JP2011014780A - 半導体装置用基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】例えばガラス基板の反りの発生を抑制し、信頼性の高い半導体装置用基板を効率的に製造する。
【解決手段】半導体装置用基板の製造方法は、第１素子基板（２００ａ）と第２素子基板（２００ｂ）とを、第１基板（２０ａ）における第１半導体素子（３０ａ）が形成された面と、第２基板（２０ｂ）における第２半導体素子（３０ｂ）が形成された面とが互いに対向するように配置し、接着材（５００）を介して互いに貼り合わせる貼合工程と、貼合工程の後に、第１基板における第１半導体素子が形成されていない面、及び第２基板における第２半導体素子が形成されていない面に対して薄板化処理を施す薄板化工程とを含む。更に、第１及び第２基板の各々に支持基板（１１）を貼り付ける支持基板貼付工程と、第１及び第２素子基板から接着材を剥離することにより、第１及び第２素子基板を互いに分離する分離工程とを含む。
【選択図】図４

Description

本発明は、例えば電子ペーパー等のフレキシブルデバイスに用いられる半導体装置用基板の製造方法の技術分野に関する。

この種の半導体装置用基板は、例えば電子ペーパー等のフレキシブルデバイスに用いられ、例えば薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）」と適宜称する）等の半導体素子を備えてなる。

この種の半導体装置用基板を製造する製造方法として、先ず、ガラス基板上に半導体素子を形成し、このガラス基板を、半導体素子が形成された側とは異なる側から研磨することにより薄く加工した後、ガラス基板における半導体素子が形成された側とは異なる側に、例えばプラスチック基板等からなる可撓性に優れた支持基板を貼り付ける方法が知られている（例えば特許文献１参照）。このような方法によれば、半導体素子を形成する際の高温プロセスにおける熱によって支持基板を損傷させることなく、耐熱性の低い例えばプラスチック基板等の支持基板上に半導体素子を設けることが可能となる。

例えば特許文献１では、ガラス基板を物理的研磨した後に、ガラス基板表面に存在するクラックを化学的研磨することにより、クラック先端部の形状を先鋭状から曲率を持つ形状にすることで、ガラス基板の強度を向上させる技術が開示されている。また、例えば特許文献２では、２枚の極薄いガラス基板間に高分子材料を含む層を挟持してなる可撓性基板が開示されている。

特開２００３−３３０００４号公報 特開２００６−２１６４５６号公報

しかしながら、上述した製造方法によれば、例えば、ガラス基板に対して半導体素子が形成された面とは異なる側の面から研磨処理等を施すことによりガラス基板を研磨するので、ガラス基板に対する半導体素子からの応力によってガラス基板に反りが発生してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。このようなガラス基板の反りは、ガラス基板が薄くなればなるほど顕著に発生してしまうおそれがある。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えばガラス基板の反りの発生を抑制でき、信頼性の高い半導体装置用基板を効率的に製造することが可能な半導体装置用基板の製造方法を提供することを課題とする。

本発明に係る半導体装置用基板の製造方法は上記課題を解決するために、第１基板上に第１半導体素子が形成されてなる第１素子基板と、第２基板上に第２半導体素子が形成されてなる第２素子基板とを、前記第１基板における前記第１半導体素子が形成された面と、前記第２基板における前記第２半導体素子が形成された面とが互いに対向するように配置し、接着材を介して互いに貼り合わせる貼合工程と、前記貼合工程の後に、前記第１基板における前記第１半導体素子が形成された面とは異なる側の面、及び前記第２基板における前記第２半導体素子が形成された面とは異なる側の面に対して薄板化処理を施すことにより、前記第１及び第２基板の各々の厚さを薄くする薄板化工程と、前記薄板化工程の後に、前記第１基板における前記第１半導体素子が形成された面とは異なる側の面、及び前記第２基板における前記第２半導体素子が形成された面とは異なる側の面の各々に支持基板を貼り付ける支持基板貼付工程と、前記支持基板貼付工程の後に、前記第１及び第２素子基板から前記接着材を剥離することにより、前記第１及び第２素子基板を互いに分離する分離工程とを含む。

本発明に係る半導体装置用基板の製造方法によれば、先ず、貼合工程において、第１素子基板と第２素子基板とを、第１基板における第１半導体素子が形成された面と第２基板における第２半導体素子が形成された面とが互いに対向するように配置し、例えば熱剥離性を有する粘着シート或いは樹脂等の接着材を介して互いに貼り合わせる。ここで、第１及び第２基板の各々は、典型的にはガラス基板であり、例えばシリコン等の無機半導体を含む半導体素子を例えば１０００℃程度の高温プロセスによって当該基板上に形成可能な程度に耐熱性に優れた基板である。即ち、貼合工程では、２枚の素子基板（即ち、第１及び第２素子基板）は、各素子基板における半導体素子が形成された面が互いに対向するように、接着材を介して貼り合わされる。

次に、薄板化工程において、第１基板における第１半導体素子が形成された面とは異なる側の面（即ち、第１基板における第１半導体素子が形成された面とは反対側の面、つまり、第１基板における第１半導体素子が形成されていない側の面、言い換えれば、第１及び第２素子基板が貼合工程によって貼り合わされた状態で、第１基板における第２素子基板に対向しない側の面）と、第２基板における第２半導体素子が形成された面とは異なる側の面（即ち、第２基板における第２半導体素子が形成された面とは反対側の面、つまり、第２基板における第２半導体素子が形成されていない側の面、言い換えれば、第１及び第２素子基板が貼合工程によって貼り合わされた状態で、第２基板における第１素子基板に対向しない側の面）とに対して例えばエッチング処理、機械的或いは化学的研磨処理等の薄板化処理を施すことにより、第１及び第２基板の各々の厚さ（即ち、板厚）を薄くする。言い換えれば、貼合工程によって貼り合わされた第１及び第２素子基板に対して、各々における接着材に対向しない側（即ち、接着材から見て第１基板側及び第２基板側）から薄板化処理を施すことにより、第１及び第２基板の各々の厚さを薄くする。

薄板化工程によれば、貼合工程によって貼り合わされた第１及び第２素子基板に対して、接着材から見て第１基板側及び第２基板側から薄板化処理を施すので、例えば仮に何らの対策も施さず、ガラス基板上に半導体素子が形成されてなる１枚の素子基板に対して、そのガラス基板における半導体素子が形成されていない側のみから薄板化処理を施す場合と比較して、第１及び第２基板に反りが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。

次に、支持基板貼付工程において、第１基板における第１半導体素子が形成された面とは異なる側の面、及び第２基板における第２半導体素子が形成された面とは異なる側の面の各々に支持基板を貼り付ける。支持基板は、典型的には可撓性を有する基板であり、例えば、ガラスファイバーを含んでなる基板、ステンレス基板、アルミニウム基板、プラスチック基板等であってもよい。

次に、分離工程において、第１及び第２素子基板から接着材を剥離することにより、第１及び第２素子基板を互いに分離する。これにより、第１半導体素子が形成され薄板化処理が施された第１基板に支持基板が貼り付けられてなる第１の半導体装置用基板と、第２半導体素子が形成され薄板化処理が施された第２基板に支持基板が貼り付けられてなる第２の半導体装置用基板との２つの半導体装置用基板を製造することができる。

本発明では特に、薄板化工程の後において、分離工程を行う前に支持基板貼付工程を行うので、例えば仮に薄板化工程の後において、第１及び第２基板の各々に支持基板を貼り付けることなく、第１及び第２素子基板から接着材を剥離することにより、第１及び第２素子基板を互いに分離する場合と比較して、第１及び第２基板に反りが発生してしまうことをより確実に抑制或いは防止できる。

以上説明したように、本発明に係る半導体装置用基板の製造方法によれば、第１及び第２基板に反りが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。よって、第１及び第２基板の反りに起因して半導体装置用基板における他の部分に不良が発生してしまうことを抑制或いは防止できる。従って、半導体装置用基板の製造プロセスにおける歩留りを向上させることができる。更に、本発明に係る半導体装置用基板の製造方法によれば、貼合工程によって第１及び第２素子基板を貼り合わせ、該貼り合わされた第１及び第２素子基板に対して、薄板化工程、支持基板貼付工程及び分離工程を行うので、例えば仮に何らの対策も施さず、１枚の素子基板に対して薄板化処理を施した後に、素子基板に支持基板を貼り付けることにより１枚の半導体装置用基板を製造する場合と比較して、半導体装置用基板の製造プロセスにおけるスループットを向上させることができる（即ち、半導体装置用基板の生産性或いは製造効率を高めることができる）。

即ち、本発明に係る半導体装置用基板の製造方法によれば、第１及び第２基板の反りの発生を抑制或いは防止でき、信頼性の高い半導体装置用基板を効率的に製造することが可能となる。

本発明に係る半導体装置用基板の製造方法の一態様では、前記薄板化処理は、エッチング処理、機械的研磨処理及び化学的研磨処理のうち少なくとも一つを含む。

この態様によれば、薄板化工程において、第１及び第２基板の各々の厚さを例えば高精度に或いは効率的に薄くすることができる。

本発明に係る半導体装置用基板の製造方法の他の態様では、前記接着材は、熱剥離性を有する。

この態様によれば、分離工程において、接着材を加熱することにより、第１及び第２素子基板から接着材を容易に剥離することができ、第１及び第２素子基板を容易に互いに分離することができる。よって、半導体装置用基板の生産性をより一層高めることができる。また、熱剥離性を有する接着材以外に水溶性の接着材などを使用しても構わない。

本発明に係る半導体装置用基板の製造方法の他の態様では、前記第１及び第２基板の各々は、ガラス基板であり、前記支持基板は、ガラスを含んでなる可撓性基板である。

この態様によれば、第１及び第２基板の各々はガラス基板であるので、当該基板上に例えばシリコン等の無機半導体を含む半導体素子を例えば１０００℃程度の高温プロセスによって形成可能である。更に、支持基板は、ガラス（例えばガラスファイバー）を含んでなる可撓性基板であるので、第１及び第２基板との熱膨張係数（即ち、熱膨張率）の差が比較的小さい。よって、第１及び第２基板と支持基板との熱膨張係数の差に起因して、第１或いは第２基板に例えば変形或いは割れ等の損傷が発生してしまうことを抑制或いは防止できる。

尚、第１或いは第２基板に例えば変形或いは割れ等の損傷が発生してしまうことを抑制或いは防止するという観点からは、第１及び第２基板と支持基板との熱膨張係数は互いに近ければ近いほどよい。

本発明に係る半導体装置用基板の製造方法の他の態様では、前記薄板化工程は、前記薄板化処理を、前記第１基板における前記第１半導体素子が形成された面とは異なる側の面、及び前記第２基板における前記第２半導体素子が形成された面とは異なる側の面に対して同時に施す。

この態様によれば、薄板化工程において、貼合工程によって貼り合わされた第１及び第２素子基板に対して、接着材から見て第１基板側及び第２基板側（即ち、接着材から見て両側）から同時に薄板化処理を施すので、第１及び第２基板に反りが発生してしまうことをより確実に抑制或いは防止できる。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。

第１実施形態に係る半導体装置用基板の全体構成を示す断面図である。 第１実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図（その１）である。 第１実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図（その２）である。 第１実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図（その３）である。 第１実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図（その４）である。 第１実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図（その５）である。 第１実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図（その６）である。 比較例に係る製造方法を説明するための工程断面図である。 半導体装置用基板を適用した電子機器の一例たる電子ペーパーの構成を示す斜視図である。 半導体装置用基板を適用した適用した電子機器の一例たる電子ノートの構成を示す斜視図である。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。

＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法について、図１から図７を参照して説明する。

先ず、本実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法によって製造される半導体装置用基板の構成について、図１を参照して説明する。

図１は、本実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法によって製造される半導体装置用基板の構成を模式的に示す断面図である。

図１において、本実施形態に係る半導体装置用基板１００は、可撓性を有する支持基板１１上に、各種回路を構成する複数のＴＦＴ３０を備えた回路基板であり、例えば電子ペーパー等のフレキシブルデバイスに用いられる。尚、図１では、説明の便宜上、ＴＦＴ３０を１個のみ図示し、他のＴＦＴ３０の図示を省略している。

図１において、半導体装置用基板１００は、支持基板１１と、ガラス基板１０と、ＴＦＴ３０とを備えている。

支持基板１１は、可撓性基板（即ち、撓る或いは湾曲することが可能な基板）であり、ガラスファイバーを含んでなる。尚、支持基板１１は、可撓性を有していれば、例えばステンレス基板、アルミニウム基板、プラスチック基板等であってもよい。

ガラス基板１０は、支持基板１１上に接着材によって貼り付けられている。ガラス基板１０は、厚さ（即ち、板厚）が例えば約５０〜１００ｕｍのガラス基板であり、可撓性を有している。

ＴＦＴ３０は、ガラス基板１０上に形成されたＴＦＴであり、半導体層３１と、ゲート電極３２と、ゲート絶縁膜２と、２つのソース・ドレイン電極３３とを備えている。

半導体層３１は、例えばポリシリコンを含んでなり、チャネル領域３１１と、２つのソース・ドレイン領域３１２とを有している。２つのソース・ドレイン領域３１２は、チャネル領域３１１を挟んで両側に配置され、チャネル領域３１１にそれぞれ隣接している。ソース・ドレイン領域３１２は、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層３１に不純物を打ち込んでなる不純物領域である。

ゲート電極３２は、半導体層３１よりもゲート絶縁膜２を介して上層側に配置されている。

ゲート絶縁膜２は、半導体層３１を上層側から覆うように形成されている。

ソース・ドレイン電極３３は、ゲート電極３２よりも層間絶縁膜４１を介して上層側に配置されている。ソース・ドレイン電極３３は、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホールを介してソース・ドレイン領域３１２に電気的に接続されている。

次に、本実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法について、図２から図７を参照して説明する。

図２から図７は、第１実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図である。尚、図３に示す工程が、本発明に係る「貼合工程」の一例であり、図４に示す工程が、本発明に係る「薄板化工程」の一例であり、図５に示す工程が、本発明に係る「支持基板貼付工程」の一例であり、図６に示す工程が、本発明に係る「分離工程」の一例である。

先ず、図２に示すように、例えば０．７〜１．０ｍｍ程度の厚さ（板厚）を有するガラス基板２０上にＴＦＴ３０を形成することにより、ＴＦＴ基板２００を形成する。この際、ＴＦＴ基板２００を複数形成する。尚、ＴＦＴ３０の形成には、通常の半導体集積化技術を用いることができる。

次に、図３に示すように、２枚のＴＦＴ基板２００（即ち、ＴＦＴ基板２００ａ及び２００ｂ）を、各ＴＦＴ基板２００におけるＴＦＴ３０が形成された面が互いに対向するように、保護シート５００を介して貼り合わせる。尚、図３では、図２を参照して上述した複数のＴＦＴ基板２００のうち２枚のＴＦＴ基板２００をそれぞれＴＦＴ基板２００ａ及び２００ｂとして図示し、ＴＦＴ基板２００ａを構成する各構成要素に添え字「ａ」を付し、ＴＦＴ基板２００ｂを構成する各構成要素に添え字「ｂ」を付している。この点については、図４から図７において同様である。また、ＴＦＴ基板２００ａは本発明に係る「第１素子基板」の一例であり、ＴＦＴ基板２００ｂは本発明に係る「第２素子基板」の一例であり、保護シート５００は本発明に係る「接着材」の一例であり、ガラス基板２０ａは本発明に係る「第１基板」の一例であり、ガラス基板２０ｂは本発明に係る「第２基板」の一例であり、ＴＦＴ３０ａは本発明に係る「第１半導体素子」の一例であり、ＴＦＴ３０ｂは本発明に係る「第２半導体素子」の一例である。

即ち、図３に示す貼合工程では、ＴＦＴ基板２００ａとＴＦＴ基板２００ｂとを、ガラス基板２０ａにおけるＴＦＴ３０ａが形成された面２０ａＳ１とガラス基板２０ｂにおけるＴＦＴ３０ｂが形成された面２０ｂＳ１とが互いに対向するように配置し、保護シート５００を介して互いに貼り合わせる。

保護シート５００は、熱剥離性を有する粘着シートである。即ち、保護シート５００は、常温で粘着力があり、加熱することにより剥がすことができるシート状の接着材である。

次に、図４に示すように、貼り合わされたＴＦＴ基板２００ａ及び２００ｂに対して、各々における保護シート５００に対向しない側（即ち、保護シート５００から見てガラス基板２０ａ側及びガラス基板２０ｂ側）から薄板化処理を施すことにより、ガラス基板２０ａ及び２０ｂの各々の厚さを薄くする。これによりガラス基板２０ａに薄板化処理が施されてなるガラス基板１０ａ、及びガラス基板２０ｂに薄板化処理が施されてなるガラス基板１０ｂが形成される。

即ち、図４に示す薄板化工程では、ガラス基板２０ａにおけるＴＦＴ３０ａが形成された面２０ａＳ１とは異なる側の面２０ａＳ２と、ガラス基板２０ｂにおけるＴＦＴ３０ｂが形成された面２０ｂＳ１とは異なる側の面２０ｂＳ１とに対して例えばエッチング処理、機械的或いは化学的研磨処理等の薄板化処理を施すことにより、ガラス基板２０ａ及び２０ｂの各々の厚さを薄くする。この際、ガラス基板２０ａ及び２０ｂの各々の厚さが例えば５０〜１００ｕｍ程度となるように薄板化処理を施す。薄板化処理としては、エッチング処理、機械的研磨処理及び化学的研磨処理のいずれか或いはこれらのうちの複数を用いることができる。

本実施形態では特に、図４に示す薄板化工程において、貼合工程によって貼り合わされたＴＦＴ基板２００ａ及び２００ｂに対して、保護シート５００から見てガラス基板２０ａ側及びガラス基板２０ｂ側から薄板化処理を施す（言い換えれば、図４中で矢印Ｐ１及びＰ２で夫々示す方向から薄板化処理を施す）ので、例えば仮に何らの対策も施さず、ガラス基板上にＴＦＴが形成されてなる１枚のＴＦＴ基板に対して、そのガラス基板におけるＴＦＴが形成されていない側のみから薄板化処理を施す場合（後述する図８参照）と比較して、ガラス基板１０ａ（即ち、薄板化処理が施されたガラス基板２０ａ）及びガラス基板１０ｂ（即ち、薄板化処理が施されたガラス基板２０ｂ）に反りが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。

更に、本実施形態では特に、図４に示す薄板化工程において、薄板化処理を、ガラス基板２０ａにおけるＴＦＴ３０ａが形成されていない面２０ａＳ２と、ガラス基板２０ｂにおけるＴＦＴ２０ｂが形成されていない面２０ｂＳ２とに対して同時に施す。よって、ガラス基板１０ａ（即ち、薄板化処理が施されたガラス基板２０ａ）及びガラス基板１０ｂ（即ち、薄板化処理が施されたガラス基板２０ｂ）に反りが発生してしまうことをより確実に抑制或いは防止できる。

次に、図５に示すように、ガラス基板１０ａ（即ち、薄板化処理が施されたガラス基板２０ａ）におけるＴＦＴ３０ａが形成された面２０ａＳ１とは異なる側の面２０ａＳ２に支持基板１１ａを貼り付け、ガラス基板１０ｂ（即ち、薄板化処理が施されたガラス基板２０ｂ）におけるＴＦＴ３０ｂが形成された面２０ｂＳ１とは異なる側の面２０ｂＳ２に支持基板１１ｂを貼り付ける。支持基板１１（即ち、支持基板１１ａ及び１１ｂ）は、可撓性基板であり、ガラスファイバーを含んでなる。

次に、図６に示すように、保護シート５００を加熱してＴＦＴ基板２００ａ及び２００ｂから保護シート５００を剥離することにより、ＴＦＴ基板２００ａ及び２００ｂを互いに分離する。

これにより、図７に示すように、薄板化処理が施されたＴＦＴ基板２００ａに支持基板１１ａが貼り付けられてなる半導体装置用基板１００ａと、薄板化処理が施されたＴＦＴ基板２００ｂに支持基板１１ｂが貼り付けられてなる半導体装置用基板１００ｂとを製造することができる。即ち、図２から図７までの一連の工程によって、２つの半導体装置用基板１００ａ及び１００ｂを製造することができ、半導体装置用基板の生産性を高めることができる。

本実施形態では特に、上述したように保護シート５００は熱剥離性を有するので、図６に示した分離工程において、保護シート５００を加熱することにより、ＴＦＴ基板２００ａ及び２００ｂから保護シート５００を容易に剥離することができ、ＴＦＴ基板２００ａ及び２００ｂを容易に互いに分離することができる。よって、半導体装置用基板１００の生産性をより一層高めることができる。

更に、本実施形態では特に、薄板化工程（図４参照）の後において、分離工程（図６参照）を行う前に支持基板貼付工程（図５参照）を行うので、例えば仮に薄板化工程の後において、ガラス基板１０ａ及び１０ｂの各々に支持基板１１を貼り付けることなく、ＴＦＴ基板２００ａ及び２００ｂから保護シート５００を剥離することにより、ＴＦＴ基板２００ａ及び２００ｂを互いに分離する場合と比較して、ガラス基板１０ａ及び１０ｂに反りが発生してしまうことをより確実に抑制或いは防止できる。

加えて、本実施形態では特に、上述したように支持基板１１（即ち、支持基板１１ａ及び１１ｂ）は、ガラスファイバーを含んでなる可撓性基板であるので、ガラス基板１０（即ち、ガラス基板１０ａ及び１０ｂ）との熱膨張係数の差が比較的小さい。よって、ガラス基板１０と支持基板１１との熱膨張係数の差に起因して、ガラス基板１０に例えば変形或いは割れ等の損傷が発生してしまうことを抑制或いは防止できる。

尚、ガラス基板１０に例えば変形或いは割れ等の損傷が発生してしまうことを抑制或いは防止するという観点からは、ガラス基板１０と支持基板１１との熱膨張係数は互いに近ければ近いほどよい。

以上説明したように、本実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法によれば、ガラス基板１０（即ち、ガラス基板１０ａ及び１０ｂ）に反りが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。よって、ガラス基板１０の反りに起因して半導体装置用基板１００（即ち、半導体装置用基板１０ａ及び１０ｂ）における他の部分に不良が発生してしまうことを抑制或いは防止できる。従って、半導体装置用基板１００の製造プロセスにおける歩留りを向上させることができる。

ここで、比較例に係る半導体装置用基板の製造方法について、図８を参照して説明する。

図８は、比較例に係る半導体装置用基板の製造方法を説明するための工程断面図である。尚、図８は、比較例における、ＴＦＴ基板を構成するガラス基板に薄板化処理を施す工程を示しており、上述した本実施形態における図４に対応する図である。図８において、ＴＦＴ基板２００ｃは、上述した本実施形態に係るＴＦＴ基板２００と概ね同様に構成されており、ＴＦＴ基板２００ｃを構成する各構成要素に添え字「ｃ」を付している。また、ＴＦＴ基板２００ｃは、保護シート５９０によって覆われている。

図８に比較例として示すように、例えば仮に何らの対策も施さず、１枚のＴＦＴ基板２００ｃに対して、そのガラス基板２０ｃにおけるＴＦＴ３０ｃが形成されていない側のみから薄板化処理を施す（つまり、ガラス基板２０ｃにおけるＴＦＴ３０ｃが形成されていない側の面２０ｃＳ２のみに対して薄板化処理を施す）ことによりガラス基板１０ｃを形成する場合には、ガラス基板１０ｃ（即ち、薄板化されたガラス基板２０ｃ）に対するＴＦＴ３０ｃからの応力によってガラス基板１０ｃに反りが発生してしまうおそれがある。

しかるに本実施形態では特に、図４を参照して上述したように、貼り合わされたＴＦＴ基板２００ａ及び２００ｂに対して、保護シート５００から見てガラス基板２０ａ側及びガラス基板２０ｂ側から薄板化処理を施すので、ガラス基板１０ａ（即ち、薄板化処理が施されたガラス基板２０ａ）及びガラス基板１０ｂ（即ち、薄板化処理が施されたガラス基板２０ｂ）に反りが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。更に、本実施形態では特に、上述したように、薄板化工程（図４参照）の後において、分離工程（図６参照）を行う前に支持基板貼付工程（図５参照）を行うので、ガラス基板１０ａ及び１０ｂに反りが発生してしまうことをより確実に抑制或いは防止できる。

＜電子機器＞
次に、上述した半導体装置用基板を適用した電子機器について、図９及び図１０を参照して説明する。以下では、上述した半導体装置用基板を電子ペーパー及び電子ノートに適用した場合を例にとる。

図９は、電子ペーパー１４００の構成を示す斜視図である。

図９に示すように、電子ペーパー１４００は、上述した実施形態に係る半導体装置用基板を適用した電気泳動表示装置を表示部１４０１として備えている。電子ペーパー１４００は可撓性を有し、従来の紙と同様の質感及び柔軟性を有する書き換え可能なシートからなる本体１４０２を備えて構成されている。

図１０は、電子ノート１５００の構成を示す斜視図である。

図１０に示すように、電子ノート１５００は、図９で示した電子ペーパー１４００が複数枚束ねられ、カバー１５０１に挟まれているものである。カバー１５０１は、例えば外部の装置から送られる表示データを入力するための表示データ入力手段（図示せず）を備える。これにより、その表示データに応じて、電子ペーパーが束ねられた状態のまま、表示内容の変更や更新を行うことができる。

上述した電子ペーパー１４００及び電子ノート１５００は、上述した実施形態に係る半導体装置用基板が適用された電気泳動表示装置を備えるので、信頼性が高く、高品質な画像表示を行うことが可能である。

尚、本発明に係る半導体装置用基板によって製造される半導体装置用基板は、上述した電子ペーパー及び電子ノート以外にも、各種のフレキシブルデバイスに適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う半導体装置用基板の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

１０、１０ａ、１０ｂ、２０、２０ａ、２０ｂ…ガラス基板、１１、１１ａ、１１ｂ…支持基板、３０、３０ａ、３０ｂ…ＴＦＴ、１００、１００ａ、１００ｂ…半導体装置用基板、２００、２００ａ、２００ｂ…ＴＦＴ基板、５００…保護シート

Claims (5)

1. 第１基板上に第１半導体素子が形成されてなる第１素子基板と、第２基板上に第２半導体素子が形成されてなる第２素子基板とを、前記第１基板における前記第１半導体素子が形成された面と、前記第２基板における前記第２半導体素子が形成された面とが互いに対向するように配置し、接着材を介して互いに貼り合わせる貼合工程と、
   前記貼合工程の後に、前記第１基板における前記第１半導体素子が形成された面とは異なる側の面、及び前記第２基板における前記第２半導体素子が形成された面とは異なる側の面に対して薄板化処理を施すことにより、前記第１及び第２基板の各々の厚さを薄くする薄板化工程と、
   前記薄板化工程の後に、前記第１基板における前記第１半導体素子が形成された面とは異なる側の面、及び前記第２基板における前記第２半導体素子が形成された面とは異なる側の面の各々に支持基板を貼り付ける支持基板貼付工程と、
   前記支持基板貼付工程の後に、前記第１及び第２素子基板から前記接着材を剥離することにより、前記第１及び第２素子基板を互いに分離する分離工程と
   を含むことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
2. 前記薄板化処理は、エッチング処理、機械的研磨処理及び化学的研磨処理のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用基板の製造方法。
3. 前記接着材は、熱剥離性を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置用基板の製造方法。
4. 前記第１及び第２基板の各々は、ガラス基板であり、
   前記支持基板は、ガラスを含んでなる可撓性基板である
   ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置用基板の製造方法。
5. 前記薄板化工程は、前記薄板化処理を、前記第１基板における前記第１半導体素子が形成された面とは異なる側の面、及び前記第２基板における前記第２半導体素子が形成された面とは異なる側の面に対して同時に施すことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置用基板の製造方法。

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