JP2011040593A - 半導体装置ならびに半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】AlNd層203を層厚0.45μm以上0.8μm以下、Ndの含有量を0.5at%以上1.0at%以下に形成した。この条件範囲であれば、塩素ガスを主としたプラズマエッチングを行ってもフェンスの発生が抑えられる。また、基板温度を500℃まで上げられることから、層間絶縁層211として信頼性が高い酸化シリコン層をAlNd層203にヒロックを発生させることなく形成することができ、信頼性が高いTFT220を提供することが可能となる。
【選択図】図4
Description
(プラズマエッチング装置の構成)
以下、半導体装置としてのAlNd配線層を形成するためのプラズマエッチング装置の構成について図面を用いて説明する。図1は、本実施形態にかかるプラズマエッチング装置として好適に用いられるICP(誘導結合プラズマ)エッチング装置の構成を示す外略図である。ICPエッチング装置100は、基板200を搬送する搬送系101、ゲートバルブ102、処理室103、対向電極104、基板支持部105、結合コンデンサー106、ACバイアス電源107、アンテナ108、ガス供給系109、ガス排気系110、RF電源111、予備排気系112、予備排気室113を含み、基板200を処理する。
以下、上記したプラズマエッチング装置を用いたプラズマエッチング工程について図面を用いて説明する。プラズマエッチング工程に用いる装置としては、たとえば第1実施形態で説明したICPエッチング装置や、ECRプラズマエッチング装置、HWPエッチング装置等、プラズマ励起エネルギーとプラズマ引き込みエネルギーとを独立して扱えるプラズマエッチングを用いることが好適である。本実施形態では、前述したICPプラズマエッチング装置を用いた例について説明する。また、以下に示すエッチング条件は一例を示すものであり、このエッチング条件に限定されるものではない。
次に、層間絶縁層211をプラズマCVD法等を用いて堆積する。この際に、400℃、好ましくは500℃程度の基板温度を必要とするが、上記した条件範囲でAlNd層203を形成することでこの堆積温度に耐え、ヒロックの発生を抑えて堆積することが可能となる。続けて、コンタクトホール212やソース側電極209、ドレイン側電極210等を公知の方法を用いて形成することで図4に示すTFT220が形成される。
以下、第2の実施形態として、半導体装置としてのTFTについて説明する。本実施形態のTFTは、第1の実施形態で例示したプラズマエッチング法を用いてエッチングしたAlNd層203をゲート電極として用いることも好適である。図4は、第1の実施形態で例示したプラズマエッチング法を用いて形成したTFTの断面図である。
Claims (2)
- 金属配線層を備える半導体装置であって、
前記金属配線層の少なくとも一部にネオジムを0.5at%以上1.0at%以下の含有量で含むアルミニウム合金層を用い、かつ前記アルミニウム合金層の厚さが0.45μm以上0.8μm以下の厚さを備えることを特徴とする半導体装置。 - 金属配線層を備える半導体装置の製造方法であって、
ネオジムを0.5at%以上1.0at%以下の含有量で含み、0.45μm以上0.8μm以下の厚さを備えるアルミニウム合金層を用い、塩素を含む雰囲気でプラズマエッチングを行う工程と、
300℃以上500℃以下の熱処理を行う工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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