JP2010504529A - 苛酷な環境下で使用する変換器 - Google Patents
苛酷な環境下で使用する変換器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010504529A JP2010504529A JP2009529352A JP2009529352A JP2010504529A JP 2010504529 A JP2010504529 A JP 2010504529A JP 2009529352 A JP2009529352 A JP 2009529352A JP 2009529352 A JP2009529352 A JP 2009529352A JP 2010504529 A JP2010504529 A JP 2010504529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- pressure sensor
- diaphragm
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
- C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
- C23C14/025—Metallic sublayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0682—Silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5846—Reactive treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5873—Removal of material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0069—Electrical connection means from the sensor to its support
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0069—Electrical connection means from the sensor to its support
- G01L19/0076—Electrical connection means from the sensor to its support using buried connections
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
- G01L19/0609—Pressure pulsation damping arrangements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/141—Monolithic housings, e.g. molded or one-piece housings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/148—Details about the circuit board integration, e.g. integrated with the diaphragm surface or encapsulation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/008—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using piezoelectric devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/45169—Platinum (Pt) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
- H01L2224/81805—Soldering or alloying involving forming a eutectic alloy at the bonding interface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
- H01L2224/83805—Soldering or alloying involving forming a eutectic alloy at the bonding interface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/146—Mixed devices
- H01L2924/1461—MEMS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
Description
本出願は、一部継続出願、米国出願番号「No.11/120,885」、タイトル「SUBSTRATE WITH BONDING METALLIZATION」、出願日「2005年5月3日」の全内容が参照してここに組み込まれる。
図1に示すように、変換器の一実施形態は、周囲流体内の急速な圧力変動を感知するのに使用される動圧センサ又はマイクロフォンなどの圧力センサ10の形態をとる。圧力センサ10は、タービン、航空エンジン又は内燃エンジンなどのエンジンの燃焼空洞の中に(または隣接して)取り付けられるように構成される。この場合、圧力センサ10は、高い動作温度、広い温度範囲、高い動圧、及び燃焼副産物(水、CO、CO2、NOx、及び種々の窒素及び硫黄の化合物など)の存在に、それぞれ耐えるように構成される。
センサダイ12の動作及び構成について、ここで詳細に説明する。図4に示すように、センサダイ12は、SOIウエハ30で作られる(または、SOIウエハ30を含む)。ウエハ30は、シリコンのベース層又はハンドル層(handle layer)32、シリコンの上部層又は素子層34、及び素子層34とベース層32との間に配置された酸化層又は電気絶縁層36を含む。素子層34は、ドープされたシリコンのような導電材料である。しかし、後で詳しく説明するように、SOIウエハ30/素子層34は、シリコンの代わりに他の種々の材料で作られてもよい。ベース層32及び酸化層36の一部は、素子層34の一部が露出するように取り除かれ、それによって、ダイヤフラム16にかかる差圧に反応して変形するダイヤフラム16を形成する。
図1〜図7のセンサダイ12を形成するプロセスの一例が、図8〜図17に示され、以下で説明されるが、当然のことながら、プロセスにおいて異なるステップを使用してもよく、また、本発明の要旨から逸脱することなく、完全に異なるプロセスを使用してもよい。したがって、ここで示した製造ステップは、センサダイ12を製造するほんの一例に過ぎず、ここで述べる各ステップの指示及び詳細は、変更可能であり、また、他のステップを使用し、または本技術分野において周知である他のステップと置き換えてもよいない。多くのセンサダイ12が、バッチ製造プロセスにおいて、1つのウエハ上で、又は多くのウエハ上で同時に形成される。しかし、説明を明確にするために、図8〜図17は、形成されるセンサダイ12の1つのみを示す。
メタライゼーション層88の構造及び堆積方法(図11及び添付の記載を参照)について、ここで詳細に説明する。図18及び図19は、素子層34直上のメタライゼーション層88の堆積を示す(すなわち、基準コンタクト60を形成するとき)。図18で示した一実施形態において、メタライゼーション層は、第1の層又は接着層102、第2の層又は外部拡散阻止層104、及び第3の層又は内部拡散阻止層106を含む。接着層102は、ウエハ30に良く接着する様々な材料のいずれか(例えば、シリコン)で作ることが可能である。したがって、接着層102は、第一にウエハ30に強く結合する能力に基づいて選択されるが、接着層102の材料は、ウエハ30の材料に応じて変更することが可能である。
ボンディング材料又はボンディング層90(図14及び添付の説明で参照された)の応用について、ここで、詳細に説明する。図21に示すように、ボンディング層90が、メタライゼーション層88上に配置される。ボンディング層90は、お互いに共晶を形成することができる第1のボンディング材料(又は層)120及び第2のボンディング材料(又は層)122を含む。例えば、第1のボンディング材料120は金、又は第2のボンディング材料122とともに共晶合金を形成することができる他の元素又は材料である。第2のボンディング材料122は、ゲルマニウム、錫、又はシリコン、又は第1のボンディング材料120とともに共晶合金を形成することができるいずれかの元素又は材料である。ボンディング層90の他の材料の代表的な例は、InCuAu、AuNi、TiCuNi、AgCu、AgCuZn,InCuAg、及びAgCuSnを含む。
図17に示すようなセンサダイが用意されると(センサダイ12は、その上に置かれたメタライゼーション層88及びボンディング層90を含む)、センサダイ12は、基板14に結合されることが望まれる。図22に示すように、センサダイ12は、図17に示した位置から反転されて、基板14に位置合わせされる。基板14は、センサダイ12の項目で上述したのと概して同じ方法で、その上に堆積されたメタライゼーション層88及びボンディング材料90を有する。
上述したように、基板14は、リング18の内部に位置し、リング18に接続され、アタッチメント処理について、ここで、詳細に説明し、図33−35に示す。しかし、基板14及びリング18の取り付けについて、ここで説明するが(センサダイ12及び基板14の取り付け後については、上述した)、実際の組み立ての間、操作順序は逆転する。特に、組み立て中、基板14はリング18に最初に取り付けられ、そして、センサダイ12が、基板14/リング18アセンブリに取り付けられる。この操作順序は、基板14がリング18にろう付けする際、センサダイ12のより敏感な電気構成部材が高温に晒されないことを確実にする。
上述のように、センサダイ12は、複数のコンタクトを含む(図3に示した実施形態の3つのコンタクト50,52,60)。外部のコントローラ、プロセッサ、増幅器等へのセンサダイ12の出力を設けるため、ピン22(その1つだけが図1に示されている)がコンタクト50,52,60のそれぞれに電気接続されている。ピン22は、粘り強い酸化膜を形成し、酸化の増殖により剥離しにくい酸化防止金属などの様々な材料で作られる。例えば、ピン22は、導電性、熱膨張係数などの必要な特性に応じて、ニッケル、ステンレススティール、ココモ、インディアナ、Haynes International社が販売するHASTELLOY(登録商標)合金、又はウイルミントン、デレウエアのCRSホールディングス社が販売するKOVAR(登録商標)合金などで作られる。ピン22は、また、管又は他の金属部材の構成をとる。
図1及び図6に示した構成を組み立てるために、一実施形態では、基板14が設けられ、開口158が基板上に形成される。プレ・メタライゼーション層162(すぐ上で説明し、図37及び図38で示されている)が、開口158の上又は隣接して堆積され、メタライゼーション88及びボンディング層90が、基板14の円周表面上に堆積される(「基板取り付け」と題名がつけられたセクションで説明し、図33で示されている)。基板14が、リング18にろう着される(「基板取り付け」と題名がつけられたセクションで説明し、図34及び図35で示されている)。図37及び38で示すように、基板14がリング18にろう着される前、後、又は同時に、ピン22が、ろう着材料158で基板14にろう着される。
外部のコントローラ、プロセッサ、アンプまたは同様のものに電気的信号を伝えるために、ワイヤ24(それの1つは図1と6に示されている)は接続位置のそれぞれのピン22と結合される。電気的に絶縁しているおおいがあるNiCrやプラチナのように、さまざまな材料で各ワイヤ24を作ることができる。それぞれのワイヤ24の先が関連ピン22の下側の端に巻きつけられて、ろう着アタッチメントによって、それに結合されるかもしれない。ワイヤアセンブリ190で柔軟性を許容するぶつ切りされた埋め金(すなわち、セントポール、ミネソタの3Mによって作られたNEXTEL(登録商標)熱バリヤ、又は他の耐熱材料)のような、ワイヤ24の反対端は熱伝導的及び電気的に絶縁された材料180を通り抜ける。別の実施形態において、熱伝導的および電気的に絶縁な材料180は、高温セラミックかガラス埋め込み用化合物である。
上で説明されるように、センサ10とパッケージは高周波圧力変動を検出するためのマイクロフォンを形成するのに使用されるかもしれない。しかしながら、当然のことながら、ここに明らかにされたパッケージ構造が、加速、温度、放射または化学センサを含む(これに限定されないが)高温センサ(ダイナミックまたは他)とともに(または一部として)使用される。例えば、センサ10とパッケージは、電気化学検出または振動検出のどちらかまたは両方に使用される環境下での検体の存在を検出する化学検出器を形成するのに使用されるかもしれない。氷、汚染物質、化学物質、材料の堆積、微生物、流体の濃度などの存在を検出するために、さまざまな方法で、共鳴している変化を測定するコンポーネントとして、順番に、そのような振動センサを使用できる。
また、本発明は、様々なピエゾ抵抗の変換器の形を取るかもしれない。その実施形態は以下でさらに詳細に説明される。図42で示したベストのように、第1実施形態では、本発明のピエゾ抵抗の変換器は、概して210で示された圧力センサの形をとる。センサ210は、ベースウエハ214、キャップまたはキャップウエハ216及びベースウエハ214とキャッピングウエハ217の間に置かれたデバイスウェハ218を含むウエハスタック又はセンサダイ212(また、ここでは基板と呼ばれる)を含む。ウエハスタック212は、ペデスタル、ヘッダープレート、ベース又はヘッダー219、及びフレーム、カバー、パッケージベース、圧力ケース、フィッティングと結合され、また、220は、フレーム220とヘッダープレート219がウエハスタック212をそこに入れるようにヘッダープレート219と結合される。フレーム220の下位部はしばしば圧力容器と呼ばれ、そして、フレーム220の上部はしばしば真空容器と呼ばれる。
ピエゾ抵抗変換器292の第2実施形態が、図58−60に示されている。この実施形態では、図に60、センサダイが示されているように、290は、ヘッダープレート219の反対側にピン234に比例して取り付けられて、図42の実施形態にたとえられる。 図42の実施形態、226はセンサを引くために傾向があるダイヤフラムに加えられた圧力では、センサダイ212遠くでヘッダープレート219。対照的に、290は、図60の実施形態、適用されて、ダイセンサという圧力では、圧縮における付属共同270を押して、その結果、圧力センサ292の破壊圧力を大いに増加させる。
本発明のセンサの第3実施形態が、図61−65に示されている。すなわち、この実施形態では、上で説明されたデバイスウエハ218と同じ又は同様である、デバイスウエハ320、が利用される。また、デバイスウエハ320は、図46−55に示されていたプロセスと付随の記述で形成される。図61に示されているように、デバイスウエハ320は、機械的に電気的に隣接している基板322と結合される。デバイスウエハ320は逆さの構成で取り付けられる、高圧を収容するためにセンサ324の能力を改良するために上で説明された第2実施形態のように。参照圧力、真空または不活性ガスが基板322とフレーム220の間に置かれた空洞325、及び/又は、基板322とデバイスウエハ320の間の空洞326に位置するかもしれない。その上、必要に応じて、開口319は、空洞325、326が通信するのを許容するために基板322で形成されるかもしれない。
Claims (50)
- 苛酷な環境下で使用する圧力センサであって、
基板と、
前記基板とセンサダイとの間に位置する結合フレームによって、前記基板に直接接続されるセンサダイであって、充分な差圧にさらされたときに曲がるように構成された概ね柔軟なダイヤフラムを含む前記センサダイと、
前記ダイヤフラム上に少なくとも部分的に置かれ、前記ダイヤフラムの曲がりの電気信号を提供する、圧電性又はピエゾ抵抗性の感知素子と、
前記結合フレームによって、前記ダイヤフラムから流体的に分離された接続位置で、前記感知素子に電気接続された接続部材と、を有し、
前記結合フレームは材料で作られ、前記接続部材は、前記結合フレームと同じ材料によって、前記感知素子に電気接続されていることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記結合フレームは、前記結合フレーム、前記基板及び前記センサダイが、前記接続位置の周りに概ね密閉された空洞を形成するように、前記接続位置の周辺に置かれていることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記結合フレームの前記材料は、ボンディング温度で形成され、
形成後の前記結合フレームの前記材料は、前記ボンディング温度にさらされたときに溶けないことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記結合フレームの前記材料は、500℃未満のボンディング温度で形成され、
形成後の前記結合フレームの前記材料は、600℃を超える温度にさらされたときに溶けないことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記結合フレームの前記材料は、亜共晶合金を含むことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記基板はセラミック材料で作られ、前記センサダイは半導体オン絶縁体材料であることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記基板は開口を含み、前記接続部材は開口を通って伸びており、前記開口で前記基板に直接接続されていることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項7記載の圧力センサにおいて、
前記基板はセラミックであり、前記接続部材は金属であり、前記接続部材は前記開口で前記基板にろう着されていることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記感知素子は、
前記ダイヤフラム上に置かれた圧電フィルムと、
前記圧電フィルム及び前記ダイヤフラム上に置かれた電極と、
一端が前記電極に電気接続され、他端が前記接続位置で前記接続部材に電気接続されたリードと、を含むことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項9記載の圧力センサにおいて、
前記リードの少なくとも一部が、前記結合フレームと前記センサダイとの間に直接置かれていることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項9記載の圧力センサにおいて、
前記感知素子は、電気的に接地された基準コンタクトを含み、
前記圧力センサは、前記結合フレームによって前記ダイヤフラムから流体的に分離された追加の接続位置で、前記基準コンタクトに電気接続された追加の接続部材を含むことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記接続部材は、接続手段によって前記感知素子に電気接続され、
前記接続手段は、第1の温度で実行される遷移液相共晶ボンディング処理によって形成され、
前記接続手段は、前記第1の温度より高い第2の温度にさらされたときに溶けないことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記接続部材は、固溶共晶合金によって前記接続位置で前記感知素子に電気的及び機械的に接続されていることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項13記載の圧力センサにおいて、
前記固溶共晶合金は、亜共晶金・ゲルマニウム固溶合金、又は亜共晶金・シリコン固溶合金、又は亜共晶金・錫固溶合金であることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項13記載の圧力センサにおいて、
メタライゼーション層が、前記共晶合金の両側に置かれ、前記共晶合金に隣接して置かれることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項15記載の圧力センサにおいて、
少なくとも1つのメタライゼーション層は、
前記センサダイ又は基板の反応生成物である化合物から成る群から選択される接着層と、
タンタル、クロミウム、ジルコニウム及びハフニウムから成る群から選択される金属と、
珪化タンタル、炭化タンタル、窒化タンタル及び窒化タングステンから成る群から選択される化合物の第1の拡散阻止層と、
珪化プラチナの第2の拡散阻止層と、を含むことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記基板は、セラミック材料で作られ、金属リングの中に置かれ、
前記基板は、ろう着接合部によって前記リングにろう着され、
前記ろう着接合部は、メタライゼーション層を含み、
前記メタライゼーション層は、
前記基板の反応生成物である化合物から成る群から選択される接着層と、
タンタル、クロミウム、ジルコニウム及びハフニウムから成る群から選択される金属と、
珪化タンタル、炭化タンタル、窒化タンタル及び窒化タングステンから成る群から選択される化合物の第1の拡散阻止層と、
珪化プラチナの第2の拡散阻止層と、を含むことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記基板は、セラミック材料で作られ、リングの中に置かれ、
前記基板は、前記リングの中で圧縮状態に維持されていることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記センサダイは、絶縁体層上に置かれた半導体材料のデバイス層を有する半導体オン絶縁体材料であり、
前記デバイス層は前記ダイヤフラムを形成することを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記センサダイは、絶縁体層上に置かれたシリコンのデバイス層を有するシリコンオン絶縁体材料であり、
前記デバイス層は(111)シリコンであり、
前記感知素子は、前記デバイス層上にエピタキシャルに成長された圧電フィルムを含むことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項20記載の圧力センサにおいて、
前記圧電フィルムは珪化アルミニウムであることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記圧力センサは、600℃の温度にさらされたとき、耐えることができ、動作を続けることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記圧力センサは、600psigの圧力にさらされたとき、耐えることができ、動作を続けるようなパッケージを含むことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記ダイヤフラムは、前記ダイヤフラムが概ね流体静力学的に均衡するように、両側の概ね同じ静的圧力にさらされることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記ダイヤフラムは、シリコンで作られていることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記ダイヤフラムは、約3ミクロン及び約300ミクロンの間の厚さを有することを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記基板は、一対の対向する側を含み、
前記センサダイ及び前記接続位置は、両方とも前記基板の同じ側に置かれていることを特徴とする圧力センサ。 - 苛酷な環境下で使用する圧力センサであって、
基板と、
前記基板とセンサダイとの間に位置する結合フレームによって、前記基板に直接接続されるセンサダイであって、充分な差圧にさらされたときに曲がるように構成された概ね柔軟なダイヤフラムを含む前記センサダイと、
前記ダイヤフラム上に少なくとも部分的に置かれ、前記ダイヤフラムの曲がりの電気信号を提供する、圧電性又はピエゾ抵抗性の感知素子と、
前記感知素子に電気接続された接続部材と、を有し、
前記結合フレームは合金材料で作られ、前記接続部材は、前記結合フレームと同じ材料によって、前記感知素子に電気接続されていることを特徴とする圧力センサ。 - 変換器を形成する方法であって、
電気絶縁層によって分離された第1及び第2の半導体層を含む半導体オン絶縁体ウエハを提供する第1ステップと、
前記ウエハ上に圧電フィルム又はピエゾ抵抗フィルムを堆積又は成長する第2ステップと、
少なくとも1つの電極を形成するために、前記圧電フィルム又はピエゾ抵抗フィルム上に導電材料を堆積又は成長する第3ステップと、
前記電極上に置かれ、かつ前記電極に電気接続される電気接続部を含むボンディング層を堆積又は成長する第4ステップと、
ボンディング層を有するセラミック基板を提供する第5ステップであって、前記ボンディング層は、電気接続部を含み、前記半導体オン絶縁体ウエハの前記ボンディング層と概ね整合する方法でパターニングされる前記第5ステップと、
前記半導体オン絶縁体ウエハの前記ボンディング層と、前記基板の前記ボンディング層とを一緒に結合し、それにより、前記センサを形成するため、前記半導体オン絶縁体ウエハと前記基板とを機械的及び電気的に接続する第6ステップと、を有し、
前記半導体オン絶縁体ウエハ及び前記基板の前記ボンディング層の電気接続部は、前記ボンディング層により、周辺環境から流体的に分離されていることを特徴とする方法。 - 請求項29記載の方法において、
前記第2ステップは、前記ウエハ上に前記圧電フィルムをエピタキシャルに成長することを特徴とする方法。 - 請求項29記載の方法において、
前記第6ステップの後に形成された前記変換器は、600℃の温度及び600psigの圧力にさらされたときに、耐えることができ、動作を続けることを特徴とする方法。 - 請求項29記載の方法において、
前記ウエハ及び前記基板の前記ボンディング層は、前記第6ステップの後、亜共晶合金を形成することを特徴とする方法。 - 請求項29記載の方法において、
前記半導体オン絶縁体ウエハは、シリコンオン絶縁体ウエハであり、
前記方法は、さらに、約3ミクロンと約300ミクロンとの間の厚さを有するシリコンダイヤフラムを形成するために、前記シリコンオン絶縁体ウエハの一部を除去する第7ステップを有し、
前記第2ステップは、前記ダイヤフラム上に、前記圧電又はピエゾ抵抗フィルムを堆積又は成長することを特徴とする方法。 - 苛酷な環境下で使用する変換器であって、
基板と、
前記基板と変換器ダイとの間に位置する結合フレームによって、前記基板に直接接続される変換器ダイであって、測定される物理的特性に関する出力信号を提供し、または入力信号を受信して応答的に物理的出力を提供する変換器素子を含む前記変換器ダイと、
前記結合フレームによって前記変換器素子から流体的に分離された接続位置で、前記変換器素子に電気接続された接続部材と、を有し、
前記結合フレームは材料で作られ、前記接続部材は、前記結合フレームと同じ材料によって、前記感知素子に電気接続され、
前記接続部材は、前記結合フレームから電気的に絶縁されていることを特徴とする変換器。 - 上層が、(111)結晶方位を有し、かつ概ね柔軟なダイヤフラムを形成する前記シリコンオン絶縁体ベースと、
前記ダイヤフラム上に少なくとも部分的に置かれ、前記上層にエピタキシャルに成長した圧電フィルムと、
前記圧電フィルム及び前記ダイヤフラム上に置かれた電極と、
前記圧電フィルムに電気接続された接続部材と、を有することを特徴とする変換器。 - 請求項35記載の変換器において、
前記圧電フィルムは珪化アルミニウムであることを特徴とする変換器。 - 請求項35記載の変換器において、
前記接続部材は、前記シリコンオン絶縁体ベースを基板に接続する結合フレームによって前記ダイヤフラムから流体的に分離された接続位置で、前記圧電フィルムに電気接続されていることを特徴とする変換器。 - 苛酷な環境下で使用する圧力センサであって、
基板と、
前記基板とセンサダイとの間に位置する結合フレームによって、前記基板に直接接続されるセンサダイであって、前記センサダイは、充分な差圧にさらされたときに曲がるように構成された概ね柔軟なダイヤフラムを含み、前記結合フレームは、前記ダイヤフラムの周りに概ね広がっている、前記センサダイと、
前記ダイヤフラム上に少なくとも部分的に置かれ、前記ダイヤフラムの曲がりの電気信号を提供する、圧電性又はピエゾ抵抗性の感知素子と、
接続位置で、前記感知素子に電気接続された接続部材と、を有し、
前記結合フレームは亜共晶合金で作られ、前記接続部材は、前記結合フレームと同じ亜共晶合金によって、前記感知素子に電気接続されていることを特徴とする圧力センサ。 - 部材を接続する方法であって、
取り付け表面を有するセラミック部材を提供する第1ステップと、
金属部材を提供する第2ステップと、
前記取り付け表面上に活性ろう着材料を堆積する第3ステップと、
前記活性ろう着材料を備えた前記取り付け表面に隣接して前記金属部材を置く第4ステップと、
金属部材及び前記セラミック部材と接合するジョイントから、取り付けろう着材料が前記活性ろう着材料及び前記金属部材に接触するように、取り付けろう着材料を堆積する第5ステップと、
前記金属部材及び前記セラミック部材が概ね平らになるように、前記金属部材又は前記ジョイントを平坦化する第6ステップと、を有することを特徴とする方法。 - 請求項39記載の方法において、
前記セラミック部材は開口を有し、前記開口の内部表面は前記取り付け表面を構成することを特徴とする方法。 - 請求項40記載の方法において、
前記開口は、概ね壁が直線又は傾斜を有することを特徴とする方法。 - 請求項40記載の方法において、
前記開口は、階段状ボア孔であることを特徴とする方法。 - 請求項40記載の方法において、
前記開口は、ウォータージェットドリルで形成されることを特徴とする方法。 - 請求項39記載の方法において、
前記金属部材又は前記ジョイントは、前記平坦化のステップの前に、前記セラミック部材を通って突き出ており、
前記平坦化のステップは、前記金属部材又は前記ジョイントの前記突き出た部分を除去することを特徴とする方法。 - 請求項39記載の方法において、
前記平坦化のステップは、前記セラミック部材が、約1ミクロン以下の数値的な平坦性を有するように平坦化することを含むことを特徴とする方法。 - 請求項39記載の方法において、
さらに、前記メタライゼーション層及び前記ボンディング材料が、前記金属部材と前記他の部材との間の電気接続を提供するように、前記メタライゼーション層及びボンディング層が前記金属部材に電気接続されるように、前記セラミック部材を他の部材に接続するように、前記セラミック材料又は前記ジョイント又は前記金属部材の少なくとも1つの上に、メタライゼーション層及びボンディング材料を堆積する第7ステップを含むことを特徴とする方法。 - セラミック基板を通り抜けて形成され、かつ第1の表面から第2の表面へ伸びる開口を備えた前記第1及び第2の対向する表面を有するセラミック基板と、
前記開口内に位置し、かつ前記基板に接続され、前記第1の表面から伸びる金属ピンと、を有し、
前記ピンは、活性ろう着材料及び取り付けろう着材料を含むろう着ジョイントによって前記基板に接続され、
前記基板の前記第2の表面は、約1ミクロン以下の数値的な平坦性を有することを特徴とするシステム。 - 請求項47記載のシステムにおいて、
前記メタライゼーション層及びボンディング材料が前記ピンに電気接続されるように、前記基板は、前記基板又は前記ジョイント又は前記ピンの上に位置するメタライゼーション層及びボンディング材料を有し、
前記システムは、さらに、前記他の部材が前記ピンに電気接続されるように、前記メタライゼーション層及び前記ボンディング材料によって前記基板に接続された他の部材を有することを特徴とするシステム。 - 測定される物理的特性に関する出力信号を提供し、または入力信号を受信して応答的に物理的出力を提供する変換器素子を含む変換器ダイであって、前記変換器素子は、出力部材に電気接続されている前記変換器ダイと、
前記変換器ダイを保護又は支持するために前記変換器ダイの周辺又は隣接して置かれた金属ハウジングと、
前記変換器ダイを外部プロセッサ又はコントローラに電気接続する接続位置で、前記出力部材に電気接続された出力ワイヤであって、前記出力ワイヤは、導管の中に概ね置かれている前記出力ワイヤと、
前記接続位置を保護するため、前記導管及び前記ハウジングに接続された金属スリーブであって、前記スリーブは、前記スリーブが前記導管及び前記ハウジングに接続されていないとき、前記導管に摺動自在に接続されている金属スリーブと、を有することを特徴とする変換器システム。 - 変換器を形成する方法であって、
電気絶縁層によって分離された第1及び第2の半導体層を含む半導体オン絶縁体ウエハを提供する第1ステップと、
ピエゾ抵抗フィルムを形成するために、前記半導体オン絶縁体ウエハの上層をドーピングする第2ステップと、
少なくとも1つのピエゾ抵抗を形成するために、ピエゾ抵抗フィルムをエッチングする第3ステップと、
前記ピエゾ抵抗フィルム上に置かれ、かつ前記ピエゾ抵抗フィルムに電気接続される電気接続部を含むボンディング層を堆積又は成長する第4ステップと、
ボンディング層を有するセラミック基板を提供する第5ステップであって、前記ボンディング層は、電気接続部を含み、前記半導体オン絶縁体ウエハの前記ボンディング層と概ね整合する方法でパターニングされる前記第5ステップと、
前記半導体オン絶縁体ウエハの前記ボンディング層と、前記基板の前記ボンディング層とを一緒に結合し、それにより、前記センサを形成するため、前記半導体オン絶縁体ウエハと前記基板とを機械的及び電気的に接続する第6ステップと、を有し、
前記半導体オン絶縁体ウエハ及び前記基板の前記ボンディング層の電気接続部は、前記ボンディング層により、周辺環境から流体的に分離されていることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/523,214 US7538401B2 (en) | 2005-05-03 | 2006-09-19 | Transducer for use in harsh environments |
PCT/US2007/078837 WO2008036705A2 (en) | 2006-09-19 | 2007-09-19 | Transducer for use in harsh environments |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010504529A true JP2010504529A (ja) | 2010-02-12 |
Family
ID=39201224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009529352A Pending JP2010504529A (ja) | 2006-09-19 | 2007-09-19 | 苛酷な環境下で使用する変換器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US7538401B2 (ja) |
EP (1) | EP2082205B1 (ja) |
JP (1) | JP2010504529A (ja) |
WO (1) | WO2008036705A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015045779A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 力学量測定装置及びその製造方法 |
KR20150082119A (ko) * | 2014-01-06 | 2015-07-15 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | Mems 센서 |
Families Citing this family (126)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006258678A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Hitachi Ltd | 熱式流量計測装置 |
US7538401B2 (en) * | 2005-05-03 | 2009-05-26 | Rosemount Aerospace Inc. | Transducer for use in harsh environments |
US7635077B2 (en) * | 2005-09-27 | 2009-12-22 | Honeywell International Inc. | Method of flip chip mounting pressure sensor dies to substrates and pressure sensors formed thereby |
GB0605576D0 (en) * | 2006-03-20 | 2006-04-26 | Oligon Ltd | MEMS device |
DE102006040115A1 (de) * | 2006-08-26 | 2008-03-20 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Verfahren und Anordnung zur hermetisch dichten vertikalen elektrischen Durchkontaktierung von Deckscheiben der Mikrosystemtechnik |
US7658111B2 (en) * | 2006-11-16 | 2010-02-09 | Endevco Corporation | Sensors with high temperature piezoelectric ceramics |
US7851333B2 (en) * | 2007-03-15 | 2010-12-14 | Infineon Technologies Ag | Apparatus comprising a device and method for producing it |
US7878069B2 (en) * | 2009-05-04 | 2011-02-01 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Torque insensitive header assembly |
US7868770B2 (en) * | 2007-11-14 | 2011-01-11 | Al-Mutairi Sami H | Warning device for drivers and the like |
US7888754B2 (en) * | 2007-12-28 | 2011-02-15 | Yamaha Corporation | MEMS transducer |
US7795063B2 (en) * | 2007-12-31 | 2010-09-14 | Solid State System Co., Ltd. | Micro-electro-mechanical systems (MEMS) device and process for fabricating the same |
KR101019700B1 (ko) * | 2008-04-28 | 2011-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US9105752B2 (en) | 2008-11-14 | 2015-08-11 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | High temperature transducer using SOI, silicon carbide or gallium nitride electronics |
US7861597B2 (en) * | 2008-11-14 | 2011-01-04 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | High temperature transducer using SOI electronics |
DE102008054415A1 (de) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Robert Bosch Gmbh | Anordnung zweier Substrate mit einer SLID-Bondverbindung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung |
US8058143B2 (en) * | 2009-01-21 | 2011-11-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Substrate bonding with metal germanium silicon material |
GB2467777B (en) * | 2009-02-13 | 2011-01-12 | Wolfson Microelectronics Plc | MEMS device and process |
US7861595B2 (en) * | 2009-05-11 | 2011-01-04 | Honeywell International Inc. | Pressure sensing device for harsh environments |
DE102009003178A1 (de) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Keramisches Bauteil mit mindestens einer elektrischen Durchführung, Verfahren zu dessen Herstellung und Drucksensor mit einem solchen Bauteil |
AU2010249496B2 (en) * | 2009-05-20 | 2016-03-24 | Halliburton Energy Services, Inc. | Downhole sensor tool with a sealed sensor outsert |
WO2010148398A2 (en) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | The Regents Of The University Of Michigan | A thin-film device and method of fabricating the same |
US8322225B2 (en) * | 2009-07-10 | 2012-12-04 | Honeywell International Inc. | Sensor package assembly having an unconstrained sense die |
TWI388038B (zh) * | 2009-07-23 | 2013-03-01 | Ind Tech Res Inst | 感測元件結構與製造方法 |
US8359927B2 (en) * | 2009-08-12 | 2013-01-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Molded differential PRT pressure sensor |
US20110073967A1 (en) * | 2009-08-28 | 2011-03-31 | Analog Devices, Inc. | Apparatus and method of forming a mems acoustic transducer with layer transfer processes |
DE102009055718A1 (de) * | 2009-11-26 | 2011-06-01 | Continental Automotive Gmbh | Sensormodul, Herstellungsverfahren eines Sensormoduls sowie Spritzgießwerkzeug zum Umgießen eines Sensormoduls |
US8119431B2 (en) * | 2009-12-08 | 2012-02-21 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of forming a micro-electromechanical system (MEMS) having a gap stop |
US20110221456A1 (en) * | 2010-03-11 | 2011-09-15 | General Electric Company | Sensor system and methods for environmental sensing |
US8191423B2 (en) * | 2010-03-29 | 2012-06-05 | Continental Automotive Systems, Inc. | Grooved structure for die-mount and media sealing |
US8368153B2 (en) * | 2010-04-08 | 2013-02-05 | United Microelectronics Corp. | Wafer level package of MEMS microphone and manufacturing method thereof |
US9203489B2 (en) | 2010-05-05 | 2015-12-01 | Google Technology Holdings LLC | Method and precoder information feedback in multi-antenna wireless communication systems |
EP2395336B1 (en) * | 2010-06-08 | 2018-08-01 | Sensata Technologies, Inc. | Hermetically sealed pressure sensing device |
US20120014552A1 (en) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | Yang Zore | Microphone housing with disassembly protection for a cap thereof |
US8230743B2 (en) | 2010-08-23 | 2012-07-31 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor |
US8878133B2 (en) | 2010-11-02 | 2014-11-04 | Rosemount Aerospace Inc. | Passive optical gaseous emissions sensor |
JP5663278B2 (ja) * | 2010-11-19 | 2015-02-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US8191425B1 (en) | 2010-12-17 | 2012-06-05 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Gage pressure transducer and method for making the same |
JP2012134300A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
DE102011004061A1 (de) * | 2011-02-14 | 2012-08-16 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Elektronisches Gerät und Schutzelement hierfür für den Einsatz in explosionsgefährdeten Bereichen |
US8384168B2 (en) * | 2011-04-21 | 2013-02-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Sensor device with sealing structure |
US8476087B2 (en) | 2011-04-21 | 2013-07-02 | Freescale Semiconductor, Inc. | Methods for fabricating sensor device package using a sealing structure |
US20120306790A1 (en) * | 2011-06-02 | 2012-12-06 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Film type apparatus for providing haptic feedback and touch screen including the same |
JP5365665B2 (ja) | 2011-06-23 | 2013-12-11 | 横河電機株式会社 | センサユニット |
RU2464539C1 (ru) * | 2011-07-08 | 2012-10-20 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Полупроводниковый преобразователь давления |
CN103017974B (zh) * | 2011-09-26 | 2015-03-25 | 上海洛丁森工业自动化设备有限公司 | 一种新型测量超高温介质压力的远传压力、差压变送器 |
US8516897B1 (en) | 2012-02-21 | 2013-08-27 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor |
DE102012202727B4 (de) * | 2012-02-22 | 2015-07-02 | Vectron International Gmbh | Verfahren zur Verbindung eines ersten elektronischen Bauelements mit einem zweiten Bauelement |
US8714021B2 (en) | 2012-02-27 | 2014-05-06 | Amphenol Thermometrics, Inc. | Catheter die and method of fabricating the same |
US8813580B2 (en) * | 2012-03-05 | 2014-08-26 | Honeywell International Inc. | Apparatus and processes for silicon on insulator MEMS pressure sensors |
US8683870B2 (en) | 2012-03-15 | 2014-04-01 | Meggitt (Orange County), Inc. | Sensor device with stepped pads for connectivity |
US8857264B2 (en) | 2012-03-30 | 2014-10-14 | Amphenol Thermometrics, Inc. | Catheter die |
US9046546B2 (en) | 2012-04-27 | 2015-06-02 | Freescale Semiconductor Inc. | Sensor device and related fabrication methods |
US9046426B1 (en) | 2012-06-15 | 2015-06-02 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration | Modular apparatus and method for attaching multiple devices |
GB2506174A (en) | 2012-09-24 | 2014-03-26 | Wolfson Microelectronics Plc | Protecting a MEMS device from excess pressure and shock |
US9813262B2 (en) | 2012-12-03 | 2017-11-07 | Google Technology Holdings LLC | Method and apparatus for selectively transmitting data using spatial diversity |
US9591508B2 (en) | 2012-12-20 | 2017-03-07 | Google Technology Holdings LLC | Methods and apparatus for transmitting data between different peer-to-peer communication groups |
FR3000205B1 (fr) | 2012-12-21 | 2015-07-31 | Michelin & Cie | Capteur de pression perfectionne a boitier etanche |
DE102012224424A1 (de) * | 2012-12-27 | 2014-07-17 | Robert Bosch Gmbh | Sensorsystem und Abdeckvorrichtung für ein Sensorsystem |
US9979531B2 (en) | 2013-01-03 | 2018-05-22 | Google Technology Holdings LLC | Method and apparatus for tuning a communication device for multi band operation |
US9116057B2 (en) * | 2013-02-27 | 2015-08-25 | Honeywell International Inc. | Integrated reference vacuum pressure sensor with atomic layer deposition coated input port |
US10229697B2 (en) | 2013-03-12 | 2019-03-12 | Google Technology Holdings LLC | Apparatus and method for beamforming to obtain voice and noise signals |
US9242275B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-01-26 | Butterfly Networks, Inc. | Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) ultrasonic transducers and methods for forming the same |
KR102208154B1 (ko) * | 2013-06-07 | 2021-01-27 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 보호층을 구비한 센서 |
US10273147B2 (en) | 2013-07-08 | 2019-04-30 | Motion Engine Inc. | MEMS components and method of wafer-level manufacturing thereof |
EP3028007A4 (en) | 2013-08-02 | 2017-07-12 | Motion Engine Inc. | Mems motion sensor and method of manufacturing |
US9386542B2 (en) | 2013-09-19 | 2016-07-05 | Google Technology Holdings, LLC | Method and apparatus for estimating transmit power of a wireless device |
US20160229684A1 (en) * | 2013-09-24 | 2016-08-11 | Motion Engine Inc. | Mems device including support structure and method of manufacturing |
GB2537984B (en) * | 2013-10-28 | 2019-02-27 | Inficon Gmbh | A method for preventing gases and fluids to penetrate a surface of an object |
US9301177B2 (en) | 2013-12-18 | 2016-03-29 | Google Technology Holdings LLC | Method and system to improve antenna tuner reliability |
US9549290B2 (en) | 2013-12-19 | 2017-01-17 | Google Technology Holdings LLC | Method and apparatus for determining direction information for a wireless device |
SG10201709524QA (en) | 2013-12-26 | 2018-01-30 | Agency Science Tech & Res | Chemical sensor package for highly pressured environment |
US9261425B2 (en) | 2014-01-02 | 2016-02-16 | Rosemount Aerospace Inc. | High temperature pressure sensor |
WO2015103688A1 (en) | 2014-01-09 | 2015-07-16 | Motion Engine Inc. | Integrated mems system |
JP2015143635A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、高度計、電子機器および移動体 |
US9628052B2 (en) * | 2014-02-18 | 2017-04-18 | Qualcomm Incorporated | Embedded multi-terminal capacitor |
WO2015154173A1 (en) | 2014-04-10 | 2015-10-15 | Motion Engine Inc. | Mems pressure sensor |
US9491007B2 (en) | 2014-04-28 | 2016-11-08 | Google Technology Holdings LLC | Apparatus and method for antenna matching |
US9478847B2 (en) | 2014-06-02 | 2016-10-25 | Google Technology Holdings LLC | Antenna system and method of assembly for a wearable electronic device |
WO2015184531A1 (en) | 2014-06-02 | 2015-12-10 | Motion Engine Inc. | Multi-mass mems motion sensor |
US9067779B1 (en) | 2014-07-14 | 2015-06-30 | Butterfly Network, Inc. | Microfabricated ultrasonic transducers and related apparatus and methods |
US10541152B2 (en) | 2014-07-31 | 2020-01-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Transient liquid phase material bonding and sealing structures and methods of forming same |
TWI661494B (zh) * | 2014-07-31 | 2019-06-01 | 美商西凱渥資訊處理科技公司 | 多層暫態液相接合 |
US9648745B2 (en) | 2014-10-22 | 2017-05-09 | Honeywell International Inc. | Systems and methods for mounting the printed wiring assembly to the header assembly of a pressure sensor |
WO2016090467A1 (en) | 2014-12-09 | 2016-06-16 | Motion Engine Inc. | 3d mems magnetometer and associated methods |
US10115747B2 (en) * | 2015-01-06 | 2018-10-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of producing component board |
US10407299B2 (en) | 2015-01-15 | 2019-09-10 | Motion Engine Inc. | 3D MEMS device with hermetic cavity |
US10107662B2 (en) | 2015-01-30 | 2018-10-23 | Honeywell International Inc. | Sensor assembly |
FR3032272B1 (fr) * | 2015-02-02 | 2020-06-05 | Akwel | Dispositif de determination de pression et de temperature, capteur de pression et de temperature comprenant un tel dispositif et procede de fabrication d’un tel dispositif |
US9671303B2 (en) | 2015-03-10 | 2017-06-06 | Ford Global Technologies, Llc | Method and system for laser pressure transducer |
CN104697681B (zh) * | 2015-03-10 | 2017-03-08 | 东南大学 | 一种带自检测装置的压阻式压力传感器及其制备方法 |
US9862592B2 (en) * | 2015-03-13 | 2018-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | MEMS transducer and method for manufacturing the same |
US9835511B2 (en) | 2015-05-08 | 2017-12-05 | Rosemount Aerospace Inc. | High temperature flexural mode piezoelectric dynamic pressure sensor |
DE102015210113A1 (de) * | 2015-06-02 | 2016-12-29 | BSH Hausgeräte GmbH | Haushaltsgerät mit Differenzdrucksensor |
FR3037142B1 (fr) * | 2015-06-03 | 2018-11-02 | Safran Electronics & Defense | Dispositif de mesure de pression a fiabilite amelioree et procede de calibrage associe |
FR3037141B1 (fr) * | 2015-06-03 | 2017-06-02 | Sagem Defense Securite | Dispositif de detection de pression |
FR3037140B1 (fr) * | 2015-06-03 | 2017-06-02 | Sagem Defense Securite | Dispositif de detection de pression |
KR101755463B1 (ko) * | 2015-06-18 | 2017-07-07 | 현대자동차 주식회사 | 차량 연소음 마스킹 제어 장치 및 방법 |
US10119877B2 (en) * | 2015-07-16 | 2018-11-06 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | High-temperature headers for sensing elements |
CN105241600B (zh) * | 2015-08-17 | 2017-12-29 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | 一种mems压力计芯片及其制造工艺 |
JP6347900B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2018-06-27 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体センサ装置およびその製造方法 |
FR3043196B1 (fr) * | 2015-10-30 | 2020-10-02 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de mesure de caracteristique d'un fluide |
US9975765B1 (en) | 2015-12-18 | 2018-05-22 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration | Fabricating ultra-thin silicon carbide diaphragms |
WO2017136719A1 (en) | 2016-02-03 | 2017-08-10 | Hutchinson Technology Incorporated | Miniature pressure/force sensor with integrated leads |
JP6624966B2 (ja) | 2016-02-16 | 2019-12-25 | 株式会社不二工機 | 圧力検出ユニット及びこれを用いた圧力センサ |
WO2017163729A1 (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 日本碍子株式会社 | 接合体および弾性波素子 |
EP3226282A1 (en) * | 2016-03-31 | 2017-10-04 | Techni Holding AS | Non-eutectic bonding method with formation of a solid solution with a porous structure with a second phase dispersed therein and corresponding joint |
CN105716753B (zh) * | 2016-04-26 | 2018-08-17 | 东南大学 | 一种带自检测装置的压阻式压力传感器及其制备方法 |
US10065853B2 (en) * | 2016-05-23 | 2018-09-04 | Rosemount Aerospace Inc. | Optimized epoxy die attach geometry for MEMS die |
DE102016208970A1 (de) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Elektromigration-resistenten kristallinen Übergangsmetall-Silizidschicht, entsprechende Schichtenfolge und Mikro-Heizer |
KR20180033995A (ko) * | 2016-09-27 | 2018-04-04 | 삼성전자주식회사 | 모니터링 유닛, 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 칩의 제조 방법 |
US9783411B1 (en) * | 2016-11-11 | 2017-10-10 | Rosemount Aerospace Inc. | All silicon capacitive pressure sensor |
US10965269B2 (en) | 2016-12-02 | 2021-03-30 | Skyworks Solutions, Inc. | Electronic devices formed in a cavity between substrates and including a via |
US11092083B2 (en) | 2017-02-10 | 2021-08-17 | General Electric Company | Pressure sensor assembly for a turbine engine |
US10036676B1 (en) * | 2017-03-15 | 2018-07-31 | Honeywell International Inc. | Microelectromechanical systems (MEMS) force die with buried cavity vented to the edges |
AU2018289454A1 (en) | 2017-06-21 | 2019-12-05 | Butterfly Network, Inc. | Microfabricated ultrasonic transducer having individual cells with electrically isolated electrode sections |
US11153985B2 (en) * | 2017-06-29 | 2021-10-19 | Rosemount Inc. | Modular hybrid circuit packaging |
US10725202B2 (en) * | 2017-07-21 | 2020-07-28 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Downhole electronics package having integrated components formed by layer deposition |
US10436662B2 (en) | 2017-08-02 | 2019-10-08 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | High temperature protected wire bonded sensors |
FR3071492B1 (fr) * | 2017-09-25 | 2021-07-09 | Commissariat Energie Atomique | Micro-dispositif comportant un element protege contre une gravure hf et forme d'un materiau comprenant un semi-conducteur et un metal |
US10781094B2 (en) * | 2017-10-23 | 2020-09-22 | Te Connectivity Corporation | Pressure sensor assembly mounted to a ceramic substrate |
US10564060B2 (en) | 2018-02-09 | 2020-02-18 | General Electric Company | Pressure sensing devices, systems, and methods for alleviating interference from moisture |
JP2019192729A (ja) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置 |
US10782200B2 (en) * | 2018-06-27 | 2020-09-22 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for thermal insulation of high-temperature pressure sensors |
CN110207885A (zh) * | 2019-07-08 | 2019-09-06 | 南京新力感电子科技有限公司 | 基于倒装焊芯片的压力传感器芯体、芯体制造及封装方法和压力传感器 |
US11656138B2 (en) | 2020-06-19 | 2023-05-23 | Rosemount Inc. | Pressure sensor assembly |
DE102020211230A1 (de) | 2020-09-08 | 2021-08-19 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Mikromechanisches Drucksensorelement und Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Drucksensorelements |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56172954U (ja) * | 1972-01-12 | 1981-12-21 | ||
JPS57109347A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-07 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JPH0495742A (ja) * | 1990-08-07 | 1992-03-27 | Seiko Epson Corp | 圧力センサ |
JP2001074577A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Hitachi Ltd | 半導体圧力センサ |
US20050235753A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-10-27 | Kurtz Anthony D | Pressure transducer for measuring low dynamic pressures in the presence of high static pressures |
Family Cites Families (94)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3200490A (en) * | 1962-12-07 | 1965-08-17 | Philco Corp | Method of forming ohmic bonds to a germanium-coated silicon body with eutectic alloyforming materials |
US3396454A (en) * | 1964-01-23 | 1968-08-13 | Allis Chalmers Mfg Co | Method of forming ohmic contacts in semiconductor devices |
US3619742A (en) * | 1970-05-21 | 1971-11-09 | Rosemount Eng Co Ltd | Shielded capacitance pressure sensor |
US3879746A (en) * | 1972-05-30 | 1975-04-22 | Bell Telephone Labor Inc | Gate metallization structure |
FR2217290B1 (ja) * | 1972-12-01 | 1975-03-28 | Quartex Sa | |
US3877063A (en) * | 1973-06-27 | 1975-04-08 | Hewlett Packard Co | Metallization structure and process for semiconductor devices |
US3935986A (en) * | 1975-03-03 | 1976-02-03 | Texas Instruments Incorporated | Solid state bonding process employing the isothermal solidification of a liquid interface |
US3994430A (en) * | 1975-07-30 | 1976-11-30 | General Electric Company | Direct bonding of metals to ceramics and metals |
US4141456A (en) | 1976-08-30 | 1979-02-27 | Rca Corp. | Apparatus and method for aligning wafers |
JPS5398096A (en) | 1977-02-08 | 1978-08-26 | Nec Corp | Production of thin film metal resistor |
US4215156A (en) * | 1977-08-26 | 1980-07-29 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating tantalum semiconductor contacts |
US4233337A (en) * | 1978-05-01 | 1980-11-11 | International Business Machines Corporation | Method for forming semiconductor contacts |
US4330343A (en) * | 1979-01-04 | 1982-05-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Refractory passivated ion-implanted GaAs ohmic contacts |
CA1138795A (en) * | 1980-02-19 | 1983-01-04 | Goodrich (B.F.) Company (The) | Escape slide and life raft |
US5200349A (en) * | 1980-12-30 | 1993-04-06 | Fujitsu Limited | Semiconductor device including schotky gate of silicide and method for the manufacture of the same |
US5536967A (en) * | 1980-12-30 | 1996-07-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor device including Schottky gate of silicide and method for the manufacture of the same |
US4400869A (en) * | 1981-02-12 | 1983-08-30 | Becton Dickinson And Company | Process for producing high temperature pressure transducers and semiconductors |
DE3304588A1 (de) * | 1983-02-10 | 1984-08-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von mos-transistoren mit flachen source/drain-gebieten, kurzen kanallaengen und einer selbstjustierten, aus einem metallsilizid bestehenden kontaktierungsebene |
GB2137131B (en) | 1983-03-15 | 1986-06-25 | Standard Telephones Cables Ltd | Bonding semiconductive bodies |
DE3326142A1 (de) * | 1983-07-20 | 1985-01-31 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Integrierte halbleiterschaltung mit einer aus aluminium oder aus einer aluminiumlegierung bestehenden aeusseren kontaktleiterbahnebene |
US4702941A (en) * | 1984-03-27 | 1987-10-27 | Motorola Inc. | Gold metallization process |
US4637129A (en) * | 1984-07-30 | 1987-01-20 | At&T Bell Laboratories | Selective area III-V growth and lift-off using tungsten patterning |
DE3440568A1 (de) * | 1984-11-07 | 1986-05-15 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Hochdrucksensor |
US4777826A (en) * | 1985-06-20 | 1988-10-18 | Rosemount Inc. | Twin film strain gauge system |
JPS61296764A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | 金属電極配線膜を有する半導体装置 |
US4758534A (en) * | 1985-11-13 | 1988-07-19 | Bell Communications Research, Inc. | Process for producing porous refractory metal layers embedded in semiconductor devices |
US4960718A (en) * | 1985-12-13 | 1990-10-02 | Allied-Signal Inc. | MESFET device having a semiconductor surface barrier layer |
US5174926A (en) | 1988-04-07 | 1992-12-29 | Sahagen Armen N | Compositions for piezoresistive and superconductive application |
GB2221570B (en) | 1988-08-04 | 1992-02-12 | Stc Plc | Bonding a semiconductor to a substrate |
US5038996A (en) * | 1988-10-12 | 1991-08-13 | International Business Machines Corporation | Bonding of metallic surfaces |
US4939497A (en) * | 1989-04-18 | 1990-07-03 | Nippon Soken, Inc. | Pressure sensor |
US5181417A (en) * | 1989-07-10 | 1993-01-26 | Nippon Soken, Inc. | Pressure detecting device |
US5095759A (en) * | 1990-06-01 | 1992-03-17 | Gte Products Corporation | Platinum electrode bonded to ceramic |
US5182218A (en) * | 1991-02-25 | 1993-01-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Production methods for compound semiconductor device having lightly doped drain structure |
JPH04268725A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-24 | Canon Inc | 力学量検出センサおよびその製造方法 |
FR2681472B1 (fr) * | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
US5257547A (en) * | 1991-11-26 | 1993-11-02 | Honeywell Inc. | Amplified pressure transducer |
JPH05200539A (ja) | 1992-01-24 | 1993-08-10 | Honda Motor Co Ltd | 半導体基板接合方法 |
JP2796919B2 (ja) * | 1992-05-11 | 1998-09-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | メタライゼーション複合体および半導体デバイス |
US5286676A (en) * | 1992-06-15 | 1994-02-15 | Hewlett-Packard Company | Methods of making integrated circuit barrier structures |
US5234153A (en) | 1992-08-28 | 1993-08-10 | At&T Bell Laboratories | Permanent metallic bonding method |
JPH06132545A (ja) * | 1992-10-19 | 1994-05-13 | Mitsubishi Electric Corp | 圧力検出装置 |
US5346855A (en) * | 1993-01-19 | 1994-09-13 | At&T Bell Laboratories | Method of making an INP-based DFB laser |
US5286671A (en) * | 1993-05-07 | 1994-02-15 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Fusion bonding technique for use in fabricating semiconductor devices |
US5369300A (en) * | 1993-06-10 | 1994-11-29 | Delco Electronics Corporation | Multilayer metallization for silicon semiconductor devices including a diffusion barrier formed of amorphous tungsten/silicon |
JP2552093B2 (ja) | 1993-06-29 | 1996-11-06 | サーパス工業株式会社 | 圧力センサ |
US5559817A (en) * | 1994-11-23 | 1996-09-24 | Lucent Technologies Inc. | Complaint layer metallization |
US5561083A (en) * | 1994-12-29 | 1996-10-01 | Lucent Technologies Inc. | Method of making multilayered Al-alloy structure for metal conductors |
JPH08264562A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置,及びその製造方法 |
DK0735353T3 (da) * | 1995-03-31 | 1999-09-06 | Endress Hauser Gmbh Co | Trykføler |
MX9707606A (es) * | 1995-04-28 | 1997-12-31 | Rosemount Inc | Transmisor de presion con grupo de montaje aislador de alta presion. |
US5600071A (en) * | 1995-09-05 | 1997-02-04 | Motorola, Inc. | Vertically integrated sensor structure and method |
US5637905A (en) * | 1996-02-01 | 1997-06-10 | New Jersey Institute Of Technology | High temperature, pressure and displacement microsensor |
US5882532A (en) * | 1996-05-31 | 1999-03-16 | Hewlett-Packard Company | Fabrication of single-crystal silicon structures using sacrificial-layer wafer bonding |
US6027957A (en) * | 1996-06-27 | 2000-02-22 | University Of Maryland | Controlled solder interdiffusion for high power semiconductor laser diode die bonding |
US5802091A (en) * | 1996-11-27 | 1998-09-01 | Lucent Technologies Inc. | Tantalum-aluminum oxide coatings for semiconductor devices |
US6191007B1 (en) * | 1997-04-28 | 2001-02-20 | Denso Corporation | Method for manufacturing a semiconductor substrate |
US5935430A (en) * | 1997-04-30 | 1999-08-10 | Hewlett-Packard Company | Structure for capturing express transient liquid phase during diffusion bonding of planar devices |
JPH1164137A (ja) * | 1997-08-25 | 1999-03-05 | Hitachi Ltd | 半導体圧力センサ |
JPH1179872A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-03-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | メタライズ窒化ケイ素系セラミックス、その製造方法及びその製造に用いるメタライズ組成物 |
ATE294373T1 (de) * | 1997-09-11 | 2005-05-15 | Honeywell Inc | Feststoff-flüssigkeits-interdiffusionsverbindun für ringlaserkreisel |
US5955771A (en) * | 1997-11-12 | 1999-09-21 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Sensors for use in high vibrational applications and methods for fabricating same |
US5882738A (en) * | 1997-12-19 | 1999-03-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus and method to improve electromigration performance by use of amorphous barrier layer |
EP1093571B1 (en) * | 1998-07-07 | 2003-05-21 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Method of fabricating silicon capacitive sensor |
US6058782A (en) * | 1998-09-25 | 2000-05-09 | Kulite Semiconductor Products | Hermetically sealed ultra high temperature silicon carbide pressure transducers and method for fabricating same |
US6351996B1 (en) * | 1998-11-12 | 2002-03-05 | Maxim Integrated Products, Inc. | Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors |
FR2786564B1 (fr) * | 1998-11-27 | 2001-04-13 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de pression a membrane comportant du carbure de silicium et procede de fabrication |
US6363792B1 (en) * | 1999-01-29 | 2002-04-02 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Ultra high temperature transducer structure |
US6320265B1 (en) * | 1999-04-12 | 2001-11-20 | Lucent Technologies Inc. | Semiconductor device with high-temperature ohmic contact and method of forming the same |
JP3619065B2 (ja) | 1999-07-16 | 2005-02-09 | 株式会社山武 | 圧力センサ |
US6932951B1 (en) * | 1999-10-29 | 2005-08-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Microfabricated chemical reactor |
US6272928B1 (en) * | 2000-01-24 | 2001-08-14 | Kulite Semiconductor Products | Hermetically sealed absolute and differential pressure transducer |
JP3706903B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2005-10-19 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | フレキシブル高感度セラミックスセンサー |
DE10060439A1 (de) | 2000-12-05 | 2002-06-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Kontaktmetallisierung für GaN-basierende Halbleiterstrukturen und Verfahren zu deren Herstellung |
US6565158B2 (en) * | 2000-12-11 | 2003-05-20 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Automotive road wheel and attaching structure of the same |
US6956268B2 (en) * | 2001-05-18 | 2005-10-18 | Reveo, Inc. | MEMS and method of manufacturing MEMS |
US6550665B1 (en) * | 2001-06-06 | 2003-04-22 | Indigo Systems Corporation | Method for electrically interconnecting large contact arrays using eutectic alloy bumping |
JP2002368168A (ja) * | 2001-06-13 | 2002-12-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置用複合部材、それを用いた絶縁型半導体装置、又は非絶縁型半導体装置 |
US6566158B2 (en) * | 2001-08-17 | 2003-05-20 | Rosemount Aerospace Inc. | Method of preparing a semiconductor using ion implantation in a SiC layer |
US7081271B2 (en) * | 2001-12-07 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride |
US6564644B1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-05-20 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | High temperature surface mount transducer |
US6595066B1 (en) * | 2002-04-05 | 2003-07-22 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Stopped leadless differential sensor |
US6706549B1 (en) * | 2002-04-12 | 2004-03-16 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Multi-functional micro electromechanical devices and method of bulk manufacturing same |
US6586330B1 (en) * | 2002-05-07 | 2003-07-01 | Tokyo Electron Limited | Method for depositing conformal nitrified tantalum silicide films by thermal CVD |
US6612178B1 (en) * | 2002-05-13 | 2003-09-02 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Leadless metal media protected pressure sensor |
JP4240445B2 (ja) * | 2002-05-31 | 2009-03-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 超高配向窒化アルミニウム薄膜を用いた圧電素子とその製造方法 |
US7152482B2 (en) * | 2002-10-01 | 2006-12-26 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | Piezoelectric sensor and input device including same |
US6845664B1 (en) * | 2002-10-03 | 2005-01-25 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration | MEMS direct chip attach packaging methodologies and apparatuses for harsh environments |
WO2005012206A1 (ja) | 2003-08-02 | 2005-02-10 | Brazing Co., Ltd. | ろう付用活性バインダー、該バインダーを用いたろう付用部品及びろう付製品、並びに、銀ろう付材 |
US6943097B2 (en) * | 2003-08-19 | 2005-09-13 | International Business Machines Corporation | Atomic layer deposition of metallic contacts, gates and diffusion barriers |
US7410833B2 (en) * | 2004-03-31 | 2008-08-12 | International Business Machines Corporation | Interconnections for flip-chip using lead-free solders and having reaction barrier layers |
US7261793B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and method for low temperature plasma-enhanced bonding |
US6928878B1 (en) * | 2004-09-28 | 2005-08-16 | Rosemount Aerospace Inc. | Pressure sensor |
US7538401B2 (en) * | 2005-05-03 | 2009-05-26 | Rosemount Aerospace Inc. | Transducer for use in harsh environments |
-
2006
- 2006-09-19 US US11/523,214 patent/US7538401B2/en active Active
-
2007
- 2007-09-19 EP EP07814915.0A patent/EP2082205B1/en active Active
- 2007-09-19 WO PCT/US2007/078837 patent/WO2008036705A2/en active Application Filing
- 2007-09-19 JP JP2009529352A patent/JP2010504529A/ja active Pending
-
2009
- 2009-04-20 US US12/426,310 patent/US7642115B2/en active Active
- 2009-10-14 US US12/579,123 patent/US7952154B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-20 US US12/622,706 patent/US8013405B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-08 US US13/083,035 patent/US8460961B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56172954U (ja) * | 1972-01-12 | 1981-12-21 | ||
JPS57109347A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-07 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JPH0495742A (ja) * | 1990-08-07 | 1992-03-27 | Seiko Epson Corp | 圧力センサ |
JP2001074577A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Hitachi Ltd | 半導体圧力センサ |
US20050235753A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-10-27 | Kurtz Anthony D | Pressure transducer for measuring low dynamic pressures in the presence of high static pressures |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015045779A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 力学量測定装置及びその製造方法 |
JPWO2015045779A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-03-09 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 力学量測定装置及びその製造方法 |
KR20150082119A (ko) * | 2014-01-06 | 2015-07-15 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | Mems 센서 |
KR101633027B1 (ko) | 2014-01-06 | 2016-06-23 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | Mems 센서 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110256652A1 (en) | 2011-10-20 |
WO2008036705A3 (en) | 2009-04-09 |
US20090203163A1 (en) | 2009-08-13 |
EP2082205A2 (en) | 2009-07-29 |
US8013405B2 (en) | 2011-09-06 |
US7952154B2 (en) | 2011-05-31 |
EP2082205B1 (en) | 2016-06-29 |
US7538401B2 (en) | 2009-05-26 |
WO2008036705A2 (en) | 2008-03-27 |
US20090108382A1 (en) | 2009-04-30 |
US20100155866A1 (en) | 2010-06-24 |
US20100065934A1 (en) | 2010-03-18 |
US8460961B2 (en) | 2013-06-11 |
US7642115B2 (en) | 2010-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5570811B2 (ja) | 耐熱式ソリッド・ステート圧力センサ | |
US8460961B2 (en) | Method for forming a transducer | |
US6058782A (en) | Hermetically sealed ultra high temperature silicon carbide pressure transducers and method for fabricating same | |
US4994781A (en) | Pressure sensing transducer employing piezoresistive elements on sapphire | |
US7644623B2 (en) | Semiconductor sensor for measuring a physical quantity and method of manufacturing the same | |
US6782757B2 (en) | Membrane pressure sensor containing silicon carbide and method of manufacture | |
WO1994005988A1 (en) | Pedestal mount capacitive pressure sensor | |
US20090229368A1 (en) | Silicon carbide piezoresistive pressure transducer and method of fabrication | |
US5672551A (en) | Method for manufacturing a semiconductor pressure sensor with single-crystal silicon diaphragm and single-crystal gage elements | |
JP2003534529A (ja) | 金ゲルマニューム隔離ろう付け結合を有するサファイヤ圧力センサ用梁 | |
US3930823A (en) | High temperature transducers and housing including fabrication methods | |
US20080099861A1 (en) | Sensor device package having thermally compliant die pad | |
CN115127718A (zh) | 一种碳化硅压力传感器及其制造方法 | |
JP2000046667A (ja) | 半導体圧力センサ素子 | |
JPS62259475A (ja) | 半導体圧力変換器及びその製造方法 | |
JP2023133922A (ja) | 赤外線センサ及び赤外線センサの製造方法 | |
JPH0368829A (ja) | 圧力検出器およびその製造方法 | |
JPH0425736A (ja) | 圧力検出器およびその製造方法 | |
JPH03194432A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JPH05283714A (ja) | 圧力センサ | |
JPS6336581A (ja) | 半導体圧力変換器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100604 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120507 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130812 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140203 |