JP2011014780A - 半導体装置用基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】例えばガラス基板の反りの発生を抑制し、信頼性の高い半導体装置用基板を効率的に製造する。
【解決手段】半導体装置用基板の製造方法は、第1素子基板(200a)と第2素子基板(200b)とを、第1基板(20a)における第1半導体素子(30a)が形成された面と、第2基板(20b)における第2半導体素子(30b)が形成された面とが互いに対向するように配置し、接着材(500)を介して互いに貼り合わせる貼合工程と、貼合工程の後に、第1基板における第1半導体素子が形成されていない面、及び第2基板における第2半導体素子が形成されていない面に対して薄板化処理を施す薄板化工程とを含む。更に、第1及び第2基板の各々に支持基板(11)を貼り付ける支持基板貼付工程と、第1及び第2素子基板から接着材を剥離することにより、第1及び第2素子基板を互いに分離する分離工程とを含む。
【選択図】図4
【解決手段】半導体装置用基板の製造方法は、第1素子基板(200a)と第2素子基板(200b)とを、第1基板(20a)における第1半導体素子(30a)が形成された面と、第2基板(20b)における第2半導体素子(30b)が形成された面とが互いに対向するように配置し、接着材(500)を介して互いに貼り合わせる貼合工程と、貼合工程の後に、第1基板における第1半導体素子が形成されていない面、及び第2基板における第2半導体素子が形成されていない面に対して薄板化処理を施す薄板化工程とを含む。更に、第1及び第2基板の各々に支持基板(11)を貼り付ける支持基板貼付工程と、第1及び第2素子基板から接着材を剥離することにより、第1及び第2素子基板を互いに分離する分離工程とを含む。
【選択図】図4
Description
本発明は、例えば電子ペーパー等のフレキシブルデバイスに用いられる半導体装置用基板の製造方法の技術分野に関する。
この種の半導体装置用基板は、例えば電子ペーパー等のフレキシブルデバイスに用いられ、例えば薄膜トランジスタ(以下、「TFT(Thin Film Transistor)」と適宜称する)等の半導体素子を備えてなる。
この種の半導体装置用基板を製造する製造方法として、先ず、ガラス基板上に半導体素子を形成し、このガラス基板を、半導体素子が形成された側とは異なる側から研磨することにより薄く加工した後、ガラス基板における半導体素子が形成された側とは異なる側に、例えばプラスチック基板等からなる可撓性に優れた支持基板を貼り付ける方法が知られている(例えば特許文献1参照)。このような方法によれば、半導体素子を形成する際の高温プロセスにおける熱によって支持基板を損傷させることなく、耐熱性の低い例えばプラスチック基板等の支持基板上に半導体素子を設けることが可能となる。
例えば特許文献1では、ガラス基板を物理的研磨した後に、ガラス基板表面に存在するクラックを化学的研磨することにより、クラック先端部の形状を先鋭状から曲率を持つ形状にすることで、ガラス基板の強度を向上させる技術が開示されている。また、例えば特許文献2では、2枚の極薄いガラス基板間に高分子材料を含む層を挟持してなる可撓性基板が開示されている。
しかしながら、上述した製造方法によれば、例えば、ガラス基板に対して半導体素子が形成された面とは異なる側の面から研磨処理等を施すことによりガラス基板を研磨するので、ガラス基板に対する半導体素子からの応力によってガラス基板に反りが発生してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。このようなガラス基板の反りは、ガラス基板が薄くなればなるほど顕著に発生してしまうおそれがある。
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えばガラス基板の反りの発生を抑制でき、信頼性の高い半導体装置用基板を効率的に製造することが可能な半導体装置用基板の製造方法を提供することを課題とする。
本発明に係る半導体装置用基板の製造方法は上記課題を解決するために、第1基板上に第1半導体素子が形成されてなる第1素子基板と、第2基板上に第2半導体素子が形成されてなる第2素子基板とを、前記第1基板における前記第1半導体素子が形成された面と、前記第2基板における前記第2半導体素子が形成された面とが互いに対向するように配置し、接着材を介して互いに貼り合わせる貼合工程と、前記貼合工程の後に、前記第1基板における前記第1半導体素子が形成された面とは異なる側の面、及び前記第2基板における前記第2半導体素子が形成された面とは異なる側の面に対して薄板化処理を施すことにより、前記第1及び第2基板の各々の厚さを薄くする薄板化工程と、前記薄板化工程の後に、前記第1基板における前記第1半導体素子が形成された面とは異なる側の面、及び前記第2基板における前記第2半導体素子が形成された面とは異なる側の面の各々に支持基板を貼り付ける支持基板貼付工程と、前記支持基板貼付工程の後に、前記第1及び第2素子基板から前記接着材を剥離することにより、前記第1及び第2素子基板を互いに分離する分離工程とを含む。
本発明に係る半導体装置用基板の製造方法によれば、先ず、貼合工程において、第1素子基板と第2素子基板とを、第1基板における第1半導体素子が形成された面と第2基板における第2半導体素子が形成された面とが互いに対向するように配置し、例えば熱剥離性を有する粘着シート或いは樹脂等の接着材を介して互いに貼り合わせる。ここで、第1及び第2基板の各々は、典型的にはガラス基板であり、例えばシリコン等の無機半導体を含む半導体素子を例えば1000℃程度の高温プロセスによって当該基板上に形成可能な程度に耐熱性に優れた基板である。即ち、貼合工程では、2枚の素子基板(即ち、第1及び第2素子基板)は、各素子基板における半導体素子が形成された面が互いに対向するように、接着材を介して貼り合わされる。
次に、薄板化工程において、第1基板における第1半導体素子が形成された面とは異なる側の面(即ち、第1基板における第1半導体素子が形成された面とは反対側の面、つまり、第1基板における第1半導体素子が形成されていない側の面、言い換えれば、第1及び第2素子基板が貼合工程によって貼り合わされた状態で、第1基板における第2素子基板に対向しない側の面)と、第2基板における第2半導体素子が形成された面とは異なる側の面(即ち、第2基板における第2半導体素子が形成された面とは反対側の面、つまり、第2基板における第2半導体素子が形成されていない側の面、言い換えれば、第1及び第2素子基板が貼合工程によって貼り合わされた状態で、第2基板における第1素子基板に対向しない側の面)とに対して例えばエッチング処理、機械的或いは化学的研磨処理等の薄板化処理を施すことにより、第1及び第2基板の各々の厚さ(即ち、板厚)を薄くする。言い換えれば、貼合工程によって貼り合わされた第1及び第2素子基板に対して、各々における接着材に対向しない側(即ち、接着材から見て第1基板側及び第2基板側)から薄板化処理を施すことにより、第1及び第2基板の各々の厚さを薄くする。
薄板化工程によれば、貼合工程によって貼り合わされた第1及び第2素子基板に対して、接着材から見て第1基板側及び第2基板側から薄板化処理を施すので、例えば仮に何らの対策も施さず、ガラス基板上に半導体素子が形成されてなる1枚の素子基板に対して、そのガラス基板における半導体素子が形成されていない側のみから薄板化処理を施す場合と比較して、第1及び第2基板に反りが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。
次に、支持基板貼付工程において、第1基板における第1半導体素子が形成された面とは異なる側の面、及び第2基板における第2半導体素子が形成された面とは異なる側の面の各々に支持基板を貼り付ける。支持基板は、典型的には可撓性を有する基板であり、例えば、ガラスファイバーを含んでなる基板、ステンレス基板、アルミニウム基板、プラスチック基板等であってもよい。
次に、分離工程において、第1及び第2素子基板から接着材を剥離することにより、第1及び第2素子基板を互いに分離する。これにより、第1半導体素子が形成され薄板化処理が施された第1基板に支持基板が貼り付けられてなる第1の半導体装置用基板と、第2半導体素子が形成され薄板化処理が施された第2基板に支持基板が貼り付けられてなる第2の半導体装置用基板との2つの半導体装置用基板を製造することができる。
本発明では特に、薄板化工程の後において、分離工程を行う前に支持基板貼付工程を行うので、例えば仮に薄板化工程の後において、第1及び第2基板の各々に支持基板を貼り付けることなく、第1及び第2素子基板から接着材を剥離することにより、第1及び第2素子基板を互いに分離する場合と比較して、第1及び第2基板に反りが発生してしまうことをより確実に抑制或いは防止できる。
以上説明したように、本発明に係る半導体装置用基板の製造方法によれば、第1及び第2基板に反りが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。よって、第1及び第2基板の反りに起因して半導体装置用基板における他の部分に不良が発生してしまうことを抑制或いは防止できる。従って、半導体装置用基板の製造プロセスにおける歩留りを向上させることができる。更に、本発明に係る半導体装置用基板の製造方法によれば、貼合工程によって第1及び第2素子基板を貼り合わせ、該貼り合わされた第1及び第2素子基板に対して、薄板化工程、支持基板貼付工程及び分離工程を行うので、例えば仮に何らの対策も施さず、1枚の素子基板に対して薄板化処理を施した後に、素子基板に支持基板を貼り付けることにより1枚の半導体装置用基板を製造する場合と比較して、半導体装置用基板の製造プロセスにおけるスループットを向上させることができる(即ち、半導体装置用基板の生産性或いは製造効率を高めることができる)。
即ち、本発明に係る半導体装置用基板の製造方法によれば、第1及び第2基板の反りの発生を抑制或いは防止でき、信頼性の高い半導体装置用基板を効率的に製造することが可能となる。
本発明に係る半導体装置用基板の製造方法の一態様では、前記薄板化処理は、エッチング処理、機械的研磨処理及び化学的研磨処理のうち少なくとも一つを含む。
この態様によれば、薄板化工程において、第1及び第2基板の各々の厚さを例えば高精度に或いは効率的に薄くすることができる。
本発明に係る半導体装置用基板の製造方法の他の態様では、前記接着材は、熱剥離性を有する。
この態様によれば、分離工程において、接着材を加熱することにより、第1及び第2素子基板から接着材を容易に剥離することができ、第1及び第2素子基板を容易に互いに分離することができる。よって、半導体装置用基板の生産性をより一層高めることができる。また、熱剥離性を有する接着材以外に水溶性の接着材などを使用しても構わない。
本発明に係る半導体装置用基板の製造方法の他の態様では、前記第1及び第2基板の各々は、ガラス基板であり、前記支持基板は、ガラスを含んでなる可撓性基板である。
この態様によれば、第1及び第2基板の各々はガラス基板であるので、当該基板上に例えばシリコン等の無機半導体を含む半導体素子を例えば1000℃程度の高温プロセスによって形成可能である。更に、支持基板は、ガラス(例えばガラスファイバー)を含んでなる可撓性基板であるので、第1及び第2基板との熱膨張係数(即ち、熱膨張率)の差が比較的小さい。よって、第1及び第2基板と支持基板との熱膨張係数の差に起因して、第1或いは第2基板に例えば変形或いは割れ等の損傷が発生してしまうことを抑制或いは防止できる。
尚、第1或いは第2基板に例えば変形或いは割れ等の損傷が発生してしまうことを抑制或いは防止するという観点からは、第1及び第2基板と支持基板との熱膨張係数は互いに近ければ近いほどよい。
本発明に係る半導体装置用基板の製造方法の他の態様では、前記薄板化工程は、前記薄板化処理を、前記第1基板における前記第1半導体素子が形成された面とは異なる側の面、及び前記第2基板における前記第2半導体素子が形成された面とは異なる側の面に対して同時に施す。
この態様によれば、薄板化工程において、貼合工程によって貼り合わされた第1及び第2素子基板に対して、接着材から見て第1基板側及び第2基板側(即ち、接着材から見て両側)から同時に薄板化処理を施すので、第1及び第2基板に反りが発生してしまうことをより確実に抑制或いは防止できる。
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。
<第1実施形態>
第1実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法について、図1から図7を参照して説明する。
第1実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法について、図1から図7を参照して説明する。
先ず、本実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法によって製造される半導体装置用基板の構成について、図1を参照して説明する。
図1は、本実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法によって製造される半導体装置用基板の構成を模式的に示す断面図である。
図1において、本実施形態に係る半導体装置用基板100は、可撓性を有する支持基板11上に、各種回路を構成する複数のTFT30を備えた回路基板であり、例えば電子ペーパー等のフレキシブルデバイスに用いられる。尚、図1では、説明の便宜上、TFT30を1個のみ図示し、他のTFT30の図示を省略している。
図1において、半導体装置用基板100は、支持基板11と、ガラス基板10と、TFT30とを備えている。
支持基板11は、可撓性基板(即ち、撓る或いは湾曲することが可能な基板)であり、ガラスファイバーを含んでなる。尚、支持基板11は、可撓性を有していれば、例えばステンレス基板、アルミニウム基板、プラスチック基板等であってもよい。
ガラス基板10は、支持基板11上に接着材によって貼り付けられている。ガラス基板10は、厚さ(即ち、板厚)が例えば約50〜100umのガラス基板であり、可撓性を有している。
TFT30は、ガラス基板10上に形成されたTFTであり、半導体層31と、ゲート電極32と、ゲート絶縁膜2と、2つのソース・ドレイン電極33とを備えている。
半導体層31は、例えばポリシリコンを含んでなり、チャネル領域311と、2つのソース・ドレイン領域312とを有している。2つのソース・ドレイン領域312は、チャネル領域311を挟んで両側に配置され、チャネル領域311にそれぞれ隣接している。ソース・ドレイン領域312は、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層31に不純物を打ち込んでなる不純物領域である。
ゲート電極32は、半導体層31よりもゲート絶縁膜2を介して上層側に配置されている。
ゲート絶縁膜2は、半導体層31を上層側から覆うように形成されている。
ソース・ドレイン電極33は、ゲート電極32よりも層間絶縁膜41を介して上層側に配置されている。ソース・ドレイン電極33は、層間絶縁膜41に開孔されたコンタクトホールを介してソース・ドレイン領域312に電気的に接続されている。
次に、本実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法について、図2から図7を参照して説明する。
図2から図7は、第1実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図である。尚、図3に示す工程が、本発明に係る「貼合工程」の一例であり、図4に示す工程が、本発明に係る「薄板化工程」の一例であり、図5に示す工程が、本発明に係る「支持基板貼付工程」の一例であり、図6に示す工程が、本発明に係る「分離工程」の一例である。
先ず、図2に示すように、例えば0.7〜1.0mm程度の厚さ(板厚)を有するガラス基板20上にTFT30を形成することにより、TFT基板200を形成する。この際、TFT基板200を複数形成する。尚、TFT30の形成には、通常の半導体集積化技術を用いることができる。
次に、図3に示すように、2枚のTFT基板200(即ち、TFT基板200a及び200b)を、各TFT基板200におけるTFT30が形成された面が互いに対向するように、保護シート500を介して貼り合わせる。尚、図3では、図2を参照して上述した複数のTFT基板200のうち2枚のTFT基板200をそれぞれTFT基板200a及び200bとして図示し、TFT基板200aを構成する各構成要素に添え字「a」を付し、TFT基板200bを構成する各構成要素に添え字「b」を付している。この点については、図4から図7において同様である。また、TFT基板200aは本発明に係る「第1素子基板」の一例であり、TFT基板200bは本発明に係る「第2素子基板」の一例であり、保護シート500は本発明に係る「接着材」の一例であり、ガラス基板20aは本発明に係る「第1基板」の一例であり、ガラス基板20bは本発明に係る「第2基板」の一例であり、TFT30aは本発明に係る「第1半導体素子」の一例であり、TFT30bは本発明に係る「第2半導体素子」の一例である。
即ち、図3に示す貼合工程では、TFT基板200aとTFT基板200bとを、ガラス基板20aにおけるTFT30aが形成された面20aS1とガラス基板20bにおけるTFT30bが形成された面20bS1とが互いに対向するように配置し、保護シート500を介して互いに貼り合わせる。
保護シート500は、熱剥離性を有する粘着シートである。即ち、保護シート500は、常温で粘着力があり、加熱することにより剥がすことができるシート状の接着材である。
次に、図4に示すように、貼り合わされたTFT基板200a及び200bに対して、各々における保護シート500に対向しない側(即ち、保護シート500から見てガラス基板20a側及びガラス基板20b側)から薄板化処理を施すことにより、ガラス基板20a及び20bの各々の厚さを薄くする。これによりガラス基板20aに薄板化処理が施されてなるガラス基板10a、及びガラス基板20bに薄板化処理が施されてなるガラス基板10bが形成される。
即ち、図4に示す薄板化工程では、ガラス基板20aにおけるTFT30aが形成された面20aS1とは異なる側の面20aS2と、ガラス基板20bにおけるTFT30bが形成された面20bS1とは異なる側の面20bS1とに対して例えばエッチング処理、機械的或いは化学的研磨処理等の薄板化処理を施すことにより、ガラス基板20a及び20bの各々の厚さを薄くする。この際、ガラス基板20a及び20bの各々の厚さが例えば50〜100um程度となるように薄板化処理を施す。薄板化処理としては、エッチング処理、機械的研磨処理及び化学的研磨処理のいずれか或いはこれらのうちの複数を用いることができる。
本実施形態では特に、図4に示す薄板化工程において、貼合工程によって貼り合わされたTFT基板200a及び200bに対して、保護シート500から見てガラス基板20a側及びガラス基板20b側から薄板化処理を施す(言い換えれば、図4中で矢印P1及びP2で夫々示す方向から薄板化処理を施す)ので、例えば仮に何らの対策も施さず、ガラス基板上にTFTが形成されてなる1枚のTFT基板に対して、そのガラス基板におけるTFTが形成されていない側のみから薄板化処理を施す場合(後述する図8参照)と比較して、ガラス基板10a(即ち、薄板化処理が施されたガラス基板20a)及びガラス基板10b(即ち、薄板化処理が施されたガラス基板20b)に反りが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。
更に、本実施形態では特に、図4に示す薄板化工程において、薄板化処理を、ガラス基板20aにおけるTFT30aが形成されていない面20aS2と、ガラス基板20bにおけるTFT20bが形成されていない面20bS2とに対して同時に施す。よって、ガラス基板10a(即ち、薄板化処理が施されたガラス基板20a)及びガラス基板10b(即ち、薄板化処理が施されたガラス基板20b)に反りが発生してしまうことをより確実に抑制或いは防止できる。
次に、図5に示すように、ガラス基板10a(即ち、薄板化処理が施されたガラス基板20a)におけるTFT30aが形成された面20aS1とは異なる側の面20aS2に支持基板11aを貼り付け、ガラス基板10b(即ち、薄板化処理が施されたガラス基板20b)におけるTFT30bが形成された面20bS1とは異なる側の面20bS2に支持基板11bを貼り付ける。支持基板11(即ち、支持基板11a及び11b)は、可撓性基板であり、ガラスファイバーを含んでなる。
次に、図6に示すように、保護シート500を加熱してTFT基板200a及び200bから保護シート500を剥離することにより、TFT基板200a及び200bを互いに分離する。
これにより、図7に示すように、薄板化処理が施されたTFT基板200aに支持基板11aが貼り付けられてなる半導体装置用基板100aと、薄板化処理が施されたTFT基板200bに支持基板11bが貼り付けられてなる半導体装置用基板100bとを製造することができる。即ち、図2から図7までの一連の工程によって、2つの半導体装置用基板100a及び100bを製造することができ、半導体装置用基板の生産性を高めることができる。
本実施形態では特に、上述したように保護シート500は熱剥離性を有するので、図6に示した分離工程において、保護シート500を加熱することにより、TFT基板200a及び200bから保護シート500を容易に剥離することができ、TFT基板200a及び200bを容易に互いに分離することができる。よって、半導体装置用基板100の生産性をより一層高めることができる。
更に、本実施形態では特に、薄板化工程(図4参照)の後において、分離工程(図6参照)を行う前に支持基板貼付工程(図5参照)を行うので、例えば仮に薄板化工程の後において、ガラス基板10a及び10bの各々に支持基板11を貼り付けることなく、TFT基板200a及び200bから保護シート500を剥離することにより、TFT基板200a及び200bを互いに分離する場合と比較して、ガラス基板10a及び10bに反りが発生してしまうことをより確実に抑制或いは防止できる。
加えて、本実施形態では特に、上述したように支持基板11(即ち、支持基板11a及び11b)は、ガラスファイバーを含んでなる可撓性基板であるので、ガラス基板10(即ち、ガラス基板10a及び10b)との熱膨張係数の差が比較的小さい。よって、ガラス基板10と支持基板11との熱膨張係数の差に起因して、ガラス基板10に例えば変形或いは割れ等の損傷が発生してしまうことを抑制或いは防止できる。
尚、ガラス基板10に例えば変形或いは割れ等の損傷が発生してしまうことを抑制或いは防止するという観点からは、ガラス基板10と支持基板11との熱膨張係数は互いに近ければ近いほどよい。
以上説明したように、本実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法によれば、ガラス基板10(即ち、ガラス基板10a及び10b)に反りが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。よって、ガラス基板10の反りに起因して半導体装置用基板100(即ち、半導体装置用基板10a及び10b)における他の部分に不良が発生してしまうことを抑制或いは防止できる。従って、半導体装置用基板100の製造プロセスにおける歩留りを向上させることができる。
ここで、比較例に係る半導体装置用基板の製造方法について、図8を参照して説明する。
図8は、比較例に係る半導体装置用基板の製造方法を説明するための工程断面図である。尚、図8は、比較例における、TFT基板を構成するガラス基板に薄板化処理を施す工程を示しており、上述した本実施形態における図4に対応する図である。図8において、TFT基板200cは、上述した本実施形態に係るTFT基板200と概ね同様に構成されており、TFT基板200cを構成する各構成要素に添え字「c」を付している。また、TFT基板200cは、保護シート590によって覆われている。
図8に比較例として示すように、例えば仮に何らの対策も施さず、1枚のTFT基板200cに対して、そのガラス基板20cにおけるTFT30cが形成されていない側のみから薄板化処理を施す(つまり、ガラス基板20cにおけるTFT30cが形成されていない側の面20cS2のみに対して薄板化処理を施す)ことによりガラス基板10cを形成する場合には、ガラス基板10c(即ち、薄板化されたガラス基板20c)に対するTFT30cからの応力によってガラス基板10cに反りが発生してしまうおそれがある。
しかるに本実施形態では特に、図4を参照して上述したように、貼り合わされたTFT基板200a及び200bに対して、保護シート500から見てガラス基板20a側及びガラス基板20b側から薄板化処理を施すので、ガラス基板10a(即ち、薄板化処理が施されたガラス基板20a)及びガラス基板10b(即ち、薄板化処理が施されたガラス基板20b)に反りが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。更に、本実施形態では特に、上述したように、薄板化工程(図4参照)の後において、分離工程(図6参照)を行う前に支持基板貼付工程(図5参照)を行うので、ガラス基板10a及び10bに反りが発生してしまうことをより確実に抑制或いは防止できる。
<電子機器>
次に、上述した半導体装置用基板を適用した電子機器について、図9及び図10を参照して説明する。以下では、上述した半導体装置用基板を電子ペーパー及び電子ノートに適用した場合を例にとる。
次に、上述した半導体装置用基板を適用した電子機器について、図9及び図10を参照して説明する。以下では、上述した半導体装置用基板を電子ペーパー及び電子ノートに適用した場合を例にとる。
図9は、電子ペーパー1400の構成を示す斜視図である。
図9に示すように、電子ペーパー1400は、上述した実施形態に係る半導体装置用基板を適用した電気泳動表示装置を表示部1401として備えている。電子ペーパー1400は可撓性を有し、従来の紙と同様の質感及び柔軟性を有する書き換え可能なシートからなる本体1402を備えて構成されている。
図10は、電子ノート1500の構成を示す斜視図である。
図10に示すように、電子ノート1500は、図9で示した電子ペーパー1400が複数枚束ねられ、カバー1501に挟まれているものである。カバー1501は、例えば外部の装置から送られる表示データを入力するための表示データ入力手段(図示せず)を備える。これにより、その表示データに応じて、電子ペーパーが束ねられた状態のまま、表示内容の変更や更新を行うことができる。
上述した電子ペーパー1400及び電子ノート1500は、上述した実施形態に係る半導体装置用基板が適用された電気泳動表示装置を備えるので、信頼性が高く、高品質な画像表示を行うことが可能である。
尚、本発明に係る半導体装置用基板によって製造される半導体装置用基板は、上述した電子ペーパー及び電子ノート以外にも、各種のフレキシブルデバイスに適用可能である。
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う半導体装置用基板の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
10、10a、10b、20、20a、20b…ガラス基板、11、11a、11b…支持基板、30、30a、30b…TFT、100、100a、100b…半導体装置用基板、200、200a、200b…TFT基板、500…保護シート
Claims (5)
- 第1基板上に第1半導体素子が形成されてなる第1素子基板と、第2基板上に第2半導体素子が形成されてなる第2素子基板とを、前記第1基板における前記第1半導体素子が形成された面と、前記第2基板における前記第2半導体素子が形成された面とが互いに対向するように配置し、接着材を介して互いに貼り合わせる貼合工程と、
前記貼合工程の後に、前記第1基板における前記第1半導体素子が形成された面とは異なる側の面、及び前記第2基板における前記第2半導体素子が形成された面とは異なる側の面に対して薄板化処理を施すことにより、前記第1及び第2基板の各々の厚さを薄くする薄板化工程と、
前記薄板化工程の後に、前記第1基板における前記第1半導体素子が形成された面とは異なる側の面、及び前記第2基板における前記第2半導体素子が形成された面とは異なる側の面の各々に支持基板を貼り付ける支持基板貼付工程と、
前記支持基板貼付工程の後に、前記第1及び第2素子基板から前記接着材を剥離することにより、前記第1及び第2素子基板を互いに分離する分離工程と
を含むことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。 - 前記薄板化処理は、エッチング処理、機械的研磨処理及び化学的研磨処理のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置用基板の製造方法。
- 前記接着材は、熱剥離性を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置用基板の製造方法。
- 前記第1及び第2基板の各々は、ガラス基板であり、
前記支持基板は、ガラスを含んでなる可撓性基板である
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置用基板の製造方法。 - 前記薄板化工程は、前記薄板化処理を、前記第1基板における前記第1半導体素子が形成された面とは異なる側の面、及び前記第2基板における前記第2半導体素子が形成された面とは異なる側の面に対して同時に施すことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置用基板の製造方法。
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-
2009
- 2009-07-03 JP JP2009158842A patent/JP2011014780A/ja not_active Withdrawn
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