JP2010541242A - 反応性ガスを空間的に分離するガス配送ヘッドを用い、配送ヘッドを通過する基板の移動を伴う、薄膜形成のための方法及び堆積装置 - Google Patents
反応性ガスを空間的に分離するガス配送ヘッドを用い、配送ヘッドを通過する基板の移動を伴う、薄膜形成のための方法及び堆積装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010541242A JP2010541242A JP2010526934A JP2010526934A JP2010541242A JP 2010541242 A JP2010541242 A JP 2010541242A JP 2010526934 A JP2010526934 A JP 2010526934A JP 2010526934 A JP2010526934 A JP 2010526934A JP 2010541242 A JP2010541242 A JP 2010541242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- extended
- phase material
- delivery head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 320
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 title claims description 435
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 105
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 title claims description 41
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 214
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 116
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 42
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 112
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 87
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 87
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 45
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- -1 lanthium oxide Chemical compound 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JGIATAMCQXIDNZ-UHFFFAOYSA-N calcium sulfide Chemical compound [Ca]=S JGIATAMCQXIDNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052981 lead sulfide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229940056932 lead sulfide Drugs 0.000 claims 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- ZEGFMFQPWDMMEP-UHFFFAOYSA-N strontium;sulfide Chemical compound [S-2].[Sr+2] ZEGFMFQPWDMMEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 85
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 57
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 33
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 16
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 11
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 10
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 241000894007 species Species 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000012707 chemical precursor Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005273 aeration Methods 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000277 atomic layer chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000739 chaotic effect Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000011437 continuous method Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical group 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical group 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000013206 minimal dilution Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000012812 sealant material Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
- C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
- B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
- B33Y80/00—Products made by additive manufacturing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/907—Continuous processing
- Y10S438/908—Utilizing cluster apparatus
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明は、一般に、薄膜材料の堆積に関し、より詳細には複数の同時ガスフローを基板上に向ける配送ヘッドを用いた、基板上への原子層堆積の装置及び方法に関する。
薄膜堆積に広く使われる技術の中には、反応チャンバー中で反応して基板上に所望の膜を堆積させる化学反応性分子を用いる化学気相堆積(CVD)がある。CVD用途に有用な分子前駆体は堆積すべき膜の元素(原子)成分を含み、通常、追加的な元素も含む。CVD前駆体は基板で反応してその上に薄膜を形成するために気相でチャンバーに配送される揮発性分子である。化学反応によって所望の膜厚の薄膜が堆積される。
基板-AH + MLx → 基板-AMLx-1 + HL (1)
上式中、HLは反応副生成物である。反応の間に、初期の表面リガンドAHが消費され、表面はLリガンドで覆われ、それ以上金属前駆体MLxと反応できなくなる。したがって、反応は表面上の初期のAHリガンドが全部AMLx-1種で置き換えられたときに自己終結する。通常、反応段階の後には不活性ガスパージ段階が続き、それにより、第二の反応体気相前駆体材料の別個の導入に先立ってチャンバーから余剰の金属前駆体をなくす。
基板-A-ML + AHγ→基板-A-M-AH + HL (2)
これは表面をもとのAHに覆われた状態に変換する。(ここで、単純化のために、化学反応は平衡とされていない。)所望の追加的元素Aは膜に組み込まれ、望まれないリガンドLは揮発性の副生成物として排除される。いま一度、反応が反応性部位(今回はLで終端された部位)を消費し、基板上の反応性部位が完全に枯渇したら自己終結する。次いで第二の分子前駆体は、第二のパージ段階において不活性パージガスを流すことによって堆積チャンバーから除去される。
1. MLx反応;
2. MLxパージ;
3. AHy反応;及び
4. AHyパージ、次いで段階1.への戻り
を有するサイクルである。
τ=VP/Q (3)
となる。
本発明の目的は、ALDコーティング法において複数の反応性ガスを近接して配置したときに、配送ヘッドの寸法にわたって良好な均一性をもって比較的に正確にガスを配送することである。
本発明は、一連のガスフローを同時に薄膜堆積装置の配送ヘッドのアウトプット面から基板の表面に向けることを含み、この一連のガスフローは第一の反応性気相材料、不活性パージガス及び第二の反応性気相材料を少なくとも含む、基板上に薄膜材料を堆積させるための装置及び方法を提供する。第一の反応性気相材料は第二の反応性気相材料で処理した基板表面と反応することができる。特に、本発明は基板上に薄膜材料堆積を行うための配送デバイスに関し、その配送デバイスは、
(A)少なくとも第一の気相材料、第二の気相材料及び第三の気相材料のための少なくとも第一の源、第二の源及び第三の源、
(B)基板表面を有しそして、ある単位面積あたりの平均重量を有する基板、
(C)薄膜堆積を行うための基板表面に気相材料を配送するための堆積ヘッドであって、
i)上記の第一の気相材料、第二の気相材料及び第三の気相材料をそれぞれ受けるための少なくとも第一のインレットポート、第二のインレットポート及び第三のインレットポート、
ii)排気ガスを排気するための少なくとも1つの排気ポート、
iii)複数の延在開口部を含む、基板表面に近接したアウトプット面、
を含む堆積ヘッド、
を含み、
(a)上記のインレットポートの各々は、上記の基板にそれぞれの気相材料を供給するための堆積ヘッドの面において、少なくとも1つの(好ましくは複数の)第一の延在アウトプット開口部、第二の延在アウトプット開口部及び第三の延在アウトプット開口部(各々延在射出チャンネルと連携し又は連結している)に独立に連結されており、そして
(b)上記の少なくとも1つの排気ポートは各々がある連携圧力を有する少なくとも2つの(好ましくは複数の)延在排気開口部に連結されており、この延在排気開口部(各々対応する延在射出チャンネルと連携し又は連結している)はアウトプット面において少なくとも第一の延在アウトプット開口部、第二の延在アウトプット開口部又は第三の延在アウトプット開口部が上記の少なくとも2つの(好ましくは複数の各々の)排気開口部の間に存在するように配置されており、
上記のアウトプット面と基板表面との間の実質的に均一な距離は、上記の延在アウトプット開口部から基板の表面への1つ以上の気相材料のフローによって発生する圧力によって少なくとも部分的に維持され、そして、パスカルとして測定した大気圧と延在排気開口部の平均圧力との差は、パスカルとして測定した、上記の基板の単位面積あたりの平均重量の少なくとも2倍である。
好ましい実施形態において、第一の気相材料及び第二の気相材料は相互に反応性のガスであり、第三の気相材料は窒素などの不活性パージガスである。
(a)上記の第一の反応性気相材料、第二の反応性気相材料及び不活性パージガスをそれぞれ受けるための少なくとも第一のインレットポート、第二のインレットポート及び第三のインレットポート、
(b)排気ガスを排気するための少なくとも1つの排気ポート、
(c)複数の延在開口部を含む、基板表面に近接したアウトプット面、
を含み、
(i)上記のインレットポートの各々は、上記の基板にそれぞれの気相材料を供給するための、少なくとも1つの第一の延在アウトプット開口部、第二の延在アウトプット開口部及び第三の延在アウトプット開口部(各々延在射出チャンネルと連携し又は連結している)にそれぞれ独立に連結されており、そして
(ii)上記の少なくとも1つの排気ポートは各々がある連携圧力を有する少なくとも2つの延在排気開口部(各々対応する延在射出チャンネルと連携し又は連結している)に連結されており、この延在排気開口部はアウトプット面において少なくとも第一の延在アウトプット開口部、第二の延在アウトプット開口部又は第三の延在アウトプット開口部が上記の少なくとも2つの排気開口部の間に存在するように配置されており、
上記のアウトプット面と基板表面との間の実質的に均一な距離は、上記の延在アウトプット開口部から基板の表面への1つ以上の気相材料のフローによって発生する圧力によって少なくとも部分的に維持され、そして、パスカルとして測定した大気圧と延在排気開口部の平均圧力との差は、パスカルとして測定した、上記の基板の単位面積あたりの平均重量の少なくとも2倍である。
本明細書は特許請求の範囲が本発明の構成を特に示しそして明確に請求しているものと結論づけているが、本発明は添付の図面と組み合わせたときに下記の説明からよりよく理解されるものと信じられる。
本記載は本発明に係る装置の部品を形成する要素又はその装置と比較的に直接的に共働する要素に特に向けられている。詳細に示し又は記載していない要素は当業者によく知られた変更形態を取ってよいことが理解されるべきである。
(a)それぞれ第一の気相材料、第二の気相材料及び第三の気相材料の共通サプライを受けることができる少なくとも第一のインレットポート、第二のインレットポート及び第三のインレットポートを含む複数のインレットポート、及び、
(b)1つ以上の第一の延在射出チャンネルを含む第一の群、1つ以上の第二の延在射出チャンネルを含む第二の群及び少なくとも2つの第三の延在射出チャンネルを含む第三の群、の少なくとも3つの延在射出チャンネルの群であって、その第一の延在射出チャンネル、第二の延在射出チャンネル及び第三の延在射出チャンネルの各々は対応する第一のインレットポート、第二のインレットポート及び第三のインレットポートの1つにガス流体連結されることができる、射出チャンネルの群、
を含み、ここで、各第一の延在射出チャンネルは、その少なくとも1つの延在面において、第三の延在射出チャンネルによって、最も近接した第二の延在射出チャンネルから分離されており、
各第一の延在射出チャンネル及び各第二の延在射出チャンネルは第三の延在射出チャンネルの間に存在し、
第一の延在射出チャンネル、第二の延在射出チャンネル及び第三の延在射出チャンネルの各々は長さ方向にかつ実質的に平行に延びており、
延在射出チャンネルの3つの群のうちの少なくとも1つの延在射出チャンネルの群における延在射出チャンネルの各々はそれぞれ第一の気相材料、第二の気相材料及び第三の気相材料の少なくとも1つのフローを配送ヘッドのアウトプット面に対して実質的に直交方向に向けることができ、その気相材料のフローを、少なくとも1つの群における延在射出チャンネルの各々から直接的又は間接的に基板の表面に実質的に直交方向に供給することができる。
S−P−S−E−S−R−S−E−S
(この配列の最後のセパレータプレートは図9A又は9Bには示していない)。この配列が示すとおり、セパレータプレート160(S)は側壁を形成することで各チャンネルを画定している。典型的なALD堆積のための2つの反応体ガスと必要なパージガスならびに排気チャンネルを提供するための最小配送アセンブリー150は下記の完全な略語シーケンスを用いて表される。
S−P−S−E1−S−R1−S−E1−S−P−S−E2−S−R2−S−E2−S−P−S−E1−S−R1−S−E1−S−P−S−E2−S−R2−S−E2−S−P−S−E1−S−R1−S−E1−S−P−S
P−Ex−O−Ex−P−Ex−M−Ex−P−Ex−O−Ex−P−Ex−M−Ex−P−Ex−O−Ex−P
この例は、平均排気吸引力が基板の単位面積あたりの重量の1/2であるときに基板上に作用する力を定量化する。
この例において、重力による力が堆積ヘッドに向けて基板を引っ張るように作用するように、基板を堆積ヘッドの上に配置している。
基板は2.2g/cm3の密度で1mmの厚さの従来のガラス片である。その面積に基づくと、ガラスの質量は2.2グラムであり、基板重量、すなわち、基板上に作用する重力は0.0216Nであろう。この基板の単位面積あたりの重量はそれゆえ21.6Paである。
もし排気チャンネルの圧力を10.8Pa(0.043インチH2O)と設定すると、排気圧は基板の単位面積あたりの重量の1/2であろう。等式(5)によると、基板がヘッドから分離する臨界力は0.0108Nであろう。この力は実質的に基板の重量の0.0216Nよりも小さいので、基板にかかる小さな力が基板から配送ヘッドへのギャップを有意に変更する傾向があり、安定しない運転となる。
この例は、平均排気吸引力が基板の単位面積あたりの重量の5倍であるときに基板上に作用する力を定量化する。
この例において、重力による力が堆積ヘッドに向けて基板を引っ張るように作用するように、基板を堆積ヘッドの上に配置している。
基板は2.2g/cm3の密度で1mmの厚さの従来のガラス片である。その面積に基づくと、ガラスの質量は2.2グラムであり、基板重量、すなわち、基板上に作用する重力は0.0216Nであろう。この基板の単位面積あたりの重量はそれゆえ21.6Paである。
もし排気チャンネルの圧力を108Pa(0.43インチH2O)と設定すると、排気圧は基板の単位面積あたりの重量の5倍であろう。等式(5)によると、基板がヘッドから分離する臨界力は0.108Nであろう。この力は実質的に基板の重量の0.0216Nよりも大きいので、基板にかかる小さな力は基板から配送ヘッドへのギャップを有意に変更する傾向がない。
この例は例1と同一の形態を用いるが、堆積ヘッドを反転させ、ヘッドの下に基板をもってくる。それゆえ、重力による力はヘッドから基板を引っ張るように作用する。
この例は、平均排気吸引力が基板の単位面積あたりの重量の1/2であるときに基板上に作用する力を定量化する。
基板は2.2g/cm3の密度で1mmの厚さの従来のガラス片である。その面積に基づくと、ガラスの質量は2.2グラムであり、基板重量、すなわち、基板上に作用する重力は0.0216Nであろう。この基板の単位面積あたりの重量はそれゆえ21.6Paである。
もし排気チャンネルの圧力を10.8Pa(0.043インチH2O)と設定すると、排気圧は基板の単位面積あたりの重量の1/2であろう。等式(5)によると、基板がヘッドから分離する臨界力は0.0108Nであろう。基板上の重力は0.0216Nであるから、堆積ヘッドによってかかる力は基板を支持するのに不十分であり、そして基板は落下するであろう。
この例は例1と同一の形態を用いるが、堆積ヘッドを反転させ、ヘッドの下に基板をもってくる。それゆえ、重力による力はヘッドから基板を引っ張るように作用する。
この例は、平均排気吸引力が基板の単位面積あたりの重量の5倍であるときに基板上に作用する力を定量化する。
基板は2.2g/cm3の密度で1mmの厚さの従来のガラス片である。その面積に基づくと、ガラスの質量は2.2グラムであり、基板重量、すなわち、基板上に作用する重力は0.0216Nであろう。この基板の単位面積あたりの重量はそれゆえ21.6Paである。
もし排気チャンネルの圧力を108Pa(0.43インチH2O)と設定すると、排気圧は基板の単位面積あたりの重量の5倍であろう。等式(5)によると、基板がヘッドから分離する臨界力は0.108Nであろう。基板上の重力は0.0216Nであるから、堆積ヘッドによってかかる力は基板を支持するのに十分であり、そして基板が落下するのを防止する。
2h スリットの厚さ
10 配送ヘッド
12 アウトプットチャンネル
14,16,18 ガスインレット導管
20 基板
22 排気チャンネル
24 排気導管
28a、28b、28c ガスサプライ
30 アクチュエータ
36 アウトプット面
50 チャンバー
52 輸送モータ
54 輸送副装置
56 制御ロジックプロレッサー
60 原子層堆積(ALD)装置
62 ウェブコンベア
64 配送ヘッド輸送体
66 ウェブ基板
70 原子層堆積(ALD)装置
74 基板支持体
90 前駆体材料の方向付けチャンネル
91 排気方向付けチャンネル
92 パージガスの方向付けチャンネル
96 基板支持体
98 ガス流体支持
100 コネクションプレート
102 方向付けチャンバー
104 インプットポート
110 ガスチャンバープレート
112,113,115 サプライチャンバー
114,116 排気チャンバー
120 ガス方向付けプレート
122 前駆体材料の方向付けチャンネル
123 排気方向付けチャンネル
130 ベースプレート
132 延在射出チャンネル
134 延在排気チャンネル
140 ガスディフューザーユニット
142 ノズルプレート
143,147,149 第一、第二、第三のディフューザー通路
146 ガスディフューザープレート
148 フェースプレート
150 配送アセンブリー
152 延在射出チャンネル
154 延在排気チャンネル
160 セパレータプレート
162 パージプレート
164 排気プレート
166,166’ 反応体プレート
168 開口部
170 スプリング
180 順次の第一の排気スロット
182 順次の第二の排気スロット
184 順次の第三の排気スロット
A 矢印
D 距離
E 排気プレート
F1,F2,F3,F4 ガスフロー
Fm 機械的力
I 第三の不活性気相材料
L 長さ
K 方向
M 第二の反応体気相材料
O 第一の反応体気相材料
P パージプレート
Patm 大気圧
Pin 最大圧力
Pout 最小圧力
R 反応体プレート
S セパレータプレート
w1,w2 チャンネル幅
X 矢印
x10 配送ヘッド10の中央要素
Claims (26)
- 基板上に固体材料の薄膜堆積を行うための装置であって、
A)少なくとも第一の気相材料、第二の気相材料及び第三の気相材料のための少なくとも第一の源、第二の源及び第三の源、
B)基板表面を有しそして、ある単位面積あたりの平均重量を有する基板、
C)薄膜堆積を行うための前記基板表面に前記気相材料を配送するための堆積配送ヘッドであって、
i)前記第一の気相材料、第二の気相材料及び第三の気相材料をそれぞれ受けるための少なくとも第一のインレットポート、第二のインレットポート及び第三のインレットポート、
ii)排気ガスを排気するための少なくとも1つの排気ポート、及び、
iii)複数の延在開口部を含む、前記基板表面に近接したアウトプット面、
を含む堆積配送ヘッド、
を含み、
(a)前記インレットポートの各々は、前記基板にそれぞれの気相材料を供給するための堆積配送ヘッドの面において、少なくとも1つの第一の延在アウトプット開口部、第二の延在アウトプット開口部及び第三の延在アウトプット開口部に独立に連結されており、該延在アウトプット開口部の各々は対応する第一の延在射出チャンネル、第二の延在射出チャンネル及び第三の延在射出チャンネルに連結されており、そして
(b)前記少なくとも1つの排気ポートは堆積配送ヘッドの面において少なくとも2つの延在排気開口部に連結されており、該延在排気開口部の各々は対応する延在排気チャンネルと連結しており、前記延在排気開口部の各々は連携圧力を有し、前記少なくとも2つの延在排気開口部は少なくとも第一の延在アウトプット開口部、第二の延在アウトプット開口部又は第三の延在アウトプット開口部が前記少なくとも2つの延在排気開口部の間に存在するように配置されており、
前記アウトプット面と基板表面との間の実質的に均一な距離は、前記延在アウトプット開口部から基板表面への1つ以上の気相材料のフローによって発生する圧力によって少なくとも部分的に維持され、そして、パスカルとして測定した大気圧と延在排気開口部の平均圧力との差は、パスカルとして測定した、前記基板の単位面積あたりの平均重量の少なくとも2倍である、装置。 - 前記第一のインレットポート及び第二のインレットポートの各々はそれぞれ複数の第一の延在射出チャンネル及び複数の第二の延在射出チャンネルに独立に連結されており、
前記第一の延在射出チャンネルの各々は対応する延在アウトプット開口部に連結されており、該延在アウトプット開口部は、その両側の延在面において、相対的に近い方の延在排気開口部及び相対的に近くない方の第三のパージガス用延在開口部によって、最も近い第二の延在アウトプット開口部から分離されており、
前記第二の延在アウトプット開口部の各々は、その両側の延在面において、相対的に近い方の延在排気開口部及び相対的に近くない方の第三のパージガス用延在アウトプット開口部によって、最も近い第一の延在アウトプット開口部から分離されている、請求項1記載の装置。 - 前記装置は、配送デバイスのアウトプット面の縁に最も近い側で第二の延在アウトプット開口部又は第一の延在アウトプット開口部を有しない配送ヘッドの2つの末端の各々に第三の延在アウトプット開口部を含む、請求項1記載の装置。
- 前記基板は前記堆積配送ヘッドの上方にあり、それにより、前記基板の重量が前記基板を前記堆積配送ヘッドに向かって引っ張るように作用する、請求項1記載の装置。
- 前記基板は前記堆積配送ヘッドの下方にあり、それにより、前記基板を前記堆積配送ヘッドから離れる方向に引っ張るように作用する前記基板の重量は前記延在排気開口部による保持力によって相殺される、請求項1記載の装置。
- 前記堆積配送ヘッドは装置内に固定されており、前記基板は前記堆積配送ヘッドに対して移動する、請求項1記載の装置。
- 前記アウトプット面は曲面を有する、請求項1記載の装置。
- 前記アウトプット面の曲面は1メートルを超える半径を有する、請求項7記載の装置。
- 前記曲面の軸は前記基板の移動方向に平行である、請求項7記載の装置。
- 前記曲面の軸は前記基板の移動方向に垂直である、請求項7記載の装置。
- 前記基板を支持するための追加の手段を含む、請求項1記載の装置。
- 前記堆積配送ヘッドに対して前記基板を移動するための追加の手段を含む、請求項1記載の装置。
- 前記基板はウェブである、請求項1記載の装置。
- 前記ウェブの移動は輸送機器によって与えられ、該移動は装置を通して連続であり又は往復運動である、請求項13記載の装置。
- 前記基板及び堆積配送ヘッドは大気に開放されている、請求項1記載の装置。
- 前記アウトプット面と基板表面との間で維持される実質的に均一な距離は0.5mm未満である、請求項1記載の装置。
- 基板上に薄膜材料を堆積させるための方法であって、一連のガスフローを同時に薄膜堆積装置の配送ヘッドのアウトプット面から基板の表面に向けることを含み、該一連のガスフローは第一の反応性気相材料、不活性パージガス及び第二の反応性気相材料を少なくとも含み、前記第一の反応性気相材料は前記第二の反応性気相材料で処理した基板表面と反応することができ、前記配送ヘッドは、
(a)前記第一の反応性気相材料、第二の反応性気相材料及び不活性パージガスをそれぞれ受けるための少なくとも第一のインレットポート、第二のインレットポート及び第三のインレットポート、
(b)排気ガスを排気するための少なくとも1つの排気ポート、
(c)複数の延在開口部を含む、基板表面に近接したアウトプット面、
を含み、
(i)前記インレットポートの各々は、前記基板にそれぞれの気相材料を供給するための、少なくとも1つの第一の延在アウトプット開口部、第二の延在アウトプット開口部及び第三の延在アウトプット開口部に独立に連結されており、そして
(ii)前記少なくとも1つの排気ポートは各々がある連携圧力を有する少なくとも2つの延在排気開口部に連結されており、前記延在排気開口部は少なくとも第一の延在アウトプット開口部、第二の延在アウトプット開口部又は第三の延在アウトプット開口部が前記少なくとも2つの排気開口部の間に存在するように配置されており、
前記アウトプット面と基板表面との間の実質的に均一な距離は、前記延在アウトプット開口部から基板表面への1つ以上の気相材料のフローによって発生する圧力によって少なくとも部分的に維持され、そして、パスカルとして測定した大気圧と延在排気開口部の平均圧力との差は、パスカルとして測定した、前記基板の単位面積あたりの平均重量の少なくとも2倍である、方法。 - 前記第一の反応性気相材料のフロー及び第二の反応性気相材料のフローは少なくとも前記不活性パージガス及び延在排気開口部によって実質的に空間的に分離されている、請求項17記載の方法。
- 前記第一の反応性気相材料のガスフロー、第二の反応体気相材料のガスフロー及び不活性パージガスのガスフローは、組み合わせとして、前記配送ヘッドのアウトプット面から前記基板の表面を分離するのに実質的に寄与する圧力を提供する、請求項17記載の方法。
- 前記基板の近傍に配置された、実質的に平行な一連の延在アウトプット開口部からガスフローは提供され、前記配送ヘッドのアウトプット面は堆積を受ける前記基板の表面から1mm以内の間隔である、請求項17記載の方法。
- 前記基板の所与の領域は一度に約500ミリ秒未満の時間、前記第一の反応性気相材料のガスフローに暴露される、請求項17記載の装置。
- 前記配送ヘッドと基板のと間の相対運動を与えることをさらに含む、請求項17記載の方法。
- 堆積の間の前記基板の温度は300℃未満である、請求項17記載の方法。
- 第一の反応性ガスは金属含有反応性気相材料であり、第二の反応性ガスは反応して酸化物又は硫化物材料を生成する非金属反応性気相材料であり、該酸化物又は硫化物材料は五酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化チタン、五酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化亜鉛、酸化ランチウム(lanthium)、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化マンガン、酸化スズ、酸化インジウム、酸化タングステン、二酸化ケイ素、硫化亜鉛、硫化ストロンチウム、硫化カルシウム、硫化鉛及びそれらの混合物からなる群より選ばれる、請求項17記載の方法。
- トランジスタにおける使用のための金属酸化物をベースとする材料を含む半導体又は誘電体薄膜を基板上に製造するために使用され、
基板上で300℃以下の温度で金属酸化物をベースとする材料を少なくとも一層形成することを含み、該金属酸化物をベースとする材料は第一の反応性ガスが有機金属前駆体化合物を含みかつ第二の反応性ガスが反応性酸素含有気相材料を含む少なくとも2つの反応性ガスの反応生成物である、請求項17記載の方法。 - パスカルとして測定した前記排気チャンネルの平均圧力は、パスカルとして測定した前記基板の単位面積あたりの平均重量の少なくとも10倍である、請求項17記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/861,372 US7572686B2 (en) | 2007-09-26 | 2007-09-26 | System for thin film deposition utilizing compensating forces |
US11/861,372 | 2007-09-26 | ||
PCT/US2008/011065 WO2009042147A1 (en) | 2007-09-26 | 2008-09-24 | Process and deposition system for thin film formation with gas delivery head having spatial separation of reactive gases and movement of the substrate passed the delivery head |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010541242A true JP2010541242A (ja) | 2010-12-24 |
JP2010541242A5 JP2010541242A5 (ja) | 2011-11-10 |
JP5444228B2 JP5444228B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=40195365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010526934A Expired - Fee Related JP5444228B2 (ja) | 2007-09-26 | 2008-09-24 | 基板上に薄膜材料を堆積させるための方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7572686B2 (ja) |
EP (1) | EP2193221B1 (ja) |
JP (1) | JP5444228B2 (ja) |
CN (1) | CN101821427A (ja) |
TW (1) | TWI421368B (ja) |
WO (1) | WO2009042147A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012191001A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理方法及び装置 |
JP2013506761A (ja) * | 2009-10-02 | 2013-02-28 | ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッド | 基板に対する改善されたコーティングのための非直交ジオメトリ |
KR20160001683A (ko) * | 2014-06-27 | 2016-01-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 인시튜 피드백을 통한 웨이퍼 배치 및 갭 제어 최적화 |
JP2021036068A (ja) * | 2019-08-30 | 2021-03-04 | 株式会社明電舎 | 原子層堆積方法 |
Families Citing this family (91)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11136667B2 (en) * | 2007-01-08 | 2021-10-05 | Eastman Kodak Company | Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure |
US20080166880A1 (en) * | 2007-01-08 | 2008-07-10 | Levy David H | Delivery device for deposition |
US7789961B2 (en) * | 2007-01-08 | 2010-09-07 | Eastman Kodak Company | Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition |
US8528498B2 (en) * | 2007-06-29 | 2013-09-10 | Lam Research Corporation | Integrated steerability array arrangement for minimizing non-uniformity |
US8092599B2 (en) * | 2007-07-10 | 2012-01-10 | Veeco Instruments Inc. | Movable injectors in rotating disc gas reactors |
US8039052B2 (en) * | 2007-09-06 | 2011-10-18 | Intermolecular, Inc. | Multi-region processing system and heads |
US8182608B2 (en) * | 2007-09-26 | 2012-05-22 | Eastman Kodak Company | Deposition system for thin film formation |
US7972898B2 (en) * | 2007-09-26 | 2011-07-05 | Eastman Kodak Company | Process for making doped zinc oxide |
US8398770B2 (en) * | 2007-09-26 | 2013-03-19 | Eastman Kodak Company | Deposition system for thin film formation |
US7858144B2 (en) * | 2007-09-26 | 2010-12-28 | Eastman Kodak Company | Process for depositing organic materials |
US8211231B2 (en) * | 2007-09-26 | 2012-07-03 | Eastman Kodak Company | Delivery device for deposition |
JP5179389B2 (ja) * | 2008-03-19 | 2013-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワーヘッド及び基板処理装置 |
US9238867B2 (en) | 2008-05-20 | 2016-01-19 | Asm International N.V. | Apparatus and method for high-throughput atomic layer deposition |
US20090291209A1 (en) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Asm International N.V. | Apparatus and method for high-throughput atomic layer deposition |
JP5231117B2 (ja) * | 2008-07-24 | 2013-07-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置および成膜方法 |
US8470718B2 (en) | 2008-08-13 | 2013-06-25 | Synos Technology, Inc. | Vapor deposition reactor for forming thin film |
EP2159304A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-03 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus and method for atomic layer deposition |
US8293013B2 (en) * | 2008-12-30 | 2012-10-23 | Intermolecular, Inc. | Dual path gas distribution device |
US8758512B2 (en) | 2009-06-08 | 2014-06-24 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor and method for forming thin film |
US8657959B2 (en) * | 2009-07-31 | 2014-02-25 | E I Du Pont De Nemours And Company | Apparatus for atomic layer deposition on a moving substrate |
US20110023775A1 (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Apparatus for atomic layer deposition |
US20110076421A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Synos Technology, Inc. | Vapor deposition reactor for forming thin film on curved surface |
US20110097491A1 (en) * | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Levy David H | Conveyance system including opposed fluid distribution manifolds |
US20110097493A1 (en) * | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Kerr Roger S | Fluid distribution manifold including non-parallel non-perpendicular slots |
WO2011062779A1 (en) | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Eastman Kodak Company | Method for selective deposition and devices |
US20110140726A1 (en) * | 2009-11-23 | 2011-06-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and Methods for Measuring Solar Cell Module Performance |
EP2360293A1 (en) | 2010-02-11 | 2011-08-24 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate |
EP2362411A1 (en) | 2010-02-26 | 2011-08-31 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus and method for reactive ion etching |
JP5569084B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-08-13 | セイコーエプソン株式会社 | 画像表示装置および画像表示方法 |
FI20105905A0 (fi) * | 2010-08-30 | 2010-08-30 | Beneq Oy | Suutinpää ja laite |
FI20105903A0 (fi) * | 2010-08-30 | 2010-08-30 | Beneq Oy | Laite |
US8133806B1 (en) | 2010-09-30 | 2012-03-13 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Systems and methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition |
US8486192B2 (en) | 2010-09-30 | 2013-07-16 | Soitec | Thermalizing gas injectors for generating increased precursor gas, material deposition systems including such injectors, and related methods |
TWI541378B (zh) | 2010-10-16 | 2016-07-11 | 奧特科技公司 | 原子層沉積鍍膜系統及方法 |
US8840958B2 (en) | 2011-02-14 | 2014-09-23 | Veeco Ald Inc. | Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor |
US20120222620A1 (en) | 2011-03-01 | 2012-09-06 | Applied Materials, Inc. | Atomic Layer Deposition Carousel with Continuous Rotation and Methods of Use |
CN104081456B (zh) | 2011-11-23 | 2018-07-03 | 康宁股份有限公司 | 用于保护玻璃板的气相沉积方法 |
US8633115B2 (en) * | 2011-11-30 | 2014-01-21 | Applied Materials, Inc. | Methods for atomic layer etching |
US20130143415A1 (en) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | Applied Materials, Inc. | Multi-Component Film Deposition |
US8618003B2 (en) | 2011-12-05 | 2013-12-31 | Eastman Kodak Company | Method of making electronic devices using selective deposition |
US9748125B2 (en) | 2012-01-31 | 2017-08-29 | Applied Materials, Inc. | Continuous substrate processing system |
US9587117B2 (en) * | 2012-04-03 | 2017-03-07 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd. | Hybrid metal and metal oxide layers with enhanced activity |
FI125341B (en) * | 2012-07-09 | 2015-08-31 | Beneq Oy | Apparatus and method for treating substrate |
US8846545B2 (en) | 2012-08-31 | 2014-09-30 | Eastman Kodak Company | Method of forming patterned thin film dielectric stack |
US8927434B2 (en) | 2012-08-31 | 2015-01-06 | Eastman Kodak Company | Patterned thin film dielectric stack formation |
US8653516B1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-02-18 | Eastman Kodak Company | High performance thin film transistor |
US8791023B2 (en) | 2012-08-31 | 2014-07-29 | Eastman Kodak Company | Patterned thin film dielectric layer formation |
US20140206137A1 (en) * | 2013-01-23 | 2014-07-24 | David H. Levy | Deposition system for thin film formation |
KR102193652B1 (ko) | 2013-03-11 | 2020-12-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고온 공정 챔버 리드 |
US8921236B1 (en) | 2013-06-21 | 2014-12-30 | Eastman Kodak Company | Patterning for selective area deposition |
US8937016B2 (en) | 2013-06-21 | 2015-01-20 | Eastman Kodak Company | Substrate preparation for selective area deposition |
KR101559629B1 (ko) | 2013-12-09 | 2015-10-13 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 원자층 증착장치 |
WO2015103358A1 (en) | 2014-01-05 | 2015-07-09 | Applied Materials, Inc. | Film deposition using spatial atomic layer deposition or pulsed chemical vapor deposition |
EP3100298B1 (en) | 2014-01-27 | 2020-07-15 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems |
US9236486B2 (en) | 2014-03-06 | 2016-01-12 | Eastman Kodak Company | Offset independently operable VTFT electrodes |
WO2015134082A1 (en) | 2014-03-06 | 2015-09-11 | Eastman Kodak Company | Vtft with polymer core |
US9147770B1 (en) | 2014-03-06 | 2015-09-29 | Eastman Kodak Company | VTFT with extended electrode |
US9214560B2 (en) | 2014-03-06 | 2015-12-15 | Eastman Kodak Company | VTFT including overlapping electrodes |
US9123815B1 (en) | 2014-03-06 | 2015-09-01 | Eastman Kodak Company | VTFTs including offset electrodes |
US9331205B2 (en) | 2014-03-06 | 2016-05-03 | Eastman Kodak Company | VTFT with post, cap, and aligned gate |
US9198283B2 (en) | 2014-03-06 | 2015-11-24 | Eastman Kodak Company | Vertically spaced electrode structure |
US9153698B2 (en) | 2014-03-06 | 2015-10-06 | Eastman Kodak Company | VTFT with gate aligned to vertical structure |
US9129993B1 (en) | 2014-03-06 | 2015-09-08 | Eastman Kodak Company | Forming a VTFT using printing |
US9202898B2 (en) | 2014-03-06 | 2015-12-01 | Eastman Kodak Company | Fabricating VTFT with polymer core |
US9093470B1 (en) | 2014-03-06 | 2015-07-28 | Eastman Kodak Company | VTFT formation using capillary action |
US9178029B2 (en) | 2014-03-06 | 2015-11-03 | Eastman Kodak Company | Forming a VTFT gate using printing |
US9153445B2 (en) | 2014-03-06 | 2015-10-06 | Eastman Kodak Company | Forming a VTFT with aligned gate |
US9142647B1 (en) | 2014-03-06 | 2015-09-22 | Eastman Kodak Company | VTFT formation using selective area deposition |
US9117914B1 (en) | 2014-03-06 | 2015-08-25 | Eastman Kodak Company | VTFT with polymer core |
US11220737B2 (en) * | 2014-06-25 | 2022-01-11 | Universal Display Corporation | Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials |
EP2960059B1 (en) | 2014-06-25 | 2018-10-24 | Universal Display Corporation | Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials |
US11267012B2 (en) | 2014-06-25 | 2022-03-08 | Universal Display Corporation | Spatial control of vapor condensation using convection |
CN105336723B (zh) * | 2014-07-28 | 2018-09-14 | 通用电气公司 | 半导体模块、半导体模块组件及半导体装置 |
US9528184B2 (en) * | 2015-02-13 | 2016-12-27 | Eastman Kodak Company | Atomic-layer deposition method using compound gas jet |
KR102420015B1 (ko) * | 2015-08-28 | 2022-07-12 | 삼성전자주식회사 | Cs-ald 장치의 샤워헤드 |
US10566534B2 (en) | 2015-10-12 | 2020-02-18 | Universal Display Corporation | Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP) |
KR101715192B1 (ko) * | 2015-10-27 | 2017-03-23 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 |
US10501848B2 (en) | 2017-03-14 | 2019-12-10 | Eastman Kodak Company | Deposition system with modular deposition heads |
US10550476B2 (en) | 2017-03-14 | 2020-02-04 | Eastman Kodak Company | Heated gas-bearing backer |
US10584413B2 (en) | 2017-03-14 | 2020-03-10 | Eastman Kodak Company | Vertical system with vacuum pre-loaded deposition head |
US20180265977A1 (en) | 2017-03-14 | 2018-09-20 | Eastman Kodak Company | Deposition system with vacuum pre-loaded deposition head |
US10422038B2 (en) * | 2017-03-14 | 2019-09-24 | Eastman Kodak Company | Dual gas bearing substrate positioning system |
US10400332B2 (en) * | 2017-03-14 | 2019-09-03 | Eastman Kodak Company | Deposition system with interlocking deposition heads |
US10435788B2 (en) * | 2017-03-14 | 2019-10-08 | Eastman Kodak | Deposition system with repeating motion profile |
US10895011B2 (en) * | 2017-03-14 | 2021-01-19 | Eastman Kodak Company | Modular thin film deposition system |
US11248292B2 (en) | 2017-03-14 | 2022-02-15 | Eastman Kodak Company | Deposition system with moveable-position web guides |
US11189502B2 (en) * | 2018-04-08 | 2021-11-30 | Applied Materials, Inc. | Showerhead with interlaced gas feed and removal and methods of use |
FR3084275B1 (fr) * | 2018-07-30 | 2020-07-31 | Centre Nat Rech Scient | Tete et systeme compacts de depot en phase vapeur |
JP6702514B1 (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-03 | 株式会社明電舎 | 酸化膜形成装置 |
KR102621695B1 (ko) | 2021-05-21 | 2024-01-08 | 주식회사 인피니티테크놀로지 | 진공커튼 및 그의 시스템 |
WO2024073518A1 (en) * | 2022-09-27 | 2024-04-04 | Coreshell Technologies, Inc. | Liquid-phase deposition of thin films |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004319484A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Eastman Kodak Co | 透明防湿層を形成するための方法及び装置並びに防湿型oledデバイス |
JP2005089781A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 薄膜形成装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI57975C (fi) * | 1979-02-28 | 1980-11-10 | Lohja Ab Oy | Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor |
US4590042A (en) * | 1984-12-24 | 1986-05-20 | Tegal Corporation | Plasma reactor having slotted manifold |
CA2016970A1 (en) * | 1990-05-16 | 1991-11-16 | Prasad N. Gadgil | Inverted diffusion stagnation point flow reactor for vapor deposition of thin films |
US6200389B1 (en) * | 1994-07-18 | 2001-03-13 | Silicon Valley Group Thermal Systems Llc | Single body injector and deposition chamber |
FI100409B (fi) * | 1994-11-28 | 1997-11-28 | Asm Int | Menetelmä ja laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi |
US6127286A (en) * | 1998-05-11 | 2000-10-03 | Lsi Logic Corporation | Apparatus and process for deposition of thin film on semiconductor substrate while inhibiting particle formation and deposition |
JP3329441B2 (ja) * | 1998-10-09 | 2002-09-30 | ティーディーケイ株式会社 | 薄膜形成のための前処理方法 |
FI118474B (fi) * | 1999-12-28 | 2007-11-30 | Asm Int | Laite ohutkalvojen valmistamiseksi |
US6821563B2 (en) * | 2002-10-02 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for cyclical layer deposition |
US7064089B2 (en) * | 2002-12-10 | 2006-06-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma treatment apparatus and method for plasma treatment |
DE10261579A1 (de) * | 2002-12-23 | 2004-07-15 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von Trehalose-freien Aminosäuren |
US7413982B2 (en) | 2006-03-29 | 2008-08-19 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
US7456429B2 (en) | 2006-03-29 | 2008-11-25 | Eastman Kodak Company | Apparatus for atomic layer deposition |
US11136667B2 (en) | 2007-01-08 | 2021-10-05 | Eastman Kodak Company | Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure |
US7789961B2 (en) | 2007-01-08 | 2010-09-07 | Eastman Kodak Company | Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition |
US20080166880A1 (en) | 2007-01-08 | 2008-07-10 | Levy David H | Delivery device for deposition |
-
2007
- 2007-09-26 US US11/861,372 patent/US7572686B2/en active Active
-
2008
- 2008-09-24 CN CN200880108808A patent/CN101821427A/zh active Pending
- 2008-09-24 JP JP2010526934A patent/JP5444228B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-24 WO PCT/US2008/011065 patent/WO2009042147A1/en active Application Filing
- 2008-09-24 EP EP08833304.2A patent/EP2193221B1/en active Active
- 2008-09-25 TW TW097136931A patent/TWI421368B/zh not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-05-13 US US12/464,904 patent/US7850780B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004319484A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Eastman Kodak Co | 透明防湿層を形成するための方法及び装置並びに防湿型oledデバイス |
JP2005089781A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 薄膜形成装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013506761A (ja) * | 2009-10-02 | 2013-02-28 | ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッド | 基板に対する改善されたコーティングのための非直交ジオメトリ |
JP2012191001A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理方法及び装置 |
KR102410568B1 (ko) | 2014-06-27 | 2022-06-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 인시튜 피드백을 통한 웨이퍼 배치 및 갭 제어 최적화 |
KR20160001683A (ko) * | 2014-06-27 | 2016-01-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 인시튜 피드백을 통한 웨이퍼 배치 및 갭 제어 최적화 |
KR102567811B1 (ko) | 2014-06-27 | 2023-08-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 인시튜 피드백을 통한 웨이퍼 배치 및 갭 제어 최적화 |
KR20220088394A (ko) * | 2014-06-27 | 2022-06-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 인시튜 피드백을 통한 웨이퍼 배치 및 갭 제어 최적화 |
JP2021036068A (ja) * | 2019-08-30 | 2021-03-04 | 株式会社明電舎 | 原子層堆積方法 |
KR102406061B1 (ko) | 2019-08-30 | 2022-06-08 | 메이덴샤 코포레이션 | 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법 |
CN114286875A (zh) * | 2019-08-30 | 2022-04-05 | 株式会社明电舍 | 原子层沉积装置和原子层沉积方法 |
KR20220038169A (ko) * | 2019-08-30 | 2022-03-25 | 메이덴샤 코포레이션 | 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법 |
CN114286875B (zh) * | 2019-08-30 | 2022-08-19 | 株式会社明电舍 | 原子层沉积装置和原子层沉积方法 |
US11680319B2 (en) | 2019-08-30 | 2023-06-20 | Meidensha Corporation | Atomic layer deposition device and atomic layer deposition method |
WO2021038958A1 (ja) * | 2019-08-30 | 2021-03-04 | 株式会社明電舎 | 原子層堆積装置および原子層堆積方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090081886A1 (en) | 2009-03-26 |
EP2193221B1 (en) | 2016-03-16 |
TWI421368B (zh) | 2014-01-01 |
US7572686B2 (en) | 2009-08-11 |
US7850780B2 (en) | 2010-12-14 |
TW200930834A (en) | 2009-07-16 |
US20090217878A1 (en) | 2009-09-03 |
EP2193221A1 (en) | 2010-06-09 |
CN101821427A (zh) | 2010-09-01 |
WO2009042147A1 (en) | 2009-04-02 |
JP5444228B2 (ja) | 2014-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5444228B2 (ja) | 基板上に薄膜材料を堆積させるための方法 | |
TWI419992B (zh) | 用於薄膜沈積之輸送裝置 | |
US10351954B2 (en) | Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure | |
JP5539882B2 (ja) | 蒸着のための供給装置 | |
JP2010515822A (ja) | 堆積用供給装置 | |
JP2010541236A (ja) | 反応性ガスを空間的に分離するガス配送ヘッドを用い、配送ヘッドを通過する基板の移動を伴う、薄膜形成のための方法及び堆積装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110922 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110922 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130507 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130719 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130726 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130920 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131022 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131030 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5444228 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |