JP2011040590A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011040590A JP2011040590A JP2009187053A JP2009187053A JP2011040590A JP 2011040590 A JP2011040590 A JP 2011040590A JP 2009187053 A JP2009187053 A JP 2009187053A JP 2009187053 A JP2009187053 A JP 2009187053A JP 2011040590 A JP2011040590 A JP 2011040590A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- semiconductor layer
- triac
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
本発明は、pn接合を利用して電流の制御を行う半導体装置、特にサイリスタ及びトライアックの構造に関する。
The present invention relates to a semiconductor device that controls current using a pn junction, and more particularly, to a thyristor and triac structure.
複数のpn接合を利用して電流のオンオフを制御する半導体装置として、サイリスタが知られている。サイリスタにおいては、ゲート電流をトリガとして、アノード・カソード間の電流のオンが制御される。また、逆向きのサイリスタを並列に接続して同一の半導体基板に形成した構成のトライアック(双方向サイリスタ)も広く用いられている。サイリスタやトライアックは、大電流を流すことが可能であるため、電源回路等に広く用いられている。
A thyristor is known as a semiconductor device that controls on / off of current using a plurality of pn junctions. In the thyristor, the gate-current is used as a trigger to control the turning on of the current between the anode and the cathode. Further, a triac (bidirectional thyristor) having a configuration in which reverse thyristors are connected in parallel and formed on the same semiconductor substrate is also widely used. Thyristors and triacs are widely used in power supply circuits and the like because they can pass a large current.
サイリスタやトライアックにおいては、ゲート電圧を印加しなければアノード、カソード間に流れる電流は無視できるほど小さく、ゲート電圧がトリガ電圧を超えた場合に、ゲート電流がある値(トリガ電流)を越え、主電極となるアノード・カソード間(トライアックにおいては主電極間)に電流が流れる。この電流は、その後にゲート電流を零にしても流れ続ける。
In thyristors and triacs, if no gate voltage is applied, the current flowing between the anode and cathode is negligibly small. When the gate voltage exceeds the trigger voltage, the gate current exceeds a certain value (trigger current). A current flows between the anode and the cathode, which are electrodes (in the triac, between the main electrodes). This current continues to flow even if the gate current is subsequently reduced to zero.
トライアックの動作を、トライアックの上面から見た平面図(図4(a))、そのC−C方向の断面図(図4(b))を用いて説明する。このトライアック80を制御する電極は、主電極となるT1電極81、T2電極82と、ゲート電極83である。トライアック80を構成する半導体層90は、図に示すように、P1層(p型層:ベース)91、N1層(n型層:ベース)92、P2層(p型層:ベース)93、N2層(n型層:エミッタ)94、N3層(n型層:エミッタ)95、N4層(n型層)96で構成される。このトライアック80においてスイッチングされる電流(動作電流)はT1電極81とT2電極82間に流れる。T1電極81は、この半導体層90の上面において、P1層(p型層)91とN2層94の両方に接するように形成され、ゲート電極83は、P1層91とN4層96の両方に接するように形成される。T1電極81とゲート電極83の平面形状は、図4(a)に示されるとおりであり、その面積は、大電流(動作電流)が流れるT1電極81の方が大きくなっている。一方、やはり大電流が流れるT2電極82は、半導体層90の下面においてほぼ全面にわたり形成され、P2層93とN3層95の両方に接するように形成されている。この場合には、T1電極81、N2層94、P1層91、N1層92、P2層93、T2電極82からなる第1の主サイリスタと、T1電極81、P1層91、N1層92、P2層93、N3層95、T2電極82からなる第2の主サイリスタとが逆向きに並列に形成された構成となる。また、ゲート電極83、N4層96、P1層91、N1層92、P2層93、T2電極82からなる補助サイリスタが、これら2つの主サイリスタの動作を補助する補助サイリスタとして形成されている。
The operation of the triac will be described with reference to a plan view (FIG. 4 (a)) viewed from the top surface of the triac and a cross-sectional view in the CC direction (FIG. 4 (b)). The electrodes that control the
このトライアックがオフ状態からオン状態、すなわち、T1電極81とT2電極82との間に電流が流れるようになる場合には、T1電極81の電位を基準として考えた場合に、(1)T2電極82が正、ゲート電極83が正、(2)T2電極82が正、ゲート電極83が負、(3)T2電極82が負、ゲート電極83が負、(4)T2電極82が負、ゲート電極83が正、の4つの場合がある。どの場合においても、T1電極81とゲート電極83との間でP1層91中を流れるゲート電流によって、P1層91中で時定数が大きな電圧降下が生じることがトリガとなっている。この電圧降下によって、P1層91とN2層94間のpn接合、又はP1層91とN4層96間のpn接合が順方向となり、P1層91中に電子が注入されることによってこのトライアック80はオン状態となる。その後にゲート電流を零にした場合でも、T1電極81とT2電極82間に電流が流れている間は、P1層91中には電子が注入され続けるため、この状態は維持される、すなわち、ゲート電流を零にした場合でも、オン状態は維持される。
When the triac is turned from the off state to the on state, that is, when a current flows between the
以上の動作において、このトライアックがオン状態となるのはゲート電極83からゲート電流を流した場合であるが、実際には、T1電極81とT2電極82間に急激な電圧変化があった場合(dV/dtが大きな場合)、ゲート電極83からゲート電流を流していないにも関わらず、オン状態となる(誤点弧する)ことがある。この電圧上昇率(dV/dt)を高めることで、トライアックの誤動作耐量の向上が図られる。
In the above operation, the triac is turned on when a gate current is passed from the
誤点弧が発生する主原因は、急激な電圧変化があった場合に、ベース中のpn接合の容量を流れる変位電流(充電電流)が流れ、これがP1層91中を流れることもこの原因となる。トリガ電流あるいはトリガ電圧を大きく設定すれば、こうした誤点弧は抑制されることは明らかであるが、この場合には本来のスイッチング動作を行うために大電流(大電圧)が必要となるため、好ましくない。すなわち、トリガ電流を小さくすることと、dV/dtが大きな場合の誤点弧に対する耐性(dV/dt耐量)を高めることとはトレードオフの関係にあり、これらを両立させるための技術が要求されている。
The main cause of false ignition is that when there is a sudden voltage change, a displacement current (charging current) that flows through the capacitance of the pn junction in the base flows, and this also flows in the P1 layer 91. Become. It is clear that if the trigger current or trigger voltage is set large, such false firing is suppressed, but in this case, a large current (large voltage) is required to perform the original switching operation. It is not preferable. That is, there is a trade-off relationship between reducing the trigger current and increasing the resistance to false firing (dV / dt tolerance) when dV / dt is large, and a technique for achieving both is required. ing.
こうした技術として、例えば、特許文献1に記載の技術がある。特許文献1に記載の技術には、トライアックにおいて、各サイリスタのエミッタとなるN2層94とN3層95間の水平方向における距離、及びN4層96とT1電極81間の距離を最適化することによって、半導体層90の表面におけるT1電極81とN4層96との間に抵抗成分を設け、P1層91中の電圧降下に寄与しない電流成分(無効電流)を減少させることが記載されている。これによって、トリガ電流を減少させることができる、あるいは、トリガ電流を減少させない場合には、より誤点弧を抑制させることができる。
As such a technique, for example, there is a technique described in
しかしながら、図5に示すように、サイリスタ(並びにトライアック)が環境温度又は自身の動作によって高温度になると、熱励起されたキャリアの増加等の影響によりゲートトリガ電流(IGT)は小さくなり、その結果dV/dt耐量が低下する。そして、近年、サイリスタ動作の補償温度の高温化が求められており、高温度においてdV/dt耐量の向上が求められている。
However, as shown in FIG. 5, when the thyristor (and triac) becomes high due to the environmental temperature or its own operation, the gate trigger current (IGT) becomes small due to the influence of the increase of thermally excited carriers and the like. The dV / dt resistance is reduced. In recent years, it has been required to increase the compensation temperature of the thyristor operation, and to improve the dV / dt resistance at high temperatures.
従って、本発明は、高温度における電圧上昇率(dV/dt)耐量を向上し、誤動作を防止することができるサイリスタを提供することである。
Accordingly, the present invention is to provide a thyristor capable of improving the withstand voltage rise rate (dV / dt) resistance at a high temperature and preventing malfunction.
上記の課題を解決するため、本発明に係る絶縁ゲート型半導体装置は、
半導体層(20)に第1の主電極(11)、第2の主電極(12)、及びゲート電極(13)が接続された構成を具備し、前記半導体層の一方の主面において、第1の導電型(P型)をもつ第1の半導体層(21)上に前記第1の主電極が形成され、前記第1の導電型と反対の第2の導電型(N型)をもち前記第1の半導体層中に局所的に形成された第2の半導体層(26)と、該第2の半導体層と前記第1の半導体層とに接続する前記ゲート電極とが、前記第1の主電極が形成されていない箇所に形成され、
前記半導体層の他方の主面において、前記第2の主電極が形成され、
前記ゲート電極と前記第1の主電極との間に印加する電圧がトリガ電圧を超えた場合に前記第1の主電極と前記第2の主電極との間に電流が流れる、サイリスタとしての動作をする半導体装置であって、
前記ゲート電極と前記第1の主電極との間に接続され、ショットキバリアダイオード(31、32)から成る双方向ダイオードを具備することを特徴とする。
In order to solve the above problems, an insulated gate semiconductor device according to the present invention provides:
The semiconductor layer (20) includes a first main electrode (11), a second main electrode (12), and a gate electrode (13) connected to each other. The first main electrode is formed on a first semiconductor layer (21) having one conductivity type (P type), and has a second conductivity type (N type) opposite to the first conductivity type. The second semiconductor layer (26) locally formed in the first semiconductor layer, and the gate electrode connected to the second semiconductor layer and the first semiconductor layer include the first semiconductor layer. Is formed at a place where the main electrode is not formed,
On the other main surface of the semiconductor layer, the second main electrode is formed,
Operation as a thyristor in which current flows between the first main electrode and the second main electrode when a voltage applied between the gate electrode and the first main electrode exceeds a trigger voltage A semiconductor device that performs
A bidirectional diode comprising a Schottky barrier diode (31, 32) is provided between the gate electrode and the first main electrode.
本発明は以上のように構成されているので、高温度における電圧上昇率(dV/dt)耐量を向上し、誤動作を防止することができるサイリスタを提供することができる。
Since the present invention is configured as described above, it is possible to provide a thyristor capable of improving the withstand voltage rise rate (dV / dt) resistance at a high temperature and preventing malfunction.
以下、本発明の実施の形態に係る半導体装置として、特にトライアックについて説明する。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。
Hereinafter, a triac will be particularly described as a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. However, the drawings are schematic and different from actual ones.
第1の実施の形態に係るトライアックにおいては、ゲート電極と第1の主電極(T1電極)との間にダイオードが接続されている。図1は、本発明の実施の形態となるトライアックの平面図(a)及びそのA−A方向の断面図(b)である。
In the triac according to the first embodiment, a diode is connected between the gate electrode and the first main electrode (T1 electrode). FIG. 1A is a plan view of a triac according to an embodiment of the present invention, and FIG.
図示しない基板は、シリコン(Si)、シリコンカーバイト(SiC)又はサファイア、セラミック等の材料で形成される。
A substrate (not shown) is formed of a material such as silicon (Si), silicon carbide (SiC), sapphire, or ceramic.
このトライアック10を制御する電極は、主電極となるT1電極(第1の主電極)11、T2電極(第2の主電極)12と、ゲート電極13である。トライアック10を構成する半導体層20は、図に示すように、P1層(第1の半導体層:p型層:ベース)21、N1層(n型層:ベース)22、P2層(p型層:ベース)23、N2層(第3の半導体層:n型層:エミッタ)24、N3層(n型層:エミッタ)25、N4層(第2の半導体層:n型層)26で構成される。これらの各層は不純物拡散、イオン注入、エピタキシャル成長等の方法によって適宜作成される。
The electrodes for controlling the
このトライアック10の動作電流はT1電極11とT2電極12間に流れる。T1電極11は、この半導体層20の上面(一方の主面)において、P1層(p型層)21とN2層24の両方に接するように形成され、ゲート電極13は、P1層21とN4層26の両方に接するように形成される。T1電極11とゲート電極13の平面形状は、図1(a)に示されるとおりであり、その面積は、大電流(動作電流)が流れるT1電極11の方が大きくなっている。一方、やはり大電流が流れるT2電極12は、半導体層20の下面(他方の主面)においてほぼ全面にわたり形成され、P2層23とN3層25の両方に接するように形成されている。この場合には、T1電極11、N2層24、P1層21、N1層22、P2層23、T2電極12からなる第1の主サイリスタと、T1電極11、P1層21、N1層22、P2層23、N3層25、T2電極12からなる第2の主サイリスタとが並列に形成された構成となる。また、ゲート電極13、N4層26、P1層21、N1層22、P2層23、T2電極12からなる補助サイリスタが、これら2つの主サイリスタの動作を補助する補助サイリスタとして形成されている。以上はこのトライアック10における本体の構成であり、これは従来のトライアック(図4)と同様であり、その動作についても同様である。なお、このトライアックをオン状態とするために必要なゲート電極13・T1電極11間の電圧(トリガ電圧)は約0.9V程度である。
The operating current of the
このトライアック10がオフ状態からオン状態、すなわち、T1電極11とT2電極12との間に電流が流れるようになる場合には、T1電極11の電位を基準として考えた場合、(1)T2電極12が正、ゲート電極13が正、(2)T2電極12が正、ゲート電極13が負、(3)T2電極12が負、ゲート電極13が負、(4)T2電極12が負、ゲート電極13が正、の4つの場合がある。
When the
このトライアック10においては、上記の本体に加え、ショットキバリアダイオード(以下SBDと称する)31及び32が、互いに異なる整流方向となるように、トライアック本体の外部におけるゲート電極13とT1電極11との間に直列に設置される。即ち、双方向ダイオードがゲート電極13とT1電極11との間に接続される。周知のように、SBDの順方向電圧(Vf)は0.2V程度なのでサイリスタのトリガ電圧よりも十分小さく、また、SBDの漏れ電流はショットキ接合の温度上昇に伴い増大する。従って、SBD31及び32から成る双方向ダイオードは、順方向電圧よりも大きい電圧が印加された時に、ショットキ接合温度に応じた電流を双方向に流すものである。
In the
このトライアック10において、SBD31及び32は、ゲート電極13とT1電極11との間に流れるゲート電流をトライアック本体の外部にバイパスさせることにより、見かけ上のゲートトリガ電流(IGT)を大きくする。このとき、SBD31及び32を流れる電流は、トライアック10の点弧に直接影響しないため、これを無効電流と呼ぶことができる。従って、トライアック10は、ゲート電極13とT1電極11との間に無効電流を流すことで電圧上昇率(dV/dt)耐量を大きくする。このメカニズムについて以下に説明する。
In this
前記の通り、図4に示す従来のトライアック80においては、T1電極81とゲート電極83との間で流れるゲート電流によって、P1層91中で電圧降下が生じ、T1電極81とT2電極82との間で電流が流れる、即ち、オン状態となる。ここで、T1電極81を接地し、ゲート電極83に電圧を印加しない状態においても、dV/dtが大きな場合には、ベース中のpn接合の容量を流れる変位電流(充電電流)が発生し、これがP1層91中を流れ、T1電極81に到達する。この電流はゲート電流と等価であるため、オン状態を作り出し、誤点弧の原因となる。
As described above, in the
一方、図1に示す本発明の第1の実施の形態に係るトライアック10において、P1層21中を流れる変位電流によりゲート電極13とT1電極11との間に電位差が生じるとき、ゲート電極13とT1電極11との間に形成された双方向ダイオードの両端にも上記の電位差が生じる。この電位差により、SBD31は順バイアスされ、SBD32は逆バイアスされる。そして、上記の電位差による順バイアス電圧がSBD31の順方向電圧より大きくなると、SBD31が導通し、SBD32の漏れ電流に等しい電流が双方向ダイオード中に流れる。このようにゲート電極13とT1電極11との間に流れる変位電流の一部をトライアック本体の外部にバイパスさせることにより、P1層21中を流れる変位電流の増大を防止する。即ち、トライアック10は、見かけ上のゲートトリガ電流を大きくすることができる。
On the other hand, in the
なお、双方向ダイオードを構成するSBD31及び32は、トライアック10において上記のような作用効果を有するため、トライアック本体と同一のモールド材中に収納し良好な熱結合性を確保することが好ましい。
Since the
図2は、実線で示す第1の実施の形態に係るトライアック10におけるゲートトリガ電流(IGT)と、一点鎖線で示すSBDの漏れ電流(Ir)と、破線で示す従来のトライアック80におけるゲートトリガ電流(IGT)と、の温度特性を示す図である。高温度におけるトライアック10のゲートトリガ電流の低下が、従来のトライアック80におけるゲートトリガ電流と比較して抑制されていることが分かる。従って、第1の実施例に係るトライアック10は、SBDの漏れ電流を流すことによってゲートトリガ電流の温度特性を改善し、高温度における電圧上昇率(dV/dt)耐量を向上し、誤動作を防止することができる。
2 shows a gate trigger current (IGT) in the
また、SBD31及び32が双方向ダイオードを構成するため、トライアック10がオフ状態からオン状態になる上記4つの場合のいずれにおいても、高温度における誤点弧を防止することができる。
Further, since the SBDs 31 and 32 constitute a bidirectional diode, erroneous firing at a high temperature can be prevented in any of the above four cases where the
また、SBDの接合温度が比較的低いときは双方向ダイオードを流れる無効電流が小さくなるため、低温時には無効電流による効率低下を抑制することができる。
Further, since the reactive current flowing through the bidirectional diode is small when the SBD junction temperature is relatively low, a decrease in efficiency due to the reactive current can be suppressed at low temperatures.
図3は、第2の実施の形態となるトライアック50の構造を示す平面図(a)及びそのB−B方向の断面図である。このトライアック50を構成するT1電極51、T2電極52、ゲート電極53、半導体層60、P1層61、N1層62、P2層63、N2層64、N3層65、N4層(n型層)66について、及びこれらの間の関係については、第1の実施の形態と同様である。従って、その説明は省略する。
FIG. 3A is a plan view showing the structure of a
このトライアック50においては、第1の実施の形態におけるSBD31及び32を、半導体基板60中に形成している。このため、図1の構造に対して、P1層61層中にND1層(第4の半導体層)71が、N2層64中にND2層(第5の半導体層)72が新たに形成される。さらに、金属配線73が絶縁層(シリコン酸化膜)74を介して半導体基板60上に形成され、金属配線73とND1層71との間及び金属配線73とND2層72との間にはバリアメタル層75が形成される。これによって、ND1層71とバリアメタル層75との間及びND2層72とバリアメタル層75との間に整流方向が異なる2つのSBDが形成され、金属配線73により直列接続される2つのSBDは双方向ダイオードとして機能する。
In the
ND1層71及びND2層72は、N1層62及びN2層64と同一の導電型を有するが、その不純物濃度が異なる。また、本実施形態における金属配線73は、Al(アルミニウム)で形成され、バリアメタル配線73は、V(バナジウム)又はMo(モリブデン)で形成される。なお、小さいSBD形成領域で所望の漏れ電流を得るためには、Vで形成することが好ましい。双方向ダイオードを構成するこれらの構造は、従来のトライアックに対し、フォトリソグラフィ、イオン注入及び蒸着等の周知の技術により形成することができる。
The
従って、以上の構造においては、第1の実施例の形態に係るトライアック10と同様の効果が得られるだけでなく、バイパス用のダイオードがトライアック本体と同一基板中に形成されるため、新たにダイオードを接続する必要がない。従って、第1の実施の形態に係るトライアック10と比べて、このトライアック50を実装する際に、より小型化することができる。
Therefore, in the above structure, not only the same effect as the
また、トライアック本体とバイパス用のダイオードとを同一の半導体層60中に形成することによって、熱結合性が改善される。従って、このトライアック50は、第1の実施の形態のトライアック10よりもより確実に高温度における電圧上昇率(dV/dt)耐量を向上し、誤動作を防止することができる。
Further, by forming the triac body and the bypass diode in the
なお、上記のいずれの実施の形態においても、トライアックについて記載したが、その動作原理より、本発明は、トライアックに限らず、単体のサイリスタについても同様に用いられることは明らかである。その場合、サイリスタのゲート電極とカソード電極との間に少なくとも1つのSBDを設ければ良い。詳細には、サイリスタのカソード電極からゲート電極に向かう整流方向を有するSBDを設ければ良い。
In any of the above-described embodiments, triacs have been described. However, from the principle of operation, it is obvious that the present invention is not limited to triacs and is similarly used for a single thyristor. In that case, at least one SBD may be provided between the gate electrode and the cathode electrode of the thyristor. Specifically, an SBD having a rectification direction from the cathode electrode of the thyristor toward the gate electrode may be provided.
以上、本発明の実施の形態の一例について説明したが、本発明は係る特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において種々の変更や、各実施例或いは各変形例の組合せが可能である。上記の例においては、P1層21を第1の半導体層とした場合に、その導電型(第1の導電型)をp型とし、その反対の導電型(第2の導電型:n型)をもつN2層(第3の半導体層)24、N4層(第2の半導体層)26等を形成した場合について示した。これに対して、上記の構成におけるp型とn型とを入れ替えた構成においても、同様のサイリスタ又はトライアックを構成できることは明らかであり、SBD31及び32を形成するためのバリアメタル配線73の材料を適宜変更できることは明らかである。
As mentioned above, although an example of embodiment of this invention was demonstrated, this invention is not limited to the specific embodiment which concerns, and it is various within the range of the summary of this invention described in the claim. Modifications and combinations of the embodiments or modifications are possible. In the above example, when the
10、50、80 トライアック
11、51、81 T1電極(第1の主電極)
12、52、82 T2電極(第2の主電極)
13、53、83 ゲート電極
20、60、90 半導体層
21、61、91 P1層(p型層:第1の半導体層)
22、62、92 N1層(n型層)
23、63、93 P2層(p型層)
24、64、94 N2層(n型層:第3の半導体層)
25、65、95 N3層(n型層)
26、66、96 N4層(n型層:第2の半導体層)
31、32 SBD
71 ND1層(第4の半導体層)
72 ND2層(第5の半導体層)
73 バリアメタル配線
74 絶縁層(シリコン酸化膜)
10, 50, 80
12, 52, 82 T2 electrode (second main electrode)
13, 53, 83
22, 62, 92 N1 layer (n-type layer)
23, 63, 93 P2 layer (p-type layer)
24, 64, 94 N2 layer (n-type layer: third semiconductor layer)
25, 65, 95 N3 layer (n-type layer)
26, 66, 96 N4 layer (n-type layer: second semiconductor layer)
31, 32 SBD
71 ND1 layer (fourth semiconductor layer)
72 ND2 layer (fifth semiconductor layer)
73
Claims (4)
前記半導体層の他方の主面において、前記第2の主電極が形成され、
前記ゲート電極と前記第1の主電極との間に印加する電圧がトリガ電圧を超えた場合に前記第1の主電極と前記第2の主電極との間に電流が流れる、サイリスタとしての動作をする半導体装置であって、
前記ゲート電極と前記第1の主電極との間に接続され、ショットキバリアダイオードから成る双方向ダイオードを具備することを特徴とする半導体装置。
A first main electrode, a second main electrode, and a gate electrode are connected to the semiconductor layer, and on one main surface of the semiconductor layer, on the first semiconductor layer having the first conductivity type A second semiconductor layer having a second conductivity type opposite to the first conductivity type and locally formed in the first semiconductor layer; and The gate electrode connected to the second semiconductor layer and the first semiconductor layer is formed at a location where the first main electrode is not formed,
On the other main surface of the semiconductor layer, the second main electrode is formed,
Operation as a thyristor in which current flows between the first main electrode and the second main electrode when a voltage applied between the gate electrode and the first main electrode exceeds a trigger voltage A semiconductor device that performs
A semiconductor device comprising a bidirectional diode formed of a Schottky barrier diode, connected between the gate electrode and the first main electrode.
The semiconductor device according to claim 1, wherein the Schottky barrier diode is formed in the semiconductor layer.
The semiconductor device according to claim 1, wherein the Schottky barrier diode is configured separately from the semiconductor layer, and the diode and the semiconductor layer are integrated and provided in a molding material.
前記第1の主電極と前記第2の主電極との間に流れる双方向の電流のオンオフが、前記ゲート電極と前記第1の主電極との間に印加する電圧によって制御されることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の半導体装置。 On one main surface of the semiconductor layer, a third semiconductor layer having the second conductivity type is locally formed in the first semiconductor layer, and the first main electrode is formed of the first main electrode. Connected to the semiconductor layer and the third semiconductor layer;
ON / OFF of a bidirectional current flowing between the first main electrode and the second main electrode is controlled by a voltage applied between the gate electrode and the first main electrode. The semiconductor device according to any one of claims 1 to 3.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009187053A JP2011040590A (en) | 2009-08-12 | 2009-08-12 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009187053A JP2011040590A (en) | 2009-08-12 | 2009-08-12 | Semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011040590A true JP2011040590A (en) | 2011-02-24 |
Family
ID=43768049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009187053A Pending JP2011040590A (en) | 2009-08-12 | 2009-08-12 | Semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011040590A (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63244881A (en) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Toshiba Corp | Controlled rectifier semiconductor device |
JPS6451664A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-27 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
JPH05145065A (en) * | 1991-11-19 | 1993-06-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Surge protective element |
JPH1098202A (en) * | 1996-09-19 | 1998-04-14 | Origin Electric Co Ltd | Semiconductor surge protection element |
JP2004064786A (en) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Agilent Technol Inc | Resonator having seed layer |
-
2009
- 2009-08-12 JP JP2009187053A patent/JP2011040590A/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63244881A (en) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Toshiba Corp | Controlled rectifier semiconductor device |
JPS6451664A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-27 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
JPH05145065A (en) * | 1991-11-19 | 1993-06-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Surge protective element |
JPH1098202A (en) * | 1996-09-19 | 1998-04-14 | Origin Electric Co Ltd | Semiconductor surge protection element |
JP2004064786A (en) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Agilent Technol Inc | Resonator having seed layer |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6407455B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2002305207A (en) | Lateral semiconductor component by thin-film soi technology | |
WO2013179728A1 (en) | Silicon-carbide semiconductor device, and method for producing silicon-carbide semiconductor device | |
JP5967153B2 (en) | Semiconductor device | |
US20150162325A1 (en) | Semiconductor diode | |
JP5453848B2 (en) | Semiconductor device and power conversion device | |
US20170117394A1 (en) | Bipolar transistor with superjunction structure | |
JP2010206012A (en) | Semiconductor device | |
US10404250B2 (en) | Transistor device | |
JP2018137391A (en) | Semiconductor device | |
JP5487645B2 (en) | Semiconductor device and power conversion device | |
JP2019075502A (en) | Semiconductor device | |
CN110610935B (en) | Power electronic device | |
JP2012164851A (en) | Semiconductor device | |
JP5808516B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5678407B2 (en) | Semiconductor device | |
JP6804379B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5465937B2 (en) | Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor module | |
JP2011040590A (en) | Semiconductor device | |
JP2018137392A (en) | Semiconductor device | |
JP5572962B2 (en) | Semiconductor device | |
JP6843952B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor devices | |
JP2010199206A (en) | Semiconductor device | |
JP2015029099A (en) | Gallium nitride-based diode and method for manufacturing the same | |
JP2011014613A (en) | Semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120807 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140206 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140624 |