JP2011029553A - Method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor device, by which the semiconductor device can be efficiently manufactured by simplifying a manufacturing process. <P>SOLUTION: The method of manufacturing the semiconductor device comprises the steps of: forming a p-type impurity diffusion region in a silicon substrate by diffusing boron in the silicon substrate; installing a diffusion control mask including at least one of silicon oxide and silicon oxide precursor on a boron silicide layer on the p-type impurity diffusion region produced at the time of forming the p-type impurity diffusion region; forming an n-type impurity diffusion region in the silicon substrate by diffusing an n-type impurity in the silicon substrate in which the diffusion control mask is installed; and removing a boron silicate glass layer produced at the time of forming an n-type impurity diffusion region. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.

近年、エネルギ資源の枯渇の問題や大気中のＣＯ2の増加のような地球環境問題等からクリーンなエネルギの開発が望まれており、特に、太陽電池を用いた太陽光発電が新しいエネルギ源として開発、実用化され、発展の道を歩んでいる。 In recent years, the development of clean energy has been desired due to the problem of depletion of energy resources and global environmental problems such as an increase in CO 2 in the atmosphere. In particular, solar power generation using solar cells is a new energy source. It has been developed, put into practical use, and is on the path of development.

太陽電池の種類には、化合物半導体を用いたものや有機材料を用いたものなどの様々なものがあるが、現在、シリコン結晶を用いた太陽電池が主流となっている。そして、現在、最も多く製造および販売されている太陽電池は、太陽光が入射する側の面（受光面）にｎ電極が形成されており、受光面と反対側の面（裏面）にｐ電極が形成されている構成の両面電極型太陽電池セルとなっている。   There are various types of solar cells, such as those using compound semiconductors and those using organic materials. Currently, solar cells using silicon crystals are the mainstream. And most solar cells currently manufactured and sold have an n-electrode on the surface on which sunlight is incident (light-receiving surface), and a p-electrode on the surface opposite to the light-receiving surface (back surface). It is a double-sided electrode type solar cell having a configuration in which is formed.

また、太陽電池の受光面には電極を形成せず、裏面のみにｎ電極およびｐ電極を形成した構成の裏面電極型太陽電池セルも提案されている（たとえば特許文献１参照）。   There has also been proposed a back electrode type solar battery cell in which an electrode is not formed on the light receiving surface of a solar cell, and an n electrode and a p electrode are formed only on the back surface (see, for example, Patent Document 1).

以下、図３（ａ）〜図３（ｎ）の模式的断面図を参照して、従来の裏面電極型太陽電池セルの製造方法の一例について説明する。   Hereinafter, an example of a method for manufacturing a conventional back electrode type solar battery cell will be described with reference to the schematic cross-sectional views of FIGS. 3 (a) to 3 (n).

まず、図３（ａ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１を用意し、次に、図３（ｂ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の表面の一部にＳｉＯ2膜１０２を形成する。ここで、ＳｉＯ2膜１０２は、ｎ型シリコン基板１０１の表面全面にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によりＳｉＯ2膜を形成した後にその一部をエッチングにより除去することによって形成することができる。 First, as shown in FIG. 3A, an n-type silicon substrate 101 is prepared, and then, as shown in FIG. 3B, an SiO 2 film 102 is formed on a part of the surface of the n-type silicon substrate 101. Form. Here, the SiO 2 film 102 can be formed by forming a SiO 2 film on the entire surface of the n-type silicon substrate 101 by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method and then removing a part thereof by etching.

次に、図３（ｃ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１のＳｉＯ2膜１０２からの露出面上にボロンを含むボロンペースト１０３を塗布する。 Next, as shown in FIG. 3C, a boron paste 103 containing boron is applied on the exposed surface of the n-type silicon substrate 101 from the SiO 2 film 102.

次に、図３（ｄ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１を加熱することによってボロンペースト１０３からｎ型シリコン基板１０１にボロンを拡散させてボロン拡散層１０４を形成する。この際に、ボロン拡散層１０４上にボロンシリサイド層１０５が形成されるとともに、ボロンシリサイド層１０５上にボロンシリケートガラス層１０６が形成される（たとえば特許文献２の［００１３］参照）。   Next, as shown in FIG. 3D, the n-type silicon substrate 101 is heated to diffuse boron from the boron paste 103 into the n-type silicon substrate 101 to form a boron diffusion layer 104. At this time, a boron silicide layer 105 is formed on the boron diffusion layer 104 and a boron silicate glass layer 106 is formed on the boron silicide layer 105 (see, for example, [0013] of Patent Document 2).

次に、図３（ｅ）に示すように、フッ酸を用いたエッチングによりｎ型シリコン基板１０１の表面からＳｉＯ2膜１０２およびボロンシリケートガラス層１０６を除去する。ここで、ボロンシリサイド層１０５はフッ酸によってエッチングされないためｎ型シリコン基板１０１の表面上に残ることになる（たとえば特許文献２の［００１３］参照）。 Next, as shown in FIG. 3E, the SiO 2 film 102 and the boron silicate glass layer 106 are removed from the surface of the n-type silicon substrate 101 by etching using hydrofluoric acid. Here, since the boron silicide layer 105 is not etched by hydrofluoric acid, it remains on the surface of the n-type silicon substrate 101 (see, for example, [0013] of Patent Document 2).

次に、図３（ｆ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１を高温の酸素雰囲気に所定時間設置することによってボロンシリサイド層１０５をボロンシリケートガラス層１０６に変化させる（たとえば特許文献２の［００１４］参照）。   Next, as shown in FIG. 3 (f), the boron silicide layer 105 is changed to a boron silicate glass layer 106 by placing the n-type silicon substrate 101 in a high-temperature oxygen atmosphere for a predetermined time (for example, [ 0014]).

次に、図３（ｇ）に示すように、フッ酸を用いたエッチングによりｎ型シリコン基板１０１の表面からボロンシリケートガラス層１０６をエッチングにより除去することによってボロン拡散層１０４の表面を露出させる。   Next, as shown in FIG. 3G, the surface of the boron diffusion layer 104 is exposed by removing the boron silicate glass layer 106 from the surface of the n-type silicon substrate 101 by etching using hydrofluoric acid.

次に、図３（ｈ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の表面のボロン拡散層１０４上にマスキングペースト１０７を塗布する。   Next, as shown in FIG. 3H, a masking paste 107 is applied on the boron diffusion layer 104 on the surface of the n-type silicon substrate 101.

次に、図３（ｉ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１のマスキングペースト１０７からの露出面にリンを含むリンペースト１０９を塗布した後にｎ型シリコン基板１０１を加熱することによってｎ型シリコン基板１０１にリンを拡散させてリン拡散層１０８を形成する。   Next, as shown in FIG. 3 (i), n-type silicon substrate 101 is heated by applying phosphorus paste 109 containing phosphorus to the exposed surface from masking paste 107 of n-type silicon substrate 101, thereby heating n-type silicon substrate 101. Phosphorus diffusion layer 108 is formed by diffusing phosphorus in the substrate 101.

次に、図３（ｊ）に示すように、マスキングペースト１０７およびリンペースト１０９を除去することによって、ｎ型シリコン基板１０１の表面にボロン拡散層１０４の表面およびリン拡散層１０８の表面をそれぞれ露出させる。   Next, as shown in FIG. 3 (j), the surface of the boron diffusion layer 104 and the surface of the phosphorus diffusion layer 108 are exposed on the surface of the n-type silicon substrate 101 by removing the masking paste 107 and the phosphorus paste 109, respectively. Let

次に、図３（ｋ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の受光面をテクスチャエッチングすることによってｎ型シリコン基板１０１の受光面にテクスチャ構造１１０を形成する。   Next, as shown in FIG. 3K, the texture structure 110 is formed on the light-receiving surface of the n-type silicon substrate 101 by texture-etching the light-receiving surface of the n-type silicon substrate 101.

次に、図３（ｌ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の受光面のテクスチャ構造１１０上に反射防止膜１１２を形成するとともに、ｎ型シリコン基板１０１の裏面にパッシベーション膜１１１を形成する。   Next, as shown in FIG. 3L, an antireflection film 112 is formed on the texture structure 110 of the light receiving surface of the n-type silicon substrate 101, and a passivation film 111 is formed on the back surface of the n-type silicon substrate 101. .

次に、図３（ｍ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の裏面のパッシベーション膜１１１の一部を除去して、ｎ型シリコン基板１０１の裏面のリン拡散層１０８の一部を露出させるコンタクトホール１１３およびボロン拡散層１０４の一部を露出させるコンタクトホール１１４をそれぞれ形成する。   Next, as shown in FIG. 3M, a part of the passivation film 111 on the back surface of the n-type silicon substrate 101 is removed, and a part of the phosphorus diffusion layer 108 on the back surface of the n-type silicon substrate 101 is exposed. A contact hole 114 and a contact hole 114 exposing a part of the boron diffusion layer 104 are formed.

次に、図３（ｎ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の裏面のコンタクトホール１１３を通してリン拡散層１０８に接するｎ電極１１５を形成するとともに、ｎ型シリコン基板１０１の裏面のコンタクトホール１１４を通してボロン拡散層１０４に接するｐ電極１１６を形成する。以上により、従来の裏面電極型太陽電池セルが作製される。   Next, as shown in FIG. 3 (n), an n-electrode 115 is formed in contact with the phosphorous diffusion layer 108 through a contact hole 113 on the back surface of the n-type silicon substrate 101, and a contact hole 114 on the back surface of the n-type silicon substrate 101. Through this, a p-electrode 116 in contact with the boron diffusion layer 104 is formed. Thus, a conventional back electrode type solar battery cell is manufactured.

特開２００６−１５６６４６号公報JP 2006-156646 A 特開２００２−２９９２６８号公報JP 2002-299268 A

しかしながら、図３（ａ）〜図３（ｎ）に示される従来の裏面電極型太陽電池セルの製造方法においては、ボロン拡散層１０４の形成の際に生じたボロンシリサイド層１０５（図３（ｅ）参照）を高温の酸素雰囲気に所定時間設置することによってボロンシリケートガラス層１０６とした（図３（ｆ）参照）後に、フッ酸によりボロンシリケートガラス層１０６をエッチングにより除去する必要があった（図３（ｇ）参照）ため、工数が多く、効率的に裏面電極型太陽電池セルを製造することができないという問題があった。   However, in the conventional method of manufacturing the back electrode type solar battery cell shown in FIGS. 3A to 3N, the boron silicide layer 105 (FIG. 3E) generated when the boron diffusion layer 104 is formed. )) Was placed in a high-temperature oxygen atmosphere for a predetermined time to form a boron silicate glass layer 106 (see FIG. 3F), and then the boron silicate glass layer 106 had to be removed by etching with hydrofluoric acid ( Therefore, there is a problem that the number of steps is large and the back electrode type solar cell cannot be efficiently manufactured.

また、裏面電極型太陽電池セルだけでなく、上述したような受光面と裏面にｐ電極およびｎ電極がそれぞれ設けられた両面電極型太陽電池セルや、たとえばトランジスタのような電子デバイスなどの半導体装置についても共通する問題である。   Further, not only the back electrode type solar cell, but also a double-sided electrode type solar cell in which a p-electrode and an n-electrode are provided on the light receiving surface and the back surface as described above, and a semiconductor device such as an electronic device such as a transistor. It is a common problem.

上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、製造工程を簡略化することによって効率的に半導体装置を製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。   In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing method capable of efficiently manufacturing a semiconductor device by simplifying the manufacturing process.

本発明は、シリコン基板にボロンを拡散させることによってシリコン基板にｐ型不純物拡散領域を形成する工程と、ｐ型不純物拡散領域の形成の際に生じたｐ型不純物拡散領域上のボロンシリサイド層上に酸化シリコンおよび酸化シリコン前駆体の少なくとも一方からなる拡散抑制マスクを設置する工程と、拡散抑制マスクが設置されたシリコン基板にｎ型不純物を拡散させることによってシリコン基板にｎ型不純物拡散領域を形成する工程と、ｎ型不純物拡散領域の形成の際に生じたボロンシリケートガラス層を除去する工程とを含む半導体装置の製造方法である。   The present invention includes a step of forming a p-type impurity diffusion region in a silicon substrate by diffusing boron in the silicon substrate, and a boron silicide layer on the p-type impurity diffusion region generated when the p-type impurity diffusion region is formed. Forming a diffusion suppression mask comprising at least one of silicon oxide and a silicon oxide precursor on the silicon substrate, and forming an n-type impurity diffusion region in the silicon substrate by diffusing n-type impurities in the silicon substrate on which the diffusion suppression mask is installed And a step of removing the boron silicate glass layer generated during the formation of the n-type impurity diffusion region.

ここで、本発明の半導体装置の製造方法は、ｐ型不純物拡散領域を形成する工程と拡散抑制マスクを設置する工程との間にｐ型不純物拡散領域の形成の際にボロンシリサイド層上に生じたボロンシリケートガラス層を除去する工程を含むことが好ましい。   Here, the semiconductor device manufacturing method according to the present invention occurs on the boron silicide layer when the p-type impurity diffusion region is formed between the step of forming the p-type impurity diffusion region and the step of installing the diffusion suppression mask. It is preferable to include a step of removing the boron silicate glass layer.

また、本発明の半導体装置の製造方法において、拡散抑制マスクは、気相法およびマスキングペーストの塗布の少なくとも一方を用いてボロンシリサイド層上に設置されることが好ましい。   In the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, it is preferable that the diffusion suppression mask is placed on the boron silicide layer by using at least one of a vapor phase method and a masking paste application.

また、本発明の半導体装置の製造方法において、ｐ型不純物拡散領域は、ボロンを含むｐ型不純物拡散剤が塗布されたシリコン基板を加熱することによって形成されることが好ましい。   In the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the p-type impurity diffusion region is preferably formed by heating a silicon substrate coated with a p-type impurity diffusing agent containing boron.

本発明によれば、製造工程を簡略化することによって効率的に半導体装置を製造することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to efficiently manufacture a semiconductor device by simplifying the manufacturing process.

（ａ）〜（ｌ）は、本発明の半導体装置の一例である裏面電極型太陽電池セルの製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。(A)-(l) is typical sectional drawing illustrated about an example of the manufacturing method of the back electrode type photovoltaic cell which is an example of the semiconductor device of this invention. 図１（ａ）〜図１（ｌ）のようにして製造された裏面電極型太陽電池セルの裏面の一例の模式的な平面図である。It is a typical top view of an example of the back of a back electrode type photovoltaic cell manufactured as shown in Drawing 1 (a)-Drawing 1 (l). （ａ）〜（ｎ）は、従来の裏面電極型太陽電池セルの製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。(A)-(n) is typical sectional drawing illustrated about an example of the manufacturing method of the conventional back electrode type photovoltaic cell.

以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。   Embodiments of the present invention will be described below. In the drawings of the present invention, the same reference numerals denote the same or corresponding parts.

以下、図１（ａ）〜図１（ｌ）の模式的断面図を参照して、本発明の半導体装置の一例である裏面電極型太陽電池セルの製造方法の一例について説明する。   Hereinafter, an example of a method for manufacturing a back electrode type solar cell that is an example of the semiconductor device of the present invention will be described with reference to the schematic cross-sectional views of FIGS.

まず、図１（ａ）に示すように、ｎ型またはｐ型の導電型を有するシリコン基板１を用意する。ここで、シリコン基板１の大きさおよび形状は特に限定されないが、たとえば厚さを１００μｍ以上３００μｍ以下とし、１辺の長さを１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下とした四角形状の表面を有するものとすることができる。   First, as shown in FIG. 1A, a silicon substrate 1 having n-type or p-type conductivity is prepared. Here, the size and shape of the silicon substrate 1 are not particularly limited. For example, the silicon substrate 1 may have a rectangular surface with a thickness of 100 μm to 300 μm and a side length of 100 mm to 150 mm. it can.

また、シリコン基板１は、たとえばインゴットからスライスされることにより生じたスライスダメージを除去することによって得られたものであってもよい。ここで、スライスダメージの除去は、たとえば、スライス後のシリコン基板１の表面をフッ酸と硝酸との混酸または水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液などでエッチングすることなどによって行なうことができる。   Further, the silicon substrate 1 may be obtained by removing slice damage caused by slicing from an ingot, for example. Here, the removal of the slice damage can be performed, for example, by etching the surface of the silicon substrate 1 after slicing with a mixed acid of hydrofluoric acid and nitric acid or an alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide.

次に、図１（ｂ）に示すように、シリコン基板１の裏面となる表面の一部に第１の拡散抑制マスク２を形成する。   Next, as shown in FIG. 1B, a first diffusion suppression mask 2 is formed on a part of the front surface of the silicon substrate 1.

ここで、第１の拡散抑制マスク２は、たとえば、シリコン基板１の表面全面にＣＶＤ法などの気相法によりたとえばＳｉＯ2などの酸化シリコン膜を形成した後にその一部をエッチングにより除去することなどによって形成することができる。また、第２の拡散抑制マスク７は、たとえば、酸化シリコン前駆体となる後述のマスキングペーストを印刷した後に乾燥することによっても形成することができる。 Here, the first diffusion suppression mask 2 is formed by, for example, forming a silicon oxide film such as SiO 2 on the entire surface of the silicon substrate 1 by a vapor phase method such as a CVD method and then removing a part thereof by etching. Etc. can be formed. The second diffusion suppression mask 7 can also be formed, for example, by printing a masking paste (to be described later) serving as a silicon oxide precursor and drying it.

また、第１の拡散抑制マスク２は、たとえば、酸化シリコン前駆体となるマスキングペーストを印刷した後に乾燥することによっても形成することができる。マスキングペーストの印刷方法としては、たとえばインクジェット塗布、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷または平版印刷などの印刷方法を用いることができる。   The first diffusion suppression mask 2 can also be formed, for example, by printing a masking paste that becomes a silicon oxide precursor and then drying it. As a printing method for the masking paste, for example, a printing method such as inkjet coating, screen printing, letterpress printing, intaglio printing, or planographic printing can be used.

また、酸化シリコン前駆体となるマスキングペーストとしては、たとえば、シラン化合物を含むものなどを用いることができる。   Moreover, as a masking paste used as a silicon oxide precursor, what contains a silane compound etc. can be used, for example.

ここで、シラン化合物としては、たとえば、以下の一般式（１）で表わされるシラン化合物を用いることができる。   Here, as the silane compound, for example, a silane compound represented by the following general formula (1) can be used.

Ｒ1 nＳｉ（ＯＲ2）4-n …（１）
なお、上記の一般式（１）において、Ｒ1は、メチル基、エチル基またはフェニル基を示す。また、上記の一般式（１）において、Ｒ2は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基などの炭素数１〜４の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を示す。また、上記の一般式（１）において、ｎは０〜４の整数を示す。 R 1 n Si (OR 2 ) 4-n (1)
In the above general formula (1), R 1 represents a methyl group, an ethyl group or a phenyl group. In the general formula (1), R 2 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group. Moreover, in said general formula (1), n shows the integer of 0-4.

上記の一般式（１）で表わされるシラン化合物としては、たとえば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、それらの塩（テトラエチルオルトケイ酸塩など）などを単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。   As the silane compound represented by the general formula (1), for example, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane, tetrabutoxysilane, salts thereof (tetraethylorthosilicate, etc.) and the like alone or in combination The above can be used in combination.

また、マスキングペーストは、溶媒および増粘剤などを含んでいてもよく、塗布方法に最適な粘度に調整されていることが好ましい。   Moreover, the masking paste may contain a solvent, a thickener, etc., and it is preferable that it is adjusted to the optimal viscosity for the coating method.

ここで、溶媒としては、たとえばイソプロピルアルコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールなどのアルコール；エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル；２，２−ブトキシエチルアセテート、プロピレンカーボネートなどのエステル；Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどのケトン；または水などの少なくとも１種を用いることができる。   Here, examples of the solvent include alcohols such as isopropyl alcohol, propylene glycol, and diethylene glycol; ethers such as ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, and propylene glycol monomethyl ether; 2,2-butoxyethyl acetate, At least one of esters such as propylene carbonate; ketones such as N-methyl-2-pyrrolidone; or water can be used.

また、増粘剤としては、必要に応じてたとえばエチルセルロースやナトリウムカルボキシメチルヒドロキシエチルセルロースなどのセルロース誘導体；ナイロン６などのポリアミド樹脂；またはポリビニルピロリドンなどのビニル基が重合したポリマーなどの少なくとも１種を用いることができる。   Moreover, as the thickener, for example, at least one of cellulose derivatives such as ethyl cellulose and sodium carboxymethylhydroxyethyl cellulose; polyamide resin such as nylon 6; or a polymer in which a vinyl group is polymerized such as polyvinyl pyrrolidone is used as necessary. be able to.

次に、図１（ｃ）に示すように、シリコン基板１の裏面となる表面における第１の拡散抑制マスク２からの露出面上にボロンを含むｐ型不純物拡散剤３を塗布する。   Next, as shown in FIG. 1C, a p-type impurity diffusing agent 3 containing boron is applied on the exposed surface from the first diffusion suppression mask 2 on the surface that is the back surface of the silicon substrate 1.

ここで、ｐ型不純物拡散剤３としては、たとえば、酸化ホウ素、ホウ酸、有機ホウ素化合物またはホウ素−アルミニウム化合物などの少なくとも１種のボロン源を含むものを単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。   Here, as the p-type impurity diffusing agent 3, for example, one containing at least one boron source such as boron oxide, boric acid, an organic boron compound, or a boron-aluminum compound may be used alone or in combination of two or more. Can be used.

また、ｐ型不純物拡散剤３は、ボロン源以外の成分として、たとえば、溶媒および増粘剤などを含んでいてもよく、塗布方法に最適な粘度に調整されていることが好ましい。   The p-type impurity diffusing agent 3 may contain, for example, a solvent and a thickener as components other than the boron source, and is preferably adjusted to a viscosity that is optimal for the coating method.

ここで、溶媒としては、たとえばイソプロピルアルコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールなどのアルコール；エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル；２，２−ブトキシエチルアセテート、プロピレンカーボネートなどのエステル；Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどのケトン；または水などの少なくとも１種を用いることができる。   Here, examples of the solvent include alcohols such as isopropyl alcohol, propylene glycol, and diethylene glycol; ethers such as ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, and propylene glycol monomethyl ether; 2,2-butoxyethyl acetate, At least one of esters such as propylene carbonate; ketones such as N-methyl-2-pyrrolidone; or water can be used.

また、増粘剤としては、必要に応じてたとえばエチルセルロースやナトリウムカルボキシメチルヒドロキシエチルセルロースなどのセルロース誘導体；ナイロン６などのポリアミド樹脂；またはポリビニルピロリドンなどのビニル基が重合したポリマーなどの少なくとも１種を用いることができる。   Moreover, as the thickener, for example, at least one of cellulose derivatives such as ethyl cellulose and sodium carboxymethylhydroxyethyl cellulose; polyamide resin such as nylon 6; or a polymer in which a vinyl group is polymerized such as polyvinyl pyrrolidone is used as necessary. be able to.

さらに、ｐ型不純物拡散剤３は、上記以外にも、たとえば、酸、消泡剤、接着調整剤、湿潤剤、レベリング剤、シキソトロピー剤などを含んでいてもよい。   Further, in addition to the above, the p-type impurity diffusing agent 3 may contain, for example, an acid, an antifoaming agent, an adhesion adjusting agent, a wetting agent, a leveling agent, a thixotropic agent, and the like.

また、ｐ型不純物拡散剤３の塗布方法としては、たとえば、スピンコート、スプレー塗布、ディスペンサを用いた塗布、インクジェット塗布、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷または平版印刷などを用いることができる。   Moreover, as a coating method of the p-type impurity diffusing agent 3, for example, spin coating, spray coating, coating using a dispenser, inkjet coating, screen printing, letterpress printing, intaglio printing, or lithographic printing can be used.

次に、図１（ｄ）に示すように、シリコン基板１の裏面となる表面の一部にボロンを含むｐ型不純物拡散剤３を設置した状態でシリコン基板１を加熱することによって、シリコン基板１にｐ型不純物拡散剤３からボロンを拡散させてｐ型不純物拡散領域４を形成する。また、このｐ型不純物拡散領域４の形成時に、シリコン基板１とｐ型不純物拡散剤３とが反応することなどによって、ｐ型不純物拡散領域４上にボロンシリサイド層５が形成されるとともに、ボロンシリサイド層５上にボロンシリケートガラス層６が形成される。   Next, as shown in FIG. 1D, the silicon substrate 1 is heated by heating the silicon substrate 1 with the p-type impurity diffusing agent 3 containing boron being placed on a part of the front surface of the silicon substrate 1. 1, p-type impurity diffusion region 4 is formed by diffusing boron from p-type impurity diffusing agent 3. Further, when the p-type impurity diffusion region 4 is formed, a reaction between the silicon substrate 1 and the p-type impurity diffusion agent 3 causes a boron silicide layer 5 to be formed on the p-type impurity diffusion region 4 and boron. A boron silicate glass layer 6 is formed on the silicide layer 5.

ここで、シリコン基板１の加熱方法としては、たとえば、酸素を含む窒素雰囲気中でシリコン基板１を８００〜１０００℃で１０〜１２０分加熱する方法などが挙げられる。   Here, as a heating method of the silicon substrate 1, for example, a method of heating the silicon substrate 1 at 800 to 1000 ° C. for 10 to 120 minutes in a nitrogen atmosphere containing oxygen can be cited.

なお、「ボロンシリケートガラス層」はシリコン基板へのボロン拡散時にシリコン基板とボロンと雰囲気中等に存在する酸素が反応して形成された層のことであり、「ボロンシリサイド層」はボロンシリケートガラス層とシリコン基板との間に形成されるシリコンとボロンとの化合物層のことである。   The “boron silicate glass layer” is a layer formed by the reaction of oxygen present in the silicon substrate, boron, and the atmosphere when boron is diffused into the silicon substrate, and the “boron silicide layer” is a boron silicate glass layer. Is a compound layer of silicon and boron formed between the silicon substrate and the silicon substrate.

次に、図１（ｅ）に示すように、シリコン基板１の裏面となる表面から第１の拡散抑制マスク２およびボロンシリケートガラス層６を除去してボロンシリサイド層５の表面を露出させる。   Next, as shown in FIG. 1E, the first diffusion suppression mask 2 and the boron silicate glass layer 6 are removed from the front surface of the silicon substrate 1 to expose the surface of the boron silicide layer 5.

ここで、第１の拡散抑制マスク２およびボロンシリケートガラス層６の除去は、たとえば、フッ酸を用いたエッチングにより行なうことができる。   Here, the removal of the first diffusion suppression mask 2 and the boron silicate glass layer 6 can be performed by, for example, etching using hydrofluoric acid.

次に、図１（ｆ）に示すように、シリコン基板１の裏面のボロンシリサイド層５の表面上に第２の拡散抑制マスク７を形成する。   Next, as shown in FIG. 1F, a second diffusion suppression mask 7 is formed on the surface of the boron silicide layer 5 on the back surface of the silicon substrate 1.

ここで、第２の拡散抑制マスク７は、たとえば、シリコン基板１の表面全面にＣＶＤ法などの気相法によりたとえばＳｉＯ2などの酸化シリコン膜を形成した後にその一部をエッチングにより除去することなどによって形成することができる。 Here, the second diffusion suppression mask 7 is formed by, for example, forming a silicon oxide film such as SiO 2 on the entire surface of the silicon substrate 1 by a vapor phase method such as a CVD method and then removing a part thereof by etching. Etc. can be formed.

また、第２の拡散抑制マスク７は、たとえば、酸化シリコン前駆体となるマスキングペーストを印刷した後に乾燥することによっても形成することができる。なお、マスキングペーストの印刷方法および成分などの説明は、上記と同様であるため、ここではその説明は省略する。   The second diffusion suppression mask 7 can also be formed, for example, by printing a masking paste that becomes a silicon oxide precursor and then drying it. The description of the printing method and components of the masking paste is the same as described above, and therefore the description thereof is omitted here.

次に、図１（ｇ）に示すように、シリコン基板１の第２の拡散抑制マスク７からの露出面にリンなどのｎ型不純物を含むｎ型不純物拡散剤９を塗布した後にシリコン基板１を加熱することによってシリコン基板１にｎ型不純物を拡散させてｎ型不純物拡散層８を形成する。このｎ型不純物拡散層８の形成時に、ボロンシリサイド層５は第２の拡散抑制マスク７（酸化シリコンまたは酸化シリコン前駆体）と反応して消失し、ボロンシリサイド層５と第２の拡散抑制マスク７との反応生成物としてボロンシリケートガラス層６が生成する。   Next, as shown in FIG. 1G, an n-type impurity diffusing agent 9 containing n-type impurities such as phosphorus is applied to the exposed surface of the silicon substrate 1 from the second diffusion suppression mask 7, and then the silicon substrate 1. Is heated to diffuse n-type impurities in the silicon substrate 1 to form an n-type impurity diffusion layer 8. When the n-type impurity diffusion layer 8 is formed, the boron silicide layer 5 disappears by reacting with the second diffusion suppression mask 7 (silicon oxide or silicon oxide precursor), and the boron silicide layer 5 and the second diffusion suppression mask. Boron silicate glass layer 6 is produced as a reaction product with 7.

ここで、シリコン基板１の加熱方法としては、たとえば、酸素を含む窒素雰囲気中でシリコン基板１を８００〜１０００℃で１０〜１２０分加熱する方法などが挙げられる。   Here, as a heating method of the silicon substrate 1, for example, a method of heating the silicon substrate 1 at 800 to 1000 ° C. for 10 to 120 minutes in a nitrogen atmosphere containing oxygen can be cited.

また、ｎ型不純物拡散剤９としては、たとえば、リン酸塩、酸化リン、五酸化二リン、リン酸または有機リン化合物などの少なくとも１種のｎ型不純物源を含むものを単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。   As the n-type impurity diffusing agent 9, for example, one containing at least one n-type impurity source such as phosphate, phosphorus oxide, diphosphorus pentoxide, phosphoric acid, or an organic phosphorus compound may be used alone or in two kinds. The above can be used in combination.

また、ｎ型不純物拡散剤９は、ｎ型不純物源以外の成分として、たとえば、溶媒および増粘剤などを含んでいてもよく、塗布方法に最適な粘度に調整されていることが好ましい。   Further, the n-type impurity diffusing agent 9 may contain, for example, a solvent and a thickener as components other than the n-type impurity source, and is preferably adjusted to a viscosity optimum for the coating method.

ここで、溶媒としては、たとえばイソプロピルアルコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールなどのアルコール；エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル；２，２−ブトキシエチルアセテート、プロピレンカーボネートなどのエステル；Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどのケトン；または水などの少なくとも１種を用いることができる。   Here, examples of the solvent include alcohols such as isopropyl alcohol, propylene glycol, and diethylene glycol; ethers such as ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, and propylene glycol monomethyl ether; 2,2-butoxyethyl acetate, At least one of esters such as propylene carbonate; ketones such as N-methyl-2-pyrrolidone; or water can be used.

また、増粘剤としては、必要に応じてたとえばエチルセルロースやナトリウムカルボキシメチルヒドロキシエチルセルロースなどのセルロース誘導体；ナイロン６などのポリアミド樹脂；またはポリビニルピロリドンなどのビニル基が重合したポリマーなどの少なくとも１種を用いることができる。   Moreover, as the thickener, for example, at least one of cellulose derivatives such as ethyl cellulose and sodium carboxymethylhydroxyethyl cellulose; polyamide resin such as nylon 6; or a polymer in which a vinyl group is polymerized such as polyvinyl pyrrolidone is used as necessary. be able to.

また、ｎ型不純物拡散剤９は、ｎ型不純物源以外の成分として、たとえば、溶媒、増粘剤、酸、消泡剤、接着調整剤、湿潤剤、レベリング剤、シキソトロピー剤などを含んでいてもよい。   The n-type impurity diffusing agent 9 includes, for example, a solvent, a thickener, an acid, an antifoaming agent, an adhesion adjusting agent, a wetting agent, a leveling agent, a thixotropic agent, and the like as components other than the n-type impurity source. Also good.

次に、図１（ｈ）に示すように、ボロンシリケートガラス層６およびｎ型不純物拡散剤９を除去することによって、シリコン基板１の裏面となる表面にｐ型不純物拡散領域４の表面およびｎ型不純物拡散領域８の表面をそれぞれ露出させる。ここで、ボロンシリケートガラス層６およびｎ型不純物拡散剤９は、たとえば、フッ酸を用いたエッチングにより除去することができる。   Next, as shown in FIG. 1H, the boron silicate glass layer 6 and the n-type impurity diffusing agent 9 are removed, so that the surface of the p-type impurity diffusion region 4 and n The surface of the type impurity diffusion region 8 is exposed. Here, the boron silicate glass layer 6 and the n-type impurity diffusing agent 9 can be removed, for example, by etching using hydrofluoric acid.

次に、図１（ｉ）に示すように、シリコン基板１の裏面とは反対側の受光面となる表面にテクスチャ構造１０を形成する。   Next, as shown in FIG. 1 (i), the texture structure 10 is formed on the surface that becomes the light receiving surface opposite to the back surface of the silicon substrate 1.

ここで、テクスチャ構造１０は、たとえば、シリコン基板１の受光面となる表面をテクスチャエッチングすることにより形成することができる。ここで、テクスチャエッチングは、たとえば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加した液をたとえば７０℃以上８０℃以下に加熱したエッチング液を用いてシリコン基板１の受光面となる表面をエッチングすることによって行なうことができる。   Here, the texture structure 10 can be formed by, for example, texture etching the surface that becomes the light receiving surface of the silicon substrate 1. Here, the texture etching is performed on the light receiving surface of the silicon substrate 1 using an etching solution obtained by heating a solution obtained by adding isopropyl alcohol to an alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide or potassium hydroxide to 70 ° C. or more and 80 ° C. or less. This can be done by etching the surface.

次に、図１（ｊ）に示すように、シリコン基板１の受光面となる表面に形成されたテクスチャ構造１０上に反射防止膜１２を形成するとともに、シリコン基板１の裏面となる表面にパッシベーション膜１１を形成する。ここで、パッシベーション膜１１としては、たとえば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層体などを用いることができる。また、反射防止膜１２としてはたとえば窒化シリコン膜などを用いることができる。   Next, as shown in FIG. 1 (j), an antireflection film 12 is formed on the texture structure 10 formed on the surface serving as the light receiving surface of the silicon substrate 1, and the surface serving as the back surface of the silicon substrate 1 is passivated. A film 11 is formed. Here, as the passivation film 11, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a stacked body of a silicon oxide film and a silicon nitride film can be used. As the antireflection film 12, for example, a silicon nitride film can be used.

次に、図１（ｋ）に示すように、シリコン基板１の裏面となる表面のパッシベーション膜１１の一部を除去して、シリコン基板１の裏面となる表面のｎ型不純物拡散領域８の一部を露出させるコンタクトホール１３およびｐ型不純物拡散領域４の一部を露出させるコンタクトホール１４をそれぞれ形成する。   Next, as shown in FIG. 1 (k), a part of the passivation film 11 on the surface that becomes the back surface of the silicon substrate 1 is removed, and one of the n-type impurity diffusion regions 8 on the surface that becomes the back surface of the silicon substrate 1. A contact hole 13 exposing a portion and a contact hole 14 exposing a part of the p-type impurity diffusion region 4 are formed.

次に、図１（ｌ）に示すように、シリコン基板１の裏面側のコンタクトホール１３を通してｎ型不純物拡散領域８に接するｎ電極１５を形成するとともに、シリコン基板１の裏面側のコンタクトホール１４を通してｐ型不純物拡散領域４に接するｐ電極１６を形成する。なお、ｎ電極１５およびｐ電極１６としては、たとえば、銀などの金属からなる電極を用いることができる。以上により、本発明の半導体装置の一例である裏面電極型太陽電池セルが作製される。   Next, as shown in FIG. 1 (l), an n-electrode 15 is formed in contact with the n-type impurity diffusion region 8 through the contact hole 13 on the back side of the silicon substrate 1, and the contact hole 14 on the back side of the silicon substrate 1 is formed. A p-electrode 16 in contact with the p-type impurity diffusion region 4 is formed. As n electrode 15 and p electrode 16, for example, an electrode made of a metal such as silver can be used. As described above, a back electrode type solar cell which is an example of the semiconductor device of the present invention is manufactured.

図２に、上記のようにして製造された裏面電極型太陽電池セルの裏面の一例の模式的な平面図を示す。   In FIG. 2, the typical top view of an example of the back surface of the back electrode type photovoltaic cell manufactured as mentioned above is shown.

ここで、図２に示すように、上記のようにして製造された裏面電極型太陽電池のシリコン基板１の裏面には、櫛形状のｎ電極１５と、櫛形状のｐ電極１６とが形成されており、ｎ電極１５とｐ電極１６とは互いに向かい合って櫛歯を１本ずつ噛み合わせるようにして配置されている。また、シリコン基板１の裏面には、円状の２つのアライメントマーク１７がシリコン基板１の裏面の対角にそれぞれ配置されている。なお、ｎ電極１５およびｐ電極１６の形状はそれぞれ上記の形状に限定されるものではないことは言うまでもない。   Here, as shown in FIG. 2, a comb-shaped n-electrode 15 and a comb-shaped p-electrode 16 are formed on the back surface of the silicon substrate 1 of the back-electrode solar cell manufactured as described above. The n-electrode 15 and the p-electrode 16 face each other and are arranged so that the comb teeth are meshed one by one. In addition, two circular alignment marks 17 are arranged on the back surface of the silicon substrate 1 at diagonal angles to the back surface of the silicon substrate 1. Needless to say, the shapes of the n-electrode 15 and the p-electrode 16 are not limited to the above-mentioned shapes.

以上のように、本発明においては、ｎ型不純物拡散領域８の形成の際に用いられる第２の拡散抑制マスク７を利用してボロンシリサイド層５をボロンシリケートガラス層６に変化させる。   As described above, in the present invention, the boron silicide layer 5 is changed to the boron silicate glass layer 6 by using the second diffusion suppression mask 7 used when the n-type impurity diffusion region 8 is formed.

したがって、本発明においては、図３（ａ）〜図３（ｎ）に示される従来の裏面電極型太陽電池セルの製造方法のように、ボロンシリサイド層を高温の酸素雰囲気に所定時間設置することによってボロンシリケートガラス層に変化させる工程が必要なくなり、製造工程を簡略化することができるため、効率的に裏面電極型太陽電池セルを製造することが可能となる。   Therefore, in the present invention, the boron silicide layer is placed in a high-temperature oxygen atmosphere for a predetermined time as in the conventional method for manufacturing a back electrode type solar cell shown in FIGS. 3 (a) to 3 (n). This eliminates the need for a step of changing to a boron silicate glass layer and simplifies the manufacturing process, thereby enabling efficient production of a back electrode type solar cell.

すなわち、図３（ａ）〜図３（ｎ）に示される従来の裏面電極型太陽電池セルの製造方法においては、（１）ボロンシリサイド層をボロンシリケートガラス層に変化、（２）ボロンシリケートガラス層のエッチングによる除去、（３）ｎ型不純物拡散領域形成用拡散抑制マスクの形成、（４）ｎ型不純物拡散領域の形成、（５）ｎ型不純物拡散領域形成用拡散抑制マスクの除去という工程を経る必要がある。   That is, in the conventional method for manufacturing a back electrode type solar cell shown in FIGS. 3A to 3N, (1) a boron silicide layer is changed to a boron silicate glass layer, and (2) boron silicate glass. (3) forming an n-type impurity diffusion region formation diffusion suppression mask, (4) forming an n-type impurity diffusion region, and (5) removing an n-type impurity diffusion region formation diffusion suppression mask. It is necessary to go through.

一方、本発明においては、（１）ボロンシリサイド層上へのｎ型不純物拡散領域の形成用の拡散抑制マスクの形成、（２）ｎ型不純物拡散領域の形成、（３）ｎ型不純物拡散領域形成用拡散抑制マスクの除去という工程で済むために、裏面電極型太陽電池セルの製造工程の簡略化が可能となる。   On the other hand, in the present invention, (1) formation of a diffusion suppression mask for forming an n-type impurity diffusion region on the boron silicide layer, (2) formation of an n-type impurity diffusion region, (3) n-type impurity diffusion region Since the process of removing the formation diffusion suppression mask is sufficient, the manufacturing process of the back electrode type solar battery cell can be simplified.

なお、上記においては、ボロンを含むｐ型不純物拡散剤３が塗布されたシリコン基板１を加熱することによってボロンを塗布拡散してｐ型不純物拡散領域４を形成したが、たとえば、ＢＢｒ3のようなボロンを含むガスを用いてボロンを気相拡散させることによってｐ型不純物拡散領域４を形成してもよい。 In the above, the p-type impurity diffusion region 4 is formed by applying and diffusing boron by heating the silicon substrate 1 to which the p-type impurity diffusing agent 3 containing boron is applied. For example, BBr 3 is used. Alternatively, the p-type impurity diffusion region 4 may be formed by vapor-phase diffusion of boron using a gas containing boron.

また、上記においては、リンなどのｎ型不純物を含むｎ型不純物拡散剤９が塗布されたシリコン基板１を加熱することによってリンなどのｎ型不純物を塗布拡散してｎ型不純物拡散領域８を形成したが、たとえばＰＯＣｌ3のようなリンなどのｎ型不純物を含むガスを用いてリンなどのｎ型不純物を気相拡散させることによってｎ型不純物拡散領域８を形成してもよい。 In the above, the n-type impurity diffusion region 8 is formed by applying and diffusing n-type impurities such as phosphorus by heating the silicon substrate 1 to which the n-type impurity diffusing agent 9 containing n-type impurities such as phosphorus is applied. Although formed, the n-type impurity diffusion region 8 may be formed by gas-phase diffusion of an n-type impurity such as phosphorus using a gas containing an n-type impurity such as phosphorus such as POCl 3 .

なお、本発明の裏面電極型太陽電池セルの概念には、シリコン基板の一方の表面（裏面）のみにｐ型用電極およびｎ型用電極の双方が形成された構成の裏面電極型太陽電池セルだけでなく、ＭＷＴ（Metal Wrap Through）セル（シリコン基板に設けられた貫通孔に電極の一部を配置した構成の太陽電池セル）などのいわゆるバックコンタクト型太陽電池セル（シリコンの受光面と反対側の裏面から電流を取り出す構造の太陽電池セル）も含まれる。   The concept of the back electrode type solar cell of the present invention includes a back electrode type solar cell having a configuration in which both the p-type electrode and the n-type electrode are formed only on one surface (back side) of the silicon substrate. In addition to so-called back contact solar cells (opposite to the silicon light-receiving surface) such as MWT (Metal Wrap Through) cells (solar cells having a configuration in which a part of an electrode is arranged in a through hole provided in a silicon substrate) Solar cell having a structure in which a current is taken out from the back surface on the side).

また、本発明は、裏面電極型太陽電池セルの製造方法に限定されるものではなく、シリコン基板の受光面と裏面にそれぞれ電極を形成して製造された両面電極型太陽電池セルなどのあらゆる構成の太陽電池セルを含む半導体装置の製造に適用することもできる。   Further, the present invention is not limited to the manufacturing method of the back electrode type solar cell, and any configuration such as a double-sided electrode type solar cell manufactured by forming electrodes on the light receiving surface and the back surface of the silicon substrate, respectively. The present invention can also be applied to the manufacture of a semiconductor device including the solar cell.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

本発明は太陽電池セルなどの半導体装置の製造、特に裏面電極型太陽電池セルの製造に好適に利用できる可能性がある。   The present invention may be suitably used for manufacturing a semiconductor device such as a solar cell, particularly for manufacturing a back electrode type solar cell.

１ シリコン基板、２ 第１の拡散抑制マスク、３ ｐ型不純物拡散剤、４ ｐ型不純物拡散領域、５ ボロンシリサイド層、６ ボロンシリケートガラス層、７ 第２の拡散抑制マスク、８ ｎ型不純物拡散層、９ ｎ型不純物拡散剤、１０ テクスチャ構造、１１ パッシベーション膜、１２ 反射防止膜、１３，１４ コンタクトホール、１５ ｎ電極、１６ ｐ電極、１７ アライメントマーク、１０１ ｎ型シリコン基板、１０２ ＳｉＯ2膜、１０３ ボロンペースト、１０４ ボロン拡散層、１０５ ボロンシリサイド層、１０６ ボロンシリケートガラス層、１０７ マスキングペースト、１０８ リン拡散層、１０９ リンペースト、１１０ テクスチャ構造、１１１ パッシベーション膜、１１２ 反射防止膜、１１３，１１４ コンタクトホール、１１５ ｎ電極、１１６ ｐ電極。 1 silicon substrate, 2 first diffusion suppression mask, 3 p-type impurity diffusion agent, 4 p-type impurity diffusion region, 5 boron silicide layer, 6 boron silicate glass layer, 7 second diffusion suppression mask, 8 n-type impurity diffusion Layer, 9 n-type impurity diffusing agent, 10 texture structure, 11 passivation film, 12 antireflection film, 13, 14 contact hole, 15 n electrode, 16 p electrode, 17 alignment mark, 101 n-type silicon substrate, 102 SiO 2 film , 103 Boron paste, 104 Boron diffusion layer, 105 Boron silicide layer, 106 Boron silicate glass layer, 107 Masking paste, 108 Phosphorus diffusion layer, 109 Phosphorus paste, 110 Texture structure, 111 Passivation film, 112 Antireflection film, 113, 114 Contact hole, 115 n , 116 p electrode.

Claims (4)

シリコン基板にボロンを拡散させることによって前記シリコン基板にｐ型不純物拡散領域を形成する工程と、
前記ｐ型不純物拡散領域の形成の際に生じた前記ｐ型不純物拡散領域上のボロンシリサイド層上に酸化シリコンおよび酸化シリコン前駆体の少なくとも一方からなる拡散抑制マスクを設置する工程と、
前記拡散抑制マスクが設置された前記シリコン基板にｎ型不純物を拡散させることによって前記シリコン基板にｎ型不純物拡散領域を形成する工程と、
前記ｎ型不純物拡散領域の形成の際に生じたボロンシリケートガラス層を除去する工程と、を含む、半導体装置の製造方法。 Forming a p-type impurity diffusion region in the silicon substrate by diffusing boron in the silicon substrate;
Installing a diffusion suppression mask made of at least one of silicon oxide and a silicon oxide precursor on the boron silicide layer on the p-type impurity diffusion region generated during the formation of the p-type impurity diffusion region;
Forming an n-type impurity diffusion region in the silicon substrate by diffusing n-type impurities in the silicon substrate on which the diffusion suppression mask is installed;
Removing the boron silicate glass layer generated during the formation of the n-type impurity diffusion region. 前記ｐ型不純物拡散領域を形成する工程と前記拡散抑制マスクを設置する工程との間に前記ｐ型不純物拡散領域の形成の際に前記ボロンシリサイド層上に生じたボロンシリケートガラス層を除去する工程を含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。   A step of removing a boron silicate glass layer formed on the boron silicide layer during the formation of the p-type impurity diffusion region between the step of forming the p-type impurity diffusion region and the step of installing the diffusion suppression mask. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, comprising: 前記拡散抑制マスクは、気相法およびマスキングペーストの塗布の少なくとも一方を用いて前記ボロンシリサイド層上に設置されることを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。   3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the diffusion suppression mask is placed on the boron silicide layer by using at least one of a vapor phase method and a masking paste. 前記ｐ型不純物拡散領域は、ボロンを含むｐ型不純物拡散剤が塗布された前記シリコン基板を加熱することによって形成されることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。   4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the p-type impurity diffusion region is formed by heating the silicon substrate coated with a p-type impurity diffusing agent containing boron. Manufacturing method.
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