JP2011036020A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】6個のスイッチング素子(130)を有するインバータ回路(120)を備えている。スイッチング素子(130)は、ワイドバンドギャップ半導体を用いたユニポーラ素子であるSiC-MOSFETによって構成されている。インバータ回路(120)は、SiC-MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)が還流ダイオードとして使用される。さらに、インバータ回路(120)では、SiC-MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)に逆方向電流が流れる所定のタイミングでSiC-MOSFET(130)がオン状態となる同期整流が行われる。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態1について説明する。図1に示すように、本実施形態の電力変換装置(100)は、コンバータ回路(110)とインバータ回路(120)と制御部(140)とを備えている。
本実施形態のインバータ回路(120)では同期整流によりSiC-MOSFET(130)が通電し、従来の構成(SiC-MOSFET(130)に並列にSiC-SBD(132)を接続して還流ダイオードとして使用する構成、図5参照)ではSiC-SBD(132)が通電する。ここで、SiC-MOSFET(130)、SiC-MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)、SiC-SBD(132)の電圧‐電流特性の概略を図6に示す。SiC-MOSFET(130)は定抵抗特性を示す。SiC-SBD(132)の立ち上がり電圧(オン電圧)は約1V、SiC-MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)の立ち上がり電圧(オン電圧)は約3Vである。なお、立ち上がり電圧は物性値により決まっており任意に設定できない。
・本実施形態
(式1)Ron×Irms 2
・従来構成
(式2)Vf×(2√2/π)Irms …ただし、Vf=const.
(式3)αIrms 2+β(2(√2)/π)Irms …ただし、Vf(i)=αi+β
Irmsは電流実効値,RonはSiC-MOSFET(130)のオン抵抗値、VfはSiC-SBD(132)の端子電圧である。(式2)はVfを一定値で近似したものであり、(式3)はVfを一次近似したものである。
(式4)Irms1<(2(√2)/π)Vf/Ron …ただし、Vf=const.
(式5)Irms1<(2(√2)/π)β/(Ron−α) …ただし、Vf(i)=αi+β
(式6)Irms1<0.9/Ron
本発明の実施形態2について説明する。図10に示すように、本実施形態の電力変換装置(500)では、力率改善回路として使用される昇圧チョッパ回路(111)のダイオードとしてSiC-MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)を使用している。そして、本実施形態では、制御部(540)によって昇圧チョッパ回路(111)が上記実施形態1と同様に同期整流される。この同期整流により、特に軽負荷で効率が改善する。またSiCデバイスを使用しているので、Siデバイスに比べてリカバリ電流が著しく小さくなり、スイッチング損失を低減できる。なお、本実施形態では、昇圧チョッパ回路(111)が本発明のスイッチング回路を構成している。
本発明の実施形態3について説明する。図11に示すように、本実施形態の電力変換装置(600)では、コンバータ回路(110)の整流ダイオードとしてSiC-MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)を使用し、制御部(640)によって同期整流が行われる。なお、図11では、交流電源(10)を単相交流としているが、三相交流としてもよい。また、コンバータ回路(110)の整流ダイオードの一部のみをSiC-MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)とし、残りを通常のダイオードとしてもよい。
本発明の実施形態4について説明する。図12(a)に示すように、本実施形態の電力変換装置(700)は、三相交流電源(30)の電線と三相交流モータ(20)の固定子電線とで組み合わせ可能な9つの接点それぞれにスイッチング素子を使用した双方向スイッチ回路(710)を設けたマトリックスコンバータであり、入力した交流電圧を一旦直流電圧に変換することなく直接交流電圧に変換して出力する。マトリックスコンバータは通流素子数が少ないため、原理的に小型,高効率化が可能となる。マトリックスコンバータに使用する双方向スイッチ回路(710)は双方向に導通させる必要があるため、本実施形態では図7(b)に示すように2個のSiC-MOSFET(130)を逆向きに直列接続し双方向スイッチ回路(710)を構成している。上記双方向スイッチ回路(710)は本発明のスイッチング回路を構成している。
110 コンバータ回路(スイッチング回路)
111 昇圧チョッパ回路(スイッチング回路)
120 インバータ回路(スイッチング回路)
130 SiC-MOSFET,SiC-JFET(スイッチング素子)
131 寄生ダイオード
140,540,640 制御部
500,600,700 電力変換装置
710 双方向スイッチ回路(スイッチング回路)
Claims (7)
- ワイドバンドギャップ半導体を用いたユニポーラ素子によって構成されたスイッチング素子(130)を有するスイッチング回路(110,111,120,710)と、
上記スイッチング素子(130)の内部に逆方向電流が流れる所定のタイミングで該スイッチング素子(130)をオンにして同期整流を行う制御部(140,540,640)とを備えている
ことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1において、
上記スイッチング素子(130)は、寄生ダイオード(131)が内蔵されるものである一方、
上記制御部(140,540,640)は、上記寄生ダイオード(131)に逆方向電流が流れる所定のタイミングで上記スイッチング素子(130)をオンにして同期整流を行う
ことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1または2において、
空気調和機に使用されるものである
ことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項3において、
上記空気調和機の暖房中間負荷条件における上記スイッチング素子(130)の電流実効値(Irms)とオン抵抗(Ron)との関係が、Irms<0.9/Ronになるように構成されている
ことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1乃至4の何れか1項において、
上記ワイドバンドギャップ半導体として、SiC、GaN、ダイヤモンドの何れかが用いられる
ことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1において、
上記ユニポーラ素子は、MOSFET、JFETまたはHFETである
ことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1乃至6の何れか1項において、
上記スイッチング回路(110,111,120,710)として、コンバータ回路(110)、昇圧チョッパ回路(111)、インバータ回路(120)、マトリックスコンバータの双方向スイッチ回路(710)の少なくとも1つを備えている
ことを特徴とする電力変換装置。
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