JP2010510653A - ボードオンチップパッケージおよびその製造方法 - Google Patents
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
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- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
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- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/061—Disposition
- H01L2224/0612—Layout
- H01L2224/0613—Square or rectangular array
- H01L2224/06134—Square or rectangular array covering only portions of the surface to be connected
- H01L2224/06136—Covering only the central area of the surface to be connected, i.e. central arrangements
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/4824—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
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- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
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- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83194—Lateral distribution of the layer connectors
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- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
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Abstract
ボードオンチップ(BOC)型半導体パッケージは、開口部を有する基材および活性面上に導電領域を有する半導体ダイを含む。活性面が基材の上側面に面し、基材の開口部を完全に被覆するように、基材にダイを載せる。ダイの活性面の導電領域は、基材の開口部に露出する。接着剤を用いてダイを基材に接合させ、基材の開口部を介して、ワイヤボンドで基材に電気的に結合させる。基材の開口部を充填する封止材で、ワイヤボンドを保護する。封止材の外側領域で基材の下側面に、はんだボールを埋め込む。パッケージは、ダイの非活性側に封止材が存在しない、およびダイの側方に封止材が存在しないことを特徴とする。
Description
本発明の分野
本発明は半導体パッケージおよびその製造方法に関する。
本発明は半導体パッケージおよびその製造方法に関する。
本発明の背景
DRAM(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ)メモリーデバイスの半導体パッケージ技術における近年の成果は、ボードオンチップまたはBOCパッケージである。これらのパッケージは、ウィンドウ型半導体パッケージとも呼ばれ、基材を貫通する開口部を有して成る基材を含み、半導体チップまたはダイを、接着材によって、基材の上側面上の開口部の上にフェースダウン方式で載せて、チップの活性(またはアクティブ)面が基材の方に面し、部分的に開口部に露出するようにする。複数のボンディングワイヤは、ダイの活性面を、開口部を介して、基材の下側面に接続する。第1封止材を基材の下側面に形成して、開口部を充填してボンディングワイヤを封止し、基材の上側面上に第2封止材を形成して、チップの裏側および/または側方を封止する。複数のはんだボールを基材の下側面に取り付け、第1封止材の外側に配置する。
DRAM(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ)メモリーデバイスの半導体パッケージ技術における近年の成果は、ボードオンチップまたはBOCパッケージである。これらのパッケージは、ウィンドウ型半導体パッケージとも呼ばれ、基材を貫通する開口部を有して成る基材を含み、半導体チップまたはダイを、接着材によって、基材の上側面上の開口部の上にフェースダウン方式で載せて、チップの活性(またはアクティブ)面が基材の方に面し、部分的に開口部に露出するようにする。複数のボンディングワイヤは、ダイの活性面を、開口部を介して、基材の下側面に接続する。第1封止材を基材の下側面に形成して、開口部を充填してボンディングワイヤを封止し、基材の上側面上に第2封止材を形成して、チップの裏側および/または側方を封止する。複数のはんだボールを基材の下側面に取り付け、第1封止材の外側に配置する。
実際には、BOCパッケージを、少なくとも2つの異なる方法を用いて製造できる。1つの方法では、印刷可能な接着剤ペーストを基材に適用し、ダイ取付前に、Bステージにして非粘着状態にする。一般的に、複数のダイを単一の基材上に載せて、複数のパッケージを単一のボードで作れるようにする。モールディングおよびはんだボールの取付後、パッケージを互いに分離して、単一のパッケージを製造する。図1はこの方法の一般的な態様におけるパッケージの上面図を示し、図2はその断面図を示しており、ダイ11を基材10の開口部100の上に載せることができるパターンで、接着剤12を基材10の上側面101上に印刷する。ダイ11を接着剤12の上に取り付けた後、ワイヤボンド13を、開口部100を介して、ダイ11の活性側111上のワイヤボンドパッド112から、基材10の裏側102に形成する。
モールド工程において、封止材15をワイヤボンド13、ダイ11の非活性側110、およびダイ11の側方113に適用する。モールディング後、はんだボール14を基材10の裏側102に取り付け、切断操作でパッケージを互いに分離する。図3は、この方法のもう1つの一般的な態様を表すパッケージの断面を示しており、ダイ11の非活性側110は封止されていないが、ダイ11の側方113は封止されている。
この従来の方法は、いくつかの欠点を有する。図1および2に示すように、接着剤12は、開口部100の全周辺部に沿って印刷されず、ダイ11の活性面111と基材10の上側面101との間に隙間Gが残る。接着剤12中の隙間Gは、ダイの非活性側および/または側方に、封止材15を用いることを必要とするが、ワイヤボンド13を封止する間、封止材15は、基材10とダイ11との間を流れ、ダイ11の側方113および非活性側110に沿って流れ出す。更に、ダイ11の非活性側110および/または側方113はモールド材料内に封入され、その広大なモールド領域が、モールド工程に固有の熱応力によって、結果的に基材を反らせ得る。このことは、モールド工程の間、基材の応力を解放できる構造にダイを配置することを必要とする。
図4Aは、単一基材10から複数のパッケージを製造することを可能にする、一般的な構造を示す。この構造では、接着剤12を基材10の開口部100の周辺領域に印刷して、後から開口部100を覆うようにダイを接着剤12上に載せることができる。この構造では、モールドされるパッケージのブロック間に、モールドされない基材領域を組み込むことによって応力を解放しており、モールドしたパッケージのブロック間の領域では、基材10にスリット104が含まれる。図4Bはこの構造の拡大図であり、スリット104によって提供される応力解放領域は、メモリパッケージ自身が必要とするよりも、かなり広い基材領域を使用する必要があることを示す。基材10は、メモリパッケージに用いられる高価な材料の1つであるため、このムダは非常に望ましくない。最後に、モールド工程に固有の温度および圧力は、半導体ダイ上に熱応力を与え、歩留まりを低くさせ得る。
図5は、第2の方法を用いて製造したBOCパッケージの上面図で、図6はその断面図である。この方法では、基材の開口部100に対応する場所に穴を有するテープ接着剤17を、基材10の上側面101のテープ取り付け領域105の上に貼り付けて、接着テープの穴を、基材の開口部と整列させる。このようにして、接着テープ17を、ダイ11と基材10との間に一切隙間を形成することなく、ダイ11の活性面111と基材の上側面101との間に介在させる。ダイ11をテープ接着剤17の上に取り付けた後、ワイヤボンド13を、開口部100を介して、ダイ11の活性側111のワイヤボンドパッド112から、基材10の裏側102に形成する。次に1つの工程で、封止材15をワイヤボンド13の上に適用し、モールド工程において、第2封止材16をダイ11の側方113上に適用する。モールド後、はんだボール14を基材10の裏側102に取り付け、切断工程でパッケージを互いに分離させる。
もう1つの態様において、封止材をダイの非活性側とダイの側方に適用する。この方法は、接着剤によって被覆されず、基材の開口部に隣接する領域に起因する、ダイの活性面と基材の上側面との間の隙間の問題を解決するが、重大な欠点を有する。第1に、テープ接着剤の使用は、印刷可能なペーストなどの流動可能接着剤よりも、はるかに高価である。第2に、ダイをテープの上に完璧に整列させて配置することはできないこともあり、ダイの下に幾らかの隙間を存在させてしまう。最後にこの方法は、モールド工程において、ダイの側方および/または裏側を封止する必要がある。従って、上記に記載した方法のように、著しい基材のムダおよびダイにおける熱応力を伴う。
ダイ取り付け用の流動性ペーストを用いて、ダイの活性面と基材の上側面との間の隙間を消失させること、基材のムダを減少させること、ダイの裏側および/または側方を封止するために用いられるモールド工程の間に、ダイに生じる熱応力を消失させることを可能にすることによって、これら両方の方法の欠点を克服する半導体パッケージおよびそのパッケージの製造方法を有することは、非常に有用である。
本発明の概要
本発明は、a)上側面、上側面に対向する下側面、上側面および下側面を貫通する開口部、および下側面上のワイヤボンドパッドを有する基材(または基板)、b)1つまたはそれより多くの導電領域を有する活性側(active side)、および活性側に対向する非活性側(inactive side)を有する半導体ダイであって、活性側が、基材の上側面および下側面を貫通する開口部の上に配置され、開口部を完全に覆っている、基材上に載せられている半導体ダイ、c)基材の上側面とダイの活性側との間に配置され、それらを結合する接着剤であって、導電領域を除き、ダイの活性側が接着剤によって完全に被覆される接着剤、d)ダイの活性側上の導電領域を、基材の開口部を介して、基材の下側面上のワイヤボンドパッドに接続する、複数の導電性ボンディングワイヤ、e)基材の下側面上に適用され、ボンディングワイヤを封止し、基材の開口部を充填する封止材、およびf)封止材の外側領域で基材の下側面上に埋め込まれている複数のはんだボールを含んで成る半導体パッケージであって、ダイの非活性側上に封止材が存在しないこと、およびダイの側方に封止材が存在しないことを特徴とする、半導体パッケージである。
本発明は、a)上側面、上側面に対向する下側面、上側面および下側面を貫通する開口部、および下側面上のワイヤボンドパッドを有する基材(または基板)、b)1つまたはそれより多くの導電領域を有する活性側(active side)、および活性側に対向する非活性側(inactive side)を有する半導体ダイであって、活性側が、基材の上側面および下側面を貫通する開口部の上に配置され、開口部を完全に覆っている、基材上に載せられている半導体ダイ、c)基材の上側面とダイの活性側との間に配置され、それらを結合する接着剤であって、導電領域を除き、ダイの活性側が接着剤によって完全に被覆される接着剤、d)ダイの活性側上の導電領域を、基材の開口部を介して、基材の下側面上のワイヤボンドパッドに接続する、複数の導電性ボンディングワイヤ、e)基材の下側面上に適用され、ボンディングワイヤを封止し、基材の開口部を充填する封止材、およびf)封止材の外側領域で基材の下側面上に埋め込まれている複数のはんだボールを含んで成る半導体パッケージであって、ダイの非活性側上に封止材が存在しないこと、およびダイの側方に封止材が存在しないことを特徴とする、半導体パッケージである。
もう1つの態様において、本発明は、a)上側面、上側面に対向する下側面、上側面および下側面を貫通する開口部、および下側面上にワイヤボンドパッドを有する基材を準備し、b)1つまたはそれより多くの導電領域を有する活性側、および活性側に対向する非活性側を有する、少なくとも1つの半導体ダイを準備し、c)ダイを基材に取り付けた後で、接着剤が、開口部を取り囲み、開口部を含めてダイの設置面積と少なくとも同じ大きさを有するように、基材の上側面上に接着剤パターンで流動可能接着剤を適用して、d)任意で、流動可能接着剤を固化させ、非粘着状態とし、e)ダイを基材上に載せて、活性側が、基材の上側面および下側面を貫通する開口部の上に配置され、開口部を完全に被覆しており、ダイの活性面上の導電領域は基材の開口部に露出して、ダイの活性面は、導電領域を除き、接着剤によって完全に被覆されるようにし、f)任意で、接着剤を硬化させ、g)複数の導電性ボンディングワイヤを取り付けて、ダイの活性側上の導電領域を、基材の開口部を介して、基材の下側面上のワイヤボンドパッドに接続し、h)基材の下側面上に封止材を適用して、ボンディングワイヤを封止し、基材の開口部を充填し、i)封止材を硬化させ、およびj)封止材の外側領域で基材の下側面上に、複数のはんだボールを埋め込むことを含む、半導体パッケージの製造方法であって、ダイの非活性側に対する封止工程が存在しないこと、およびダイの側方に対する封止工程が存在しないことを特徴とする、半導体パッケージの製造方法である。
第3の態様において、本発明は、a)上側面、上側面に対向する下側面、上側および下側面を貫通する開口部、および下側面上にワイヤボンドパッドを有する基材を準備し、b)1つまたはそれより多くの導電領域を有する活性側、および活性側に対向する非活性側を有する、少なくとも1つの半導体ダイを準備し、c)ダイを基材に取り付けた後で、接着剤が、開口部を取り囲み、開口部を含めてダイの設置面積と少なくとも同じ大きさを有するように、ダイの活性側上に接着剤パターンで、流動可能接着剤を適用して、d)任意で、流動可能接着剤を固化させ、非粘着状態とし、e)ダイを基材上に載せて、活性側が、基材の上側および下側面を貫通する開口部の上に配置され、開口部を完全に被覆しており、ダイの活性面上の導電領域は基材の開口部に露出して、ダイの活性面は、導電領域を除き、接着剤によって完全に被覆されるようにし、f)任意で、接着剤を硬化させ、g)複数の導電性ボンディングワイヤを取り付けて、ダイの活性側上の導電領域を、基材の開口部を介して、基材の下側面上のワイヤボンドパッドに接続し、h)基材の下側面上に封止材を適用して、ボンディングワイヤを封止し、基材の開口部を充填し、i)封止材を硬化させ、およびj)封止材の外側領域で基材の下側面上に、複数のはんだボールを埋め込むことを含む、半導体パッケージの製造方法であって、ダイの非活性側に対する封止工程が存在しないこと、およびダイの側方に対する封止工程が存在しないことを特徴とする、半導体パッケージの製造方法である。
第4の態様において、本発明は、表側面、表側面に対向する裏側面、ならびに表側面および裏側面を貫通する開口部を含む、ボードオンチップ半導体パッケージを製造するための基材であって、モールド応力解放領域が存在しないことを特徴とする基材である。
添付図を参照して、下記の詳細な説明を読むことによって、本発明をより充分に理解することができる。
定義事項
本明細書で用いる場合、“アルキル”なる用語は、炭素原子が1〜24の分岐または非分岐の飽和炭化水素基を示し、例えば、メチル(“Me”)、エチル(“Et”)、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、t−ブチル、オクチル、デシルなどである。
本明細書で用いる場合、“アルキル”なる用語は、炭素原子が1〜24の分岐または非分岐の飽和炭化水素基を示し、例えば、メチル(“Me”)、エチル(“Et”)、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、t−ブチル、オクチル、デシルなどである。
本明細書で用いる場合、化合物、生成物、または組成物の“有効量”なる用語は、望ましい結果を提供するための化合物、生成物、または組成物の充分な量を意味する。下記で指摘するように、必要とされる正確な量はパッケージ毎に、用いる特定の化合物、生成物または組成物、その使用方法などに応じて変化する。従って、常に正確な量を特定できるとは限らない。しかしながら、当業者が日常的な実験のみで、有効量を決定できる。
本明細書で用いる場合、“適当”なる用語を用いて、所定の目的に対して、化合物、生成物、または組成物と相性の良いものを意味する。当業者が日常的な実験のみで、所定の目的に対する適合性を決定できる。
本明細書で用いる場合、“置換(substituted)”を用いて、炭素または適当なヘテロ原子が除去されて他の部分(または基、moiety)と置き換えられる水素または他の原子を有することを一般的に意味する。更に、“置換”は、本発明で使用する下記の化合物、生成物、または組成物の基本的かつ新規な有用性を変化させない置換を意味することを、意図している。
本明細書で用いる場合、“Bステージ化”(およびその変形語または派生語)を用いて、加熱または照射による材料の処理を示しており、もし、材料が溶媒に溶解または分散しているならば、材料を部分的に硬化させながらまたはさせないで溶媒を蒸発させて、もし、材料が溶媒を有することなく、そのままであるならば、材料を部分的に硬化させて、粘着性を有する状態とする、またはより固化した状態にする。もし材料が流動可能接着剤であるならば、Bステージ化は、完全に硬化させることなく、非常に低い流動性を与え、接着剤を用いて或る物品をもう1つのものに接合させた後、更なる硬化を行なってよい。流動性の低下は、溶媒の蒸発、樹脂もしくはポリマーの部分的な成長または硬化あるいはその両方によって実行されてよい。
本明細書で用いる場合、“印刷可能なペースト”は、基材、ダイ、またはウェハのような面に印刷することができる任意の液状接着剤である。
本発明の詳細な説明
図7は、本発明に基づく半導体パッケージの1つの態様を図示する上面図を表しており、図8Aは、その断面図を表している。基材20は、上側面201および上側面に対向する下側面202を有しており、基材20の上側面201および下側面202を貫通するように形成される少なくとも1つの開口部200を有する。本発明のために考えられる基材は、限定するわけではないが、BT樹脂、エポキシ樹脂、およびFR−4を含む一般的な樹脂材料で主に作られる、硬質または半硬質(フレキシブルテープではない)である。基材は任意の寸法でよいが、一般的には20mm×100mmと100mm×250mmとの間で、0.1と0.6mmとの間の厚さである。
図7は、本発明に基づく半導体パッケージの1つの態様を図示する上面図を表しており、図8Aは、その断面図を表している。基材20は、上側面201および上側面に対向する下側面202を有しており、基材20の上側面201および下側面202を貫通するように形成される少なくとも1つの開口部200を有する。本発明のために考えられる基材は、限定するわけではないが、BT樹脂、エポキシ樹脂、およびFR−4を含む一般的な樹脂材料で主に作られる、硬質または半硬質(フレキシブルテープではない)である。基材は任意の寸法でよいが、一般的には20mm×100mmと100mm×250mmとの間で、0.1と0.6mmとの間の厚さである。
1つの態様では、接着剤適用(または塗布)領域206は、開口部付近で基材20の上側面201上に規定され、領域206は、開口部を含めて、ダイの設置面積と少なくとも同じ広さである。
1つの態様では、基材はモールド時の応力解放領域を有しないように設計される。図11は、基材を構成できる1つの実施例の上面図を図示しており、基材20は、表側面201および表側面に対向する裏側面を有しており、表側面201および裏側面202を貫通し、そこを通ってワイヤボンドを形成することができる開口部200を含む。この基材構造は、モールド応力解放領域が存在しないことを特徴とする。本発明で説明するパッケージおよび製造方法では、ダイの裏側および/または側方を封止するためのパッケージのモールドは必要ないということによって可能となる、基材領域の節約という同じ利点を有する多くの変更および類似するアレンジメントを、当業者は想到することができる。
半導体ダイ21またはチップを基材20に載せて、ダイ21の活性側211を流動可能接着剤22の上に配置して、接着剤22がダイ21の活性面211と基材の上側面201との間に介在するようにする。活性面211は開口部200より大きく、開口部200を完全に覆い、ダイ21の活性面211上の導電領域が基材20の開口部200に露出できる。ダイ21の活性面211は、導電領域を除いて流動可能接着剤22によって完全に被覆され、ダイと基材との間に隙間が形成されない。
半導体チップまたはダイ21は、任意の寸法および厚さであってよく、例えば、0.05〜0.4mmの範囲の厚さを有するDRAMのようなシリコンIC部品である。他の態様では、ダイ21はシリコンのデジタルシグナルプロセッサであってよく、またはガリウムヒ素、インジウムリンまたは任意の他の半導体材料で作られていてよい。電気要素および回路を形成する活性面211(表側または前側面としても知られる)、および活性面211に対向する非活性面210(裏側または後側面としても知られる)を有する半導体ダイ21を製造する。活性面211は、少なくとも1つの導電領域に形成される複数のワイヤボンドバッド212を有しており、これらはチップの活性面211を、基材20の下側面202上のワイヤボンドパッド203にワイヤボンディングさせて、それらの間に電気接続部を形成するために用いられる。
1つの態様では、半導体ダイは、例えば、ダイの中心および縁の両方といった複数の箇所にボンディングパッドを有する。この態様では、基材は、これらのボンディングパッド位置の各々に対応して複数の開口部を含む。
接着剤22は、基材20の上側面201をダイ21の活性側211に接合する。ワイヤボンドパッド212を含んでいるダイ21上の導電領域が、基材20の開口部200の上にあって、開口部200を完全に覆うように、ダイ21を基材20に配置する。このようにして、ダイ21と基材20との間に接着剤被覆隙間が存在しないように、ダイ21を基材20に取り付けるが、導電領域に含有されるボンドパッド212上に、ワイヤボンド23を形成することができるように、導電領域を露出させる。
1つの態様では、基材20の上側面201に、接着剤22を適用する。もう1つの態様では、ウェハからのダイシング(singulation、個別切断)前に、ダイ21の活性側211に、接着剤22を適用する。もう1つの態様では、ウェハからのダイシング後に、ダイ21の活性側211に、接着剤22を適用する。
限定するわけではないが、ステンシル印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、または他の同様の印刷、スプレッディング(spreading)、ディスペンシング(dispensing)、または噴霧方法を含む、流動可能接着剤を使用する任意の方法を用いて、ダイ21または基材20のいずれか一方に、接着剤22を適用してよい。ダイ21を基材20に取り付けた後、接着剤22が、導電領域を除き、ダイ21の活性面211を完全に被覆するようなパターンで、接着剤22を適用する。導電領域は接着剤22が存在しない状態で、基材20の開口部200と整列することができ、導電領域に含まれるボンドパッド212にワイヤボンディングすることができる。ダイを覆うのに必要な接着剤の量および特定の印刷パターンは、接着剤の流動性、ボンディング圧力、および他の同様のパラメータに依存し、必要以上に実験を行なうことなく、当業者は決定できる。接着剤の厚さは、湿潤状態では、一般的に10〜250ミクロンである。
図12Aは、本発明の1つの態様における基材20上の印刷パターンを図示しており、接着剤22を基材20の上側面201に適用し、接着剤22が基材20の開口部200を完全に囲み、ダイの設置面積と少なくとも同じ広さを有するようにするが、基材20の上側面201を必ずしも完全には被覆していない。接着剤の使用を最小限にするために、この態様を用いることができる。この種類の印刷パターンは、図8Aの断面図に示されるようなパッケージとなり、接着剤22は、ダイ21の外側縁まで、または縁をごく僅か越えて延在する。
図12Bは、本発明の1つの態様における、基材20上の印刷パターンを図示しており、接着剤22を、開口部200を除く基材20全体の上側面201に適用している。図12Aに示されるパターンの場合よりも、より少ない個別の印刷要素が必要となるので、印刷工程を簡略化するために、この態様を用いることができる。図12Bに図示される印刷パターンは、図8Bの断面図に示されるパッケージとなり、接着剤22は、ダイ21の外側縁を十分に超えて延在する。
図10は、本発明のもう1つの態様における印刷パターンを図示しており、基材の開口部上で整列するように露出するダイの導電領域を残す、接着剤が無い導電領域Vを除くウェハ(従って、ウェハをダイシングした後の全てのダイ)を覆うパターンで、接着剤22をウェハ26の活性面211に適用している。
ダイを取り付けるために用いられる接着剤は、基材またはウェハに適用する時、流動可能でなければならず、接着剤をステンシル印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、または他の同様の印刷、スプレッディング、ディスペンシングまたは噴霧方法を介して適用することができる。接着剤は、基材に予備形成物として適用される、ラミネートされる、またはパンチされるような既成のフィルムまたはテープではない。ウェハまたはダイのいずれかに適用した後、接着剤を固化、またはBステージ化、または硬化させることができ、上記に列挙した適用方法に適当な流動性をもはや有さないようになる。
1つの態様では、接着剤は印刷可能なペーストである。
適当な接着剤の選択は、ダイの種類および寸法、基材の種類、パッケージ形状、ならびにリフロー温度および要求される信頼性のような下流の製造因子に基づく。接着剤は一般的にいくつかの種類のポリマーまたは硬化性樹脂を含み、それらには熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、エラストマー、熱硬化性ゴム、またはこれらの組み合わせが含まれる。接着剤は、溶媒を含んでも、含まなくてもよい。ポリマーまたは硬化性樹脂は、存在し得る充填材を除き、一般的に主成分である。一般的に接着剤組成物に用いられる他の成分を、当業者の裁量で添加してよく、そのような他の成分には、限定するわけではないが、硬化剤、フラックス剤、湿潤剤、流動制御剤、接着促進剤、および脱泡剤が含まれる。硬化剤は、接着剤の硬化を開始、伝播、促進させる任意の材料または材料の組み合わせであり、促進剤、触媒、開始剤、および固化剤(hardeners)が含まれる。接着剤組成物は充填材も含んでよく、その場合、充填材は組成物全体の95%以下の量で存在する。
接着剤に用いられる樹脂およびポリマーは、固体、液体、またはその2つの組み合わせでよい。適当な樹脂には、エポキシ、アクリレートまたはメタクリレート、マレイミド、ビニルエーテル、ポリエステル、ポリ(ブタジエン)、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、シリコーン化オレフィン、シリコーン樹脂、スチレン樹脂、シアネートエステル樹脂、またはポリオレフィン、またはシロキサンが含まれる。
基を架橋するこれらXを有するビスマレイミド樹脂は市販されており、例えば、Sartomer(アメリカ合衆国)またはHOS−Technic GmbH(オーストリア)から入手できる。
もう1つの態様では、接着剤組成物に用いられるマレイミド樹脂には、一般構造
を有するものが含まれ、nは1〜3で、X1は脂肪族または芳香族基である。代表的なX1構成要素は、ポリ(ブタジエン)、ポリ(カーボネート)、ポリ(ウレタン)、ポリ(エーテル)、ポリ(エステル)、単純炭化水素、およびカルボニル、カルボキシル、アミド、カルバメート、尿素、またはエーテルのような官能基を含有する単純炭化水素を含む。これらの種類の樹脂は市販されており、例えば、National Starch and Chemical Companyおよび大日本インキ化学工業株式会社から入手することができる。
(C36は、36の炭素原子数の直線または分岐した鎖(環状部分を伴うまたは伴わない)を示す)、
nは1〜6、R1は−Hまたは−CH3であり、X2は芳香族または脂肪族基である。代表的なX2構成要素には、ポリ(ブタジエン)、ポリ(カーボネート)、ポリ(ウレタン)、ポリ(エーテル)、ポリ(エステル)、単純炭化水素、およびカルボニル、カルボキシル、アミド、カルバメート、尿素、またはエーテルのような官能基を含有する単純炭化水素が含まれる。市販の材料には、共栄社化学株式会社から入手可能なブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、イソデシル(メタ)アクリレート、n−ラウリル(メタ)アクリレート、アルキル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート、n−ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、2−フェノキシエチル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、パーフルオロオクチルエチル(メタ)アクリレート、1,10−デカンジオールジ(メタ)アクリレート、ノニルフェノールポリプロポキシレート(メタ)アクリレート、およびポリペントキシレートテトラヒドロフルフリルアクリレート;Sartomer Company ,Incから入手可能なポリブタジエンウレタンジメタクリレート(CN302、NTX6513)およびポリブタジエンジメタクリレート(CN301、NTX6039、PRO6270);根上工業株式会社から入手可能なポリカーボネートウレタンジアクリレート(ArtResin UN9200A);Radcure Specialities,Incから入手可能なアクリル化脂肪族ウレタンオリゴマー(Ebecryl 230、264、265、270、284、4830、4833、4834、4835、4866、4881、4883、8402、8800−20R、8803、8804);Radcure Specialities,Incから入手可能なポリエステルアクリレートオリゴマー(Ebecryl 657、770、810、830、1657、1810、1830)、およびSartomer Company,Incから入手可能なエポキシアクリレート樹脂(CN104、111、112、115、116、117、118、119、120、124、136)が含まれる。1つの態様では、アクリレート樹脂は、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、ラウリルアクリレート、ラウリルメタクリレート、アクリレート官能性を有するポリ(ブタジエン)およびメタクリレート官能性を有するポリ(ブタジエン)から成る群から選択される。
適当なビニルエーテル樹脂には、一般構造
を有するものが含まれ、nは1〜6であり、X3は芳香族または脂肪族基である。代表的なX3構成要素には、ポリ(ブタジエン)、ポリ(カーボネート)、ポリ(ウレタン)、ポリ(エーテル)、ポリ(エステル)、単純炭化水素、およびカルボニル、カルボキシル、アミド、カルバメート、尿素、またはエーテルのような官能基を含有する単純炭化水素が含まれる。市販の樹脂には、International Speciality Products(ISP)から入手可能なシクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ドデシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、2−エチルヘキシルビニルエーテル、ジプロピレングリコールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、オクタデシルビニルエーテル、およびブタジールジビニルエーテル;Sigma−Aldrich、Incから入手可能なVectomer4010、4020、4030,4040,4051、4210、4220、4230、4260、5015が含まれる。
適当なポリ(ブタジエン)樹脂には、ポリ(ブタジエン)、エポキシ化ポリ(ブタジエン)、マレイン化ポリ(ブタジエン)、アクリル化ポリ(ブタジエン)、ブタジエン−スチレン共重合体、およびブタジエン−アクリロニトリル共重合体が含まれる。市販の材料には、Sartomer Company,Incから入手可能なホモポリマーブタジエン(Ricon130、131、134、142、150、152、153、154、156、157、P30D);Sartomer Company,Incから入手可能なブタジエンおよびスチレンのランダム共重合体(Ricon100、181、184);Sartomer Company,Incから入手可能なマレイン化ポリブタジエン(Ricon130MA8、130MA13、130MA20、131MA5、131MA10、131MA17、131MA20、156MA17);Sartomer Company,Incから入手可能なアクリル化ポリ(ブタジエン)(CN302、NTX6513、CN301、NTX6039、PRO6270、Riacryl 3100、Riacryl 3500);SartomerCompany,Incから入手可能なエポキシ化ポリ(ブタジエン)(Polybd600、605);およびダイセル化学工業株式会社から入手可能なEpolead PB3600;ならびにHanse Chemicalから入手可能なアクリロニトリルおよびブタジエン共重合体(Hycar CTBNシリーズ、ATBNシリーズ、VTBNシリーズおよびETBNシリーズ)が含まれる。
適当なエポキシ樹脂には、ビスフェノール、ナフタレン、および脂肪族型エポキシが含まれる。市販の材料には、大日本インキ化学工業株式会社から入手可能なビスフェノール型エポキシ樹脂(Epiclon 830LVP、830CRP、835LV、850CRP;大日本インキ化学工業株式会社から入手可能なナフタレン型エポキシ(Epiclon HP4032);Ciba Specialty Chemicalsから入手可能な脂肪族エポキシ樹脂(Araldite CY179、184、192、175、179)、Union Carbide Corporationから入手可能な(Epoxy 1234、249、206)、およびダイセル化学工業株式会社から入手可能な(EHPE−3150)が含まれる。他の適当なエポキシ樹脂には、脂環式エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン−フェノール型エポキシ樹脂、反応性エポキシ希釈剤、およびそれらの混合物が含まれる。
n1は2またはそれより大きく、n2は1またはそれより大きく、n1>n2である。これらの材料は市販されており、例えば、National Starch and Chemical Companyから入手することができる。
nは0または任意の整数であり、X4およびX5は水素、メチル、アミン、エポキシ、カルボキシル、ヒドロキシ、アクリレート、メタクリレート、メルカプト、フェノール、またはビニル官能基であり、R2およびR3は−H、−CH3、ビニル、フェニル、または2つより多い炭素数の任意の炭化水素構造であってよい。市販の材料には、Shin−Etsu Silicone International Trading(Shanghai)Co.,Ltdから入手可能なKF8012、KF8002、KF8003、KF−1001、X−22−3710、KF6001、X−22−164C、KF2001、X−22−170DX、X−22−173DX、X−22−174DX、X−22−176DX、KF−857、KF862、KF8001、X−22−3367、およびX−22−3939Aが含まれる。
nは1またはそれより大きく、R4は−Hまたは−CH3であり、X6は脂肪族基である。代表的なX3構成要素には、ポリ(ブタジエン)、ポリ(カーボネート)、ポリ(ウレタン)、ポリ(エーテル)、ポリ(エステル)、単純炭化水素、およびカルボニル、カルボキシル、アミド、カルバメート、尿素、またはエーテルのような官能基を含有する単純炭化水素が含まれる。これらの樹脂は市販されており、例えば、National Starch and Chemical CopmanyまたはSigma−Aldrichから入手することができる。
適当なシアネートエステル樹脂には、一般構造
を有するものが含まれ、nは1またはそれより大きく、X7は炭化水素基である。代表的なX7構成要素には、ビスフェノール、フェノールまたはクレゾールノボラック、ジシクロペンタジエン、ポリブタジエン、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリエーテル、またはポリエステルが含まれる。市販の材料には、Huntsman LLCから入手可能なAroCy L−10、AroCy XU366、AroCy XU371、AroCy XU378、XU1787.02L、およびXU7187.07L;Lonza Group Limitedから入手可能なPrimaset PT30、Primaset PT30 S75、Primaset PT60、Primaset PT60S、Primaset BADCY、Primaset DA230S、Primaset MethylCy、およびPrimaset LECY;Oakwood Products,Incから入手可能な2−アリルフェノールシアネートエステル、4−メトキシフェノールシアネートエステル、2,2−ビス(4−シアナトフェノール)−1,1,1,3,3,3,−ヘキサフルオロプロパン、ビスフェノールAシアネートエステル、ジアリルビスフェノールAシアネートエステル、4−フェニルフェノールシアネートエステル、1,1,1−トリス(4−シアナトフェニル)エタン、4−クミルフェノールシアネートエステル、1,1−ビス(4−シアナトフェニル)エタン、2,2,3,4,4,5,5,6,6,7,7−ドデカフルオロオクタンジオールジシアネートエステル、および4,4’−ビスフェノールシアネートエステルが含まれる。
接着剤組成物に適当なポリマーには、ポリアミド、フェノキシ、ポリベンゾオキサジン、アクリレート、シアネートエステル、ビスマレイミド、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ベンゾオキサジン、ビニルエーテル、シリコーン化オレフィン、ポリオレフィン、ポリベンゾオキサゾール、ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ(ビニルクロライド)、ポリイソブチレン、ポリアクリロニトリル、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリ(ビニルアセテート)、ポリ(2−ビニルプリジン)(poly(2−vinylpridine))、シス−1,4−ポリイソプレン、3,4−ポリクロロプレン、ビニル共重合体、ポリ(エチレンオキシド)、ポリ(エチレングリコール)、ポリホルムアルデヒド、ポリアセトアルデヒド、ポリ(b−プロピオールアセトン)、ポリ(10−デカノエート)、ポリ(エチレンテレフタレート)、ポリカプロラクタム、ポリ(11−ウンデカノアミド)、ポリ(m−フェニレン−テレフタルアミド)、ポリ(テトラメチレン−m−ベンゼンスルホンアミド)、ポリエステルポリアクリレート、ポリ(フェニレンオキシド)、ポリ(フェニレンスルフィド)、ポリスルホン、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、フッ素化ポリイミド、ポリイミドシロキサン、イソインドロキナゾリンジオン、ポリチオエーテルイミドポリフェニルキノキサリン、ポリキニキサロン、イミドアリールエーテルフェニルキノキサリン共重合体、ポリキノキサリン、ポリベンゾイミダゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリノルボルネン、ポリ(アリーレンエーテル)、ポリシラン、パリレン、ベンゾシクロブテン、ヒドロキシ(ベンゾオキサゾール)共重合体、ポリ(シラリレンシロキサン)、およびポリベンゾイミダゾールが更に含まれる。
接着剤組成物に含有される他の適当な材料には、モノビニル芳香族炭化水素および共役ジエン、例えば、スチレン−ブタジエン、スチレン−ブタジエン−スチレン(SBS)、スチレン−イソプレン−スチレン(SIS)、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン(SEBS)、およびスチレン−エチレン−プロピレン−スチレン(SEPS)のブロック共重合体のようなゴム重合体が含まれる。
接着剤組成物に含有される他の適当な材料には、エチレン−ビニルアセテートポリマー、他のエチレンエステルおよび共重合体、例えば、エチレンメタクリレート、エチレンn−ブチルアクリレートおよびエチレンアクリル酸;ポリエチレンおよびポリプロピレンのようなポリオレフィン;ポリビニルアセテートおよびそれらのランダム共重合体;ポリアクリレート;ポリアミド;ポリエステル;ならびにポリビニルアルコールおよびそれらの共重合体が含まれる。
接着剤組成物に含有される適当な熱可塑性ゴムには、カルボキシ末端ブタジエン−ニトリル(CTBN)/エポキシ付加物、アクリレートゴム、ビニル末端ブタジエンゴム、およびニトリルブタジエンゴム(NBR)が含まれる。1つの態様では、CTBNエポキシ付加物は、約20〜80重量%のCTBNおよび約20〜80重量%のジグリシジルエーテルビスフェノールA:ビスフェノールAエポキシ(DGEBA)からなる。種々のCTBN材料がNoveon Inc.から入手可能であり、種々のビスフェノールAエポキシ材料は、大日本インキ化学工業株式会社およびShell Chemicalsから入手可能である。NBRゴムは、Zeon Corporationから市販されている。
接着剤配合物に含有される適当なシロキサンには、骨格ならびに透過性(permeability)を与える少なくとも1つのシロキサン部分および反応して新しい共有結合を形成するように反応できる少なくとも1つの反応性部分である骨格からぶら下がるペンダント(pendant)を含んで成る弾性ポリマーが含まれる。適当なシロキサンの例には、3−(トリス(トリメチルシリルオキシ)シリル)−プロピルメタクリレート、n−ブチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アクリロニトリル、およびシアノエチルアクリレート;3−(トリス(トリメチルシリルオキシ)シリル)−プロピルメタクリレート、n−ブチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、およびアクリロニトリル;ならびに3−(トリス(トリメチルシリルオキシ)シリル)−プロピルメタクリレート、n−ブチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、およびシアノエチルアクリレートから製造される弾性ポリマーが含まれる。
接着剤組成物が硬化剤を必要とする場合、その選択は、用いるポリマー化学および用いる処理条件に基づく。硬化剤として、組成物は、芳香族アミン、アリル環式アミン、脂肪族アミン、第3ホスフィン、トリアジン、金属塩、芳香族ヒドロキシル化合物、またはこれらの組み合わせを用いてよい。そのような触媒の例には、イミダゾール(例えば、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−エチル4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−プロピル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−グアナミノエチル−2−メチルイミダゾールならびにイミダゾールおよびトリメリット酸の付加物);第3アミン(例えば、N,N−ジメチルベンジルアミン、N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジメチルトルイジン、N,N−ジメチル−p−アニシジン、p−ハロゲノ−N,N−ジメチルアニリン、2−N−エチルアニリノエタノール、トリ−n−ブチルアミン、ピリジン、キノリン、N−メチルモルホリン、トリエタノールアミン、トリエチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルブタンジアミン、N−メチルピペリジン);フェノール類(例えば、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、およびフロログルシン);有機金属塩(例えば、ナフテン酸鉛、ステアリン酸鉛、ナフテン酸亜鉛、オクチル酸亜鉛、オレイン酸スズ、マレイン酸ジブチルスズ、ナフテン酸マンガン、ナフテン酸コバルト、およびアセチルアセトン鉄);および無機金属塩(例えば、塩化第2スズ、塩化亜鉛および塩化アルミニウム);過酸化物(例えば、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウロイル、過酸化オクタノイル、過酸化アセチル、過酸化パラクロロベンゾイルおよびジ−t−ブチルジパーフタレート);酸無水物(例えば、カルボン酸無水物、マレイン酸無水物、フタル酸無水物、ラウリル酸無水物、ピロメリット酸無水物、トリメリット酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロピロメリット酸無水物およびヘキサヒドロトリメリット酸無水物);アゾ化合物(例えば、アゾイソブチロニトリル、2,2’−アゾビスプロパン、m,m’−アゾキシスチレン、ヒドラゾン)、ならびにこれらの混合物が含まれる。
もう1つの態様では、硬化促進剤を、トリフェニルホスフィン、アルキル−置換イミダゾール、イミダゾリウム塩、オニウム塩、第4ホスホニウム化合物、オニウムボレート、金属キレート、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデ−7−センまたはその混合物からなる群から選択してよい。
もう1つの態様では、ラジカルまたはイオン性硬化樹脂のどちらが選択されるかに基づき、硬化剤は、フリーラジカル開始剤またはカチオン開始剤のいずれかであってよい。フリーラジカル開始剤を用いる場合、それは有効量で存在する。有効量は、一般的に、有機化合物(存在する充填材を除く)の0.1〜10重量パーセントである。フリーラジカル開始剤には、過酸化物、例えばブチルパーオクトエートおよび過酸化ジクミル、およびアゾ化合物、例えば2,2’−アゾビス(2−メチル−プロパンニトリル)および2,2’−アゾビス(2−メチル−ブタンニトリル)が含まれる。
カチオン開始剤を用いる場合、それは有効量で存在する。有効量は、一般的に、有機化合物(存在する充填材を除く)の0.1〜10重量パーセントである。適当なカチオン硬化剤には、ジシアンジアミド、フェノールノボラック、アジピックジヒドラジド、ジアリルメラミン、ジアミノマルコニトリル(diamino malconitrile)、BF3−アミン錯体、アミン塩および修飾されたイミダゾール化合物が含まれる。
金属化合物を、シアネートエステル系の硬化促進剤として用いることもでき、限定するわけではないが、それには、金属ナフテネート、金属アセチルアセトネート(キレート)、金属オクトエート、金属アセテート、金属ハロゲン化物、金属イミダゾール錯体、および金属アミン化合物が含まれる。
接着剤配合物に含めてよい他の硬化促進剤には、トリフェニルホスフィン、アルキル−置換イミダゾール、イミダゾリウム塩、およびオニウムボレートが含まれる。
ある場合では、接着剤組成物に対して、2種類以上の硬化を用いることが望ましいことがある。例えば、カチオンおよびフリーラジカル開始剤の両方が望ましいことがあり、その場合、フリーラジカル硬化およびイオン性硬化樹脂を組成物に用いることができる。これらの組成物は、樹脂の各種類に合った有効量の開始剤を含有する。そのような組成物は、例えば、UV照射を用いてカチオン開始剤により硬化処理を開始することができ、その後の処理工程にて、熱を加えた場合にフリーラジカル開始剤によって硬化処理を完了できる。
1種またはそれより多くの充填材を、接着剤組成物に含ませることができ、通常、レオロジー特性の向上および応力の減少のために添加する。接着剤はダイの活性側と接するようになるため、充填材は電気的に非導電性である。適当な非導電性充填材の例には、アルミナ、水酸化アルミニウム、シリカ、バーミキュライト、雲母、珪灰石、炭酸カルシウム、酸化チタン、砂、ガラス、硫酸バリウム、ジルコニウム、カーボンブラック、有機フィラー、ならびに例えばテトラフルオロエチレン、トリフルオロエチレン、ビニリデンフルオライド、ビニルフルオライド、ビニリデンクロライド、およびビニルクロライドのようなハロゲン化エチレンポリマーが含まれる。充填材粒子は、ナノサイズ〜数mmの範囲で、任意の適当な寸法でよい。いずれかの特定のパッケージ構造に対する寸法の選択は、当業者の知識の範囲内である。充填材は、組成物全体の0〜95重量%の量で存在してよい。
1つの態様では、接着剤配合物はスペーサーを含んでおり、それはボンドライン(bondline)を所定の厚さにコントロールする目的で添加される粒子である。適当なスペーサーの選択は、パッケージ構造および接着剤配合に基づき、当業者は過度に実験をすることなく選択できる。適当なスペーサーには、限定するわけではないが、シリカ、テフロン(登録商標)、ポリマーまたはエラストマー材料が含まれる。それらは25〜150ミクロンの寸法範囲でよく、有効量で用いる。
もう1つの態様では、カップリング剤を接着組成物に添加することができる。一般的に、カップリング剤はシランであり、例えば、エポキシ型シランカップリング剤、アミン型シランカップリング剤、またはメルカプト型シランカップリング剤である。カップリング剤を用いる場合、有効量で用いる。一般的な有効量は、5重量%までの量である。
更なる態様では、接着剤組成物に界面活性剤を添加することができる。適当な界面活性剤には、シリコーン、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレン/ポリオキシプロピレンブロック共重合体、エチレンジアミン系ポリオキシエチレン/ポリオキシプロピレンブロック共重合体、ポリオール系ポリオキシアルキレン、脂肪アルコール系ポリオキシアルキレン、および脂肪アルコールポリオキシアルキレンアルキルエーテルが含まれる。用いる場合、界面活性剤を有効量用い、一般的な有効量は、5重量%までの量である。
もう1つの態様では、接着剤組成物に湿潤剤を含有することができる。湿潤剤の選択は、使用に関する要件および用いる樹脂化学に基づく。用いる場合、湿潤剤は有効量で用い、一般的な有効量は5重量%までの量である。適当な湿潤剤の例には、3Mから入手可能であるFluorad FC−4430 Fluorosurfactant、Rhom and Haasから入手可能なClariant Fluowet OTN、BYK W−990、Surfynol 104 Surfactant、Crompton Silwet L−7280、Triton X100、240よりも大きい好ましい分子量Mwを有するプロピレングリコール、Gama−Butyrolactone、キャスターオイル、グリセリンまたは他の脂肪酸、およびシランが含まれる。
更なる態様では、接着剤組成物に流動制御剤を含むことができる。流動制御剤の選択は、使用に関する要件および用いられる樹脂化学に基づく。用いる場合、流動制御剤は有効量で存在し、有効量は5重量%までの量である。適当な流動制御剤の例には、Cabotから入手可能なCab−O−Sil TS720、Degussaから入手可能なAerosil R202またはR972、ヒュームドシリカ、ヒュームドアルミナ、またはヒュームド金属酸化物が含まれる。
もう1つの態様では、接着促進剤を、接着剤組成物に含むことができる。接着促進剤の選択は、使用に関する要件および用いる樹脂化学に基づく。用いる場合、接着促進剤は有効量で用い、有効量は5重量%までの量である。適当な接着促進剤の例には、シランカップリング剤、例えばDow Corningから入手可能なZ6040エポキシシランまたはZ6020アミンシラン;OSI Silquestから入手可能なA186 Silane、A187 Silane、A174 Silane、またはA1289;Degussaから入手可能なOrganosilane SI264;城北化学工業株式会社より入手可能なJohoku Chemical CBT−1 カーボベンゾトリアゾール;機能性ベンゾトリアゾール;チアゾール;チタネート;およびジルコネートが含まれる。
更なる態様では、脱泡剤(消泡剤)を、接着剤組成物に添加することができる。脱泡剤の選択は、使用に関する要件および用いる樹脂化学に基づく。用いられる場合、脱泡剤は有効量で用い、有効量は5重量%までの量である。適当な脱泡剤の例には、Dow Corningから入手可能なAntifoam 1400、DuPont Modoflow、およびBYK A−510が含まれる。
いくつかの態様では、接着性の向上および粘着性の付与のために、これらの組成物を粘着性樹脂を用いて配合する。粘着性樹脂の例には、天然樹脂、および変性した天然樹脂:ポリテルペン樹脂;フェノール変性したテルペン樹脂;クマロンインデン樹脂;脂肪族および芳香族石油炭化水素樹脂;フタレートエステル;水素化炭化水素、水素化ロジンおよび水素化ロジンエステルが含まれる。
ある態様では、接着剤組成物に他の成分を含むことができ、それには、例えば、液体ポリブテンまたはポリプロピレンのような希釈剤;パラフィンおよびマイクロクリスタリンワックスのような石油ワックス、ポリエチレングリース、水素化動物、魚および植物油脂、鉱油および合成ワックス、ナフテンまたはパラフィン鉱油が含まれる。
当業者に知られている種類および量の安定化剤、酸化防止剤、衝撃改質剤、および着色剤のような他の添加剤も、接着剤組成物に添加することができる。
25℃〜230℃の範囲の適切な沸点を有する一般的な溶剤を、接着剤組成物に用いることができる。用いることができる溶剤の例には、ケトン、エステル、アルコール、エーテル、および安定であり、組成物中の樹脂を溶解する他の一般的な溶剤が含まれる。適当な溶剤には、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールメチルエチルアセテート(PGMEA)、および4−メチル−2−ペンタノンが含まれる。
接着剤を基材またはダイに適用した後、任意の処理工程で、それを乾燥および/またはBステージにすることができる。本発明の1つの態様では、接着剤を固化させて非粘着状態とし、半導体ダイを取り付ける前に、基材、ウェハ、またはダイを、別々の場所に保存および/または移動できるようにする。一般的に、接着剤で被覆された基材、ダイ、またはウェハを挿入物を用いることなく、相互に重ねることができるように、接着剤を充分に固化させる。接着剤の固化は、用いる接着剤配合物に基づき、種々の方法で実施できる。
1つの態様では、接着剤は、流動可能な状態であるように、融点より高い温度で適用される熱可塑性材料である。この場合、接着剤は、接着剤の融点および/または軟化点より低い温度で冷却されることによって、固化する。
もう1つの態様では、接着剤は、少なくとも液体熱硬化性樹脂および溶媒を含む。この態様では、溶媒を蒸発させて、1種または複数の熱硬化性樹脂を部分的に硬化させるように、接着剤および基材を充分に加熱することによって、接着剤を固化させて、非粘着性または非常に低い流動性の状態にする。
もう1つの態様では、接着剤は、溶媒に溶解している固体熱硬化性樹脂を含む。基材に適用した後、溶媒を蒸発させるように、接着剤および基材を充分に加熱して、非粘着性熱硬化性樹脂被覆が基材上に残るようにすることによって、接着剤を固化させて、非粘着性または非常に低い流動性の状態にする。
もう1つの態様では、接着剤は、少なくとも1つの液体熱硬化性樹脂を含む。基材に適用した後、熱硬化性樹脂が非粘着性または非常に低い流動性の状態に部分的になるように、接着剤および基材を充分に加熱することによって、接着剤を固化させて、非粘着性または非常に低い流動性の状態にする。
接着剤は、メカニズムと組み合わせて、乾燥、Bステージ化、および硬化することができる樹脂の組み合わせを含んでもよいことを、当業者は理解するであろう。例えば、紫外線照射の使用によって、配合物をBステージにしてよく、ダイ取付の後、下流の製造工程において、熱の使用によって硬化させてよい。配合物は、2つの別々の硬化温度を有する樹脂の組み合わせを含んでもよく、第1(低温側)温度で基材を加熱することによって、第1樹脂を硬化させ、接着剤配合物全体を固化させて非粘着性状態とし、接着剤を固化させることができる。この場合、第2(高温側)硬化温度を有する第2樹脂を、ダイの取り付け後に続く処理工程において硬化させる。
接着剤は硬化を必要としても、必要としなくてもよい。接着剤が硬化を必要とする場合、個別の処理工程として、またははんだリフローまたはワイヤボンディングのようなもう1つの処理操作と併せて、硬化を行なってよい。
Bステージ化工程を用いる場合、Bステージ化温度は、一般的に80℃〜200℃の範囲内であり、選択された特定の接着剤配合物に応じて、Bステージ化は1分〜2時間の範囲の時間内で実施する。Bステージ化プロファイルの時間および温度は、接着剤組成物によって変わり、特定の工業的な製造プロセスに適当なBステージ化プロファイルを提供するように、種々の組成物を想到することができる。
別の態様では、ダイ取付の前に、接着剤を固化させない。この場合、接着剤がまだ流動可能な状態のまま、ダイを基材上に載せる。このことは、ダイを接着剤に押し当てた時、ダイの周囲にフィレットが形成されることを可能にする。接着剤の流動性およびダイを載せるために用いる圧力を調節して、それぞれ特定のパッケージ構造に対して所望の量のフィレットを与えることができる。この態様では、接着剤が基材の開口部に流れることを避けるように、注意しなければならない。なぜなら、これはワイヤボンディングを妨げるからである。
図13は、本発明のもう1つの態様の代表的な印刷パターンを図示しており、基材開口部200の周囲に、接着剤22で被覆されない小さい非流れ領域Fが存在するように、接着剤22を基材20の表側面201に適用する。ダイを取り付けた時、接着剤の流動性は、ダイの外側周囲にフィレットの形成を可能にする。接着剤の流動性は、接着剤22を開口部200の周囲の非流れ領域F内に流入させ、接着剤22が、導電(ワイヤボンドパッド)領域を除き、ダイの活性面を完全に被覆するようになり、即ち、基材20の開口部200には流れ込まない。
硬化工程をダイの取付接着に用いる場合、ワイヤボンディング前、ワイヤボンディング中に行なってよく、またはワイヤボンディングおよび封止後に行なってよい。ダイ取付接着の硬化は別の処理工程であってよく、または封止材の硬化処理と同時に行なってよい。
ダイの取付接着のため硬化温度は、一般的に80℃〜250℃の範囲内であり、特定の樹脂化学および選択した硬化剤に応じて、硬化は数秒〜120分までの範囲の時間内で実施する。各接着剤組成物の硬化プロファイルの時間および温度は異なり、特定の工業的な製造プロセスに適する硬化プロファイルを提供するように、種々の組成物を設計することができる。
接着剤が硬化性である場合、熱への暴露、紫外線(UV)照射、またはこれらの組み合わせによって、それを硬化させてよい。各接着剤組成物の硬化条件は変わり、特定の工業的な製造プロセスに適当な硬化プロファイルを提供するように、種々の組成物を設計することができる。
1つの態様では、接着剤は、Bステージになった後、少なくとも2ヶ月の可使時間を有する。この長い可使時間は、乾燥させたまたは部分的に進行させた接着剤の可使時間を延長させるために一般的に用いられる任意の手段によって達成してよく、限定するわけではないが、その手段は、接着剤配合物に、(i)少なくとも1種の潜在硬化剤、(ii)高濃度の熱可塑性樹脂、および(iii)大きい分子量の樹脂のうち1種またはそれより多くの使用である。接着剤を室温で保存した後、標準的なダイ取り付け条件で、接着剤の流動性を調べることによって、可使時間を試験する。接着剤が、標準的なダイ取付条件でダイ表面を湿潤化させ得る場合、それはまだ可使時間内である。しかしながら、接着剤がダイを湿潤化させるには不十分な流動性を有する場合、それはダイを取り付けるには有用ではなく、その可使時間外であると考えられる。
複数のワイヤボンド23を、ワイヤボンディングプロセスにおいて、基材20の開口部200を介して形成する。ボンディングワイヤ23を、ダイ21の導電領域上の露出したワイヤボンドパッド212に結合させ、基材20の対応する開口部200を介して、基材20の下側面202のワイヤボンドパッド203に結合させる。このようにして、ダイ21の活性面211を、基材の下側面202に電気的に接続させることができる。ボンディングワイヤ23は、金のような電気信号を伝導する任意の金属から成る。
封止材25を、基材20の下側面202上のワイヤボンド23の上に形成し、ボンディングワイヤ23を包囲または封止し、基材20の開口部200を充填するようにする。封止材25を、ディスペンシング、ポッティング、印刷、モールディング、または他の同様の方法によって適用してよい。封止材25は、後の製造プロセスの工程の間、ボンディングワイヤ23を保護する任意の材料でよく、パッケージは、限定するわけではないが、エポキシおよびシリコーンを含んで使用する。封止材25を、選択した封止材組成物に合わせた条件で硬化させる。各封止材組成物の硬化プロファイルの時間および温度は異なり、特定の工業的な製造プロセスに適当な硬化プロファイルを提供するように、種々の組成物を設計することができる。
はんだボール24を、封止材25の外側領域で基材20の下側面202に埋め込む。はんだボール24は、パッケージと例えば回路基材との間で電気接続を形成するために一般的に用いられる、任意の導電性金属から成ってよい。
このパッケージは、ダイの裏側および/または側方に封止材が存在しないことを特に特徴とする。従って、パッケージのモールディングを必要としない。
図9A〜9Eは、本発明を更に説明するために提示されており、本発明の1つの態様の方法に基づき準備された、様々な段階にある基材の上面図を示す。図9Aは、裸の基材20の表側面201を示す。図9Bは、接着剤22を適用した後で、基材20の表側面201を示す。図9Cは、ダイ21を取り付けた後で、基材上に接着剤22を有する、基材20の表側面201を示す。図9Dは、開口部200を介してワイヤボンド23を形成した後の、基材20の裏側面202を示す。図9Eは、封止材25をワイヤボンド23の上に適用した後の、基材20の裏側面202を示す。
当業者には明らかなように、本発明の概念および範囲から逸脱することなく、本発明の多くの改良および変更を行なうことができる。本明細書で記載した特定の実施態様は、単に例として提示されるものであり、本発明は、権利を与えられた請求項に均等な全範囲と共に、添付の請求項の用語によってのみ限定される。
Claims (16)
- a)上側面、上側面に対向する下側面、上側面および下側面を貫通する開口部、ならびに下側面上のワイヤボンドパッドを有する基材、
b)1つまたはそれより多くの導電領域を有する活性側、および活性側に対向する非活性側を有する半導体ダイであって、活性側が、基材の上側面および下側面を貫通する開口部の上に配置され、その開口部を完全に覆っている、基材上に載せられている半導体ダイ、
c)基材の上側面とダイの活性側との間に配置され、それらを結合する接着剤であって、導電領域を除き、ダイの活性側が接着剤によって完全に被覆される接着剤、
d)ダイの活性側上の導電領域を、基材の開口部を介して、基材の下側面上のワイヤボンドパッドに接続する複数の導電性ボンディングワイヤ、
e)基材の下側面上に適用され、ボンディングワイヤを封止し、基材の開口部を充填する封止材、ならびに
f)封止材の外側領域の基材で下側面上に埋め込まれている、複数のはんだボール
を含んで成る半導体パッケージであって、
ダイの非活性側上に封止材が存在しないこと、およびダイの側方に封止材が存在しないことを特徴とする半導体パッケージ。 - 基材は、BTおよびFR−4から成る群から選択される、請求項1に記載のパッケージ。
- 接着剤は、エポキシ、ビスマレイミド、アクリレート、シロキサン、またはこれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項1に記載のパッケージ。
- a)上側面、上側面に対向する下側面、上側面および下側面を貫通する開口部、および下側面上のワイヤボンドパッドを有する基材を供給し、
b)1つまたはそれより多くの導電領域を有する活性側、および活性側に対向する非活性側を有する、少なくとも1つの半導体ダイを供給し、
c)ダイを基材に取り付けた後で、接着剤が、開口部を取り囲み、開口部を含めてダイの設置面積と少なくとも同じ大きさを有するように、基材の上側面上に接着剤パターンで流動可能接着剤を適用して、
d)任意で、流動可能接着剤を固化させ、非粘着状態とし、
e)ダイを基材上に載せて、活性側が、基材の上側面および下側面を貫通する開口部の上に配置され、開口部を完全に覆い、ダイの活性面上の導電領域は基材の開口部に露出して、ダイの活性面は、導電領域を除き、接着剤によって完全に被覆されるようにし、
f)任意で、接着剤を硬化させ、
g)複数の導電性ボンディングワイヤを取り付けて、ダイの活性側上の導電領域を、基材の開口部を介して、基材の下側面上のワイヤボンドパッドに接続し、
h)基材の下側面上に封止材を適用して、ボンディングワイヤを封止し、基材の開口部を充填し、
i)封止材を硬化させ、および
j)封止材の外側領域で基材の下側面上に、複数のはんだボールを埋め込むこと
を含む、半導体パッケージの製造方法であって、
ダイの非活性側に対する封止工程が存在しないこと、およびダイの側方に対する封止工程が存在しないことを特徴とする、半導体パッケージの製造方法。 - 接着剤は、印刷可能なペーストである、請求項4に記載の製造方法。
- 基材は、モールド応力解放領域を有しないことを特徴とする、請求項4に記載の製造方法。
- 接着剤パターンは、ワイヤボンドパッドを含む導電領域周囲に小さな空所領域を含み、それはダイの取付前、接着剤で被覆されず、ダイの取付中、接着剤が流れ込み、ダイと基材との間に隙間が形成されないようにする、請求項4に記載の製造方法。
- ダイを基材に載せる前に、接着剤はBステージ化される、請求項4に記載の製造方法。
- a)上側面、上側面に対向する下側面、上側面および下側面を貫通する開口部、および下側面上のワイヤボンドパッドを有する基材を供給し、
b)1つまたはそれより多くの導電領域を有する活性側、および活性側に対向する非活性側を有する、少なくとも1つの半導体ダイを供給し、
c)ダイを基材に取り付けた後で、接着剤が、開口部を包囲し、開口部を含めてダイの設置面積と少なくとも同じ大きさを有するように、ダイの活性側上に接着剤パターンで、流動可能接着剤を適用して、
d)任意で、流動可能接着剤を固化させ、非粘着状態とし、
e)ダイを基材上に載せて、活性側が、基材の上側面および下側面を貫通する開口部の上に配置され、開口部を完全に被覆しており、ダイの活性面上の導電領域は基材の開口部に露出して、ダイの活性面は、導電領域を除き、接着剤によって完全に被覆されるようにし、
f)任意で、接着剤を硬化し、
g)複数の導電性ボンディングワイヤを取り付けて、ダイの活性側上の導電領域を、基材の開口部を介して、基材の下側面上のワイヤボンドパッドに接続し、
h)基材の下側面上に封止材を適用して、ボンディングワイヤを封止し、基材の開口部を充填し、
i)封止材を硬化し、および
j)封止材の外側領域で基材の下側面上に、複数のはんだボールを埋め込むこと
を含む、半導体パッケージの製造方法であって、
ダイの非活性側に対する封止工程が存在しないこと、およびダイの側方に対する封止工程が存在しないことを特徴とする、半導体パッケージの製造方法。 - 接着剤は印刷可能なペーストである、請求項9に記載の製造方法。
- 基材は、モールド応力解放領域が存在しないことを特徴とする、請求項9に記載の製造方法。
- 接着剤パターンは、ワイヤボンドパッドを含む導電領域周囲に小さな空所領域を含み、それはダイの取付前、接着剤で被覆されず、ダイの取付中、接着剤が流れ込み、ダイと基材との間に隙間が形成されないようにする、請求項9に記載の製造方法。
- ダイを基材に載せる前に、接着剤はBステージ化される、請求項9に記載の製造方法。
- ウェハのダイシング前に、接着剤をダイに適用する、請求項9に記載の製造方法。
- ウェハのダイシング後に、接着剤をダイに適用する、請求項9に記載の製造方法。
- 表側面、表側面に対向する裏側面、ならびに表側面および裏側面を貫通する開口部を含んで成る、ボードオンチップ半導体パッケージを製造するための基材であって、モールド応力解放領域が存在しないことを特徴とする基材。
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