JP2011049400A - 位置検出装置、露光装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の位置合わせ（ウエハアライメント）を短時間で行うことができる技術を提供する。
【解決手段】ステージ５０に保持された基板４０に形成されたマークからの光を検出する複数の領域が第１の方向に配列されたセンサ７０４と、ステージを駆動する第１の駆動部６０と、センサに入射するマークＡＭからの光が第１の方向に沿って移動しながら、複数の領域に順に入射するように、ステージを基板の高さ方向に直交する第２の方向に駆動しつつ、ステージを基板の高さ方向にも駆動するように、第１の駆動部を制御する制御部８０と、センサからの信号を処理する処理部９０と、を有し、処理部は、信号によって与えられる第１の方向に沿った光強度の分布において、ピークを示す基板の高さ方向の位置を決定することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、位置検出装置、露光装置及びデバイスの製造方法に関する。

半導体デバイスの微細化及び高集積化に伴って、かかる半導体デバイスを製造する露光装置の高精度化及び高機能化が要求されている。例えば、レチクル（マスク）とウエハとの位置合わせにおいては、レチクルのパターンとウエハ（に形成されているパターン）とをナノメートルのオーダーで一致させる技術が求められている。

レチクルとウエハとの位置合わせとして、ウエハの位置合わせ（ウエハアライメント）がある。ウエハアライメントでは、まず、露光装置及びメカニカルアライメント装置を有するシステムにウエハが供給される。そして、メカニカルアライメント装置によって、ウエハの外周部に設けられたオリフラ（オリエンテーション・フラット）又はノッチを利用して粗い位置合わせが行われる。粗い位置合わせが行われたウエハは、ウエハ供給装置によって、露光装置のウエハステージに載置される。なお、メカニカルアライメント装置の位置合わせ精度は、一般的には、２０μｍ程度である。

次に、ウエハに形成されている複数のアライメントマークの位置を算出するグローバルアライメントが行われる（特許文献１参照）。グローバルアライメントは、ウエハの全域に対して同一の補正式に従って位置合わせを行うため、複数のアライメントマークのうち数点のアライメントマークを観察（検出）すれば位置合わせの状態を判断することができる。なお、グローバルアライメントによる位置合わせ精度は、１０ｎｍ以下である。

グローバルアライメントでは、例えば、エリアセンサを構成する低倍系センサとラインセンサを構成する高倍系センサの２つのセンサを用いてアライメントマークを観察する。なお、最終的なアライメントマークの位置は、高倍系センサで撮像されたアライメントマークの画像で決定される。但し、高倍系センサの観察視野は狭く、アライメントマークが観察視野から外れてしまうことが多い。そこで、低倍系センサによってウエハの左右に形成された２つの低倍観察用マークを観察して、ウエハのＸ軸方向及びＹ軸方向のずれ、回転成分、ショットの倍率成分を算出及び補正することで、高倍系センサの観察視野にアライメントマークが入るようにする。ここで、低倍系センサによる位置合わせはサーチアライメントと呼ばれ、高倍系センサによる位置合わせはファインアライメントと呼ばれる。

ファインアライメントでは、アライメントマークを高精度に検出するために、アライメントマークが高倍系センサのベストフォーカス位置に位置するようにフォーカス合わせを行う必要がある。フォーカス合わせは、ウエハステージをＺ軸方向に駆動（スキャン）しながらライメントマークを撮像し、各Ｚ位置で撮像したアライメントマークの像からコントラストを算出する。そして、コントラストが最も高いＺ位置をベストフォーカス位置としている。

ウエハ上の各ショットを露光する際には、グローバルアライメントの結果に基づいてウエハステージがスキャンされ、投影光学系を介してウエハ上に投影されるレチクルのパターンに対して、ショット内に形成されているパターンが正確に位置合わせされる。

このように、ウエハアライメントでは、低倍系センサや高倍系センサなどの複数のセンサを切り換えてアライメントマークの観察を行っている。また、近年では、複数のセンサを１つの高解像度センサに置き換えてアライメントマークの観察を行うことも提案されている。高解像度センサは、広い視野を利用して低倍系センサの視野に相当する視野を得ることができると共に、高倍系センサの分解能に相当する分解能を得ることができるため、低倍観察用マークとアライメントマークとを１つのセンサで観察することができる。

特開平０９−２１８７１４号公報

しかしながら、高解像度センサは、多数の画素で構成されているため、信号の転送に長時間を要してしまう（即ち、多数の画素それぞれからの信号の読み出しに時間がかかる）。その結果、フォーカス合わせの際に、各Ｚ位置でのアライメントマークの撮像に時間がかかり、ウエハアライメント（ファインアライメント）を短時間で行うことができない。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、基板の位置合わせ（ウエハアライメント）を短時間で行うことができる技術を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての位置検出装置は、ステージに保持された基板に形成されたマークからの光を検出する複数の領域が第１の方向に配列されたセンサと、前記ステージを駆動する第１の駆動部と、前記センサに入射する前記マークからの光が前記第１の方向に沿って移動しながら前記複数の領域に順に入射するように前記ステージを前記基板の高さ方向に直交する第２の方向に駆動しつつ、前記ステージを前記基板の高さ方向にも駆動するように前記第１の駆動部を制御する制御部と、前記センサからの信号を処理する処理部と、を有し、前記処理部は、前記信号によって与えられる前記第１の方向に沿った光強度の分布においてピークを示す前記基板の高さ方向の位置を決定することを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、基板の位置合わせ（ウエハアライメント）を短時間で行う技術を提供することができる。

本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。 図１に示す露光装置におけるウエハアライメントを説明するためのフローチャートである。 図１に示す露光装置におけるウエハアライメントにおいて、ウエハステージ及び遮光板の駆動を説明するための図である。 ウエハに形成されるアライメントマークの一例を示す図である。 図１に示す露光装置のアライメント検出系で図４に示すアライメントマークを撮像したときに取得される２次元画像を示す図である。 図２に示すＳ２２８のベストフォーカス位置の決定の一例を説明するためのフローチャートである。 図６に示すベストフォーカス位置の決定を説明するための図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本発明の一側面としての露光装置１の構成を示す概略図である。露光装置１は、本実施形態では、メカニカルアライメント装置ＭＡと協同してリソグラフィーシステムを構成し、ステップ・アンド・スキャン方式でレチクル２０のパターンをウエハ４０に転写する。但し、露光装置１には、ステップ・アンド・リピート方式やその他の露光方式も適用することができる。

露光装置１は、照明光学系１０と、レチクル２０を保持するレチクルステージ（不図示）と、投影光学系３０と、ウエハ４０を保持するウエハステージ５０と、第１の駆動部６０と、アライメント検出系７０と、制御部８０と、処理部９０とを有する。

照明光学系１０は、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長約１５７ｎｍのＦ_２レーザーなどの光源からの光を用いてパターン（回路パターン）が形成されたレチクル２０を照明する。

レチクル２０は、ウエハ４０に転写すべきパターンを有し、レチクルステージ（不図示）に保持及び駆動される。なお、レチクルステージは、例えば、リニアモータを利用して、レチクル２０を駆動する。レチクル２０のパターンから発せられた回折光は、投影光学系３０を介して、ウエハ４０に投影される。

投影光学系３０は、複数の光学素子を含み、レチクル２０のパターンをウエハ４０に投影する光学系である。投影光学系３０は、屈折系、反射屈折系、或いは、反射系を使用することができる。

ウエハ４０は、レチクル２０のパターンが投影（転写）される基板であって、ウエハステージ５０に保持及び駆動される。但し、ウエハ４０は、ガラスプレートやその他の基板に置換することもできる。ウエハステージ５０は、リニアモータやアクチュエータなどで構成される第１の駆動部６０に駆動されることで、ウエハ４０を駆動する。

アライメント検出系７０は、ウエハ４０に形成されたアライメントマークＡＭを観察（検出）してウエハ４０の位置を検出する位置検出装置である。アライメント検出系７０は、本実施形態では、照明光源７０１と、ハーフミラー７０２と、結像光学系７０３と、センサ７０４と、遮光板７０５と、第２の駆動部７０６とを含む。なお、ハーフミラー７０２は、偏光ビームスプリッタに置換することも可能である。

照明光源７０１からの光は、ハーフミラー７０２を介して、ウエハ４０に形成されたアライメントマークＡＭを照明する。アライメントマークＡＭで反射された光は、ハーフミラー７０２及び結像光学系７０３を通過して、センサ７０４に入射する。

センサ７０４は、アライメントマークＡＭからの光を検出する複数の領域がＸ軸方向（第１の方向）に配列されて構成される。また、複数の領域のそれぞれは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向（第１の方向に直交する第３の方向）に沿って２次元配列された画素を含む。このように、センサ７０４は、高解像度センサで構成される。なお、センサ７０４は、複数の領域のそれぞれに入射する光に相当する電荷を蓄積して、蓄積した電荷を表す信号を処理部９０に出力する。

遮光板７０５は、ウエハ４０とセンサ７０４との間、詳細には、センサ７０４の前段に配置され、センサ７０４の任意の領域（即ち、複数の領域のうち一部の領域）にアライメントマークＡＭからの光を入射させるための開口（スリット）を有する。遮光板７０５は、リニアモータやアクチュエータなどで構成される第２の駆動部７０６によってＸ軸方向に駆動される。遮光板７０５のＸ軸方向の位置を変更することによって、センサ７０４の任意の領域のみに選択的にアライメントマークＡＭからの光を入射させることができる。

制御部８０は、露光装置１の全体を制御する。制御部８０は、本実施形態では、ウエハ４０の位置合わせに関連する動作（処理）を制御する。例えば、制御部８０は、センサ７０４に入射するアライメントマークＡＭからの光がＸ軸方向に沿って移動しながら複数の領域に順に入射するようにウエハステージ５０をウエハ４０の高さ方向（Ｚ軸方向）に駆動するように第１の駆動部６０を制御する。この際、制御部８０は、ウエハステージ５０をウエハ４０の高さ方向に直交するＸ軸方向（第２の方向）にも駆動するように第１の駆動部６０を制御する。

処理部９０は、アライメント検出系７０のセンサ７０４から出力された信号（画像信号）を処理する機能を有し、例えば、ＡＤ変換器９０１と、メモリ９０２と、ＣＰＵ９０３とを含む。ＡＤ変換器９０１は、センサ７０４からのアナログ信号をデジタル信号に変換する。メモリ９０２は、ＡＤ変換器９０１で変換されたデジタル信号を画像データとして記憶する。ＣＰＵ９０３は、メモリ９０２に記憶された画像データに対して画像処理を施して画像のコントラストやアライメントマークＡＭの位置を算出する。

ここで、露光装置１におけるウエハ４０の位置合わせ（ウエハアライメント）について説明する。まず、ウエハ４０は、ウエハ搬送機構（不図示）を介して、メカニカルアライメント装置ＭＡに供給される。メカニカルアライメント装置ＭＡは、ウエハ４０の外周部に設けられたオリフラ（オリエンテーション・フラット）又はノッチの位置に基づいて、ウエハ４０の粗い位置合わせを行う（即ち、ウエハ４０の大まかな位置を決定する）。

粗い位置合わせが行われたウエハ４０は、ウエハ供給装置（不図示）を介して、ウエハステージ５０に載置される。そして、アライメント検出系７０（センサ７０４）とウエハ４０に形成されたアライメントマークＡＭとのフォーカス（ウエハ４０の高さ方向の位置）を合わせて、グローバルアライメントが行われる。グローバルアライメントによって、ウエハ４０の位置及びウエハ４０上の複数のショットの位置が正確に求められる。

以下、図２を参照して、露光装置１におけるウエハアライメントについて具体的に説明する。なお、ウエハアライメントは、制御部８０が露光装置１の各部を統括的に制御することで実行される。

Ｓ２０２では、ウエハメカニカルアライメント装置ＭＡを経由して、ウエハステージ５０にウエハ４０が載置される。Ｓ２０４では、ウエハ４０の左右に形成されたサーチアライメント用マーク（不図示）をアライメント検出系７０で観察（検出）してサーチアライメントを行う。なお、サーチアライメントでは、観察視野を広くするために、センサ７０４からの信号の読み出し範囲を広範囲にしてサーチアライメント用マークを検出する。サーチアライメントによって、ウエハ４０のＸ軸方向及びＹ軸方向のずれ、回転成分、ショットの倍率成分を算出及び補正することができるため、ファインアライメントにおける観察視野にアライメントマークＡＭを追い込むことができる。

Ｓ２０６では、ウエハステージ５０（に保持されたウエハ４０）及び遮光板７０５を初期位置に駆動する。具体的には、図３（ａ）に示すように、センサ７０４のＸ軸方向の初期位置（座標）Ｘ１に対応して遮光板７０５の開口及びアライメントマークＡＭが位置するように、遮光板７０５及びウエハステージ５０を駆動する。なお、遮光板７０５は、ファインアライメントにおける観察視野と同等以上の大きさの開口を有しており、アライメントマークＡＭを正確に初期位置Ｘ１に位置させることができる。また、アライメントマークＡＭ（ウエハ４０の表面）がＺ軸方向の初期位置（座標）Ｚ１に位置するように、ウエハステージ５０を駆動する。

Ｓ２０８では、照明光源７０１からの光によるアライメントマークＡＭの照明を開始する。Ｓ２１０では、センサ７０４の複数の領域のそれぞれに入射するアライメントマークＡＭからの光に相当する電荷の蓄積を開始する。Ｓ２１２では、ウエハステージ５０のＸ軸方向及びＺ軸方向への駆動を開始する。具体的には、ウエハ４０に形成されたアライメントマークＡＭが、Ｘ軸方向について、初期位置Ｘ１から位置Ｘ２乃至Ｘ８を経て最終位置Ｘ９に位置するように、ウエハステージ５０を一定速度で駆動する。また、ウエハ４０に形成されたアライメントマークＡＭが、Ｚ軸方向について、初期位置Ｚ１から位置Ｚ２乃至位置Ｚ８を経て最終位置Ｚ９に位置するように、ウエハステージ５０を一定速度で駆動する。Ｓ２１４では、遮光板７０５のＸ軸方向への駆動を開始する。具体的には、ウエハステージ５０のＸ軸方向への駆動に同期して、遮光板７０５の開口が、初期位置Ｘ１から位置Ｘ２乃至Ｘ８を経て最終位置Ｘ９に位置するように、遮光板７０５を一定速度で駆動する。なお、Ｓ２０８乃至Ｓ２１４は、実際には、時間的な差はなく、同時に行われる。即ち、Ｓ２０８乃至Ｓ２１４では、図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示すように、遮光板７０５及びウエハステージ５０が駆動され、センサ７０４に入射するアライメントマークＡＭからの光がＸ軸方向に沿って移動しながらセンサ７０４の複数の領域に順に入射する。

Ｓ２１６では、ウエハ４０に形成されたアライメントマークＡＭが最終位置（即ち、Ｘ軸方向の最終位置Ｘ９及びＺ軸方向の最終位置Ｚ９）に駆動されたかどうかを判定する。アライメントマークＡＭが最終位置に駆動されていない場合には、Ｓ２１６の判定を繰り返す。一方、アライメントマークＡＭが最終位置に駆動された場合には、Ｓ２１８に移行する。

Ｓ２１８では、照明光源７０１からの光によるアライメントマークＡＭの照明を終了する。Ｓ２２０では、センサ７０４の複数の領域のそれぞれに入射するアライメントマークＡＭからの光に相当する電荷の蓄積を終了する。Ｓ２２２では、ウエハステージ５０の駆動を終了する。Ｓ２２４では、遮光板７０５の駆動を終了する。なお、Ｓ２１８乃至Ｓ２２４は、実際には、時間的な差はなく、同時に行われる。

Ｓ２２６では、処理部９０に対して、センサ７０４の複数の領域のそれぞれに蓄積された電荷を表す信号を出力する。このように、アライメントマークＡＭからの光がＸ軸方向に沿って移動しながらセンサ７０４の複数の領域に順に入射している間には電荷を蓄積する。そして、アライメントマークＡＭからの光がＸ軸方向に沿って移動しながらセンサ７０４の複数の領域に順に入射した後に複数の領域のそれぞれに蓄積された電荷を表す信号を連続的に処理部９０に出力する。なお、センサ７０４から出力された信号は、上述したように、ＡＤ変換器９０１でアナログ信号からデジタル信号に変換され、本実施形態では、２次元画像としてメモリ９０２に記憶される。

ここで、メモリ９０２に記憶される２次元画像について説明する。ウエハ４０に形成されたウエハアライメントマークＡＭは、図４に示すように、Ｙ軸方向に整列した２つのラインパターンＬＰ１及びＬＰ２であるものとする。図４に示すアライメントマークＡＭをアライメント検出系７０で撮像すると、図５に示すような２次元画像ＩＭＧが取得できる。センサ７０４に形成される２つのラインパターンＬＰ１及びＬＰ２の像ＬＰ１’及びＬＰ２’は、アライメントマークＡＭがＸ軸方向に駆動されているため、図５に示すように、Ｘ軸方向に延びた形状で撮像される。また、アライメントマークＡＭはＺ軸方向にも駆動されているため、２次元画像ＩＭＧにおけるＸ軸方向の位置がウエハステージ５０のＺ軸方向の位置に対応している。なお、本実施形態では、アライメントマークＡＭは、２つのラインパターンＬＰ１及びＬＰ２で構成されているが、アライメントマークＡＭを構成するラインパターンの数を限定するものではない。

図２に戻って、Ｓ２２８では、処理部９０のＣＰＵ９０３によって、メモリ９０２に記憶された２次元画像に対して画像処理を施し、ベストフォーカスとなるウエハ４０の高さ方向の位置（ベストフォーカス位置）を決定（算出）する。具体的には、図５に示す２次元画像ＩＭＧ（即ち、センサ７０４からの信号）によって与えられるＸ軸方向に沿った光強度の分布においてピークを示すＸ軸方向の位置をベストフォーカス位置として決定する。

Ｓ２３０では、遮光板７０５を駆動してアライメント検出系７０の観察視野外に退避させる。Ｓ２３２では、ウエハステージ５０を駆動して、ウエハ４０をＳ２２８で決定したベストフォーカス位置に位置決めする。Ｓ２４２では、ウエハ４０に形成されたアライメントマークＡＭをアライメント検出系７０で観察（検出）してファインアライメントを行い、ウエハアライメントを終了する。

このように、本実施形態では、センサ７０４の複数の領域のそれぞれに蓄積された電荷を表す信号を連続的に（即ち、１回で）出力する。また、かかる信号には、ウエハ４０の各Ｚ位置（本実施形態では、初期位置Ｚ１乃至最終位置Ｚ９）の光強度の分布に相当する情報が含まれている。従って、露光装置１においては、ウエハ４０の位置合わせ（ウエハアライメント）を短時間で行うことができる。

なお、Ｓ２２８のベストフォーカス位置の決定は、図６に示すフローチャートに従って実施してもよい。Ｓ６０２では、メモリ９０２に記憶される２次元画像を複数の領域に分割する。本実施形態では、図７（ａ）に示すように、２次元画像ＩＭＧを、それぞれの面積が等しくなるように、８つの領域ＡＲ１乃至ＡＲ８に分割する。Ｓ６０４では、各領域ＡＲ１乃至ＡＲ８の画像（信号）を各領域内においてＸ軸方向に積算することによって、図７（ｂ）に示すようなＹ軸方向（第３の方向）に沿った１次元の光強度の分布（１次元画像）を生成する。Ｓ６０６では、Ｓ６０４で生成された１次元の光強度の分布から各領域ＡＲ１乃至ＡＲ８のコントラストを算出する。Ｓ６０８では、図７（ｃ）に示すように、Ｓ６０６で算出された各領域ＡＲ１乃至ＡＲ８のコントラストを比較して、コントラストが最大となる１次元の光強度の分布に対応するウエハ４０の高さ方向の位置（ベストフォーカス位置）を決定（算出）する。

図６に示すベストフォーカス位置の決定は、ウエハ４０の各Ｚ位置で十分なコントラストが得られず、取得される２次元画像のコントラストが低くなってしまう場合に有効である。２次元画像のコントラストが低くなってしまう場合には、ウエハステージ５０の振動や駆動速度のばらつきなどの外乱要因によって、ベストフォーカス位置を誤って決定（算出）してしまうことがあるからである。

露光において、光源から発せられた光は、照明光学系１０によってレチクル２０を照明する。レチクル２０のパターンを反映する光は、投影光学系３０によってウエハ４０上に結像する。この際、露光装置１においては、上述したように、ウエハ４０の位置合わせが短時間で行われている。従って、露光装置１は、高いスループットで経済性よく高品位なデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。かかるデバイスは、露光装置１を用いてフォトレジスト（感光剤）が塗布された基板（ウエハ、ガラスプレート等）を露光する工程と、露光された基板を現像する工程と、その他の周知の工程と、を経ることによって製造される。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

Claims (6)

1. ステージに保持された基板に形成されたマークからの光を検出する複数の領域が第１の方向に配列されたセンサと、
   前記ステージを駆動する第１の駆動部と、
   前記センサに入射する前記マークからの光が前記第１の方向に沿って移動しながら前記複数の領域に順に入射するように前記ステージを前記基板の高さ方向に直交する第２の方向に駆動しつつ、前記ステージを前記基板の高さ方向にも駆動するように前記第１の駆動部を制御する制御部と、
   前記センサからの信号を処理する処理部と、
   を有し、
   前記処理部は、前記信号によって与えられる前記第１の方向に沿った光強度の分布においてピークを示す前記基板の高さ方向の位置を決定することを特徴とする位置検出装置。
2. 前記基板と前記センサとの間に配置され、前記複数の領域のうち一部の領域に前記マークからの光を入射させるための開口を有する遮光板と、
   前記遮光板を駆動する第２の駆動部と、
   を更に有し、
   前記制御部は、前記ステージの前記第２の方向への駆動に同期して前記遮光板を駆動するように前記第２の駆動部を制御することを特徴とする請求項１に記載の位置検出装置。
3. 前記センサは、前記マークからの光が前記第１の方向に沿って移動しながら前記複数の領域に順に入射している間は前記複数の領域に入射する光に相当する電荷を蓄積し、前記マークからの光が前記第１の方向に沿って移動しながら前記複数の領域に順に入射した後に前記複数の領域の信号を連続的に前記処理部に出力することを特徴とする請求項１又は２に記載の位置検出装置。
4. 前記複数の領域のそれぞれは、前記第１の方向及び前記第１の方向に直交する第３の方向に沿って２次元配列された画素を含み、
   前記処理部は、各領域の信号を各領域内において前記第１の方向に積算することによって前記第３の方向に沿った１次元の光強度の分布を生成し、前記複数の領域のそれぞれについて生成された複数の１次元の光強度の分布のうちコントラストが最大となる１次元の光強度の分布に対応する前記基板の高さ方向の位置を決定することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の位置検出装置。
5. レチクルのパターンをステージに保持された基板に投影する投影光学系と、
   前記基板に形成されたマークからの光を検出する複数の領域が第１の方向に配列されたセンサと、
   前記ステージを駆動する駆動部と、
   前記センサに入射する前記マークからの光が前記第１の方向に沿って移動しながら前記複数の領域に順に入射するように前記ステージを前記基板の高さ方向に直交する第２の方向に駆動しつつ、前記ステージを前記基板の高さ方向にも駆動するように前記駆動部を制御する制御部と、
   前記センサからの信号を処理する処理部と、
   を有し、
   前記処理部は、前記信号によって与えられる前記第１の方向に沿った光強度の分布においてピークを示す前記基板の高さ方向の位置を決定し、
   前記制御部は、前記処理部で決定された前記基板の高さ方向の位置に前記基板を位置決めするように前記駆動部を制御することを特徴とする露光装置。
6. 請求項５に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
   露光された前記基板を現像するステップと、
   を有することを特徴とするデバイスの製造方法。