JP2011009288A - 基板内蔵用チップ抵抗器およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】厚膜チップ抵抗器の厚さを薄くしつつ且つ製造段階で大判の基板の反りが生じない、基板内蔵用チップ抵抗器およびその製造方法を提供する。
【解決手段】表面と裏面とを有する厚さが100μm以下の絶縁性基板11と、該基板の表面に形成された一対の厚膜焼成体からなる内部電極12a,12bと、該一対の内部電極間に形成された厚膜焼成体からなる抵抗膜13と、該基板11の裏面に形成された厚膜焼成体からなるガラスまたは金属層16と、を備える。また、抵抗膜13が保護膜17,18に被覆され、該保護膜の一部と内部電極12a,12b上に導電性樹脂膜からなる第2内部電極19a,19bを備え、該第2内部電極の表面にメッキ層を備える。
【選択図】図1
【解決手段】表面と裏面とを有する厚さが100μm以下の絶縁性基板11と、該基板の表面に形成された一対の厚膜焼成体からなる内部電極12a,12bと、該一対の内部電極間に形成された厚膜焼成体からなる抵抗膜13と、該基板11の裏面に形成された厚膜焼成体からなるガラスまたは金属層16と、を備える。また、抵抗膜13が保護膜17,18に被覆され、該保護膜の一部と内部電極12a,12b上に導電性樹脂膜からなる第2内部電極19a,19bを備え、該第2内部電極の表面にメッキ層を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、厚膜チップ抵抗器に係り、特に回路基板に内蔵して用いる厚さが極めて薄い基板内蔵用チップ抵抗器およびその製造方法に関する。
電子機器の軽薄短小化に伴い、チップ抵抗器等の電子部品も回路基板の表面に実装するのではなく、積層回路基板等の内層に実装する場合が生じ、その薄型化の要請に対応した構成例が提案されている(特許文献1参照)。係る基板内蔵用チップ抵抗器では、その厚さはできるだけ薄いことが好ましく、且つ片面のみに電極と抵抗体と保護膜を配置することが薄型化の観点から好ましい。
しかしながら、チップ抵抗器ではアルミナ等の絶縁性基板が不可欠であり、この厚さを薄くすると基板の片面のみに電極と抵抗体と保護膜とが配置されるため、その製造段階で大判の基板に反りが生じやすく、不良品が発生し易いという問題がある。
本発明は、上述の事情に基づいてなされたもので、厚膜チップ抵抗器の厚さを薄くしつつ且つ製造段階で大判の基板の反りが生じない、基板内蔵用チップ抵抗器およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の基板内蔵用チップ抵抗器は、表面と裏面とを有する厚さが100μm以下の絶縁性基板と、該基板の表面に形成された一対の厚膜焼成体からなる内部電極と、該一対の内部電極間に形成された厚膜焼成体からなる抵抗膜と、該基板の裏面に形成された厚膜焼成体からなるガラス層または金属層と、を備えたことを特徴とする。
また、本発明の基板内蔵用チップ抵抗器の製造方法は、表面と裏面とを有する厚さが100μm以下の大判の絶縁性基板を準備し、該大判の基板の表面の各区画に厚膜焼成体からなる内部電極を形成し、該大判の基板の裏面に厚膜焼成体からなるガラス層または金属層を形成し、 前記内部電極と接続する厚膜焼成体からなる抵抗膜を形成し、該抵抗膜を覆う保護膜を形成し、大判の基板を各区画毎のチップ片に分割し、該チップ片の電極表面にメッキ層を形成する、ことを特徴とする。
本発明によれば、絶縁性基板の裏面にガラス層からなる厚膜焼成体を形成するので、その製造段階で、薄い大判の基板の表面にのみ厚膜内部電極、厚膜抵抗膜、厚膜ガラス保護膜等の厚膜焼成体を形成するに際して、両者の熱膨張がバランスして、大判の基板の反りを防止できる。従って、通常の寸法の大判の基板(例えば50mm×60mm)を用いつつ、従来生じていた基板の反りによる基板の割れ等を防止することができ、高い歩留まりで基板内蔵用チップ抵抗器を製造することができる。
以下、本発明の実施形態について、図1乃至図7を参照して説明する。なお、各図中、同一または相当する部材または要素には、同一の符号を付して説明する。
本発明の第1実施形態のチップ抵抗器は、図1および図2に示すように、表面と裏面とを有する厚さが100μm程度のアルミナ等の絶縁性基板11の表面に、厚さが10μm程度のAg−Pd等の厚膜焼成体からなる一対の内部電極12a,12bを備え、該一対の電極間に跨るようにRuO2等の厚膜焼成体からなる抵抗膜13が配置されている。抵抗膜13は厚膜焼成体からなるガラス層保護膜17およびエポキシ樹脂等からなる保護膜18に被覆されている。そして、内部電極12a,12bはそれぞれ厚さ7μm程度のNiメッキ層14a,14bおよびCuメッキ層15a,15bにより被覆されている。
基板11の裏面に、厚さ10μm程度の例えばホウケイ酸鉛系の厚膜焼成体からなるガラス層16が形成されている。このガラス層16は、基板11の厚さが薄いためこの機械的強度を増すための補強層としての役割を果たしている。
そして、抵抗器全体としての厚さは134μmとなり、厚さ150μm以下の回路基板に内蔵が可能な厚膜チップ抵抗器が得られる。なお、抵抗器のサイズは、例えば1005型(1.0mm×0.5mm)および0603型(0.6mm×0.3mm)等の通常のチップ抵抗器サイズに適用が可能であり、通常のチップ抵抗器の厚さの半分以下の厚さに低減できる。
図3は本発明の第2実施形態とその変形例の基板内蔵用チップ抵抗器を示す。第2実施形態のチップ抵抗器は図3(a)に示すように、内部電極12a,12b上にこれに接続し、且つこれよりも大面積で、保護膜17,18に重なるAgを主成分とした導電性樹脂からなる第2内部電極19a,19bを備え、該電極上にNiメッキ層14a,14bおよびCuメッキ層15a,15bが被着されている。
基板内蔵用チップ抵抗器では、回路基板に内装した後、レーザビームを照射して外部電極を露出させ外部配線に接続する場合があり、外部電極はできるだけ大きいことが好ましい。この実施形態では、保護膜17,18の形成後に保護膜17,18に重なるようにAgを主成分とした導電性樹脂からなる第2内部電極19a,19bを形成し、その上にNiメッキ層14a,14bおよびCuメッキ層15a,15bを形成することで、内部電極12a,12bよりも大きな外部電極を備えた基板内蔵用チップ抵抗器を作成できる。
図3(b)はこの変形例のチップ抵抗器を示す。この例では、抵抗膜13上に内部電極12a,12bを配置し、その他の構成は図3(a)の実施形態と変わらない。この場合、図3(a)のように内部電極端部に抵抗膜端部が重ならないので、抵抗膜内部電極12a,12bと保護膜17,18とが重なる部分の高さを平坦化することができ、チップ抵抗器全体としての高さを低減することができる。
図3(c)はさらなる変形例のチップ抵抗器を示す。この例では、図3(b)に示す実施形態に対して、内部電極12a,12bを省略し、第2内部電極19a,19bで直接抵抗膜13と接続するようにしたものである。これにより、さらなるチップ抵抗器の高さの低減が可能である。
次に、本発明のチップ抵抗器の製造工程について説明する。まず、図4(a)に示すように、表面と裏面とを有する厚さが100μm以下のアルミナ等のセラミックスからなる大判の絶縁性基板21を準備する。この基板21には、縦横の分割溝21aを備え、デバイス形成後に各区画毎にチップ片に分割可能となっている。なお、分割溝21aは型押しやレーザ加工機により形成する。
そして、図4(b)に示すように、基板21の表面の各区画に跨る内部電極パターンをAg−Pdペーストのスクリーン印刷にて形成し、乾燥後焼成することで、厚膜焼成体からなる内部電極22を形成する。基板21の裏面には、一例としてホウケイ酸鉛系のガラスペーストをその全面にスクリーン印刷し、乾燥後焼成して厚膜焼成体からなるガラス層26を形成する。
なお、内部電極22の焼成とガラス層26の焼成とは同時に行ってもよい。このように、基板21の裏面に厚膜焼成体からなるガラス層を形成することで、薄い基板21の表裏面に厚膜焼成体が形成され、熱膨張がバランスし、以降の熱処理工程で基板21の反りを抑制できる。
次に、図4(c)に示すように、RuO2ペーストのスクリーン印刷にて一区画両側の内部電極22,22に跨る抵抗膜パターンを形成し、乾燥後焼成することで、厚膜焼成体からなる抵抗膜13を各区画に形成する。そして、図4(d)に示すように、ガラスペーストのスクリーン印刷にて抵抗膜13を被覆するガラス保護膜パターンをスクリーン印刷にて形成し、乾燥後焼成することで、抵抗膜13を被覆する厚膜焼成体からなるガラス保護膜17を形成する。
次に、図4(e)に示すように、レーザトリミングを適宜行い、抵抗値を調整する。図中の符号Tはトリミング跡を示す。そして、図4(f)に示すように、エポキシ樹脂等の樹脂ペーストのスクリーン印刷にてガラス保護膜17を被覆する樹脂保護膜パターンをスクリーン印刷にて形成し、加温硬化することで、ガラス保護膜を被覆する樹脂保護膜18を形成する。
次に、1次ブレークと2次ブレークにより、大判の基板21をチップ個片の基板11に分割し、この時、大判の基板段階の内部電極22はチップ個片両端の内部電極12a,12bに分割され、裏面の全面に形成したガラス層はチップ個片毎のガラス層16に分割される。なお、分割はダイシングまたはスクライビングによって行ってもよい。
そして、保護膜17,18に被覆されていない内部電極12a,12bの表面にNiメッキおよびCuメッキを施すことで、Niメッキ層14a,14bおよびCuメッキ層15a,15bを形成する。この段階を図4(f)に示し、この段階でこのチップ抵抗器の製造工程が完了する。
上記製造工程によれば、その初期段階で大判の基板の裏面にガラス層からなる厚膜焼成体を形成するので、薄い大判の基板の表面にのみ厚膜内部電極、厚膜抵抗膜、厚膜ガラス保護膜等の厚膜焼成体を形成するに際して、両者の熱膨張がバランスして、大判の基板の反りを防止できる。従って、通常の寸法の大判の基板(例えば50mm×60mm)を用いつつ、従来生じていた基板の反りによる基板の割れ等を防止することができ、高い歩留まりで基板内蔵用チップ抵抗器を製造することができる。
また、このチップ抵抗器は、薄いセラミックス絶縁性基板11の裏面に厚膜焼成体であるガラス層16を備えるので、ガラス層16が基板11の補強材として機能し、その使用段階で基板の折損等に対して補強効果を発揮できる。なお、ガラス層16は、金属層にしてもよい。この場合、例えば、内部電極22と同じ材料を基板11の裏面にスクリーン印刷やスピンコート等の方法で印刷し、焼成する。金属層とした場合は、基板の補強等の効果に加えて、抵抗体の放熱効果も向上する。ただし、後の工程において金属層にメッキ層が形成されることから、チップ抵抗器全体の厚みが増すことになる。このため、低背化という点においてはガラス層とすることが好ましい。
次に、図3(a)に示す本発明の第2実施形態の基板内蔵用チップ抵抗器の製造工程について、図5を参照して説明する。図5(a)−(f)の工程、すなわち、分割溝21aを備えた大判の基板21を準備し、基板表面に内部電極22を形成し、基板裏面にガラス層26を形成し、基板表面に抵抗膜13、ガラス保護膜17,樹脂保護膜18を形成する工程は図4(a)−(f)の工程と同じである。
このチップ抵抗器の製造工程では、樹脂保護膜18の形成後に、Agを主成分とした導電性樹脂ペーストをスクリーン印刷して、保護膜17,18の一部と内部電極22上に第2内部電極パターンを形成し、加温硬化することでAgを主成分とした導電性樹脂による第2内部電極19を形成する。なお、図示の例では、第2内部電極19は分割性を低下させないように分割溝21aを覆わないように形成しているが、連続して形成してもよい。
そして、1次ブレークと2次ブレークにより、大判の基板21をチップ個片の基板11に分割し、第2内部電極19a,19bの表面にNiメッキおよびCuメッキを施すことで、Niメッキ層14a,14bおよびCuメッキ層15a,15bを形成する。この段階で、図3(a)に示す本発明の第2実施形態のチップ抵抗器が完成する。このチップ抵抗器では、第1実施形態のチップ抵抗器と比べ、大きな外部電極が得られるので、回路基板に内蔵後、良好な実装性が得られることは上述のとおりである。
次に、図3(c)に示す本発明の第2実施形態の変形例のチップ抵抗器の製造工程について、図6を参照して説明する。このチップ抵抗器は、抵抗膜13を基板表面の最下層に配置し、内部電極12a,12bの配置を省略し、直接第2内部電極19a,19bを抵抗膜13に接続するようにした点で、図3(a)に示したチップ抵抗器と異なる。
このため、図6(b)に示すように、大判の基板の表面に抵抗膜23を配置し、裏面にガラス層26を配置する。そして、図6(c)に示すようにガラス保護膜17を配置し、図6(d)に示すようにガラス保護膜17の両端部を被覆するように第2内部電極19を抵抗膜23上に配置する。そして、図6(e)に示すように抵抗膜23の各区画毎に適宜トリミングを行い、図6(f)に示すように第2内部電極19の一部を被覆するように樹脂保護膜18を形成する。
そして、1次ブレークと2次ブレークにより、大判の基板21をチップ個片の基板11に分割し、第2内部電極19a,19bの表面にNiメッキおよびCuメッキを施すことで、Niメッキ層14a,14bおよびCuメッキ層15a,15bを備えた図3(c)に示すチップ抵抗器が完成する。このチップ抵抗器では、図3(a)に示すチップ抵抗器と比べ、低背化できることは上述のとおりである。
図7は、本発明のチップ抵抗器の積層回路基板への内装例を示す。この例では、積層回路基板31は、基板31a,31b,31cが積層して形成され、基板31bに設けた凹部に本発明のチップ抵抗器が内装されている。このチップ抵抗器は、絶縁性基板11の表面に抵抗膜が配置され、保護膜18により該抵抗膜が被覆され、その両側にCuメッキ層を表面に備えた外部電極18が配置されている。そして、絶縁性基板11の裏面側には厚膜焼成体であるガラス層16が配置されている。
積層回路基板31の内層には配線層32が設けられ、このチップ抵抗器の外部電極15に接続されている。そして、このチップ抵抗器は接着剤33を介して上層の基板31aに接合されている。このチップ抵抗器は厚さ(高さ)が150μm以下と極めて薄く、且つ裏面に補強材としてのガラス層16を備え、十分な機械的強度を有するので、軽薄短小が要求される回路基板の内装用の抵抗器として好適である。
これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
本発明のチップ抵抗器は、軽薄短小が要求される回路基板の内装用の抵抗器として好適に利用可能である。
Claims (7)
- 表面と裏面とを有する厚さが100μm以下の絶縁性基板と、
該基板の表面に形成された一対の厚膜焼成体からなる内部電極と、
該一対の内部電極間に形成された厚膜焼成体からなる抵抗膜と、
該基板の裏面に形成された厚膜焼成体からなるガラス層または金属層と、を備えた基板内蔵用チップ抵抗器。 - 前記抵抗器の高さが150μm以下である、請求項1に記載の基板内蔵用チップ抵抗器。
- 前記抵抗膜が保護膜に被覆され、該保護膜の一部と前記内部電極上に導電性樹脂膜からなる第2内部電極を備え、該第2内部電極の表面にメッキ層を備えた請求項1に記載の基板内蔵用チップ抵抗器。
- 表面と裏面とを有する厚さが100μm以下の大判の絶縁性基板を準備し、
該大判の基板の表面の各区画に厚膜焼成体からなる内部電極を形成し、
該大判の基板の裏面に厚膜焼成体からなるガラス層または金属層を形成し、
前記内部電極と接続する厚膜焼成体からなる抵抗膜を形成し、
該抵抗膜を覆う保護膜を形成し、
前記大判の基板を各区画毎のチップ片に分割し、
該チップ片の電極表面にメッキ層を形成する、基板内蔵用チップ抵抗器の製造方法。 - 表面と裏面とを有する厚さが100μm以下の大判の絶縁性基板を準備し、
該大判の基板の表面の各区画に厚膜焼成体からなる抵抗膜を形成し、
該大判の基板の裏面に厚膜焼成体からなるガラス層または金属層を形成し、
前記抵抗膜と接続する厚膜焼成体からなる内部電極を形成し、
前記抵抗膜を覆う保護膜を形成し、
前記大判の基板を各区画毎のチップ片に分割し、
該チップ片の電極表面にメッキ層を形成する、基板内蔵用チップ抵抗器の製造方法。 - 前記大判の基板には分割溝が形成されている、請求項4または請求項5に記載の基板内蔵用チップ抵抗器の製造方法。
- 前記保護膜の一部と前記内部電極上に導電性樹脂膜からなる第2内部電極を形成し、該第2内部電極の表面にメッキ層を形成する、請求項4または請求項5に記載の基板内蔵用チップ抵抗器の製造方法。
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US20160172083A1 (en) | 2014-12-15 | 2016-06-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Resistor element and method of manufacturing the same |
CN115295262A (zh) * | 2022-07-14 | 2022-11-04 | 捷群电子科技(淮安)有限公司 | 一种抗硫化厚膜片式固定电阻器及其使用方法 |
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