JP2009231533A - 剥離方法、剥離装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】剥離を容易に行うことができる剥離方法を提供する。また、剥離精度を向上させることにより、装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】本発明に係る剥離方法は、剥離層(3)とその上部に形成された半導体素子(55)とを有する第１基板(S1)と、前記第１基板の前記半導体素子形成面と接着層(18)を介して接合された第２基板（S2)とを有する積層基板(S)の剥離方法であって、負圧状態下で、前記積層基板の前記剥離層(3)の層内又は界面から前記第１基板と前記第２基板とを剥離する。かかる方法によれば、負圧状態下で、前記第１基板と前記第２基板とを剥離することにより、剥離層の層内又は界面の隙間が膨張し、剥離を容易に行うことができる。
【選択図】図４

Description

本発明は、剥離方法、剥離装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、転写工程で用いられる基板間の剥離技術に関する。

近年、液晶装置などの電気光学装置の開発において、装置の小型化や軽量化に加え、可撓性や耐衝撃性を図れることからフレキシブル基板の採用が検討されている。

このようなフレキシブル基板は、耐熱性や、耐溶剤性が無機ガラス基板に比べて劣るため、フレキシブル基板上に直接半導体素子を形成することが困難であった。また、可撓性があるため、製造工程中のハンドリングにも工夫が必用であった。

そこで、ガラス基板上に形成された半導体素子をフレキシブル基板に転写する技術が採用されている。

例えば、下記特許文献１〜３には、予め転写元基板上に剥離層を介して薄膜トランジスタなどの被転写層を形成しておき、被転写層を転写先基板に接合した後、剥離層に光照射等を行って分離を生じさせることにより、被転写体を転写先基板に転写する技術が開示されている。

また、下記特許文献４には、転写元基板と転写先基板との剥離技術に関する記載がある。
特開平１０−２３５９２９号公報 特開平１０−２３５９３０号公報 特開平１０−２３５９３１号公報 特開２００４−２２８３７４号公報

上記転写技術は、各種電子機器の用途や利便性に応じ薄膜トランジスタ等の半導体素子を任意の基板上に形成し得る技術として注目されているものの、剥離技術については、基板間に単に応力を加えることにより物理的に引き剥がすものが多かった。

しかしながら、過度に応力を加えると、被転写層や転写先基板が破損し、歩留まりが低下してしまう。特に、フレキシブル基板を転写先基板とする場合には、応力が加わり易く、有効な剥離技術の検討が望まれる。

本発明に係る具体的態様は、剥離を容易に行うことができる剥離方法を提供することを目的とする。また、剥離精度を向上させることにより、装置の製造歩留まりを向上させることを目的とする。

本発明に係る剥離方法は、剥離層とその上部に形成された半導体素子とを有する第１基板と、前記第１基板の前記半導体素子形成面と接着層を介して接合された第２基板と、を有する積層基板の剥離方法であって、負圧状態下で、前記積層基板の前記剥離層の層内又は界面から前記第１基板と前記第２基板とを剥離することを特徴とする。

かかる方法によれば、負圧（大気より減圧）状態下で、前記第１基板と前記第２基板とを剥離することにより、剥離層の層内又は界面の隙間が膨張し、剥離を容易に行うことができる。

前記負圧状態下は、真空状態下であることが好ましい。真空度が高ければ、剥離層の層内又は界面の隙間がより膨張するため、剥離をより容易に行うことができる。

前記第１基板と前記第２基板との剥離は、前記積層基板の前記剥離層内に、刃状体を差し込むことにより行われる。このように、刃状体を差し込むことにより亀裂が生じ、当該亀裂が膨張することによりさらに剥離を容易に行うことができる。

本発明に係る剥離装置は、剥離層とその上部に形成された半導体素子とを有する第１基板と、前記第１基板の前記半導体素子形成面と接着層を介して接合された第２基板と、を有する積層基板の剥離装置であって、前記積層基板が処理される処理室と、前記処理室を負圧状態とするポンプと、を有する。

かかる構成によれば、負圧状態の処理室内で剥離を行うことができ、剥離層の層内又は界面の隙間を膨張させることができるので、剥離を容易に行うことができる。

前記処理室内に、前記積層基板の前記剥離層内に差し込まれる刃状体を有する。このように、刃状体を差し込むことにより亀裂が生じ、当該亀裂が膨張することによりさらに剥離を容易に行うことができる。

前記刃状体に前記積層基板の厚さ方向の力を加える応力印加手段を有する。このように、刃状体を用いて、前記積層基板の厚さ方向の力を与えることによりさらに剥離を容易に行うことができる。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１基板上に剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に半導体素子を形成する工程と、前記第１基板の前記半導体素子の形成面と第２基板とを、接着層を介して接合し、積層基板を形成する工程と、負圧状態下で、前記剥離層の層内又は界面から前記第１基板と前記第２基板とを剥離する工程と、
を有する。

かかる方法によれば、負圧状態下で、前記第１基板と前記第２基板とを剥離することにより、剥離層の層内又は界面の隙間が膨張し、剥離を容易に行うことができる。また、積層基板に加わる物理的応力を加えない、又は、加える応力が小さくても上記隙間が膨張により剥離を容易に行うことができるため、第１、第２基板又は半導体素子の損傷を低減でき、装置の製造歩留まりを向上させることができる。

前記第１基板と前記第２基板とを剥離する工程は、前記積層基板の前記剥離層内に、刃状体を差し込み、前記刃状体に前記積層基板の厚さ方向に力を加えることにより行われる。刃状体を差し込むことにより亀裂が生じ、当該亀裂が膨張することによりさらに剥離を容易に行うことができる。また、前記積層基板の厚さ方向の力を与えることによりさらに剥離を容易に行うことができる。

例えば、前記第１基板と前記第２基板とを剥離する工程の前に、前記剥離層に、レーザ光を照射することにより、前記剥離層をアブレーションさせる工程を有する。このように、アブレーションにより、剥離層中または剥離層界面において多数の微小な気泡（空間）を形成した後、剥離を行なってもよい。

以下、本発明における実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の機能を有するものには同一もしくは関連の符号を付し、その繰り返しの説明を省略する。

（１）転写工程（半導体装置の製造工程）
図１〜図３は、本実施の形態の半導体素子の転写工程を示す断面図である。これらの図面を参照しながら転写工程、即ち、第１基板Ｓ１に形成された半導体素子を第２基板Ｓ２に転写し、さらに、第３基板Ｓ３に転写する工程について説明する。ここでは、半導体素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ： thin film transistor）を例示し、説明する。

（ＴＦＴ形成工程）
図１（Ａ）に示すように、第１基板Ｓ１上に剥離層３を形成する。第１基板Ｓ１の条件としては、以降のＴＦＴ（素子）の形成工程の各処理に耐え得る基板であれば特に制限はないが、例えば、ガラス基板を、第１基板Ｓ１として用いることができる。

次いで、第１基板Ｓ１上に、剥離層（分離層、犠牲層、接着・剥離層）３として、アモルファスシリコン膜をＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学気相成長）法により形成する。剥離層３として、シリコン酸化膜、無機薄膜の他、ポリエチレンやポリプロピレンなどの有機高分子材料などを用いてもよい。また、単層のみならず複数層としてもよい。

次いで、剥離層３上にＴＦＴを形成する。ＴＦＴの形成工程に特に限定はないが、以下の工程によりＴＦＴを形成することができる。

図１（Ｂ）に示すように、剥離層３上に下地保護膜５として例えば酸化シリコン膜をＣＶＤ法により形成し、さらに、その上部に半導体層７として例えばアモルファスシリコン膜をＣＶＤ法により形成する。次いで、この膜にレーザー照射することにより結晶化させ多結晶シリコン膜とする。この後、半導体膜７をパターニングし、島状の半導体膜７を形成し、半導体膜７上にゲート絶縁膜９として例えば酸化シリコン膜をＣＶＤ法で形成する。次いで、ゲート絶縁膜９上にゲート電極１１として、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜等をスパッタリング法により形成し、パターニングする。次いで、ゲート電極１１をマスクに不純物イオンとして、例えば、ボロン（Ｂ）もしくはリン（Ｐ）等の不純物をイオン打ち込みすることによりソース、ドレイン領域７ａ、７ｂを形成する。以上の工程によりＴＦＴが形成される。

次いで、図１（Ｃ）に示すように、ゲート電極１１上に層間絶縁膜１３として例えば酸化シリコン膜をＣＶＤ法で形成し、ソース、ドレイン領域７ａ、７ｂ上の層間絶縁膜１３をエッチング等することによりコンタクトホールを形成する。次いで、コンタクトホール内を含む層間絶縁膜１３上に導電性膜として例えばＡｌ膜をスパッタリング法により堆積し、パターニングすることにより、ソース、ドレイン引き出し配線１５ａ、１５ｂを形成する。

次いで、ソース、ドレイン引き出し配線１５ａ、１５ｂ上に保護膜１７として例えば酸化シリコン膜を例えばＣＶＤ法で形成する。なお、導電性膜の堆積、パターニングおよび層間絶縁膜の堆積を繰り返すことによってソース、ドレイン引き出し配線１５ａ、１５ｂ上に多層配線を形成してもよい。

（第１転写工程）
１）第１接合工程
以上の工程で形成されたＴＦＴや配線を第２基板Ｓ２に転写する。この転写を第１転写（中間転写、仮転写）という。第２基板Ｓ２の条件としては、以降の工程に耐え得る基板であれば良く、例えば、第１基板Ｓ１と同じ素材の基板（例えばガラス基板）を用いても良い。

図２（Ａ）に示すように、第１基板Ｓ１の保護膜１７上に接着剤（仮接着剤）１８を形成する。この接着剤１８は、例えば、熱硬化型接着剤や光硬化型接着剤よりなる。この接着剤１８上に、剥離層１９として例えばアモルファスシリコン膜がＣＶＤ法により形成された第２基板Ｓ２を接合（接着）する。

２）第１剥離工程
次いで、図２（Ａ）に示すように、第１基板Ｓ１側から剥離層３にレーザー光を照射し、アブレーションを生じさせることにより、剥離層３の内部、もしくは他の膜との界面において亀裂など、接着力の低下した部分を生じさせる。アブレーションとは、照射光を吸収した材料層が、化学的または熱的に励起され、その表面や内部において材料層の溶融や気化が生じる現象をいう。よって、材料層の表面(界面）や内部に微小な気泡（空間）が多数生じ、これが接着力を弱め、また、亀裂となる。

なお、この際、剥離層１９にレーザー光の影響を与えないように、レーザー光の焦点を調整する。なお、剥離層３と剥離層１９との間にレーザー光を透過させない膜（もしくはレーザー光の強度を低減させる膜）が用いられている場合には、上記調整は必要ない。

次いで、図２（Ｂ）に示すように、第２基板Ｓ２側を下側とし、第１基板Ｓ１を剥離する。次いで、第２基板Ｓ２の表面に残存する剥離層３の残渣をエッチング等により除去する。以上の工程により、第１転写工程が終了する。この際、図２（Ｂ）に示すように、第２基板Ｓ２上には、ＴＦＴ（Ｔ）や配線（１５ａ、１５ｂ）が逆向きに転写されている。

（第２転写工程）
１）第２接合工程
次いで、第２基板Ｓ２上のＴＦＴや配線を第３基板Ｓ３に第２転写（最終転写）する。第３基板Ｓ３は、例えばポリイミドやポリエステル、ポリカーボネイト、ポリエーテルサルフォン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチック基板または、粘土が主成分であり層状の結晶構造を持った珪酸塩鉱物、有機無機複合基板、金属基板等よりなるフレキシブル基板である。かかる基板は、軽量でかつ安価であり、また、応力にも強いことから多様性がある。

まず、図３（Ａ）に示すように、第２基板Ｓ２の下地保護膜５上に、永久接着剤２１として例えば熱硬化型接着剤、光硬化型接着剤等を形成する。次いで、永久接着剤２１上に第３基板Ｓ３を接合（接着）する。

２）第２剥離工程
次いで、図３（Ｂ）に示すように、第２基板Ｓ２側から剥離層１９にレーザー光を照射し、アブレーションを生じさせることにより、剥離層１９の内部、もしくは他の膜との界面において亀裂を生じさせる。

次いで、第２基板Ｓ２の表面に残存する剥離層１９の残渣や接着剤１８をエッチング等により除去し、第２転写が終了する。

なお、上記ＴＦＴは、半導体素子の一例であり、各種半導体素子を上記転写工程により所望の基板上に形成することができる。

このように、上記転写技術を用いれば、製造条件の異なる複数種類の半導体素子をそれぞれ最適な条件で転写元基板（Ｓ１，Ｓ２）に形成した後、転写先基板（Ｓ３）へ移動させることにより所望の電子デバイスを製造することができる。

（２）剥離方法および剥離装置
次いで、上記第１、第２剥離工程で用いられる剥離方法および剥離装置について詳細に説明する。図４は、本実施の形態の剥離方法および剥離装置を示す断面図である。

当該剥離装置は、図４（Ａ）に示すように、減圧チャンバ（減圧処理室）５０で覆われ、真空ポンプ５３によりその内部を負圧状態に調整できる構成となっている。

減圧チャンバ５０内には、基板搭載用のステージ（固定板）５１および剥離手段を構成する刃状体５７が内蔵されている。例えば、ステージ５１は、機械的な固定機構を有し、下側の基板（ここでは、第２基板Ｓ２）を固定する。固定する手段に限定はないが、例えば、下側の基板をステージ５１から突出させた鉤状の部材で第２基板Ｓ２の周囲を固定してもよい。また、静電チャックなどを用いて固定してもよい。

また、刃状体５７は、例えば、その断面が略Ｌ字状の金属部材からなり、水平方向の先端部が尖った形状となっている。図４（Ｂ）に示すように、刃状体５７の幅は、例えば、積層基板の一辺の１／３以上であり、剥離後において上側の基板（ここでは、第１基板Ｓ１）を保持できる構成となっている。

また、この刃状体５７には、積層基板Ｓの厚さ方向（剥離方向、固定基板と逆側の基板方向、図４（Ａ）では、図中上方向）の力（応力）が加わっている。この応力印加機構５９に限定はないが、例えば、図４（Ａ）に示すように、刃状体５７に接続された滑車５９ｂおよび重り５９ａを有するよう構成することができる。

例えば、第１基板Ｓ１および第２基板Ｓ１の積層基板（図２（Ａ）参照）Ｓをステージ（固定板）５１上に搭載し、固定する。なお、ここでは、ＴＦＴなどの半導体素子の詳細な構成を省略し、ＴＦＴなどの半導体素子が形成されている層を転写層５５で示す。

次いで、減圧チャンバ５０内の空気を、真空ポンプ５３により減圧し、その内部を負圧状態とする。次いで、積層基板Ｓの剥離層３に、刃状体５７を差し込み、刃状体５７により第１基板Ｓ１を上側に引き上げることにより、第１基板Ｓ１を剥離する。

ここで、前述したとおり、減圧チャンバ５０内は負圧状態である。一方、減圧チャンバ５０内に搬送される前段階においては、大気中で処理されている。よって、前述したように、アブレーションにより生じた剥離層３の表面(界面）や内部に生じた多数の微小な気泡（空間）が、膨張し、それぞれが連結し、大きな亀裂となる。

したがって、刃状体５７を僅かに上方に引き上げるだけで第１基板Ｓ１を容易に剥離することができ、剥離精度を向上させることができる。また、装置の製造歩留まりを向上させることができる。

即ち、第１基板Ｓ１と第２基板Ｓ２の界面である剥離層３においては、接触する層間にリンギング（密着）現象が生じ、これらの層間においては、大気より若干減圧状態となっていることが考察される。

そこで、本実施の形態においては、減圧チャンバ５０内をさらに減圧（負圧）状態とすることで、上記層間に位置する隙間（気泡、空間、亀裂）を膨張させ、基板に加わる応力を小さくしつつ剥離を実現するものである。

負圧（減圧）の程度については、より小さい圧力であることが望ましいが、例えば、１０^-1Ｐａ以上１０^-2Ｐａ以下の程度の真空は、ロータリーポンプで手軽に得ることができ、装置コストを低減できる。上記負圧以下の真空を用いてもよい。なお、大気圧は、１ａｔｍ＝１．０１３２５×１０⁵Ｐａ＝７６０Ｔｏｒｒである。

なお、上記実施の形態においては、積層基板Ｓをステージ５１上に固定したが、負圧状態が大きければ（真空度が高ければ）、下側の基板（ここでは、第２基板Ｓ２）の自重でも容易に剥離することが可能である。また、さらに、真空度が高ければ、減圧チャンバ５０内に搬入するだけで剥離を行うことも可能である。但し、上記刃状体５７により亀裂を形成することにより、当該亀裂を起点に亀裂が膨張し拡大するため、効率よく剥離を行うことができる。

また、図４においては、第２基板Ｓ２側をステージ５１上に固定したが、第１基板Ｓ１側を固定してもよい。

また、図４においては、第１基板Ｓ１と第２基板Ｓ２との積層基板Ｓを剥離したが、第２基板Ｓ２と第３基板Ｓ３との積層基板（図３（Ｂ）参照）の剥離にも上記剥離方法及び剥離装置を適用することができる。

（３）応用例および変形例
図５は、本実施の形態の他の剥離方法および剥離装置を示す断面図である。以下に、図５を参照しながら本実施の形態の応用例および変形例について説明する。

図５に示すように、刃状体５７Ａを介して上側（図５では、第１基板Ｓ１の方向）に応力を加え、刃状体５７Ｂを介してそれぞれ下側（図５では、第２基板Ｓ２の方向）に応力を加えてもよい。

また、固定板５１Ａにより第２基板Ｓ２を固定し、また、固定板５１Ｂにより第１基板Ｓ１を固定し、第２基板Ｓ２を固定基板５１Ａを介して下方向に、第１基板Ｓ１を固定基板５１Ｂを介して上方向に引っ張ることにより剥離を行ってもよい。このような応力印加機構を、単一で、又は複合して用いることができる。

なお、図５においては、第１基板Ｓ１と第２基板Ｓ２との積層基板Ｓを剥離したが、第２基板Ｓ２と第３基板Ｓ３との積層基板（図３（Ｂ）参照）の剥離にも上記種々の応用例および変形例を適用することができる。

また、図５においては、刃状体５７を積層基板Ｓの両側に差し込んだが、片側のみに差し込み、剥離を行ってもよい。

また、図５においては、幅広の刃状体５７を用いたが、所定の間隔毎に配置した複数の針状部材を用いてもよい。また、針状部材や幅の狭い刃状体５７を積層基板Ｓの外周に沿うよう水平移動させ、剥離を行ってもよい。

また、図５においては、あらかじめアブレーションなどにより剥離層における接着力の低下処理を行った基板を用いて剥離したが、剥離装置内に光照射部など剥離層の接着力を弱めるための処理部を設け、上記処理および剥離工程を連続して行ってもよい。

＜電気光学装置および電子機器の説明＞
上記実施の形態で転写された半導体素子（ＴＦＴ）の具体的な適用箇所について制限はないが、上記ＴＦＴは例えば電気光学装置（表示装置）の画素回路や駆動回路として用いられる。図６は、アクティブマトリクス基板の回路構成を示す図である。例えば、アクティブマトリクス型の液晶装置では、図６に示すように、データ線Ｙとゲート線との交点にＴＦＴおよび画素電極６０が配置され、ＴＦＴの一端がデータ線Ｙと、他端が画素電極６０と、そのゲートがゲート線Ｘと接続されている。また、データ線Ｙはデータ線駆動回路６３と接続され、また、ゲート線Ｘは、ゲート線駆動回路６５と接続されている。このような駆動回路を構成する素子としてもＴＦＴが利用される。

したがって、上記実施の形態で転写された半導体素子（ＴＦＴ）は、例えば上記画素回路や駆動回路を構成し、転写基板（Ｓ３）と対向基板との間に液晶や電気泳動カプセルなどを配置することにより表示部を構成する。

上記表示部は、携帯電話、ビデオカメラ、ロールアップ式テレビジョンの他、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイ、電子ペーパーなどの電子機器（電気光学装置）に組み込むことができる。

図７は、フレキシブル基板上に形成されたマイクロコンピュータを示す斜視図である。上記実施の形態で転写された半導体素子（ＴＦＴ）は、上記電気光学装置のみならず、図７に示す、フレキシブル基板上に形成されたマイクロコンピュータなどにも適用可能である。５７１は、フレキシブル基板であり、例えば、５７３はＲＡＭ（random access memory）、５７５はＣＰＵ（central processing unit）、５７７は、入出力回路、５７９は、太陽電池である。

なお、上記実施の形態を通じて説明された実施例や応用例は、用途に応じて適宜に組み合わせて、又は変更若しくは改良を加えて用いることができ、本発明は上述した実施の形態の記載に限定されるものではない。そのような組み合わせ又は変更若しくは改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

本実施の形態の半導体素子の転写工程を示す断面図である。 本実施の形態の半導体素子の転写工程を示す断面図である。 本実施の形態の半導体素子の転写工程を示す断面図である。 本実施の形態の剥離方法および剥離装置を示す断面図である。 本実施の形態の他の剥離方法および剥離装置を示す断面図である。 アクティブマトリクス基板の回路構成を示す図である。 フレキシブル基板上に形成されたマイクロコンピュータを示す斜視図である。

符号の説明

３…剥離層、５…下地保護膜、７…半導体層、７ａ、７ｂ…ソース、ドレイン領域、９…ゲート絶縁膜、１１…ゲート電極、１３…層間絶縁膜、１５ａ、１５ｂ…ソース、ドレイン引き出し配線、１７…保護膜、１８…仮接着層、１９…剥離層、２１…永久接着剤、５０…減圧チャンバ、５１…ステージ、５１Ａ、５１Ｂ…固定板、５３…真空ポンプ、５５…転写層、５７…刃状体、５９…応力印加機構、５９ａ…重り、５９ｂ…滑車、６３…データ線駆動回路、６５…ゲート線駆動回路、５７１…フレキシブル基板、５７３…ＲＡＭ、５７５…ＣＰＵ、５７７…入出力回路、５７９…太陽電池、Ｓ…積層基板、Ｓ１…第１基板、Ｓ２…第２基板、Ｓ３…第３基板、Ｔ…ＴＦＴ、Ｘ…ゲート線、Ｙ…データ線

Claims (9)

1. 剥離層とその上部に形成された半導体素子とを有する第１基板と、前記第１基板の前記半導体素子形成面と接着層を介して接合された第２基板と、を有する積層基板の剥離方法であって、
   負圧状態下で、前記積層基板の前記剥離層の層内又は界面から前記第１基板と前記第２基板とを剥離することを特徴とする剥離方法。
2. 前記負圧状態下は、真空状態下であることを特徴とする請求項１記載の剥離方法。
3. 前記第１基板と前記第２基板との剥離は、
   前記積層基板の前記剥離層内に、刃状体を差し込むことにより行われることを特徴とする請求項１又は２記載の剥離方法。
4. 剥離層とその上部に形成された半導体素子とを有する第１基板と、前記第１基板の前記半導体素子形成面と接着層を介して接合された第２基板と、を有する積層基板の剥離装置であって、
   前記積層基板が処理される処理室と、
   前記処理室を負圧状態とするポンプと、
   を、有することを特徴とする剥離装置。
5. 前記処理室内に、前記積層基板の前記剥離層内に差し込まれる刃状体を有することを特徴とする請求項４記載の剥離装置。
6. 前記刃状体に前記積層基板の厚さ方向の力を加える応力印加手段を有することを特徴とする請求項５記載の剥離装置。
7. 第１基板上に剥離層を形成する工程と、
   前記剥離層上に半導体素子を形成する工程と、
   前記第１基板の前記半導体素子の形成面と第２基板とを、接着層を介して接合し、積層基板を形成する工程と、
   負圧状態下で、前記剥離層の層内又は界面から前記第１基板と前記第２基板とを剥離する工程と、
   を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 前記第１基板と前記第２基板とを剥離する工程は、
   前記積層基板の前記剥離層内に、刃状体を差し込み、
   前記刃状体に前記積層基板の厚さ方向の力を加えることにより行われることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記第１基板と前記第２基板とを剥離する工程の前に、
   前記剥離層に、レーザ光を照射することにより、前記剥離層をアブレーションさせる工程を有することを特徴とする請求項７又は８記載の半導体装置の製造方法。

Images