film for pattern formation A transport step of transporting the film substrate formed with a photosensitive resist film containing a photosensitive photosensitive material that is sensitized by pattern exposure light by intermittent transport by a transport mechanism; a position formed on the photosensitive resist film on a photomask; An exposure process for exposing the alignment mark pattern to alter the photosensitive resist film, and a misalignment for detecting misalignment of the film substrate due to conveyance by observing the alignment mark having altered the photosensitive resist film A detecting step, wherein the exposure step exposes a first pattern alignment mark formed on the photomask on the photosensitive resist film. And the second pattern alignment mark formed on the photomask is overlaid on the already exposed first pattern of the film substrate which has been conveyed by intermittent feeding in the next exposure after the exposure. And forming a registration mark that has altered the photosensitive resist film by exposing the first resist pattern and the first pattern of the registration mark that has altered the photosensitive resist film. A film substrate transport exposure method characterized by detecting a position shift of the film substrate due to transport by detecting a position shift of the second pattern.

また、本発明は、帯状に搬送される、ロールから巻き出された長尺帯状のフィルム基板に露光を行うフィルム基板搬送露光装置であって、パターン形成用の薄膜とパターン露光光によって感光する感光性の感光材を含む感光性レジスト膜とを形成した前記フィルム基板を間欠送りに搬送する搬送機構を備え、前記感光性レジスト膜に、フォトマスクに形成した位置合せマークのパターンを露光する露光部を備え、前記露光部が、前記感光性レジスト膜にフォトマスクに形成した第１のパターンの位置合せマークを露光し、前記露光後の次の露光の際に、間欠送りにより搬送されてきた前記フィルム基板の既に露光された前記第１のパターンに、フォトマスクに形成した第２のパターンの位置合せマークを重ねて露光し前記感光性レジスト膜を変質させた位置合せマークを形成し、前記感光性レジスト膜を変質させた位置合せマークの前記第１のパターンと前記第２のパターンの位置ずれを検出することで搬送による前記フィルム基板の位置ずれを検出する位置ずれ検出部を備えたことを特徴とするフィルム基板搬送露光装置である。 Further, the present invention is a film substrate transport exposure apparatus for exposing a long strip-shaped film substrate unrolled from a roll, which is transported in a strip shape, and is sensitive to light by a pattern forming thin film and pattern exposure light. An exposure unit that includes a transport mechanism that transports the film substrate formed with a photosensitive resist film containing a photosensitive photosensitive material intermittently, and that exposes a pattern of an alignment mark formed on a photomask on the photosensitive resist film The exposure unit exposes the alignment mark of the first pattern formed on the photomask on the photosensitive resist film, and has been conveyed by intermittent feeding at the time of the next exposure after the exposure. The first resist pattern already exposed on the film substrate is overlaid with the alignment mark of the second pattern formed on the photomask to expose the photosensitive resist film. A misregistration mark is formed, and a misregistration of the film substrate due to conveyance is detected by detecting misregistration between the first pattern and the second pattern of the alignment mark which has altered the photosensitive resist film. A film substrate transport exposure apparatus comprising a position deviation detection unit for detecting the above.

本発明のフィルム基板搬送露光方法は、フィルム基板に予め精密な位置合せマークを形成せずに露光パターン同士を位置合せできるので、フィルム基板に薄膜のパターンを形成する製造コストを低減できる効果がある。また、フォトマスクの露光パターンの前端部の第２の位置合せマークを、感光性レジストに先行して露光したフォトマスクの露光パターンの後端部の第１の位置合せマークに重ね合わせて投影してパターンを露光することで、２度の露光パターンの位置が観察可能なパターンとして感光性レジスト１に記録される。これにより、２度の露光後に、感光性レジストのこの部分の、最初の露光による第１のパターンの位置合せマークと２度目の露光による第２のパターンの位置合せマークの重ね合せの位置ずれを観察することで、フィルム基板の搬送の位置ずれを観察でき、それによりフィルム基板の搬送の位置ずれを精密に補正できる効果がある。また、それにより製造された薄膜パターンには、感光性レジストの最初の露光による位置合せマーク２の第１のパターンと２度目の露光による第２のパターンを重ね合せたパターンが転写されて記録されることにより、薄膜パターンに、２度の露光同士の位置合せの精度が観察できるように記録される効果がある。 The film substrate transport exposure method of the present invention can align exposure patterns without forming a precise alignment mark on the film substrate in advance, and thus has an effect of reducing the manufacturing cost of forming a thin film pattern on the film substrate. . In addition, the second alignment mark at the front end of the exposure pattern of the photomask is superimposed and projected onto the first alignment mark at the rear end of the exposure pattern of the photomask exposed prior to the photosensitive resist. By exposing the pattern, the position of the exposure pattern twice is recorded on the photosensitive resist 1 as an observable pattern. As a result, after the second exposure, this portion of the photosensitive resist is misaligned when the alignment mark of the first pattern by the first exposure and the alignment mark of the second pattern by the second exposure are overlaid. By observing, it is possible to observe the positional deviation of the transport of the film substrate, and thereby it is possible to accurately correct the positional deviation of the transport of the film substrate. In addition, the thin film pattern produced thereby is transferred and recorded with a pattern in which the first pattern of the alignment mark 2 by the first exposure of the photosensitive resist and the second pattern by the second exposure are superimposed. This has the effect of being recorded on the thin film pattern so that the accuracy of the alignment between the two exposures can be observed.

本発明により製造する電磁波シールド部材の一部を示す平面図である。It is a top view which shows a part of electromagnetic wave shielding member manufactured by this invention. 本発明により製造する電磁波シールド部材の一部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a part of electromagnetic wave shielding member manufactured by this invention. 本発明のフィルム基板搬送露光装置の一例を示す概略側面図である。It is a schematic side view which shows an example of the film board | substrate conveyance exposure apparatus of this invention. （ａ）本発明のフィルム基板搬送露光装置の露光部が感光性レジストへ投影する位置合せマークのパターンを示す平面図である。（ｂ）本発明のフィルム基板搬送露光装置の露光部の概略側面図である。(A) It is a top view which shows the pattern of the alignment mark which the exposure part of the film substrate conveyance exposure apparatus of this invention projects on a photosensitive resist. (B) It is a schematic side view of the exposure part of the film board | substrate conveyance exposure apparatus of this invention. 本発明のフィルム基板搬送露光装置による位置合せマーク形成方法の概要を示す平面図である。It is a top view which shows the outline | summary of the alignment mark formation method by the film substrate conveyance exposure apparatus of this invention. 本発明のフィルム基板搬送露光装置が用いる位置合せマークの形状の例を示す平面図である。It is a top view which shows the example of the shape of the alignment mark which the film substrate conveyance exposure apparatus of this invention uses.

以下、図１から図６を参照し、本発明を説明する。本発明のフィルム基板搬送露光装置は、ロール・ツー・ロール方式で連続して搬送されるウェブフィルム状（長尺帯状）のプラスチックフィルム等のフィルム基板１０上にフォトリソグラフィ法でパターンを形成する。図１と図２は、それにより製造する製品の一つである電磁波シールド部材の１実施例を示す平面図と側面図である。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. The film substrate transport exposure apparatus of the present invention forms a pattern by a photolithography method on a film substrate 10 such as a web film (long band) plastic film that is continuously transported by a roll-to-roll method. FIG. 1 and FIG. 2 are a plan view and a side view showing one embodiment of an electromagnetic wave shielding member which is one of products manufactured thereby.

本実施形態のフィルム基板搬送露光装置で電磁波シールド部材を製造する場合は、フィルム基板搬送露光装置は、ロール・ツー・ロール方式で連続して搬送されるウェブフィルム状の透明のプラスチックフィルム等のフィルム基板１０上にフォトリソグラフィ法及びフォトエッチング法で、図１と図２に示す様な金属薄膜などから成る薄膜パターン４０を形成する。なお、図１と図２の例に示す電磁波シールド部材では、電磁波シールド部材の薄膜パターン４０は、平面視で略正方形の複数の開口部４４を規則的に配列した幾何学形状（メッシュ状）であり、金属薄膜などの導電性材料にて形成され、その薄膜パターン４０は透明のプラスチックフィルム等のフィルム基板１０上に積層されている。 When manufacturing an electromagnetic wave shielding member with the film substrate transport exposure apparatus of this embodiment, the film substrate transport exposure apparatus is a film such as a web film-like transparent plastic film that is continuously transported in a roll-to-roll system. A thin film pattern 40 made of a metal thin film as shown in FIGS. 1 and 2 is formed on the substrate 10 by photolithography and photoetching. In the electromagnetic wave shielding member shown in the examples of FIGS. 1 and 2, the thin film pattern 40 of the electromagnetic wave shielding member has a geometric shape (mesh shape) in which a plurality of substantially square openings 44 are regularly arranged in a plan view. The thin film pattern 40 is formed on a film substrate 10 such as a transparent plastic film.

プラスチックフィルム（基材）のフィルム基板１０は、その厚さｄ４を５０μｍ程度にした無色透明のＰＥＴ（polyethylene terephthalate）フィルムを用いることができる。また、フィルム基板１０の薄膜パターン４０を積層する一方の面１０ａには、粗化処理を施し、薄膜パターン４０との密着性（一体性）が十分に確保されるように凹凸状に形成することが望ましい。 As the plastic film (base material) film substrate 10, a colorless and transparent PET (polyethylene terephthalate) film having a thickness d4 of about 50 μm can be used. Further, the one surface 10a of the film substrate 10 on which the thin film pattern 40 is laminated is subjected to a roughening process, and is formed in a concavo-convex shape so that sufficient adhesion (integration) with the thin film pattern 40 is ensured. Is desirable.

電磁波シールド部材の一実施例は、フィルム基板１０の一方の面に接合する第一の導電性薄膜（第一の導電性層）４１と、この第一の導電性薄膜４１に積層した第二の導電性薄膜（第二の導電性層）４２とを一体に積層した薄膜パターン４０を成する。第一の導電性薄膜４１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であり、その厚さｄ５を０．１μｍ程度に形成する。第二の導電性物質４２は、銅もしくはニッケルであり、その厚さｄ６が５μｍ程度で形成する。また、このように第一の導電性物質４１と第二の導電性薄膜４２が一体に積層形成されてなる薄膜パターン４０は、図２に示すように、厚さｄ１方向に延びる側面４３が垂直に延設され、断面視で一対の側面４３を結ぶライン幅ｄ２を上端から下端まで略一定に形成する。これにより、薄膜パターン４０は、図１の平面図に示すように、複数の開口部４４のそれぞれの幅（ライン間隔）ｄ３を略一定に形成し、各開口部４４の隅角部４４ａが略直角に交差して顕在化した幾何学形状を呈するように形成する。この薄膜パターン４０はライン幅ｄ２を５μｍ程度に形成し、開口部４４の幅ｄ３を１９５μｍ程度に形成する。他の電磁波シールド部材の実施例として、銅箔等の金属箔で薄膜パターン４０を形成して電磁波シールド部材を製造することもできる。 One embodiment of the electromagnetic wave shielding member includes a first conductive thin film (first conductive layer) 41 bonded to one surface of the film substrate 10, and a second layer laminated on the first conductive thin film 41. A thin film pattern 40 in which a conductive thin film (second conductive layer) 42 is laminated integrally is formed. The first conductive thin film 41 is made of ITO (Indium Tin Oxide) and has a thickness d5 of about 0.1 μm. The second conductive material 42 is made of copper or nickel and has a thickness d6 of about 5 μm. Further, the thin film pattern 40 formed by integrally laminating the first conductive material 41 and the second conductive thin film 42 as described above has a side surface 43 extending in the thickness d1 direction as shown in FIG. The line width d2 connecting the pair of side surfaces 43 in a cross-sectional view is formed substantially constant from the upper end to the lower end. Thereby, as shown in the plan view of FIG. 1, the thin film pattern 40 forms the widths (line intervals) d <b> 3 of the plurality of openings 44 substantially constant, and the corners 44 a of the openings 44 are substantially the same. It is formed so as to exhibit a geometric shape that is manifested by intersecting at right angles. The thin film pattern 40 has a line width d2 of about 5 μm and an opening 44 having a width d3 of about 195 μm. As an example of another electromagnetic wave shielding member, the electromagnetic wave shielding member can be manufactured by forming the thin film pattern 40 with a metal foil such as a copper foil.

次に、この薄膜パターン４０をフィルム基板１０上に形成する方法と、その形成に用い
る本発明のフィルム基板搬送露光装置の実施形態について説明する。
＜第１の実施形態＞
（フィルム基板搬送露光装置）
図３と図４は、第１の実施形態のフィルム基板搬送露光装置の要部を示す概略図である。図５は、フィルム基板１０とフォトマスク１８とを位置合わせした例を示し、図６は、フォトマスク１８に形成した、Ａパターンの位置合せマーク２とＢパターンの位置合せマーク２の形の例を示す。フィルム基板搬送露光装置は、図３と図４に示すように、軸方向が互いに平行である複数の円筒状の搬送ロール１３を備える。搬送ロール１３は、その回転軸が帯状のフィルム基板１０の搬送方向と直行するよう設けられ、複数の搬送ロール１３が回転軸を中心にして回転することにより可撓性のフィルム基板１０を搬送するように構成されている。各搬送ロール１３は、例えばアルミニウム等により形成されており、円筒の直径が、例えば７６．２ｍｍ以上且つ２００ｍｍ以下等の大きさである。上記フィルム基板１０は、図３のように巻き出しロール１２から連続して巻き出されて、巻き取りロール２４で連続して巻き取られる。すなわち、巻き出しロール１２及び巻き取りロール２４は、長尺帯状のフィルム基板１０がリールにロール状に巻かれて取り付けられて構成されている。そうして、フィルム基板搬送露光装置は、巻き出しロール１２からフィルム基板１０を帯状に巻き出すと共に複数の搬送ロール１３により支持しながら搬送することにより、長尺なフィルム基板１０に対して連続して所定の処理を施すことが可能になっている。 Next, a method for forming the thin film pattern 40 on the film substrate 10 and an embodiment of the film substrate transport exposure apparatus of the present invention used for the formation will be described.
<First Embodiment>
(Film substrate transport exposure equipment)
3 and 4 are schematic views showing the main part of the film substrate transport exposure apparatus of the first embodiment. FIG. 5 shows an example in which the film substrate 10 and the photomask 18 are aligned, and FIG. 6 shows an example of the shapes of the A pattern alignment mark 2 and the B pattern alignment mark 2 formed on the photomask 18. Indicates. As shown in FIGS. 3 and 4, the film substrate transport exposure apparatus includes a plurality of cylindrical transport rolls 13 whose axial directions are parallel to each other. The transport roll 13 is provided so that the rotation axis thereof is perpendicular to the transport direction of the belt-shaped film substrate 10, and the plurality of transport rolls 13 rotate around the rotation axis to transport the flexible film substrate 10. It is configured as follows. Each transport roll 13 is made of, for example, aluminum, and the diameter of the cylinder is, for example, 76.2 mm or more and 200 mm or less. The film substrate 10 is continuously unwound from the unwinding roll 12 as shown in FIG. That is, the unwinding roll 12 and the winding roll 24 are configured by attaching the long belt-like film substrate 10 wound around a reel in a roll shape. Then, the film substrate transport exposure apparatus continuously rolls out the film substrate 10 from the unwind roll 12 while being supported by the plurality of transport rolls 13, thereby continuously with respect to the long film substrate 10. Thus, it is possible to perform predetermined processing.

（フィルム基板の加工方法）
以下で、上記のフィルム基板搬送露光装置を用いて、電磁波シールド部材をフォトリソグラフィー法で製造する例により、フィルム基板搬送露光方法を説明する。電磁波シールド部材をロール・ツー・ロール方式で製造するために、先ず、長尺帯状のプラスチックのフィルム基板１０を原反ロールに設置する。
（下地の薄膜層形成工程）
ＩＴＯ（第一の薄膜層）から成る第１の導電性薄膜４１を薄膜パターン４０の下地に用いる電磁波シールド部材を製造する場合は、以下のようにして第１の導電性薄膜４１をフィルム基板１０の表面に形成する。すなわち、このプラスチックフィルムのフィルム基板１０の原反ロールを蒸着装置に設置し、フィルム基板１０を原反ロールから送り出しつつ、その表面（一面１０ａ）にスパッタ法もしくは蒸着法によってＩＴＯ（第一の薄膜層）から成る第１の導電性薄膜４１を一様に成膜（積層形成）し、成膜したフィルム基板１０を巻き取りロールに巻き取る。なお、他の実施形態として、銅箔などの遮光性の金属箔をエッチングすることでフィルム基板１０上に直接に銅箔からなる遮光性の薄膜パターン４０を形成する場合には、この工程でプラスチックフィルムのフィルム基板１０上に直接に銅箔をラミネートする。 (Film substrate processing method)
Hereinafter, the film substrate transport exposure method will be described using an example in which the electromagnetic wave shielding member is manufactured by the photolithography method using the above film substrate transport exposure apparatus. In order to manufacture the electromagnetic wave shielding member by a roll-to-roll method, first, a long strip-shaped plastic film substrate 10 is set on an original fabric roll.
(Underlying thin film layer forming process)
When manufacturing an electromagnetic wave shielding member using the first conductive thin film 41 made of ITO (first thin film layer) as a base of the thin film pattern 40, the first conductive thin film 41 is attached to the film substrate 10 as follows. Form on the surface. That is, the raw film roll of the plastic film film substrate 10 is placed in a vapor deposition apparatus, and the film substrate 10 is sent out from the raw film roll, while the surface (one surface 10a) is made of ITO (first thin film) by sputtering or vapor deposition. The first conductive thin film 41 made of a layer is uniformly formed (laminated formation), and the film substrate 10 thus formed is wound on a winding roll. In another embodiment, when a light-shielding metal foil such as a copper foil is etched to form a light-shielding thin film pattern 40 made of a copper foil directly on the film substrate 10, plastic is used in this step. A copper foil is laminated directly on the film substrate 10 of the film.

（感光性レジスト膜形成工程）
次に、導電性薄膜を成膜した長尺帯状のフィルム基板１０を巻き取った巻き取りロールを、図３のようにフィルム基板搬送露光装置の巻き出しロール１２に設置する。図３の矢印記号３０は、フィルム基板１０の搬送方向を示している（本例では矢印記号３０に示すように、フィルム基板１は、図中左から右に送り出される）。フィルム基板搬送露光装置は、フィルム基板１０を搬送ロール１３で搬送しつつ、そのフィルム基板１０上に感光性レジスト１を形成する機構（図示せず）を備える。その機構は、例えば、感光性のドライフィルムレジストをフィルム基板１０にラミネートする機構、あるいは、感光性レジスト液をフィルム基板１０に塗布する機構等で構成する。このフィルム基板搬送露光装置は、導電性薄膜を成膜したフィルム基板１０を、それぞれ軸方向が互いに平行である複数の搬送ロール１３により搬送しながら、フィルム基板１０の第１の導電性薄膜（ＩＴＯ薄膜）４１上に感光性レジスト１を成膜し、図４（ｂ）に示すような積層体のフィルム基板１０を形成する。そのフィルム基板１０の搬送速度は、例えば毎分６００ｍｍ以上且つ９００
ｍｍ以下等である。感光性レジスト１は、光硬化性のネガ型レジストあるいはポジ型のレジストを用いる事ができるが、光硬化性のポジ型レジストが、露光により変色し易いため、より望ましい。 (Photosensitive resist film forming process)
Next, the winding roll which wound up the elongate film substrate 10 which formed the electroconductive thin film is installed in the unwinding roll 12 of a film substrate conveyance exposure apparatus like FIG. 3 indicates the conveyance direction of the film substrate 10 (in this example, as indicated by the arrow symbol 30, the film substrate 1 is sent out from the left to the right in the figure). The film substrate transport exposure apparatus includes a mechanism (not shown) for forming the photosensitive resist 1 on the film substrate 10 while transporting the film substrate 10 by the transport roll 13. The mechanism includes, for example, a mechanism for laminating a photosensitive dry film resist on the film substrate 10 or a mechanism for applying a photosensitive resist solution to the film substrate 10. This film substrate transport exposure apparatus transports a film substrate 10 on which a conductive thin film has been formed by a plurality of transport rolls 13 whose axial directions are parallel to each other, while the first conductive thin film (ITO of the film substrate 10). A photosensitive resist 1 is formed on a thin film 41 and a film substrate 10 having a laminate as shown in FIG. 4B is formed. The conveying speed of the film substrate 10 is, for example, 600 mm / min or more and 900
mm or less. As the photosensitive resist 1, a photocurable negative resist or a positive resist can be used, but a photocurable positive resist is more preferable because it is easily discolored by exposure.

（露光部）
図３に示すフィルム基板搬送露光装置は、その設置場所が固定され、フィルム基板１０に形成した感光性レジスト１に所定の露光パターンの露光を行う露光部１４を備え、また、パターン露光後の感光性レジストの現像を行う現像部１５を備えている。露光部１４は、図４に示すように、フォトマスク１８に形成されたネガパターンをフィルム基板１０上の感光性レジスト１に露光する。露光部１４は、一対の搬送ロール１３によりフィルム基板１０を搬送方向３０に間欠送り距離Ｌづつ間欠的に搬送した後にフィルム基板１０を停止させ、フィルム基板１０上の感光性レジスト１にフォトマスク１８を介して密着露光、又は、近接露光を施す。なお、間欠送り距離Ｌは、フォトマスクに形成している位置合せマークＡの中心と位置合せマークＢの中心との距離分とするのが望ましい。 (Exposure part)
The film substrate transport exposure apparatus shown in FIG. 3 includes an exposure unit 14 whose installation location is fixed, and that exposes a predetermined exposure pattern to the photosensitive resist 1 formed on the film substrate 10. A developing unit 15 for developing the photosensitive resist is provided. As shown in FIG. 4, the exposure unit 14 exposes the negative resist formed on the photomask 18 onto the photosensitive resist 1 on the film substrate 10. The exposure unit 14 stops the film substrate 10 after intermittently transporting the film substrate 10 by an intermittent feed distance L in the transport direction 30 by the pair of transport rolls 13, and the photo resist 18 on the photosensitive resist 1 on the film substrate 10. The contact exposure or the proximity exposure is performed via The intermittent feed distance L is preferably the distance between the center of the alignment mark A and the center of the alignment mark B formed on the photomask.

露光部１４には、図４（ｂ）に示すように、フィルム基板１０を搬送する一対の搬送ロール１３の間に板状のステージ１７が設置されており、このステージ１７にフィルム基板１０を介して対向するようにフォトマスク１８が配置されている。このフォトマスク１８には、所定のパターンのネガパターンが描かれている。フォトマスク１８のフィルム基板１０と対向する面とは反対側の面側には、フォトマスク１８に向け均一照度の平行光を出射する光学系が配置されている（図示せず）。光学系から射出された光は、フィルム基材に密着して、あるいは、近接して配置されたフォトマスク１８を介して感光性レジストに照射され、感光性レジスト１への露光が行われる。露光時、フィルム基板１０の搬送は一時停止させるが、密着露光の光学系を構成した露光部１４では、停止させたフィルム基板１０をステージ１７で保持し、真空排気により露光用フォトマスク１８をフィルム基板１０に密着させて隙間を無くしてから露光する As shown in FIG. 4B, the exposure unit 14 is provided with a plate-like stage 17 between a pair of transport rolls 13 that transport the film substrate 10. The photomask 18 is arranged so as to face each other. A negative pattern having a predetermined pattern is drawn on the photomask 18. An optical system that emits parallel light with uniform illuminance toward the photomask 18 is disposed on the surface of the photomask 18 opposite to the surface facing the film substrate 10 (not shown). The light emitted from the optical system is applied to the photosensitive resist through the photomask 18 disposed in close contact with or close to the film substrate, and the photosensitive resist 1 is exposed. At the time of exposure, the conveyance of the film substrate 10 is temporarily stopped, but in the exposure unit 14 constituting the optical system for contact exposure, the stopped film substrate 10 is held by the stage 17 and the exposure photomask 18 is removed from the film by vacuum evacuation. The exposure is performed after the substrate 10 is brought into close contact with no gap.

露光部１４へのフィルム基板１０の搬入部分には、フィルム基板１０の間欠送り距離Ｌ程度の長さのフィルム基板１０を溜める搬入バッファ機構を設けている（図示せず）。露光部１４でフィルム基板１０が停止している間であっても巻き出しロール１２は連続的にフィルム基板１０を送り出しているが、搬入バッファ機構を設けることで、フィルム基板１０が停止している間、巻き出しロール１２が連続的に送り出すフィルム基板１０を搬入バッファ機構で溜めておき、間欠送り時に、搬送ロール１３が搬入バッファ機構から間欠送り距離Ｌの長さのフィルム基板１０を短時間でステージ１７に送り出すようにする。また、露光部１４のフィルム基板１０の搬出部分には、搬出バッファ機構を設けている（図示せず）。露光後、間欠送り距離Ｌの長さだけステージ１７上から搬送され露光部１４から搬出されるフィルム基板１０を搬出バッファ機構で溜めておき、露光部１４でフィルム基板１０が停止している間であっても搬出バッファ機構から連続的にフィルム基板１０を送り出し巻き取りロール２４がフィルム基板１０を連続的に巻き取れるようにする。 In the carry-in portion of the film substrate 10 to the exposure unit 14, a carry-in buffer mechanism for collecting the film substrate 10 having a length of about the intermittent feeding distance L of the film substrate 10 is provided (not shown). The unwinding roll 12 continuously feeds the film substrate 10 even while the film substrate 10 is stopped at the exposure unit 14, but the film substrate 10 is stopped by providing a carry-in buffer mechanism. In the meantime, the film substrate 10 that the unwinding roll 12 continuously feeds is stored by the carry-in buffer mechanism, and at the time of intermittent feeding, the transport roll 13 removes the film substrate 10 having the length of the intermittent feed distance L from the carry-in buffer mechanism in a short time. Send to stage 17. In addition, a carry-out buffer mechanism (not shown) is provided at the carry-out portion of the film substrate 10 of the exposure unit 14. After the exposure, the film substrate 10 transported from the stage 17 by the length of the intermittent feed distance L and unloaded from the exposure unit 14 is stored by the unloading buffer mechanism, and the film substrate 10 is stopped at the exposure unit 14. Even if it exists, the film substrate 10 is continuously sent out from the carry-out buffer mechanism so that the take-up roll 24 can continuously take up the film substrate 10.

また、露光部１４は、位置ずれ検出部（後述）によってフィルム基板１０の位置ずれを検出した場合に、巻き出しロール１２と巻き取りロール２４の回転速度を変化させることにより、フィルム基板１０における基板搬送方向の位置ずれを修正する位置ずれ修正機構を備えている。すなわち、露光工程では、フォトマスク１８との位置ずれを検出する処理と、位置ずれ検出部によりフォトマスク１８に対するフィルム基板１０の基板搬送方向の位置ずれを検出して、位置ずれ修正機構により、各搬送ロール１３の回転速度を変化させることによってフィルム基板１０の基板搬送方向の位置ずれを修正する処理を行った上で感光性レジスト１に露光する。 Further, the exposure unit 14 changes the rotational speeds of the unwinding roll 12 and the winding roll 24 when a positional shift of the film substrate 10 is detected by a positional shift detection unit (described later), whereby the substrate on the film substrate 10 is changed. A misalignment correcting mechanism for correcting misalignment in the transport direction is provided. That is, in the exposure process, a process for detecting a positional deviation with respect to the photomask 18 and a positional deviation detection unit detects a positional deviation in the substrate transport direction of the film substrate 10 with respect to the photomask 18, and each positional deviation correcting mechanism The photosensitive resist 1 is exposed after performing the process which corrects the position shift of the board | substrate conveyance direction of the film board | substrate 10 by changing the rotational speed of the conveyance roll 13. FIG.

（位置ずれ検出部）
位置ずれ検出部は撮像手段２５を有する。図４（ｂ）のように、露光部１４よりも搬送方向３０の先に、固定位置に設置した撮像手段２５で、フィルム基板１０上の感光性レジスト１が露光により変色して成る位置合せマーク２を観察することでフィルム基板１０の位置ずれを検出する。位置合せマーク２は、例えば、露光後に感光性レジスト１の露光部分が硬化し青色に変色することで確認できる。この変色は、位置ずれ検出部の撮像手段２５が読み取るのに十分なコントラストを有する。なお、位置ずれ検出部は、撮像手段２５以外の手段を用いることも可能である。例えば、受光センサーと、位置合せマーク２からの光を受光センサーに導く光学系を用い、第１のパターンと第２のパターンの間隔の大きさによって受光センサーが受光する光量が変わるような位置合わせマークのパターンを用いる。そして、その受光センサーが検出する光量の変化によっても、位置合せマーク２の第１のパターンと第２のパターンの位置ずれを検出することができる。 (Position detection unit)
The misregistration detection unit has an imaging unit 25. As shown in FIG. 4B, the alignment mark formed by the photosensitive resist 1 on the film substrate 10 being discolored by exposure by the image pickup means 25 installed at a fixed position ahead of the exposure unit 14 in the transport direction 30. By observing 2, the positional deviation of the film substrate 10 is detected. The alignment mark 2 can be confirmed by, for example, curing the exposed portion of the photosensitive resist 1 after exposure and changing the color to blue. This discoloration has a contrast sufficient for the image pickup means 25 of the misregistration detection unit to read. Note that the misregistration detection unit can also use means other than the imaging means 25. For example, using a light receiving sensor and an optical system that guides the light from the alignment mark 2 to the light receiving sensor, the alignment is such that the amount of light received by the light receiving sensor varies depending on the distance between the first pattern and the second pattern. A mark pattern is used. The positional deviation between the first pattern and the second pattern of the alignment mark 2 can also be detected by a change in the amount of light detected by the light receiving sensor.

（位置ずれ検出のための位置合せマークの形成手順）
図４から図６により、フィルム基板１０上の感光性レジスト１に位置合せマーク２を形成する手順を説明する。先ず、図５（ａ）のように、フォトマスク１８の位置合せマークのパターン３をフィルム基板１０上の感光性レジスト１に投影・露光することで、図６に示すＡパターンの位置合せマーク２をフォトマスク１８の露光領域の後端部の位置の感光性レジスト１に形成し、かつ、図６のＢパターンの位置合せマーク２をフォトマスク１８の前端部の位置の感光性レジスト１に形成する。なお、本説明では、フィルム基材の搬送方向と順方向のフォトマスク１８の端を前端とし、フィルム基材の搬送方向と逆方向のフォトマスク１８の端を後端と呼称している。 (Procedure for forming alignment marks for detecting misalignment)
A procedure for forming the alignment mark 2 on the photosensitive resist 1 on the film substrate 10 will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 5A, the alignment mark pattern 3 of the photomask 18 is projected and exposed onto the photosensitive resist 1 on the film substrate 10, thereby the alignment mark 2 of the A pattern shown in FIG. Is formed on the photosensitive resist 1 at the position of the rear end portion of the exposure area of the photomask 18, and the alignment mark 2 of the B pattern in FIG. 6 is formed on the photosensitive resist 1 at the position of the front end portion of the photomask 18. To do. In this description, the end of the photomask 18 in the direction of transport of the film substrate and the forward direction is referred to as the front end, and the end of the photomask 18 in the direction opposite to the direction of transport of the film substrate is referred to as the rear end.

次いで、フィルム基板搬送露光装置内にあるフィルム基板１０は、フォトマスク上での位置合せマークＡと位置合せマークＢとの間の距離（間欠送り距離Ｌ）だけ間欠送りされた後、搬送が一旦止められ、次の露光が行なわれる。これにより、先行して位置合せマーク２のＡパターンがパターン露光されたフィルム基材の部位が、フィルム基板１０の間欠送り距離Ｌの移動により、フォトマスク１８の露光領域の前端部に来るので、そのＡパターンの位置合せマーク２に次の露光時にＢパターンの位置合せマークが重ね露光される。すなわち、フォトマスク１８の位置合せマークのパターン３の投影・露光の際に、図５（ｂ）及び図４（ａ）のように、感光性レジスト１に先行して投影・露光したフォトマスク１８のパターンの後端部の位置合せマークのＡパターンの位置合せマーク２を囲むように、フォトマスク１８の前端部のＢパターンの位置合せマークのパターン３は重ねて投影・露光される。それにより、感光性レジスト１に、フォトマスク１８の前端部のＢパターンの位置合せマーク２と後端部のＡパターンの位置合せマーク２が重ね合わされた位置合せマーク２が形成される。これにより、２度、異なるパターンを重ね合わせて露光することで、２度の露光パターンの相対的な位置のずれが観察可能なパターンとして感光性レジスト１に記録される。 Next, the film substrate 10 in the film substrate transport exposure apparatus is intermittently fed by a distance (intermittent feed distance L) between the alignment mark A and the alignment mark B on the photomask, and then transported once. Stopped and the next exposure is performed. Thereby, since the part of the film base material on which the A pattern of the alignment mark 2 has been pattern-exposed in advance comes to the front end of the exposure area of the photomask 18 by the movement of the intermittent feed distance L of the film substrate 10, The A pattern alignment mark 2 is overlaid with the B pattern alignment mark during the next exposure. That is, when the alignment mark pattern 3 of the photomask 18 is projected and exposed, the photomask 18 projected and exposed prior to the photosensitive resist 1 as shown in FIGS. 5B and 4A. The pattern 3 of the B pattern alignment mark at the front end of the photomask 18 is projected and exposed so as to surround the alignment mark 2 of the A pattern of the alignment mark at the rear end of the pattern. As a result, an alignment mark 2 in which the alignment mark 2 of the B pattern at the front end of the photomask 18 and the alignment mark 2 of the A pattern at the rear end of the photomask 18 are overlapped is formed. As a result, the exposure is performed by superimposing different patterns twice, so that the relative positional deviation of the exposure patterns of the two times is recorded on the photosensitive resist 1 as an observable pattern.

（位置ずれ検出処理）
位置ずれ検出部は、図４（ｂ）のように、撮像手段２５により、先行して露光処理したフィルム基板１０上の変色した感光性レジスト１の、フォトマスク１８の前端部のＢパターンの位置合せマーク２と後端部のＡパターンの位置合せマーク２が重ね合わされた結果の位置合せマーク２を観察する。撮像手段２５は、例えばＣＣＤカメラ等であり、露光部１４よりも搬送方向３０の先に、位置合せマーク２を観察できる位置に設置する。Ａパターンに対するＢパターンの位置ずれ量が、フォトマスク１８に対するフィルム基板１０の搬送による位置ずれをあらわす。位置合せマークの形状の平面図を、図４（ａ）と図６に示す。図６に、露光領域の前端部の位置合せマーク（Ｂパターン）と、後端部の位置合せマーク（Ａパターン）の例と、位置合せマークのＡパターンとＢパターンが重ねて露光された合成パターンとを示す。位置ずれ検出部は、この位置合せマーク２におけるＡパターンとＢパターンの位置ずれを検出することによって、フォトマスク１８に対するフィルム基板１０の搬送による位置ずれを検出する。 (Position detection processing)
As shown in FIG. 4B, the misregistration detection unit detects the position of the B pattern at the front end of the photomask 18 of the photosensitive resist 1 that has been discolored on the film substrate 10 that has been previously exposed by the imaging unit 25. The alignment mark 2 as a result of superimposing the alignment mark 2 and the alignment mark 2 of the A pattern at the rear end is observed. The imaging unit 25 is, for example, a CCD camera or the like, and is installed at a position where the alignment mark 2 can be observed ahead of the exposure unit 14 in the transport direction 30. The positional deviation amount of the B pattern with respect to the A pattern represents the positional deviation due to the conveyance of the film substrate 10 with respect to the photomask 18. Plan views of the shape of the alignment mark are shown in FIGS. FIG. 6 shows an example of the alignment mark (B pattern) at the front end portion of the exposure area, the alignment mark (A pattern) at the rear end portion, and the composition in which the A pattern and B pattern of the alignment mark are overlaid and exposed. Pattern. The misregistration detection unit detects misregistration due to conveyance of the film substrate 10 with respect to the photomask 18 by detecting misregistration between the A pattern and the B pattern in the alignment mark 2.

この位置ずれ検出処理は、露光され変色した感光性レジスト１の位置合せマーク２の部位のみを観測することで行うので、撮像手段２５の設定が容易であるので位置ずれ検出部のコストを低減できる効果がある。特に、ネガ型の感光性レジスト１を用いる場合にフォトマスク２のネガパターンと感光性レジスト１のパターンを重ねて比較する場合にフォトマスクのパターンで感光性レジスト１のポジパターンが隠される問題が、この位置ずれ検出処理による感光性レジスト１に形成した位置合せマーク２のみを観測する処理により回避できるので、ＡパターンとＢパターンの比較が容易に行える効果がある。これにより、観察した位置合せマーク２内のＡパターンとＢパターンの相対的な位置を検出するのみで、フィルム基板１０の搬送の位置ずれを正確に検出することができ、位置ずれの検出精度を高くできる効果がある。 Since this misregistration detection process is performed by observing only the portion of the alignment mark 2 of the photosensitive resist 1 that has been exposed and changed in color, the setting of the imaging means 25 is easy, so the cost of the misregistration detector can be reduced. effective. In particular, when the negative photosensitive resist 1 is used and the negative pattern of the photomask 2 and the pattern of the photosensitive resist 1 are overlaid and compared, the positive pattern of the photosensitive resist 1 is hidden by the photomask pattern. Since it can be avoided by the process of observing only the alignment mark 2 formed on the photosensitive resist 1 by this misregistration detection process, the A pattern and the B pattern can be easily compared. As a result, it is possible to accurately detect the positional deviation of the conveyance of the film substrate 10 only by detecting the relative position of the A pattern and the B pattern in the observed alignment mark 2, and the detection accuracy of the positional deviation can be increased. There is an effect that can be increased.

（位置ずれ修正機構）
位置ずれ修正機構は、位置ずれ検出処理により検出されたフォトマスク１８に対するフィルム基板１０の搬送による位置ずれを、各搬送ロール１３の回転速度を変化させることでフィルム基板１０の基板の搬送方向３０の位置ずれを補正し、また、搬送ロール１３の回転軸の角度を変化させることで、フィルム基板１０の基板の搬送方向３０に垂直方向の位置ずれを補正する。この位置ずれ修正機構は、位置ずれ検出処理で検出した位置ずれデータに基づいて自動的に補正する機構に構成しても良く、あるいは、装置の操作者による手動の補正処理により補正する機構を構成しても良い。また、フォトマスク１８の位置を動かすことでも構わない。 (Displacement correction mechanism)
The misregistration correction mechanism detects the misregistration caused by the conveyance of the film substrate 10 with respect to the photomask 18 detected by the misregistration detection process in the conveyance direction 30 of the film substrate 10 by changing the rotation speed of each conveyance roll 13. The positional deviation in the direction perpendicular to the conveyance direction 30 of the film substrate 10 is corrected by correcting the positional deviation and changing the angle of the rotation axis of the conveyance roll 13. This misalignment correcting mechanism may be configured as a mechanism that automatically corrects based on misalignment data detected by misalignment detection processing, or may be configured as a mechanism that corrects by manual correction processing by the operator of the apparatus. You may do it. Further, the position of the photomask 18 may be moved.

（露光処理）
露光部１４は、フォトマスク１８に対するフィルム基板１０の位置ずれが位置ずれ修正機構で修正された状態で、送られるフィルム基板１０に、所定のマスクパターンが形成された枚葉式の露光用フォトマスク１８を用いて間欠送りで露光を繰り返す。その露光処理は、図３及び図４に示すように、一対の搬送ロール１３によりフィルム基板１０を支持しながら搬送し、露光部１４のステージ１７にフィルム基板１０を設置し、その有効領域をネガパターンの露光用のフォトマスク１８を介して露光する。すなわち、この露光部１４では、フィルム基板１０を、１回目の露光処理後に、一対の搬送ロール１３により、フィルム基板１０を、露光用フォトマスク１８上での位置合せマークＡと位置合せマークＢとの間の距離分の間欠送り距離Ｌだけ送り出し、フィルム基板１０の搬送を一旦止める間欠送りをする。そして、搬送を一旦停止させたフィルム基板１０に２回目の露光を行い、しかる後に、フィルム基板１０を間欠送り距離Ｌだけ搬送するという動作を繰り返す送り方で露光部１４に送る。露光部１４では、フィルム基板１０をステージ１７で保持し、真空排気により露光用フォトマスク１８をフィルム基板１０に密着させて隙間を無くしてから露光する。すなわち、枚葉処理方式の露光部１４で、真空排気、露光、大気開放を間欠的に行うことで露光を繰り返す。この露光処理では、フィルム基板１０上の感光性レジスト１への露光光として紫外（ＵＶ）光を用いる。 (Exposure processing)
The exposure unit 14 is a single-wafer exposure photomask in which a predetermined mask pattern is formed on the film substrate 10 to be sent in a state in which the positional deviation of the film substrate 10 with respect to the photomask 18 is corrected by the positional deviation correction mechanism. 18 is used to repeat exposure with intermittent feeding. As shown in FIGS. 3 and 4, the exposure process is carried while supporting the film substrate 10 by a pair of transfer rolls 13, placing the film substrate 10 on the stage 17 of the exposure unit 14, and determining its effective area as a negative. Exposure is performed through a photomask 18 for pattern exposure. That is, in this exposure unit 14, after the first exposure process, the film substrate 10 is aligned with the alignment mark A and the alignment mark B on the exposure photomask 18 by a pair of transport rolls 13. An intermittent feed distance L corresponding to the distance between them is sent out, and intermittent feed is performed to temporarily stop the conveyance of the film substrate 10. Then, the second exposure is performed on the film substrate 10 whose conveyance has been temporarily stopped, and thereafter, the film substrate 10 is sent to the exposure unit 14 by a method of repeating the operation of conveying the film substrate 10 by the intermittent feeding distance L. In the exposure unit 14, the film substrate 10 is held on the stage 17, and exposure is performed after the exposure photomask 18 is brought into close contact with the film substrate 10 by evacuation to eliminate a gap. That is, the exposure is repeated by intermittently performing evacuation, exposure, and air release in the single wafer processing type exposure unit 14. In this exposure process, ultraviolet (UV) light is used as exposure light to the photosensitive resist 1 on the film substrate 10.

この露光処理により、フィルム基板１０上の感光性レジスト１に先行してパターン露光されたＡパターンに、次の露光時のＢパターンが重ね露光される。すなわち、図５（ｂ）及び図４（ａ）のように、先行して感光性レジスト１にフォトマスク１８のパターンを投影・露光した際にその露光領域の後端部に形成されていたＡパターンの位置合せマーク２が、フィルム基板１０の搬送により移動して、フォトマスク１８の露光領域の前端部に来る。そして、フォトマスク１８の位置合せマークのパターン３を投影・露光することで、そのＡパターンの位置合せマーク２を囲むように、フォトマスク１８の前端部のＢパターンの位置合せマークのパターン３が重ねて投影・露光される。それにより、フィルム基板１０上の感光性レジスト１に、フォトマスク１８の前端部のＢパターンの位置合せマーク
２と後端部のＡパターンの位置合せマーク２が重ね合わされた位置合せマーク２が形成される。これにより、２度、異なるパターンを重ね合わせて露光することで、２度の露光パターンの相対的な位置のずれが観察可能なパターンとしてフィルム基板１０上の感光性レジスト１に記録される。 By this exposure process, the B pattern at the time of the next exposure is superimposed and exposed on the A pattern that has been pattern-exposed prior to the photosensitive resist 1 on the film substrate 10. That is, as shown in FIG. 5B and FIG. 4A, when the pattern of the photomask 18 was projected and exposed to the photosensitive resist 1 in advance, A formed at the rear end of the exposed region. The pattern alignment mark 2 is moved by the conveyance of the film substrate 10 and comes to the front end of the exposure area of the photomask 18. Then, by projecting and exposing the alignment mark pattern 3 of the photomask 18, the alignment mark pattern 3 of the B pattern at the front end of the photomask 18 is formed so as to surround the alignment mark 2 of the A pattern. Projected and exposed in layers. As a result, an alignment mark 2 is formed on the photosensitive resist 1 on the film substrate 10 by superimposing the alignment mark 2 of the B pattern at the front end of the photomask 18 and the alignment mark 2 of the A pattern at the rear end. Is done. As a result, the exposure is performed by superimposing different patterns twice, so that the relative positional shift of the exposure patterns of the two times is recorded on the photosensitive resist 1 on the film substrate 10 as an observable pattern.

ネガ型の光硬化性の感光性レジスト１は、紫外線が照射された部分が硬化するとともに青色に変色して位置合せマーク２を形成する。これにより、後に位置ずれ検出部で撮像手段２５が読み取るのに十分なコントラストを有する位置合せマーク２が形成できる。フォトマスク１８の前端部のＢパターンの位置合せマークのパターン３は、感光性レジスト１に先行して露光したパターンの後端部のＡパターンの位置合せマーク２を入れ子式に挟み込むパターンを重ねて露光するようにする。こうすることで、感光性レジスト１に、フォトマスク１８の前端部のＢパターンの位置合せマークのパターン３と後端部のＡパターンの位置合せマークのパターン３を重ね合わせたパターンの位置合せマーク２が感光性レジスト１に形成される。この位置合せマーク２は、ＡパターンとＢパターンを２度露光してパターンを重ね合わせることで、Ａパターンの露光位置とＢパターンの露光位置が観察可能なパターンの位置合せマーク２として感光性レジスト１に記録される。これにより、２度の露光で形成される感光性レジスト１の位置合せマーク２の、最初の露光によるＡパターンと２度目の露光によるＢパターンの重ね合せの位置ずれを観察することで、２度の露光同士の位置合せの精度が正確に観察できる効果がある。 The negative-type photo-curable photosensitive resist 1 cures the portion irradiated with ultraviolet rays and changes its color to blue to form an alignment mark 2. Thereby, the alignment mark 2 having a contrast sufficient for the image pickup means 25 to read later in the misalignment detection unit can be formed. The pattern 3 of the B pattern alignment mark at the front end of the photomask 18 is formed by overlapping a pattern in which the A pattern alignment mark 2 at the rear end of the pattern exposed before the photosensitive resist 1 is nested. Try to expose. By doing so, the alignment mark of the pattern in which the pattern 3 of the alignment mark of the B pattern at the front end portion of the photomask 18 and the pattern 3 of the alignment mark of the A pattern at the rear end portion are superimposed on the photosensitive resist 1. 2 is formed on the photosensitive resist 1. This alignment mark 2 is formed by exposing the A pattern and the B pattern twice and superimposing the patterns so that the exposure position of the A pattern and the exposure position of the B pattern can be observed as a pattern alignment mark 2. 1 is recorded. Accordingly, the alignment mark 2 of the photosensitive resist 1 formed by the second exposure is observed by observing the positional deviation of the superposition of the A pattern by the first exposure and the B pattern by the second exposure. There is an effect that the accuracy of alignment between the exposures can be observed accurately.

また、本実施の形態では、ネガ型の感光性レジスト１に露光光が照射されると、露光部分が硬化するとともに変色する場合を示したが、感光性レジスト１は、変色するものだけでなく、露光光が照射されることにより、変質するものであればよい。例えば、変形したり溶解したりする等の変質が生ずるものであればよく、特に、屈折率の変化が生ずる等の、光学的に検出できるように変質するものが好ましい。また、本実施形態の変形例として、露光光が照射された後に外観が変わらない感光性レジスト１を用いた場合でも、その露光により感光性レジストを変質させた後に感光性レジスト１を薬品処理することで変質した部分と変質しなかった部分が区別できるように可視化した位置合せマーク２を形成し、その後に、その位置合せマーク２を撮像手段２５で観察するようにしても良い。 In the present embodiment, when the negative photosensitive resist 1 is irradiated with exposure light, the exposed portion is cured and discolored. However, the photosensitive resist 1 is not only discolored. Any material may be used as long as it is altered by irradiation with exposure light. For example, any material may be used as long as it undergoes an alteration such as deformation or dissolution, and an alteration that can be detected optically, such as a change in refractive index, is particularly preferable. Further, as a modification of the present embodiment, even when a photosensitive resist 1 whose appearance does not change after exposure light irradiation is used, the photosensitive resist 1 is chemically treated after the photosensitive resist is altered by the exposure. Thus, it is possible to form the alignment mark 2 visualized so that the part that has changed quality and the part that has not changed quality can be distinguished, and then observe the alignment mark 2 with the imaging means 25.

（現像工程）
その後、フィルム基板１０を図３の現像部１５に搬送し、この感光性レジスト１を現像してパターニングを行い、ライン幅ｄ２が５μｍ程度で、開口部４４の幅ｄ３が１９５μｍのメッシュ状の感光性レジスト１のパターンを形成する。現像液としては炭酸ナトリウム水溶液を用いる。 (Development process)
Thereafter, the film substrate 10 is transported to the developing unit 15 in FIG. 3, and the photosensitive resist 1 is developed and patterned. The photosensitive film 1 is a mesh-shaped photosensitive film having a line width d2 of about 5 μm and an opening 44 having a width d3 of 195 μm. A pattern of the resist 1 is formed. A sodium carbonate aqueous solution is used as the developer.

（めっき工程）
次に、フィルム基板１０を、図３の水洗部１６で水洗洗浄し、次に、メッキ部１９で、ＩＴＯから成る第１の導電性薄膜４１の端部から給電を行うとともに、電解めっき（電解銅めっきもしくは電解ニッケルめっき）によって、感光性レジスト１の開口部４４から露出したＩＴＯから成る第１の導電性薄膜４１上に銅もしくはニッケル（第二の金属）１２を厚さｄ６が５μｍ程度となるようにめっきを行う。 (Plating process)
Next, the film substrate 10 is washed with water by the water washing section 16 of FIG. 3, and then the plating section 19 supplies power from the end portion of the first conductive thin film 41 made of ITO and electroplating (electrolysis) By copper plating or electrolytic nickel plating), copper or nickel (second metal) 12 is formed on the first conductive thin film 41 made of ITO exposed from the opening 44 of the photosensitive resist 1 with a thickness d6 of about 5 μm. Plating is performed as follows.

（レジスト剥離工程）
次に、レジスト剥離部２２で、水酸化ナトリウム水溶液のレジスト剥離液を用いて感光性レジスト１を剥離する。そして、最後にエッチング部２３で、クイックエッチングによって感光性レジスト１で覆われていた部分のＩＴＯから成る第１の導電性薄膜４１を溶解させて除去して、図１及び図２に示したメッシュ状で幾何学形状を呈する薄膜パターン４０を備えた電磁波シールド部材を製造する。 (Resist stripping process)
Next, the photosensitive resist 1 is stripped at the resist stripping section 22 using a resist stripping solution of an aqueous sodium hydroxide solution. Finally, the etching portion 23 dissolves and removes the first conductive thin film 41 made of ITO in the portion covered with the photosensitive resist 1 by the quick etching, and the mesh shown in FIGS. The electromagnetic wave shielding member provided with the thin film pattern 40 having a geometric shape is manufactured.

（フィルム基板の全工程での流れ）
こうして、図３に示すように、フィルム基板１０が巻き出しロール１２から連続して搬送され、以上の工程を経て、巻き取りロール２４に連続的に巻き取られる。 (Flow in all processes of film substrate)
In this way, as shown in FIG. 3, the film substrate 10 is continuously conveyed from the unwinding roll 12, and is continuously wound on the winding roll 24 through the above steps.

ここで製造された薄膜パターン４０には、感光性レジスト１の、最初の露光による位置合せマーク２と２度目の露光による位置合せマークを重ね合せたパターンが転写されて記録されている。これにより、薄膜パターン４０に、２度の露光同士の位置合せの精度が観察できるように記録される効果がある。 In the thin film pattern 40 manufactured here, a pattern in which the alignment mark 2 by the first exposure and the alignment mark by the second exposure of the photosensitive resist 1 are superimposed is transferred and recorded. This has the effect of being recorded on the thin film pattern 40 so that the accuracy of alignment between the two exposures can be observed.

このようにして、本発明の印刷装置を用いてロール・ツー・ロールの連続したウェブフィルムにパターンを形成して電磁波シールド部材を形成することができる。本発明の印刷装置は、フィルム基板１０の表面に銅もしくはニッケルの金属箔を積層したフィルムを巻き出しロール１２に設置して、露光・現像処理により感光性レジスト１のパターンをフィルム上に形成した後に、エッチング処理により金属箔のパターンを形成するサブトラクティブ法により、電磁波シールド部材を形成しても良い。 Thus, an electromagnetic wave shielding member can be formed by forming a pattern on a continuous roll-to-roll web film using the printing apparatus of the present invention. In the printing apparatus of the present invention, a film in which a copper or nickel metal foil is laminated on the surface of a film substrate 10 is placed on an unwinding roll 12, and a pattern of the photosensitive resist 1 is formed on the film by exposure and development processing. Thereafter, the electromagnetic wave shielding member may be formed by a subtractive method in which a metal foil pattern is formed by etching.

なお、本発明は、上記の一実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、本実施形態では、フィルム基板１０をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等のプラスチックフィルムであるとしたが、その他にも、薄膜パターンを製造するフィルム基板１０の種類に応じて、任意の材料のフィルム基板１０を用いることができる。本実施形態では、電磁波シールド部材を形成したが、それ以外に、ＩＣカードのアンテナパターンを、ロール・ツー・ロールの連続したウェブフィルム上にフォトリソグラフィーで形成した感光性レジスト１のパターンを用いて、金属箔をエッチングするかあるいはメッキで金属パターンを形成するかで金属のアンテナパターンを形成することもできる。また、ロール・ツー・ロールの連続したフィルム基板１０上に太陽電池等の薄膜パターン４０を形成することもできる。更に、巻き取り可能なロール状の金属箔のフィルム基板１０を用いて、ロール・ツー・ロール方式により、連続して薄膜パターン４０を金属箔のフィルム基板１０上に形成することもできる。また、金属箔のフィルム基板１０自身を加工して薄膜パターン４０を形成することも可能である。 In addition, this invention is not limited to said one Embodiment, In the range which does not deviate from the meaning, it can change suitably. For example, in the present embodiment, the film substrate 10 is a plastic film such as a polyethylene terephthalate (PET) film, but in addition, a film of any material depending on the type of the film substrate 10 on which the thin film pattern is manufactured. A substrate 10 can be used. In the present embodiment, the electromagnetic wave shielding member is formed. In addition, the antenna pattern of the IC card is used by using the pattern of the photosensitive resist 1 formed by photolithography on a roll-to-roll continuous web film. The metal antenna pattern can also be formed by etching the metal foil or forming the metal pattern by plating. Moreover, the thin film pattern 40, such as a solar cell, can also be formed on the film substrate 10 in which roll-to-roll is continuous. Furthermore, the thin film pattern 40 can be continuously formed on the metal foil film substrate 10 by a roll-to-roll method using the roll-shaped metal foil film substrate 10 that can be wound. It is also possible to form the thin film pattern 40 by processing the metal foil film substrate 10 itself.

１・・・感光性レジスト
２・・・（感光性レジストの）位置合せマーク
３・・・（フォトマスクの）位置合せマークのパターン
１０・・・フィルム基板（基材）
１０ａ・・・一面
１２・・・巻き出しロール
１３・・・搬送ロール
１４・・・露光部
１５・・・現像部
１６・・・水洗部
１７・・・ステージ
１８・・・フォトマスク
１９・・・メッキ部
２２・・・レジスト剥離部
２３・・・エッチング部
２４・・・巻き取りロール
２５・・・撮像手段
３０・・・搬送方向
４０・・・薄膜パターン
４１・・・第一の導電性薄膜（第一の薄膜層、ＩＴＯ）
４２・・・第二の導電性薄膜（第二の金属層、銅もしくはニッケル）
４３・・・側面
４４・・・開口部
４４ａ・・・隅角部
Ａ・・・Ａパターンの位置合せマーク
Ｂ・・・Ｂパターンの位置合せマーク
Ｌ・・・間欠送り距離 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Photosensitive resist 2 ... (Photosensitive resist) alignment mark 3 ... (Photomask) alignment mark pattern 10 ... Film substrate (base material)
10a ... one side 12 ... unwinding roll 13 ... transporting roll 14 ... exposure part 15 ... developing part 16 ... rinsing part 17 ... stage 18 ... photomask 19 ... Plated portion 22 ... resist stripping portion 23 ... etching portion 24 ... winding roll 25 ... imaging means 30 ... conveying direction 40 ... thin film pattern 41 ... first conductivity Thin film (first thin film layer, ITO)
42 ... second conductive thin film (second metal layer, copper or nickel)
43 ... Side 44 ... Opening 44a ... Corner A ... A pattern alignment mark B ... B pattern alignment mark L ... Intermittent feed distance

Claims

帯状に搬送される、ロールから巻き出された長尺帯状のフィルム基板に露光を行うフィルム基板搬送露光方法であって、
パターン形成用の薄膜とパターン露光光によって感光する感光性の感光材を含む感光性レジスト膜とを形成した前記フィルム基板を搬送機構により間欠送りに搬送する搬送工程と、
前記感光性レジスト膜に、フォトマスクに形成した位置合せマークのパターンを露光して前記感光性レジスト膜を変質させる露光工程と、
前記感光性レジスト膜を変質させた位置合せマークを観察することで搬送による前記フィルム基板の位置ずれを検出する位置ずれ検出工程を有し、
前記露光工程が、前記感光性レジスト膜にフォトマスクに形成した第１のパターンの位置合せマークを露光する工程と、前記露光後の次の露光の際に、間欠送りにより搬送されてきた前記フィルム基板の既に露光された前記第１のパターンに、フォトマスクに形成した第２のパターンの位置合せマークを重ねて露光し前記感光性レジスト膜を変質させた位置合せマークを形成する工程を有し、
前記位置ずれ検出工程が、前記感光性レジスト膜を変質させた位置合せマークの前記第１のパターンと前記第２のパターンの位置ずれを検出することで搬送による前記フィルム基板の位置ずれを検出する
ことを特徴とするフィルム基板搬送露光方法。 A film substrate transport exposure method for exposing a long strip-shaped film substrate unwound from a roll, which is transported in a strip shape,
A transporting step of transporting the film substrate on which a thin film for pattern formation and a photosensitive resist film containing a photosensitive photosensitive material that is exposed by pattern exposure light are intermittently transported by a transport mechanism;
An exposure step of altering the photosensitive resist film by exposing a pattern of alignment marks formed on a photomask to the photosensitive resist film;
A displacement detection step of detecting a displacement of the film substrate due to conveyance by observing an alignment mark that has altered the photosensitive resist film;
In the exposure process, the film which has been conveyed by intermittent feeding in the process of exposing the alignment mark of the first pattern formed on the photomask on the photosensitive resist film and the next exposure after the exposure And a step of forming an alignment mark in which the alignment mark of the second pattern formed on the photomask is overlaid on the first pattern already exposed on the substrate and exposed to change the quality of the photosensitive resist film. ,
The misregistration detection step detects misregistration of the film substrate due to conveyance by detecting misregistration between the first pattern and the second pattern of an alignment mark obtained by altering the photosensitive resist film. A film substrate carrying exposure method characterized by the above.

帯状に搬送される、ロールから巻き出された長尺帯状のフィルム基板に露光を行うフィルム基板搬送露光装置であって、
パターン形成用の薄膜とパターン露光光によって感光する感光性の感光材を含む感光性レジスト膜とを形成した前記フィルム基板を間欠送りに搬送する搬送機構を備え、
前記感光性レジスト膜に、フォトマスクに形成した位置合せマークのパターンを露光する露光部を備え、
前記露光部が、前記感光性レジスト膜にフォトマスクに形成した第１のパターンの位置合せマークを露光し、前記露光後の次の露光の際に、間欠送りにより搬送されてきた前記フィルム基板の既に露光された前記第１のパターンに、フォトマスクに形成した第２のパターンの位置合せマークを重ねて露光し前記感光性レジスト膜を変質させた位置合せマークを形成し、
前記感光性レジスト膜を変質させた位置合せマークの前記第１のパターンと前記第２のパターンの位置ずれを検出することで搬送による前記フィルム基板の位置ずれを検出する位置ずれ検出部を備えた
ことを特徴とするフィルム基板搬送露光装置。 A film substrate transport exposure apparatus that performs exposure on a long belt-shaped film substrate unwound from a roll that is transported in a strip shape,
A transport mechanism for transporting the film substrate formed with a thin film for pattern formation and a photosensitive resist film containing a photosensitive photosensitive material that is sensitized by pattern exposure light to intermittent feed,
The photosensitive resist film includes an exposure unit that exposes a pattern of an alignment mark formed on a photomask,
The exposure unit exposes the alignment mark of the first pattern formed on the photomask on the photosensitive resist film, and the film substrate that has been conveyed by intermittent feeding at the time of the next exposure after the exposure. The first pattern already exposed is overlaid with the alignment mark of the second pattern formed on the photomask and exposed to form an alignment mark in which the photosensitive resist film is altered,
A misregistration detection unit for detecting misregistration of the film substrate due to conveyance by detecting misregistration between the first pattern and the second pattern of the alignment mark that has altered the photosensitive resist film. A film substrate carrying exposure apparatus characterized by the above.