JP2011028014A - 光デバイスおよび光送信機 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光デバイスは、基板と、マッハツェンダ光変調器と、間仕切り電極と、を備えている。基板は、電気光学効果を有する。マッハツェンダ光変調器は、電気力線が生じるバイアス電極を有する。間仕切り電極は、バイアス電極から生じる電気力線が、マッハツェンダ光変調器のうちの他方の光変調器の光導波路に与える影響を緩和する。これにより、各マッハツェンダ光変調器の各バイアス電極からの電気力線が他方の光変調器に与える影響が低減され、変調精度が向上する。
【選択図】図1
Description
図1は、実施の形態1にかかる光デバイスの構成例を示す平面図である。図1に示すように、実施の形態1にかかる光デバイス100は、基板101と、マッハツェンダ光変調器110,120と、間仕切り電極170と、を備えている。マッハツェンダ光変調器110,120のそれぞれは、基板101に並列で設けられ、信号が印加される信号電極およびバイアス電圧が印加されるバイアス電極をそれぞれの光導波路の付近に有する。
図4は、実施の形態2にかかる光デバイスの構成例を示す平面図である。図4において、図1に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図4に示すように、実施の形態2にかかる光デバイス100の間仕切り電極170は、ワイヤ401を用いたワイヤボンディングによって接地電極153に対して接続されている。
図8は、実施の形態3にかかる光デバイスの構成例を示す平面図である。図9は、図8のB−B線断面図である。図8においては、光デバイス100のバイアス電極161〜164の付近を拡大して示しており、光デバイス100の構成のうちの図8に図示していない部分については図1と同様の構成である。図8に示すように、実施の形態3にかかる光デバイス100は、図1に示したバイアス電極161〜164に代えてバイアス電極810,820,830,840を備えている。
図10は、実施の形態4にかかる光デバイスの構成例を示す平面図である。図10において、図1に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。実施の形態4にかかる光デバイス100は、偏波多重などで用いられる2出力のDQPSK(Differential Quadrature Phase Shift Keying:差動四位相偏移変調)変調器である。
図13は、光変調器に適用した光デバイスの構成例を示す平面図である。図13に示すように、光デバイス1300は、光デバイス100および偏波多重カプラ1310(偏波多重部)を備えている。光デバイス100は、たとえば図5に示した光デバイス100である。ただし、図5に示した光デバイス100に限らず、上述した各実施の形態にかかる光デバイス100を光デバイス1300に適用することができる。
図15は、光デバイスを備える光送信機の構成例を示す平面図である。図15に示すように、光送信機1500は、光源1510と、データ生成部1520と、光デバイス1530と、を備えている。光源1510は、連続光を生成して光デバイス1530へ出力する。データ生成部1520は、光デバイス1530の光変調器へ印加するデータ信号を生成して光デバイス1530へ出力する。
上述した各実施の形態にかかる間仕切り電極170を、たとえば、バイアス電極161〜164と材料が同じ電極にするとよい。これにより、バイアス電極161〜164と間仕切り電極170を同様の電極形成プロセスで形成することができる。さらに、上述した各実施の形態にかかる間仕切り電極170を、バイアス電極161〜164と厚みが同じ電極にするとよい。これにより、バイアス電極161〜164と間仕切り電極170を1回の電極形成プロセスで形成することができる。
上述した各実施の形態においては、基板101にZカット基板を用いる場合について説明したが、基板101にXカット基板を用いることもできる。
前記基板に設けられ、電気力線が生じるバイアス電極を有する複数の光変調器と、
前記バイアス電極から生じる電気力線が、前記複数の光変調器のうちの他方の光変調器の光導波路に与える影響を緩和する間仕切り導体と、
を備えることを特徴とする光デバイス。
前記間仕切り導体は、前記筐体の内側における前記電極に対して電気的に接続されることを特徴とする付記1に記載の光デバイス。
前記間仕切り導体は、前記接地電極に対して電気的に接続されることを特徴とする付記1に記載の光デバイス。
前記複数の光変調器のうちの前記一端部から遠い光変調器の前記バイアス電極は、両端部のうちの前記接地電極に遠い端部が前記一端部へ導出されることを特徴とする付記9に記載の光デバイス。
前記間仕切り導体は、前記複数の光変調器のそれぞれの前記フィード部の間まで導出されることを特徴とする付記1に記載の光デバイス。
前記第二バイアス電極から生じる電気力線が、前記複数の干渉計のうちの他方の干渉計の光導波路に与える影響を緩和する第二間仕切り導体と、
を備えることを特徴とする付記1に記載の光デバイス。
QPSK(Quadrature Phase Shift Keying)を行うことを特徴とする付記4に記載の光デバイス。
前記複数の光変調器へ印加するデータ信号を生成するデータ生成部と、
を備えることを特徴とする光送信機。
101 基板
101a 端部
102,1001 分岐光導波路
110,120 マッハツェンダ光変調器
111,121 入射導波路
112,113,122,123,1011,1012,1021,1022 並行導波路
114,124 出射導波路
141,142 信号電極
151〜153 接地電極
161〜164,810,820,830,840,1031〜1034 バイアス電極
170,1040,1050,1060 間仕切り電極
211,212,221,222 電気力線
401,721〜725 ワイヤ
611〜615,814,824,834,844 フィード部
621〜624 電極パッド
625 間仕切り電極パッド
710 筐体
731〜735 ピン
811〜813,821〜823,831〜833,841〜843 並行電極
1010,1020 マッハツェンダ干渉計
1111,1112 電極
1210 空孔部
1410 光合波導波路
Claims (10)
- 電気光学効果を有する基板と、
前記基板に設けられ、電気力線が生じるバイアス電極を有する複数の光変調器と、
前記バイアス電極から生じる電気力線が、前記複数の光変調器のうちの他方の光変調器の光導波路に与える影響を緩和する間仕切り導体と、
を備えることを特徴とする光デバイス。 - 前記間仕切り導体は、前記複数の光変調器の前記バイアス電極を互いに仕切る位置に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。
- 前記間仕切り導体は、前記基板に設けられた間仕切り電極であることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。
- 前記複数の光変調器のそれぞれは、信号が印加される信号電極およびバイアス電圧が印加される前記バイアス電極をそれぞれの光導波路の付近に有するマッハツェンダ光変調器であることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。
- 前記基板には、前記光変調器の信号電極に対する接地電極が設けられ、
前記間仕切り導体は、前記接地電極に対して電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。 - 前記基板に設けられ、前記複数の光変調器、前記間仕切り導体および電気力線が生じる第二バイアス電極をそれぞれの光導波路に有する複数の干渉計と、
前記第二バイアス電極から生じる電気力線が、前記複数の干渉計のうちの他方の干渉計の光導波路に与える影響を緩和する第二間仕切り導体と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。 - 前記間仕切り導体は、前記複数の光変調器の前記バイアス電極のそれぞれの付近に設けられた複数の導体であることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。
- 前記複数の光変調器によって変調された各光信号を偏波多重する偏波多重部を備えることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。
- 前記複数の光変調器によって変調された各光信号を合波する合波部を備え、
QPSK(Quadrature Phase Shift Keying)を行うことを特徴とする請求項4に記載の光デバイス。 - 請求項1〜9のいずれか一つに記載の光デバイスと、
前記複数の光変調器へ印加するデータ信号を生成するデータ生成部と、
を備えることを特徴とする光送信機。
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