JP2011018430A

JP2011018430A - スタンパの製造方法

Info

Publication number: JP2011018430A
Application number: JP2010116927A
Authority: JP
Inventors: Takuya Shimada; 拓哉島田; Shinobu Sugimura; 忍杉村; Yoshiyuki Kamata; 芳幸鎌田; Masatoshi Sakurai; 正敏櫻井
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2009-06-12
Filing date: 2010-05-21
Publication date: 2011-01-27
Anticipated expiration: 2030-05-21
Also published as: JP5058297B2; US20100314253A1

Abstract

【課題】凹凸パターンを欠損なく加工し得、かつ耐久性の良いスタンパを製造する。
【解決手段】凹凸を有するスタンパの表面にパルス電流をかけて、凹凸をエッチングする。
【選択図】図２

Description

本発明は、射出成形やインプリント技術などによりパターンを転写して大量の情報記録媒体を生産するために使用されるスタンパの製造方法に関する。

最近、情報記録装置の記録容量の増大は、磁気記録媒体の記録密度の向上により実現しており、このような高記録密度を目指す磁気記録媒体として、例えば同心円状に形成され複数のデータ記録用トラックに、磁性部と非磁性部とからなるパターンが形成されたディスクリート型磁気記録媒体（ＤｉｓｃｒｅｔｅＴｒａｃｋＲｅｃｏｒｄｉｎｇ：ＤＴＲ）が知られている。

このような磁気記録媒体の製造方法には、例えば特許文献１に開示されるようなニッケル（Ｎｉ）製スタンパを金型として利用するナノインプリント法や射出成型等が採用されている。
ところで、ディスクリート型磁気記録媒体の製造において用いられるスタンパは、媒体の高記録密度化にともない、例えばトラックピッチが１００ｎｍ以下の凹凸パターンを形成する微細加工技術が要求されるようになっている。

ところが、このように凹凸パターンのトラックピッチが狭くなり高密度化すると、より狭いピッチに対しては媒体凸部への書き込み・読み込み性能を維持するために十分にひろい凸部が必要になることから、より細い凹パターンをＥＢにより描画しなければならない。しかしＥＢ描画装置の限界により数ｎｍの溝を描画することは困難であり、今後、高密度な原盤を得られなくなることが問題となる。

特開２００８−１２７０５号公報

本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、凹凸パターンを欠損なく加工し得、かつ耐久性の良いスタンパを製造することにある。

本発明に係るスタンパの製造方法は、
凹凸を有する原盤の表面に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に第１の電鋳層を形成し、
前記原盤から前記第１の電鋳層および前記第１の導電層を剥離して、前記原盤の凹凸が転写された第１のスタンパを形成し、
前記第１のスタンパ表面に第１の離型層を形成し、
前記第１の離型層上に第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上に第２の電鋳層を形成し、
前記第１のスタンパから前記第２の電鋳層および前記第２の導電層を剥離して、前記第１のスタンパの凹凸が転写された第２のスタンパを形成し、
前記第２のスタンパの表面に、第２の離型層を形成し、
前記第２の離型層上に第３の導電層を形成し、
前記第３の導電層上に第３の電鋳層を形成し、
前記第２のスタンパから前記第３の電鋳層および前記第３の導電層を剥離して、前記第２のスタンパの凹凸が転写された第３のスタンパを形成し、
前記第３のスタンパ表面にパルス電流をかけて、該第３のスタンパの凹凸をエッチングに供することを特徴とする。

本発明によれば、凹凸パターンを欠損なく加工し得、かつ耐久性の良いスタンパを製造することができる。

本発明にかかるスタンパの製造方法の一例を説明するための断面模式図である。本発明にかかるスタンパの製造方法の一例を説明するための断面模式図である。本発明に使用可能な電鋳装置の模式図である。本発明を用いた磁気記録媒体の製造工程の一例を表す断面模式図である。本発明を用いた磁気記録媒体を搭載し得る磁気記録再生装置の一例を表す図である。

本発明のスタンパの製造方法では、原盤の凹凸パターンを転写して、第１のスタンパ、第２のスタンパ、及び第３のスタンパを形成する。

まず、凹凸パターンを有する原盤の表面に第１の導電層を形成し、第１の導電層上に第１の電鋳層を形成し、原盤から前記第１の電鋳層および前記第１の導電層を剥離して、原盤の凹凸が転写された第１のスタンパを形成する。

続いて、第１のスタンパ表面に第１の離型層を形成し、第１の離型層上に第２の導電層を形成し、第２の導電層上に第２の電鋳層を形成し、第１のスタンパから第２の電鋳層および第２の導電層を剥離して、第１のスタンパの凹凸が転写された第２のスタンパを形成する。

さらに、第２のスタンパ上に第２の離型層を形成し、第２の離型層上に第３の導電層を形成し、第３の導電層上に第３の電鋳層を形成し、第２のスタンパから第３の電鋳層および第３の導電層を剥離して、第２のスタンパの凹凸が転写された第３のスタンパを形成する。

本発明に係るスタンパの製造方法においては、第３のスタンパ表面にパルス電流をかけて、第３のスタンパの凹凸をエッチングに供することを特徴としている。

本発明によれば、パルス電流により、正電流でめっき金属の析出、逆電流でめっき金属のエッチングが繰り返し起こる。ナノパターンの凹凸にパルス電流をかけると、めっき金属の析出よりもめっき金属のエッチングが優先し、結果的に滑らかなエッチングを行うことができる。

本発明を用いると、第３のスタンパをパルス電流をかけてエッチングすることにより、ナノ凹凸パターンのエッチングが可能となって凹凸の凸部を細くでき、ラインエッジラフネスが良好となり、凹凸表面、及び例えば凹凸によるらせんや同心円やドットのパターンが粗くならない。また、めっき金属の析出、エッチングの繰り返しにより、ダストが除去される。さらに、スタンパ及び転写パターンの粗さ、損傷が少なく、スタンパの耐久性が向上して、複製可能枚数が大幅に増加する。

また、凹凸は、１００ｎｍ以下好ましくは７５から９０ｎｍのトラックピッチをもつ周期的パターンを有することが好ましい。

エッチングは、めっき溶液中で行われる。

めっき溶液としては、スルファミン酸Ｎｉが好ましく、他にも硫酸Ｎｉ・塩化Ｎｉ混合溶液（ワット浴）などを用いることが出来る。

パルス電流は、正電流及び逆電流を交互にかけ、周波数１００Ｈｚ以上好ましくは５００ないし５０００Ｈｚ、積算電流０．１〜５.０μＡ・分／ｍｍ^２でかけることが好ましい。

以下、図面を参照し、本発明をより詳細に説明する。

第１の実施形態
図１は、第１の実施の形態にかかるスタンパの製造方法を説明するための断面模式図である。このスタンパの製造には、塗布装置、描画装置、現像装置、成膜装置および電鋳装置などが用いられ、以下の様なプロセスで作製される。

まず、図１（ａ）に示すように塗布装置により、ガラスもしくはＳｉ基材などの原盤基板１１上に例えばスピンコート法によってレジストを塗布してレジスト層１２を形成する。

次に、図１（ｂ）に示すように描画装置により、塗布装置によって形成されたレジスト層に電子線（ＥＢ）を照射することにより潜像を形成し、さらに、現像装置により、描画装置による潜像の形成が完了したレジスト層１２を現像することによって凹凸パターンを形成する。これら一連の工程で作製された基板を原盤１０と呼ぶ。

次に、図１（ｃ）に示すように成膜装置により、原盤１０の凹凸パターン上に導電膜１３を形成し、さらに、図１（ｄ）に示すように電鋳装置により、スルファミン酸Ｎｉ浴の電解めっき処理によって導電膜１３の上に電鋳層１４を形成する。そして、原盤１０より導電膜１３と電鋳層１４からなる層を剥離し、図１（ｅ）に示す第１のスタンパとしてのファザースタンパ１５を作製する。

次に、図１（ｆ）に示すようにファザースタンパ１５の凹凸パターン上に離型層として、陽極酸化法や酸素プラズマアッシング法等により酸化膜１６を形成し、その後、図１（ｇ）に示すように酸化膜１６上にＮｉからなる電鋳層１７を形成し、これを剥離して図１（ｈ）に示す第２のスタンパとしてのマザースタンパ１８を複製する。

次に、図２（ｉ）に示すようにマザースタンパ１８の凹凸パターン上に離型層として、陽極酸化法や酸素プラズマアッシング法等により酸化膜１９を形成し、その後、図２（ｊ）に示すように酸化膜１９上にＮｉからなる電鋳層２０を形成し、これを剥離して図２（ｋ）に示す第３のスタンパとしてのサンスタンパ２１を複製する。

このようにして得られたサンスタンパ２１の表面を、スルファミン酸Ｎｉ浴に漬け、下の条件にてパルス電流をかけ、表面凹凸パターンをエッチングする。このエッチングには、電鋳装置を用いる。

ここでパターン凹凸は８５ｎｍピッチ、高さ５０ｎｍ、幅３０ｎｍのサンスタンパを用いた。

周波数：５００Ｈｚ
Ｏｎ−Ｔｉｍｅ：１ｍ秒
Ｏｆｆ−Ｔｉｍｅ：１ｍ秒
正（析出側）電流：１．００Ａ
逆（溶解側）電流：０．９９Ａ
積算電流：１．０μＡ・分／ｍｍ^２
このようにして得られたパルスエッチングサンスタンパ２２のパターン凹凸は、図２（ｌ）に示すように、高さ５０ｎｍ、幅１８ｎｍと、パルス電流をかける前と比較して１２ｎｍエッチングされた。

更にＬＥＲ（ＬｉｎｅＥｄｇｅＲｏｕｇｈｎｅｓｓ）をエッチング前後で比較したところ、０．３５ｎｍ改善した。

その後、凹凸パターン面に保護膜をスピンコートした後、乾燥させ、必要に応じて裏面研磨、打ち抜きなどの工程を経て最終形態の媒体大量転写のためのスタンパが完成する。

ここで、上述した導電性薄膜１３には、物理的、機械的強度が強く、腐食や磨耗に対して強く、しかも、電鋳材のＮｉとの密着性を考慮して、Ｎｉを主成分とするものを使用することができる。また、電鋳層１４、１７、および２０としては、Ｎｉ、或いはＮｉと、Ｃｏ、Ｓ、ＢもしくはＰとを含む材料を用いることができる。

図３に、本発明に使用される電鋳装置の一例の構成を表す概略図を示す。

例えばスルファミン酸液に浸漬し、示すように凹凸パターンが形成された原盤、ファザースタンパ、またはマザースタンパ（以下、母体１５０という）に電鋳層を形成する場合は、この母体１５０の外周を治具１５２により把持する。この治具１５２は回転軸５４に支持され、回転軸５４はモータ５６によって回転可能となっている。すなわち、治具１５２によって把持された母体１５０はモータ５６によって回転させられる。治具１５２によって把持された母体１５０は、電鋳装置６０の容器６２内のめっき液６４に浸漬される。電鋳装置６０の電鋳槽６２内のめっき液６４に、Ｎｉのペレット６６が堆積されたケース６５が浸漬されている。このケース６５は、容器６２内で開口を有する隔壁板６７によって、母体５０がめっき液６４に浸漬される側とは分離されている。なお、隔壁板６７の開口に対向するように、めっきされる母体１５０が配置される。そして、整流器７０によってケース６５に正の電位を、母体１５０に負の電位を与え、上記開口と母体１５０との間に図示しない調整槽よりフィルターを通っためっき液を吐出ノズル６８より吐出することにより、母体１５０に電鋳層が形成される。吐出ノズル６８より吐出されためっき液は、隔壁板６７によって隔壁された母体１５０側の部屋を満たした後、オーバーフローしてケース６５側の部屋を満たし、吐出量と釣合うようにドレン６９より図示しない調整槽にめっき液を戻すことにより、循環させている。

この電鋳装置を本発明に用いられるパルス電流を用いたエッチングに供する場合には、整流器に換えてパルス波形を発生できる直流電源にすることが好ましい。

第２の実施形態
実施例１と同様にサンスタンパ２１まで作製した後に、サンスタンパの表面を前記スルファミン酸Ｎｉ浴に漬け、下の条件にてパルス電流をかけ、表面凹凸パターンをエッチングする。

周波数：５００Ｈｚ
Ｏｎ−Ｔｉｍｅ：１ｍ秒
Ｏｆｆ−Ｔｉｍｅ：１ｍ秒
正（析出側）電流：１．００Ａ
逆（溶解側）電流：０．９９Ａ
積算電流：０．２μＡ・分／ｍｍ^２
このようにして得られたパルスエッチングサンスタンパのパターン凹凸は高さ５０ｎｍ、幅２５ｎｍと、パルス電流をかける前と比較して５ｎｍエッチングされた。エッチング前後のＬＥＲを比較したところ、０．９１ｎｍ改善した。

第３の実施形態
実施例１と同様にサンスタンパ２１まで作製した後に、このサンスタンパをマスターとして、図１（ｅ）〜（ｈ）、図２（ｉ）〜（ｋ）の工程を繰り返し、グランドサンスタンパを作製する。このようにして得られたグランドサンスタンパの表面を前記スルファミン酸Ｎｉ浴に漬け、下の条件にてパルス電流をかけ、表面凹凸パターンをエッチングする。

ここで、パターン凹凸は８５ｎｍピッチ、高さ４７ｎｍ、幅２７ｎｍのグランドサンスタンパを用いた。

周波数：５００Ｈｚ
Ｏｎ−Ｔｉｍｅ：１ｍ秒
Ｏｆｆ−Ｔｉｍｅ：１ｍ秒
正（析出側）電流：１．００Ａ
逆（溶解側）電流：０．９９Ａ
積算電流：１．６μＡ・分／ｍｍ^２
このようにして得られたパルスエッチンググランドサンスタンパのパターン凹凸は高さ４０ｎｍ、幅８ｎｍと、パルス電流をかける前と比較して１９ｎｍエッチングされた。エッチング前後のＬＥＲを比較したところ、１．３０ｎｍ改善した。

第４の実施形態
実施例１と同様にサンスタンパ２１まで作製した後に、このサンスタンパをマスターとして、図１（ｅ）〜（ｈ）、図２（ｉ）〜（ｋ）の工程を繰り返し、グランドサンスタンパを作製する。このようにして得られたグランドサンスタンパの表面を前記スルファミン酸Ｎｉ浴に漬け、下の条件にてパルス電流をかけ、表面凹凸パターンをエッチングする。

ここでパターン凹凸は８５ｎｍピッチ、高さ４７ｎｍ、幅２７ｎｍのグランドサンスタンパを用いた。

周波数：５０００Ｈｚ
Ｏｎ−Ｔｉｍｅ：０.１ｍ秒
Ｏｆｆ−Ｔｉｍｅ：０.１ｍ秒
正（析出側）電流：１．００Ａ
逆（溶解側）電流：０．９９Ａ
積算電流：４．８μＡ・分／ｍｍ^２
このようにして得られたパルスエッチンググランドサンスタンパのパターン凹凸は高さ３５ｎｍ、幅１０ｎｍと、パルス電流をかける前と比較して１７ｎｍエッチングされた。エッチング前後のＬＥＲを比較したところ、０．０３ｎｍ改善した。

第５の実施の形態
実施例１と同様にサンスタンパ２１まで作製した後に、このサンスタンパをマスターとして、図１（ｅ）〜（ｈ）、図２（ｉ）〜（ｋ）の工程を繰り返し、グランドサンスタンパを作製する。このようにして得られたグランドサンスタンパの表面を前記スルファミン酸Ｎｉ浴に漬け、下の条件にてパルス電流をかけ、表面凹凸パターンをエッチングする。

周波数：５０００Ｈｚ
Ｏｎ−Ｔｉｍｅ：０.１ｍ秒
Ｏｆｆ−Ｔｉｍｅ：０.１ｍ秒
正（析出側）電流：１．００Ａ
逆（溶解側）電流：０．９９Ａ
積算電流：６．０μＡ・分／ｍｍ^２
このようにして得られたパルスエッチンググランドサンスタンパのパターン凹凸は高さ２０ｎｍ、幅１５ｎｍと、パルス電流をかける前と比較して１２ｎｍエッチングされた。エッチング前後のＬＥＲを比較したところ、０．５６ｎｍ悪化した。

第６の実施の形態
実施例１と同様にサンスタンパ２１まで作製した後に、このサンスタンパの表面を前記スルファミン酸Ｎｉ浴に漬け、下の条件にてパルス電流をかけ、表面凹凸パターンをエッチングする。

ここでパターンはドット形状を描画装置によって形成し、ドットピッチ９０ｎｍ、高さ３７ｎｍ、直径５０ｎｍとなる。

周波数：５００Ｈｚ
Ｏｎ−Ｔｉｍｅ：１ｍ秒
Ｏｆｆ−Ｔｉｍｅ：１ｍ秒
正（析出側）電流：１．００Ａ
逆（溶解側）電流：０．９９Ａ
積算電流：０．６μＡ・分／ｍｍ^２
このようにして得られたパルスエッチンサンスタンパのパターン凹凸は高さ３５ｎｍ、直径４０ｎｍと、パルス電流をかける前と比較してドット直径が１０ｎｍエッチングされた。パターン形状は角柱型から円筒型にエッチングされエッジ形状が低減した。

本実施例で作製したスタンパはＬＥＲ向上およびドットパターンエッジが低減するため、複製可能回数が大幅に増加する。一般的にスタンパ複製において、転写効率は１００％未満であることから複製を繰り返すことで、スタンパのパターンは摩耗しラフネスが悪化していき、その後のインプリント過程に悪影響を与える。本提案による加工方法を用いれば、作製したスタンパのラフネスが向上することから、複製可能回数が大幅に、具体的には従来の複製回数を二倍にすることが可能である。

また、本実施例で作製したスタンパのパターンに付着したダストの個数を光学反射式微細欠陥検査装置、例えばＶＩＳＩＯＮＰＳＹＴＥＣ社製ＭｉｃｒｏＭａｘにてカウントしたところ従来の複製方法では１１５個発生していたものが、本提案によるエッチング方法では１８個発生することから、パルス電流によるエッチングによりダストが除去される効果が発現する。

比較例１
実施例１と同様にサンスタンパ２１まで作製した後に、得られたサンスタンパ２１の表面を前記スルファミン酸Ｎｉ浴に漬け、下の条件にてパルス電流をかけ、表面凹凸パターンをエッチングする。

周波数：５０Ｈｚ
Ｏｎ−Ｔｉｍｅ：１００ｍ秒
Ｏｆｆ−Ｔｉｍｅ：１００ｍ秒
正（析出側）電流：１．００Ａ
逆（溶解側）電流：０．９９Ａ
積算電流：１．０μＡ・分／ｍｍ^２
このようにして得られたパルスエッチンサンスタンパのパターン凹凸は高さ１０ｎｍ、幅１０ｎｍと、パターンが消失した。

図４（ａ）〜（ｆ）を参照してＤＴＲ媒体の製造方法の一例を概略的に説明する。

第１の実施形態、第２の実施形態、及び比較例にかかるスタンパを用い、図４（ａ）〜（ｆ）に示す方法によりＤＴＲ媒体を製造した。

基板５０上に磁性層５１を成膜し、その上にレジスト５２を塗布する（図４ａ）。基板としては、例えばガラス基板、Ａｌ系合金基板、セラミック、カーボンや、酸化表面を有するＳｉ単結晶基板、及びこれらの基板にＮｉＰ等のめっきが施されたもの等を用いることができる。ガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあり、アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。セラミック基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物などが使用可能である。基板としては、上記金属基板、非金属基板の表面にめっき法やスパッタ法を用いてＮｉＰ層が形成されたものを用いることもできる。また，基板上への薄膜の形成方法として以下ではスパッタリング法のみを取り上げたが，真空蒸着法や電解めっき法などでも同様の効果を得ることができる。磁性層、特に垂直磁気記録層としては、Ｃｏを主成分とするとともに少なくともＰｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなり、この酸化物としては、特に酸化シリコン，酸化チタンが好適である。垂直磁気記録層は、層中に磁性粒子（磁性を有した結晶粒子）が分散していることが好ましい。この磁性粒子は、垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造であることが好ましい。次に、凹凸パターンを有するスタンパ３０を用意し、スタンパ３０のパターン面をレジスト５２に対向させ、インプリント法によりスタンパ３０のパターンをレジスト５２に転写する（図４ｂ）。インプリント法としてはスタンパをレジストが塗布された基板に圧着などしながらレジストを硬化させることで、レジストにそのパターンを転写する。スタンパ及び基板は、スタンパの凹凸面と基板のレジスト膜側を対向させる。なお、レジストについては、ＵＶ硬化樹脂やノボラック等を主成分とした一般的なレジスト材などを用いることができる。ＵＶ硬化樹脂を使用する場合は、スタンパ材は石英や樹脂などの光を透過させるものがよい。レジストは紫外線を受光させることで硬化させることができる。紫外線の発光は例えば高圧水銀ランプを用いればよい。ノボラック等を主成分とした一般的なレジストを使用する場合は、スタンパ材はＮｉ，石英、Ｓｉ、ＳｉＣなどの材質を用いることができる。レジストは熱、圧力等を加えることで硬化させることができる。次に、酸素ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、レジスト５２の凹部に残存しているレジスト残渣を除去する（図４ｃ）。プラズマソースは、低圧で高密度プラズマが生成可能なＩＣＰ（ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ）が好適だが、ＥＣＲ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｌｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマ、一般的な並行平板型ＲＩＥ装置でも構わない。次に、パターン化されたレジスト５２ａをマスクとして、イオンミリングにより磁性層５１をエッチングして加工する（図４ｄ）。酸素アッシングにより残存しているレジスト５２ａを剥離する（図４ｅ）。必要に応じて、凹部に非磁性体を充填し、全面に保護膜５３を形成してＤＴＲ媒体を製造することができる（図４ｆ）。保護層としては、垂直磁気記録層の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐ目的設けられる。その材料としては、例えばＣ、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２を含むものがあげられる。保護層の厚さは、１から１０ｎｍとすることが好ましい。

図５に本発明を用いて作成し得る磁気記録再生装置の一例を表す概略図を示す。

得られたＤＴＲ媒体を用いて、図５に示すような磁気記録装置（ハードディスクドライブ）を作製した。この磁気記録装置は、筐体７０の内部に、上記の磁気記録媒体（ＤＴＲ媒体）７１と、磁気記録媒体７１を回転させるスピンドルモータ７２と、磁気ヘッドを組み込んだヘッドスライダ７６と、ヘッドスライダ７６を支持する、サスペンション７５およびアクチュエータアーム７４を含むヘッドサスペンションアッセンブリと、ヘッドサスペンションアッセンブリのアクチュエータとしてのボイスコイルモータ（ＶＣＭ）７７とを備えている。

磁気記録媒体７１はスピンドルモータ７２によって回転される。ヘッドスライダ７６にはライトヘッドとリードヘッドを含む磁気ヘッドが組み込まれている。アクチュエータアーム７４はピボット７３に回動自在に取り付けられている。アクチュエータアーム７４の一端にサスペンション７５が取り付けられる。ヘッドスライダ７６はサスペンション７５に設けられたジンバルを介して弾性支持されている。アクチュエータアーム７４の他端にはボイスコイルモータ（ＶＣＭ）７７が設けられている。ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）７７はアクチュエータアーム７４にピボット７３周りの回転トルクを発生させ、磁気ヘッドを磁気記録媒体７１の任意の半径位置上に浮上した状態で位置決めする。

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものでなく、実施段階では、その要旨を変更しない範囲で種々変形することが可能である。また、上述した実施の形態の形状や数値などは実際のものと異なる個所があるが、これらは公知の技術を参酌して適宜、設計変更することができる。

さらに、上記実施の形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示されている複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出できる。例えば、実施の形態に示されている全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題を解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出できる。

１０…原盤、１１…原盤基板
１２…レジスト層、１３…導電膜
１４…電鋳層、１５…ファザースタンパ
１６…酸化膜、１７…電鋳層
１８…マザースタンパ、１９…導電性薄膜
２０…剥離層、２１…転写膜
２２…電鋳層２３…サンスタンパ
２４…エッチング後サンスタンパ

Claims

凹凸を有する原盤の表面に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に第１の電鋳層を形成し、
前記原盤から前記第１の電鋳層および前記第１の導電層を剥離して、前記原盤の凹凸が転写された第１のスタンパを形成し、
前記第１のスタンパ表面に第１の離型層を形成し、
前記第１の離型層上に第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上に第２の電鋳層を形成し、
前記第１のスタンパから前記第２の電鋳層および前記第２の導電層を剥離して、前記第１のスタンパの凹凸が転写された第２のスタンパを形成し、
前記第２のスタンパの表面に、第２の離型層を形成し、
前記第２の離型層上に第３の導電層を形成し、
前記第３の導電層上に第３の電鋳層を形成し、
前記第２のスタンパから前記第３の電鋳層および前記第３の導電層を剥離して、前記第２のスタンパの凹凸が転写された第３のスタンパを形成し、
前記第３のスタンパ表面にパルス電流をかけて、該第３のスタンパの凹凸をエッチングに供することを特徴とするスタンパの製造方法。
前記凹凸は、１００ｎｍ以下のトラックピッチをもつ周期的パターンを有し、
前記エッチングは、スルファミン酸Ｎｉ溶液中において行われ、前記パルス電流は、正電流及び逆電流を交互にかけ、周波数１００Ｈｚ以上、積算電流０．１〜５.０μＡ・分／ｍｍ^２でかけること特徴とする請求項1記載の方法。
凹凸を有するスタンパの表面にパルス電流をかけて、凹凸をエッチングすることを特徴とするスタンパの加工方法。