JP5271189B2 - Manufacturing method of back electrode type solar cell - Google Patents

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Description

本発明は、裏面電極型太陽電池セルの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a back electrode type solar cell .

近年、エネルギ資源の枯渇の問題や大気中のＣＯ2の増加のような地球環境問題などからクリーンなエネルギの開発が望まれており、半導体装置の中でも特に太陽電池セルを用いた太陽光発電が新しいエネルギ源として開発、実用化され、発展の道を歩んでいる。 In recent years, development of clean energy has been demanded due to the problem of depletion of energy resources and global environmental problems such as an increase in CO 2 in the atmosphere. Among semiconductor devices, solar power generation using solar cells is particularly important. It has been developed and put into practical use as a new energy source and is on the path of development.

太陽電池セルは、従来から、たとえば単結晶または多結晶のシリコン基板の受光面にシリコン基板の導電型と反対の導電型となる不純物を拡散することによってｐｎ接合を形成し、シリコン基板の受光面と受光面の反対側の裏面にそれぞれ電極を形成して製造された両面電極型太陽電池セルが主流となっている。また、両面電極型太陽電池セルにおいては、シリコン基板の裏面にシリコン基板と同じ導電型の不純物を高濃度で拡散することによって、裏面電界効果による高出力化を図ることも一般的となっている。   Conventionally, a solar cell has formed a pn junction by diffusing an impurity having a conductivity type opposite to that of a silicon substrate into a light receiving surface of a monocrystalline or polycrystalline silicon substrate, for example, Double-sided electrode type solar cells manufactured by forming electrodes on the back surface opposite to the light receiving surface are mainly used. In a double-sided electrode type solar cell, it is also common to increase the output by the back surface field effect by diffusing impurities of the same conductivity type as the silicon substrate at a high concentration on the back surface of the silicon substrate. .

また、シリコン基板の受光面に電極を形成せず、裏面のみに電極を形成した裏面電極型太陽電池セルについても研究開発が進められている（たとえば、特許文献１参照）。   In addition, research and development is also underway for a back electrode type solar cell in which an electrode is not formed on the light receiving surface of a silicon substrate but an electrode is formed only on the back surface (see, for example, Patent Document 1).

以下、図８（ａ）〜図８（ｉ）の模式的断面図を参照して、特許文献１に記載の裏面電極型太陽電池セルの製造方法について説明する。   Hereinafter, with reference to schematic sectional drawing of Fig.8 (a)-FIG.8 (i), the manufacturing method of the back electrode type photovoltaic cell of patent document 1 is demonstrated.

まず、図８（ａ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の表面および裏面の全面にそれぞれ、酸化シリコン膜などの拡散抑制マスク１０２を形成する。   First, as shown in FIG. 8A, a diffusion suppression mask 102 such as a silicon oxide film is formed on the entire front and back surfaces of the n-type silicon substrate 101, respectively.

次に、図８（ｂ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の裏面の拡散抑制マスク１０２上に拡散抑制マスク１０２をエッチングすることが可能な成分を含有するエッチングペースト１０３を所定の形状に印刷する。その後、エッチングペースト１０３の印刷後のｎ型シリコン基板１０１を熱処理することによって、エッチングペースト１０３の印刷箇所に相当する拡散抑制マスク１０２の部分を選択的に除去して拡散抑制マスク１０２に開口部を形成する。   Next, as shown in FIG. 8B, an etching paste 103 containing a component capable of etching the diffusion suppression mask 102 on the diffusion suppression mask 102 on the back surface of the n-type silicon substrate 101 is formed into a predetermined shape. Print. Thereafter, the n-type silicon substrate 101 after the printing of the etching paste 103 is heat-treated to selectively remove the portion of the diffusion suppression mask 102 corresponding to the printing location of the etching paste 103 and to form an opening in the diffusion suppression mask 102. Form.

次に、図８（ｃ）に示すように、拡散抑制マスク１０２に形成された開口部から露出したｎ型シリコン基板１０１の裏面にたとえばＢＢｒ3などのｐ型ドーパントガス１０４を接触させることによってｐ型ドーパントを拡散させて第１のｐ型不純物拡散領域１０５を形成する。その後、ｎ型シリコン基板１０１の表面および裏面の拡散抑制マスク１０２をそれぞれ除去した後に、再度、ｎ型シリコン基板１０１の表面および裏面の全面にそれぞれ拡散抑制マスク１０２を形成する。 Next, as shown in FIG. 8C, the p-type dopant gas 104 such as BBr 3 is brought into contact with the back surface of the n-type silicon substrate 101 exposed from the opening formed in the diffusion suppression mask 102. The first p-type impurity diffusion region 105 is formed by diffusing the type dopant. Then, after removing the diffusion suppression masks 102 on the front and back surfaces of the n-type silicon substrate 101, the diffusion suppression masks 102 are formed on the entire front and back surfaces of the n-type silicon substrate 101, respectively.

次に、図８（ｄ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の裏面の第１のｐ型不純物拡散領域１０５に対応する領域を包含する拡散抑制マスク１０２上の領域にエッチングペースト１０３を印刷する。その後、エッチングペースト１０３の印刷後のｎ型シリコン基板１０１を再度熱処理することによって、エッチングペースト１０３の印刷箇所に相当する拡散抑制マスク１０２の部分を選択的に除去して拡散抑制マスク１０２に開口部を形成する。   Next, as shown in FIG. 8D, an etching paste 103 is printed on a region on the diffusion suppression mask 102 including a region corresponding to the first p-type impurity diffusion region 105 on the back surface of the n-type silicon substrate 101. To do. Thereafter, the n-type silicon substrate 101 after the printing of the etching paste 103 is again heat-treated to selectively remove the portion of the diffusion suppression mask 102 corresponding to the printing location of the etching paste 103 and to open the opening in the diffusion suppression mask 102. Form.

次に、図８（ｅ）に示すように、拡散抑制マスク１０２に形成された開口部から露出したｎ型シリコン基板１０１の裏面にたとえばＢＢｒ3などのｐ型ドーパントガス１０４を再度接触させることによってｐ型ドーパントを拡散させて第１のｐ型不純物拡散領域１０５の周囲に第２のｐ型不純物拡散領域１０６を形成する。ここで、第１のｐ型不純物拡散領域１０５は第２のｐ型不純物拡散領域１０６よりもｐ型ドーパント濃度の高い領域となる。その後、ｎ型シリコン基板１０１の表面および裏面の拡散抑制マスク１０２をそれぞれ除去した後に、再度、ｎ型シリコン基板１０１の表面および裏面の全面にそれぞれ拡散抑制マスク１０２を形成する。 Next, as shown in FIG. 8E, a p-type dopant gas 104 such as BBr 3 is brought into contact with the back surface of the n-type silicon substrate 101 exposed from the opening formed in the diffusion suppression mask 102 again. A p-type dopant is diffused to form a second p-type impurity diffusion region 106 around the first p-type impurity diffusion region 105. Here, the first p-type impurity diffusion region 105 has a higher p-type dopant concentration than the second p-type impurity diffusion region 106. Then, after removing the diffusion suppression masks 102 on the front and back surfaces of the n-type silicon substrate 101, the diffusion suppression masks 102 are formed on the entire front and back surfaces of the n-type silicon substrate 101, respectively.

次に、図８（ｆ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の裏面の第１のｐ型不純物拡散領域１０５および第２のｐ型不純物拡散領域１０６に対応する領域以外の領域の拡散抑制マスク１０２の一部に開口部を設けた後、たとえばＰＯＣｌ3などのｎ型ドーパントガス１０７を接触させることによってｎ型ドーパントを拡散させてｎ型不純物拡散領域１０８を形成する。その後、ｎ型シリコン基板１０１の表面および裏面の拡散抑制マスク１０２をそれぞれ除去する。 Next, as shown in FIG. 8F, diffusion suppression of regions other than the regions corresponding to the first p-type impurity diffusion region 105 and the second p-type impurity diffusion region 106 on the back surface of the n-type silicon substrate 101 is performed. After providing an opening in a part of the mask 102, an n-type dopant is diffused by contacting an n-type dopant gas 107 such as POCl 3 to form an n-type impurity diffusion region 108. Thereafter, the diffusion suppression masks 102 on the front and back surfaces of the n-type silicon substrate 101 are removed.

次に、図８（ｇ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の表面をテクスチャエッチングしてテクスチャ構造１１５を形成した後に、ｎ型シリコン基板１０１の表面のテクスチャ構造１１５上には反射防止膜１０９を形成するとともに、ｎ型シリコン基板１０１の裏面上にはパッシベーション膜１１０を形成する。   Next, as shown in FIG. 8G, after the texture of the surface of the n-type silicon substrate 101 is texture-etched to form the texture structure 115, an antireflection film is formed on the texture structure 115 of the surface of the n-type silicon substrate 101. 109 is formed, and a passivation film 110 is formed on the back surface of the n-type silicon substrate 101.

次に、図８（ｈ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の裏面の第１のｐ型不純物拡散領域１０５の一部が露出するようにパッシベーション膜１１０の一部を除去してコンタクトホール１１１を形成するとともに、ｎ型不純物拡散領域１０８の一部が露出するようにパッシベーション膜１１０の一部を除去してコンタクトホール１１２を形成する。   Next, as shown in FIG. 8H, a part of the passivation film 110 is removed so that a part of the first p-type impurity diffusion region 105 on the back surface of the n-type silicon substrate 101 is exposed, and a contact hole is formed. 111 is formed, and a part of the passivation film 110 is removed so that a part of the n-type impurity diffusion region 108 is exposed, and a contact hole 112 is formed.

最後に、図８（ｉ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１の裏面のパッシベーション膜１１０に形成されたコンタクトホール１１１を通して第１のｐ型不純物拡散領域１０５に接するｐ型用電極１１３を形成するとともに、ｎ型シリコン基板１０１の裏面のパッシベーション膜１１０に形成されたコンタクトホール１１２を通してｎ型不純物拡散領域１０８に接するｎ型用電極１１４を形成する。以上により、特許文献１に記載の裏面電極型太陽電池セルが作製される。   Finally, as shown in FIG. 8I, a p-type electrode 113 is formed in contact with the first p-type impurity diffusion region 105 through a contact hole 111 formed in the passivation film 110 on the back surface of the n-type silicon substrate 101. At the same time, an n-type electrode 114 in contact with the n-type impurity diffusion region 108 is formed through a contact hole 112 formed in the passivation film 110 on the back surface of the n-type silicon substrate 101. Thus, the back electrode type solar battery cell described in Patent Document 1 is manufactured.

特開２００８−１８６９２７号公報JP 2008-186927 A

しかしながら、上記の特許文献１に記載の裏面電極型太陽電池セルの製造方法においては、第１のｐ型不純物拡散領域１０５、第２のｐ型不純物拡散領域１０６およびｎ型不純物拡散領域１０８のそれぞれの形成ごとに拡散抑制マスク１０２を形成して拡散抑制マスク１０２に開口部を設ける必要があったため、工数が多くなり、裏面電極型太陽電池セルを効率的に製造することができないという問題があった。   However, in the method for manufacturing the back electrode type solar cell described in Patent Document 1, each of the first p-type impurity diffusion region 105, the second p-type impurity diffusion region 106, and the n-type impurity diffusion region 108 is provided. However, since it is necessary to form the diffusion suppression mask 102 and provide an opening in the diffusion suppression mask 102 for each formation, there is a problem that man-hours increase and the back electrode type solar cell cannot be efficiently manufactured. It was.

上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、工数を低減して効率的に裏面電極型太陽電池セルを製造することができる裏面電極型太陽電池セルの製造方法を提供することにある。 In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a back electrode type solar battery cell that can efficiently manufacture a back electrode type solar battery cell with reduced man-hours.

本発明は、半導体基板の表面の一部に第１導電型ドーパントを含有する第１導電型ドーパント拡散剤を塗布する工程と、第１導電型ドーパント拡散剤から半導体基板の表面に第１導電型ドーパントを拡散させることによって第１導電型ドーパント拡散層を形成する工程と、第１導電型ドーパント拡散層の形成後の第１導電型ドーパント拡散剤の残部の少なくとも一部を拡散抑制マスクとして半導体基板の表面に第２導電型ドーパントを拡散させることによって第２導電型ドーパント拡散層を形成する工程とを含み、第１導電型ドーパント拡散剤の残部は、ボロンシリサイド層、またはボロンシリサイド層とボロンシリケートガラス層との積層体を含み、第１導電型ドーパント拡散剤の残部の厚さが１０ｎｍ以上である裏面電極型太陽電池セルの製造方法である。 The present invention includes a step of applying a first conductivity type dopant diffusing agent containing a first conductivity type dopant to a part of the surface of a semiconductor substrate, and a first conductivity type from the first conductivity type dopant diffusing agent to the surface of the semiconductor substrate. A step of forming a first conductivity type dopant diffusion layer by diffusing a dopant, and a semiconductor substrate using at least a part of the remaining portion of the first conductivity type dopant diffusing agent after the formation of the first conductivity type dopant diffusion layer as a diffusion suppression mask; look including a step of forming a second conductivity type dopant diffusion layer on the surface of the by diffusing the second conductive type dopant, the remainder of the first conductivity type dopant diffusing agent, boron silicide layer, or the boron silicide layer and the boron silicate comprises a laminate of a glass layer, the back electrode type solar cell thickness of the remainder of the first conductivity type dopant diffusion agent is 10nm or more It is a manufacturing method.

ここで、本発明の裏面電極型太陽電池セルの製造方法において、第１導電型ドーパント拡散層を形成する工程は、第１導電型ドーパント拡散剤が塗布された半導体基板を熱処理することにより行なわれることが好ましい。 Here, in the method for manufacturing the back electrode type solar cell according to the present invention, the step of forming the first conductivity type dopant diffusion layer is performed by heat-treating the semiconductor substrate coated with the first conductivity type dopant diffusion agent. It is preferable.

また、本発明の裏面電極型太陽電池セルの製造方法において、第２導電型ドーパント拡散層を形成する工程は、第２導電型ドーパントを含有するガスを用いた気相拡散および第２導電型ドーパントを含有する第２導電型ドーパント拡散剤を用いた固相拡散の少なくとも一方により行なわれることが好ましい。 Moreover, in the manufacturing method of the back electrode type solar cell of the present invention, the step of forming the second conductivity type dopant diffusion layer includes vapor phase diffusion using a gas containing the second conductivity type dopant and the second conductivity type dopant. It is preferable to carry out by at least one of solid phase diffusion using a second conductivity type dopant diffusing agent containing.

本発明によれば、工数を低減して効率的に半導体装置を製造することができる裏面電極型太陽電池セルの製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the back electrode type photovoltaic cell which can reduce a man-hour and can manufacture a semiconductor device efficiently can be provided.

（ａ）〜（ｌ）は、本発明の半導体装置の一例である裏面電極型太陽電池セルの製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。(A)-(l) is typical sectional drawing illustrated about an example of the manufacturing method of the back electrode type photovoltaic cell which is an example of the semiconductor device of this invention. 本発明の半導体装置の一例である裏面電極型太陽電池セルの裏面の一例の模式的な平面図である。It is a typical top view of an example of the back of a back electrode type photovoltaic cell which is an example of a semiconductor device of the present invention. 本発明の半導体装置の一例である裏面電極型太陽電池セルの裏面の他の一例の模式的な平面図である。It is a typical top view of other examples of the back of a back electrode type photovoltaic cell which is an example of the semiconductor device of the present invention. 本発明の半導体装置の一例である裏面電極型太陽電池セルの裏面のさらに他の一例の模式的な平面図である。It is a typical top view of another example of the back surface of the back electrode type photovoltaic cell which is an example of the semiconductor device of the present invention. 本発明の半導体装置の一例である裏面電極型太陽電池セルの製造方法の他の一例の工程の一部を図解する模式的な断面図である。It is typical sectional drawing illustrating a part of process of another example of the manufacturing method of the back electrode type photovoltaic cell which is an example of the semiconductor device of this invention. （ａ）〜（ｊ）は、本発明の半導体装置の一例である裏面電極型太陽電池セルの製造方法の他の一例について図解する模式的な断面図である。(A)-(j) is typical sectional drawing illustrated about another example of the manufacturing method of the back electrode type photovoltaic cell which is an example of the semiconductor device of this invention. （ａ）〜（ｌ）は、本発明の半導体装置の一例である裏面電極型太陽電池セルの製造方法の他の一例について図解する模式的な断面図である。(A)-(l) is typical sectional drawing illustrated about another example of the manufacturing method of the back electrode type photovoltaic cell which is an example of the semiconductor device of this invention. （ａ）〜（ｉ）は、特許文献１に記載の裏面電極型太陽電池セルの製造方法を図解する模式的な断面図である。(A)-(i) is typical sectional drawing illustrating the manufacturing method of the back electrode type photovoltaic cell of patent document 1. As shown in FIG.

以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。   Embodiments of the present invention will be described below. In the drawings of the present invention, the same reference numerals represent the same or corresponding parts.

＜実施の形態１＞
以下に、図１（ａ）〜図１（ｌ）の模式的断面図を参照して、本発明の半導体装置の一例である裏面電極型太陽電池セルの製造方法の他の一例について説明する。 <Embodiment 1>
Hereinafter, with reference to the schematic cross-sectional views of FIG. 1A to FIG. 1L, another example of a method for manufacturing a back electrode type solar cell that is an example of the semiconductor device of the present invention will be described.

まず、図１（ａ）に示すように、シリコン基板１を用意する。ここで、シリコン基板１としては、たとえばシリコンインゴットからスライスして得られるシリコン基板などを用いることができる。また、シリコン基板１は、ｎ型の導電型を有していてもよく、ｐ型の導電型を有していてもよい。   First, as shown in FIG. 1A, a silicon substrate 1 is prepared. Here, as the silicon substrate 1, for example, a silicon substrate obtained by slicing from a silicon ingot can be used. The silicon substrate 1 may have an n-type conductivity type or a p-type conductivity type.

また、シリコン基板１としては、たとえば、シリコンインゴットのスライスにより生じたスライスダメージを除去したものを用いてもよい。なお、上記のスライスダメージの除去は、たとえば、スライス後のシリコン基板１の表面をフッ化水素水溶液と硝酸との混酸または水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液などでエッチングすることなどによって行なうことができる。   Further, as the silicon substrate 1, for example, a substrate obtained by removing slice damage caused by slicing a silicon ingot may be used. The removal of the slice damage can be performed, for example, by etching the surface of the sliced silicon substrate 1 with a mixed acid of hydrogen fluoride aqueous solution and nitric acid or an alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide.

また、シリコン基板１の大きさおよび形状は特に限定されず、たとえば厚さを１００μｍ以上３００μｍ以下とし、１辺の長さを１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下とした四角形状の表面を有するものとすることができる。   The size and shape of the silicon substrate 1 are not particularly limited, and for example, the silicon substrate 1 can have a rectangular surface with a thickness of 100 μm to 300 μm and a side length of 100 mm to 200 mm. .

次に、図１（ｂ）に示すように、シリコン基板１の一方の表面上にマスキングペーストを塗布して乾燥させた後に焼成して拡散抑制マスク１６を形成するとともに、ｐ型ドーパントとしてのボロンを含むｐ型不純物拡散剤４を塗布する。   Next, as shown in FIG. 1B, a masking paste is applied on one surface of the silicon substrate 1 and dried, followed by baking to form a diffusion suppression mask 16 and boron as a p-type dopant. A p-type impurity diffusing agent 4 containing is applied.

ここで、マスキングペーストは、後述するｎ型不純物拡散領域８の形成箇所に対応する領域に塗布され、ボロンを含むｐ型不純物拡散剤４は、後述するｐ型不純物拡散領域５の形成箇所に対応する領域に塗布される。   Here, the masking paste is applied to a region corresponding to a formation location of an n-type impurity diffusion region 8 described later, and the p-type impurity diffusion agent 4 containing boron corresponds to a formation location of a p-type impurity diffusion region 5 described later. It is applied to the area to be.

また、ｐ型不純物拡散剤４を覆うようにしてマスキングペーストを塗布した後に乾燥させて焼成することによって、図５の模式的断面図に示すように、ｐ型不純物拡散剤４を覆うようにして拡散抑制マスク１６を形成してもよい。   Further, the masking paste is applied so as to cover the p-type impurity diffusing agent 4 and then dried and baked to cover the p-type impurity diffusing agent 4 as shown in the schematic sectional view of FIG. A diffusion suppression mask 16 may be formed.

マスキングペーストとしては、マスキングペーストを焼成して得られる拡散抑制マスク１６がｐ型不純物拡散剤４中のボロンのシリコン基板１の表面への拡散を抑止することができるものであれば特に限定されないが、たとえば、有機溶媒、水、シラン化合物および増粘剤を含むものなどを用いることができる。また、マスキングペーストとしては、増粘剤を含まないものも用いることができる。   The masking paste is not particularly limited as long as the diffusion suppressing mask 16 obtained by baking the masking paste can suppress the diffusion of boron in the p-type impurity diffusing agent 4 to the surface of the silicon substrate 1. For example, what contains an organic solvent, water, a silane compound, and a thickener can be used. Moreover, as a masking paste, the thing which does not contain a thickener can also be used.

ここで、有機溶媒としては、たとえば、エチレングリコール、メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ、ジエチルセロソルブ、セロソルブアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテル、メトキシエタノール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールアセテート、トリエチルグリコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコール、液体ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、１−ブトキシエトキシプロパノール、ジプロピルグリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ポリプロピレングリコール、トリメチレングリコール、ブタンジアール、１，５−ペンタンジアール、ヘキシレングリコール、グリセリン、グリセリルアセテート、グリセリンジアセテート、グリセリルトリアセテート、トリメチロールプロピン、１，２，６−ヘキサントリオール、１，２−プロパンジオール、１，５−ペンタンジオール、オクタンジオール、１，２−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、ジオキサン、トリオキサン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、メチラール、ジエチルアセタール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、酢酸メチル、酢酸エチルを単独でまたは２種以上併用して用いることができる。   Here, as the organic solvent, for example, ethylene glycol, methyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve, diethyl cellosolve, cellosolve acetate, ethylene glycol monophenyl ether, methoxyethanol, ethylene glycol monoacetate, ethylene glycol diacetate, diethylene glycol, Diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol acetate, triethyl glycol, triethylene glycol Tylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, tetraethylene glycol, liquid polyethylene glycol, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, 1-butoxyethoxypropanol, dipropyl glycol, di Propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, polypropylene glycol, trimethylene glycol, butane dial, 1,5-pentane dial, hexylene glycol, glycerin, glyceryl acetate, glyceryl diacetate, glyceryl triacetate , Trimethi L-propyne, 1,2,6-hexanetriol, 1,2-propanediol, 1,5-pentanediol, octanediol, 1,2-butanediol, 1,4-butanediol, 1,3-butanediol, dioxane , Trioxane, tetrahydrofuran, tetrahydropyran, methylal, diethyl acetal, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diethyl ketone, acetonyl acetone, diacetone alcohol, methyl formate, ethyl formate, propyl formate, methyl acetate, ethyl acetate alone or in combination These can be used in combination.

また、シラン化合物としては、たとえば、以下の一般式（１）で表わされるシラン化合物を用いることができる。   Moreover, as a silane compound, the silane compound represented by the following general formula (1) can be used, for example.

Ｒ1 nＳｉ（ＯＲ2）4-n …（１）
なお、上記の一般式（１）において、Ｒ1は、メチル基、エチル基またはフェニル基を示す。また、上記の一般式（１）において、Ｒ2は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基などの炭素数１〜４の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を示す。また、上記の一般式（１）において、ｎは０〜４の整数を示す。 R 1 n Si (OR 2 ) 4-n (1)
In the above general formula (1), R 1 represents a methyl group, an ethyl group or a phenyl group. In the general formula (1), R 2 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group. Moreover, in said general formula (1), n shows the integer of 0-4.

シラン化合物としては、たとえば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、それらの塩（テトラエチルオルトケイ酸塩など）などを単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。   As the silane compound, for example, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane, tetrabutoxysilane, salts thereof (tetraethylorthosilicate, etc.) and the like can be used alone or in combination of two or more.

また、増粘剤を用いる場合には、増粘剤としては、たとえば、ヒマシ油、ベントナイト、ニトロセルロース、エチルセルロース、ポリビニルピロリドン、デンプン、ゼラチン、アルギン酸、非晶質ケイ酸、ポリビニルブチラール、ナトリウムカルボキシメチルセルロース、ポリアミド樹脂、有機ヒマシ油誘導体、ジアミド・ワックス、膨潤ポリアクリル酸塩、ポリエーテル尿素−ポリウレタン、ポリエーテル−ポリオールなどを単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。   When a thickener is used, examples of the thickener include castor oil, bentonite, nitrocellulose, ethylcellulose, polyvinylpyrrolidone, starch, gelatin, alginic acid, amorphous silicic acid, polyvinyl butyral, sodium carboxymethylcellulose. Polyamide resin, organic castor oil derivative, diamide / wax, swollen polyacrylate, polyether urea-polyurethane, polyether-polyol and the like can be used alone or in combination of two or more.

また、ｐ型不純物拡散剤４は、ボロンを含有するものであれば特には限定されないが、たとえば、酸化ホウ素、ホウ酸、有機ホウ素化合物、ホウ素−アルミニウム化合物、有機アルミニウム化合物またはアルミニウム塩のようなホウ素原子および／またはアルミニウム原子を含む化合物などのボロン源を単独または２種以上含むものを用いることができる。   The p-type impurity diffusing agent 4 is not particularly limited as long as it contains boron. For example, boron oxide, boric acid, an organic boron compound, a boron-aluminum compound, an organic aluminum compound, or an aluminum salt is used. The thing containing a boron source, such as a compound containing a boron atom and / or an aluminum atom, or two or more kinds can be used.

また、ｐ型不純物拡散剤４の上記ボロン源以外の成分としては、たとえば、溶媒と、シラン化合物と、増粘剤とを含むものなどを用いることができる。なお、ｐ型不純物拡散剤４は、増粘剤を含んでいなくてもよい。   Moreover, as components other than the said boron source of the p-type impurity diffusion agent 4, what contains a solvent, a silane compound, and a thickener etc. can be used, for example. The p-type impurity diffusing agent 4 may not contain a thickener.

ここで、溶媒としては、たとえば、水、メタノール、エタノール、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，２−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、ジオキサン、トリオキサン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピランメチラール、ジエチルアセタール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、酢酸メチル、酢酸エチル、無水酢酸、Ｎ−メチルピロリドンなどを単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。   Here, examples of the solvent include water, methanol, ethanol, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, 1,2-propanediol, 1,4-butanediol, , 3-butanediol, dioxane, trioxane, tetrahydrofuran, tetrahydropyranmethylal, diethyl acetal, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diethyl ketone, acetonyl acetone, diacetone alcohol, methyl formate, ethyl formate, propyl formate, methyl acetate, acetic acid Ethyl, acetic anhydride, N-methylpyrrolidone and the like can be used alone or in combination of two or more.

また、ｐ型不純物拡散剤４に用いられ得る増粘剤およびシラン化合物についての説明はそれぞれ上記と同様であるため、ここではその説明については省略する。   In addition, the description of the thickener and the silane compound that can be used for the p-type impurity diffusing agent 4 is the same as described above, and thus the description thereof is omitted here.

また、ｐ型不純物拡散剤４の塗布方法およびマスキングペーストの塗布方法としてはそれぞれ、たとえば、スプレー塗布、ディスペンサを用いた塗布、インクジェット塗布、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷または平版印刷などを用いることができる。   In addition, as a method for applying the p-type impurity diffusing agent 4 and a method for applying the masking paste, for example, spray coating, coating using a dispenser, inkjet coating, screen printing, letterpress printing, intaglio printing, or lithographic printing are used. Can do.

また、ｐ型不純物拡散剤４およびマスキングペーストはそれぞれ、たとえば、図１（ｂ）の紙面の表面側および／または裏面側に伸長する帯状に塗布することができる。   Further, the p-type impurity diffusing agent 4 and the masking paste can be applied, for example, in a strip shape extending to the front side and / or the back side of the paper surface of FIG.

次に、ｐ型不純物拡散剤４の塗布後のシリコン基板１を熱処理することによって、図１（ｃ）に示すように、ｐ型不純物拡散剤４からシリコン基板１の表面に直接ボロンが拡散（固相拡散）してｐ型不純物拡散領域５が形成される。なお、拡散抑制マスク１６が接するシリコン基板１の表面領域には、拡散抑制マスク１６によってボロンの拡散が妨げられるため、ｐ型不純物拡散領域５は形成されない。   Next, by heat-treating the silicon substrate 1 after the application of the p-type impurity diffusing agent 4, boron diffuses directly from the p-type impurity diffusing agent 4 to the surface of the silicon substrate 1 as shown in FIG. A p-type impurity diffusion region 5 is formed by solid phase diffusion). In addition, in the surface region of the silicon substrate 1 in contact with the diffusion suppression mask 16, the diffusion suppression mask 16 prevents boron diffusion, so that the p-type impurity diffusion region 5 is not formed.

ここで、上記の熱処理によってｐ型不純物拡散剤４は、シリコン基板１側のボロンシリサイド層４ｂと、ボロンシリサイド層４ｂ上のボロンシリケートガラス層４ａとの積層体に変化する。   Here, the p-type impurity diffusing agent 4 is changed into a laminate of the boron silicide layer 4b on the silicon substrate 1 side and the boron silicate glass layer 4a on the boron silicide layer 4b by the heat treatment.

なお、「ボロンシリケートガラス層」はシリコン基板へのボロン拡散時にシリコン基板とボロンと雰囲気中等に存在する酸素が反応して形成された層のことであり、「ボロンシリサイド層」はボロンシリケートガラス層とシリコン基板との間に形成されるシリコンとボロンとの化合物層のことである。   The “boron silicate glass layer” is a layer formed by the reaction of oxygen present in the silicon substrate, boron, and the atmosphere when boron is diffused into the silicon substrate, and the “boron silicide layer” is a boron silicate glass layer. Is a compound layer of silicon and boron formed between the silicon substrate and the silicon substrate.

また、上記のシリコン基板１の熱処理の条件はｐ型不純物拡散領域が形成されるものであれば特に限定されないが、たとえば、窒素雰囲気においてシリコン基板１を８００℃以上１０００℃以下の温度で３０分以上６０分以下加熱することが好ましい。   The conditions for the heat treatment of the silicon substrate 1 are not particularly limited as long as a p-type impurity diffusion region is formed. For example, the silicon substrate 1 is heated at a temperature of 800 ° C. to 1000 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere. It is preferable to heat for 60 minutes or less.

次に、図１（ｄ）に示すように、シリコン基板１の表面上のボロンシリケートガラス層４ａおよび拡散抑制マスク１６を除去する。   Next, as shown in FIG. 1D, the boron silicate glass layer 4a and the diffusion suppression mask 16 on the surface of the silicon substrate 1 are removed.

ここで、ボロンシリケートガラス層４ａおよび拡散抑制マスク１６の除去方法は、ボロンシリケートガラス層４ａおよび拡散抑制マスク１６をそれぞれ除去することができる方法であれば特に限定されないが、たとえばフッ酸を用いたエッチング処理などにより除去することができる。   Here, the method for removing the boron silicate glass layer 4a and the diffusion suppression mask 16 is not particularly limited as long as the method can remove the boron silicate glass layer 4a and the diffusion suppression mask 16, respectively. For example, hydrofluoric acid is used. It can be removed by etching or the like.

次に、図１（ｅ）に示すように、ボロンシリケートガラス層４ａおよび拡散抑制マスク１６を除去することによって露出したシリコン基板１の表面領域にｎ型ドーパントとしてのリンを含むｎ型不純物拡散剤７を塗布する。   Next, as shown in FIG. 1E, an n-type impurity diffusing agent containing phosphorus as an n-type dopant in the surface region of the silicon substrate 1 exposed by removing the boron silicate glass layer 4a and the diffusion suppression mask 16. 7 is applied.

ここで、ｎ型不純物拡散剤７は、リンを含有するものであれば特には限定されないが、たとえば、リン酸塩、酸化リン、五酸化二リン、リン酸または有機リン化合物のようなリン原子を含む化合物などのリン源を単独でまたは２種以上併用して用いることができる。   Here, the n-type impurity diffusing agent 7 is not particularly limited as long as it contains phosphorus. For example, a phosphorus atom such as phosphate, phosphorus oxide, diphosphorus pentoxide, phosphoric acid or an organic phosphorus compound is used. Phosphorus sources such as compounds containing can be used alone or in combination of two or more.

また、ｎ型不純物拡散剤７の上記リン源以外の成分としては、たとえば、溶媒と、シラン化合物と、増粘剤とを含むものなどを用いることができる。なお、ｎ型不純物拡散剤７は、増粘剤を含んでいなくてもよい。   Moreover, as components other than the said phosphorus source of the n-type impurity diffusion agent 7, what contains a solvent, a silane compound, and a thickener etc. can be used, for example. The n-type impurity diffusing agent 7 may not contain a thickener.

また、ｎ型不純物拡散剤７に用いられ得る溶媒、シラン化合物および増粘剤についての説明はそれぞれ上記と同様であるため、ここではその説明については省略する。   The description of the solvent, the silane compound, and the thickener that can be used for the n-type impurity diffusing agent 7 is the same as described above, and the description thereof is omitted here.

また、ｎ型不純物拡散剤７の塗布方法としては、たとえば、スプレー塗布、ディスペンサを用いた塗布、インクジェット塗布、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷または平版印刷などを用いることができる。   Moreover, as a coating method of the n-type impurity diffusing agent 7, for example, spray coating, coating using a dispenser, inkjet coating, screen printing, letterpress printing, intaglio printing, or lithographic printing can be used.

また、ｎ型不純物拡散剤７は、たとえば、図１（ｅ）の紙面の表面側および／または裏面側に伸長する帯状に塗布することができる。   Further, the n-type impurity diffusing agent 7 can be applied, for example, in a strip shape extending to the front side and / or the back side of the paper surface of FIG.

次に、ｎ型不純物拡散剤７の塗布後のシリコン基板１を熱処理することによって、図１（ｆ）に示すように、ｎ型不純物拡散剤７からシリコン基板１の表面に直接リンが拡散（固相拡散）してｎ型不純物拡散領域８が形成されるとともに、ｎ型不純物拡散剤７がリンシリケートガラス層７ａに変化する。   Next, by heat-treating the silicon substrate 1 after the application of the n-type impurity diffusing agent 7, phosphorus is diffused directly from the n-type impurity diffusing agent 7 to the surface of the silicon substrate 1 as shown in FIG. The n-type impurity diffusion region 8 is formed by solid phase diffusion), and the n-type impurity diffusing agent 7 is changed to the phosphorous silicate glass layer 7a.

また、ｎ型不純物拡散剤７中のリンはシリコン基板１を取り巻く気相中に一旦拡散するが、ボロンシリサイド層４ｂが気相中のリンに対する拡散抑制マスクとして機能することによって、シリコン基板１の表面のｐ型不純物拡散領域５へのリンの拡散（気相拡散）が妨げられる。   Further, phosphorus in the n-type impurity diffusing agent 7 once diffuses into the gas phase surrounding the silicon substrate 1, but the boron silicide layer 4b functions as a diffusion suppression mask for phosphorus in the gas phase, thereby Phosphorus diffusion (vapor phase diffusion) into the surface p-type impurity diffusion region 5 is hindered.

ここで、上記のリンの気相拡散を十分に妨げる観点からは、拡散抑制マスクとして機能するｐ型不純物拡散剤４の残部としてのボロンシリサイド層４ｂの厚さは１０ｎｍ以上であることが好ましい。   Here, from the viewpoint of sufficiently hindering the vapor phase diffusion of phosphorus, the thickness of the boron silicide layer 4b as the remaining part of the p-type impurity diffusing agent 4 functioning as a diffusion suppression mask is preferably 10 nm or more.

なお、上記においては、リンの気相拡散に対する拡散抑制マスクとしてボロンシリケートガラス層４ａを除去して得られたボロンシリサイド層４ｂを用いる場合について説明しているが、ボロンシリケートガラス層４ａの少なくとも一部が残っている場合等のようにボロンシリサイド層４ｂ以外の層が拡散抑制マスクに含まれていてもよく、この場合にはリンの気相拡散を十分に妨げる観点から、ボロンシリサイド層４ｂを含む拡散抑制マスクの全体の厚さが１０ｎｍ以上であることが好ましい。   In the above description, the case where the boron silicide layer 4b obtained by removing the boron silicate glass layer 4a is used as a diffusion suppression mask for the vapor phase diffusion of phosphorus is described. However, at least one of the boron silicate glass layers 4a is used. A layer other than the boron silicide layer 4b may be included in the diffusion suppression mask as in the case where the portion remains, and in this case, the boron silicide layer 4b is formed from the viewpoint of sufficiently hindering the vapor phase diffusion of phosphorus. It is preferable that the entire thickness of the diffusion suppression mask to be included is 10 nm or more.

また、上記のシリコン基板１の熱処理の条件はｎ型不純物拡散領域が形成されるものであれば特に限定されないが、たとえば、窒素雰囲気においてシリコン基板１を８００℃以上１０００℃以下の温度で３０分以上６０分以下加熱することが好ましい。   The conditions for the heat treatment of the silicon substrate 1 are not particularly limited as long as an n-type impurity diffusion region is formed. For example, the silicon substrate 1 is heated at a temperature of 800 ° C. to 1000 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere. It is preferable to heat for 60 minutes or less.

次に、シリコン基板１の表面のボロンシリサイド層４ｂおよびリンシリケートガラス層７ａをすべて除去することによって、図１（ｇ）に示すように、シリコン基板１の表面にｐ型不純物拡散領域５およびｎ型不純物拡散領域８を露出させる。   Next, by removing all of the boron silicide layer 4b and the phosphorus silicate glass layer 7a on the surface of the silicon substrate 1, as shown in FIG. 1G, the p-type impurity diffusion regions 5 and n are formed on the surface of the silicon substrate 1. The type impurity diffusion region 8 is exposed.

ここで、ボロンシリサイド層４ｂおよびリンシリケートガラス層７ａの除去方法はそれぞれ、ボロンシリサイド層４ｂおよびリンシリケートガラス層７ａをそれぞれ除去することができる方法であれば特に限定されない。なお、ボロンシリサイド層４ｂの除去方法としては、たとえば、ボロンシリサイド層４ｂを酸素雰囲気で熱処理した後にフッ酸によるエッチング処理を行なう方法が挙げられる。また、リンシリケートガラス層７ａの除去方法としては、たとえば、フッ酸によるエッチング処理を行なう方法が挙げられる。   Here, the method for removing the boron silicide layer 4b and the phosphorus silicate glass layer 7a is not particularly limited as long as it can remove the boron silicide layer 4b and the phosphorus silicate glass layer 7a, respectively. As a method for removing the boron silicide layer 4b, for example, a method of performing an etching treatment with hydrofluoric acid after the boron silicide layer 4b is heat-treated in an oxygen atmosphere can be cited. Moreover, as a removal method of the phosphorus silicate glass layer 7a, the method of performing the etching process with a hydrofluoric acid is mentioned, for example.

次に、図１（ｈ）に示すように、シリコン基板１のｐ型不純物拡散領域５およびｎ型不純物拡散領域８が露出している表面上にパッシベーション膜１０を形成する。   Next, as shown in FIG. 1H, a passivation film 10 is formed on the surface of the silicon substrate 1 where the p-type impurity diffusion region 5 and the n-type impurity diffusion region 8 are exposed.

次に、図１（ｉ）に示すように、シリコン基板１のパッシベーション膜１０が形成されている側と反対側の表面をテクスチャエッチングすることによってテクスチャ構造１５を形成する。   Next, as shown in FIG. 1I, the texture structure 15 is formed by texture-etching the surface of the silicon substrate 1 opposite to the side on which the passivation film 10 is formed.

ここで、テクスチャ構造１５を形成するためのテクスチャエッチングは、シリコン基板１の他方の表面に形成されたパッシベーション膜１０をエッチングマスクとして用いることによって行なうことができる。   Here, the texture etching for forming the texture structure 15 can be performed by using the passivation film 10 formed on the other surface of the silicon substrate 1 as an etching mask.

また、テクスチャエッチングは、たとえば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加した液をたとえば７０℃以上８０℃以下に加熱したエッチング液を用いてシリコン基板１の受光面となる表面をエッチングすることによって行なうことができる。   The texture etching is a surface that becomes a light receiving surface of the silicon substrate 1 using an etching solution obtained by heating a solution obtained by adding isopropyl alcohol to an alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide or potassium hydroxide to 70 ° C. or more and 80 ° C. or less, for example. Can be performed by etching.

次に、図１（ｊ）に示すように、シリコン基板１のテクスチャ構造１５上に反射防止膜９を形成する。   Next, as shown in FIG. 1 (j), an antireflection film 9 is formed on the texture structure 15 of the silicon substrate 1.

ここで、反射防止膜９としては、たとえば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層体などを用いることができる。また、反射防止膜９は、たとえば、プラズマＣＶＤ法などにより形成することができる。   Here, as the antireflection film 9, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a stacked body of a silicon oxide film and a silicon nitride film can be used. The antireflection film 9 can be formed by, for example, a plasma CVD method.

次に、図１（ｋ）に示すように、パッシベーション膜１０の一部を除去することによってコンタクトホール１１およびコンタクトホール１２を形成して、コンタクトホール１１からｎ型不純物拡散領域８の表面を露出させるとともに、コンタクトホール１２からｐ型不純物拡散領域５の表面を露出させる。   Next, as shown in FIG. 1 (k), a part of the passivation film 10 is removed to form a contact hole 11 and a contact hole 12, and the surface of the n-type impurity diffusion region 8 is exposed from the contact hole 11. In addition, the surface of the p-type impurity diffusion region 5 is exposed from the contact hole 12.

ここで、コンタクトホール１１およびコンタクトホール１２は、たとえば、フォトリソグラフィ技術を用いてコンタクトホール１１およびコンタクトホール１２のそれぞれの形成箇所に対応する部分に開口を有するレジストパターンをパッシベーション膜１０上に形成した後にレジストパターンの開口からパッシベーション膜１０をエッチングなどにより除去する方法、またはコンタクトホール１１およびコンタクトホール１２のそれぞれの形成箇所に対応するパッシベーション膜１０の部分にエッチングペーストを塗布した後に加熱することによってパッシベーション膜１０をエッチングして除去する方法などにより形成することができる。   Here, the contact hole 11 and the contact hole 12 are formed on the passivation film 10 with a resist pattern having openings at portions corresponding to the formation positions of the contact hole 11 and the contact hole 12, for example, using a photolithography technique. A method of removing the passivation film 10 later from the opening of the resist pattern by etching or the like, or by applying an etching paste to the portion of the passivation film 10 corresponding to each formation position of the contact hole 11 and the contact hole 12 and then heating the passivation film 10 The film 10 can be formed by etching or the like.

なお、エッチングペーストとしては、たとえば、エッチング成分としてフッ化水素、アンモニウムおよびリン酸の少なくとも１種を含むとともに、エッチング成分以外の成分として水、有機溶媒および増粘剤を含むものなどを用いることができる。なお、エッチングペーストに用いられ得る水、有機溶媒および増粘剤についての説明は上記と同様であるため、ここではその説明については省略する。   As the etching paste, for example, a material containing at least one of hydrogen fluoride, ammonium and phosphoric acid as an etching component and water, an organic solvent and a thickener as components other than the etching component may be used. it can. In addition, since the description about the water, organic solvent, and thickener which can be used for an etching paste is the same as the above, the description is abbreviate | omitted here.

次に、図１（ｌ）に示すように、コンタクトホール１１を通してｎ型不純物拡散領域８に電気的に接続されるｎ型用電極１３を形成するとともに、コンタクトホール１２を通してｐ型不純物拡散領域５に電気的に接続されるｐ型用電極１４を形成する。ここで、ｎ型用電極１３およびｐ型用電極１４としては、たとえば、銀などの金属からなる電極を用いることができる。   Next, as shown in FIG. 1 (l), an n-type electrode 13 electrically connected to the n-type impurity diffusion region 8 through the contact hole 11 is formed, and the p-type impurity diffusion region 5 through the contact hole 12 is formed. A p-type electrode 14 electrically connected to is formed. Here, as the n-type electrode 13 and the p-type electrode 14, for example, an electrode made of a metal such as silver can be used.

以上により、本実施の形態における裏面電極型太陽電池セルを作製することができる。
図２に、上記のようにして作製された裏面電極型太陽電池セルの裏面の一例の模式的な平面図を示す。 As described above, the back electrode type solar battery cell in this embodiment can be manufactured.
In FIG. 2, the typical top view of an example of the back surface of the back electrode type photovoltaic cell produced as mentioned above is shown.

ここで、図２に示すように、裏面電極型太陽電池セルの裏面においては、複数の帯状のｎ型用電極１３と複数の帯状のｐ型用電極１４がそれぞれ１本ずつ交互に間隔をあけて配列されており、すべてのｎ型用電極１３が１本の帯状のｎ型用集電電極１３ａに電気的に接続されており、すべてのｐ型用電極１４が１本の帯状のｐ型用集電電極１４ａに電気的に接続されている。   Here, as shown in FIG. 2, a plurality of strip-shaped n-type electrodes 13 and a plurality of strip-shaped p-type electrodes 14 are alternately spaced apart from each other on the back surface of the back electrode type solar battery cell. All the n-type electrodes 13 are electrically connected to one strip-shaped n-type collector electrode 13a, and all the p-type electrodes 14 are one strip-shaped p-type. It is electrically connected to the current collecting electrode 14a.

また、裏面電極型太陽電池セルの裏面において、複数の帯状のｎ型用電極１３のそれぞれの下方にはｎ型不純物拡散領域８が配置され、複数の帯状のｐ型用電極１４のそれぞれの下方にはｐ型不純物拡散領域５が配置されていることになるが、ｐ型不純物拡散領域５およびｎ型不純物拡散領域８の形状および大きさは特に限定されない。たとえば、ｐ型不純物拡散領域５およびｎ型不純物拡散領域８は、ｐ型用電極１４およびｎ型用電極１３のそれぞれに沿って帯状に形成されていてもよく、ｐ型用電極１４およびｎ型用電極１３のそれぞれの一部に接するドット状に形成されていてもよい。   In addition, on the back surface of the back electrode type solar cell, an n type impurity diffusion region 8 is disposed below each of the plurality of strip-shaped n-type electrodes 13, and below each of the plurality of strip-shaped p-type electrodes 14. However, the shape and size of the p-type impurity diffusion region 5 and the n-type impurity diffusion region 8 are not particularly limited. For example, the p-type impurity diffusion region 5 and the n-type impurity diffusion region 8 may be formed in a strip shape along the p-type electrode 14 and the n-type electrode 13, respectively. The electrode 13 may be formed in a dot shape in contact with each part.

図３に、上記のようにして作製された裏面電極型太陽電池セルの裏面の他の一例の模式的な平面図を示す。ここで、図３に示すように、ｎ型用電極１３およびｐ型用電極１４はそれぞれ同一方向に伸長（図３の上下方向に伸長）する帯状に形成されており、シリコン基板１の裏面において上記の伸長方向と直交する方向にそれぞれ１本ずつ交互に配置されている。   FIG. 3 shows a schematic plan view of another example of the back surface of the back electrode type solar battery fabricated as described above. Here, as shown in FIG. 3, the n-type electrode 13 and the p-type electrode 14 are each formed in a strip shape extending in the same direction (extending in the vertical direction in FIG. 3), and on the back surface of the silicon substrate 1. One each is alternately arranged in a direction orthogonal to the extension direction.

図４に、上記のようにして作製された裏面電極型太陽電池セルの裏面のさらに他の一例の模式的な平面図を示す。ここで、図４に示すように、ｎ型用電極１３およびｐ型用電極１４はそれぞれ点状に形成されており、点状のｎ型用電極１３の列（図４の上下方向または左右方向に伸長）および点状のｐ型用電極１４の列（図４の上下方向または左右方向に伸長）がそれぞれシリコン基板１の裏面において１列ずつ交互に配置されている。   FIG. 4 shows a schematic plan view of still another example of the back surface of the back electrode type solar cell fabricated as described above. Here, as shown in FIG. 4, the n-type electrode 13 and the p-type electrode 14 are each formed in a dot shape, and a row of the dot-like n-type electrodes 13 (vertical direction or horizontal direction in FIG. 4). ) And the row of p-type electrodes 14 (extending in the vertical direction or the horizontal direction in FIG. 4) are alternately arranged one by one on the back surface of the silicon substrate 1.

なお、図１（ａ）〜図１（ｌ）においては、説明の便宜上、シリコン基板１に１つのｐ型不純物拡散領域５と、１つのｎ型不純物拡散領域８とが形成されるように示されているが、実際には、複数のｐ型不純物拡散領域５と、複数のｎ型不純物拡散領域８とが形成されてもよいことは言うまでもない。   In FIGS. 1A to 1L, for convenience of explanation, one p-type impurity diffusion region 5 and one n-type impurity diffusion region 8 are formed on the silicon substrate 1. In practice, however, it goes without saying that a plurality of p-type impurity diffusion regions 5 and a plurality of n-type impurity diffusion regions 8 may be formed.

上記においては、リンを含むｎ型不純物拡散剤７を用いたリンの固相拡散によるｎ型不純物拡散領域８の形成時にリンの気相拡散を妨げる拡散抑制マスクとして、ボロンシリサイド層４ｂからなるｐ型不純物拡散剤４の残部を用いている。   In the above, as a diffusion suppression mask that prevents the vapor phase diffusion of phosphorus at the time of forming the n-type impurity diffusion region 8 by the solid phase diffusion of phosphorus using the n-type impurity diffusion agent 7 containing phosphorus, p formed of the boron silicide layer 4b is used. The remainder of the type impurity diffusing agent 4 is used.

これにより、ｎ型不純物拡散領域８の形成時にシリコン基板１の表面全面に拡散抑制マスクを形成し、その後拡散抑制マスクに開口部を設けるという工程を行なう必要がないことから、上記の特許文献１に記載の方法と比べて、工数を低減して半導体装置としての裏面電極型太陽電池セルを効率的に製造することができる。   Thus, there is no need to perform a step of forming a diffusion suppression mask over the entire surface of the silicon substrate 1 and then providing an opening in the diffusion suppression mask when the n-type impurity diffusion region 8 is formed. Compared with the method described in 1., the number of steps can be reduced, and a back electrode type solar cell as a semiconductor device can be efficiently manufactured.

＜実施の形態２＞
本実施の形態においては、ボロンを含むｐ型不純物拡散剤４の残部であるボロンシリサイド層４ｂとボロンシリケートガラス層４ａとの積層体を拡散抑制マスクとして用いて、ｎ型ドーパントガスを用いたリンの気相拡散によりｎ型不純物拡散領域８を形成する点を特徴としている。 <Embodiment 2>
In the present embodiment, a laminate of boron silicide layer 4b and boron silicate glass layer 4a, which is the remainder of p-type impurity diffusing agent 4 containing boron, is used as a diffusion suppression mask, and phosphorous using n-type dopant gas is used. It is characterized in that the n-type impurity diffusion region 8 is formed by vapor phase diffusion.

以下、図６（ａ）〜図６（ｊ）の模式的断面図を参照して、本発明の半導体装置の一例である裏面電極型太陽電池セルの製造方法の他の一例について説明する。なお、図６（ａ）〜図６（ｊ）においても、説明の便宜上、シリコン基板１に１つのｐ型不純物拡散領域５と、１つのｎ型不純物拡散領域８とが形成されるように示されているが、実際には複数のｐ型不純物拡散領域５と、複数のｎ型不純物拡散領域８とが形成されてもよいことは言うまでもない。   Hereinafter, with reference to the schematic cross-sectional views of FIGS. 6A to 6J, another example of a method for manufacturing a back electrode type solar cell that is an example of the semiconductor device of the present invention will be described. 6A to 6J also illustrate that one p-type impurity diffusion region 5 and one n-type impurity diffusion region 8 are formed in the silicon substrate 1 for convenience of explanation. However, it goes without saying that a plurality of p-type impurity diffusion regions 5 and a plurality of n-type impurity diffusion regions 8 may actually be formed.

まず、図６（ａ）に示すように、ｎ型またはｐ型の導電型を有するシリコン基板１を用意し、続いて、図６（ｂ）に示すように、シリコン基板１の表面の一部にボロンを含むｐ型不純物拡散剤４を塗布する。   First, as shown in FIG. 6A, a silicon substrate 1 having n-type or p-type conductivity is prepared, and then, as shown in FIG. 6B, a part of the surface of the silicon substrate 1 is prepared. A p-type impurity diffusing agent 4 containing boron is applied onto

次に、ｐ型不純物拡散剤４の塗布後のシリコン基板１を熱処理することによって、図６（ｃ）に示すように、ｐ型不純物拡散剤４からシリコン基板１の表面に直接ボロンが拡散（固相拡散）してｐ型不純物拡散領域５が形成されるとともに、ｐ型不純物拡散剤４がシリコン基板１側のボロンシリサイド層４ｂと、ボロンシリサイド層４ｂ上のボロンシリケートガラス層４ａとの積層体に変化する。   Next, by heat-treating the silicon substrate 1 after the application of the p-type impurity diffusing agent 4, boron diffuses directly from the p-type impurity diffusing agent 4 to the surface of the silicon substrate 1 as shown in FIG. A p-type impurity diffusion region 5 is formed by solid phase diffusion), and a p-type impurity diffusing agent 4 is a laminate of a boron silicide layer 4b on the silicon substrate 1 side and a boron silicate glass layer 4a on the boron silicide layer 4b. Change to body.

なお、シリコン基板１の表面のｐ型不純物拡散剤４の塗布領域以外の領域には、ｐ型不純物拡散剤４中のボロンが一旦シリコン基板１を取り巻く気相中に拡散した後に気相中からボロンがシリコン基板１の表面に拡散（気相拡散）して第１のｐ型不純物拡散領域５よりもボロン濃度が低いｐ型不純物拡散領域が形成される場合がある。しかしながら、この場合でも、ｐ型不純物拡散剤４中のボロン濃度と後述するｎ型ドーパントガス１７中のリン濃度とを調節することによって、後述するように、シリコン基板１の表面にリンを拡散させてｎ型不純物拡散領域８を形成することは可能である。   Note that boron in the p-type impurity diffusing agent 4 once diffuses into the gas phase surrounding the silicon substrate 1 in the region other than the region where the p-type impurity diffusing agent 4 is applied on the surface of the silicon substrate 1. Boron may diffuse (vapor phase diffusion) on the surface of the silicon substrate 1 to form a p-type impurity diffusion region having a boron concentration lower than that of the first p-type impurity diffusion region 5. However, even in this case, by adjusting the boron concentration in the p-type impurity diffusing agent 4 and the phosphorus concentration in the n-type dopant gas 17 described later, phosphorus is diffused on the surface of the silicon substrate 1 as described later. Thus, the n-type impurity diffusion region 8 can be formed.

次に、図６（ｄ）に示すように、ｎ型ドーパントとしてリンを含むｎ型ドーパントガス１７を用いたリンの気相拡散によってシリコン基板１の表面にリンを拡散させてｎ型不純物拡散領域８を形成する。   Next, as shown in FIG. 6D, phosphorus is diffused on the surface of the silicon substrate 1 by vapor phase diffusion of phosphorus using an n-type dopant gas 17 containing phosphorus as an n-type dopant to form an n-type impurity diffusion region. 8 is formed.

ここで、上記の熱処理後のｐ型不純物拡散剤４の残部となるボロンシリサイド層４ｂとボロンシリケートガラス層４ａとの積層体が上記のｎ型ドーパントガス１７を用いたリンの気相拡散に対する拡散抑制マスクとして機能してリンの拡散を妨げるため、ボロンシリサイド層４ｂが接するシリコン基板１の表面領域にはｎ型不純物拡散領域８が形成されない。   Here, the laminate of the boron silicide layer 4b and the boron silicate glass layer 4a, which is the remainder of the p-type impurity diffusing agent 4 after the heat treatment, diffuses with respect to the vapor phase diffusion of phosphorus using the n-type dopant gas 17. Since it functions as a suppression mask and prevents phosphorus diffusion, the n-type impurity diffusion region 8 is not formed in the surface region of the silicon substrate 1 in contact with the boron silicide layer 4b.

また、リンを含むｎ型ドーパントガス１７としては、たとえばＰＯＣｌ3などを用いることができる。 Further, as the n-type dopant gas 17 containing phosphorus, for example, POCl 3 can be used.

また、上記のリンを含むｎ型ドーパントガス１７を用いたリンの気相拡散は、ｎ型不純物拡散領域８が形成されるものであれば特に限定されないが、たとえば、シリコン基板１を８００℃以上１０００℃以下の温度に加熱した状態でＰＯＣｌ3などのリンを含むｎ型ドーパントガス１７を含む雰囲気に曝すことが好ましい。 Further, the vapor phase diffusion of phosphorus using the n-type dopant gas 17 containing phosphorus is not particularly limited as long as the n-type impurity diffusion region 8 is formed. For example, the silicon substrate 1 is heated to 800 ° C. or higher. It is preferable to expose to an atmosphere containing an n-type dopant gas 17 containing phosphorus such as POCl 3 while being heated to a temperature of 1000 ° C. or lower.

また、上記のｎ型ドーパントガス１７を用いたリンの気相拡散後のシリコン基板１の表面のｎ型不純物拡散領域８上にはリンシリケートガラス層が形成され得る。   A phosphorus silicate glass layer may be formed on the n-type impurity diffusion region 8 on the surface of the silicon substrate 1 after the vapor phase diffusion of phosphorus using the n-type dopant gas 17.

なお、「リンシリケートガラス層」はシリコン基板へのリン拡散時にシリコン基板とリンと雰囲気中等に存在する酸素が反応して形成された層のことである。   The “phosphorus silicate glass layer” is a layer formed by reaction of oxygen existing in the silicon substrate, phosphorus, and the atmosphere during phosphorus diffusion into the silicon substrate.

次に、シリコン基板１の表面のボロンシリサイド層４ｂおよびボロンシリケートガラス層４ａ等を除去することによって、図６（ｅ）に示すように、シリコン基板１の表面にｐ型不純物拡散領域５およびｎ型不純物拡散領域８を露出させる。   Next, by removing the boron silicide layer 4b, the boron silicate glass layer 4a, and the like on the surface of the silicon substrate 1, as shown in FIG. 6 (e), the p-type impurity diffusion region 5 and n on the surface of the silicon substrate 1 are removed. The type impurity diffusion region 8 is exposed.

次に、図６（ｆ）に示すように、シリコン基板１のｐ型不純物拡散領域５およびｎ型不純物拡散領域８が露出している表面上にパッシベーション膜１０を形成する。   Next, as shown in FIG. 6F, a passivation film 10 is formed on the surface of the silicon substrate 1 where the p-type impurity diffusion region 5 and the n-type impurity diffusion region 8 are exposed.

次に、図６（ｇ）に示すように、シリコン基板１のパッシベーション膜１０が形成されている側と反対側の表面をテクスチャエッチングすることによってテクスチャ構造１５を形成する。   Next, as shown in FIG. 6G, the texture structure 15 is formed by texture-etching the surface of the silicon substrate 1 opposite to the side on which the passivation film 10 is formed.

次に、図６（ｈ）に示すように、シリコン基板１のテクスチャ構造１５上に反射防止膜９を形成する。   Next, as shown in FIG. 6H, an antireflection film 9 is formed on the texture structure 15 of the silicon substrate 1.

次に、図６（ｉ）に示すように、パッシベーション膜１０の一部を除去することによってコンタクトホール１１およびコンタクトホール１２を形成して、コンタクトホール１１からｎ型不純物拡散領域８の表面を露出させるとともに、コンタクトホール１２からｐ型不純物拡散領域５の表面を露出させる。   Next, as shown in FIG. 6 (i), part of the passivation film 10 is removed to form a contact hole 11 and a contact hole 12, and the surface of the n-type impurity diffusion region 8 is exposed from the contact hole 11. In addition, the surface of the p-type impurity diffusion region 5 is exposed from the contact hole 12.

次に、図６（ｊ）に示すように、コンタクトホール１１を通してｎ型不純物拡散領域８に電気的に接続されるｎ型用電極１３を形成するとともに、コンタクトホール１２を通してｐ型不純物拡散領域５に電気的に接続されるｐ型用電極１４を形成する。   Next, as shown in FIG. 6J, an n-type electrode 13 electrically connected to the n-type impurity diffusion region 8 through the contact hole 11 is formed, and the p-type impurity diffusion region 5 through the contact hole 12 is formed. A p-type electrode 14 electrically connected to is formed.

以上により、本実施の形態における裏面電極型太陽電池セルを作製することができる。
上記においては、リンを含むｎ型ドーパントガス１７を用いたリンの気相拡散によるｎ型不純物拡散領域８の形成時にリンの気相拡散を妨げる拡散抑制マスクとして、ボロンシリサイド層４ｂとボロンシリケートガラス層４ａとの積層体からなるｐ型不純物拡散剤４の残部を用いている。 As described above, the back electrode type solar battery cell in this embodiment can be manufactured.
In the above, the boron silicide layer 4b and the boron silicate glass are used as a diffusion suppression mask that prevents the vapor phase diffusion of phosphorus when forming the n type impurity diffusion region 8 by the vapor phase diffusion of phosphorus using the n type dopant gas 17 containing phosphorus. The remainder of the p-type impurity diffusing agent 4 made of a laminate with the layer 4a is used.

これにより、ｎ型不純物拡散領域８の形成時にシリコン基板１の表面全面に拡散抑制マスクを形成し、その後拡散抑制マスクに開口部を設けるという工程を行なう必要がないことから、上記の特許文献１に記載の方法と比べて、工数を低減して半導体装置としての裏面電極型太陽電池セルを効率的に製造することができる。   Thus, there is no need to perform a step of forming a diffusion suppression mask over the entire surface of the silicon substrate 1 and then providing an opening in the diffusion suppression mask when the n-type impurity diffusion region 8 is formed. Compared with the method described in 1., the number of steps can be reduced, and a back electrode type solar cell as a semiconductor device can be efficiently manufactured.

本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態１と同様であるため、ここではその説明については省略する。   Since the description other than the above in the present embodiment is the same as that in the first embodiment, the description thereof is omitted here.

＜実施の形態３＞
本実施の形態においては、ボロンを含むｐ型不純物拡散剤４の残部であるボロンシリサイド層４ｂを拡散抑制マスクとして用いて、リンを含むｎ型ドーパントガス１７を用いたリンの気相拡散によりｎ型不純物拡散領域８を形成する点を特徴としている。 <Embodiment 3>
In the present embodiment, the boron silicide layer 4b which is the remaining part of the p-type impurity diffusing agent 4 containing boron is used as a diffusion suppression mask, and n is formed by vapor phase diffusion of phosphorus using an n-type dopant gas 17 containing phosphorus. It is characterized in that a type impurity diffusion region 8 is formed.

以下、図７（ａ）〜図７（ｌ）の模式的断面図を参照して、本発明の半導体装置の一例である裏面電極型太陽電池セルの製造方法の他の一例について説明する。なお、図７（ａ）〜図７（ｌ）においては、説明の便宜上、シリコン基板１に１つのｐ型不純物拡散領域５と、１つのｎ型不純物拡散領域８とが形成されるように示されているが、実際には複数のｐ型不純物拡散領域５と、複数のｎ型不純物拡散領域８とが形成されてもよいことは言うまでもない。   Hereinafter, another example of the manufacturing method of the back electrode type solar cell which is an example of the semiconductor device of this invention is demonstrated with reference to typical sectional drawing of Fig.7 (a)-FIG.7 (l). 7A to 7L, for convenience of explanation, it is shown that one p-type impurity diffusion region 5 and one n-type impurity diffusion region 8 are formed in the silicon substrate 1. However, it goes without saying that a plurality of p-type impurity diffusion regions 5 and a plurality of n-type impurity diffusion regions 8 may actually be formed.

まず、図７（ａ）に示すように、ｎ型またはｐ型の導電型を有するシリコン基板１を用意し、続いて、図７（ｂ）に示すように、シリコン基板１の表面にボロンを含むｐ型不純物拡散剤４を塗布するとともに、拡散抑制マスク１６を形成する。   First, as shown in FIG. 7A, a silicon substrate 1 having n-type or p-type conductivity is prepared, and then boron is applied to the surface of the silicon substrate 1 as shown in FIG. 7B. A p-type impurity diffusing agent 4 is applied and a diffusion suppression mask 16 is formed.

次に、ｐ型不純物拡散剤４の塗布後のシリコン基板１を熱処理することによって、図７（ｃ）に示すように、ｐ型不純物拡散剤４からシリコン基板１の表面に直接ボロンが拡散（固相拡散）してｐ型不純物拡散領域５が形成されるとともに、ｐ型不純物拡散剤４がシリコン基板１側のボロンシリサイド層４ｂと、ボロンシリサイド層４ｂ上のボロンシリケートガラス層４ａとの積層体に変化する。   Next, by heat-treating the silicon substrate 1 after the application of the p-type impurity diffusing agent 4, boron is diffused directly from the p-type impurity diffusing agent 4 to the surface of the silicon substrate 1 as shown in FIG. A p-type impurity diffusion region 5 is formed by solid phase diffusion), and a p-type impurity diffusing agent 4 is a laminate of a boron silicide layer 4b on the silicon substrate 1 side and a boron silicate glass layer 4a on the boron silicide layer 4b. Change to body.

次に、図７（ｄ）に示すように、シリコン基板１の表面からボロンシリケートガラス層４ａおよび拡散抑制マスク１６を除去する。   Next, as shown in FIG. 7 (d), the boron silicate glass layer 4 a and the diffusion suppression mask 16 are removed from the surface of the silicon substrate 1.

次に、図７（ｅ）に示すように、ｎ型ドーパントとしてリンを含むｎ型ドーパントガス１７を用いたリンの気相拡散によってシリコン基板１の表面にリンを拡散させる。これにより、図７（ｆ）に示すように、シリコン基板１の表面にｎ型不純物拡散領域８が形成される。   Next, as shown in FIG. 7E, phosphorus is diffused on the surface of the silicon substrate 1 by vapor phase diffusion of phosphorus using an n-type dopant gas 17 containing phosphorus as an n-type dopant. As a result, an n-type impurity diffusion region 8 is formed on the surface of the silicon substrate 1 as shown in FIG.

ここで、上記の熱処理後のｐ型不純物拡散剤４の残部となるボロンシリサイド層４ｂが上記のｎ型ドーパントガス１７を用いたリンの気相拡散に対する拡散抑制マスクとして機能してリンの拡散を妨げるため、ボロンシリサイド層４ｂが接するシリコン基板１の表面領域にはｎ型不純物拡散領域８が形成されない。   Here, the boron silicide layer 4b, which is the remaining part of the p-type impurity diffusing agent 4 after the heat treatment, functions as a diffusion suppression mask for the vapor phase diffusion of phosphorus using the n-type dopant gas 17 and diffuses phosphorus. Therefore, the n-type impurity diffusion region 8 is not formed in the surface region of the silicon substrate 1 in contact with the boron silicide layer 4b.

また、上記のリンの気相拡散を十分に妨げる観点からは、拡散抑制マスクとして機能するｐ型不純物拡散剤４の残部としてのボロンシリサイド層４ｂの厚さは１０ｎｍ以上であることが好ましい。   From the viewpoint of sufficiently hindering the above-described vapor phase diffusion of phosphorus, the thickness of the boron silicide layer 4b as the remaining part of the p-type impurity diffusing agent 4 functioning as a diffusion suppression mask is preferably 10 nm or more.

次に、シリコン基板１の表面のボロンシリサイド層４ｂをすべて除去することによって、図７（ｇ）に示すように、シリコン基板１の表面にｐ型不純物拡散領域５およびｎ型不純物拡散領域８を露出させる。   Next, by removing all the boron silicide layers 4b on the surface of the silicon substrate 1, the p-type impurity diffusion region 5 and the n-type impurity diffusion region 8 are formed on the surface of the silicon substrate 1 as shown in FIG. Expose.

次に、図７（ｈ）に示すように、シリコン基板１のｐ型不純物拡散領域５およびｎ型不純物拡散領域８が露出している表面上にパッシベーション膜１０を形成する。   Next, as shown in FIG. 7H, a passivation film 10 is formed on the surface of the silicon substrate 1 where the p-type impurity diffusion region 5 and the n-type impurity diffusion region 8 are exposed.

次に、図７（ｉ）に示すように、シリコン基板１のパッシベーション膜１０が形成されている側と反対側の表面をテクスチャエッチングすることによってテクスチャ構造１５を形成する。   Next, as shown in FIG. 7I, the texture structure 15 is formed by texture-etching the surface of the silicon substrate 1 opposite to the side on which the passivation film 10 is formed.

次に、図７（ｊ）に示すように、シリコン基板１のテクスチャ構造１５上に反射防止膜９を形成する。   Next, as shown in FIG. 7 (j), an antireflection film 9 is formed on the texture structure 15 of the silicon substrate 1.

次に、図７（ｋ）に示すように、パッシベーション膜１０の一部を除去することによってコンタクトホール１１およびコンタクトホール１２を形成して、コンタクトホール１１からｎ型不純物拡散領域８の表面を露出させるとともに、コンタクトホール１２からｐ型不純物拡散領域５の表面を露出させる。   Next, as shown in FIG. 7 (k), a part of the passivation film 10 is removed to form a contact hole 11 and a contact hole 12, and the surface of the n-type impurity diffusion region 8 is exposed from the contact hole 11. In addition, the surface of the p-type impurity diffusion region 5 is exposed from the contact hole 12.

次に、図７（ｌ）に示すように、コンタクトホール１１を通してｎ型不純物拡散領域８に電気的に接続されるｎ型用電極１３を形成するとともに、コンタクトホール１２を通してｐ型不純物拡散領域５に電気的に接続されるｐ型用電極１４を形成する。   Next, as shown in FIG. 7 (l), an n-type electrode 13 electrically connected to the n-type impurity diffusion region 8 through the contact hole 11 is formed, and the p-type impurity diffusion region 5 through the contact hole 12 is formed. A p-type electrode 14 electrically connected to is formed.

以上により、本実施の形態における裏面電極型太陽電池セルを作製することができる。
なお、本発明の裏面電極型太陽電池セルの概念には、シリコン基板の一方の表面（裏面）のみにｐ型用電極およびｎ型用電極の双方が形成された構成の裏面電極型太陽電池セルだけでなく、ＭＷＴ（Metal Wrap Through）セル（シリコン基板に設けられた貫通孔に電極の一部を配置した構成の太陽電池セル）などのいわゆるバックコンタクト型太陽電池セル（シリコンの受光面と反対側の裏面から電流を取り出す構造の太陽電池セル）も含まれる。 As described above, the back electrode type solar battery cell in this embodiment can be manufactured.
The concept of the back electrode type solar cell of the present invention includes a back electrode type solar cell having a configuration in which both the p-type electrode and the n-type electrode are formed only on one surface (back side) of the silicon substrate. In addition to so-called back contact solar cells (opposite to the silicon light-receiving surface) such as MWT (Metal Wrap Through) cells (solar cells having a configuration in which a part of an electrode is arranged in a through hole provided in a silicon substrate) Solar cell having a structure in which a current is taken out from the back surface on the side).

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

本発明は、裏面電極型太陽電池セルの製造方法に好適に利用することができる。 The present invention can be suitably used in the manufacturing method of the back surface electrode type solar cell.

１ シリコン基板、４ ｐ型不純物拡散剤、４ａ ボロンシリケートガラス層、４ｂ ボロンシリサイド層、５ ｐ型不純物拡散領域、５ａ 第１のｐ型不純物拡散領域、５ｂ 第２のｐ型不純物拡散領域、７ ｎ型不純物拡散剤、７ａ リンシリケートガラス層、８ ｎ型不純物拡散領域、９ 反射防止膜、１０ パッシベーション膜、１１，１２ コンタクトホール、１３ ｎ型用電極、１３ａ ｎ型用集電電極、１４ ｐ型用電極、１４ａ ｐ型用集電電極、１５ テクスチャ構造、１６ 拡散抑制マスク、１７ ｎ型ドーパントガス、１０１ ｎ型シリコン基板、１０２ 拡散抑制マスク、１０３ エッチングペースト、１０４ ｐ型ドーパントガス、１０５ 第１のｐ型不純物拡散領域、１０６ 第２のｐ型不純物拡散領域、１０７ ｎ型ドーパントガス、１０８ ｎ型不純物拡散領域、１０９ 反射防止膜、１１０ パッシベーション膜、１１１，１１２ コンタクトホール、１１３ ｐ型用電極、１１４ ｎ型用電極、１１５ テクスチャ構造。   1 silicon substrate, 4 p-type impurity diffusion agent, 4a boron silicate glass layer, 4b boron silicide layer, 5 p-type impurity diffusion region, 5a first p-type impurity diffusion region, 5b second p-type impurity diffusion region, 7 n-type impurity diffusing agent, 7a phosphorus silicate glass layer, 8 n-type impurity diffusion region, 9 antireflection film, 10 passivation film, 11, 12 contact hole, 13 n-type electrode, 13a n-type collector electrode, 14 p Type electrode, 14a current collector for p type, 15 texture structure, 16 diffusion suppression mask, 17 n type dopant gas, 101 n type silicon substrate, 102 diffusion suppression mask, 103 etching paste, 104 p type dopant gas, 105 1 p-type impurity diffusion region, 106 second p-type impurity diffusion region, 107 n-type dopant Scan, 108 n-type impurity diffusion regions, 109 anti-reflection film, 110 a passivation film, 111 and 112 a contact hole, 113 p-type electrode, 114 n-type electrode, 115 textured.

Claims (3)

半導体基板の表面の一部に第１導電型ドーパントを含有する第１導電型ドーパント拡散剤を塗布する工程と、
前記第１導電型ドーパント拡散剤から前記半導体基板の前記表面に前記第１導電型ドーパントを拡散させることによって第１導電型ドーパント拡散層を形成する工程と、
前記第１導電型ドーパント拡散層の形成後の前記第１導電型ドーパント拡散剤の残部の少なくとも一部を拡散抑制マスクとして前記半導体基板の前記表面に第２導電型ドーパントを拡散させることによって第２導電型ドーパント拡散層を形成する工程と、
を含み、
前記第１導電型ドーパント拡散剤の残部は、ボロンシリサイド層、またはボロンシリサイド層とボロンシリケートガラス層との積層体を含み、
前記第１導電型ドーパント拡散剤の残部の厚さが１０ｎｍ以上である、裏面電極型太陽電池セルの製造方法。 Applying a first conductivity type dopant diffusing agent containing a first conductivity type dopant to a part of the surface of the semiconductor substrate;
Forming a first conductivity type dopant diffusion layer by diffusing the first conductivity type dopant from the first conductivity type dopant diffusing agent to the surface of the semiconductor substrate;
The second conductivity type dopant is diffused on the surface of the semiconductor substrate by using at least a part of the remaining portion of the first conductivity type dopant diffusing agent after the formation of the first conductivity type dopant diffusion layer as a diffusion suppression mask. Forming a conductive dopant diffusion layer;
Only including,
The remainder of the first conductivity type dopant diffusing agent includes a boron silicide layer or a laminate of a boron silicide layer and a boron silicate glass layer,
The manufacturing method of the back electrode type photovoltaic cell whose remaining part thickness of the said 1st conductivity type dopant diffusing agent is 10 nm or more . 前記第１導電型ドーパント拡散層を形成する工程は、前記第１導電型ドーパント拡散剤が塗布された前記半導体基板を熱処理することにより行なわれることを特徴とする、請求項１に記載の裏面電極型太陽電池セルの製造方法。 The first step of forming a conductive dopant diffusion layer, the first conductive dopant diffusing agent, characterized in that the carried out by annealing the semiconductor substrate coated, the back electrode of claim 1 Type solar cell manufacturing method. 前記第２導電型ドーパント拡散層を形成する工程は、前記第２導電型ドーパントを含有するガスを用いた気相拡散および前記第２導電型ドーパントを含有する第２導電型ドーパント拡散剤を用いた固相拡散の少なくとも一方により行なわれることを特徴とする、請求項１または２に記載の裏面電極型太陽電池セルの製造方法。 In the step of forming the second conductivity type dopant diffusion layer, vapor phase diffusion using a gas containing the second conductivity type dopant and a second conductivity type dopant diffusing agent containing the second conductivity type dopant were used. The method for producing a back electrode type solar cell according to claim 1 or 2 , wherein the method is performed by at least one of solid phase diffusion.
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