JP2011049299A - 太陽電池の特性測定方法及び特性測定装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電流電圧特性を高精度に求めることができ、理論式を解析的に解くことなく、内部直列抵抗及び内部並列抵抗を高精度に求めることができる太陽電池の特性測定方法及び特性測定装置の提供。
【解決手段】電流電圧特性を求める太陽電池の特性測定方法であって、太陽電池の所定領域に、異なる条件で光を複数回照射する照射工程と、光の照射ごとに、光照射時の前記所定領域における電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉを測定する測定工程と、前記電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉの測定値を使用して、下記式（１）に従って算出されるΔが最小となるように、下記式（２）におけるＩ_ｐｈ、Ｉ_０、Ｒ_ｓ及びＲ_ｓｈを算出する演算工程と、を有することを特徴とする太陽電池の特性測定方法。
［数１］

【選択図】図３

Description

本発明は、太陽電池の特性を示す内部直列抵抗及び内部並列抵抗を測定する特性測定方法及び特性測定装置に関する。

エネルギーの効率的な利用の観点から、近年、太陽電池はますます広く一般に利用されつつある。特に、シリコン単結晶を利用した太陽電池は単位面積当たりのエネルギー変換効率に優れている。しかし一方でシリコン単結晶を利用した太陽電池は、シリコン単結晶インゴットをスライスしたシリコンウエハを用いるため、インゴットの製造に大量のエネルギーが費やされ、製造コストが高い。特に屋外などに設置される大面積の太陽電池を、シリコン単結晶を利用して実現しようとすると、相当にコストが掛かるのが現状である。
そこで、より安価に製造可能な、シリコン薄膜を利用した薄膜シリコン型の太陽電池が、低コストの太陽電池として普及している。

薄膜シリコン型の太陽電池は、光を受けると電子とホールを発生するシリコン膜（ｉ層）を、ｐ型およびｎ型のシリコン膜ではさんだｐｉｎ接合と呼ばれる層構造の半導体膜が用いられ、この半導体膜の両面にそれぞれ電極を形成したものである。
太陽光によって発生した電子とホールは、光のエネルギーにより空乏層（接合領域）から叩き出され、ｐ型・ｎ型半導体の電位差によって活発に移動し、これが連続的に繰り返されることで両面の電極に電位差が生じる。

こうした薄膜シリコン型の太陽電池の具体的な構成としては、例えば、受光面側となるガラス基板にＴＣＯなどの透明電極を下部電極として成膜し、この上にアモルファスシリコンからなる半導体膜と、上部電極となるＡｇ薄膜などを形成してなる。このような上下電極と半導体膜からなる光電変換体を備えたアモルファスシリコン太陽電池は、基板上に広い面積で均一に各層を成膜しただけでは電位差が小さく、また抵抗値の問題もあるため、例えば、光電変換体を所定のサイズごとに電気的に区画した区画素子を形成し、互いに隣接する区画素子同士を電気的に接続してなる。具体的には、基板上に広い面積で均一に形成した光電変換体に、レーザー光などでスクライブ線（スクライブライン）と称される溝を形成して多数の短冊状の区画素子とし、この区画素子同士を電気的に直列に接続した構造とする。

ところで、薄膜シリコン型の太陽電池をはじめとする各種太陽電池では、その電流電圧特性を評価するために、しばしば内部直列抵抗及び内部並列抵抗を求めることが必要となる。その手法について、以下、説明する。
太陽電池の等価回路は図５に示す回路図で表されることが知られている。ここで、Ｉは太陽電池の出力電流、Ｖは太陽電池の出力電圧、Ｉ_ｐｈは等価回路における光励起電流、Ｉ_Ｄは等価回路におけるダイオード電流、Ｒ_ｓは等価回路における内部直列抵抗、Ｒ_ｓｈは等価回路における内部並列抵抗である。
そして、このような等価回路に基いて、太陽電池の電流電圧特性は、下記式（２’）の理論式で表されることも知られている。

（式中、Ｉは太陽電池の出力電流であり；Ｖは太陽電池の出力電圧であり；Ｉ_ｐｈは太陽電池の等価回路における光励起電流であり；Ｉ_０は太陽電池の等価回路における逆方向ダイオード飽和電流であり；Ｒ_ｓは太陽電池の等価回路における内部直列抵抗であり；Ｒ_ｓｈは太陽電池の等価回路における内部並列抵抗であり；ｅは素電荷であり；ｋはボルツマン定数であり；Ｔは温度であり；ｎは理想ダイオード因子である。）

内部直列抵抗及び内部並列抵抗は、式（２’）を解くことで求めることができるはずであるが、計算式が複雑であるため、通常は解析的に解くことができない。そこで従来は、電流−電圧特性曲線における、電圧切片（電流が０の場合）での傾きの逆数で符号を反転させたものを内部直列抵抗とし、電流切片（電圧が０の場合）での傾きの逆数で符号を反転させたものを内部並列抵抗として、それぞれ簡易的に求め、これらを使用して、物理的特性を評価していた。
また、高精度な電流−電圧特性曲線を得るために、電流電圧特性の測定値を補正する手法が開示されている（例えば、特許文献１及び２参照）。

特開２００６−２２９０６３号公報 特開２００８−０９８２５２号公報

しかし、電圧切片及び電流切片から内部直列抵抗及び内部並列抵抗を求める方法は、精度が低く、物理的特性を高精度に求めることができないという問題点があった。また、引用文献１及び２に記載の方法も、必ずしも電流電圧特性を高精度に求めることができないという問題点があった。
このように従来は、式（２’）を満たすように、電流電圧特性を高精度に求める方法が無いのが実情であった。

本発明は上記事情に鑑みて為されたものであり、電流電圧特性を高精度に求めることができ、理論式を解析的に解くことなく、内部直列抵抗及び内部並列抵抗を高精度に求めることができる太陽電池の特性測定方法及び特性測定装置を提供することを課題とする。

上記課題を解決するため、
本発明は、電流電圧特性を求める太陽電池の特性測定方法であって、太陽電池の所定領域に、異なる条件で光を複数回照射する照射工程と、光の照射ごとに、光照射時の前記所定領域における電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉを測定する測定工程と、前記電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉの測定値を使用して、下記式（１）に従って算出されるΔが最小となるように、下記式（２）におけるＩ_ｐｈ、Ｉ_０、Ｒ_ｓ及びＲ_ｓｈを算出する演算工程と、を有することを特徴とする太陽電池の特性測定方法を提供する。

（式中、Ｎは２以上の整数であり；ｆ_ｉは下記式（２）で表される変数である。）

（式中、Ｉ_ｉは電流の測定値であり；Ｖ_ｉは電圧の測定値であり；Ｉ_ｐｈは等価回路における光励起電流であり；Ｉ_０は等価回路における逆方向ダイオード飽和電流であり；Ｒ_ｓは等価回路における内部直列抵抗であり；Ｒ_ｓｈは等価回路における内部並列抵抗であり；ｅは素電荷であり；ｋはボルツマン定数であり；Ｔは温度であり；ｎは理想ダイオード因子であり；αは式「ｅ／（ｎｋＴ）」で表される定数である。）

また、本発明は、電流電圧特性を求める太陽電池の特性測定装置であって、太陽電池の所定領域に、異なる条件で光を複数回照射する照射手段と、光の照射ごとに、光照射時の前記所定領域における電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉを測定する測定手段と、前記電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉの測定値を使用して、下記式（１）に従って算出されるΔが最小となるように、下記式（２）におけるＩ_ｐｈ、Ｉ_０、Ｒ_ｓ及びＲ_ｓｈを算出する演算手段と、を有することを特徴とする太陽電池の特性測定装置を提供する。

（式中、Ｎは２以上の整数であり；ｆ_ｉは下記式（２）で表される変数である。）

（式中、Ｉ_ｉは電流の測定値であり；Ｖ_ｉは電圧の測定値であり；Ｉ_ｐｈは等価回路における光励起電流であり；Ｉ_０は等価回路における逆方向ダイオード飽和電流であり；Ｒ_ｓは等価回路における内部直列抵抗であり；Ｒ_ｓｈは等価回路における内部並列抵抗であり；ｅは素電荷であり；ｋはボルツマン定数であり；Ｔは温度であり；ｎは理想ダイオード因子であり；αは式「ｅ／（ｎｋＴ）」で表される定数である。）

本発明によれば、太陽電池の電流電圧特性を高精度に求めることができ、理論式を解析的に解くことなく、内部直列抵抗及び内部並列抵抗を高精度に求めることができる。

本発明の測定方法に供される太陽電池を例示する要部拡大斜視図である。 本発明の測定方法に供される太陽電池を例示する要部拡大断面図である。 本発明の演算工程においてｘ_４を求める過程を説明するためのフローチャートである。 実施例１、比較例１及び参考例１における電流−電圧特性曲線を示すグラフである。 太陽電池の等価回路を示す回路図である。

以下、本発明に係る太陽電池の特性測定方法及び特性測定装置について、詳細に説明する。なお、以下の説明で使用する図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。

＜太陽電池＞
本発明の特性測定方法には、各種太陽電池を供することができるが、好ましいものとして、薄膜シリコン型の太陽電池が例示できる。
まず、薄膜シリコン型の太陽電池について説明する。図１は、薄膜シリコン型の太陽電池を例示する要部拡大斜視図である。また、図２は図１の太陽電池の層構成を示す要部拡大断面図である。
太陽電池１０は、透明な絶縁性の基板１１の一面１１ａに光電変換体１２を形成してなる。基板１１は、例えば、カラスや透明樹脂など、太陽光の透過性に優れ、かつ耐久性のある絶縁材料で形成されていればよい。こうした基板１１の他面１１ｂ側から太陽光Ｓを入射させる。

光電変換体１２は、基板１１側から順に第一電極（下部電極）層１３、半導体層１４、第二電極（上部電極）層１５を積層してなる。第一電極層１３は、透明な導電材料、例えば、ＴＣＯ、ＩＴＯなどの光透過性の金属酸化物から形成されていればよい。また、第二電極層１５は、Ａｇ、Ｃｕなど導電性の金属膜によって形成されていればよい。

半導体層１４は、例えば、図２の上部に示すように、ｐ型シリコン膜１７とｎ型シリコン膜１８との間にｉ層シリコン膜１６を挟んだｐｉｎ接合構造を成す。そして、この半導体層１４に太陽光が入射すると電子とホールが生じて、ｐ型シリコン膜１７とｎ型シリコン膜１８との電位差によって活発に移動し、これが連続的に繰り返されることで第一電極層１３と第二電極層１５との間に電位差が生じる（光電変換）。

光電変換体１２は、スクライブ線１９によって、例えば外形が短冊状の多数の区画素子２１，２１・・・に分割されている。この区画素子２１，２１・・・は互いに電気的に区画されるとともに、互いに隣接する区画素子２１同士の間で、例えば電気的に直列に接続される。これにより、光電変換体１２は、区画素子２１，２１・・・を全て電気的に直列に繋いだ形態となり、高い電位差の電流を取り出すことができる。スクライブ線１９は、例えば、基板１１の一面に均一に光電変換体１２を形成した後、レーザーなどによって光電変換体１２に所定の間隔で溝を形成することにより形成すれば良い。

なお、こうした光電変換体１２をなす第二電極（上部電極）１５の上に、さらに絶縁性の樹脂などからなる保護層（図示せず）を形成するのが好ましい。

＜太陽電池の特性測定方法＞
本発明の太陽電池の特性測定方法は、電流電圧特性を求める太陽電池の特性測定方法であって、太陽電池の所定領域に、異なる条件で光を複数回照射する照射工程と、光の照射ごとに、光照射時の前記所定領域における電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉを測定する測定工程と、前記電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉの測定値を使用して、下記式（１）に従って算出されるΔが最小となるように、下記式（２）におけるＩ_ｐｈ、Ｉ_０、Ｒ_ｓ及びＲ_ｓｈを算出する演算工程と、を有することを特徴とする。

（式中、Ｎは２以上の整数であり；ｆ_ｉは下記式（２）で表される変数である。）

（式中、Ｉ_ｉは電流の測定値であり；Ｖ_ｉは電圧の測定値であり；Ｉ_ｐｈは等価回路における光励起電流であり；Ｉ_０は等価回路における逆方向ダイオード飽和電流であり；Ｒ_ｓは等価回路における内部直列抵抗であり；Ｒ_ｓｈは等価回路における内部並列抵抗であり；ｅは素電荷であり；ｋはボルツマン定数であり；Ｔは温度であり；ｎは理想ダイオード因子であり；αは式「ｅ／（ｎｋＴ）」で表される定数である。）

前記照射工程において、「異なる条件で光を複数回照射する」とは、おもに強度が異なる照射光を複数回照射することを指す。この時、照射光は、太陽電池の同一の領域に照射しても良いし、異なる領域に照射しても良いが、通常は、各回の照射領域の一致度が高いほど好ましく、各回の照射領域がすべて同一であることがより好ましい。
そして、前記測定工程においては、光を照射するごとに、光照射時の前記所定領域における電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉを測定して、照射回数に応じた複数の電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉの測定値を取得する。
そして、前記演算工程においては、これら複数の電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉの測定値を利用して、前記式（２）に従って、照射回数に応じた複数のｆ_ｉを算出し、これに対応して前記式（１）に従って複数のΔを算出して、このΔが最小となるように、Ｉ_ｐｈ、Ｉ_０、Ｒ_ｓ及びＲ_ｓｈを算出する。このように本発明は、最小二乗法の原理を応用したものである。

式（２）は、電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉの測定値を使用して、前記式（２’）の理論式を変形して得られたものである。
Ｎは、ｆ_ｉの算出回数であり、通常は光の照射回数と同一であって、２以上の整数である。Ｎは任意に選択できるが、本発明ではその原理から、本発明の効果を妨げない範囲内で大きいほど好ましい。

以下、Ｉ_ｐｈ、Ｉ_０、Ｒ_ｓ及びＲ_ｓｈの算出方法を説明する。
ｆ_ｉは、以下のように変形できる。

（式中、Ｉ_ｉは電流の測定値であり；Ｖ_ｉは電圧の測定値であり；Ｖ^＊は電流−電圧特性曲線における電圧切片の値であり；ｘ_１、ｘ_２、ｘ_３、ａ_ｉ、ｂ_ｉ及びｃ_ｉは下記式（４）〜（９）で表される値である。）

（式中、Ｉ_ｉ、Ｖ_ｉ、Ｉ_ｐｈ、Ｉ_０、Ｒ_ｓｈ及びαは、前記と同様であり；Ｖ^＊は電流−電圧特性曲線における電圧切片の値であり；ｘ_４はＲ_ｓである。）

前記式（４）〜（９）中、Ｉ_ｉ、Ｖ_ｉ、Ｉ_ｐｈ、Ｉ_０、Ｒ_ｓｈ及びαは、前記式（２）の場合と同様である。
Ｖ^＊は電流−電圧特性曲線における電圧切片（電流が０の場合）の値である。
ｘ_４はＲ_ｓ（等価回路における内部直列抵抗）である。

前記式（３）において、ｘ_１、ｘ_２及びｘ_３に関する下記式（１０）で表される停留条件を解くと、ｘ_１〜ｘ_３が下記式（１１）〜（１３）で与えられる。

（式中、ａ_ｉ、ｂ_ｉ及びｃ_ｉは前記と同様であり、Ｐ_ｒｓ（＝Ｐ_ｓｒ、ｓ及びｒはａ、ｂ及びｃのいずれかを表す）は下記式（１４）で表される値である。）

式中、ａ_ｉ、ｂ_ｉ及びｃ_ｉは前記と同様であり、式（７）〜（９）で表される値である。

前記式（１）に、式（１１）、（１２）及び（１３）を代入すると、式（１）は以下のように式（１’）に変形できる。

（式中、ｘ_１、ｘ_２、ｘ_３、ａ_ｉ、ｂ_ｉ及びｃ_ｉは前記と同様である。）

式中、ｘ_１、ｘ_２、ｘ_３、ａ_ｉ、ｂ_ｉ及びｃ_ｉは前記と同様であり、前記式（４）〜（９）で表される値である。
このように、Δは前記式（１’）で表され、結局、ｘ_４だけの関数として表すことができる。

前記式（１’）において、Ｎｅｗｔｏｎ−Ｒａｐｈｓｏｎ法を適用し、ｘ_４に関する下記式（１５）で表される停留条件を解くことにより、ｘ_４（すなわち、Ｒ_ｓ）が求められる。ｘ_４を求める過程を説明するためのフローチャートを図３に示す。ここでは、関数Δ（ｘ_４）
において、２階微分が０になるｘ_４を求めるために、Ｎｅｗｔｏｎ−Ｒａｐｈｓｏｎ法を適用する。そして、このｘ_４を前記式（１１）、（１２）及び（１３）に代入することにより、ｘ_１、ｘ_２及びｘ_３が求められる。さらに、前記式（４）〜（６）から、Ｉ_ｐｈ、Ｉ_０、Ｒ_ｓｈが求められる。
以上のように、前記式（１）及び（２）を利用して、Ｉ_ｐｈ、Ｉ_０、Ｒ_ｓ及びＲ_ｓｈをすべて算出できる。

本発明によれば、電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉを測定し、前記式（１）及び（２）を利用して、前記式（２’）の理論式により近くなるようにＩ_ｐｈ、Ｉ_０、Ｒ_ｓ及びＲ_ｓｈを算出することにより、太陽電池の電流電圧特性を高精度に求めることができ、理論式を解析的に解くことなく、内部直列抵抗及び内部並列抵抗を高精度に求めることができる。

＜太陽電池の特性測定装置＞
本発明の太陽電池の特性測定装置は、電流電圧特性を求める太陽電池の特性測定装置であって、太陽電池の所定領域に、異なる条件で光を複数回照射する照射手段と、光の照射ごとに、光照射時の前記所定領域における電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉを測定する測定手段と、前記電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉの測定値を使用して、下記式（１）に従って算出されるΔが最小となるように、下記式（２）におけるＩ_ｐｈ、Ｉ_０、Ｒ_ｓ及びＲ_ｓｈを算出する演算手段と、を有することを特徴とする。

前記照射手段としては、光源を備えた光照射装置が例示できる。かかる光照射装置においては、光源が太陽電池の基板に対向するように配置できれば良い。
また、光照射装置は、光源を一つ備えたものでも良いし、ｎ（ｎは２以上の整数を表す）個の光源を備えたものでも良い。このようにすることで、複数の所定領域における電流電圧特性を同時に測定することができる。

前記測定手段としては、プローブを複数備えた電流電圧測定器が例示できる。かかる電流電圧測定器としては、例えば、太陽電池の第二電極層にプローブが接触可能とされたものが好ましい。
電流電圧測定器としては、例えば、電流測定用と電圧測定用のプローブをそれぞれ備えた４端子型の測定器を使用できる。４端子型の電流電圧測定器では、電流測定用のプローブが電流計と電源に接続され、電圧測定用のプローブが電圧計に接続される。このような電流電圧測定器としては、４端子を1セット備えた測定器が使用できるし、４端子を１セットとしてこれを複数セット備えた測定器装置も使用できる。
また、電流電圧測定器としては、電流測定用と電圧測定用のプローブを共用する２端子型の測定器も使用できる。２端子型の測定器としては、前記プローブを二つ備えたものが例示できるが、２ｎ（ｎは２以上の整数を表す）個のプローブを備えたものでも良い。このようにすることで、複数の所定領域における電流電圧特性を同時に測定できる。

前記演算手段としては、電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉの測定値から、上記の説明のようにＩ_ｐｈ、Ｉ_０、Ｒ_ｓ及びＲ_ｓｈを算出するプログラムが組み込まれると共に、Ｉ_ｐｈ、Ｉ_０、Ｒ_ｓ及びＲ_ｓｈの算出値や、電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉの測定値などのデータを保存するための保存手段を備えたコンピューターが例示できる。

本発明の特性測定装置においては、前記光源及びプローブが、それぞれ独立して、太陽電池上を移動できるように構成されていることが好ましい。この場合、例えば、前記光源及びプローブを、太陽電池の面内方向及びこれに垂直な方向のいずれにも移動可能に構成すれば良い。
そのためには、特性測定装置が、前記光源及びプローブを別々に固定すると共に、これらを別々に所望の位置に移動させて配置する、複数の第一固定手段を備えることが好ましく、これら第一固定手段と電気的に接続され、これら第一固定手段の動きを自動で制御する、コンピューター等の第一制御手段を備えることがより好ましい。さらに、測定に供する太陽電池を固定すると共に、これを所望の位置に移動させて配置する第二固定手段を備えることが好ましく、第二固定手段と電気的に接続され、第二固定手段の動きを自動で制御する、コンピューター等の第二制御手段を備えることがより好ましい。
そして、前記第一制御手段、第二制御手段及び演算手段からなる群から選択される二以上が、これらに対応する複数の機能をあわせて備えた同一の手段で構成されていても良い。

以下、具体的実施例により、本発明についてさらに詳しく説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に何ら限定されるものではない。

（実施例１）
図１及び２に示す太陽電池において、本発明の装置を使用して本発明の方法によりＩ_ｐｈ、Ｉ_０、Ｒ_ｓ及びＲ_ｓｈを算出し、電流−電圧特性曲線を作成した。結果を図４に示す。

（比較例１）
図１及び２に示す太陽電池において、電流−電圧特性曲線における、電圧切片（電流が０の場合）での傾きの逆数で符号を反転させたものを求めて、これを内部直列抵抗とし、電流切片（電圧が０の場合）での傾きの逆数で符号を反転させたものを求めて、これを内部並列抵抗とした。そして、前記内部直列抵抗をＲ_ｓとし、前記内部並列抵抗をＲ_ｓｈとして、前記式（２’）を利用して電流−電圧特性曲線を作成した。結果を図４に示す。

（参考例１）
図１及び２に示す太陽電池において、電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉを測定し、その測定値から電流−電圧特性曲線を作成した。結果を図４に示す。

図４から明らかなように、実施例１の電流−電圧特性曲線は、参考例１の電流−電圧特性曲線に極めて近似しており、参考例１と実施例１との差の二乗和は１．２２×１０^−９であった。これは、本発明により、実施例１では内部直列抵抗及び内部並列抵抗として真値に近い値が得られたことを示している。
一方、図４から明らかなように、比較例１の電流−電圧特性曲線は、参考例１の電流−電圧特性曲線から大きくずれていた。これは、比較例１で簡易的に求めた内部直列抵抗及び内部並列抵抗の精度が低かったことを示している。

１０・・・太陽電池、１１・・・基板、１１ａ・・・基板の一面、１２・・・光電変換体、１３・・・第一電極層、１４・・・半導体層、１５・・・第二電極層、１９・・・スクライブ線、２１・・・区画素子

Claims (2)

1. 電流電圧特性を求める太陽電池の特性測定方法であって、
   太陽電池の所定領域に、異なる条件で光を複数回照射する照射工程と、
   光の照射ごとに、光照射時の前記所定領域における電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉを測定する測定工程と、
   前記電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉの測定値を使用して、下記式（１）に従って算出されるΔが最小となるように、下記式（２）におけるＩ_ｐｈ、Ｉ_０、Ｒ_ｓ及びＲ_ｓｈを算出する演算工程と、
   を有することを特徴とする太陽電池の特性測定方法。
   

   

   （式中、Ｎは２以上の整数であり；ｆ_ｉは下記式（２）で表される変数である。）
   

   

   （式中、Ｉ_ｉは電流の測定値であり；Ｖ_ｉは電圧の測定値であり；Ｉ_ｐｈは等価回路における光励起電流であり；Ｉ_０は等価回路における逆方向ダイオード飽和電流であり；Ｒ_ｓは等価回路における内部直列抵抗であり；Ｒ_ｓｈは等価回路における内部並列抵抗であり；ｅは素電荷であり；ｋはボルツマン定数であり；Ｔは温度であり；ｎは理想ダイオード因子であり；αは式「ｅ／（ｎｋＴ）」で表される定数である。）
2. 電流電圧特性を求める太陽電池の特性測定装置であって、
   太陽電池の所定領域に、異なる条件で光を複数回照射する照射手段と、
   光の照射ごとに、光照射時の前記所定領域における電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉを測定する測定手段と、
   前記電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉの測定値を使用して、下記式（１）に従って算出されるΔが最小となるように、下記式（２）におけるＩ_ｐｈ、Ｉ_０、Ｒ_ｓ及びＲ_ｓｈを算出する演算手段と、
   を有することを特徴とする太陽電池の特性測定装置。
   

   

   （式中、Ｎは２以上の整数であり；ｆ_ｉは下記式（２）で表される変数である。）
   

   

   （式中、Ｉ_ｉは電流の測定値であり；Ｖ_ｉは電圧の測定値であり；Ｉ_ｐｈは等価回路における光励起電流であり；Ｉ_０は等価回路における逆方向ダイオード飽和電流であり；Ｒ_ｓは等価回路における内部直列抵抗であり；Ｒ_ｓｈは等価回路における内部並列抵抗であり；ｅは素電荷であり；ｋはボルツマン定数であり；Ｔは温度であり；ｎは理想ダイオード因子であり；αは式「ｅ／（ｎｋＴ）」で表される定数である。）

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