JP2010539700A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パターニングデバイスからのパターンを基板上に投影するように構成されたリソグラフィ装置が開示される。このリソグラフィ装置は、照明システム(IL)と、照明システム(IL)の内壁(64)と外壁(62)との間から、または、放射源(SO)がある場合には、照明システム(IL)の内壁(64)と放射システム(SO)の内壁(62)との間からガスを排出するポンプシステム(78)に接続されたアウトレットとを含む。
【選択図】 図4
Description
ここで、λは用いられる放射の波長であり、NAPSはパターンのプリントに用いられる投影システムの開口数であり、k1は、レイリー定数とも呼ばれる、プロセス依存型調節係数であり、CDはプリントされたフィーチャのフィーチャサイズ(またはクリティカルディメンション)である。式(1)から、フィーチャの最小プリント可能サイズの縮小は、3つの方法、すなわち、露光波長λを短くすること、開口数NAPSを大きくすること、またはk1の値を小さくすることによって得ることができることが分かる。
放射源からの放射を調整するように構成された照明システムであって、放射源に向いていない内壁と、放射源に向く外壁とを有し、内壁および外壁は、放射源からの放射を照明システム内に送ることを可能にするアパーチャを有する、照明システムと、
アパーチャにまたはその付近に配置され、且つ、照明システムの内壁と外壁との間に、または、リソグラフィ装置が放射源を含む場合は、照明システムの内壁と放射源に向く放射源の内壁との間に且つ照明システムの内壁に隣接して配置されるアウトレットと、
アウトレットを通じて照明システムおよび/または放射源からガスを排出するように構成されたポンプシステムと、
放射の断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを保持するように構成されたサポート構造とを含む。
燃料液体の小滴を発生するように構成された小滴ジェネレータと、
レーザビームを生成するように構成され、レーザビームを小滴ジェネレータによって発生された小滴に、点火位置において、当てるべく向けるように構成されたレーザと、
点火位置が内部に配置され、放射源からの放射を送るためのアパーチャ付き内壁を有する放射源チャンバと、
アパーチャにまたはその付近に配置されまた内壁の外側に配置されたアウトレットと、
アウトレットを通じて放射源からガスを排出するように構成されたポンプシステムとを含む。
放射源からの放射を調整するように構成された照明システムであって、放射源からの放射を照明システム内に送ることを可能にするアパーチャ付きの壁を有する、照明システムと、
放射の方向において汚染パーティクルがアパーチャを通過することを防ぐことを支援するガス流を供給するように構成され、ガス流を横断する方向における流れの均一性を高めるように構成された流れ分配構造を含む、抑制流システムと、
放射の断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを保持するように構成されたサポート構造とを含む。ガス流は、H2、He、Ne、KrおよびArからなる群から選択される1つ以上のガスを含んでよい。
‐放射ビームB(例えばEUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
‐パターニングデバイス(例えばマスクまたはレチクル)MAを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
‐基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
‐パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを含む。
に等しい。望ましくは、
である。
が得られる。Psは、放射源圧であり、Peは、汚染パーティクルの質量拡散の抑制量の尺度であるいわゆるペクレ(Peclet)数である。式2および式3を用いると、入力パラメータのうちの1つを、例えば、5%増加することで僅かに変化させる際にどのように放射源圧Psとペクレ数Peが変化するかを推定することができる。
を用いて理解することができる。Trは極端紫外線に対するガスの透過率であり、Pは特定の吸収ガスの分圧であり、σはガスの吸収断面であり、Lは透過率が決定される放射経路の長さであり、kはボルツマン(Boltzman)定数であり、Tは温度である。式4から、透過率はPそれ自体ではなくP/T比に依存することが分かる。したがって、放射システム42内の幾つかの場所間に特定の温度差を維持することによって、放射源SOによって放出された放射の光路に沿った総透過率を適切なレベルに維持することができる一方で、比較的高い圧力が望まれる場所では比較的高い圧力にすることが可能となる。
Claims (25)
- パターニングデバイスからのパターンを基板上に投影するリソグラフィ装置であって、
放射源からの放射を調整する照明システムであって、前記放射源に向いていない内壁と、前記放射源に向く外壁とを有し、前記内壁および前記外壁は、前記放射源からの放射を前記照明システム内に送ることを可能にするアパーチャを有する、照明システムと、
前記アパーチャにまたはその付近に配置され、且つ、前記照明システムの前記内壁と前記外壁との間に、または、前記リソグラフィ装置が前記放射源を含む場合は、前記照明システムの前記内壁と前記放射源に向く前記放射源の内壁との間に且つ前記照明システムの前記内壁に隣接して配置されるアウトレットと、
前記アウトレットを通じて前記照明システムおよび/または前記放射源からガスを排出するポンプシステムと、
前記放射の断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能である前記パターニングデバイスを保持するサポート構造と、
を含む、リソグラフィ装置。 - 前記アウトレットは、前記放射の焦点にまたはその付近に配置される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記放射源と、前記放射源によって放出された放射を焦点内に集束させるコレクタとをさらに含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記照明システムの前記外壁、または、前記リソグラフィ装置が放射源を含む場合は、前記放射源の前記内壁の一部は、前記焦点に向かう方向に先細にされる、請求項3に記載のリソグラフィ装置。
- 前記一部は、円錐形である、請求項4に記載のリソグラフィ装置。
- 前記先細にされた一部は、前記焦点の半径0.15m以内である、請求項4に記載のリソグラフィ装置。
- 前記アウトレットは、前記一部の中を延在する、請求項4に記載のリソグラフィ装置。
- 前記放射の方向において汚染パーティクルが前記アパーチャを通過することを防ぐことを支援するガス流を供給する抑制流システムをさらに含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ガス流は、H2、He、Ne、KrおよびArからなる群から選択される1つ以上のガスを含む、請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記抑制流システムは、前記ガス流を横断する方向における流れの均一性を高める流れ分配構造を含む、請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
を更に含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。 - 前記照明システムの前記内壁の一部は、前記放射の焦点に向かう方向に先細にされる、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記照明システムの前記内壁の前記一部は、円錐形である、請求項12に記載のリソグラフィ装置。
- 前記内壁の前記先細にされた一部は、前記焦点の半径0.15m以内である、請求項12に記載のリソグラフィ装置。
- 前記内壁の前記先細にされた一部は、前記焦点の半径0.10m以内である、請求項14に記載のリソグラフィ装置。
- 前記アウトレットは、前記照明システムの前記内壁の前記一部の中を延在する、請求項12に記載のリソグラフィ装置。
- パターニングデバイスからのパターンを基板上に投影するリソグラフィ装置であって、
放射源からの放射を調整する照明システムであって、前記放射源からの放射を前記照明システム内に送ることを可能にするアパーチャ付きの壁を有する、照明システムと、
前記放射の方向において汚染パーティクルが前記アパーチャを通過することを防ぐことを支援するガス流を供給し、前記ガス流を横断する方向における流れの均一性を高める流れ分配構造を含む、抑制流システムと、
前記放射の断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能な前記パターニングデバイスを保持するサポート構造と、
を含む、リソグラフィ装置。 - 前記ガス流は、H2、He、Ne、KrおよびArからなる群から選択される1つ以上のガスを含む、請求項17に記載のリソグラフィ装置。
- 放射を放出する放射源であって、
燃料液体の小滴を発生させる小滴ジェネレータと、
レーザビームを生成し、前記レーザビームを前記小滴ジェネレータによって発生させた前記小滴に、点火位置において、当てるべく向けるレーザと、
前記点火位置が内部に配置され、前記放射源からの前記放射を送るためのアパーチャ付き内壁を有する放射源チャンバと、
前記アパーチャにまたはその付近に配置され、また、前記内壁の外側に配置されたアウトレットと、
前記アウトレットを通じて前記放射源からガスを排出するポンプシステムと、
を含む放射源。 - 前記アウトレットは、前記放射の焦点にまたはその付近に配置される、請求項19に記載の放射源。
- 前記内壁の一部は、前記放射の焦点に向かう方向に先細にされる、請求項19に記載の放射源。
- 前記内壁の前記一部は、円錐形である、請求項21に記載の放射源。
- 前記放射源チャンバは、前記内壁に対向する外壁を有し、前記外壁の一部は、前記放射の焦点に向かう方向に先細にされる、請求項21に記載の放射源。
- 前記放射の方向において汚染パーティクルが前記アパーチャを通過することを防ぐことを支援するガス流を供給する抑制流システムをさらに含み、前記ガス流は、H2、He、Ne、KrおよびArからなる群から選択される1つ以上のガスを含む、請求項19に記載の放射源。
- 前記抑制流システムは、前記ガス流を横断する方向における流れの均一性を高める流れ分配構造を含む、請求項24に記載の放射源。
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